JP5752939B2 - プラズマイオン注入を用いた磁区パターン形成 - Google Patents
プラズマイオン注入を用いた磁区パターン形成 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5752939B2 JP5752939B2 JP2010546879A JP2010546879A JP5752939B2 JP 5752939 B2 JP5752939 B2 JP 5752939B2 JP 2010546879 A JP2010546879 A JP 2010546879A JP 2010546879 A JP2010546879 A JP 2010546879A JP 5752939 B2 JP5752939 B2 JP 5752939B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- thin film
- ions
- disk
- plasma
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/855—Coating only part of a support with a magnetic layer
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
- G11C11/161—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect details concerning the memory cell structure, e.g. the layers of the ferromagnetic memory cell
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B61/00—Magnetic memory devices, e.g. magnetoresistive RAM [MRAM] devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Mram Or Spin Memory Techniques (AREA)
- Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Description
Claims (12)
- 基板上の磁性薄膜内に磁区を形成する方法であって、
レジストで前記磁性薄膜を被覆するステップと、
前記磁性薄膜の領域が実質的にむき出しになるように、ナノインプリントパターン形成プロセスによって前記レジストをパターン形成するステップと、
ホウ素イオン、リンイオン、ヒ素イオン、水素イオン、ヘリウムイオン、窒素イオン、又はシリコンイオンを含むプラズマに前記磁性薄膜を曝露するステップであって、基板は基板内に形成された中央開口を貫通するロッドによって垂直に保持され、プラズマイオンが前記磁性薄膜の前記実質的にむき出しの領域に浸透して、前記実質的にむき出しの領域を非磁性にするステップとを含む方法。 - 前記磁性薄膜をプラズマに曝露するステップの後に、前記磁性薄膜をアニールして、これにより、前記磁性薄膜内の所望の深さへの注入イオンの浸透を促進するステップを更に含む請求項1記載の方法。
- 前記磁性薄膜と真空容器側壁の間に高周波発生器を接続することにより前記プラズマを生成し、真空容器内に前記基板を配置する請求項1記載の方法。
- 前記磁性薄膜を前記プラズマに曝露する前記ステップが、前記薄膜と前記真空容器側壁の間に直流バイアスを印加するステップを含んでいる請求項3記載の方法。
- 前記磁性薄膜を前記プラズマに曝露する前記ステップが、前記薄膜と前記真空容器側壁の間に高周波バイアスを印加するステップを含んでいる請求項3記載の方法。
- 前記形成するステップの前に、基板上に前記磁性薄膜を蒸着するステップを更に含み、
前記蒸着するステップの前に、前記基板上にワード線を形成するステップを更に含み、
前記曝露するステップの後に、前記磁区の上にビット線を形成するステップを更に含み、
前記ワード線と前記ビット線とは前記磁区の位置で互いに交差しており、前記磁区のそれぞれは異なる磁気記憶素子の一部である請求項1記載の方法。 - 薄膜磁気媒体ディスク上に磁区を形成する方法であって、
レジストで前記ディスクの両面を被覆するステップと、
前記磁性薄膜の領域が実質的にむき出しになるように前記レジストをパターン形成するステップと、
ホウ素イオン、リンイオン、ヒ素イオン、水素イオン、ヘリウムイオン、窒素イオン、又はシリコンイオンを含むプラズマに前記ディスクの両面上の前記磁性薄膜を同時に曝露するステップであって、チャンバ側壁からロッドまで結合されたRFバイアス電源によって前記プラズマを生成し、基板はディスク内に形成された中央開口上に保持され、中央開口を貫通され、プラズマイオンが前記磁性薄膜の前記実質的にむき出しの領域に浸透して、前記実質的にむき出しの領域を非磁性の膜にするステップとを含む方法。 - 接地電位に保持された真空容器と、
制御された量のガスを前記真空容器の中へリークするように構成されたガス入口弁と、
(1)前記真空容器内に収まり、(2)多数のディスクを保持して、ディスク内に形成された対応する中央円形開口のところで前記多数のディスクのそれぞれに接触し、 前記多数のディスクの間に間隔をあけて前記多数のディスクのそれぞれの両面が露出するようにして、(3)前記多数のディスクに電気的に接触するように構成されたディスク取り付け装置と、
前記ディスク取り付け装置と前記真空容器とに電気的に接続され、これにより、前記真空容器内にプラズマを点火でき、前記ディスクの両面をプラズマイオンに均一に曝露する高周波信号発生器とを含む中央円形開口を有する薄膜磁気媒体ディスクのプラズマ注入処理のためのツール。 - 前記ディスク取り付け装置が、前記ディスクの中央開口よりも小さい直径を有するロッドであり、前記ディスク取り付け装置は、前記ディスクの前記中央円形開口に結合する取付金具を含んでおり、前記取付金具のそれぞれは前記ディスク取り付け装置上の所定の位置に前記ディスクのうちの1つを保持して、前記ディスクのうちの前記1つと前記ディスク取り付け装置との間に電気的接続を提供するように構成されている請求項8記載のツール。
- 前記ディスク取り付け装置が、単一平面内に複数のディスクを保持するように構成されたフレームであり、前記ディスク取り付け装置は、前記ディスクの前記中央円形開口に結合する取付金具を含んでおり、前記取付金具のそれぞれは前記ディスク取り付け装置上の所定の位置に前記ディスクのうちの1つを保持して、前記ディスクのうちの前記1つと前記ディスク取り付け装置との間に電気的接続を提供するように構成されている請求項8記載のツール。
- 第1の形成された磁区配列を含む第1の連続薄膜であって、前記磁区は前記連続薄膜の非磁性領域で分離されており、前記連続薄膜の非磁性領域は、ホウ素、リン、ヒ素、水素、ヘリウム、窒素、又はシリコンからなる群より選択される少なくとも1つの元素を含み、前記第1の形成された磁区配列のそれぞれは異なる磁気記憶素子の一部である第1の連続薄膜と、
前記第1の連続薄膜の下方に位置するワード線と、
前記第1の連続薄膜の上方に位置するビット線を含み、
前記ワード線と前記ビット線とは前記磁区の位置で互いに交差しているメモリデバイス。 - 前記第1の連続薄膜に平行な第2の連続薄膜を更に含み、前記第2の連続薄膜は第2の形成された磁区配列を含んでおり、
前記第2の磁区のそれぞれは前記第1の磁区のうちの対応する磁区と重なっている請求項11記載のメモリデバイス。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US12/029,601 US20090199768A1 (en) | 2008-02-12 | 2008-02-12 | Magnetic domain patterning using plasma ion implantation |
US12/029,601 | 2008-02-12 | ||
US12/355,612 US20090201722A1 (en) | 2008-02-12 | 2009-01-16 | Method including magnetic domain patterning using plasma ion implantation for mram fabrication |
US12/355,612 | 2009-01-16 | ||
PCT/US2009/033819 WO2009102802A2 (en) | 2008-02-12 | 2009-02-11 | Magnetic domain patterning using plasma ion implantation |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011518400A JP2011518400A (ja) | 2011-06-23 |
JP5752939B2 true JP5752939B2 (ja) | 2015-07-22 |
Family
ID=40938737
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010546879A Expired - Fee Related JP5752939B2 (ja) | 2008-02-12 | 2009-02-11 | プラズマイオン注入を用いた磁区パターン形成 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20090201722A1 (ja) |
JP (1) | JP5752939B2 (ja) |
KR (1) | KR101594763B1 (ja) |
CN (2) | CN101946282B (ja) |
TW (1) | TWI463509B (ja) |
WO (1) | WO2009102802A2 (ja) |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8551578B2 (en) * | 2008-02-12 | 2013-10-08 | Applied Materials, Inc. | Patterning of magnetic thin film using energized ions and thermal excitation |
US20090199768A1 (en) * | 2008-02-12 | 2009-08-13 | Steven Verhaverbeke | Magnetic domain patterning using plasma ion implantation |
US8535766B2 (en) | 2008-10-22 | 2013-09-17 | Applied Materials, Inc. | Patterning of magnetic thin film using energized ions |
JP5247231B2 (ja) * | 2008-05-15 | 2013-07-24 | 昭和電工株式会社 | 磁気記録媒体の製造方法 |
CN102197426B (zh) * | 2008-10-22 | 2014-11-05 | 应用材料公司 | 使用能量化离子以图案化磁性薄膜的方法 |
US9685186B2 (en) * | 2009-02-27 | 2017-06-20 | Applied Materials, Inc. | HDD pattern implant system |
MY160165A (en) * | 2009-04-10 | 2017-02-28 | Applied Materials Inc | Use special ion source apparatus and implant with molecular ions to process hdd (high density magnetic disks)with patterned magnetic domains |
WO2011056433A2 (en) * | 2009-11-03 | 2011-05-12 | Applied Materials, Inc. | Temperature control of a substrate during a plasma ion implantation process for patterned disc media applications |
SG10201407094SA (en) * | 2009-11-04 | 2014-12-30 | Applied Materials Inc | Plasma ion implantation process for patterned disc media applications |
US8673162B2 (en) * | 2009-12-10 | 2014-03-18 | Applied Materials, Inc. | Methods for substrate surface planarization during magnetic patterning by plasma immersion ion implantation |
JP5605941B2 (ja) * | 2010-06-30 | 2014-10-15 | 株式会社アルバック | 磁気記録媒体の製造方法 |
TWI612700B (zh) | 2010-07-28 | 2018-01-21 | 應用材料股份有限公司 | 用於磁性媒材圖案化之阻劑強化 |
WO2013077952A1 (en) * | 2011-11-23 | 2013-05-30 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and methods for silicon oxide cvd photoresist planarization |
MY166017A (en) * | 2011-12-16 | 2018-05-21 | Applied Materials Inc | Demagnetization of magnetic media by c doping for hdd patterned media application |
US9070854B2 (en) * | 2012-04-27 | 2015-06-30 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Techniques for patterning multilayer magnetic memory devices using ion implantation |
US20140131308A1 (en) | 2012-11-14 | 2014-05-15 | Roman Gouk | Pattern fortification for hdd bit patterned media pattern transfer |
US9865459B2 (en) | 2015-04-22 | 2018-01-09 | Applied Materials, Inc. | Plasma treatment to improve adhesion between hardmask film and silicon oxide film |
US11049537B2 (en) | 2019-07-29 | 2021-06-29 | Applied Materials, Inc. | Additive patterning of semiconductor film stacks |
CN114743755B (zh) * | 2022-02-21 | 2024-04-19 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 一种纳米磁性图案的构建系统及其构建方法 |
Family Cites Families (76)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4991542A (en) * | 1987-10-14 | 1991-02-12 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Method of forming a thin film by plasma CVD and apapratus for forming a thin film |
DE69021741T2 (de) * | 1989-01-11 | 1996-04-18 | Hitachi Ltd | Magnetischer Aufzeichnungsträger und Verfahren zum magnetischen Aufzeichnen und Wiedergeben von Daten. |
JPH02230533A (ja) * | 1989-03-03 | 1990-09-12 | Nec Corp | 光磁気記録媒体およびその製造方法 |
JP3321283B2 (ja) * | 1994-02-21 | 2002-09-03 | 株式会社アルバック | エッチング装置 |
JPH08180328A (ja) * | 1994-12-21 | 1996-07-12 | Fujitsu Ltd | スピンバルブ磁気抵抗効果素子及びその製造方法 |
US5858474A (en) * | 1996-02-20 | 1999-01-12 | Seagate Technology, Inc. | Method of forming a magnetic media |
US5640343A (en) * | 1996-03-18 | 1997-06-17 | International Business Machines Corporation | Magnetic memory array using magnetic tunnel junction devices in the memory cells |
US5858477A (en) * | 1996-12-10 | 1999-01-12 | Akashic Memories Corporation | Method for producing recording media having protective overcoats of highly tetrahedral amorphous carbon |
US5763016A (en) * | 1996-12-19 | 1998-06-09 | Anon, Incorporated | Method of forming patterns in organic coatings films and layers |
JP4059549B2 (ja) * | 1997-09-20 | 2008-03-12 | キヤノンアネルバ株式会社 | 基板支持装置 |
FR2773632B1 (fr) * | 1998-01-12 | 2000-03-31 | Centre Nat Rech Scient | Procede de gravure magnetique, pour notamment l'enregistrement magnetique ou magneto-optique |
US6101972A (en) * | 1998-05-13 | 2000-08-15 | Intevac, Inc. | Plasma processing system and method |
US6203862B1 (en) * | 1998-05-13 | 2001-03-20 | Intevac, Inc. | Processing systems with dual ion sources |
US6368678B1 (en) * | 1998-05-13 | 2002-04-09 | Terry Bluck | Plasma processing system and method |
US6168845B1 (en) * | 1999-01-19 | 2001-01-02 | International Business Machines Corporation | Patterned magnetic media and method of making the same using selective oxidation |
US6128214A (en) * | 1999-03-29 | 2000-10-03 | Hewlett-Packard | Molecular wire crossbar memory |
US6252741B1 (en) * | 1999-05-11 | 2001-06-26 | Greenleaf Technologies | Thin film magnetic recording head with treated ceramic substrate |
US6331364B1 (en) * | 1999-07-09 | 2001-12-18 | International Business Machines Corporation | Patterned magnetic recording media containing chemically-ordered FePt of CoPt |
JP2001043530A (ja) * | 1999-07-28 | 2001-02-16 | Anelva Corp | 情報記録ディスク用保護膜作成方法及び情報記録ディスク用薄膜作成装置 |
CN100365707C (zh) * | 1999-11-12 | 2008-01-30 | 希捷科技有限公司 | 在磁介质上形成磁图案的方法和系统 |
JP2001250217A (ja) * | 2000-03-07 | 2001-09-14 | Hitachi Maxell Ltd | 情報記録媒体及びその製造方法 |
JP2004502554A (ja) * | 2000-03-22 | 2004-01-29 | ユニバーシティー オブ マサチューセッツ | ナノシリンダー・アレイ |
US6898031B1 (en) * | 2000-04-19 | 2005-05-24 | Seagate Technology Llc | Method for replicating magnetic patterns on hard disk media |
US6383597B1 (en) * | 2000-06-21 | 2002-05-07 | International Business Machines Corporation | Magnetic recording media with magnetic bit regions patterned by ion irradiation |
US6391430B1 (en) * | 2000-06-21 | 2002-05-21 | International Business Machines Corporation | Patterned magnetic recording media with discrete magnetic regions separated by regions of antiferromagnetically coupled films |
US6864042B1 (en) * | 2000-07-25 | 2005-03-08 | Seagate Technology Llc | Patterning longitudinal magnetic recording media with ion implantation |
US7037813B2 (en) * | 2000-08-11 | 2006-05-02 | Applied Materials, Inc. | Plasma immersion ion implantation process using a capacitively coupled plasma source having low dissociation and low minimum plasma voltage |
US7288491B2 (en) * | 2000-08-11 | 2007-10-30 | Applied Materials, Inc. | Plasma immersion ion implantation process |
US7294294B1 (en) * | 2000-10-17 | 2007-11-13 | Seagate Technology Llc | Surface modified stamper for imprint lithography |
US6753043B1 (en) * | 2000-12-07 | 2004-06-22 | Seagate Technology Llc | Patterning of high coercivity magnetic media by ion implantation |
KR20020069034A (ko) * | 2001-02-23 | 2002-08-29 | 주식회사 피앤티기술 | 다중 자화 용이축을 갖는 디스크형 자기 저장 장치 및 그제조 방법 |
JP2002288813A (ja) * | 2001-03-26 | 2002-10-04 | Fuji Electric Co Ltd | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
JP3886802B2 (ja) * | 2001-03-30 | 2007-02-28 | 株式会社東芝 | 磁性体のパターニング方法、磁気記録媒体、磁気ランダムアクセスメモリ |
US6740209B2 (en) * | 2001-07-27 | 2004-05-25 | Anelva Corporation | Multilayer film deposition apparatus, and method and apparatus for manufacturing perpendicular-magnetic-recording media |
EP1423861A1 (en) * | 2001-08-30 | 2004-06-02 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Magnetoresistive device and electronic device |
SG122746A1 (en) * | 2001-10-01 | 2006-06-29 | Inst Data Storage | Method of magnetically patterning a thin film by mask-controlled local phase transition |
US6849349B2 (en) * | 2001-10-22 | 2005-02-01 | Carnegie Mellon University | Magnetic films having magnetic and non-magnetic regions and method of producing such films by ion irradiation |
US20030103367A1 (en) * | 2001-11-30 | 2003-06-05 | Nec Research Institute, Inc. | Quantum dot-based magnetic random access memory (mram) and method for manufacturing same |
US6773764B2 (en) * | 2002-01-03 | 2004-08-10 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Method of forming a patterned magnetic recording medium |
US6770565B2 (en) * | 2002-01-08 | 2004-08-03 | Applied Materials Inc. | System for planarizing metal conductive layers |
US6683322B2 (en) * | 2002-03-01 | 2004-01-27 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Flexible hybrid memory element |
US6749729B1 (en) * | 2002-03-13 | 2004-06-15 | Seagate Technology Llc | Method and apparatus for workpiece biassing utilizing non-arcing bias rail |
JP2004040006A (ja) * | 2002-07-08 | 2004-02-05 | Sony Corp | 磁気メモリ装置およびその製造方法 |
JP4262969B2 (ja) * | 2002-12-05 | 2009-05-13 | 株式会社ルネサステクノロジ | 薄膜磁性体記憶装置 |
JP2005056535A (ja) * | 2003-08-07 | 2005-03-03 | Tdk Corp | 磁気記録媒体の製造方法及び製造装置 |
US7611911B2 (en) * | 2003-10-08 | 2009-11-03 | International Business Machines Corporation | Method and system for patterning of magnetic thin films using gaseous transformation to transform a magnetic portion to a non-magnetic portion |
US6947235B2 (en) * | 2003-12-03 | 2005-09-20 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Patterned multilevel perpendicular magnetic recording media |
US7045368B2 (en) * | 2004-05-19 | 2006-05-16 | Headway Technologies, Inc. | MRAM cell structure and method of fabrication |
US8058156B2 (en) * | 2004-07-20 | 2011-11-15 | Applied Materials, Inc. | Plasma immersion ion implantation reactor having multiple ion shower grids |
US7160477B2 (en) * | 2005-01-26 | 2007-01-09 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Method for making a contact magnetic transfer template |
JP4519668B2 (ja) * | 2005-01-31 | 2010-08-04 | 株式会社東芝 | パターンド磁気記録媒体、パターンド磁気記録媒体作製用スタンパー、パターンド磁気記録媒体の製造方法、および磁気記録再生装置 |
JP2006277868A (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Toshiba Corp | ディスクリートトラック媒体およびその製造方法 |
JP2006286159A (ja) * | 2005-04-05 | 2006-10-19 | Canon Inc | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
JP4649262B2 (ja) * | 2005-04-19 | 2011-03-09 | 株式会社東芝 | 磁気記録媒体の製造方法 |
US7648641B2 (en) * | 2005-06-17 | 2010-01-19 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Method and apparatus for creating a topographically patterned substrate |
JP4594811B2 (ja) * | 2005-06-28 | 2010-12-08 | 株式会社東芝 | 磁気記録媒体用基板、磁気記録媒体および磁気記録装置 |
JP4630795B2 (ja) * | 2005-10-26 | 2011-02-09 | 株式会社東芝 | パターン形成方法および磁気記録媒体の製造方法 |
JP2007207778A (ja) * | 2006-01-30 | 2007-08-16 | Toshiba Corp | 磁気抵抗効果素子の製造方法及び磁気記憶装置の製造方法 |
WO2007091702A1 (en) * | 2006-02-10 | 2007-08-16 | Showa Denko K.K. | Magnetic recording medium, method for production thereof and magnetic recording and reproducing device |
JP4221415B2 (ja) * | 2006-02-16 | 2009-02-12 | 株式会社東芝 | 磁気記録媒体の製造方法 |
JP2008052860A (ja) * | 2006-08-28 | 2008-03-06 | Showa Denko Kk | 磁気記録媒体の製造方法、及び磁気記録再生装置 |
JP2008135092A (ja) * | 2006-11-27 | 2008-06-12 | Showa Denko Kk | 磁気記録媒体の製造方法、及び磁気記録再生装置 |
US20080157911A1 (en) * | 2006-12-29 | 2008-07-03 | Fajardo Arnel M | Soft magnetic layer for on-die inductively coupled wires with high electrical resistance |
US7972897B2 (en) * | 2007-02-05 | 2011-07-05 | Intermolecular, Inc. | Methods for forming resistive switching memory elements |
JP4881908B2 (ja) * | 2007-06-19 | 2012-02-22 | 昭和電工株式会社 | 磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録再生装置 |
US8551578B2 (en) * | 2008-02-12 | 2013-10-08 | Applied Materials, Inc. | Patterning of magnetic thin film using energized ions and thermal excitation |
US8535766B2 (en) * | 2008-10-22 | 2013-09-17 | Applied Materials, Inc. | Patterning of magnetic thin film using energized ions |
US9685186B2 (en) * | 2009-02-27 | 2017-06-20 | Applied Materials, Inc. | HDD pattern implant system |
MY160165A (en) * | 2009-04-10 | 2017-02-28 | Applied Materials Inc | Use special ion source apparatus and implant with molecular ions to process hdd (high density magnetic disks)with patterned magnetic domains |
US8431911B2 (en) * | 2009-04-13 | 2013-04-30 | Applied Materials, Inc. | HDD pattern apparatus using laser, E-beam, or focused ion beam |
CN102379005B (zh) * | 2009-04-13 | 2016-08-24 | 应用材料公司 | 用离子和中性束注入改变膜的磁性 |
WO2011056433A2 (en) * | 2009-11-03 | 2011-05-12 | Applied Materials, Inc. | Temperature control of a substrate during a plasma ion implantation process for patterned disc media applications |
SG10201407094SA (en) * | 2009-11-04 | 2014-12-30 | Applied Materials Inc | Plasma ion implantation process for patterned disc media applications |
US8673162B2 (en) * | 2009-12-10 | 2014-03-18 | Applied Materials, Inc. | Methods for substrate surface planarization during magnetic patterning by plasma immersion ion implantation |
TWI612700B (zh) * | 2010-07-28 | 2018-01-21 | 應用材料股份有限公司 | 用於磁性媒材圖案化之阻劑強化 |
JP2012195027A (ja) * | 2011-03-15 | 2012-10-11 | Toshiba Corp | 磁気記録媒体、その製造方法、及び磁気記録再生装置 |
-
2009
- 2009-01-16 US US12/355,612 patent/US20090201722A1/en not_active Abandoned
- 2009-02-11 KR KR1020107020302A patent/KR101594763B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2009-02-11 JP JP2010546879A patent/JP5752939B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2009-02-11 CN CN2009801048274A patent/CN101946282B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2009-02-11 CN CN201210397232.6A patent/CN102915747B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2009-02-11 WO PCT/US2009/033819 patent/WO2009102802A2/en active Application Filing
- 2009-02-12 TW TW098104532A patent/TWI463509B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI463509B (zh) | 2014-12-01 |
CN101946282B (zh) | 2012-12-05 |
JP2011518400A (ja) | 2011-06-23 |
KR20100120208A (ko) | 2010-11-12 |
US20090201722A1 (en) | 2009-08-13 |
KR101594763B1 (ko) | 2016-02-17 |
CN102915747B (zh) | 2016-03-16 |
CN102915747A (zh) | 2013-02-06 |
TW200943334A (en) | 2009-10-16 |
WO2009102802A2 (en) | 2009-08-20 |
WO2009102802A3 (en) | 2009-10-15 |
CN101946282A (zh) | 2011-01-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5752939B2 (ja) | プラズマイオン注入を用いた磁区パターン形成 | |
US9263078B2 (en) | Patterning of magnetic thin film using energized ions | |
US8551578B2 (en) | Patterning of magnetic thin film using energized ions and thermal excitation | |
JP5863882B2 (ja) | 高エネルギーイオンを使用する磁気薄膜のパターン化 | |
US20090199768A1 (en) | Magnetic domain patterning using plasma ion implantation | |
JP2003151127A (ja) | 高密度磁気データ記憶媒体の製造方法 | |
JP2002359138A (ja) | 磁性体のパターニング方法、磁気記録媒体、磁気ランダムアクセスメモリ | |
US8673162B2 (en) | Methods for substrate surface planarization during magnetic patterning by plasma immersion ion implantation | |
JP2010176784A (ja) | マルチフェロイック記憶媒体 | |
JP2009129501A (ja) | 磁気記録媒体、磁気記録媒体の製造方法および製造装置、ならびに磁気記録装置 | |
US10233538B2 (en) | Demagnetization of magnetic media by C doping for HDD patterned media application | |
US20160071537A1 (en) | Fabrication of bit patterned media using microcontact printing | |
JP3789101B2 (ja) | 磁気記録装置および磁気記録書き込み方法 | |
US20040166640A1 (en) | Method for preparing a ring-formed body, and magnetic memory device and method for manufacturing the same | |
US8871528B2 (en) | Medium patterning method and associated apparatus | |
KR20120080171A (ko) | 패터닝된 자기 비트 데이터 저장 매체 및 이를 제조하기 위한 방법 | |
JP5808441B2 (ja) | ビットパターン媒体における隣接トラックエラーの低減 | |
JP2006528401A (ja) | ナノ粒子媒体の製造方法 | |
JP2004103661A (ja) | 磁気メモリ、その製造方法、磁気メモリを用いた磁気記録再生装置及びメモリセル |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120210 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130411 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130821 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130903 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20131203 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20131210 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20131230 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20140114 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20140202 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20140210 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140303 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20141007 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150205 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20150216 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150512 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150521 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5752939 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |