JPH02230533A - 光磁気記録媒体およびその製造方法 - Google Patents
光磁気記録媒体およびその製造方法Info
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- JPH02230533A JPH02230533A JP4992389A JP4992389A JPH02230533A JP H02230533 A JPH02230533 A JP H02230533A JP 4992389 A JP4992389 A JP 4992389A JP 4992389 A JP4992389 A JP 4992389A JP H02230533 A JPH02230533 A JP H02230533A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は光磁気記録媒体およびその製造方法に関し、ざ
ら（こ詳しくは、磁性層間の磁気的結合力が良好に制御
された磁性多層膜よりなる記録膜を有する光磁気記録媒
体およびその製造方法に関する。
ら（こ詳しくは、磁性層間の磁気的結合力が良好に制御
された磁性多層膜よりなる記録膜を有する光磁気記録媒
体およびその製造方法に関する。
［従来の技術］
従来、組成の異なる複数の磁性薄膜を１枚の基板上に作
製した磁性多層膜は、オーバライト可能な光磁気記録用
媒体もしくは高感度化媒体としてさかんに研究ざれてい
る。
製した磁性多層膜は、オーバライト可能な光磁気記録用
媒体もしくは高感度化媒体としてさかんに研究ざれてい
る。
このうち、多層膜を利用したオーバライト方式としては
、先行補助磁界と２＠膜を用いてオーバライトを可能に
した方式（特開昭６２−１７５９４８号公報参照）や、
外部磁界印加装置を用いることなしに、２層膜を用いて
オーバライトを可能にした方式（特開昭６２−１５４３
４７号公報参照）等が知られている。
、先行補助磁界と２＠膜を用いてオーバライトを可能に
した方式（特開昭６２−１７５９４８号公報参照）や、
外部磁界印加装置を用いることなしに、２層膜を用いて
オーバライトを可能にした方式（特開昭６２−１５４３
４７号公報参照）等が知られている。
また、多層膜を利用した高感度化媒体としては、読み出
し層に高θｋの媒体、書き込み層に低キュリ温度の媒体
を用いる２層膜によって、高感度および高Ｃ／Ｎを可能
にする方式（ Ｙ． ＦｕｊＴ． Ｔｏｋｕｎａｇａ，
Ｋ． Ｈａｓ旧ｍａ Ｋ． Ｔｓｕｔｓｕｍｉ
ａｎｄＨ． Ｓｈｉｇａｈａｒａ， ” Ｅ
ＸＣＨＡＮＧＥ− ＣＯＵＰＬＥＤ ＤＯＵＢＬＥ
−ＬＡＹＥＲ Ｔｂ−Ｆｅ−ＣＯ Ｆｒ団Ｓ Ｆ
ＯＲ ＭＡＧＮＥＴ−ＯＰＴＩＣＡＩ−ＭＥＭＯＲＹ
” ， Ａｄｖａｎｃｅｓ ｉｎ ｔ−１ａｇｎｅｔ−
Ｏｐｔｉｃｓ， Ｐｒｏｃ．Ｔｎｔ． Ｓｙｍｐ．
Ｎａｇｎｅｔ− Ｏｐｔｉｃｓ， Ｊ． Ｈａｇ． Ｓ
ｏｃ．１９８７ｂｙ Ｔｈｅ Ｈａｇｎｅｔｉｃｓ Ｓ
ｏｃｉｅｔｙ ｏｆ Ｊａｐａｎ ， １９８７、また
は斉藤，青木，赤坂″高速高密度な光磁気メモリ（ディ
スクの熱書き込み特性）″，第１１回日本応用磁気学会
学術講演概要集， ３ｐＤ−１４， ｐ．２８４ ．１
９８７）がある。
し層に高θｋの媒体、書き込み層に低キュリ温度の媒体
を用いる２層膜によって、高感度および高Ｃ／Ｎを可能
にする方式（ Ｙ． ＦｕｊＴ． Ｔｏｋｕｎａｇａ，
Ｋ． Ｈａｓ旧ｍａ Ｋ． Ｔｓｕｔｓｕｍｉ
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ＯＲ ＭＡＧＮＥＴ−ＯＰＴＩＣＡＩ−ＭＥＭＯＲＹ
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Ｏｐｔｉｃｓ， Ｐｒｏｃ．Ｔｎｔ． Ｓｙｍｐ．
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ｏｃ．１９８７ｂｙ Ｔｈｅ Ｈａｇｎｅｔｉｃｓ Ｓ
ｏｃｉｅｔｙ ｏｆ Ｊａｐａｎ ， １９８７、また
は斉藤，青木，赤坂″高速高密度な光磁気メモリ（ディ
スクの熱書き込み特性）″，第１１回日本応用磁気学会
学術講演概要集， ３ｐＤ−１４， ｐ．２８４ ．１
９８７）がある。
し発明が解決しようとする課題］
従来技術においては、各々の方法に最適な特性をもつ多
層膜を作製ずるためには、多層膜を構成している各磁性
層間に、適当な層を薄く挟むことにより、磁性層間の磁
気的結合力を調節することか必要である。なぜなら、例
えばオーバライト可能な２層膜媒体のＭ−Ｈル−プは、
環境温度において、第５図に示すような２段階の反転磁
界をもつものでなければならないが、２層間の磁気的結
合力が強すぎると、Ｍ−１」ループは第６図に示したよ
うな反転磁界を１段階しかもたないループになってしま
うからである。
層膜を作製ずるためには、多層膜を構成している各磁性
層間に、適当な層を薄く挟むことにより、磁性層間の磁
気的結合力を調節することか必要である。なぜなら、例
えばオーバライト可能な２層膜媒体のＭ−Ｈル−プは、
環境温度において、第５図に示すような２段階の反転磁
界をもつものでなければならないが、２層間の磁気的結
合力が強すぎると、Ｍ−１」ループは第６図に示したよ
うな反転磁界を１段階しかもたないループになってしま
うからである。
磁性層間の磁気的結合力を調節ずる方法としては、成膜
されている磁性層の上に、スパッタや蒸着により磁気的
結合力を調節ずる層を成膜し、ざらにその上に別の磁性
層を成膜して、最終的に磁気的結合力を調節する層を磁
性層間に挟む方法が最も一般的な方法として考えられる
。しかしながら、スパッタ等の方法によると、光磁気デ
ィスク用基板等凹凸の多い基板上に、膜厚の一様な磁気
的結合力を調節する層を薄く成膜ずるのは難しく、その
結果、磁性層間の磁気的結合力を制御ずることか困勤に
なる。磁性層間の磁気的結合力を制御するためには、磁
気的結合力を調節ずる層を、薄く一様な膜厚に作製する
技術か必要になる。
されている磁性層の上に、スパッタや蒸着により磁気的
結合力を調節ずる層を成膜し、ざらにその上に別の磁性
層を成膜して、最終的に磁気的結合力を調節する層を磁
性層間に挟む方法が最も一般的な方法として考えられる
。しかしながら、スパッタ等の方法によると、光磁気デ
ィスク用基板等凹凸の多い基板上に、膜厚の一様な磁気
的結合力を調節する層を薄く成膜ずるのは難しく、その
結果、磁性層間の磁気的結合力を制御ずることか困勤に
なる。磁性層間の磁気的結合力を制御するためには、磁
気的結合力を調節ずる層を、薄く一様な膜厚に作製する
技術か必要になる。
本発明の目的は、多層膜を構成している各磁性層間の磁
気的結合力を調節する層を、磁性層の」一に薄く一様な
膜厚に成膜して、磁気的結合力が良好に制御された磁性
多層膜よりなる記録膜を有する光磁気記録媒体およびそ
の製造方法を提供することにある。
気的結合力を調節する層を、磁性層の」一に薄く一様な
膜厚に成膜して、磁気的結合力が良好に制御された磁性
多層膜よりなる記録膜を有する光磁気記録媒体およびそ
の製造方法を提供することにある。
［課題を解決するための手段］
本発明は、基板上に記録膜が形成され、レーザ光によっ
て情報の記録，消去を行う光磁気記録媒体にあいて、記
録膜か異なる組成の磁性層よりなる磁性多層膜と各磁性
層間に形成された隣接する磁性層構成成分の窒化物膜と
で構成されてなることを特徴とする光磁気記録媒体、お
よび、基板上に記録膜か形成され、レーザ光によって情
報の記録，消去を行う光磁気記録媒体の製造方法におい
て、記録膜の製造方法が、基板上に第１の磁性膜を形成
した後、該磁性膜上に窒素イオンあるいは窒素ラジカル
を照射し、窒化反応を起こさせて該磁性層構成成分の窒
化物膜を形成し、次いで該窒化物膜上に第２の磁性膜を
形成することよりなることを特徴とする光磁気記録媒体
の製造方法である。
て情報の記録，消去を行う光磁気記録媒体にあいて、記
録膜か異なる組成の磁性層よりなる磁性多層膜と各磁性
層間に形成された隣接する磁性層構成成分の窒化物膜と
で構成されてなることを特徴とする光磁気記録媒体、お
よび、基板上に記録膜か形成され、レーザ光によって情
報の記録，消去を行う光磁気記録媒体の製造方法におい
て、記録膜の製造方法が、基板上に第１の磁性膜を形成
した後、該磁性膜上に窒素イオンあるいは窒素ラジカル
を照射し、窒化反応を起こさせて該磁性層構成成分の窒
化物膜を形成し、次いで該窒化物膜上に第２の磁性膜を
形成することよりなることを特徴とする光磁気記録媒体
の製造方法である。
本発明における磁性多層膜の各磁性層は、希土類と遷移
金属の組合わせからなるアモルファス合金薄膜で構成さ
れたものである。このうち、希土類としては、例えば丁
ｂ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｎｄ，ＨＯ等の中から単独または複数
の元素が用いられ、遷移金属としては、例えばＦｅ，Ｃ
ｏ，Ｎ ｉ等の中から単独または複数の元素が用いられ
る。また、少量の王ｉ，Ｍｏ等を添加することも可能で
ある。
金属の組合わせからなるアモルファス合金薄膜で構成さ
れたものである。このうち、希土類としては、例えば丁
ｂ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｎｄ，ＨＯ等の中から単独または複数
の元素が用いられ、遷移金属としては、例えばＦｅ，Ｃ
ｏ，Ｎ ｉ等の中から単独または複数の元素が用いられ
る。また、少量の王ｉ，Ｍｏ等を添加することも可能で
ある。
［作用］
本発明においては磁性層の表面を窒素プラズマまたは窒
素ラジカルに曝すことにより、磁性層の表面を窒化し、
磁性層の表面に磁性層を構成する成分からなる窒化物を
形成している。従って、形成ざれる窒化物の膜厚は、媒
体表面の凹凸に影響ざれず一様になる。この窒化物層上
にざらに磁性層を形成することにより、磁性層間に一様
な厚さの薄い層か形成ざれることとなり、磁性層間の磁
気的結合力の調節が良好になされる。
素ラジカルに曝すことにより、磁性層の表面を窒化し、
磁性層の表面に磁性層を構成する成分からなる窒化物を
形成している。従って、形成ざれる窒化物の膜厚は、媒
体表面の凹凸に影響ざれず一様になる。この窒化物層上
にざらに磁性層を形成することにより、磁性層間に一様
な厚さの薄い層か形成ざれることとなり、磁性層間の磁
気的結合力の調節が良好になされる。
「実施例］
次に本発明の実施例について、図面を参照して詳細に説
明する。
明する。
第１図は、本発明の一実施例による光磁気記録２層膜媒
体の部分断面図である。同図において、媒体構成は、阜
板１／スペーり＠２／第１の磁性層３／窒化物層４／第
２の磁性層５／保護層６て必る。ここで、基４反１とし
ては、ポリカーボネ］〜樹脂，エボキシ樹脂またはカラ
スを用いた基板等を使用する。基板はグループ付きても
グループ無してもよく、カラスの上に２Ｐ樹脂等でグル
ブを形成させたものでもよい。スペ−サ層２ｄ５よび保
護層６としては、珪素の窒化物，珪素の酸化物，タンタ
ルの酸化物，アルミニウムの窒化物，アルミニウムの酸
化物等が使用できる。また、第１の磁性層３および第２
の磁性層５は希土類と遷移金属の組合わせからなるアモ
ルファス合金薄膜である。
体の部分断面図である。同図において、媒体構成は、阜
板１／スペーり＠２／第１の磁性層３／窒化物層４／第
２の磁性層５／保護層６て必る。ここで、基４反１とし
ては、ポリカーボネ］〜樹脂，エボキシ樹脂またはカラ
スを用いた基板等を使用する。基板はグループ付きても
グループ無してもよく、カラスの上に２Ｐ樹脂等でグル
ブを形成させたものでもよい。スペ−サ層２ｄ５よび保
護層６としては、珪素の窒化物，珪素の酸化物，タンタ
ルの酸化物，アルミニウムの窒化物，アルミニウムの酸
化物等が使用できる。また、第１の磁性層３および第２
の磁性層５は希土類と遷移金属の組合わせからなるアモ
ルファス合金薄膜である。
第２図は本発明の光磁気記録媒体を製造するのに用いら
れる磁性多層膜形成装置の１例を示したものである。同
図において、排気口１５の先は真空ポンプに接続してお
り、真空［１４内を真空にひくことができる。アルゴン
カス、窒素ガスの供給口１６からは、真空槽１４内にア
ルゴンガスおよび窒素ガスを導くことができる。真空槽
１４内にはターグッ１〜１１と基板１３が平行になるよ
うに設＠されていて、それぞれ交流電源１７およびコン
デンザ１８に直列に接続ざれており、ターゲットー基板
間に高周波交流電圧および自己バイアスがかけられるよ
うになっている。またターゲット１１と基板１３の間に
はシャツタ１２が設けられている。
れる磁性多層膜形成装置の１例を示したものである。同
図において、排気口１５の先は真空ポンプに接続してお
り、真空［１４内を真空にひくことができる。アルゴン
カス、窒素ガスの供給口１６からは、真空槽１４内にア
ルゴンガスおよび窒素ガスを導くことができる。真空槽
１４内にはターグッ１〜１１と基板１３が平行になるよ
うに設＠されていて、それぞれ交流電源１７およびコン
デンザ１８に直列に接続ざれており、ターゲットー基板
間に高周波交流電圧および自己バイアスがかけられるよ
うになっている。またターゲット１１と基板１３の間に
はシャツタ１２が設けられている。
以上の構成は通常の高周波スパツタ装置と同じであるが
、本装置での特徴的な点は基板がターゲットと平行のま
ま、ターゲット而に垂直な方向に迅速に移動できること
である。移動手段は、手動またはモータ等の動力による
。またコンデンサ１８は、スイッヂ１９を切り替えるこ
とにより、短絡することができるようになっている。
、本装置での特徴的な点は基板がターゲットと平行のま
ま、ターゲット而に垂直な方向に迅速に移動できること
である。移動手段は、手動またはモータ等の動力による
。またコンデンサ１８は、スイッヂ１９を切り替えるこ
とにより、短絡することができるようになっている。
次に以上のように構成された装置を用い、本発明の光磁
気記録媒体を次のようにして製造した。
気記録媒体を次のようにして製造した。
第３図および第４図はその方法を説明するための説明図
である。第３図において、基板１３上には、スパッタ等
により予め磁性膜を形成させておく。
である。第３図において、基板１３上には、スパッタ等
により予め磁性膜を形成させておく。
また、ターゲット１１と磁性膜を形成した基板１３間の
距離は、十分に遠くなるようにしでおく。この状態で、
真空槽１４内を真空にひき、真空槽１４内か十分真空に
なったところで、適量のアルゴンガスと窒素ガスをカス
供給口１６から真空槽１４内に導入する。ざらにターゲ
ット１１と基板１３間に、高周波電圧を印ＩＪ（」する
。コンデンサ１８はスイッチ１９により短絡しでおく。
距離は、十分に遠くなるようにしでおく。この状態で、
真空槽１４内を真空にひき、真空槽１４内か十分真空に
なったところで、適量のアルゴンガスと窒素ガスをカス
供給口１６から真空槽１４内に導入する。ざらにターゲ
ット１１と基板１３間に、高周波電圧を印ＩＪ（」する
。コンデンサ１８はスイッチ１９により短絡しでおく。
以上の操作により、ターゲットと基板間に窒素プラズマ
２０が作られる。この状態では、自己バイアスがかから
ないので、ターゲットはスパツタざれない。
２０が作られる。この状態では、自己バイアスがかから
ないので、ターゲットはスパツタざれない。
次いで、第３図に示したようなターゲツ｛〜と基板の間
に窒素プラズマ２０か形成されている状態から、すかさ
ず基板１３をターゲット１１面に平行上向きに動かず。
に窒素プラズマ２０か形成されている状態から、すかさ
ず基板１３をターゲット１１面に平行上向きに動かず。
第４図は、基板を動かした直後の状態を示したものであ
る。この操作により、既に基板上に形成ざれでいる磁性
膜の表面は、高湿の窒素プラズマに接触し、磁性膜表面
が窒化物になる。
る。この操作により、既に基板上に形成ざれでいる磁性
膜の表面は、高湿の窒素プラズマに接触し、磁性膜表面
が窒化物になる。
次いで、該窒化物の上に、別の磁性膜をスパツタ等で形
成すれば、２種の異なる磁性膜の間に窒化物からなる非
磁性膜を挟み込むことかできる。
成すれば、２種の異なる磁性膜の間に窒化物からなる非
磁性膜を挟み込むことかできる。
以上のような方法により、ポリカーボネート（グループ
付き）基板／窒化珪素（８００人）／Ｇｄ−Ｆｅ合金（
１０００人）／Ｇｄ−Ｆｅ合金の窒化物膜（２八）／
Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ合金（１００人）／窒化珪素（８００
人）という膜構成をもつ媒体をスパッタ法により作製し
た。
付き）基板／窒化珪素（８００人）／Ｇｄ−Ｆｅ合金（
１０００人）／Ｇｄ−Ｆｅ合金の窒化物膜（２八）／
Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ合金（１００人）／窒化珪素（８００
人）という膜構成をもつ媒体をスパッタ法により作製し
た。
ソノ結果、Ｇｄ−Ｆｅ合金層と、Ｔｂ一ＦｅＣｏ合金層
の間の磁気的結合力か弱められ、第５図に示したような
２段階の反転磁界のＩＶＩ−Ｈループを有Ｊる光磁気記
録媒体か得られた。
の間の磁気的結合力か弱められ、第５図に示したような
２段階の反転磁界のＩＶＩ−Ｈループを有Ｊる光磁気記
録媒体か得られた。
一方、比較例として、上記の膜構成のうら、窒化物膜か
形成されていない他は、上記と同様の光磁気記録媒体を
作製したところ、２層間の磁気的結合力か強すぎるため
、Ｍ一ト１ループは第６図に示したような反転磁界を１
段階しかもたないループになった。
形成されていない他は、上記と同様の光磁気記録媒体を
作製したところ、２層間の磁気的結合力か強すぎるため
、Ｍ一ト１ループは第６図に示したような反転磁界を１
段階しかもたないループになった。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明によれば磁性多層膜の磁性
層間に、一様な厚さの薄い層を形成することができるの
で、磁性層間の磁気的結合力を調節することが可能にな
り、優れた特性を有する光磁気記録媒体か提供される。
層間に、一様な厚さの薄い層を形成することができるの
で、磁性層間の磁気的結合力を調節することが可能にな
り、優れた特性を有する光磁気記録媒体か提供される。
第１図は本発明の光磁気記録媒体の一例の部分断面図、
第２図は本発明の光磁気記録媒体を製造するのに用いら
れる装置の一例の構成図、第３図および第４図は本発明
の方法を説明するための説明図、第５図は本発明の一実
施例によるオ−バライト用２層膜媒体のＭ−Ｈループを
示す特性図、第６図は従来例による２層膜媒体のＭ−Ｈ
ループを示す特性図である。 １，１３・・・基板 ３・・・第１の磁性層 ５・・・第２の磁性層 １１・・・ターゲット １４・・・真空槽 ２・・・スペ−サ層 ４・・・窒化物層 ６・・・・・・保護層 １２・・・シャッタ １５・・・排気口 １６・・・ガス供給口 １８・・・コンデンυ ２０・・・窒素プラズマ 代 理 人
第２図は本発明の光磁気記録媒体を製造するのに用いら
れる装置の一例の構成図、第３図および第４図は本発明
の方法を説明するための説明図、第５図は本発明の一実
施例によるオ−バライト用２層膜媒体のＭ−Ｈループを
示す特性図、第６図は従来例による２層膜媒体のＭ−Ｈ
ループを示す特性図である。 １，１３・・・基板 ３・・・第１の磁性層 ５・・・第２の磁性層 １１・・・ターゲット １４・・・真空槽 ２・・・スペ−サ層 ４・・・窒化物層 ６・・・・・・保護層 １２・・・シャッタ １５・・・排気口 １６・・・ガス供給口 １８・・・コンデンυ ２０・・・窒素プラズマ 代 理 人
Claims (2)
- （１）基板上に記録膜が形成され、レーザ光によって情
報の記録、消去を行う光磁気記録媒体において、記録膜
が異なる組成の磁性層よりなる磁性多層膜と各磁性層間
に形成された隣接する磁性層構成成分の窒化物膜とで構
成されてなることを特徴とする光磁気記録媒体。 - （２）基板上に記録膜が形成され、レーザ光によって情
報の記録、消去を行う光磁気記録媒体の製造方法におい
て、記録膜の製造方法が、基板上に第１の磁性膜を形成
した後、該磁性膜上に窒素イオンあるいは窒素ラジカル
を照射し、窒化反応を起こさせて該磁性層構成成分の窒
化物膜を形成し、次いで該窒化物膜上に第２の磁性膜を
形成することよりなることを特徴とする光磁気記録媒体
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4992389A JPH02230533A (ja) | 1989-03-03 | 1989-03-03 | 光磁気記録媒体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4992389A JPH02230533A (ja) | 1989-03-03 | 1989-03-03 | 光磁気記録媒体およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02230533A true JPH02230533A (ja) | 1990-09-12 |
Family
ID=12844536
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4992389A Pending JPH02230533A (ja) | 1989-03-03 | 1989-03-03 | 光磁気記録媒体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02230533A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5896350A (en) * | 1996-10-18 | 1999-04-20 | Fujitsu Limited | Magneto-optical recording medium and method of producing the same |
| WO2009102802A3 (en) * | 2008-02-12 | 2009-10-15 | Applied Materials, Inc. | Magnetic domain patterning using plasma ion implantation |
| US8535766B2 (en) | 2008-10-22 | 2013-09-17 | Applied Materials, Inc. | Patterning of magnetic thin film using energized ions |
| US8551578B2 (en) | 2008-02-12 | 2013-10-08 | Applied Materials, Inc. | Patterning of magnetic thin film using energized ions and thermal excitation |
-
1989
- 1989-03-03 JP JP4992389A patent/JPH02230533A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5896350A (en) * | 1996-10-18 | 1999-04-20 | Fujitsu Limited | Magneto-optical recording medium and method of producing the same |
| US6031794A (en) * | 1996-10-18 | 2000-02-29 | Fujitsu Limited | Magneto-optical recording medium and method of producing the same |
| WO2009102802A3 (en) * | 2008-02-12 | 2009-10-15 | Applied Materials, Inc. | Magnetic domain patterning using plasma ion implantation |
| US8551578B2 (en) | 2008-02-12 | 2013-10-08 | Applied Materials, Inc. | Patterning of magnetic thin film using energized ions and thermal excitation |
| US9263078B2 (en) | 2008-02-12 | 2016-02-16 | Applied Materials, Inc. | Patterning of magnetic thin film using energized ions |
| US8535766B2 (en) | 2008-10-22 | 2013-09-17 | Applied Materials, Inc. | Patterning of magnetic thin film using energized ions |
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