JP5731615B2 - トランスインピーダンスアンプ回路 - Google Patents
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 57
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 13
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 6
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 6
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 5
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 22
- 230000006870 function Effects 0.000 description 19
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 230000004044 response Effects 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
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- H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
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- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
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- H03F3/08—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only controlled by light
- H03F3/082—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only controlled by light with FET's
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- H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/45076—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
- H03F3/45179—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using MOSFET transistors as the active amplifying circuit
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- H03F3/45076—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
- H03F3/45475—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using IC blocks as the active amplifying circuit
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- H03F3/45—Differential amplifiers
- H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/45479—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of common mode signal rejection
- H03F3/45632—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of common mode signal rejection in differential amplifiers with FET transistors as the active amplifying circuit
- H03F3/45744—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of common mode signal rejection in differential amplifiers with FET transistors as the active amplifying circuit by offset reduction
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- H03F3/45—Differential amplifiers
- H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/45479—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of common mode signal rejection
- H03F3/45928—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of common mode signal rejection using IC blocks as the active amplifying circuit
- H03F3/45968—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of common mode signal rejection using IC blocks as the active amplifying circuit by offset reduction
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- H03G3/20—Automatic control
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- H03G3/3052—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices in bandpass amplifiers (H.F. or I.F.) or in frequency-changers used in a (super)heterodyne receiver
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- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
- H04B10/50—Transmitters
- H04B10/58—Compensation for non-linear transmitter output
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- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
- H04B10/60—Receivers
- H04B10/66—Non-coherent receivers, e.g. using direct detection
- H04B10/69—Electrical arrangements in the receiver
- H04B10/693—Arrangements for optimizing the preamplifier in the receiver
- H04B10/6931—Automatic gain control of the preamplifier
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- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
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- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
- H03F2203/45142—At least one diode being added at the input of a dif amp
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- H—ELECTRICITY
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- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
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- H03F2203/45212—Indexing scheme relating to differential amplifiers the differential amplifier being designed to have a reduced offset
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- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
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Description
以下、本発明の参考の形態について図面を参照して説明する。
図4を用いて、本発明の第1の実施の形態を説明する。図4は、MOSトランジスタ回路を用いて時定数を制御するTIA回路の構成例を示すブロック図であり、より具体的なTIA回路での実施の形態である。本実施の形態のTIA回路10は単相入力信号を差動信号に変換して出力する。このため、初段入力アンプ22と同一のレプリカアンプ23を用意し、AGC回路の利得制御部21はこれら2つの増幅回路に共有される。入力アンプ22とレプリカアンプ23の出力は、AOC回路30を介して次段アンプ40、50でさらに差動増幅される。
図6、図7を用いて、本発明の第2の実施の形態を説明する。図6は、信号検出(SD: Signal Detection)回路を用いて、光信号入力の有無を判定し、判定結果に基づき長短どちらの時定数に設定すべきかを自動判別する場合のTIA回路の構成例を示したものであり、図7はSD回路の構成例である。本実施の形態によれば、時定数切り替えを集積回路内部のスイッチによって実施するという本発明の特徴をより効果的に利用することができる。
図8を用いて本発明の第3の実施の形態について説明する。第1、第2の実施の形態においては、少なくとも時定数の設定を長いか短いかの2値で、かつ、AGC機能とAOC機能の両方を一括で設定する場合について説明した。本実施の形態においては、集積回路内部で集積化されたスイッチを制御するため、時定数を2値以上の値で、さらに細かく設定することが可能である。すなわち、時定数の値を、2以上の複数の段階の中から選択したり、AGC機能とAOC機能とで異なる設定を実施することが可能である。
Claims (8)
- 光受信信号を増幅する増幅器と、
受信信号レベルの大小に応じて前記増幅器の増幅利得を所定の第1の時定数で調節する自動利得調節回路と、
前記増幅器の出力に基づいて差動信号を出力し、差動信号のオフセット量を所定の第2の時定数で調節する自動オフセット調節回路と
前記所定の第1および第2の時定数の少なくとも一方を予め定めた2以上の値から選択する選択手段と
を備え、
前記選択手段は、前記光受信信号が連続光信号の場合には、前記所定の第1および第2の時定数の少なくとも一方を予め定めた2以上の値のうちより長い時定数に、前記光受信信号がバースト光信号の場合には、前記所定の第1および第2の時定数の少なくとも一方を予め定めた2以上の値のうちより短い時定数に、1つの制御信号で切り替える
トランスインピーダンスアンプ回路。 - 前記選択手段は、前記所定の第1および第2の時定数の値を定める抵抗素子の抵抗値および容量素子の容量値の少なくともいずれかの値を変更することにより、前記所定の第1および第2の時定数の少なくとも一方を切り替えること
を特徴とする請求項1記載のトランスインピーダンスアンプ回路。 - 前記選択手段は、スイッチ素子を備え、
前記スイッチ素子は、前記抵抗素子もしくは前記容量素子を構成する少なくとも一部の抵抗素子もしくは容量素子に直列あるいは並列に接続され、前記スイッチ素子をオンまたはオフすることにより、少なくとも前記抵抗素子の抵抗値および前記容量素子の容量値のいずれかの値を変更すること
を特徴とする請求項2記載のトランスインピーダンスアンプ回路。 - 光受信信号を増幅する増幅器と、
受信信号レベルの大小に応じて前記増幅器の増幅利得を所定の第1の時定数で調節する自動利得調節回路と、
前記増幅器の出力に基づいて差動信号を出力し、差動信号のオフセット量を所定の第2の時定数で調節する自動オフセット調節回路と
前記所定の第1および第2の時定数の少なくとも一方を予め定めた2以上の値から選択する選択手段とを備え、
前記選択手段は、前記所定の第1および第2の時定数の値を定める抵抗素子の抵抗値および容量素子の容量値の少なくともいずれかの値を変更することにより、前記所定の第1および第2の時定数の少なくとも一方を切り替え、前記抵抗素子もしくは前記容量素子を構成する少なくとも一部の抵抗素子もしくは容量素子に直列あるいは並列に接続されたスイッチ素子を備え、前記スイッチ素子をオンまたはオフすることにより、少なくとも前記抵抗素子の抵抗値および前記容量素子の容量値のいずれかの値を変更し、
前記光受信信号の連続受信時間が所定の時間を超えた場合に、前記選択手段に対して、前記所定の第1および第2の時定数の少なくとも一方を予め定めた2以上の値のうちより長い時定数に切り替えるように前記スイッチ素子の制御信号を送信する光受信信号検出手段を備える
トランスインピーダンスアンプ回路。 - 前記光受信信号検出手段は、前記光受信信号の信号断を検出した場合は、前記選択手段に対して、前記所定の第1および第2の時定数の少なくとも一方を予め定めた2以上の値のうちより短い時定数に切り替えるように前記スイッチ素子の制御信号を送信すること
を特徴とする請求項4記載のトランスインピーダンスアンプ回路。 - 前記所定の時間は、バーストパケットの最大値以上であること
を特徴とする請求項4または5記載のトランスインピーダンスアンプ回路。 - 前記スイッチ素子はMOSトランジスタであり、前記MOSトランジスタのゲート端子に印加される制御信号によって前記MOSトランジスタをオンまたはオフすること
を特徴とする請求項3乃至6のいずれか一つに記載のトランスインピーダンスアンプ回路。 - 前記スイッチ素子の制御信号が2bit以上の論理信号であり、前記論理信号の設定値によって前記自動利得調節回路および前記自動オフセット調節回路の少なくともいずれかの時定数が離散的に複数の値となるように前記スイッチ素子を制御すること
を特徴とする請求項3乃至7のいずれかに記載のトランスインピーダンスアンプ回路。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013221963A JP5731615B2 (ja) | 2013-10-25 | 2013-10-25 | トランスインピーダンスアンプ回路 |
KR1020167010465A KR101768470B1 (ko) | 2013-10-25 | 2014-09-26 | 트랜스임피던스 증폭 회로 |
PCT/JP2014/075634 WO2015060066A1 (ja) | 2013-10-25 | 2014-09-26 | トランスインピーダンスアンプ回路 |
US15/030,375 US9853618B2 (en) | 2013-10-25 | 2014-09-26 | Transimpedance amplifier circuit |
CN201480057635.3A CN105684304B (zh) | 2013-10-25 | 2014-09-26 | 跨阻放大器电路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013221963A JP5731615B2 (ja) | 2013-10-25 | 2013-10-25 | トランスインピーダンスアンプ回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015084474A JP2015084474A (ja) | 2015-04-30 |
JP5731615B2 true JP5731615B2 (ja) | 2015-06-10 |
Family
ID=52992669
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013221963A Active JP5731615B2 (ja) | 2013-10-25 | 2013-10-25 | トランスインピーダンスアンプ回路 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9853618B2 (ja) |
JP (1) | JP5731615B2 (ja) |
KR (1) | KR101768470B1 (ja) |
CN (1) | CN105684304B (ja) |
WO (1) | WO2015060066A1 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9882539B1 (en) * | 2016-07-31 | 2018-01-30 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Multi-data rate, burst-mode transimpedance amplifier (TIA) circuit |
ES2714387T3 (es) | 2016-09-15 | 2019-05-28 | Knowledge Dev For Pof Sl | Amplificador de transimpedancia para comunicaciones ópticas de alta velocidad basadas en modulaciones lineales |
IT201600113107A1 (it) | 2016-11-09 | 2018-05-09 | St Microelectronics Srl | Circuito amplificatore a transimpedenza, relativo circuito integrato, circuito ricevitore e procedimento per operare un circuito amplificatore a transimpedenza |
CN108173524B (zh) * | 2018-02-08 | 2021-02-19 | 厦门亿芯源半导体科技有限公司 | 适用于高带宽tia的双环路自动增益控制电路 |
US10171057B1 (en) * | 2018-03-21 | 2019-01-01 | Elenion Technologies, Llc | Automatic gain control loop |
WO2021042326A1 (zh) * | 2019-09-05 | 2021-03-11 | 深圳市速腾聚创科技有限公司 | 激光雷达信号接收电路、激光雷达信号增益控制方法和激光雷达 |
CN110086433A (zh) * | 2019-02-20 | 2019-08-02 | 厦门优迅高速芯片有限公司 | 一种带复位信号的突发跨阻放大器 |
WO2021028984A1 (ja) * | 2019-08-09 | 2021-02-18 | 三菱電機株式会社 | 光受信器および局側装置 |
CN112865878B (zh) * | 2019-11-12 | 2022-08-19 | 华为技术有限公司 | 一种接收机、光线路终端和无源光网络系统 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4775481A (en) * | 1981-09-09 | 1988-10-04 | Isco, Inc. | Apparatus and method for liquid chromatography |
JPS6229377A (ja) * | 1985-07-31 | 1987-02-07 | Toshiba Corp | 自動利得制御回路 |
US5121076A (en) * | 1991-05-06 | 1992-06-09 | Thomson Consumer Electronics, Inc. | Plural time constant signal control |
JPH06260866A (ja) * | 1993-03-04 | 1994-09-16 | Mitsubishi Electric Corp | 自動出力電力制御回路装置 |
JPH0851329A (ja) | 1994-08-09 | 1996-02-20 | Fujitsu Ltd | Agc回路 |
JP2003198404A (ja) * | 2001-12-26 | 2003-07-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ダイレクトコンバージョン受信機及びこれを用いた移動無線機、並びにrf信号の受信方法 |
WO2006013893A1 (ja) * | 2004-08-03 | 2006-02-09 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | トランスインピーダンスアンプ |
JP2008136047A (ja) * | 2006-11-29 | 2008-06-12 | Sony Corp | 固体撮像装置及び撮像装置 |
CN101563843B (zh) * | 2006-12-21 | 2012-05-09 | 三菱电机株式会社 | 光接收器 |
JP4691127B2 (ja) * | 2008-03-28 | 2011-06-01 | 日本電信電話株式会社 | 増幅回路 |
CN102077256B (zh) * | 2008-04-24 | 2014-05-28 | 松下电器产业株式会社 | 烟传感器 |
JP4999774B2 (ja) * | 2008-05-15 | 2012-08-15 | 日本電信電話株式会社 | 振幅制限増幅回路 |
JP5305932B2 (ja) * | 2009-01-14 | 2013-10-02 | 三菱電機株式会社 | 前置増幅器 |
CN102257749B (zh) * | 2009-01-19 | 2014-04-30 | 株式会社日立制作所 | 跨阻抗放大器及pon系统 |
JP5280256B2 (ja) | 2009-03-12 | 2013-09-04 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | 電子回路 |
JP5867281B2 (ja) * | 2012-05-09 | 2016-02-24 | ソニー株式会社 | ゲイン制御回路および受信システム |
-
2013
- 2013-10-25 JP JP2013221963A patent/JP5731615B2/ja active Active
-
2014
- 2014-09-26 KR KR1020167010465A patent/KR101768470B1/ko active IP Right Grant
- 2014-09-26 CN CN201480057635.3A patent/CN105684304B/zh active Active
- 2014-09-26 US US15/030,375 patent/US9853618B2/en active Active
- 2014-09-26 WO PCT/JP2014/075634 patent/WO2015060066A1/ja active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2015060066A1 (ja) | 2015-04-30 |
JP2015084474A (ja) | 2015-04-30 |
US9853618B2 (en) | 2017-12-26 |
KR101768470B1 (ko) | 2017-08-17 |
CN105684304A (zh) | 2016-06-15 |
CN105684304B (zh) | 2018-12-07 |
KR20160060127A (ko) | 2016-05-27 |
US20160261246A1 (en) | 2016-09-08 |
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