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Description

本発明は、液晶表示装置及びその駆動方法に関する。特に、フィールドシーケンシャル方式によって表示を行う液晶表示装置及びその駆動方法に関する。
液晶表示装置の表示方法として、カラーフィルター方式及びフィールドシーケンシャル方式が知られている。前者によって表示を行う液晶表示装置では、各画素に、特定色を呈する波長の光のみを透過するカラーフィルター（例えば、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青））を有する複数の副画素が設けられる。そして、副画素毎に白色光の透過を制御し、且つ画素毎に複数の色を混色することで所望の色を形成している。一方、後者によって表示を行う液晶表示装置では、それぞれが異なる色を呈する光を発光する複数の光源（例えば、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青））が設けられる。そして、当該複数の光源が順次発光し、且つ画素毎にそれぞれの色を呈する光の透過を制御することで所望の色を形成している。すなわち、前者は、特定色を呈する光毎に一画素の面積を分割することで所望の色を形成する方式であり、後者は、特定色を呈する光毎に表示期間を時間分割することで所望の色を形成する方式である。
フィールドシーケンシャル方式によって表示を行う液晶表示装置は、カラーフィルター方式によって表示を行う液晶表示装置と比較し、以下の利点を有する。まず、フィールドシーケンシャル方式によって表示を行う液晶表示装置では、各画素に副画素を設ける必要がない。そのため、開口率を向上すること又は画素数を増加することが可能である。加えて、フィールドシーケンシャル方式によって表示を行う液晶表示装置では、カラーフィルターを設ける必要がない。つまり、当該カラーフィルターにおける光吸収による光の損失が存在しない。そのため、透過率を向上すること及び消費電力を低減することが可能である。
特許文献１では、フィールドシーケンシャル方式によって表示を行う液晶表示装置が開示されている。具体的には、各画素に、画像信号の入力を制御するトランジスタと、該画像信号を保持する信号保持容量と、該信号保持容量から表示画素容量への電荷の移動を制御するトランジスタとが設けられた液晶表示装置が開示されている。当該構成を有する液晶表示装置は、信号保持容量に対する画像信号の書き込みと、表示画素容量が保持する電荷に応じた表示とを並行して行うことが可能である。
特開２００９−４２４０５号公報
フィールドシーケンシャル方式によって表示を行う液晶表示装置においては、各画素に対する画像信号の入力頻度を向上させる必要がある。例えば、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）のいずれか一を呈する光を発光する３種の光源を備えた液晶表示装置をフィールドシーケンシャル方式で表示させる場合、カラーフィルター方式によって表示を行う液晶表示装置と比較し、各画素に対する画像信号の入力頻度を少なくとも３倍にする必要がある。具体的に述べると、フレーム周波数が６０Ｈｚである場合、カラーフィルター方式によって表示を行う液晶表示装置では各画素に対する画像信号の入力を１秒間に６０回行う必要があるのに対し、当該３種の光源を備えた液晶表示装置をフィールドシーケンシャル方式によって表示させる場合、各画素に対する画像信号の入力を１秒間に１８０回行う必要がある。
ただし、画像信号の入力頻度の向上に付随して、各画素に設けられる素子の高速応答性が要求される。具体的には、各画素に設けられるトランジスタの移動度の向上などが要求される。しかしながら、トランジスタなどの特性を向上させることは容易ではない。
そこで、本発明の一態様は、設計の観点から画像信号の入力頻度の向上を図ることを課題の一とする。
上述した課題は、液晶表示装置の画素部を複数の領域に分割し、該複数の領域毎に画像信号の入力を制御することによって解決することができる。
すなわち、本発明の一態様は、水平走査期間において第１の画像信号が供給される第１の信号線、及び前記水平走査期間において第２の画像信号が供給される第２の信号線と、前記水平走査期間において選択信号が供給される第１の走査線及び第２の走査線と、前記第１の信号線及び前記第１の走査線に電気的に接続された第１の画素、並びに前記第２の信号線及び前記第２の走査線に電気的に接続された第２の画素と、を有する液晶表示装置である。
本発明の一態様の液晶表示装置は、同時に複数本の走査線を選択することが可能である。すなわち、本発明の一態様の液晶表示装置は、マトリクス状に配設された画素のうち、複数行に配設された画素に対して同時に画像信号を供給することが可能である。これにより、当該液晶表示装置が有するトランジスタなどの応答速度を変化させることなく、各画素に対する画像信号の入力頻度を向上させることが可能になる。
（Ａ）液晶表示装置の構成例を示す図、（Ｂ）〜（Ｄ）画素の構成例を示す図。 （Ａ）走査線駆動回路の構成例を示す図、（Ｂ）セレクタ回路の構成例を示す図、（Ｃ）バッファの構成例を示す図。 走査線駆動回路の動作を説明する図。 （Ａ）信号線駆動回路の構成例を示す図、（Ｂ）液晶表示装置の動作例を示す図。 （Ａ）バッファの変形例を示す図、（Ｂ）信号の電位の変動を示す図。 トランジスタの構造例を示す図。 （Ａ）〜（Ｃ）トランジスタの構造例を示す図。 （Ａ）〜（Ｆ）電子機器の一例を示す図。
以下では、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨およびその範囲から逸脱することなくその形態および詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。したがって、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
まず、フィールドシーケンシャル方式によって表示を行う液晶表示装置の一例について図１〜図４を参照して説明する。
＜液晶表示装置の構成例＞
図１（Ａ）は、液晶表示装置の構成例を示す図である。図１（Ａ）に示す液晶表示装置は、画素部１０と、走査線駆動回路１１と、信号線駆動回路１２と、転送信号線駆動回路１３と、各々が平行又は略平行に配設され、且つ走査線駆動回路１１によって電位が制御される３ｎ本（ｎは、２以上の自然数）の走査線１４と、各々が平行又は略平行に配設され、且つ信号線駆動回路１２によって電位が制御される、ｍ本（ｍは、２以上の自然数）の信号線１５１、ｍ本の信号線１５２、及びｍ本の信号線１５３と、走査線１４に平行又は略平行に配設された３ｎ本の支線が設けられた転送信号線１６と、を有する。
さらに、画素部１０は、３つの領域（領域１０１〜領域１０３）に分割され、領域毎にマトリクス状（ｎ行ｍ列）に配設された複数の画素を有する。なお、各走査線１４は、画素部１０においてマトリクス状（３ｎ行ｍ列）に配設された複数の画素のうち、いずれかの行に配設されたｍ個の画素に電気的に接続される。また、各信号線１５１は、領域１０１においてマトリクス状（ｎ行ｍ列）に配設された複数の画素のうち、いずれかの列に配設されたｎ個の画素に電気的に接続される。また、各信号線１５２は、領域１０２においてマトリクス状（ｎ行ｍ列）に配設された複数の画素のうち、いずれかの列に配設されたｎ個の画素に電気的に接続される。また、各信号線１５３は、領域１０３においてマトリクス状（ｎ行ｍ列）に配設された複数の画素のうち、いずれかの列に配設されたｎ個の画素に電気的に接続される。また、転送信号線１６は、画素部１０においてマトリクス状（３ｎ行ｍ列）に配設された複数の画素の全てに電気的に接続される。
なお、走査線駆動回路１１には、外部から走査線駆動回路用スタート信号（ＧＳＰ１〜ＧＳＰ３）、走査線駆動回路用クロック信号（ＧＣＫ）、及び高電源電位（ＶＤＤ１、ＶＤＤ２）、低電源電位（ＶＳＳ）などの駆動用電源が入力される。また、信号線駆動回路１２には、外部から信号線駆動回路用スタート信号（ＳＳＰ）、信号線駆動回路用クロック信号（ＳＣＫ）、画像信号（ＤＡＴＡ１〜ＤＡＴＡ３）などの信号、及び高電源電位、低電源電位などの駆動用電源が入力される。
図１（Ｂ）〜（Ｄ）は、画素の回路構成例を示す図である。具体的には、図１（Ｂ）は、領域１０１に配設された画素１７１の回路構成例を示す図であり、図１（Ｃ）は、領域１０２に配設された画素１７２の回路構成例を示す図であり、図１（Ｄ）は、領域１０３に配設された画素１７３の回路構成例を示す図である。図１（Ｂ）に示す画素１７１は、ゲートが走査線１４に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方が信号線１５１に電気的に接続されたトランジスタ１７１１と、一方の電極がトランジスタ１７１１のソース及びドレインの他方に電気的に接続され、他方の電極が容量電位を供給する配線に電気的に接続された容量素子１７１２と、ゲートが転送信号線１６に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方がトランジスタ１７１１のソース及びドレインの他方並びに容量素子１７１２の一方の電極に電気的に接続されたトランジスタ１７１３と、一方の電極（画素電極）がトランジスタ１７１３のソース及びドレインの他方に電気的に接続され、他方の電極（対向電極）が対向電位を供給する配線に電気的に接続された液晶素子１７１４と、を有する。
図１（Ｃ）に示す画素１７２及び図１（Ｄ）に示す画素１７３も回路構成自体は、図１（Ｂ）に示す画素１７１と同一である。ただし、図１（Ｃ）に示す画素１７２では、トランジスタ１７２１のソース及びドレインの一方が信号線１５１ではなく信号線１５２に電気的に接続される点が図１（Ｂ）に示す画素１７１と異なり、図１（Ｄ）に示す画素１７３では、トランジスタ１７３１のソース及びドレインの一方が信号線１５１ではなく信号線１５３に電気的に接続される点が図１（Ｂ）に示す画素１７１と異なる。
なお、図１（Ｂ）〜（Ｄ）に示す液晶素子は、ブルー相を示す液晶材料を用いて構成されることが好ましい。ここで、液晶材料とは、液晶層に用いる液晶を含む混合物をさす。ブルー相を示す液晶材料を用いることで、液晶素子の立ち上がり時間及び立ち下がり時間を２００マイクロ秒以下とすることができる。
＜走査線駆動回路１１の構成例＞
図２（Ａ）は、図１（Ａ）に示す液晶表示装置が有する走査線駆動回路１１の構成例を示す図である。図２（Ａ）に示す走査線駆動回路１１は、３ｎ個の出力端子を有するシフトレジスタ１１１〜１１３と、３個の入力端子及び１個の出力端子を有する３ｎ個のバッファ１１４と、を有する。なお、バッファ１１４の３個の入力端子は、それぞれ異なるシフトレジスタ１１１〜１１３が有するｋ番目（ｋは、１以上３ｎ以下の自然数）の出力端子に電気的に接続され、出力端子は、画素部１０においてｋ行目に配設された走査線１４に電気的に接続される。
さらに、シフトレジスタ１１１は、１段目に入力される走査線駆動回路用スタート信号（ＧＳＰ１）をきっかけとして、信号を順次シフト（当該信号を走査線駆動回路用クロック信号（ＧＣＫ）１／２周期分遅延して出力）する機能を有する３ｎ段のパルス出力回路（パルス出力回路１１１＿１〜１１１＿３ｎ）と、シフトレジスタ１１１の出力信号を、パルス出力回路の出力信号及び低電源電位（ＶＳＳ）から選択する機能を有するセレクタ回路１１１０＿１、１１１０＿２と、を有する。なお、セレクタ回路１１１０＿１は、ｎ＋１段目のパルス出力回路１１１＿ｎ＋１と、ｎ＋２段目のパルス出力回路１１１＿ｎ＋２及びシフトレジスタ１１１のｎ＋１番目の出力端子（ｎ＋１番目のバッファ１１４）との間に設けられ、セレクタ回路１１１０＿２は、２ｎ＋１段目のパルス出力回路１１１＿２ｎ＋１と、２ｎ＋２段目のパルス出力回路１１１＿２ｎ＋２及びシフトレジスタ１１１の２ｎ＋１番目の出力端子（２ｎ＋１番目のバッファ１１４）との間に設けられる。また、パルス出力回路１１１＿１〜１１１＿ｎ、１１１＿ｎ＋２〜１１１＿２ｎ、１１１＿２ｎ＋２〜３ｎの出力端子のそれぞれは、対応するシフトレジスタ１１１の出力端子（対応するバッファ１１４）に直接接続するように設けられる。なお、シフトレジスタ１１２、１１３として、シフトレジスタ１１１と同様な構成を適用することができるため、図２（Ａ）では、シフトレジスタ１１２、１１３の詳細な構成については割愛する。
図２（Ｂ）は、図２（Ａ）に示すセレクタ回路１１１０＿１の構成例を示す図である。図２（Ｂ）に示すセレクタ回路１１１０＿１は、ゲートが転送信号（Ｔ）を供給する配線に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方が低電源電位（ＶＳＳ）を供給する配線に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方がｎ＋１番目のバッファ１１４に電気的に接続されたトランジスタ１１１１と、入力端子が転送信号（Ｔ）を供給する配線に電気的に接続されたインバータ１１１２と、ゲートがインバータ１１１２の出力端子に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方がパルス出力回路１１１＿ｎ＋１に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方がトランジスタ１１１１のソース及びドレインの他方並びにｎ＋１番目のバッファ１１４に電気的に接続されたトランジスタ１１１３と、を有する。なお、転送信号（Ｔ）とは、図１（Ａ）に示した転送信号線１６に供給される信号である。また、セレクタ回路１１１０＿２として、セレクタ回路１１１０＿１と同様な構成を適用することができる。
図２（Ｃ）は、図２（Ａ）に示すバッファ１１４の構成例を示す図である。端的に言うと、図２（Ｃ）に示すバッファ１１４は、３入力型のＯＲゲートである。なお、ここでは、図２（Ｃ）に示すバッファ１１４において用いられる２種の高電源電位（ＶＤＤ１、ＶＤＤ２）は、高電源電位（ＶＤＤ２）の方が高電源電位（ＶＤＤ１）よりも高電位であるとする。
図２（Ｃ）に示すバッファ１１４は、ゲート並びにソース及びドレインの一方が高電源電位（ＶＤＤ１）を供給する配線に電気的に接続されたトランジスタ１１４１と、ゲートがバッファ１１４の第１の入力端子に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方がトランジスタ１１４１のソース及びドレインの他方に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方が低電源電位（ＶＳＳ）を供給する配線に電気的に接続されたトランジスタ１１４２と、ゲートがバッファ１１４の第２の入力端子に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方がトランジスタ１１４１のソース及びドレインの他方並びにトランジスタ１１４２のソース及びドレインの一方に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方が低電源電位（ＶＳＳ）を供給する配線に電気的に接続されたトランジスタ１１４３と、ゲートがバッファ１１４の第３の入力端子に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方がトランジスタ１１４１のソース及びドレインの他方、トランジスタ１１４２のソース及びドレインの一方、並びにトランジスタ１１４３のソース及びドレインの一方に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方が低電源電位（ＶＳＳ）を供給する配線に電気的に接続されたトランジスタ１１４４と、ゲート並びにソース及びドレインの一方が高電源電位（ＶＤＤ２）を供給する配線に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方が走査線１４に電気的に接続されたトランジスタ１１４５と、ゲートがトランジスタ１１４１のソース及びドレインの他方、トランジスタ１１４２のソース及びドレインの一方、トランジスタ１１４３のソース及びドレインの一方、並びにトランジスタ１１４４のソース及びドレインの一方に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方がトランジスタ１１４５のソース及びドレインの他方並びに走査線１４に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方が低電源電位（ＶＳＳ）を供給する配線に電気的に接続されたトランジスタ１１４６と、を有する。
＜走査線駆動回路１１の動作例＞
上述した走査線駆動回路１１の動作例について図３を参照して説明する。なお、図３には、走査線駆動回路用クロック信号（ＧＣＫ）、転送信号（Ｔ）、シフトレジスタ１１１が有する３ｎ個の出力端子から出力される信号（ＳＲ１１１ｏｕｔ）、シフトレジスタ１１２が有する３ｎ個の出力端子から出力される信号（ＳＲ１１２ｏｕｔ）、シフトレジスタ１１３が有する３ｎ個の出力端子から出力される信号（ＳＲ１１３ｏｕｔ）、及び走査線駆動回路が有する３ｎ個の出力端子から出力される信号（ＧＤ１１ｏｕｔ）を示している。
サンプリング期間（Ｔ１）において、転送信号（Ｔ）はロウレベルの電位となるため、ＧＤ１１ｏｕｔは、ＳＲ１１１ｏｕｔ、ＳＲ１１２ｏｕｔ、ＳＲ１１３ｏｕｔのいずれかがハイレベルの電位であればハイレベルの電位となる。ここで、シフトレジスタ１１１では、１段目のパルス出力回路１１１＿１を起点としてｎ段目のパルス出力回路１１１＿ｎまでハイレベルの電位が１／２クロック周期（水平走査期間）毎に順次シフトし、シフトレジスタ１１２では、ｎ＋１段目のパルス出力回路を起点として２ｎ段目のパルス出力回路までハイレベルの電位が１／２クロック周期（水平走査期間）毎に順次シフトし、シフトレジスタ１１３では、２ｎ＋１段目のパルス出力回路を起点として３ｎ段目のパルス出力回路までハイレベルの電位が１／２クロック周期（水平走査期間）毎に順次シフトする。そのため、走査線駆動回路１１は、水平走査期間毎に異なる３本の走査線１４に対して選択信号を供給することになる。
転送期間（Ｔ２）において、転送信号（Ｔ）はハイレベルの電位（選択信号）となるため、ＧＤ１１ｏｕｔは、全てロウレベルの電位となる。なお、シフトレジスタ１１１〜１１３は、転送期間（Ｔ２）において一時的に選択信号のシフトを停止させ、且つ転送期間（Ｔ２）に続くサンプリング期間（Ｔ３）において再度選択信号のシフトを再開させるという動作を行う必要がある。シフトレジスタ１１１〜１１３において当該動作を可能とするには、例えば、パルス出力回路が、前段に設けられたパルス出力回路から出力されるハイレベルの電位の入力に応じて、ハイレベルの電位の出力動作を開始するとともに、後段に設けられたパルス出力回路から出力されるハイレベルの電位の入力に応じて、ハイレベルの電位の出力動作を終了するように設計すればよい。
サンプリング期間（Ｔ３）において、サンプリング期間（Ｔ１）と同様に転送信号（Ｔ）はロウレベルの電位となるため、ＧＤ１１ｏｕｔは、ＳＲ１１１ｏｕｔ、ＳＲ１１２ｏｕｔ、ＳＲ１１３ｏｕｔのいずれかがハイレベルの電位であればハイレベルの電位となる。ここで、シフトレジスタ１１１〜１１３のそれぞれの出力信号はサンプリング期間（Ｔ１）と異なるが、それぞれの出力信号の組み合わせはサンプリング期間（Ｔ１）と同じである。すなわち、シフトレジスタ１１１〜１１３のいずれか一（サンプリング期間（Ｔ３）においては、シフトレジスタ１１３）では、１段目のパルス出力回路１１１＿１を起点としてｎ段目のパルス出力回路１１１＿ｎまでハイレベルの電位が１／２クロック周期（水平走査期間）毎に順次シフトし、前述のシフトレジスタ１１１〜１１３のいずれか一と異なるシフトレジスタ１１１〜１１３のいずれか一（サンプリング期間（Ｔ３）においては、シフトレジスタ１１１）では、ｎ＋１段目のパルス出力回路を起点として２ｎ段目のパルス出力回路までハイレベルの電位が１／２クロック周期（水平走査期間）毎に順次シフトし、前述のシフトレジスタ１１１〜１１３のうち２つと異なるシフトレジスタ１１１〜１１３のいずれか一（サンプリング期間（Ｔ３）においては、シフトレジスタ１１２）では、２ｎ＋１段目のパルス出力回路を起点として３ｎ段目のパルス出力回路までハイレベルの電位が１／２クロック周期（水平走査期間）毎に順次シフトする。そのため、走査線駆動回路１１は、サンプリング期間（Ｔ１）と同様に、水平走査期間毎に異なる３本の走査線１４に対して選択信号を供給することになる。
＜信号線駆動回路１２の構成例＞
図４（Ａ）は、図１（Ａ）に示す液晶表示装置が有する信号線駆動回路１２の構成例を示す図である。図４（Ａ）に示す信号線駆動回路１２は、ｍ個の出力端子を有するシフトレジスタ１２０と、ｍ個のトランジスタ１２１と、ｍ個のトランジスタ１２２と、ｍ個のトランジスタ１２３と、を有する。なお、トランジスタ１２１のゲートは、シフトレジスタ１２０が有するｊ番目（ｊは、１以上ｍ以下の自然数）の出力端子に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方が第１の画像信号（ＤＡＴＡ１）を供給する配線に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方が画素部１０においてｊ列目に配設された信号線１５１に電気的に接続される。また、トランジスタ１２２のゲートは、シフトレジスタ１２０が有するｊ番目の出力端子に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方が第２の画像信号（ＤＡＴＡ２）を供給する配線に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方が画素部１０においてｊ列目に配設された信号線１５２に電気的に接続される。また、トランジスタ１２３のゲートは、シフトレジスタ１２０が有するｊ番目の出力端子に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方が第３の画像信号（ＤＡＴＡ３）を供給する配線に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方が画素部１０においてｊ列目に配設された信号線１５３に電気的に接続される。
第１の画像信号（ＤＡＴＡ１）は、トランジスタ１２１を介して信号線１５１に供給される。つまり、第１の画像信号（ＤＡＴＡ１）は、画素部１０の領域１０１に対する画像信号である。同様に、第２の画像信号（ＤＡＴＡ２）は、画素部１０の領域１０２に対する画像信号であり、第３の画像信号（ＤＡＴＡ３）は、画素部１０の領域１０３に対する画像信号である。なお、ここでは、第１の画像信号（ＤＡＴＡ１）は、サンプリング期間（Ｔ１）において、赤（Ｒ）の画像信号を信号線１５１に供給し、サンプリング期間（Ｔ３）において、緑（Ｇ）の画像信号を信号線１５１に供給し、サンプリング期間（Ｔ５）において、青（Ｂ）の画像信号を信号線１５１に供給することとする。また、第２の画像信号（ＤＡＴＡ２）は、サンプリング期間（Ｔ１）において、緑（Ｇ）の画像信号を信号線１５２に供給し、サンプリング期間（Ｔ３）において、青（Ｂ）の画像信号を信号線１５２に供給し、サンプリング期間（Ｔ５）において、赤（Ｒ）の画像信号を信号線１５２に供給することとする。また、第３の画像信号（ＤＡＴＡ３）は、サンプリング期間（Ｔ１）において、青（Ｂ）の画像信号を信号線１５３に供給し、サンプリング期間（Ｔ３）において、赤（Ｒ）の画像信号を信号線１５３に供給し、サンプリング期間（Ｔ５）において、緑（Ｇ）の画像信号を信号線１５３に供給することとする。
図４（Ｂ）は、上述した液晶表示装置の動作例を示す図である。なお、図４（Ｂ）においては、領域１０１、１０２、１０３に書き込まれる画像信号と領域１０１、１０２、１０３のそれぞれに対して供給される光の経時変化を示している。図４（Ｂ）に示すように当該液晶表示装置は、領域（領域１０１、１０２、１０３）毎に、画像信号の書き込みと、特定色を呈する光の供給と、を並行して行うことが可能である。なお、当該液晶表示装置では、転送期間（Ｔ２）〜サンプリング期間（Ｔ７）に行われる動作によって、画素部１０において１枚の画像が形成される。すなわち、当該液晶表示装置においては、転送期間（Ｔ２）〜サンプリング期間（Ｔ７）が１フレーム期間に相当する。
＜本明細書で開示される液晶表示装置について＞
本明細書で開示される液晶表示装置は、同時に複数本の走査線を選択することが可能である。すなわち、当該液晶表示装置は、マトリクス状に配設された画素のうち、複数行に配設された画素に対して同時に画像信号を供給することが可能である。これにより、当該液晶表示装置が有するトランジスタなどの応答速度を変化させることなく、各画素に対する画像信号の入力頻度を向上させることが可能になる。具体的に述べると、上述した液晶表示装置では、走査線駆動回路のクロック周波数などを変化させることなく、各画素に対する画像信号の入力頻度を３倍にすることが可能である。すなわち、当該液晶表示装置は、フィールドシーケンシャル方式によって表示を行う液晶表示装置、又は倍速駆動を行う液晶表示装置として好適である。
さらに、フィールドシーケンシャル方式によって表示を行う液晶表示装置として本明細書で開示される液晶表示装置を適用することは、以下の点で好ましい。上述したように、フィールドシーケンシャル方式によって表示を行う液晶表示装置では特定色を呈する光毎に表示期間が時間分割される。そのため、利用者の瞬きなど短時間の表示の遮りに起因して特定の表示情報が欠落することによって、当該利用者に視認される表示が本来の表示情報に基づく表示から変化（劣化）すること（カラーブレイク、色割れともいう）がある。ここで、カラーブレイクの抑制には、フレーム周波数を高くすることが効果的である。一方、フィールドシーケンシャル方式によって表示を行うためには、フレーム周波数よりも高い頻度で各画素に対して画像信号を入力する必要がある。そのため、従来の液晶表示装置においてフィールドシーケンシャル方式且つ高フレーム周波数駆動によって表示を行う場合、当該液晶表示装置を構成する素子の性能（高速応答性）に対する要求が非常に厳しくなる。これに対し、本明細書で開示される液晶表示装置は、素子の特性に制約されることなく各画素に対する画像信号の入力頻度を増加させることが可能である。そのため、フィールドシーケンシャル方式によって表示を行う液晶表示装置におけるカラーブレイクの抑制を容易に行うことが可能である。
加えて、フィールドシーケンシャル方式によって表示を行う場合、図４（Ｂ）に示すように領域毎に異なる色を呈する光を供給することは、以下の点で好ましい。全画面共通で同一の光を供給する場合、特定の瞬間において画素部には特定の色に関する色情報のみが存在することになる。そのため、利用者の瞬きなどによる特定の期間の表示情報の欠落が特定の色情報の欠落とイコールになる。これに対し、領域毎に異なる色を呈する光を供給する場合、特定の瞬間において画素部にはそれぞれの色に関する色情報が存在することになる。そのため、利用者の瞬きなどによる特定の期間の表示情報の欠落が特定の色情報の欠落とイコールにはならない。つまり、領域毎に異なる色を呈する光を供給することで、カラーブレイクを軽減することが可能である。
＜変形例＞
上述した構成を有する液晶表示装置は、本発明の一態様であり、当該液晶表示装置と異なる点を有する液晶表示装置も本発明には含まれる。
例えば、上述した液晶表示装置においては、画素部１０を３つの領域（領域１０１、１０２、１０３）に分割する構成（図１（Ａ）参照）について示したが、本発明の液晶表示装置は、当該構成に限定されない。すなわち、本発明の液晶表示装置では、画素部１０を任意の領域数に分割することが可能である。なお、自明ではあるが、当該領域数を変化させる場合、当該領域数と同数の信号線及びシフトレジスタなどを設ける必要があることを付記する。
また、上述した液晶表示装置においては、複数の光源として赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のいずれか一を呈する光を発光する３種の光源を用いる構成について示したが、本発明の液晶表示装置は、当該構成に限定されない。すなわち、本発明の液晶表示装置では、任意の色を呈する光の光源を組み合わせて用いることが可能である。例えば、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）、白（Ｗ）の４種の光源を組み合わせて用いること、又はシアン、マゼンタ、イエローの３種の光源を組み合わせて用いることなどが可能である。さらに、淡色の赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、及び青（Ｂ）、並びに濃色の赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、及び青（Ｂ）の６種の光源を組み合わせて用いること、又は赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）、シアン、マゼンタ、イエローの６種の光源を組み合わせて用いることなども可能である。
また、上述した液晶表示装置においては、液晶素子に印加される電圧を保持するための容量素子が設けられない構成（図１（Ｂ）〜（Ｄ）参照）について示したが、当該容量素子が設けられる構成とすることも可能である。
また、上述した液晶表示装置においては、セレクタ回路に転送信号（Ｔ）が入力される構成（図２（Ａ）、（Ｂ）参照）について示したが、当該セレクタ回路に入力される信号が転送信号（Ｔ）と異なる信号であってもよい。具体的には、セレクタ回路に入力される信号が、転送信号（Ｔ）がハイレベルの電位を示す期間を含む期間においてハイレベルの電位を示す信号であればどのような信号であってもよい。
また、上述した液晶表示装置においては、バッファとして３入力型のＯＲゲートを適用する構成（図２（Ｃ）参照）について示したが、当該バッファの構成は当該構成に限定されない。例えば、領域１０１に配設された走査線１４に電気的に接続されたバッファ１１４として、図５（Ａ）に示す回路を適用することが可能である。図５（Ａ）に示すバッファ１１４は、ゲートが信号（Ａ）を供給する配線に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方がシフトレジスタ１１１に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方が走査線１４に電気的に接続されたトランジスタ１１４７と、ゲートが信号（Ｂ）を供給する配線に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方がシフトレジスタ１１２に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方が走査線１４に電気的に接続されたトランジスタ１１４８と、ゲートが信号（Ｃ）を供給する配線に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方がシフトレジスタ１１３に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方が走査線１４に電気的に接続されたトランジスタ１１４９と、ゲートが転送信号（Ｔ）を供給する配線に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方が低電源電位（ＶＳＳ）を供給する配線に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方が走査線１４に電気的に接続されたトランジスタ１１５０と、を有する。なお、信号（Ａ）、信号（Ｂ）、及び信号（Ｃ）は、図５（Ｂ）に示すような電位の変動を示す信号である。また、図５（Ａ）に示す回路において、信号（Ａ）、信号（Ｂ）、及び信号（Ｃ）を供給する配線をどのトランジスタのゲートに電気的に接続するかを適宜変更することによって、領域１０２に配設された走査線１４に電気的に接続されたバッファ１１４又は領域１０３に配設された走査線１４に電気的に接続されたバッファ１１４として図５（Ａ）に示す回路を適用することが可能である。
＜トランジスタの一例＞
以下では、上述した液晶表示装置を構成するトランジスタの構造例について図６を参照して説明する。なお、当該液晶表示装置において、画素部１０に設けられるトランジスタと、走査線駆動回路１１に設けられるトランジスタとは、同一構成を有するトランジスタを適用してもよいし、異なる構成を有するトランジスタを適用してもよい。
図６に示すトランジスタ２１１は、絶縁表面を有する基板２２０上に設けられたゲート層２２１と、ゲート層２２１上に設けられたゲート絶縁層２２２と、ゲート絶縁層２２２上に設けられた半導体層２２３と、半導体層２２３上に設けられたソース層２２４ａ及びドレイン層２２４ｂとを有する。また、図６においては、トランジスタ２１１を覆い、半導体層２２３に接する絶縁層２２５と、絶縁層２２５上に設けられた保護絶縁層２２６とが図示されている。
なお、基板２２０としては、半導体基板（例えば単結晶基板又はシリコン基板）、ＳＯＩ基板、ガラス基板、石英基板、表面に絶縁層が設けられた導電性基板、又はプラスチック基板、貼り合わせフィルム、繊維状の材料を含む紙、若しくは基材フィルムなどの可撓性基板などがある。ガラス基板の一例としては、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、又はソーダライムガラスなどがある。可撓性基板の一例としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）に代表されるプラスチック、又はアクリル等の可撓性を有する合成樹脂などがある。
また、ゲート層２２１としては、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、スカンジウム（Ｓｃ）から選ばれた元素、上述した元素を成分とする合金、または上述した元素を成分とする窒化物を適用することができる。また、これらの材料の積層構造を適用することもできる。
また、ゲート絶縁層２２２としては、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化タンタルなどの絶縁体を適用することができる。また、これらの材料の積層構造を適用することもできる。なお、酸化窒化シリコンとは、その組成として、窒素よりも酸素の含有量が多いものであり、濃度範囲として酸素が５５〜６５原子％、窒素が１〜２０原子％、シリコンが２５〜３５原子％、水素が０．１〜１０原子％の範囲において、合計１００原子％となるように各元素を任意の濃度で含むものをいう。また、窒化酸化シリコンとは、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多いものであり、濃度範囲として酸素が１５〜３０原子％、窒素が２０〜３５原子％、Ｓｉが２５〜３５原子％、水素が１５〜２５原子％の範囲において、合計１００原子％となるように各元素を任意の濃度で含むものをいう。
また、半導体層２２３としては、シリコン（Ｓｉ）若しくはゲルマニウム（Ｇｅ）などの周期表第１４族元素を主構成元素とする材料、シリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）若しくはガリウムヒ素（ＧａＡｓ）などの化合物、酸化亜鉛（ＺｎＯ）若しくはインジウム（Ｉｎ）及びガリウム（Ｇａ）を含む酸化亜鉛などの酸化物、又は半導体特性を示す有機化合物などの半導体材料を適用することができる。また、これらの半導体材料からなる層の積層構造を適用することもできる。
さらに、半導体層２２３として酸化物（酸化物半導体）を適用する場合は、四元系金属酸化物であるＩｎ−Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系、三元系金属酸化物であるＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｉｎ−Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系、Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｓｎ−Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系、二元系金属酸化物であるＩｎ−Ｇａ−Ｏ系、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系、Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｚｎ−Ｍｇ−Ｏ系、Ｓｎ−Ｍｇ−Ｏ系、Ｉｎ−Ｍｇ−Ｏ系、または単元系金属酸化物であるＩｎ−Ｏ系、Ｓｎ−Ｏ系、Ｚｎ−Ｏ系などを用いることができる。また、上記酸化物半導体にＳｉＯ２を含んでもよい。ここで、例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体とは、少なくともＩｎとＧａとＺｎを含む酸化物であり、その組成比に特に制限はない。また、ＩｎとＧａとＺｎ以外の元素を含んでもよい。
また、半導体層２２３は、化学式ＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ＞０）で表記される薄膜を用いることができる。ここで、Ｍは、Ｇａ、Ａｌ、ＭｎおよびＣｏから選ばれた一または複数の金属元素を示す。例えばＭとして、Ｇａ、Ｇａ及びＡｌ、Ｇａ及びＭｎ、またはＧａ及びＣｏなどを選択することができる。
また、酸化物半導体としてＩｎ−Ｚｎ−Ｏ系の材料を用いる場合、用いるターゲットの組成比は、原子数比で、Ｉｎ：Ｚｎ＝５０：１〜１：２（モル数比に換算するとＩｎ２Ｏ３：ＺｎＯ＝２５：１〜１：４）、好ましくはＩｎ：Ｚｎ＝２０：１〜１：１（モル数比に換算するとＩｎ２Ｏ３：ＺｎＯ＝１０：１〜１：２）、さらに好ましくはＩｎ：Ｚｎ＝１５：１〜１．５：１（モル数比に換算するとＩｎ２Ｏ３：ＺｎＯ＝１５：２〜３：４）とする。例えば、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体の形成に用いるターゲットは、原子数比がＩｎ：Ｚｎ：Ｏ＝Ｘ：Ｙ：Ｚのとき、Ｚ＞１．５Ｘ＋Ｙとする。
また、ソース層２２４ａ、ドレイン層２２４ｂとしては、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、スカンジウム（Ｓｃ）から選ばれた元素、上述した元素を成分とする合金、または上述した元素を成分とする窒化物を適用することができる。また、これらの材料の積層構造を適用することもできる。
また、ソース層２２４ａ、ドレイン層２２４ｂ（これらと同じ層で形成される配線層を含む）となる導電膜は導電性の金属酸化物で形成しても良い。導電性の金属酸化物としては酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウム酸化スズ合金（Ｉｎ２Ｏ３―ＳｎＯ２、ＩＴＯと略記する）、酸化インジウム酸化亜鉛合金（Ｉｎ２Ｏ３―ＺｎＯ）またはこれらの金属酸化物材料に酸化シリコンを含ませたものを用いることができる。
また、絶縁層２２５としては、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化アルミニウム、または酸化窒化アルミニウムなどの絶縁体を適用することができる。また、これらの材料の積層構造を適用することもできる。
また、保護絶縁層２２６としては、窒化シリコン、窒化アルミニウム、窒化酸化シリコン、窒化酸化アルミニウムなどの絶縁体を適用することができる。また、これらの材料の積層構造を適用することもできる。
また、保護絶縁層２２６上にトランジスタ起因の表面凹凸を低減するために平坦化絶縁膜を形成してもよい。平坦化絶縁膜としては、ポリイミド、アクリル、ベンゾシクロブテン等の有機材料を用いることができる。また上記有機材料の他に、低誘電率材料（ｌｏｗ−ｋ材料）等を用いることができる。なお、これらの材料で形成される絶縁膜を複数積層させることで、平坦化絶縁膜を形成してもよい。
上述した構成を有するトランジスタを用いて本明細書で開示される液晶表示装置を作製することが可能である。例えば、画素部１０に設けられるトランジスタとして半導体層がアモルファスシリコンによって構成されるトランジスタを適用し、走査線駆動回路１１に設けられるトランジスタとして半導体層が多結晶シリコン若しくは単結晶シリコンによって構成されるトランジスタを適用する、又は画素部１０及び走査線駆動回路１１に設けられるトランジスタとして半導体層が酸化物半導体によって構成されるトランジスタを適用することなどが可能である。なお、同一構成を有するトランジスタを画素部１０及び走査線駆動回路１１に設けられるトランジスタとして適用する場合、製造プロセスの低減によるコストの低減及び歩留まりの向上が図れる。
＜トランジスタの変形例＞
なお、図６ではチャネルエッチ型と呼ばれるボトムゲート構造のトランジスタ２１１について示したが、上述した液晶表示装置に設けられるトランジスタは当該構成に限定されない。例えば、図７（Ａ）〜（Ｃ）に示すトランジスタを適用することが可能である。
図７（Ａ）に示すトランジスタ５１０は、チャネル保護型（チャネルストップ型ともいう）と呼ばれるボトムゲート構造の一つである。
トランジスタ５１０は、絶縁表面を有する基板２２０上に、ゲート層２２１、ゲート絶縁層２２２、半導体層２２３、半導体層２２３のチャネル形成領域を覆うチャネル保護層として機能する絶縁層５１１、ソース層２２４ａ、及びドレイン層２２４ｂを含む。また、ソース層２２４ａ、ドレイン層２２４ｂ、及び絶縁層５１１を覆い、保護絶縁層２２６が形成されている。
なお、絶縁層５１１としては、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化タンタルなどの絶縁体を適用することができる。また、これらの材料の積層構造を適用することもできる。
図７（Ｂ）に示すトランジスタ５２０はボトムゲート型のトランジスタであり、絶縁表面を有する基板である基板２２０上に、ゲート層２２１、ゲート絶縁層２２２、ソース層２２４ａ、ドレイン層２２４ｂ、及び半導体層２２３を含む。また、ソース層２２４ａ及びドレイン層２２４ｂを覆い、半導体層２２３に接する絶縁層２２５が設けられている。絶縁層２２５上にはさらに保護絶縁層２２６が形成されている。
トランジスタ５２０においては、ゲート絶縁層２２２は基板２２０及びゲート層２２１上に接して設けられ、ゲート絶縁層２２２上にソース層２２４ａ、ドレイン層２２４ｂが接して設けられている。そして、ゲート絶縁層２２２、及びソース層２２４ａ、ドレイン層２２４ｂ上に半導体層２２３が設けられている。
図７（Ｃ）に示すトランジスタ５３０は、トップゲート構造のトランジスタの一つである。トランジスタ５３０は、絶縁表面を有する基板２２０上に、絶縁層５３１、半導体層２２３、ソース層２２４ａ、及びドレイン層２２４ｂ、ゲート絶縁層２２２、ゲート層２２１を含み、ソース層２２４ａ、ドレイン層２２４ｂにそれぞれ配線層５３２ａ、配線層５３２ｂが接して設けられ電気的に接続している。
なお、絶縁層５３１としては、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化タンタルなどの絶縁体を適用することができる。また、これらの材料の積層構造を適用することもできる。
また、配線層５３２ａ、配線層５３２ｂとしては、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、スカンジウム（Ｓｃ）から選ばれた元素、上述した元素を成分とする合金、または上述した元素を成分とする窒化物を適用することができる。また、これらの材料の積層構造を適用することもできる。
＜表示装置を搭載した各種電子機器について＞
以下では、本明細書で開示される表示装置を搭載した電子機器の例について図８を参照して説明する。
図８（Ａ）は、ノート型のパーソナルコンピュータを示す図であり、本体２２０１、筐体２２０２、表示部２２０３、キーボード２２０４などによって構成されている。
図８（Ｂ）は、携帯情報端末（ＰＤＡ）を示す図であり、本体２２１１には表示部２２１３と、外部インターフェイス２２１５と、操作ボタン２２１４等が設けられている。また、操作用の付属品としてスタイラス２２１２がある。
図８（Ｃ）は、電子ペーパーの一例として、電子書籍２２２０を示す図である。電子書籍２２２０は、筐体２２２１および筐体２２２３の２つの筐体で構成されている。筐体２２２１および筐体２２２３は、軸部２２３７により一体とされており、該軸部２２３７を軸として開閉動作を行うことができる。このような構成により、電子書籍２２２０は、紙の書籍のように用いることが可能である。
筐体２２２１には表示部２２２５が組み込まれ、筐体２２２３には表示部２２２７が組み込まれている。表示部２２２５および表示部２２２７は、続き画面を表示する構成としてもよいし、異なる画面を表示する構成としてもよい。異なる画面を表示する構成とすることで、例えば右側の表示部（図８（Ｃ）では表示部２２２５）に文章を表示し、左側の表示部（図８（Ｃ）では表示部２２２７）に画像を表示することができる。
また、図８（Ｃ）では、筐体２２２１に操作部などを備えた例を示している。例えば、筐体２２２１は、電源２２３１、操作キー２２３３、スピーカー２２３５などを備えている。操作キー２２３３により、頁を送ることができる。なお、筐体の表示部と同一面にキーボードやポインティングデバイスなどを備える構成としてもよい。また、筐体の裏面や側面に、外部接続用端子（イヤホン端子、ＵＳＢ端子、またはＡＣアダプタおよびＵＳＢケーブルなどの各種ケーブルと接続可能な端子など）、記録媒体挿入部などを備える構成としてもよい。さらに、電子書籍２２２０は、電子辞書としての機能を持たせた構成としてもよい。
また、電子書籍２２２０は、無線で情報を送受信できる構成としてもよい。無線により、電子書籍サーバから、所望の書籍データなどを購入し、ダウンロードする構成とすることも可能である。
なお、電子ペーパーは、情報を表示するものであればあらゆる分野に適用することが可能である。例えば、電子書籍以外にも、ポスター、電車などの乗り物の車内広告、クレジットカード等の各種カードにおける表示などに適用することができる。
図８（Ｄ）は、携帯電話機を示す図である。当該携帯電話機は、筐体２２４０および筐体２２４１の二つの筐体で構成されている。筐体２２４１は、表示パネル２２４２、スピーカー２２４３、マイクロフォン２２４４、ポインティングデバイス２２４６、カメラ用レンズ２２４７、外部接続端子２２４８などを備えている。また、筐体２２４０は、当該携帯電話機の充電を行う太陽電池セル２２４９、外部メモリスロット２２５０などを備えている。また、アンテナは筐体２２４１内部に内蔵されている。
表示パネル２２４２はタッチパネル機能を備えており、図８（Ｄ）には映像表示されている複数の操作キー２２４５を点線で示している。なお、当該携帯電話は、太陽電池セル２２４９から出力される電圧を各回路に必要な電圧に昇圧するための昇圧回路を実装している。また、上記構成に加えて、非接触ＩＣチップ、小型記録装置などを内蔵した構成とすることもできる。
表示パネル２２４２は、使用形態に応じて表示の方向が適宜変化する。また、表示パネル２２４２と同一面上にカメラ用レンズ２２４７を備えているため、テレビ電話が可能である。スピーカー２２４３およびマイクロフォン２２４４は音声通話に限らず、テレビ電話、録音、再生などが可能である。さらに、筐体２２４０と筐体２２４１はスライドし、図８（Ｄ）のように展開している状態から重なり合った状態とすることができ、携帯に適した小型化が可能である。
外部接続端子２２４８はＡＣアダプタやＵＳＢケーブルなどの各種ケーブルと接続可能であり、充電やデータ通信が可能になっている。また、外部メモリスロット２２５０に記録媒体を挿入し、より大量のデータの保存および移動に対応できる。また、上記機能に加えて、赤外線通信機能、テレビ受信機能などを備えたものであってもよい。
図８（Ｅ）は、デジタルカメラを示す図である。当該デジタルカメラは、本体２２６１、表示部（Ａ）２２６７、接眼部２２６３、操作スイッチ２２６４、表示部（Ｂ）２２６５、バッテリー２２６６などによって構成されている。
図８（Ｆ）は、テレビジョン装置を示す図である。テレビジョン装置２２７０では、筐体２２７１に表示部２２７３が組み込まれている。表示部２２７３により、映像を表示することが可能である。なお、ここでは、スタンド２２７５により筐体２２７１を支持した構成を示している。
テレビジョン装置２２７０の操作は、筐体２２７１が備える操作スイッチや、別体のリモコン操作機２２８０により行うことができる。リモコン操作機２２８０が備える操作キー２２７９により、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部２２７３に表示される映像を操作することができる。また、リモコン操作機２２８０に、当該リモコン操作機２２８０から出力する情報を表示する表示部２２７７を設ける構成としてもよい。
なお、テレビジョン装置２２７０は、受信機やモデムなどを備えた構成とするのが好適である。受信機により、一般のテレビ放送の受信を行うことができる。また、モデムを介して有線または無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）または双方向（送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など）の情報通信を行うことが可能である。
１０ 画素部
１１ 走査線駆動回路
１２ 信号線駆動回路
１３ 転送信号線駆動回路
１４ 走査線
１６ 転送信号線
１０１ 領域
１０２ 領域
１０３ 領域
１１１ シフトレジスタ
１１１＿１〜１１１＿３ｎ パルス出力回路
１１２ シフトレジスタ
１１３ シフトレジスタ
１１４ バッファ
１２０ シフトレジスタ
１２１ トランジスタ
１２２ トランジスタ
１２３ トランジスタ
１５１ 信号線
１５２ 信号線
１５３ 信号線
１７１ 画素
１７２ 画素
１７３ 画素
２１１ トランジスタ
２２０ 基板
２２１ ゲート層
２２２ ゲート絶縁層
２２３ 半導体層
２２４ａ ソース層
２２４ｂ ドレイン層
２２５ 絶縁層
２２６ 保護絶縁層
５１０ トランジスタ
５１１ 絶縁層
５２０ トランジスタ
５３０ トランジスタ
５３１ 絶縁層
５３２ａ 配線層
５３２ｂ 配線層
１１１０＿１ セレクタ回路
１１１０＿２ セレクタ回路
１１１１ トランジスタ
１１１２ インバータ
１１１３ トランジスタ
１１４１ トランジスタ
１１４２ トランジスタ
１１４３ トランジスタ
１１４４ トランジスタ
１１４５ トランジスタ
１１４６ トランジスタ
１１４７ トランジスタ
１１４８ トランジスタ
１１４９ トランジスタ
１１５０ トランジスタ
１７１１ トランジスタ
１７１２ 容量素子
１７１３ トランジスタ
１７１４ 液晶素子
１７２１ トランジスタ
１７３１ トランジスタ
２２０１ 本体
２２０２ 筐体
２２０３ 表示部
２２０４ キーボード
２２１１ 本体
２２１２ スタイラス
２２１３ 表示部
２２１４ 操作ボタン
２２１５ 外部インターフェイス
２２２０ 電子書籍
２２２１ 筐体
２２２３ 筐体
２２２５ 表示部
２２２７ 表示部
２２３１ 電源
２２３３ 操作キー
２２３５ スピーカー
２２３７ 軸部
２２４０ 筐体
２２４１ 筐体
２２４２ 表示パネル
２２４３ スピーカー
２２４４ マイクロフォン
２２４５ 操作キー
２２４６ ポインティングデバイス
２２４７ カメラ用レンズ
２２４８ 外部接続端子
２２４９ 太陽電池セル
２２５０ 外部メモリスロット
２２６１ 本体
２２６３ 接眼部
２２６４ 操作スイッチ
２２６５ 表示部（Ｂ）
２２６６ バッテリー
２２６７ 表示部（Ａ）
２２７０ テレビジョン装置
２２７１ 筐体
２２７３ 表示部
２２７５ スタンド
２２７７ 表示部
２２７９ 操作キー
２２８０ リモコン操作機

Claims (3)

  1. ３ｎ段の第１のパルス出力回路を有する第１のシフトレジスタ、３ｎ段の第２のパルス出力回路を有する第２のシフトレジスタ、及び３ｎ段の第３のパルス出力回路を有する第３のシフトレジスタを有する走査線駆動回路と、
    複数の画素を有する画素部と、
    前記複数の画素に電気的に接続する３ｎ本の走査線と、
    前記複数の画素に電気的に接続する複数の信号線と、を有し、
    前記第１のシフトレジスタは、ｎ＋１段目の前記第１のパルス出力回路の出力端子に電気的に接続する第１のセレクタ回路と、２ｎ＋１段目の前記第１のパルス出力回路の出力端子に電気的に接続する第２のセレクタ回路とを有し、
    前記第２のシフトレジスタは、ｎ＋１段目の前記第２のパルス出力回路の出力端子に電気的に接続する第３のセレクタ回路と、２ｎ＋１段目の前記第２のパルス出力回路の出力端子に電気的に接続する第４のセレクタ回路とを有し、
    前記第３のシフトレジスタは、ｎ＋１段目の前記第３のパルス出力回路の出力端子に電気的に接続する第５のセレクタ回路と、２ｎ＋１段目の前記第３のパルス出力回路の出力端子に電気的に接続する第６のセレクタ回路とを有し、
    前記第１乃至前記第６のセレクタ回路それぞれの第１の入力端子と、前記複数の画素のそれぞれに電気的に接続する転送配線を有することを特徴とする表示装置。
  2. 請求項１において、
    前記複数の画素は、酸化物半導体を半導体層として有するトランジスタを有することを特徴とする表示装置。
  3. 請求項１又は請求項２において、
    前記第１乃至前記第６のセレクタ回路は、それぞれ、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、インバータと、を有し、
    前記第１のトランジスタのゲートは、前記転送配線と、前記インバータの入力端子と、に電気的に接続され、
    前記インバータの出力端子は、前記第２のトランジスタのゲートに電気的に接続されることを特徴とする表示装置。
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