JP5721538B2 - 合成シリカガラスの製造方法及び合成シリカガラス - Google Patents
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Description
前記ドープは、前記多孔質シリカ原料を、フッ化塩素ガスを含む所定温度の雰囲気に配置することで行う(1)記載の合成シリカガラス。
前記ドープは、前記多孔質シリカ原料を、フッ化塩素ガスを含む所定温度の雰囲気に配置することで行う製造方法。
屈折率A = α×Cl元素量(ppm) + β×F元素量(ppm) + 1.45850
(式中、αはCl元素含有量1ppmの変化による屈折率変化量の値であり、Cl元素濃度と屈折率との関数を近似曲線とし、その曲線における傾き、即ちSi−Clの場合1.3×10−7であり、
βは、F元素含有量1ppmの変化による屈折率変化量の値、F元素濃度と屈折率との関数を近似曲線とし、その曲線における傾き、即ちSi−Fの場合−3.8×10−7である。)
比屈折率 =(1.45850−屈折率A) / 1.45850 × 100
VAD法で合成した密度0.5g/cm3の多孔質シリカ原料の棒状体を公知のドープ装置のシリカガラス炉内に挿入した。シリカガラス炉内にはArガスを満たしておき、このシリカガラス炉内に、500℃に保ったClF3ガスを500sccm、560秒で供給し、0.3気圧(ClF3ガスの分圧)へと昇圧した。その後、シリカガラス炉内の条件を保ち4時間保持させた。その後、多孔質シリカ原料を1100〜1200℃に設定した別の炉内に挿入し、減圧下3〜10時間に亘って加熱し、その後1200〜1400℃に昇温し減圧下で10〜20時間に亘って加熱することで、透明化を行い、合成シリカガラスを得た。
ドープ時の温度を500℃ではなく150℃にし、ClF3ガス分圧を0.3気圧ではなく0.25気圧にした点を除き、実施例1と同様の手順で合成シリカガラスを得た。
ドープ時の温度を500℃ではなく800℃にし、ClF3ガス分圧を0.3気圧ではなく0.1気圧にした点を除き、実施例1と同様の手順で合成シリカガラスを得た。
VAD法で合成した密度0.5g/cm3の多孔質シリカ原料を公知のドープ装置のシリカガラス炉内に挿入した。シリカガラス炉内にはArガスを満たしておき、このシリカガラス炉内を20℃に保った状態で、Arガスと置換しながらClF3ガスを500sccm、550秒流して0.9気圧(ClF3ガスの分圧)まで昇圧した。その後、シリカガラス炉内の条件を保ち330時間保持させた。その後、多孔質シリカ原料を1100〜1200℃に設定した別の炉内に挿入し、減圧下3〜10時間に亘って加熱し、その後1200〜1400℃に昇温し減圧下で10〜20時間に亘って加熱することで透明化を行い、合成シリカガラスを得た。
VAD法で合成した密度0.5g/cm3の多孔質シリカ原料を公知のドープ装置のシリカガラス炉内に挿入した。シリカガラス炉内にはArガスを満たしておき、このシリカガラス炉内を500℃に保った状態で、Arガスと置換しながらSiF4ガスを500sccm、700秒流して0.3気圧(SiF4ガスの分圧)まで昇圧した。その後、シリカガラス炉内の条件を保ち4時間保持させた。その後、多孔質シリカ原料を1100〜1200℃に設定した別の炉内に挿入し、減圧下3〜10時間に亘って加熱し、その後1200〜1400℃に昇温し減圧下で10〜20時間に亘って加熱することで透明化を行い、合成シリカガラスを得た。
VAD法で合成した密度0.3g/cm3の多孔質シリカ原料を公知のドープ装置のシリカガラス炉内に挿入した。シリカガラス炉内には窒素ガスを満たしておき、このシリカガラス炉内を1200℃に保った状態で、窒素ガス雰囲気にCl2ガスを700sccm流し、8時間保持した。その後、シリカガラス炉内を1000℃に保った状態で、窒素ガス及び塩素ガス雰囲気に、SiF4ガスを500sccm流し、4時間保持した。その後、多孔質シリカ原料を1100〜1200℃に設定した別の炉内に挿入し、減圧下3〜10時間に亘って加熱し、その後1200〜1400℃に昇温し減圧下で10〜20時間に亘って加熱することで透明化を行い、合成シリカガラスを得た。
実施例1〜4及び比較例1〜2で得た合成シリカガラスについて、屈折率(nd)1.45850をリファレンスとしたときの断面の比屈折率差をデジタル精密屈折計によって測定した。また、F元素及びCl元素の含有量をイオンクロマトグラフ分析によって測定した。この結果を表1に示す。
Claims (15)
- 1000ppm以上のF元素と、10ppm以上でありかつF元素の含有量の−β/α(式中、αはCl元素1ppmあたり変化する屈折率の値、βはF元素1ppmあたり変化する屈折率の値)倍以下であるCl元素とを含み、屈折率(nd)1.45850をリファレンスとしたときの断面内の比屈折率差が0.01%以下である合成シリカガラス。
- 多孔質シリカ原料にフッ素をドープし、透明化されてなり、
前記ドープは、前記多孔質シリカ原料を、フッ化塩素ガスを含む所定温度の雰囲気に配置することで行う請求項1記載の合成シリカガラス。 - 前記所定温度は800℃未満である請求項2記載の合成シリカガラス。
- 前記所定温度は前記フッ化塩素の沸点以上である請求項2又は3記載の合成シリカガラス。
- 前記多孔質シリカ原料は、0.2g/cm3以上1.2g/cm3以下の密度を有する請求項2から4いずれか記載の合成シリカガラス。
- 前記フッ化塩素ガスの分圧が1.0気圧以下で製造される請求項2から5いずれか記載の合成シリカガラス。
- 前記フッ化塩素ガスの分圧を1.0気圧超4.0気圧以下の圧力へと加圧してなる請求項2から5いずれか記載の合成シリカガラス。
- 前記透明化を、ドーパントが実質的に存在しない雰囲気で行ってなる請求項2から7いずれか記載の合成シリカガラス。
- 多孔質シリカ原料にフッ素をドープし、透明化する請求項1から8のいずれか記載の合成シリカガラスの製造方法であって、
前記ドープは、前記多孔質シリカ原料を、フッ化塩素ガスを含む所定温度の雰囲気に配置することで行う製造方法。 - 前記所定温度は800℃未満である請求項9記載の製造方法。
- 前記所定温度は前記フッ化塩素の沸点以上である請求項9又は10記載の製造方法。
- 前記多孔質シリカ原料は、0.2g/cm3以上1.2g/cm3以下の密度を有する請求項9から11いずれか記載の製造方法。
- 前記フッ化塩素ガスの分圧を1.0気圧以下とする請求項9から12いずれか記載の製造方法。
- 前記フッ化塩素ガスの分圧を1.0気圧超4.0気圧以下の圧力へと加圧する工程をさらに有する請求項9から12いずれか記載の製造方法。
- 前記透明化は、ドーパントが実質的に存在しない雰囲気で行う請求項9から14いずれか記載の製造方法。
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