JP5720775B2 - パワースイッチのウェハ試験方法 - Google Patents
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Description
上記については単に本発明の原理を示すものである。更に、多数の変形、変更が当業者にとって可能であり、本発明は上記に示し、説明した正確な構成および応用例に限定されるものではなく、対応するすべての変形例および均等物は、添付の請求項およびその均等物による本発明の範囲とみなされる。
2 電流検出用IGBT
3 ゲート抵抗回路
4 コレクタ端子(C端子)
5 ゲート端子(G端子)
6 主IGBT1のエミッタ端子(E1端子)
7 電流検出用IGBT2のエミッタ端子(E2端子)
8 ゲート端子
9 エミッタ端子(GND端子)
10 パワースイッチ部
11 パワースイッチ
12 電流検出回路
13 ゲート駆動回路
14 制御部
15 エンジンコントロールユニット(ECU)
16 バッテリー電源
17 点火コイル
18 点火プラグ
20 テスター
21 テスタープローバー
22 テスタープローバーのステージ
23 プローブカード
R 抵抗および抵抗値
Claims (3)
- 主IGBTと、コレクタ端子およびゲート端子がそれぞれ前記主IGBTのコレクタ端子およびゲート端子に接続されて前記主IGBTの電流値を検出する電流検出用IGBTと、を有し、前記主IGBTと前記電流検出用IGBTが同一の半導体基板上に集積形成されたパワースイッチのウェハ試験方法であって、
前記電流検出用IGBTのエミッタ電流を前記主IGBTのエミッタ端子に流す抵抗手段を設け、
前記主IGBTと前記電流検出用IGBTを同時に導通させて前記主IGBTと前記電流検出用IGBTの共通コレクタ端子に定電流を印加し、
前記抵抗手段の両端電圧から求めた前記電流検出用IGBTに流れる電流と、前記定電流とから、前記主IGBTの主電流と前記電流検出用IGBTの検出電流の電流比(主電流/検出電流)を算出することを特徴とするパワースイッチのウェハ試験方法。 - 前記抵抗手段は、前記主IGBTのエミッタ端子と前記電流検出用IGBTのエミッタ端子に対応するウェハ試験用プローブカードの端子間に接続されることを特徴とする請求項1に記載のパワースイッチのウェハ試験方法。
- 主IGBTと、コレクタ端子およびゲート端子がそれぞれ前記主IGBTのコレクタ端子およびゲート端子に接続されて前記主IGBTの電流値を検出する電流検出用IGBTと、を有し、前記主IGBTと前記電流検出用IGBTが同一の半導体基板上に集積形成されたパワースイッチのウェハ試験方法であって、
前記電流検出用IGBTのエミッタ電流を前記主IGBTのエミッタ端子に流す抵抗手段を前記主IGBTのエミッタ端子と前記電流検出用IGBTのエミッタ端子に対応するウェハ試験用プローブカードの端子間に接続し、
前記主IGBTと前記電流検出用IGBTを同時に導通させ、
前記主IGBTのエミッタ端子から流れる前記主IGBTの主電流と前記電流検出用IGBTの検出電流の和電流を検出するとともに、前記抵抗手段の両端電圧から前記電流検出用IGBTの検出電流を検出して、前記主IGBTの主電流と前記電流検出用IGBTの検出電流の電流比(主電流/検出電流)を算出することを特徴とするパワースイッチのウェハ試験方法。
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JPH09233690A (ja) * | 1996-02-27 | 1997-09-05 | New Japan Radio Co Ltd | 出力電流制限回路及び出力電流制限回路における出力電流調整方法 |
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---|---|---|---|---|
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WO2012029652A1 (ja) * | 2010-09-03 | 2012-03-08 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
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