JP5716380B2 - 電気機械変換素子、電気機械変換素子の製造方法、液滴吐出ヘッド、及び液滴吐出装置 - Google Patents

Description

本発明は、電気機械変換素子、電気機械変換素子の製造方法、液滴吐出ヘッド、及び液滴吐出装置に関する。

プリンタ、ファクシミリ、複写装置等の画像記録装置或いは画像形成装置として使用されるインクジェット記録装置等の液滴吐出装置の液滴吐出ヘッドは、インク滴を吐出するノズルと、このノズルが連通する加圧室（インク流路、加圧液室、圧力室、吐出室、液室等とも称される）と、加圧室内のインクを加圧する構成とを備え、インクを加圧することによってノズルからインク滴を吐出させている。インクを加圧する構成としては、電気機械変換素子（以下、圧電素子と称する場合がある）、或いはヒータなどの電気熱変換素子、若しくはインク流路の壁面を形成する振動板とこれに対向する電極からなるエネルギー発生手段などがある。

この振動板を用いた構成としては、例えば、振動板の表面全体に亙って成膜技術により圧電材料層を形成し、この圧電材料層をリソグラフィ法により圧力発生室に対応する形状にパターニングして各圧力発生室に独立するように圧電素子を形成したものが知られている。

しかしながら、パターニング方法としてリソグラフィ法を用いると、材料の使用効率が悪く、また工程が煩雑となるため高コストとなりタクトタイムも大きくなる場合がある。特に、圧電材料層については数μｍの膜厚を要する。このため、低コスト化に向けて、印刷法を用いたパターニングが検討されている。この印刷法を用いたパターニングとしては、下地を疎水、親水処理したパターン基板上にインクジェット等の印刷技術を用いて微細パターン形成する技術が紹介されている（例えば、特許文献１、２参照）。

但し、この場合、圧電素子の下部電極としては主にＰｔをベースにした金属電極を用いた実施例がほとんどであり、圧電材料層として代表的な材料であるＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛（ｌｅａｄ ｚｉｒｃｏｎａｔｅ ｔｉｔａｎａｔｅ）に含まれるＰｂ拡散による疲労特性の劣化が懸念される。この問題に関しては、酸化物電極を用いることで、ＰＺＴの疲労特性が改善されることが開示されている（例えば、特許文献３参照）。

しかしながら、金属電極に換えて酸化物電極のみを下部電極に用いた場合には、金属電極のみを下部の電極に用いた場合に比べて、比抵抗値が約１０倍〜１０００倍も高くなる。また、酸化物電極を用いた場合には、酸化物電極の上層側に設ける層のパターニング時におけるエッチング等によって、酸化物電極の組成比がパターニング前後で変わる場合がある。このため、圧電材料層としての電気機械変換膜を繰り返し駆動させると、電気機械変換特性が低下し、安定した圧電特性が得られないという問題があった。

本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであり、安定した圧電特性を得ることが可能な電気機械変換素子、電気機械変換素子の製造方法、液滴吐出ヘッド、及び液滴吐出装置を提供することを課題とする。

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、少なくとも最表面に酸化物電極層を有する第１の電極と、前記酸化物電極層上に設けられ、パターニングされてなる金属電極である第２の電極と、前記酸化物電極層上の、前記第２の電極の形成されていない領域に設けられた電気機械変換膜と、前記電気機械変換膜上に設けられた酸化物を主成分とする第３の電極と、を備え、前記酸化物電極層が下記一般式（１）で示されるペロブスカイト型複合酸化物を含み、且つ該酸化物電極層における、前記第２の電極の形成されていない領域の前記電気機械変換膜側の最表面の、下記一般式（１）中のＡとＢとの組成比Ａ／Ｂが０．８以上１．２以下であり、前記第１の電極の前記酸化物電極層における、前記第２の電極の形成されていない領域の前記電気機械変換膜側の最表面の、前記一般式（１）中のＡとＢとの組成比Ａ／Ｂと、前記第１の電極の前記酸化物電極層における、前記第２の電極の形成された領域の該第２の電極側の最表面の、前記一般式（１）中のＡとＢとの組成比Ａ／Ｂと、の差が０以上１．０以下であることを特徴とする電気機械変換素子である。

ＡＢＯ_３ （１）

一般式（１）中、Ａは、Ｓｒ、Ｂａ、Ｃａ、Ｌａから選ばれる少なくとも１種を主成分とするＡサイト元素を示し、Ｂは、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｎｉから選ばれる少なくとも１種を主成分とするＢサイト元素を示す。

また、本発明は、下記一般式（２）で示されるペロブスカイト型複合酸化物を主成分とする酸化物電極層を最表面に有する第１の電極を形成する第１の工程と、前記酸化物電極層上に、エッチングによってパターニングされた金属電極である第２の電極を形成する第２の工程と、前記第２の電極のみを選択的に表面改質させて疎水化する第３の工程と、前記酸化物電極層における前記第２の電極の形成されていない領域に、電気機械変換膜を形成する第４の工程と、前記電気機械変換膜上に、酸化物を含む第３の電極を形成する第５の工程と、を備え、前記第２の工程によって前記第２の電極が形成された後の、前記酸化物電極層における前記第２の電極の形成されていない領域の、前記電気機械変換膜の形成される側の最表面の下記一般式（２）中のＡとＢとの組成比Ａ／Ｂが０．８以上１．２以下であり、且つ、該組成比Ａ／Ｂと、前記第２の工程によって前記第２の電極が形成される前の、前記酸化物電極層における前記電気機械変換膜の形成される側の最表面の下記一般式（２）中のＡとＢとの組成比Ａ／Ｂと、の差が０以上１．０以下であることを特徴とする、電気機械変換素子の製造方法である。

ＡＢＯ_３ （２）

一般式（２）中、Ａは、Ｓｒ、Ｂａ、Ｃａ、Ｌａから選ばれる少なくとも１種を主成分とするＡサイト元素を示し、Ｂは、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｎｉから選ばれる少なくとも１種を主成分とするＢサイト元素を示す。

また、本発明は、下記一般式（３）で示されるペロブスカイト型複合酸化物を主成分とする第１の酸化物電極層を最表面に有する第１の電極を形成する第１の工程と、前記第１の酸化物電極層上に、エッチングによってパターニングされた金属電極である第２の電極を形成する第２の工程と、前記第２の電極のみを選択的に表面改質させて疎水化する第３の工程と、前記第１の酸化物電極層における前記第２の電極の形成されていない領域に、前記第１の酸化物電極層の前記ペロブスカイト型複合酸化物の前駆体を含む液滴を吐出して第２の酸化物電極層を形成した後に、電気機械変換膜を形成する第４の工程と、前記電気機械変換膜上に、酸化物を含む第３の電極を形成する第５の工程と、を備え、前記第４の工程において形成された前記第２の酸化物電極層における、前記電気機械変換膜の形成される側の最表面の、下記一般式（３）中のＡとＢとの組成比Ａ／Ｂが０．８以上１．２以下であることを特徴とする、電気機械変換素子の製造方法である。

ＡＢＯ_３ （３）

一般式（３）中、Ａは、Ｓｒ、Ｂａ、Ｃａ、Ｌａから選ばれる少なくとも１種を主成分とするＡサイト元素を示し、Ｂは、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｎｉから選ばれる少なくとも１種を主成分とするＢサイト元素を示す。

本発明によれば、安定した圧電特性を得ることが可能な電気機械変換素子を提供することができる、という効果を奏する。

図１は、本実施の形態の電気機械変換素子の一の形態を模式的に示した断面図である。 図２は、本実施の形態の電気機械変換素子の図１とは異なる形態を模式的に示した断面図である。 図３（Ａ）〜（Ｆ）は、本実施の形態の電気機械変換素子の製造工程を模式的に示した断面図である。 図４（Ａ）〜（Ｆ−２）は、本実施の形態の電気機械変換素子の製造工程における、インクジェット法を用いた製造工程を模式的に示した断面図である。 図５（Ａ）〜（Ｂ）は、本実施の形態の電気機械変換素子の製造工程を模式的に示した平面図である。 図６は、本実施の形態の電気機械変換素子の図１とは異なる形態を模式的に示した断面図である。 図７は、本実施の形態の電気機械変換素子の図１とは異なる形態を模式的に示した平面図である。 図８は、本実施の形態の電気機械変換素子を用いた液滴吐出ヘッドの一の形態を模式的に示した断面図である。 図９は、本実施の形態の電気機械変換素子を用いた液滴吐出ヘッドの図８とは異なる形態を模式的に示した断面図である。 図１０は、本実施の形態の液滴吐出ヘッドを搭載したインクジェット記録装置の一の形態を模式的に示した斜視図である。 図１１は、本実施の形態の液滴吐出ヘッドを搭載したインクジェット記録装置の一の形態を模式的に示した断面図である。 図１２は、実施例Ａで作製した電気機械変換素子のＰ−Ｅヒステリシス曲線を示すグラフである。

以下に添付図面を参照して、この発明にかかる電気機械変換素子、電気機械変換素子の製造方法、液滴吐出ヘッド、及び液滴吐出装置の一の実施形態を詳細に説明する。

図１に示すように、本実施の形態の電気機械変換素子１０は、第１の電極１２、第２の電極１４、電気機械変換膜１６、第３の電極１８を有している。電気機械変換素子１０は、基板２２上に、振動板２４を介して形成されている。なお、図１中、２０は、第２の電極１４の表面に付着したアルカンチオール等の自己組織化単分子膜（Ｓｅｌｆ Ａｓｓｅｍｂｌｅｄ Ｍｏｎｏｌａｙｅｒ）を示している（以下、ＳＡＭ膜と称する）。

第１の電極１２は、少なくとも最表面に酸化物電極層を有する構成とされている。なお、この第１の電極１２は、少なくとも最表面に酸化物電極層を有する構成であればよく、第１の電極１２を酸化物電極層のみで構成してもよいし（図１中の酸化物電極層１２Ａ参照）、図２に示すように、金属電極層１２Ｂ上に酸化物電極層１２Ａを積層した積層体として構成してもよい（図２、電気機械変換素子１０Ｃ参照）。なお、第１の電極１２を、金属電極層１２Ｂ上に酸化物電極層１２Ａを積層した積層体とすることが、配線抵抗を補う観点から好ましい。

第２の電極１４は、第１の電極１２における酸化物電極層１２Ａ上に設けられている。第２の電極１４は、後述する製造工程においてパターニングされて、第１の電極１２（酸化物電極層１２Ａ）上に設けられている。このパターニングによって、第１の電極１２（酸化物電極層１２Ａ）には、第２の電極１４の設けられた領域と、第２の電極１４の設けられていない領域と、が形成される。なお、第２の電極１４は、金属電極とされている。
このように、第２の電極１４として、酸化物電極に比べて比抵抗の十分低い金属電極を用いることで、電気機械変換素子１０の電圧駆動を行ったときに共通電極（詳細後述）に対して十分な電流を供給することができ、多数の電気機械変換素子１０を同時に駆動した場合においても、素子間でばらつきがなく、詳細を後述する電気機械変換膜１６の十分な変位量を得ることが出来る。また、第２の電極１４として金属電極を用いることで、酸化物電極を用いた場合に比べて比抵抗値の増大（酸化物電極は金属電極に比べて比抵抗値が１０〜１０^３倍）によるインク吐出特性の劣化が抑制される。

電気機械変換膜１６は、第１の電極１２と第３の電極１８とによる電気的入力を機械的な変形に変換する圧電特性を有する膜である。本実施の形態の電気機械変換素子１０では、電気機械変換膜１６は、第１の電極１２の酸化物電極層１２Ａにおける、第２の電極１４の形成されていない領域に設けられている。すなわち、電気機械変換膜１６は、第１の電極１２における酸化物電極層１２Ａ上に接するように設けられている。この電気機械変換膜１６としては、該圧電特性を有する膜であればよいが、ＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛（ｌｅａｄ ｚｉｒｃｏｎａｔｅ ｔｉｔａｎａｔｅ）等が用いられる（詳細後述）。

第３の電極１８は、電気機械変換膜１６上に設けられている。第３の電極１８は、酸化物を含む酸化物電極とされている。本実施の形態の電気機械変換素子１０では、第３の電極１８が酸化物電極であり、第１の電極１２の電気機械変換膜１６側の最表面が酸化物電極層１２Ａであるので、電気機械変換膜１６は、酸化物の電極によってはさまれた状態となる。このため、電気機械変換膜１６としてＰＺＴを用いた場合であっても、電気機械変換膜１６に含まれるＰｂの拡散を防止することができ、電気機械変換特性の劣化を抑制することができる。

なお、第３の電極１８についても、第１の電極１２と同様に、配線抵抗を補うために、酸化物電極層と金属電極層とを積層した構成とすることが好ましい。この場合には、電気機械変換膜１６におけるＰｂの拡散防止の観点から、第３の電極１８の酸化物電極層を、電気機械変換膜１６に接する側に設けた構成が望ましい。

なお、上記「金属電極層」及び「金属電極」とは、各金属電極層及び金属電極が、導電性（体積抵抗率が１×１０^−６Ωｃｍ以下）を示す程度に金属材料を含んだ構成であることを示している。また、上記第１の電極１２、第２の電極１４、第３の電極１８の何れにおいても、導電性を示す。また、「酸化物の電極」及び「酸化物電極」とは、酸化物を含む電極を示している。
なお、各層の材料構成の詳細については後述する。

次に、電気機械変換素子１０を構成する各層の構成について詳細に説明する。

―基板―
電気機械変換素子１０の設けられる基板２２としては、電気機械変換素子１０を形成可能な基板であればいかなるものであってもよいが、シリコン単結晶基板を用いることが好ましい。この基板２２の厚みとしては、例えば、１００μｍ以上６００μｍ以下の範囲が挙げられる。シリコン単結晶基板の面方位としては、（１００）、（１１０）、（１１１）と３種あり、基板２２として何れの面方位のシリコン単結晶基板を用いてもよいが、（１００）、（１１１）を用いることが好ましく、（１００）を用いることがより好ましい。
なお、本実施の形態における基板２２としては、（１００）の面方向を持つシリコン単結晶基板を用いた。

なお、電気機械変換素子１０を用いて液滴吐出ヘッドを構成する場合には、シリコン単結晶基板をエッチングにより加工するが、この場合のエッチング方法としては、異方性エッチングが挙げられる。

異方性エッチングとは、結晶構造の面方位に対してエッチング速度が異なる性質を利用したものである。例えばＫＯＨ等のアルカリ溶液に浸漬させた異方性エッチングでは、（１００）面に比べて（１１１）面は約１／４００程度のエッチング速度となる。従って、面方位（１００）では約５４°の傾斜を持つ構造体が作製できるのに対して、面方位（１
１０）では深い溝を掘ることができるため、より剛性を保ちつつ、配列密度を高くすることができる。

―振動板―
電気機械変換素子１０を用いて構成した液滴吐出ヘッドでは、電気機械変換膜１６によって発生した力を受けて振動板２４が変形変位することで、液滴吐出ヘッドの圧力室内のインク滴等の液滴が吐出される。このため、振動板２４は、液滴の吐出のための振動に耐えうる程度の強度を有することが好ましい。

このような観点から、振動板２４としては、Ｓｉ、ＳｉＯ_２、Ｓｉ_３Ｎ_４等の材料を用いてＣＶＤ法（化学的気相成長法）により作製したものが挙げられる。更に、振動板２４の材料としては、第１の電極１２及び電気機械変換膜１６の線膨張係数に近い（電気機械変換膜１６と第１の電極１２の線膨張係数の差が±３×１０^−６（１／Ｋ）以下）材料を選択することが好ましい。

例えば、電気機械変換膜１６の材料としてＰＺＴを用いた場合には、振動板２４の材料としては、ＰＺＴの線膨張係数８×１０^−６（１／Ｋ）に近い線膨張係数である５×１０^−６（１／Ｋ）〜１０×１０^−６（１／Ｋ）の線膨張係数を有する材料を用いることが好ましく、７×１０^−６（１／Ｋ）〜９×１０^−６（１／Ｋ）の線膨張係数を有する材料を用いることがより好ましい。

振動板２４の具体的な材料としては、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化イリジウム、酸化ルテニウム、酸化タンタル、酸化ハフニウム、酸化オスミウム、酸化レニウ
ム、酸化ロジウム、酸化パラジウム及びそれらの化合物等が挙げられる。

振動板２４の膜厚としては、インク滴等の液滴の吐出のための振動及び強度が実現される厚みであればよく、電気機械変換素子１０の構成や構成材料によって選択される。具体的には、振動板２４の膜厚としては０．１μｍ以上１０μｍ以下が好ましく、０．５μｍ以上３μｍ以下がより好ましい。振動板２４の厚みが上記範囲内とされていることで、電気機械変換素子１０を用いて液滴吐出ヘッドを構成するときに圧力室の加工が容易となり、且つ振動板２４が変形変位しやすく、インク滴が安定して吐出される。

―第１の電極―
上述のように、第１の電極１２は、少なくとも最表面に酸化物電極層１２Ａを有する構成とされている。

第１の電極１２の最表面に設けられている酸化物電極層１２Ａは、一般式（１）で示されるペロブスカイト型複合酸化物、すなわち一般式（１）で示されるペロブスカイト型複合酸化物を主成分とする構成とされている。

ＡＢＯ_３ （１）

一般式（１）中、Ａは、Ｓｒ、Ｂａ、Ｃａ、Ｌａから選ばれる少なくとも１種を主成分とするＡサイト元素を示し、Ｂは、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｎｉから選ばれる少なくとも１種を主成分とするＢサイト元素を示す。

なお、本明細書において、「主成分」とは、含有量が８０原子％以上であることを意味する。

上記一般式（１）で示されるペロブスカイト型複合酸化物としては、具体的には、ＳｒＲｕＯ_３やＣａＲｕＯ_３、これらの固溶体である（Ｓｒ_１−ｘＣａ_ｘ）Ｏ_３、ＬａＮｉＯ_３やＳｒＣＯＯ_３、これらの固溶体である（Ｌａ，Ｓｒ）（Ｎｉ_１−ｙＣＯ_ｙ）Ｏ_３等が挙げられる。なかでも、上記一般式（１）で示されるペロブスカイト型複合化合物としては、電気機械変換膜１６として使用されるＰＺＴを配向制御させる観点から、ＬａＮｉＯ_３、ＳｒＲｕＯ_３を用いることが好ましく、ＰＺＴを（１００）もしくは（００１）方位に配向制御させるためには、下地層としてＬａＮｉＯ_３が好ましく、（１１１）方位に配向制御させるためには、下地層としてはＳｒＲｕＯ_３を用いることが特に好ましい。

なお、上記（Ｓｒ_１−ｘＣａ_ｘ）Ｏ_３中、Ｘは０．３以上０．７以下であり、（Ｌａ，Ｓｒ）（Ｎｉ_１−ｙＣＯ_ｙ）Ｏ_３中、Ｙは０．３以上０．７以下である。なお、Ｙは１であってもよい。

第１の電極１２の最表面に設けられている酸化物電極層は、上述のように、一般式（１）で示されるペロブスカイト型複合酸化物を主成分とする構成とされていればよいが、該酸化物電極層に含まれるその他の成分として、ＩｒＯ_２やＲｕＯ_２等の酸化物を含む構成であってもよい。

第１の電極１２は、配線抵抗を補うために、金属電極層（図２中、金属電極層１２Ｂ参照）上に、酸化物電極層（図２中、酸化物電極層１２Ａ参照）を設けた積層体としてもよい。この金属電極層１２Ｂの構成材料としては、高い耐熱性と低い反応性を有するＲｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔの白金族元素や、これら白金族元素を含んだ合金材料が挙げられる。また、第１の電極１２は、基板２２や振動板２４等の下地（特にＳｉＯ_２）との密着性が悪いために、Ｔｉ、ＴｉＯ_２、ＴｉＮ、Ｔａ、Ｔａ_２Ｏ_５、Ｔａ_３Ｎ_５等を先に積層することが好ましい。

―第２の電極―
第２の電極１４は、金属電極とされている。第２の電極１４に用いる金属材料としては、Ａｕ、Ａｇ等の触媒作用の小さい白金属元素以外の遷移金属からなる材料を用いることが好ましい。なお、第２の電極１４として、Ａｕ、Ａｇのどちらかの材料を用いた場合には、耐熱性の観点から、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔの白金族元素との合金材料を用いることが好ましい。
第２の電極１４として、ＡｕもしくはＡｇを含んだ合金材料を用いた場合には、それらの重量比率が２０％以上であることが好ましく、４０％以上がさらに好ましい。該重量比率が２０％以上であると、触媒作用が抑制され、電極表面上へのＰｂの付着が抑制される。第２の電極１４の膜厚としては、例えば、０．０５μｍ以上１μｍ以下や、０．１μｍ以上０．５μｍ以下が挙げられる。

―電気機械変換膜―
電気機械変換膜１６の材料としては、電気機械変換膜としての圧電特性を示す材料であれば特に限定されないが、例えば、ＰＺＴが挙げられる。ＰＺＴとは、ジルコン酸鉛(ＰｂＺｒＯ_３)とチタン酸鉛(ＰｂＴｉＯ_３)の固溶体であり、その比率により特性が異なる。一般的に優れた圧電特性を示す組成は、ＰｂＺｒＯ_３とＰｂＴｉＯ_３の比率が５３：４７の割合で、化学式で示すとＰｂ（Ｚｒ_０．５３，Ｔｉ_０．４７）Ｏ_３、一般にＰＺＴ（５３／４７）と示される。酢酸鉛、ジルコニウムアルコキシド、チタンアルコキシド化合物の出発材料は、この化学式に従って秤量される。

なお、金属アルコキシド化合物は大気中の水分により容易に加水分解してしまうので、前駆体溶液に安定剤としてアセチルアセトン、酢酸、ジエタノールアミンなどの安定剤を適量、添加してもよい。

また、電気機械変換膜１６に用いられるＰＺＴとしては、ＡＢＯ_３（一般式（Ｘ））示される複合酸化物を用いてもよい。なお、一般式（Ｘ）中におけるＡは、Ｐｂ、Ｂａ、Ｓｒの少なくとも１種を主成分とするＡサイト元素を示し、Ｂは、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｚｎｍｇ、Ｎｂの少なくとも１種を主成分とするＢサイト元素を示す。
このような複合酸化物としては、具体的には、（Ｐｂ_1−ｘ,Ｂａ）（Ｚｒ,Ｔｉ）Ｏ_３や、（Ｐｂ_1−ｘ,Ｓｒ）（Ｚｒ,Ｔｉ）Ｏ_３が挙げられる。これらは、上記一般式（Ｘ）におけるＡサイトのＰｂを一部ＢａやＳｒで置換した場合である。このような置換は２価の元素であれば可能であり、その効果は熱処理中の鉛の蒸発による特性劣化を低減させる作用を示す。
なお、上記（Ｐｂ_1−ｘ,Ｂａ）（Ｚｒ,Ｔｉ）Ｏ_３及び（Ｐｂ_1−ｘ,Ｓｒ）（Ｚｒ,Ｔｉ）Ｏ_３中、Ｘは０．３以上０．７以下の値である。

電気機械変換膜１６に用いられるＰＺＴ以外の複合酸化物としてはチタン酸バリウムなどが挙げられ、この場合はバリウムアルコキシド、チタンアルコキシド化合物を出発材料にし、共通溶媒に溶解させることでチタン酸バリウム前駆体溶液を作製することも可能である。

電気機械変換膜１６の膜厚としては０．５μｍ以上５μｍ以下や、１μｍ以上２μｍ以下が挙げられる。電気機械変換膜１６の膜厚がこの範囲であれば、インク滴を吐出するために十分な電気機械変位が発生し、且つ製造時の工程数の減少が図れる。

―第３の電極―
第３の電極１８は、酸化物を含む酸化物電極とされている。なお、第３の電極１８は、酸化物のみからなる電極であることが好ましい。
この第３の電極１８に含まれる酸化物としては、上記一般式（１）で示されるペロブスカイト型複合酸化物や、ＩｒＯ_２やＲｕＯ_２等の酸化物が挙げられる。
なお、第３の電極１８の材料としては、第１の電極１２の酸化物電極層１２Ａと同じ材料（ペロブスカイト型複合酸化物）を用いてもよいし、異なる複合酸化物や酸化物を用いてもよい。

また、配線抵抗を補うために、第３の電極１８を、該酸化物を含む酸化物電極層上に、金属電極層を設けた構成としてもよい。この金属電極層の構成材料としては、白金、イリジウム、白金−ロジウムなどの白金族元素や、これらの合金膜、またはＡｇ合金、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕが挙げられる。

第３の電極１８の膜厚としては、０．０５μｍ以上１μｍ以下や、０．１μｍ以上０．５μｍ以下が挙げられる。

上記のように構成された電気機械変換素子１０は、基板２２上に形成された振動板２４上に、第１の電極１２及び第２の電極１４をこの順に形成した後に、電気機械変換膜１６、第３の電極１８をこの順に形成することによって製造される。

具体的には、まず、基板２２上に振動板２４を形成する（図３（Ａ）参照）。基板２２上に振動板２４を設ける方法としては、周知の成膜方法が挙げられる。具体的には、真空成膜法（例えばスパッタリング法、ＭＯ−ＣＶＤ法（金属有機化合物を用いた化学的気相成長法）、真空蒸着法、イオンプレーティング法）やゾルゲル法、水熱合成法、ＡＤ（エアロゾルデポジション）法、塗布・熱分解法（ＭＯＤ）などの周知の成膜技術が挙げられる。

次に、基板２２上に形成された振動板２４上に、第１の電極１２を形成する（図３（Ｂ）参照）（第１の工程）。ここでは、第１の電極１２として酸化物電極層１２Ａのみを形成する場合を説明する。この第１の電極１２としての酸化物電極層１２Ａは、スパッタリング法やゾルゲル法を用いて、スピンコーターにて作製される。
なお、酸化物電極層１２Ａ（第１の電極１２）の一部においてパターニングを行う必要がある場合には、フォトリソエッチング等により所望のパターンを得ればよい。これ以外のパターニングの方法として、下地である振動板２４の、酸化物電極層１２Ａ（第１の電極１２）の形成領域以外を表面改質させて疎水化し、疎水化していない親水性の領域にインクジェット法を用いて酸化物電極層１２Ａ（第１の電極１２）を形成する方法を用いてもよい。なお、この酸化物電極層１２Ａ（第１の電極１２）を、インクジェット法を用いて形成する方法は、後述する第２の電極１４を、インクジェット法を用いて形成する方法と同様の方法であるため、ここでは詳細な説明を省略する。

なお、第１の電極１２を、金属電極層１２Ｂ上に上記酸化物電極層１２Ａの積層された積層体とする場合には、振動板２４上に金属電極層１２Ｂを積層した後に、酸化物電極層１２Ａを設ければよい。

次に、第１の電極１２の最表面に設けられた酸化物電極層１２Ａ上に第２の電極１４を形成する（図３（Ｃ−１）、図５（Ａ）参照）（第２の工程）。

第２の電極１４は、真空成膜法（例えばスパッタリング法、ＭＯ−ＣＶＤ法（金属有機化合物を用いた化学的気相成長法）、真空蒸着法、イオンプレーティング法）やゾルゲル法、水熱合成法、ＡＤ（エアロゾルデポジション）法、塗布・熱分解法（ＭＯＤ）などの周知の成膜技術により堆積させて、電極層を形成した後に、フォトリソグラフィー・エッチングによりパターニングを行うことで形成される。これにより、各第２の電極１４が個別電極とされる。また、上述したように、このパターニングによって、第１の電極１２（酸化物電極層１２Ａ）には、第２の電極１４の設けられた領域と、第２の電極１４の設けられていない領域と、が形成される。

また、パターニングされることで形成された第２の電極１４の作製方法としては、インクジェット法が挙げられる。インクジェット法は、下地である酸化物電極層１２Ａ（第１の電極１２）の、第２の電極１４の形成対象領域以外を表面改質させて疎水化し、疎水化していない親水性の領域にインクジェット法を用いて第２の電極１４を形成する方法である。

インクジェット法を用いて第２の電極１４を形成する方法は、詳細には、まず、下地（塗布対象）となる酸化物電極層１２Ａ上にＳＡＭ膜２０（自己組織化単分子膜）を全面塗布する（図４（Ａ）及び図４（Ｂ）参照）。ＳＡＭ膜（自己組織化単分子膜（ＳＡＭ：Ｓｅｌｆ−Ａｓｓｅｍｂｌｅｄ Ｍｏｎｏｌａｙｅｒ）２０は、下地の材料によって異なる。具体的には、酸化物を下地とする場合には、このＳＡＭ膜としては、主に有機シラン化合物、ホスホン酸、リン酸エステル、カルボン酸を選定し、窒化シリコンのような窒化物を下地とする場合は主に臭化アルキルを選定する。アルカンチオールは、分子鎖長により反応性や疎水性が異なるものの、Ｃ_６からＣ_１８の分子を一般的な有機溶媒（アルコール、アセトン、トルエンなど）に溶解させる（濃度数モル／ｌ）。この溶液を用いて、浸漬、蒸気、スピンコーター等により全面塗布処理を行い、余剰な分子を溶媒で置換洗浄し乾燥することで、酸化物電極層１２Ａ上にＳＡＭ膜２０が形成される（図４（Ｂ）参照）。なお、以下では、このＳＡＭ膜２０を形成する処理を、ＳＡＭ処理、あるいはＳＡＭ膜形成処理と称して説明する場合がある。

次に、フォトリソグラフィーによりフォトレジスト２６をパターン形成する（図４（Ｃ）参照）。次に、ドライエッチングにより、フォトレジスト２６に覆われていない領域のＳＡＭ膜２０を除去し、更に、フォトレジスト２６を除去してＳＡＭ膜２０のパターニングが終了する（図４（Ｄ）参照）。これによって、振動板２４上には、ＳＡＭ膜２０によって覆われた疎水部と、ＳＡＭ膜２０の形成されていない領域である親水部と、が形成される（図４（Ｄ−１）参照）。

次に、液滴吐出ヘッド２８によって、第２の電極１４の形成に用いる液滴を塗布すると、疎水部であるＳＡＭ膜２０上には塗膜が形成されず、ＳＡＭ膜２０が除去された親水部のみに第２の電極１４の前駆体膜１４Ｃが形成される（図４（Ｅ−１）参照）。なお、この第２の電極１４の形成に用いる液滴としては、第２の電極１４用の前駆体溶液が用いられる。この第２の電極１４用の前駆体溶液としては、例えば、第２の電極１４の構成元素を含む材料を共通溶媒に溶解したものや、市販のナノＡｇインク等が挙げられる。

その後、通常のゾルゲルプロセスに従って熱処理を行う。前駆体膜１４Ｃの熱処理温度は有機物の燃焼温度：３００℃〜５００℃、結晶化温度：５００℃〜７００℃等とする。このような高温処理により、ＳＡＭ膜２０は消失し、前駆体膜１４Ｃが熱処理されることで、パターン化された第２の電極１４が作製される（図４（Ｆ−１）参照）。

なお、インクジェット法を用いた場合、１層あたり約３０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の膜厚になるため、何層か重ね打ちする必要がある場合がある。この場合には、図４（Ｄ−２）、図４（Ｅ−２）、図４（Ｆ−２）に示すように、図４（Ｄ−１）、図４（Ｅ−１）、図４（Ｆ−１）と同様の処理を繰り返し実行することで、所望の膜厚に調整すればよい。すなわち、再びＳＡＭ膜２０をパターニングして第２の電極１４の周囲にＳＡＭ膜２０を形成する（図４（Ｄ−２）参照）。そして、液滴吐出ヘッド２８により液滴として第２の電極１４用の前駆体溶液を塗布しＳＡＭ膜２０が除去された親水部である第２の電極１４上に、第２の電極用１４の前駆体膜１４Ｃを形成する（図４（Ｅ−２）参照）。その後、熱処理を行えばよい（図４（Ｆ−２）参照）。このようにして、インクジェット法によりパターン化された第２の電極１４が得られる。

なお、図４では、インクジェット法によって酸化物電極層１２Ａ上に第２の電極１４を形成する方法を示したが、例えば、下地となる振動板２４上に第１の電極１２を形成する場合や、第２の電極１４上にインクジェット法により電気機械変換膜１６を形成する場合や、電気機械変換膜１６上にインクジェット法により第３の電極１８を形成する場合等にも、同様の工程（インクジェット法）を用いてもよい。

なおインクジェット法により第１の電極１２の酸化物電極層１２Ａを形成する場合には、液滴吐出ヘッド２８から吐出する液滴には、酸化物電極層１２Ａ用の前駆体溶液を用いればよい。この酸化物電極層１２Ａ用の前駆体溶液としては、例えば、酸化物電極層１２Ａの構成元素を含む化合物の水和物を出発物質とし、この出発物質の脱水処理を行った後に、共通溶媒としてメトキシエタノールに溶解させ均一溶液を得る。この均一溶媒を第１の電極１２用の前駆体溶液と称して説明する。なお、出発物質が、大気中の水分により容易に加水分解してしまう場合には、前駆体溶液に安定剤としてアセチルアセトン、酢酸、ジエタノールアミンなどの安定剤を適量、添加してもよい。

また、電気機械変換膜１６や第３の電極１８を形成する場合についても同様に、各々の構成材料を含む溶液を共通溶媒に溶解させた均一溶液を用いればよい。

次に、第２の電極１４の表面のみを表面改質させて疎水化する（第３の工程）。
詳細には、上記工程によって、第１の電極１２上に、エッチングによってパターニングされた第２の電極１４が形成せれた積層体を、上記ＳＡＭ膜２０の構成材料として挙げたＳＡＭ材料を用いて浸漬処理させる。これによって、金属電極である第２の電極１４の表面にはチオール材料等のＳＡＭ材料が反応してＳＡＭ膜２０が選択的に付着して表面改質され、表面が疎水化される。一方、酸化物電極層１２Ａ（第１の電極１２）における第２の電極１４の形成されていない領域には、チオール材料が反応しないため、ＳＡＭ膜２０が形成されず、親水化されている。このため、第２の電極１４の表面のみが、選択的に表面改質されて疎水化した状態となる（図３（Ｄ）及び図５（Ａ）参照）。

このように、酸化物電極層１２Ａ上にパターン化された金属電極である第２の電極１４を設けた構成とすることで、ＳＡＭ材料の塗布のみで、親水部と疎水部の自己調整が可能となる。そのため、後述する第４の工程における電気機械変換膜１６の作製工程の簡略化及び製造時間の短縮を図ることができる。

次に、第１の電極１２における、第２の電極１４の形成されていない領域に、電気機械変換膜１６を設ける（図３（Ｅ）及び図５（Ｂ）参照）（第４の工程）。

電気機械変換膜１６の作製方法としては、本実施の形態の電気機械変換素子１０においては、インクジェット法を用いることが好ましい。

また、インクジェット法により電気機械変換膜１６を作製する場合は、上記第２の電極１４と同様の作製工程（図４参照）にてパターニングされた膜を得ることができる。なお、表面改質材については、下地の材料によっても異なるが、電気機械変換膜１６を作製する場合には、酸化物電極層１２Ａである酸化物が下地となるので、主にシラン化合物を選定する。

ここで、電気機械変換膜１６については数μｍ程度の厚みにするため、何層も重ねて作製する必要が出てくる。具体的には、電気機械変換膜１６としてＰＺＴを材料として選択した場合、インクジェット法における熱処理温度（前駆体膜の熱処理温度）としては４００℃以上を必要とする。このため、熱処理後においては、第２の電極１４上のＳＡＭ膜２０が消失してしまう場合があるため、再度、インクジェット法で電気機械変換膜１６を作製する前に、ＳＡＭ膜２０を形成する処理を行う必要が生じる。

しかし、本実施の形態の電気機械変換素子１０は、酸化物電極層１２Ａ上にパターン化された金属電極である第２の電極１４を設けている。このため、インクジェット法における熱処理後に再度ＳＡＭ膜２０を設ける場合であっても、ＳＡＭ材料の塗布のみで、親水部と疎水部の自己調整が可能となる。

なお、上記第３の工程における、第２の電極１４の表面改質を行う方法として、第１の電極１２上に第２の電極１４がパターニングされた積層体を、アルカンチオール等の上記ＳＡＭ膜２０の構成材料として挙げたＳＡＭ材料を用いて浸漬処理した後に、さらに、有機シラン材料を用いて同様な浸漬処理を行ってもよい。有機シラン材料は金属表面に反応しないため、酸化物表面のみに処理される。このため、第２の電極１４のみの選択的な表面改質が実現される。

上記有機シラン材料としては、親水性の高い基を有する有機シラン材料を用いることで、さらに表面の親水部と疎水部のコントラスト比をつけることが出来るようになり、電気機械変換膜１６をインクジェット法により形成するにあたってより効果的になる。

電気機械変換膜１６は、スパッタリング法もしくは、ゾルゲル法を用いてスピンコーターにて作製してもよい。その場合は、パターニングが必要となるので、フォトリソエッチング等により所望のパターンを得る。ＰＺＴをゾルゲル法により作製した場合、酢酸鉛、ジルコニウムアルコキシド、チタンアルコキシド化合物を出発材料にし、共通溶媒としてメトキシエタノールに溶解させ均一溶液を得ることで、ＰＺＴ前駆体溶液が作製できる。金属アルコキシド化合物は大気中の水分により容易に加水分解してしまうので、前駆体溶液に安定剤としてアセチルアセトン、酢酸、ジエタノールアミンなどの安定化剤を適量、添加してもよい。

次に、電気機械変換膜１６上に、第３の電極１８を設ける（図３（Ｆ）参照）（第５の工程）。

第３の電極１８の作製方法としては、スパッタリング法もしくは、ゾルゲル法を用いてスピンコーターにて作製する方法が挙げられる。第３の電極１８のパターニングには、フォトリソエッチング等を用いればよい。また、第３の電極１８の作製方法としては、上述した表面改質及びインクジェット法と同様にして、第２の電極１４と電気機械変換膜１６とを第２の電極１４とを部分的に表面改質させる工程を用いて、インクジェット法によりパターニングされた第３の電極１８を作製してもよい。

上記工程を経ることによって、電気機械変換素子１０が作製される。

ここで、本実施の形態の電気機械変換素子１０は、上述のように、第１の電極２の最表面の酸化物電極層１２Ａにおける第２の電極１４の形成されていない領域に、電気機械変換膜１６の設けられた構成である。また、上述のように、酸化物電極層１２Ａ及び第３の電極１８は、酸化物電極であり、第２の電極１４は金属電極である。
このような構成とすることで、上述のように、電気機械変換膜１６の形成工程の簡略化や、電気機械変換膜１６のＰｂ拡散の抑制や、電気機械変換膜１６の液滴の吐出に十分な変位量が実現される。

しかしながら、上述のように、酸化物電極層１２Ａ（第１の電極１２）上に第２の電極１４を設ける上記第２の工程では、パターニングのためにエッチング処理が行われるため、酸化物電極層１２Ａの表面の、上記一般式（１）ＡＢＯ_３で示される複合酸化物の組成比率がエッチング前とは異なるものとなる。

具体的には、上述したように、第２の電極１４の形成時には、スパッタリング法、インクジェット法等の何れの方法を用いた場合についても、エッチングを行う。このエッチング時のオーバーエッチングにより、下地であるの酸化物電極層１２Ａ表面の組成比がずれてくる。この組成比のずれは、特に、ドライエッチングの場合に顕著である。

詳細には、質量のより軽いものの方がエッチングされやすいため、上記一般式（１）ＡＢＯ_３で示される複合酸化物では、Ａサイト元素とＢサイト元素との質量比の差が大きいほど、エッチング後、すなわち第２の電極１４がエッチングによりパターニングされた後の酸化物電極層１２Ａの組成比が、エッチング前とは大きく異なるものとなる。
このため、この酸化物電極層１２Ａ上に電気機械変換膜１６を形成する工程を経て電気機械変換素子１０を作製すると、酸化物電極層１２Ａの組成比の変化によって、電気機械変換素子１０として十分な圧電特性が得られない場合がある。
なお、本実施の形態では、この圧電特性とは、具体的には、残留分極や圧電定数を示している。

そこで、本実施の形態では、電気機械変換素子１０として形成された後、具体的には、第２の電極１４のパターニングのためのエッチング処理が行われた後の、上記一般式（１）中のＡとＢとの組成比Ａ／Ｂが０．８以上１．２以下となるように、酸化物電極層１２Ａの組成比率を予め調整する。
すなわち、本実施の形態の電気機械変換素子１０は、第１の電極１２の最表面に設けられている酸化物電極層１２Ａにおける、第２の電極１４の形成されていない領域の電気機械変換膜１６側の最表面の、上記一般式（１）中のＡとＢとの組成比Ａ／Ｂが０．８以上１．２以下である。

このため、第１の電極１２の酸化物電極層１２Ａにおける第２の電極１４の形成されていない領域に、電気機械変換膜１６の設けられた電気機械変換素子１０とした場合であっても、圧電素子として十分な圧電特性を実現することができる。

本実施の形態の電気機械変換素子１０の、酸化物電極層１２Ａにおける、第２の電極１４の形成されていない領域の電気機械変換膜１６側の最表面の、上記一般式（１）中のＡとＢとの組成比Ａ／Ｂは、上述のようにＡ／Ｂが０．８以上１．２以下であることが必須であるが、該組成比Ａ／Ｂは、０．９以上１．１以下であることがさらに好ましく、０．９５以上１．０５以下であることが特に好ましい。

本実施の形態において、酸化物電極層１２Ａの最表面に含まれる上記一般式（１）中のＡとＢとの組成比Ａ／Ｂは、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）を用いて求められた値を意味する。従って、本実施の形態において、「酸化物電極層１２Ａの最表面」とは、酸化物電極層１２Ａの電気機械変換膜１６側（第２の電極１４側）の表面から、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）により測定される厚み（深さ）までの領域を意味し、具体的には、酸化物電極層１２Ａの表面にＸ線を照射した際に発生する光電子の脱出深さに相当する数ｎｍから十数ｎｍ程度の厚みを意味する。

なお、酸化物電極層１２Ａの最表面に含まれる上記一般式（１）中のＡとＢとの組成比Ａ／Ｂは、具体的には、以下のようにして求めることができる。
例えば、ＸＰＳの測定装置として複合型表面分析装置（ＰＨＩ社製、ＥＳＣＡ−５６００）を用い、Ｘ線ソースにはＭｇＫα線を用い、１０ｋＶ，２０ｍＡの条件で照射することにより測定できる。この場合、光電子の測定は１ｅＶのステップで行い、元素の含有量は、スペトクルの面積強度と感度因子により求めることができる。

酸化物電極層１２Ａにおける、第２の電極１４の形成されていない領域の電気機械変換膜１６側の最表面の、上記一般式（１）中のＡとＢとの組成比Ａ／Ｂが上記範囲となるように調整する方法としては、下記方法が挙げられる。

まず１つの方法としては、酸化物電極層１２Ａの成膜条件を調整する方法が挙げられる。

具体的には、上記第１の工程によって第１の電極１２を形成するときの成膜条件を調整し、第２の電極１４形成のためのエッチング後の酸化物電極層１２Ａの上記一般式（１）中のＡとＢとの組成比Ａ／Ｂが上記範囲内（０．８以上１．２以下）となるように、該エッチング前の酸化物電極層１２Ａの上記組成比Ａ／Ｂを軽元素リッチとなるように調整する。

詳細には、エッチング前の酸化物電極層１２Ａの組成比Ａ／Ｂと、エッチング後の酸化物電極層１２Ａの組成比Ａ／Ｂと、の差が０以上１．０以下となるように、エッチング前の酸化物電極層１２Ａの組成比Ａ／Ｂを調整する。

なお、第２の電極１４のパターニングのためのエッチング前の、酸化物電極層１２Ａの形成時の上記一般式（１）中の組成比Ａ／Ｂを上述のように調整することで、作製した電気機械変換素子１０においては、酸化物電極層１２Ａにおける第２の電極１４の形成されていない領域（電気機械変換膜１６の形成された領域）における組成比Ａ／Ｂと、酸化物電極層１２Ａにおける第２の電極１４の形成された領域における組成比Ａ／Ｂと、の差は、上記０以上１．０以下となる。

具体的には、例えば、上記一般式（１）で示されるペロブスカイト型複合酸化物として、ＬａＮｉＯ_３を用いた場合には、第２の電極１４のパターニングためのエッチング前の酸化物電極層１２Ａにおける一般式（１）ＡＢＯ_３の組成比をＬａ：Ｎｉ＝１：１としたとする。この場合、該パターニングのためのエッチング後においては、酸化物電極層１２Ａにおける一般式（１）ＡＢＯ_３の組成比は、Ｌａ：Ｎｉ＝１．３：０．７〜１．５：０．５に変化する。このため、該パターニングのためのエッチング後の、酸化物電極層１２ＡとしてのＬａＮｉＯ_３膜の最表面の組成比をＬａ：Ｎｉ＝１：１にしておくためには、Ｌａ／Ｎｉを０．５以下にしておく必要がある。

なお、本実施の形態の電気機械変換素子１０では、酸化物電極層１２Ａにおける、第２の電極１４の形成されていない領域（電気機械変換膜１６の形成された領域）と、酸化物電極層１２Ａにおける第２の電極１４の形成された領域と、における組成比Ａ／Ｂには上記のような差が生じるが、酸化物電極層１２Ａの電気機械変換膜１６の設けられていない領域については特に電気機械変換膜１６の圧電特性に影響を及ぼさないため、問題はない。

酸化物電極層１２Ａの組成比の具体的な調整方法としては、例えば、スパッタによる成膜方法においては、組成比の異なるターゲットを用いることで酸化物電極層１２Ａの組成比を調整する方法や、多元のターゲットにより共スパッタして、そのスパッタレートを個別に調整することにより、酸化物電極層１２Ａの組成比を調整する方法が挙げられる。
また、スピンコーターによる成膜方法においては、成膜時に用いる塗布液の組成比を調整する方法が挙げられる。

また、酸化物電極層１２Ａの組成比を調整する他の方法としては、第２の電極１４のパターニングのためのエッチングがなされて、第１の電極１２上にパターニングされた第２の電極１４が形成された後に、第１の電極１２（酸化物電極層１２Ａ）における第２の電極１４の設けられていない領域に、組成比Ａ／Ｂが０．８以上１．２以下の範囲の酸化物電極層１２Ａの材料を、インクジェット法を用いて成膜する方法が挙げられる（図３（Ｃ−２）参照）。

次に、本実施の形態の電気機械変換素子について、上記に説明した電気機械変換素子１０とは異なる形態について説明する。

本実施の形態の電気機械変換素子は、上記に説明した第１の電極１２、第２の電極１４、電気機械変換膜１６、及び第３の電極１８を有する構成であればよく、図１に示す構成の電気機械変換素子１０に限られない。例えば、図６及び図７に示す構成の電気機械変換素子１０Ａであってもよい。

電気機械変換素子１０Ａは、第１の電極１２、第２の電極１４、電気機械変換膜１６、第３の電極１８、絶縁保護膜３０、第４の電極３４、第５の電極３２を有する。電気機械変換素子１０Ａは、基板２２上に振動板２４を介して形成されている。

電気機械変換素子１０Ａは、絶縁保護膜３０、第４の電極３４、及び第５の電極３２をさらに備える以外は、電気機械変換素子１０と同じ構成であるため、同じ機能及び構成である部分には同じ符号を付与して詳細な説明を省略する。

絶縁保護膜３０は、第２の電極１４、電気機械変換膜１６、及び第３の電極１８を被覆するように形成されている。第４の電極３４は、絶縁保護膜３０上に設けられ、絶縁保護膜３０を貫通するコンタクトホール３４Ａを介して第２の電極１４と電気的に接続されている。第５の電極３２は、絶縁保護膜３０上に設けられ、絶縁保護膜３０を貫通するコンタクトホール３２Ａを介して第３の電極１８と電気的に接続されている。第３の電極１８、及び第５の電極３２は、各電気機械変換膜１６に対して個別に設けられた個別電極であり、第４の電極３４は、各電気機械変換膜１６に対して共通に設けられた共通電極である。

図６及び図７に示すような絶縁保護膜３０を形成することにより、電気ショート等による不具合や水分やガス等による電気機械変換膜１６の破壊を防止できる。

―絶縁保護膜―
絶縁保護膜３０は、電気ショート等による不具合や水分やガス等による電気機械変換膜１６の破壊防止を目的に設けられている。絶縁保護膜３０の材料としては、シリコン酸化膜や窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜等の無機膜、又は、ポリイミドやパリレン膜等の有機膜が挙げられる。絶縁保護膜３０の膜厚としては、０．５μｍ以上２０μｍ以下が好ましく、１μｍ以上１０μｍ以下がより好ましい。絶縁保護膜３０の膜厚がこの範囲内であると、絶縁保護膜３０としての機能が十分果たせ、且つプロセス時間の短縮が図れる。

絶縁保護膜３０の作製方法としては、スパッタリング法、スピンコート法等の公知の成膜方法を用いることができる。また、第４の電極３４及び第５の電極３２を、それぞれ第２の電極１４及び第３の電極１８と導通させるためのコンタクトホール３４Ａ及び３２Ａの作製が必要となり、それについては、フォトリソエッチング等により目的とするパターンを得る。

また、スクリーン印刷法を用いて、一度のプロセスでコンタクトホール３４Ａを有する絶縁保護膜３０の作製を行うことができる。スクリーン印刷に用いられるペースト状材料としては、樹脂と無機又は有機粒子とを有機溶媒に溶解させたものを用いることができる。樹脂については、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、アクリル系樹脂、エチルセルロース樹脂などを含む材料が挙げられる。無機粒子については、シリカ（ＳｉＯ_２）、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）、酸化チタン（ＴｉＯ_２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）等が挙げられる。中でもシリカ、アルミナ、酸化亜鉛などの比較的比誘電率の低い材料が好ましい。

絶縁保護膜３０として、精細度のパターンを形成する場合においては、線径が１５μｍ以上５０μｍ以下、開口率が４０％以上６０％以下のメッシュ中に充填されたペースト状材料を転写することで、絶縁保護膜３０を形成してもよい。このようにすれば、絶縁保護膜３０を、コンタクトホール３４Ａ及び３４Ｂとともに形成することができる。

―第４の電極及び第５の電極―
第４の電極３４及び第５の電極３２の材料は、Ａｇ合金、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｉｒの何れかからなる金属電極用の材料であることが好ましい。第４の電極３４及び第５の電極３２は、例えば、スパッタリング法やスピンコート法等を用いて作製し、その後フォトリソエッチング等により目的とするパターンとすることができる。

この第４の電極３４及び第５の電極３２の作製方法には、上述したインクジェット法を用いてもよい。なお、インクジェット法により第４の電極３４及び第５の電極３２を作製していく場合については、表面改質材（ＳＡＭ材料）については、下地である絶縁保護膜３０が酸化物である場合は主にシラン化合物を選定する。また、下地がポリイミド（ＰＩ）のような有機物の場合には、紫外線を照射して、照射された領域の表面エネルギーを増大させることができる。その結果、インクジェット法を用いて、表面エネルギーを増大させた領域に、高精細な第４の電極３４及び第５の電極３２のパターンを直接描画することができる。紫外線で表面エネルギーを増大させることが可能な高分子材料としては、例えば、特開２００６−０６００７９号公報に記載されている材料等を用いることができる。

また、以下のような市販されているペースト状材料を用いてスクリーン印刷で第４の電極３４及び第５の電極３２となる電極膜を得ることが出来る。パーフェクトゴールド（登録商標）（金ペースト、真空冶金社製商品名）、パーフェクトカッパー（銅ペースト、真空冶金社製商品名）、ＯｒｇａｃＯｎＰａｓｔｅｖａｒｉａｎｔ １／４、Ｐａｓｔｅ ｖａｒｉａｎｔ １／３（以上、印刷用透明ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳインク、日本アグファ・ゲバルト社製商品名）、ＯｒｇａｃＯｎＣａｒｂＯｎＰａｓｔｅ ｖａｒｉａｎｔ ２／２（カーボン電極ペースト、日本アグファ・ゲバルト社製商品名）、ＢＡＹＴＲＯＮ（登録商標）Ｐ（ＰＥＤＴ／ＰＳＳ水溶液、日本スタルクヴィテック社製商品名）。

第４の電極３４及び第５の電極３２のそれぞれの膜厚としては、０．１μｍ以上２０μｍ以下が好ましく、０．２μｍ以上１０μｍ以下がより好ましい。第４の電極３４及び第５の電極３２のそれぞれの膜厚がこの範囲内であると、電極に十分な電流が流れて安定した液滴吐出が実現されるとともに、プロセス時間の短縮が図れる。

次に、本実施の形態の電気機械変換素子１０を用いた液滴吐出ヘッドについて説明する。

図８に示すように、本実施の形態に係る電気機械変換素子１０を用いた液滴吐出ヘッド３６は、電気機械変換素子１０と、密着層４６と、振動板２４と、シリコン基板である圧力室基板３８と、ノズル４２が設けられたノズル板４０とを有する。密着層４６は第１の電極１２と振動板２４との密着力を強めるために設けられた層である。振動板２４と圧力室基板３８とノズル板４０とで圧力室４４が形成され、この中にインク等の液体が充填されている。なお、図８では、液体供給手段、流路、流体抵抗は省略している。

液滴吐出ヘッド３６は、電気機械変換素子１０により振動板２４を振動させて圧力室４４を加圧することで、ノズル板４０のノズル４２からインク滴等の液滴を吐出する構成である。また、インクジェット記録装置は、画素毎に対応して設けられた液滴吐出ヘッド３６が所定の間隔で並べられた液滴吐出ヘッド４８（図９参照）により、用紙などの記録媒体に画像形成を行う。

次に、上述した液滴吐出ヘッド３６を搭載したインクジェット記録装置の一例について図１０及び図１１を参照して説明する。

図１０、及び１１に示すように、インクジェット記録装置５０は、記録装置本体８１の内部に主走査方向に移動可能なキャリッジ９３、キャリッジ９３に搭載し、上述した薄膜形成で形成された液滴吐出ヘッド３６または液滴吐出ヘッド４８からなる記録ヘッド９４、記録ヘッド９４へインクを供給するインクカートリッジ９５等で構成される印字機構部８２等を収納する。記録装置本体８１の下方部には前方側から多数枚の用紙８３を積載可能な給紙カセット８４（或いは給紙トレイでもよい）を抜き差し自在に装着することができ、また、用紙８３を手差しで給紙するための手差しトレイ８５を開倒することができ、給紙カセット８４或いは手差しトレイ８５から給送される用紙８３を取り込み、印字機構部８２によって所要の画像を記録した後、後面側に装着された排紙トレイ８６に排紙する。

印字機構部８２は、図示しない左右の側板に横架したガイド部材である主ガイドロッド９１と従ガイドロッド９２とでキャリッジ９３を主走査方向に摺動自在に保持し、このキャリッジ９３にはイエロー（Ｙ）、シアン（Ｃ）、マゼンタ（Ｍ）、ブラック（Ｂｋ）の各色のインク滴を吐出する、上述した薄膜形成で形成された液滴吐出ヘッド３６（または液滴吐出ヘッド４８）からなる記録ヘッド９４を複数のインク吐出口（ノズル）を主走査方向と交差する方向に配列し、インク滴吐出方向を下方に向けて装着している。また、キャリッジ９３には記録ヘッド９４に各色のインクを供給するための各インクカートリッジ９５を交換可能に装着している。

インクカートリッジ９５は上方に大気と連通する大気口、下方にはインクジェットヘッドへインクを供給する供給口を、内部にはインクが充填された多孔質体を有しており、多孔質体の毛管力により記録ヘッド９４へ供給されるインクをわずかな負圧に維持している。また、記録ヘッド９４としてここでは各色のヘッドを用いているが、各色のインク滴を吐出するノズルを有する１個のヘッドでもよい。

ここで、キャリッジ９３は後方側（用紙搬送方向下流側）を主ガイドロッド９１に摺動自在に嵌装し、前方側（用紙搬送方向上流側）を従ガイドロッド９２に摺動自在に載置している。そして、このキャリッジ９３を主走査方向に移動走査するため、主走査モータ９７で回転駆動される駆動プーリ９８と従動プーリ９９との間にタイミングベルト１００を張装し、このタイミングベルト１００をキャリッジ９３に固定しており、主走査モータ９７の正逆回転によりキャリッジ９３が往復駆動される。

一方、給紙カセット８４にセットした用紙８３を記録ヘッド９４の下方側に搬送するために、給紙カセット８４から用紙８３を分離給装する給紙ローラ１０１及びフリクションパッド１０２と、用紙８３を案内するガイド部材１０３と、給紙された用紙８３を反転させて搬送する搬送ローラ１０４と、この搬送ローラ１０４の周面に押し付けられる搬送コロ１０５及び搬送ローラ１０４からの用紙８３の送り出し角度を規定する先端コロ１０６とを設けている。搬送ローラ１０４は副走査モータ１０７によってギヤ列を介して回転駆動される。

そして、キャリッジ９３の主走査方向の移動範囲に対応して搬送ローラ１０４から送り出された用紙８３を記録ヘッド９４の下方側で案内する用紙ガイド部材である印写受け部材１０９を設けている。この印写受け部材１０９の用紙搬送方向下流側には、用紙８３を排紙方向へ送り出すために回転駆動される搬送コロ１１１、拍車１１２を設け、さらに用紙８３を排紙トレイ８６に送り出す排紙ローラ１１３及び１１４と、排紙経路を形成するガイド部材１１５とを配設している。

記録時には、キャリッジ９３を移動させながら画像信号に応じて記録ヘッド９４を駆動することにより、停止している用紙８３にインク滴を吐出して１行分を記録し、用紙８３を所定量搬送後次の行の記録を行う。記録終了信号または、用紙８３の後端が記録領域に到達した信号を受けることにより、記録動作を終了させ用紙８３を排紙する。

また、キャリッジ９３の移動方向右端側の記録領域を外れた位置には、記録ヘッド９４の吐出不良を回復するための回復装置１１７を配置している。回復装置１１７はキャップ手段と吸引手段とクリーニング手段を有している。キャリッジ９３は印字待機中にはこの回復装置１１７側に移動されてキャッピング手段で記録ヘッド９４をキャッピングされ、吐出口部を湿潤状態に保つことによりインク乾燥による吐出不良を防止する。また、記録途中などに記録と関係しないインクを吐出することにより、全ての吐出口のインク粘度を一定にし、安定した吐出性能を維持する。

吐出不良が発生した場合等には、キャッピング手段で記録ヘッド９４の吐出口（ノズル）を密封し、チューブを通して吸引手段で吐出口からインクとともに気泡等を吸い出し、吐出口面に付着したインクやゴミ等はクリーニング手段により除去され吐出不良が回復される。また、吸引されたインクは、本体下部に設置された廃インク溜（図示しない）に排出され、廃インク溜内部のインク吸収体に吸収保持される。

上述したインクジェット記録装置５０においては、前述した液滴吐出ヘッド３６または液滴吐出ヘッド４８を用いた記録ヘッド９４を搭載しているので、安定したインク滴吐出特性が得られて、画像品質が向上する。

以下に、本発明の電気機械変換素子について、実施例により説明するが、本発明はこれら実施例により何ら限定されるものではない。

（実施例Ａ１）
シリコンウェハに熱酸化膜（膜厚１ミクロン）を形成し、第１の電極として、チタン膜（膜厚５０ｎｍ）、白金膜（膜厚２００ｎｍ）、ＬａＮｉＯ_３膜（膜厚１００ｎｍ）をスパッタ成膜した。なお、チタン膜は、熱酸化膜と白金膜とを密着する密着層として機能する。また、白金膜は、酸化物電極層であるＬａＮｉＯ_３膜の下層側（基板側）に設けられた金属電極層として機能する。

なお、酸化物電極層であるＬａＮｉＯ_３膜のスパッタ条件は、下記条件とした。

酸化物電極層であるＬａＮｉＯ_３膜は、ＬａＮｉＯ_３をターゲットとし、Ａｒ流量２４ｓｃｃｍ、Ｏ_２流量６ｓｃｃｍ、ＲＦパワー３００Ｗ、全圧１．３Ｐａとした。

形成した酸化物電極層であるＬａＮｉＯ_３膜について、最表面の一般式（１）ＡＢＯ_３のＡとＢとの組成比を、ＸＰＳ（ＰＨＩ社製、商品名ＥＳＣＡ−５６００）を用いて上述した条件で測定したところ、Ｌａ：Ｎｉ＝０．４２：１．５８（Ｌａ／Ｎｉ＝０．２７）であった。

次に第２の電極としてＡｇＰｄ合金（Ａｇ：Ｐｄ＝７０：３０）膜（膜厚５０ｎｍ）をスパッタ成膜した。その後、東京応化社製フォトレジスト（ＴＳＭＲ８８００）をスピンコート法で成膜（膜厚２０００ｎｍ）し、フォトリソグラフィーによりレジストパターンを形成した後、ＩＣＰエッチング装置（サムコ社製、商品名ＲＩＥ−１０１ ＩＰＨ）を用い、ドライエッチングを行うことで、図１に示すようなパターニングを行った。

なお、エッチング条件は、エッチングガスとして、ＡｒとＯ_２を用い、ソース電力２００Ｗ、バイアス電力０Ｗ、ガス流量３４ｓｃｃｍ、ガス圧力１．８とした。

ここでエッチングによるパターニングによって第２の電極を形成した後の、酸化物電極層であるＬａＮｉＯ_３膜の最表面の組成比を、上記と同様にして測定して求めたところ、Ｌａ：Ｎｉ＝０．８９：１．１１（Ｌａ／Ｎｉ＝０．８０）であった。

次に第２の電極の表面改質として、アルカンチオールにＣＨ_３（ＣＨ_２）_６−ＳＨを用い、濃度０．０１モル／ｌ（溶媒：イソプロピルアルコール）溶液に浸漬させ、その後、イソプロピルアルコールで洗浄・乾燥させ、ＳＡＭ処理を行った。ＳＡＭ処理後のＡｇＰｄ合金膜（第２の電極）上の水の接触角は９２．２°であるのに対して、酸化物電極層であるＬａＮｉＯ_３膜上の水の接触角は１５°であり、その後の電気機械変換膜をインクジェットにより成膜するには、親水面と疎水面のコントラストが十分取れていることが確認できた。

次に電気機械変換膜としてＰＺＴ（５３／４７）をインクジェットにより成膜する。前駆体塗布液の合成は、出発材料に酢酸鉛三水和物、イソプロポキシドチタン、イソプロポキシドジルコニウムを用いた。酢酸鉛の結晶水はメトキシエタノールに溶解後、脱水した。化学両論組成に対し鉛量を１０モル％過剰にした。これは熱処理中のいわゆる鉛抜けによる結晶性低下を防ぐためである。

イソプロポキシドチタン、イソプロポキシドジルコニウムをメトキシエタノールに溶解し、アルコール交換反応、エステル化反応を進め、先記の酢酸鉛を溶解したメトキシエタノール溶液と混合することでＰＺＴ前駆体溶液を合成した。このＰＺＴ濃度は０．１モル／ｌにした。次に、図１０に示すインクジェット塗布装置により、上記工程でパターニングされた親水領域（酸化物電極層であるＬａＮｉＯ_３膜）にＰＺＴ前駆体溶液を塗布した。次に、溶媒乾燥のために１２０℃の熱処理を行った後に、有機物の熱分解（５００℃）を行うことで電気機械変換膜を得た。このときの膜厚は９０ｎｍであった。

引き続き、繰返し表面改質としてアルカンチオールによる浸漬処理を行うことで、パターニング化したＳＡＭ膜を形成した。ＳＡＭ処理後のＡｇＰｄ合金膜上の水の接触角は９２．２°であるのに対して、インクジェット塗布装置により作製した上記電気機械変換膜上の水の接触角は１５°であり、２層目以降を繰り返し、インクジェットにより成膜するには、親水面と疎水面のコントラストが十分取れていることが確認できた。
これらの工程を６回繰り返して、５４０ｎｍの膜を得た後、結晶化熱処理（温度７００℃）をＲＴＡ（急速熱処理）にて行った。膜にクラックなどの不良は生じなかった。さらに６回のＳＡＭ処理、ＰＺＴ前駆体の選択塗布、１２０℃乾燥、５００℃熱分解を繰り返し行い、結晶化処理をした。膜にクラックなどの不良は生じなかった。これによって、結果的に、酸化物電極層であるＬａＮｉＯ_３膜の、第２の電極であるＡｇＰｄ合金膜の設けられていない領域のみに、膜厚１０００ｎｍの電気機械変換膜を形成した。

次に第３の電極として、ＳｒＲｕＯ膜（膜厚１００ｎｍ）、及び白金膜（膜厚１００ｎｍ）を順にスパッタ成膜した。その後、東京応化社製フォトレジスト（ＴＳＭＲ８８００）をスピンコート法で成膜し、フォトリソグラフィーでレジストパターンを形成した後、ＩＣＰエッチング装置（サムコ社製）を用いて図１のようなパターンを形成した。

次に絶縁保護膜として、パリレン膜（膜厚２μｍ）をＣＶＤ成膜した。その後、東京応化社製フォトレジスト（ＴＳＭＲ８８００）をスピンコート法で成膜し、フォトリソグラフィーでレジストパターンを形成した後、ＲＩＥ（サムコ社製）を用いて図６及び図７のようなパターンを作製した。

最後に第４の電極、及び第５の電極としてＡｌ膜（膜厚５μｍ）をスパッタ成膜した。その後、東京応化社製フォトレジスト（ＴＳＭＲ８８００）をスピンコート法で成膜し、フォトリソグラフィーでレジストパターンを形成した後、ＲＩＥ（サムコ社製）を用いて図６及び図７のようなパターンを形成し、電気機械変換素子を作製した。

（実施例Ａ２）
シリコンウェハに熱酸化膜（膜厚１ミクロン）を形成し、実施例Ａ１と同様にしてチタン膜（膜厚５０ｎｍ）及び白金膜（膜厚２００ｎｍ）をこの順でスパッタリング法により成膜した後に、酸化物電極層としてのＬａＮｉＯ_３膜をスピンコート法で成膜し、第１の電極とした。

なお、該スピンコート法による酸化物電極層の形成に用いる塗布液（前駆体塗布液）には、下記塗布液を用いた。具体的には、出発材料にイソプロポキシドランタン、ビス（アセチルアセトナト）ニッケル（II）（二水和物）を用いた。そして、ビス（アセチルアセトナト）ニッケル（II）（二水和物）の脱水処理を行った後、脱水処理されたビス（アセチルアセトナト）ニッケル（II）（二水和物）に対して、イソプロポキシドランタン、ビス（アセチルアセトナト）ニッケル（II）をメトキシエタノールに溶解し、アルコール交換反応、エステル化反応を進め、ＬａＮｉＯ_３前駆体溶液を合成し、濃度を０．３モル／ｌにした。これを、酸化物電極層の形成に用いる塗布液として用いた。

形成した酸化物電極層であるＬａＮｉＯ_３膜について、最表面の一般式（１）ＡＢＯ_３のＡとＢとの組成比を、実施例Ａ１と同じ条件で測定したところ、Ｌａ：Ｎｉ＝０．５７：１．４３（Ｌａ／Ｎｉ＝０．４０）であった。

次に第２の電極としてＡｕＰｄ合金（Ａｕ：Ｐｄ＝７０：３０）膜（膜厚５０ｎｍ）をスパッタ成膜した。その後、東京応化社製フォトレジスト（ＴＳＭＲ８８００）をスピンコート法で成膜し、フォトリソグラフィーによりレジストパターンを形成した後、実施例Ａ１と同じエッチング装置を用い、同じエッチング条件で、図１に示すパターニングを行った。

そして、エッチングによるパターニングによって第２の電極を形成した後の、酸化物電極層であるＬａＮｉＯ_３膜の最表面の組成比を、実施例Ａ１と同じ測定条件で測定したところ、Ｌａ／Ｎｉ＝１．１０であった。

次に、実施例Ａ１と同じ条件で、第２の電極及び電気機械変換膜の選択的な表面改質、及び電気機械変換膜の形成を行った。これによって、酸化物電極層であるＬａＮｉＯ_３膜の、第２の電極であるＡｕＰｄ合金膜の設けられていない領域のみに、膜厚１０００ｎｍの電気機械変換膜を形成した。

次に、第３の電極としてＬａＮｉＯ_３膜（膜厚１００ｎｍ）、及び白金膜（膜厚１００ｎｍ）をこの順にスパッタ成膜した。その後、東京応化社製フォトレジスト（ＴＳＭＲ８８００）をスピンコート法で成膜し、フォトリソグラフィーでレジストパターンを形成した後、ＩＣＰエッチング装置（サムコ社製）を用いて図１のようなパターンを作製した。

次に絶縁保護膜として、ＳｉＯ_２を（膜厚２μｍ）をＣＶＤ成膜した。その後、東京応化社製フォトレジスト（ＴＳＭＲ８８００）をスピンコート法で成膜し、通常のフォトリソグラフィーでレジストパターンを形成した後、ＲＩＥ（サムコ製）を用いて図６及び図７のようなパターンを作製した。

次に下地のＳＡＭ処理を行った後、市販のＡｇＰｄインクを用い、実施例Ａ１で用いた装置と同じインクジェット装置を用いてパターンに印刷後、３００℃で熱処理し、第４の電極と第５の電極を形成し、電気機械変換素子を作製した。

（実施例Ａ３）
シリコンウェハに熱酸化膜（膜厚１ミクロン）を形成し、実施例Ａ１と同様にしてチタン膜（膜厚５０ｎｍ）及び白金膜（膜厚２００ｎｍ）をこの順でスパッタリング法により成膜した後に、酸化物電極層としてのＬａＮｉＯ_３膜をスパッタリング法で成膜し、第１の電極とした。

なお、本実施例では、スパッタ条件を調整することによって、形成した酸化物電極層であるＬａＮｉＯ_３膜の最表面の一般式（１）ＡＢＯ_３のＡとＢとの組成比が、Ｌａ：Ｎｉ＝０．５１：１．４９（Ｌａ／Ｎｉ＝０．３４）となるように調整した。なお、このＡとＢとの組成比は、実施例Ａ１と同じ条件で測定した。

次に、実施例Ａ２と同じ製法及び同じ条件で、第２の電極としてのＡｕＰｄ合金（Ａｕ：Ｐｄ＝７０：３０）膜（膜厚５０ｎｍ）のスパッタ成膜、東京応化社製フォトレジスト（ＴＳＭＲ８８００）の成膜、レジストパターン形成、及びエッチングによる図１に示すパターニングを行った。

そして、エッチングによるパターニングによって第２の電極を形成した後の、酸化物電極層であるＬａＮｉＯ_３膜の最表面の組成比を、実施例Ａ１と同じ測定条件で測定したところ、Ｌａ：Ｎｉ＝１．０２：０．９８（Ｌａ／Ｎｉ＝１．０４）であった。

次に、実施例Ａ１と同じ条件で、第２の電極及び電気機械変換膜の選択的な表面改質、及び電気機械変換膜の形成を行った。また、実施例Ａ１と同じ条件で、第３の電極の形成、絶縁保護膜の形成、ＳＡＭ処理、第４の電極の形成、及び第５の電極の形成を行い、電気機械変換素子を作製した。

（実施例Ａ４）
シリコンウェハに熱酸化膜（膜厚１ミクロン）を形成し、実施例Ａ１と同様にしてチタン膜（膜厚５０ｎｍ）及び白金膜（膜厚２００ｎｍ）をこの順でスパッタリング法により成膜した後に、酸化物電極層としてのＬａＮｉＯ_３膜をスパッタリング法で成膜し、第１の電極とした。

なお、本実施例では、スパッタ条件を調整することによって、形成した酸化物電極層であるＬａＮｉＯ_３膜の最表面の一般式（１）ＡＢＯ_３のＡとＢとの組成比が、Ｌａ：Ｎｉ＝０．３６：１．６４（Ｌａ／Ｎｉ＝０．２２）となるように調整した。なお、このＡとＢとの組成比は、実施例Ａ１と同じ条件で測定した。

次に、実施例Ａ２と同じ製法及び同じ条件で、第２の電極としてのＡｕＰｄ合金（Ａｕ：Ｐｄ＝７０：３０）膜（膜厚５０ｎｍ）のスパッタ成膜、東京応化社製フォトレジスト（ＴＳＭＲ８８００）の成膜、レジストパターン形成、及びエッチングによる図１に示すパターニングを行った。

そして、エッチングによるパターニングによって第２の電極を形成した後の、酸化物電極層であるＬａＮｉＯ_３膜の最表面の組成比を、実施例Ａ１と同じ測定条件で測定したところ、Ｌａ：Ｎｉ＝１．０７：０．９３（Ｌａ／Ｎｉ＝１．１５）であった。

次に、実施例Ａ１と同じ条件で、第２の電極及び電気機械変換膜の選択的な表面改質、及び電気機械変換膜の形成を行った。また、実施例Ａ１と同じ条件で、第３の電極の形成、絶縁保護膜の形成、ＳＡＭ処理、第４の電極の形成、及び第５の電極の形成を行い、電気機械変換素子を作製した。

（実施例Ａ５）
シリコンウェハに熱酸化膜（膜厚１ミクロン）を形成し、実施例Ａ１と同様にしてチタン膜（膜厚５０ｎｍ）及び白金膜（膜厚２００ｎｍ）をこの順でスパッタリング法により成膜した後に、酸化物電極層としてのＬａＮｉＯ_３膜をスパッタリング法で成膜し、第１の電極とした。

なお、本実施例では、スパッタ条件を調整することによって、形成した酸化物電極層であるＬａＮｉＯ_３膜の最表面の一般式（１）ＡＢＯ_３のＡとＢとの組成比が、Ｌａ：Ｎｉ＝０．６８：１．３２（Ｌａ／Ｎｉ＝０．５２）となるように調整した。なお、このＡとＢとの組成比は、実施例Ａ１と同じ条件で測定した。

次に、実施例Ａ２と同じ製法及び同じ条件で、第２の電極としてのＡｕＰｄ合金（Ａｕ：Ｐｄ＝７０：３０）膜（膜厚５０ｎｍ）のスパッタ成膜、東京応化社製フォトレジスト（ＴＳＭＲ８８００）の成膜、レジストパターン形成、及びエッチングによる図１に示すパターニングを行った。

そして、エッチングによるパターニングによって第２の電極を形成した後の、酸化物電極層であるＬａＮｉＯ_３膜の最表面の組成比を、実施例Ａ１と同じ測定条件で測定したところ、Ｌａ：Ｎｉ＝０．９２：１．０８（Ｌａ／Ｎｉ＝０．８５）であった。

次に、実施例Ａ１と同じ条件で、第２の電極及び電気機械変換膜の選択的な表面改質、及び電気機械変換膜の形成を行った。また、実施例Ａ１と同じ条件で、第３の電極の形成、絶縁保護膜の形成、ＳＡＭ処理、第４の電極の形成、及び第５の電極の形成を行い、電気機械変換素子を作製した。

（実施例Ａ６）
シリコンウェハに熱酸化膜（膜厚１ミクロン）を形成し、第１の電極として、チタン膜（膜厚５０ｎｍ）、白金膜（膜厚２００ｎｍ）、ＳｒＲｕＯ_３膜（膜厚１００ｎｍ）をスパッタ成膜した。なお、チタン膜は、熱酸化膜と白金膜とを密着する密着層として機能する。また、白金膜は、酸化物電極層であるＳｒＲｕＯ_３膜の下層側（基板側）に設けられた金属電極層として機能する。

なお、酸化物電極層であるＳｒＲｕＯ_３膜のスパッタ条件は、下記条件とした。

酸化物電極層であるＳｒＲｕＯ_３膜は、ＳｒＲｕＯ_３をターゲットとし、Ａｒ流量２４ｓｃｃｍ、Ｏ_２流量６ｓｃｃｍ、ＲＦパワー３００Ｗ、全圧１．３Ｐａとした。

形成した酸化物電極層であるＳｒＲｕＯ_３膜について、最表面の一般式（１）ＡＢＯ_３のＡとＢとの組成比を、ＸＰＳ（ＰＨＩ社製、商品名ＥＳＣＡ−５６００）を用いて上述した条件で測定したところ、Ｓｒ／Ｒｕ＝０．３６であった。

次に第２の電極としてＡｇＰｄ合金（Ａｇ：Ｐｄ＝７０：３０）膜（膜厚５０ｎｍ）をスパッタ成膜した。その後、東京応化社製フォトレジスト（ＴＳＭＲ８８００）をスピンコート法で成膜（膜厚２０００ｎｍ）し、フォトリソグラフィーによりレジストパターンを形成した後、ＩＣＰエッチング装置（サムコ社製、商品名ＲＩＥ−１０１ ＩＰＨ）を用い、ドライエッチングを行うことで、図１に示すようなパターニングを行った。

なお、エッチング条件は、エッチングガスとして、ＡｒとＯ_２を用い、ソース電力２００Ｗ、バイアス電力０Ｗ、ガス流量３４ｓｃｃｍ、ガス圧力１．８とした。

ここでエッチングによるパターニングによって第２の電極を形成した後の、酸化物電極層であるＳｒＲｕＯ_３膜の最表面の組成比を、上記と同様にして測定して求めたところ、Ｓｒ／Ｒｕ＝１．０３であった。

次に、実施例Ａ１と同じ条件で、第２の電極及び電気機械変換膜の選択的な表面改質、及び電気機械変換膜の形成を行った。また、実施例Ａ１と同じ条件で、第３の電極の形成、絶縁保護膜の形成、ＳＡＭ処理、第４の電極の形成、及び第５の電極の形成を行い、電気機械変換素子を作製した。

（実施例Ａ７）
シリコンウェハに熱酸化膜（膜厚１ミクロン）を形成し、実施例Ａ１と同様にしてチタン膜（膜厚５０ｎｍ）及び白金膜（膜厚２００ｎｍ）をこの順でスパッタリング法により成膜した後に、酸化物電極層としてのＬａＮｉＯ_３膜をスパッタリング法で成膜し、第１の電極とした。

なお、本実施例では、スパッタ条件を調整することによって、形成した酸化物電極層であるＬａＮｉＯ_３膜の最表面の一般式（１）ＡＢＯ_３のＡとＢとの組成比が、Ｌａ：Ｎｉ＝０．９８：１．０２（Ｌａ／Ｎｉ＝０．９６）となるように調整した。なお、このＡとＢとの組成比は、実施例Ａ１と同じ条件で測定した。

次に第２の電極としてＡｕＰｄ合金（Ａｕ：Ｐｄ＝７０：３０）膜（膜厚５０ｎｍ）をスパッタ成膜した。その後、東京応化社製フォトレジスト（ＴＳＭＲ８８００）をスピンコート法で成膜し、フォトリソグラフィーによりレジストパターンを形成した後、実施例Ａ１と同じエッチング装置を用い、同じエッチング条件で、図１に示すパターニングを行った。

そして、エッチングによるパターニングによって第２の電極を形成した後の、酸化物電極層であるＬａＮｉＯ_３膜の最表面の組成比を、実施例Ａ１と同じ測定条件で測定したところ、Ｌａ：Ｎｉ＝１．３７：０．６７（Ｌａ／Ｎｉ＝２．０４）であった。

次に、第２の電極の表面のＳＡＭ処理として下記処理を行った以外は、実施例Ａ１と同じ条件で、第２の電極の選択的な表面改質を行った。具体的には、実施例Ａ７では、第２の電極の表面改質として、アルカンチオールにＣＨ_３（ＣＨ_２）_６−ＳＨを用い、濃度０．０１モル／ｌ（溶媒：イソプロピルアルコール）溶液に浸漬させ、その後、イソプロピルアルコールで洗浄・乾燥させて、ＳＡＭ処理を行った。

次に、電気機械変換膜を形成する前に、本実施例における、スピンコート法による上記酸化物電極層としてのＬａＮｉＯ_３膜の成膜に用いた塗布液（前駆体塗布液）を、高沸点、粘度溶媒と混合することによってインクジェット用に調合し、この調合した溶液を、上記で成膜したＬａＮｉＯ_３膜上（酸化物電極層であるＬａＮｉＯ_３膜の最表面の第２の電極の形成されていない領域）に吐出することで、ＬａＮｉＯ_３膜をさらに形成した。このＬａＮｉＯ_３膜の厚みは、２０ｎｍであった。これによって、エッチングによるパターニングによって第２の電極を形成した後のＬａＮｉＯ_３膜上に、該エッチング前におけるＬａＮｉＯ_３膜の形成に用いた塗布液によってＬａＮｉＯ_３膜を形成し、これらの積層体である酸化物電極層とした。

該エッチング前におけるＬａＮｉＯ_３膜の形成に用いた塗布液によって形成したＬａＮｉＯ_３膜について、最表面の一般式（１）ＡＢＯ_３のＡとＢとの組成比を、実施例Ａ１と同じ条件で測定したところ、Ｌａ：Ｎｉ＝０．９８：１．０２（Ｌａ／Ｎｉ＝０．９６）であった。

次に、実施例Ａ１と同様にして、インクジェット法により電気機械変換膜（膜厚１０００ｎｍ）を形成した。さらに、実施例Ａ１と同様にして、第３の電極、絶縁保護膜、第４の電極、及び第５の電極を形成し、電気機械変換素子を作製した。

（比較例Ａ１）
シリコンウェハに熱酸化膜（膜厚１ミクロン）を形成し、実施例Ａ１と同様にしてチタン膜（膜厚５０ｎｍ）及び白金膜（膜厚２００ｎｍ）をこの順でスパッタリング法により成膜した後に、酸化物電極層としてのＬａＮｉＯ_３膜をスパッタリング法で成膜し、第１の電極とした。

なお、本比較例では、スパッタ条件を調整することによって、形成した酸化物電極層であるＬａＮｉＯ_３膜の最表面の一般式（１）ＡＢＯ_３のＡとＢとの組成比が、Ｌａ／Ｎｉ＝０．８０となるように調整した。なお、このＡとＢとの組成比は、実施例Ａ１と同じ条件で測定した。

次に、実施例Ａ２と同じ製法及び同じ条件で、第２の電極としてのＡｕＰｄ合金（Ａｕ：Ｐｄ＝７０：３０）膜（膜厚５０ｎｍ）のスパッタ成膜、東京応化社製フォトレジスト（ＴＳＭＲ８８００）の成膜、レジストパターン形成、及びエッチングによる図１に示すパターニングを行った。

そして、エッチングによるパターニングによって第２の電極を形成した後の、酸化物電極層であるＬａＮｉＯ_３膜の最表面の組成比を、実施例Ａ１と同じ測定条件で測定したところ、Ｌａ：Ｎｉ＝１．３４：０．６６（Ｌａ／Ｎｉ＝２．０３）であった。

次に、実施例Ａ１と同じ条件及び方法で、電気機械変換膜をインクジェット法により形成した。次に実施例Ａ１と同じ条件及び方法で、第３の電極、絶縁保護膜、第４の電極、及び第５の電極を形成し、比較電気機械変換素子を作製した。

（比較例Ａ２）
シリコンウェハに熱酸化膜（膜厚１ミクロン）を形成し、実施例Ａ１と同様にしてチタン膜（膜厚５０ｎｍ）及び白金膜（膜厚２００ｎｍ）をこの順でスパッタリング法により成膜した後に、酸化物電極層としてのＬａＮｉＯ_３膜をスパッタリング法で成膜し、第１の電極とした。

なお、本比較例では、スパッタ条件を調整することによって、形成した酸化物電極層であるＬａＮｉＯ_３膜の最表面の一般式（１）ＡＢＯ_３のＡとＢとの組成比が、Ｌａ／Ｎｉ＝０．２３（Ｌａ：Ｎｉ＝０．３７：１．６３）となるように調整した。なお、このＡとＢとの組成比は、実施例Ａ１と同じ条件で測定した。

次に、実施例Ａ２と同じ製法及び同じ条件で、第２の電極としてのＡｕＰｄ合金（Ａｕ：Ｐｄ＝７０：３０）膜（膜厚５０ｎｍ）のスパッタ成膜、東京応化社製フォトレジスト（ＴＳＭＲ８８００）の成膜、レジストパターン形成、及びエッチングによる図１に示すパターニングを行った。

そして、エッチングによるパターニングによって第２の電極を形成した後の、酸化物電極層であるＬａＮｉＯ_３膜の最表面の組成比を、実施例Ａ１と同じ測定条件で測定したところ、Ｌａ：Ｎｉ＝０．８２：１．１８（Ｌａ／Ｎｉ＝０．６９）であった。

次に、実施例Ａ１と同じ条件及び方法で、電気機械変換膜をインクジェット法により形成した。次に実施例Ａ１と同じ条件及び方法で、第３の電極、絶縁保護膜、第４の電極、及び第５の電極を形成し、比較電気機械変換素子を作製した。

（比較例Ａ３）
シリコンウェハに熱酸化膜（膜厚１ミクロン）を形成し、実施例Ａ１と同様にしてチタン膜（膜厚５０ｎｍ）及び白金膜（膜厚２００ｎｍ）をこの順でスパッタリング法により成膜した後に、酸化物電極層としてのＬａＮｉＯ_３膜をスパッタリング法で成膜し、第１の電極とした。

なお、本比較例では、スパッタ条件を調整することによって、形成した酸化物電極層であるＬａＮｉＯ_３膜の最表面の一般式（１）ＡＢＯ_３のＡとＢとの組成比が、Ｌａ：Ｎｉ＝０．６１：１．３９（Ｌａ／Ｎｉ＝０．４４）となるように調整した。なお、このＡとＢとの組成比は、実施例Ａ１と同じ条件で測定した。

次に、実施例Ａ２と同じ製法及び同じ条件で、第２の電極としてのＡｕＰｄ合金（Ａｕ：Ｐｄ＝７０：３０）膜（膜厚５０ｎｍ）のスパッタ成膜、東京応化社製フォトレジスト（ＴＳＭＲ８８００）の成膜、レジストパターン形成、及びエッチングによる図１に示すパターニングを行った。

そして、エッチングによるパターニングによって第２の電極を形成した後の、酸化物電極層であるＬａＮｉＯ_３膜の最表面の組成比を、実施例Ａ１と同じ測定条件で測定したところ、Ｌａ：Ｎｉ＝１．１４：０．８６（Ｌａ／Ｎｉ＝１．３３）であった。

次に、実施例Ａ１と同じ条件及び方法で、電気機械変換膜をインクジェット法により形成した。次に実施例Ａ１と同じ条件及び方法で、第３の電極、絶縁保護膜、第４の電極、及び第５の電極を形成し、比較電気機械変換素子を作製した。

―評価―
実施例Ａ１〜実施例Ａ７で作製した電気機械変換素子、及び比較例Ａ１〜比較例Ａ３で作製した比較電気機械変換素子の各々について、初期特性、及び１０^１０回後の各々における、電気特性、及び電気機械変換能（圧電定数）の評価を行った。評価結果を表１に示した。

なお、上記「初期特性」とは、実施例Ａ１〜実施例Ａ７で作製した電気機械変換素子、及び比較例Ａ１〜比較例Ａ３で作製した比較電気機械変換素子の各々について、第１の電極と第３の電極との間に下記「１０^１０回後」の特性評価のための電圧を印加する前における電気機械変換膜の特性を意味している。

また、上記「１０^１０回後」の特性とは、実施例Ａ１〜実施例Ａ７で作製した電気機械変換素子、及び比較例Ａ１〜比較例Ａ３で作製した比較電気機械変換素子の各々について、第１の電極と第３の電極との電極間に１５Ｖの電圧を１×１０^−５秒間印加する処理を１０^１０回実行した後における特性を示している。

各評価条件は、以下の条件とした。

（電気特性評価）
―比誘電率、誘電損失―
実施例及び比較例で作製した電気機械変換素子及び比較電気機械変換素子の各々について、電気機械変換膜の形成直前の酸化物電極層１２Ａの比誘電率及び誘電損失を測定した。
なお、この比誘電率の測定は、測定器として、日本ヒューレット・パッカード社製ＨＰ４１９４Ａ、ＨＰ４２７４Ａを用い、日本ヒューレット・パッカード社製の電極（ＨＰ１６４５１Ｂ、電極サイズ：φ５ｍｍ）を用いて、２３℃の環境下で、周波数１ＭＨｚの交流電圧５Ｖを印加してから１分後の計測値を用いて比誘電率を測定するとともに、誘電損失を測定した。

―残留分極、抗電界―
次に、ソーヤ・タワー回路を用いて室温、５０ｋＨｚで電界強度と分極のヒステリシス曲線の観察を行い、残留分極と抗電界の値を求めた。結果を表１に示した。

―圧電定数―
圧電定数は、実施例及び比較例で作製した電気機械変換素子及び比較電気機械変換素子の各々について、２０℃の環境下で、第１の電極と第３の電極の間に１５Ｖの電圧（周波数１ｋＨｚ）を１×１０^−３秒印加したときの電気機械変換膜の最大変位量を、レーザドップラー振動計で測定し、測定結果から求めた。

表１に示すように、実施例Ａ１〜実施例Ａ７及び比較例Ａ１〜比較例Ａ３で作製した何れの電気機械変換素子及び比較電気機械変換素子においても、初期特性においては、電気機械変換膜の比誘電率は１２００前後、誘電損失は０．０２前後、残留分極は２０〜３１μＣ／ｃｍ^２、抗電界は３８〜５０ｋＶ／ｃｍの範囲であり、一般的なセラミック焼結体と同等の特性を有していた。なお図１２には、実施例Ａで作製した電気機械変換素子のＰ−Ｅヒステリシス曲線を示すグラフを示した。
また、実施例Ａ１〜実施例Ａ７及び比較例Ａ１〜比較例Ａ３で作製した何れの電気機械変換素子及び比較電気機械変換素子においても、初期特性においては、圧電定数は−１４０〜−１６０ｐｍ／Ｖであり、こちらも該セラミック焼結体と同等の値であった。
これらの結果から、初期特性においては、実施例Ａ１〜実施例Ａ７及び比較例Ａ１〜比較例Ａ３で作製した何れの電気機械変換素子及び比較電気機械変換素子においても、液滴吐出ヘッドとして十分に機能しうる特性値を示していたといえる。

しかしながら、１０^１０回後（１０^１０回繰り返し印加電圧を加えた直後）の特性においては、比較例Ａ１〜比較例Ａ３で作製した比較電気機械変化素子は残留分極及び圧電定数の双方において劣化が見られた。一方、実施例Ａ１〜実施例Ａ７で作製した電気機械変換素子は、何れの電気機械変換素子においても、１０^１０回後（１０^１０回繰り返し印加電圧を加えた直後）の特性の劣化が比較例の比較電気機械変換素子に比べて効果的に抑制されていた。

（実施例Ｂ）
上記実施例Ａ１〜実施例Ａ７、及び比較例Ａ１〜比較例Ａ３の各々で作製した電気機械変換素子を用いて、図９に示す液滴吐出ヘッドを作製し、液滴の吐出評価を行った。
具体的には、粘土を５ｃｐ（５×１０^−３Ｐａ・ｓ）に調整したインクを用いて、単純Ｐｕｓｈ波形（プッシュプル回路）により−１０Ｖ〜−３０Ｖの印可電圧を加えたときの吐出状況を確認したところ、どのノズル孔からも、同じ量のインク滴の吐出を確認した。しかしながら比較例Ａ１〜比較例Ａ３については、繰り返し印可電圧を加えた後には、ノズルの箇所によってはインクの吐出量にばらつきが生じ、不安定であった。

１０、１０Ａ 電気機械変換素子
１２Ａ 酸化物電極層
１２Ｂ 金属電極層
１２ 第１の電極
１４ 第２の電極
１６ 電気機械変換膜
１８ 第３の電極
３６、４８ 液滴吐出ヘッド
５０ インクジェット記録装置

特開２００４−００６６４５号公報 特開２００５−３２７９２０号公報 特許第３０１９８４５号公報

Claims (10)

1. 少なくとも最表面に酸化物電極層を有する第１の電極と、
   前記酸化物電極層上に設けられ、パターニングされてなる金属電極である第２の電極と、
   前記酸化物電極層上の、前記第２の電極の形成されていない領域に設けられた電気機械変換膜と、
   前記電気機械変換膜上に設けられた酸化物を含む第３の電極と、
   を備え、
   前記酸化物電極層が下記一般式（１）で示されるペロブスカイト型複合酸化物を主成分とし、且つ該酸化物電極層における、前記第２の電極の形成されていない領域の前記電気機械変換膜側の最表面の、下記一般式（１）中のＡとＢとの組成比Ａ／Ｂが０．８以上１．２以下であり、
   前記第１の電極の前記酸化物電極層における、前記第２の電極の形成されていない領域の前記電気機械変換膜側の最表面の、前記一般式（１）中のＡとＢとの組成比Ａ／Ｂと、
   前記第１の電極の前記酸化物電極層における、前記第２の電極の形成された領域の該第２の電極側の最表面の、前記一般式（１）中のＡとＢとの組成比Ａ／Ｂと、
   の差が０以上１．０以下であることを特徴とする電気機械変換素子。
   ＡＢＯ_３ （１）
   （一般式（１）中、Ａは、Ｓｒ、Ｂａ、Ｃａ、Ｌａから選ばれる少なくとも１種を主成分とするＡサイト元素を示し、Ｂは、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｎｉから選ばれる少なくとも１種を主成分とするＢサイト元素を示す。）
2. 前記第１の電極は、金属電極層上に前記酸化物電極層の設けられた積層体である請求項１に記載の電気機械変換素子。
3. 前記金属電極層は、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔから選ばれる少なくとも１種の元素を含む請求項２に記載の電気機械変換素子。
4. 前記一般式（１）で示されるペロブスカイト型複合酸化物が、ＬａＮｉＯ_３である請求項１〜請求項３の何れか１項に記載の電気機械変換素子。
5. 下記一般式（２）で示されるペロブスカイト型複合酸化物を主成分とする酸化物電極層を最表面に有する第１の電極を形成する第１の工程と、
   前記酸化物電極層上に、エッチングによってパターニングされた金属電極である第２の電極を形成する第２の工程と、
   前記第２の電極のみを選択的に表面改質させて疎水化する第３の工程と、
   前記酸化物電極層における前記第２の電極の形成されていない領域に、電気機械変換膜を形成する第４の工程と、
   前記電気機械変換膜上に、酸化物を含む第３の電極を形成する第５の工程と、
   を備え、
   前記第２の工程によって前記第２の電極が形成された後の、前記酸化物電極層における前記第２の電極の形成されていない領域の、前記電気機械変換膜の形成される側の最表面の下記一般式（２）中のＡとＢとの組成比Ａ／Ｂが０．８以上１．２以下であり、
   且つ、該組成比Ａ／Ｂと、前記第２の工程によって前記第２の電極が形成される前の、前記酸化物電極層における前記電気機械変換膜の形成される側の最表面の下記一般式（２）中のＡとＢとの組成比Ａ／Ｂと、の差が０以上１．０以下であることを特徴とする、電気機械変換素子の製造方法。
   ＡＢＯ_３ （２）
   （一般式（２）中、Ａは、Ｓｒ、Ｂａ、Ｃａ、Ｌａから選ばれる少なくとも１種を主成分とするＡサイト元素を示し、Ｂは、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｎｉから選ばれる少なくとも１種を主成分とするＢサイト元素を示す。）
6. 前記一般式（２）で示される複合酸化物がＬａＮｉＯ_３であり、
   前記第２の工程によって前記第２の電極が形成される前の、前記酸化物電極層における、前記電気機械変換膜の形成される側の最表面の前記一般式（２）中のＡとＢとの組成比Ａ／Ｂが０．５以下である請求項５に記載の電気機械変換素子の製造方法。
7. 下記一般式（３）で示されるペロブスカイト型複合酸化物を主成分とする第１の酸化物電極層を最表面に有する第１の電極を形成する第１の工程と、
   前記第１の酸化物電極層上に、エッチングによってパターニングされた金属電極である第２の電極を形成する第２の工程と、
   前記第２の電極のみを選択的に表面改質させて疎水化する第３の工程と、
   前記第１の酸化物電極層における前記第２の電極の形成されていない領域に、前記第１の酸化物電極層の前記ペロブスカイト型複合酸化物の前駆体を含む液滴を吐出して第２の酸化物電極層を形成した後に、電気機械変換膜を形成する第４の工程と、
   前記電気機械変換膜上に、酸化物を含む第３の電極を形成する第５の工程と、
   を備え、
   前記第４の工程において形成された前記第２の酸化物電極層における、前記電気機械変換膜の形成される側の最表面の、下記一般式（３）中のＡとＢとの組成比Ａ／Ｂが０．８以上１．２以下であることを特徴とする、電気機械変換素子の製造方法。
   ＡＢＯ_３ （３）
   （一般式（３）中、Ａは、Ｓｒ、Ｂａ、Ｃａ、Ｌａから選ばれる少なくとも１種を主成分とするＡサイト元素を示し、Ｂは、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｎｉから選ばれる少なくとも１種を主成分とするＢサイト元素を示す。）
8. 前記第３の工程では、チオール化合物またはシラン化合物を用いて前記第２の電極のみを選択的に表面改質する請求項５〜請求項７の何れか１項に記載の電気機械変換素子の製造方法。
9. 請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の電気機械変換素子を備えた液滴吐出ヘッド。
10. 請求項９に記載の液滴吐出ヘッドを備えた液滴吐出装置。

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