JP5704591B2 - 配向処理方法及び配向処理装置 - Google Patents

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Description

本発明は、基板を移動しながら配向状態の異なる二種類のストライプ状の配向領域を交互に形成する配向処理方法に関し、詳しくは、上記配向処理工程のタクトを短縮しようとする配向処理方法及び配向処理装置に係るものである。
従来のこの種の配向処理方法は、ストライプ状の開口を一定の配列ピッチで形成したフォトマスクを使用して、配向膜を塗布した基板に対して斜め方向から1回目の紫外線照射をした後、基板あるいは基板とフォトマスクの両方を180度回転させ、フォトマスクの基板に対する相対位置をずらして紫外線が1回目に照射されなかった領域に2回目の紫外線照射をするものとなっていた(例えば、特許文献1参照)。
また、他の配向処理方法は、ストライプ状の開口を一定の配列ピッチで形成したフォトマスクの上記開口を通して、基板垂線に対して45°方向から基板上の配向膜に紫外線を照射した後、フォトマスクをずらして基板垂線に対して45°逆方向から偏光紫外線を照射するものとなっていた(例えば、特許文献2参照)
さらに他の配向処理方法は、カラーフィルタ基板をその面方向に沿って移動させつつ、該カラーフィルタ基板の移動方向に直交方向に複数の開口が一定の配列ピッチで形成されたフォトマスクを介して配向膜を塗布したカラーフィルタ基板に対して斜め方向から紫外線を照射し、カラーフィルタ基板の各絵素の半分の領域を露光した後、露光位置を半ピッチずらし、紫外線の照射角度を変えて上記各絵素の残りの半分の領域に露光するものとなっていた(例えば、特許文献3参照)
特許第4201862号公報 特開2002−31804号公報 特開2007−41175号公報
しかし、このような従来の配向処理方法においては、いずれも2回の配向処理工程を経て配向状態が異なる二種類の配向領域を形成するものであったため、配向処理工程のタクトを短縮することができなかった。
また、上記特許文献1に記載の配向処理方法においては、1回目の紫外線照射をした後、基板を180度回転して1回目に紫外線が照射されなかった領域に2回目の紫外線照射をするようにしたものであるため、1回目紫外線照射用のフォトマスク及び2回目紫外線照射用のフォトマスクの異なる2枚のフォトマスクを準備しなければならず、フォトマスク代が高価になるという問題があった。
さらに、上記特許文献1及び2に記載の配向処理方法においては、配向処理がバッチ処理となるため、基板の単位時間当たりの配向処理枚数を増加させることが困難であった。
そして、上記特許文献3に記載の配向処理方法においては、基板を連続して供給しながら配向処理することができるが、基板の移動方向に2台の配向処理装置を並べて備える必要があり、装置のコストが高くなるという問題があった。
そこで、本発明は、このような問題点に対処し、配向状態の異なる二種類のストライプ状の配向領域を1回の配向処理により形成して配向処置工程のタクトを短縮しようとする配向処理方法及び配向処理装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明による配向処理方法は、細長状の複数の開口を一定の配列ピッチで形成した第1のマスクパターン群と、該第1のマスクパターン群に平行に設けられ、細長状の複数の開口を前記複数の開口の配列ピッチと同ピッチで形成した第2のマスクパターン群とを有するフォトマスクに近接対向させて、配向膜が塗布された基板を前記第1及び第2のマスクパターン群に交差する方向に移動し、記フォトマスクの前記第1及び第2のマスクパターン群の中間位置で前記フォトマスクに垂直に交差する面内に反射面を有するように配置されたビームスプリッタの前記反射面で分離され、偏光方向及び入射角度のうち少なくともいずれか一方が異なる二つの偏光のうち一方の偏光を前記第1のマスクパターン群に直接照射し、他方の偏光を前記第2のマスクパターン群に直接照射し、前記配向膜に配向状態が異なるストライプ状の第1及び第2の配向領域を交互に形成するものである。
また、前記フォトマスクの前記第1のマスクパターン群は、前記基板の移動方向に長い細長状の複数の開口を前記基板の移動方向と交差する方向に一定の配列ピッチで形成したもので、前記第2のマスクパターン群は、前記第1のマスクパターン群に対して前記基板の移動方向に一定距離だけ離れて平行に設けられ、前記基板の移動方向に長い細長状の複数の開口を前記複数の開口の配列ピッチと同ピッチで且つ配列方向に半ピッチだけずらして形成したものであり、前記基板の移動方向に平行なストライプ状の前記第1及び第2の配向領域を前記基板の移動方向と交差する方向に交互に形成するものである。これにより、基板の移動方向に平行なストライプ状の第1及び第2の配向領域を基板の移動方向と交差する方向に交互に形成する。
さらに、前記フォトマスクの前記第1及び第2のマスクパターン群は、夫々前記基板の移動方向と交差する方向に長い細長状の複数の開口を前記基板の移動方向に一定の配列ピッチで形成したもので、前記開口の配列ピッチの半ピッチの整数倍の距離だけ前記基板の移動方向に互いに離れて平行に設けられており、前記基板が前記配列ピッチに等しい距離だけ移動する毎に、前記偏光を間欠的に照射して前記基板の移動方向と交差するストライプ状の前記第1及び第2の配向領域を前記基板の移動方向に交互に形成するものである。これにより、基板の移動方向と交差するストライプ状の第1及び第2の配向領域を基板の移動方向に交互に形成する。
さらにまた、前記フォトマスクの第1及び第2のマスクパターン群に照射する前記各偏光は、共にP偏光であり、夫々入射角度が異なるものである。これにより、P偏光をフォトマスクの第1及び第2のマスクパターン群に夫々異なる入射角度で照射する。
そして、前記フォトマスクの第1及び第2のマスクパターン群に照射する前記各偏光は、一方がP偏光であり、他方がS偏光である。これにより、フォトマスクの第1及び第2のマスクパターン群の一方に、P偏光を照射し、他方にS偏光を照射する。
また、本発明による配向処理装置は、配向膜を塗布した基板を上面に載置して一定方向に移動させる搬送手段と、前記搬送手段の上面に対向して配置され、細長状の複数の開口を一定の配列ピッチで形成した第1のマスクパターン群と、該第1のマスクパターン群に平行に設けられ、細長状の複数の開口を前記複数の開口の配列ピッチと同ピッチで形成した第2のマスクパターン群とを有するフォトマスクを保持するマスクステージと、記フォトマスクの前記第1及び第2のマスクパターン群の中間位置で前記フォトマスクに垂直に交差する面内に反射面を有するように配置されたビームスプリッタの前記反射面で分離され、偏光方向及び入射角度のうち少なくともいずれか一方が異なる二つの偏光のうち一方の偏光を前記第1のマスクパターン群に直接照射し、他方の偏光を前記第2のマスクパターン群に直接照射させる偏光光学系と、を備え前記配向膜に配向状態が異なるストライプ状の第1及び第2の配向領域を交互に形成可能としたものである。
このような構成により、マスクステージに細長状の複数の開口を一定の配列ピッチで形成した第1のマスクパターン群と、該第1のマスクパターン群に平行に設けられ、細長状の複数の開口を上記複数の開口の配列ピッチと同ピッチで形成した第2のマスクパターン群とを有するフォトマスクを保持し、搬送手段で配向膜を塗布した基板をフォトマスクの第1及び第2のマスクパターン群に交差する方向に移動させ、偏光光学系によりフォトマスクの上記第1及び第2のマスクパターン群の中間位置で上記フォトマスクに垂直に交差する面内に反射面を有するように配置されたビームスプリッタの前記反射面で分離され、偏光方向及び入射角度のうち少なくともいずれか一方が異なる二つの偏光のうち一方の偏光を上記第1のマスクパターン群に直接照射し、他方の偏光を上記第2のマスクパターン群に直接照射させ、基板上の配向膜に配向状態が異なるストライプ状の第1及び第2の配向領域を交互に形成する。
さらに、前記フォトマスクの前記第1のマスクパターン群は、前記基板の移動方向に長い細長状の複数の開口を前記基板の移動方向と交差する方向に一定の配列ピッチで形成したもので、前記第2のマスクパターン群は、前記第1のマスクパターン群に対して前記基板の移動方向に一定距離だけ離れて平行に設けられ、前記基板の移動方向に長い細長状の複数の開口を前記複数の開口の配列ピッチと同ピッチで且つ配列方向に半ピッチだけずらして形成したものであり、前記基板の移動方向に平行なストライプ状の前記第1及び第2の配向領域を前記基板の移動方向と交差する方向に交互に形成可能としたものである。これにより、基板の移動方向に平行なストライプ状の第1及び第2の配向領域を基板の移動方向と交差する方向に交互に形成する。
さらにまた、前記フォトマスクの前記第1及び第2のマスクパターン群は、夫々前記基板の移動方向と交差する方向に長い細長状の複数の開口を前記基板の移動方向に一定の配列ピッチで形成したもので、前記開口の配列ピッチの半ピッチの整数倍の距離だけ前記基板の移動方向に互いに離れて平行に設けられており、前記基板が前記配列ピッチに等しい距離だけ移動する毎に、前記偏光を間欠的に照射して前記基板の移動方向と交差するストライプ状の前記第1及び第2の配向領域を前記基板の移動方向に交互に形成可能としたものである。これにより、基板の移動方向と交差するストライプ状の第1及び第2の配向領域を基板の移動方向に交互に形成する。
また、前記偏光光学系は、P偏光をビームスプリッタで二つに分離し、一方のP偏光を前記フォトマスクの第1のマスクパターン群に予め定められた角度で入射させ、他方のP偏光を前記フォトマスクの第2のマスクパターン群に前記角度と異なる角度で入射させるものである。これにより、ビームスプリッタで二つに分離されたP偏光の一方をフォトマスクの第1のマスクパターン群に予め定められた角度で入射させ、他方をフォトマスクの第2のマスクパターン群に上記角度と異なる角度で入射させる。
そして、前記偏光光学系は、偏光方向の異なる二つの偏光のうち、一方の偏光を前記フォトマスクの第1のマスクパターン群に入射させ、他方の偏光を前記フォトマスクの第2のマスクパターン群に入射させるものである。これにより、偏光方向の異なる二つの偏光の一方をフォトマスクの第1のマスクパターン群に入射させ、他方をフォトマスクの第2のマスクパターン群に入射させる。
請求項1又は請求項6に係る発明によれば、配向状態の異なる二種類のストライプ状の配向領域を1回の配向処理により形成することができ、配向処置工程のタクトを短縮することができる。また、同一のフォトマスクに第1の配向領域を形成する第1のマスクパターン群と第2の配向領域を形成する第2のマスクパターン群を形成しているので、配向状態が異なる第1及び第2の配向領域の位置精度が向上する。さらに、1台の配向処理装置で配向状態の異なる二種類の配向領域を同時に形成することができるため、装置のコストを低減することができる。そして、ビームスプリッタで分離された二つの偏光を夫々フォトマスクの第1及び第2のマスクパターン群に直接照射させることができる。したがって、偏光光学系を構成する部品の数を減らして装置のコストを低減することができる。
また、請求項2又は請求項7に係る発明によれば、基板の移動方向と交差する方向に交互に並べて基板の移動方向に平行なストライプ状の第1及び第2の配向領域を容易に形成することができる。
さらに、請求項3又は請求項8に係る発明によれば、基板の移動方向に交互に並べて基板の移動方向と交差するストライプ状の第1及び第2の配向領域を容易に形成することができる。
また、請求項4又は請求項9に係る発明によれば、液晶表示装置のTFT基板及びカラーフィルタ基板の配向処理を容易に行なうことができる。
さらに、請求項5又は請求項10に係る発明によれば、3Dテレビ用の偏光フィルタの製造を容易に行なうことができる。
本発明による配向処理装置の第1の実施形態の概略構成を示す正面図である。 使用するフォトマスクの一構成例を示す平面図である。 本発明の配向処理方法を示す説明図である。 図2に示すフォトマスクを使用して配向処理された基板の配向状態を示す平面図である。 上記配向処理された基板の各配向領域における液晶分子の配向を示す説明図であり、(a)は図4のA−A線断面図で、(b)は図4のB−B線断面図である。 フォトマスクの構成の変形例を示す平面図である。 図6に示すフォトマスクを使用して配向処理された基板の配向状態を示す平面図である。 本発明の配向処理装置の第2の実施形態を示す要部拡大正面図である。 上記第2実施形態により配向処理された基板の配向状態を示す平面図であり、(a)は図2のフォトマスクを使用した配向処理を示し、(b)は図6のフォトマスクを使用した配向処理を示す。 偏光光学系の他の構成例を示す正面図である。
以下、本発明の実施形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。図1は本発明による配向処理装置の第1の実施形態の概略構成を示す正面図である。この配向処理装置は、基板を移動しながら配向状態の異なる二種類のストライプ状の配向領域を交互に形成するもので、搬送手段1と、マスクステージ2と、偏光光学系3とを備えている。
上記搬送手段1は、上面1aに配向膜を塗布した基板4を載置して図1においてX方向に一定速度で移動させるものであり、図示省略の速度センサー及び位置センサーを備えている。
上記搬送手段1の上面1aに対向してマスクステージ2が配置されている。このマスクステージ2は、図2に示すような基板4の移動方向に長い細長状の複数の開口5Aを一定の配列ピッチで形成した第1のマスクパターン群6Aと、該第1のマスクパターン群6Aに平行に設けられ、基板4の移動方向に長い細長状の複数の開口5Bを複数の開口5Aの配列ピッチと同ピッチで形成した第2のマスクパターン群6Bとを有するフォトマスク7を位置決めして保持するものであり、搬送手段1の上面1aに平行な面内を基板4の移動方向と直交する方向に微動できるようになっている。
上記フォトマスク7の具体的構成例は、第1のマスクパターン群6Aが複数の開口5Aを基板4の移動方向(以下「X方向」という)と交差する方向(以下「Y方向」という)に配列ピッチPで形成したものであり、第2のマスクパターン群6Bが第1のマスクパターン群6Aに対してX方向に中心線間距離で距離Lだけ離れて平行に設けられ、複数の開口5Bを上記複数の開口5Aの配列ピッチPと同ピッチで且つ配列方向(Y方向)に半ピッチだけずらして形成したものである。この場合、上記距離Lは、第1のマスクパターン群6Bに照射する偏光の一部と第2のマスクパターン群6Bに照射する偏光の一部とが夫々反対のマスクパターン群側に相互に漏れて混入しない距離に設定される。また、各開口5A,5Bの配列方向の幅Wは、W≦P/2に設定される。W=P/2に設定したときには、第1及び第2の配向領域11,12間に未配向の領域が生じない(図4参照)。なお、以下の説明においては、W=P/2の場合について述べる。
上記マスクステージ2の上方には、偏光光学系3が設けられている。この偏光光学系3は、上記フォトマスク7の第1及び第2のマスクパターン群6A,6Bに夫々、偏光方向及び入射角度のうち少なくともいずれか一方が異なる偏光を照射させるものであり、本第1の実施形態においては、偏光方向がX方向に平行なP偏光をフォトマスク7のマスク面(又は基板4面)に対して角度θ(例えば45°)で入射させるようになっている。
上記偏光光学系3の具体的構成例は、光の進行方向上流側から下流に向かって紫外線を放射する例えば超高圧水銀ランプの光源8と、該光源8から放射されたランダム光のうち入射面に平行なP偏光を選択的に透過させる偏光板9と、反射面10aを光軸に対して傾けて配置し、P偏光の半分を透過させ、残りの半分を反射させる50%ビームスプリッタ(以下「ハーフミラー10」という)と、を備えたものである。この場合、図3に示すように、上記ハーフミラー10の反射面10aをフォトマスク7の第1及び第2のマスクパターン群6A,6Bの中間位置でフォトマスク7に略垂直に交差する面内に配置すると、二方向に分離されたP偏光を夫々異なる角度θでフォトマスク7の第1及び第2のマスクパターン群6A,6Bに直接入射させることができ、偏光光学系3を構成する部品点数を減らすことができる。
もちろん、ハーフミラー10の反射面10aで二方向に分離された各P偏光をさらに反射ミラーで反射させてフォトマスク7の第1及び第2のマスクパターン群6A,6Bに夫々異なる角度θで入射させてもよい。
次に、このように構成された配向処理装置の動作及び本発明による配向処理方法について説明する。
先ず、スピンコートやスプレーコート等によりガラス基板上に配向膜を一定の厚みに形成した例えばカラーフィルタ基板(基板4)を搬送手段1の上面1aに位置決めして載置し、X方向に一定速度で移動させる。
続いて、X方向に一定間隔で形成された基準パターンの基準位置(例えばカラーフィルタ基板の各ピクセルのX方向に平行な縁部)をフォトマスク7に設けた図示省略の覗き窓を通して図示省略の撮像手段により検出し、撮像手段に予め設定した基準位置に対する基準パターンの基準位置のY方向への位置ずれを検出し、該位置ずれを補正するようにマスクステージ2をY方向に微動させながら、図3に示すように、偏光光学系3によりフォトマスク7の第1及び第2のマスクパターン群6A,6Bに対して夫々異なる入射角θ(例えば互いに逆の45°)で紫外線のP偏光を入射させ、第1及び第2のマスクパターン群6A,6Bの各開口5A,5Bを通して基板4上の配向膜を露光する。
これにより、配向膜には、図4に示すように、第1のマスクパターン群6Aにより形成されるX方向に長いストライプ状の複数の第1の配向領域11と、第2のマスクパターン群6Bにより形成され、第1の配向領域11の配向状態と異なる配向状態のX方向に長いストライプ状の複数の第2の配向領域12とがY方向に交互に形成される。
この場合、第1の配向領域11は、図5(a)に示すように、隣接する液晶の分子13を垂直状態から同図において左側に角度φ(プリチルト角(90−φ))だけ傾けて配向させる第1の配向状態となっている。
また、第2の配向領域12は、図5(b)に示すように、隣接する液晶の分子13を垂直状態から同図において右側に角度φ(プリチルト角(90−φ))だけ傾けて配向させる第2の配向状態となっている。
なお、上記撮像手段をY方向に複数の受光素子を一直線状に連ねて配置したラインCCDとすれば、位置検出をリアルタイムで行なうことができ、基板4とフォトマスク7との位置合わせを高速で行なうことができる。
図6は、フォトマスク7の変形例であり、第1及び第2のマスクパターン群6A,6Bを、基板4の移動方向に互いに一定距離だけ離れて設け、夫々Y方向に長い細長状の複数の開口5A,5BをX方向に配列ピッチQで形成したものである。この場合、第1のマスクパターン群6AのX方向先頭側の開口5Aの長手中心軸と第2のマスクパターン群6BのX方向先頭側の開口5Bの長手中心軸との間の距離をnQ/2(nは整数)とし、基板4が上記配列ピッチQと等しい距離だけ移動する毎にフラッシュランプを使用してP偏光を間欠的に照射すれば、図7に示すように、第1のマスクパターン群6Aにより形成された複数の第1の配向領域11の隣接する領域間の部分に第2のマスクパターン群6Bにより第2の配向領域12を形成することができる。この場合、各配向領域は、複数回の多重露光により形成されるため、基板4に照射する光エネルギーを低減することができ、光源8のパワーを下げることができる。ここで、各開口5A,5Bの配列方向の幅Wは、W≦Q/2に設定される。なお、図6においては、W=Q/2に設定した場合で示している。この場合、図7に示すように、第1及び第2の配向領域11,12間に未配向の領域が生じない。
図8は、本発明による配向処理装置の第2の実施形態を示す要部拡大図である。
この第2の実施形態は、偏光光学系3が、偏光ビームスプリッタ14により分離された偏光方向の異なる二つの偏光(P偏光及びS偏光)のうち、一方の偏光(P偏光)をフォトマスク7の第1のマスクパターン群6Aに入射させ、他方の偏光(S偏光)をフォトマスク7の第2のマスクパターン群6Bに入射させる点において上記第1の実施形態と相違する。この場合、P偏光及びS偏光の入射角度は、同じであっても異なっていてもよい。図8においては、各偏光をフォトマスク7に垂直に入射させた場合を示している。なお、同図において、符号15は全反射ミラーである。
この第2の実施形態において使用するフォトマスク7は、図2に示すものであっても、図6に示すものであってもよい。これにより、図9に示すように、配向方向が互いに直交するストライプ状の複数の第1の配向領域11と複数の第2の配向領域12とが交互に形成されることになる。なお、図9(a)は、図2に示すフォトマスク7を適用した場合の配向膜の配向状態を示し、同図(b)は、図6に示すフォトマスク7を適用した場合の配向状態を示す。
なお、以上の説明においては、偏光光学系3が一つの光源8から放射される光を二つのP偏光又はP偏光及びS偏光に分離するものである場合について述べたが、本発明はこれに限定されず、図10に示すように第1及び第2のマスクパターン群6A,6Bに対応させて夫々独立した光源8を設けてもよい。この場合、各光源8の前方には、光源8から放射される光から予め定められた直線偏光を選択的に透過させる偏光板9が夫々設けられる。ここで、図10に示す偏光光学系を上記第1の実施形態に適用するときには、上記各偏光板9は、共にP偏光を選択的に透過させる偏光板であり、上記第2の実施形態に適用するときには、一方の偏光板9はP偏光を選択的に透過させる偏光板であり、他方の偏光板9はS偏光を選択的に透過させる偏光板である。また、第2の実施形態に適用するときには、各偏光はフォトマスク7に対して垂直に入射させてもよい。
1…搬送手段
2…マスクステージ
3…偏光光学系
4…基板
5A,5B…開口
6A…第1のマスクパターン群
6B…第2のマスクパターン群
7…フォトマスク
10…ハーフミラー(ビームスプリッタ)
11…第1の配向領域
12…第2の配向領域

Claims (10)

  1. 細長状の複数の開口を一定の配列ピッチで形成した第1のマスクパターン群と、該第1のマスクパターン群に平行に設けられ、細長状の複数の開口を前記複数の開口の配列ピッチと同ピッチで形成した第2のマスクパターン群とを有するフォトマスクに近接対向させて、配向膜が塗布された基板を前記第1及び第2のマスクパターン群に交差する方向に移動し、
    記フォトマスクの前記第1及び第2のマスクパターン群の中間位置で前記フォトマスクに垂直に交差する面内に反射面を有するように配置されたビームスプリッタの前記反射面で分離され、偏光方向及び入射角度のうち少なくともいずれか一方が異なる二つの偏光のうち一方の偏光を前記第1のマスクパターン群に直接照射し、他方の偏光を前記第2のマスクパターン群に直接照射し、
    前記配向膜に配向状態が異なるストライプ状の第1及び第2の配向領域を交互に形成する、
    ことを特徴とする配向処理方法。
  2. 前記フォトマスクの前記第1のマスクパターン群は、前記基板の移動方向に長い細長状の複数の開口を前記基板の移動方向と交差する方向に一定の配列ピッチで形成したもので、
    前記第2のマスクパターン群は、前記第1のマスクパターン群に対して前記基板の移動方向に一定距離だけ離れて平行に設けられ、前記基板の移動方向に長い細長状の複数の開口を前記複数の開口の配列ピッチと同ピッチで且つ配列方向に半ピッチだけずらして形成したものであり、
    前記基板の移動方向に平行なストライプ状の前記第1及び第2の配向領域を前記基板の移動方向と交差する方向に交互に形成することを特徴とする請求項1記載の配向処理方法。
  3. 前記フォトマスクの前記第1及び第2のマスクパターン群は、夫々前記基板の移動方向と交差する方向に長い細長状の複数の開口を前記基板の移動方向に一定の配列ピッチで形成したもので、前記開口の配列ピッチの半ピッチの整数倍の距離だけ前記基板の移動方向に互いに離れて平行に設けられており、
    前記基板が前記配列ピッチと等しい距離だけ移動する毎に、前記偏光を間欠的に照射して前記基板の移動方向と交差するストライプ状の前記第1及び第2の配向領域を前記基板の移動方向に交互に形成することを特徴とする請求項1記載の配向処理方法。
  4. 前記フォトマスクの第1及び第2のマスクパターン群に照射する前記各偏光は、共にP偏光であり、夫々入射角度が異なることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の配向処理方法。
  5. 前記フォトマスクの第1及び第2のマスクパターン群に照射する前記各偏光は、一方がP偏光であり、他方がS偏光であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の配向処理方法。
  6. 配向膜を塗布した基板を上面に載置して一定方向に移動させる搬送手段と、
    前記搬送手段の上面に対向して配置され、細長状の複数の開口を一定の配列ピッチで形成した第1のマスクパターン群と、該第1のマスクパターン群に平行に設けられ、細長状の複数の開口を前記複数の開口の配列ピッチと同ピッチで形成した第2のマスクパターン群とを有するフォトマスクを保持するマスクステージと、
    記フォトマスクの前記第1及び第2のマスクパターン群の中間位置で前記フォトマスクに垂直に交差する面内に反射面を有するように配置されたビームスプリッタの前記反射面で分離され、偏光方向及び入射角度のうち少なくともいずれか一方が異なる二つの偏光のうち一方の偏光を前記第1のマスクパターン群に直接照射し、他方の偏光を前記第2のマスクパターン群に直接照射させる偏光光学系と、を備え、
    前記配向膜に配向状態が異なるストライプ状の第1及び第2の配向領域を交互に形成可能としたことを特徴とする配向処理装置。
  7. 前記フォトマスクの前記第1のマスクパターン群は、前記基板の移動方向に長い細長状の複数の開口を前記基板の移動方向と交差する方向に一定の配列ピッチで形成したもので、
    前記第2のマスクパターン群は、前記第1のマスクパターン群に対して前記基板の移動方向に一定距離だけ離れて平行に設けられ、前記基板の移動方向に長い細長状の複数の開口を前記複数の開口の配列ピッチと同ピッチで且つ配列方向に半ピッチだけずらして形成したものであり、
    前記基板の移動方向に平行なストライプ状の前記第1及び第2の配向領域を前記基板の移動方向と交差する方向に交互に形成可能としたことを特徴とする請求項6記載の配向処理装置。
  8. 前記フォトマスクの前記第1及び第2のマスクパターン群は、夫々前記基板の移動方向と交差する方向に長い細長状の複数の開口を前記基板の移動方向に一定の配列ピッチで形成したもので、前記開口の配列ピッチの半ピッチの整数倍の距離だけ前記基板の移動方向に互いに離れて平行に設けられており、
    前記基板が前記配列ピッチに等しい距離だけ移動する毎に、前記偏光を間欠的に照射して前記基板の移動方向と交差するストライプ状の前記第1及び第2の配向領域を前記基板の移動方向に交互に形成可能としたことを特徴とする請求項6記載の配向処理装置
  9. 前記偏光光学系は、P偏光を前記ビームスプリッタで二つに分離し、一方のP偏光を前記フォトマスクの第1のマスクパターン群に予め定められた角度で入射させ、他方のP偏光を前記フォトマスクの第2のマスクパターン群に前記角度と異なる角度で入射させることを特徴とする請求項6〜8のいずれか1項に記載の配向処理装置。
  10. 前記偏光光学系は、偏光方向の異なる二つの偏光のうち、一方の偏光を前記フォトマスクの第1のマスクパターン群に入射させ、他方の偏光を前記フォトマスクの第2のマスクパターン群に入射させることを特徴とする請求項6〜8のいずれか1項に記載の配向処理装置。
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