JP5703000B2 - ラジカルクリーニング方法 - Google Patents
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Description
前記エッチング工程を行う真空槽は、前記第1残留生成物除去工程及び前記第2残留生成物除去工程を行う真空槽と同一の真空槽であってもよい。
この場合、前記第1残留生成物除去工程の後、前記Si基板を真空槽から取り出して、前記第2残留生成物除去工程を行うようにしてもよい。
また、前記エッチング工程を行う真空槽は、前記第1残留生成物除去工程及び前記第2残留生成物除去工程を行う真空槽とは異なる真空槽であってもよい。
そして、前記残留生成物が、(NH4)2SiF6を含むものであってもよい。
この式は、より正確に記載すれば、下記の3つの反応があると推測される。
SiO2+NFH+5HF+NH3+H2+H→(NH4)2SiF6+2H2O
SiO2+2NH4+2HF2+2HF→(NH4)2SiF6+2H2O
図1及び図2に示すラジカルクリーニング装置1を用い、表面にSiO2膜が形成されたSi基板をラジカルクリーニングした。なお、ラジカルクリーニング装置1の真空槽11の真空ポンプが接続された排気口付近(A)、排気口の上部(B)及び排気口の下部(C)に、それぞれSi基板を細切したチップ状部材A〜Cを設けて、ラジカルクリーニングを行った。
11 真空槽 12 ウェハーボード
13 配管 14 真空ポンプ
15 シャワープレート 20 Hラジカル導入手段
21 プラズマ発生器 22 ラジカル生成用ガス供給口
23 マイクロ波導入口 25 NF3ガス導入手段
30 マイクロ波照射手段 31、33 ゲートバルブ
32 仕込み取り出し室 34、35 搬送機構
51 エッチング用真空槽 52 真空搬送室
61 残留生成物除去用真空槽 61a 側壁
61b 底部 61c 蓋部
62 基板支持ステージ 63 加熱手段
64 基板搬送口 65 絶縁部材
66 マイクロ波拡張誘電体 67 マイクロ波発生手段
68 金属板
Claims (6)
- プラズマによりHラジカル生成用ガスを分解してHラジカルを生成させ、このHラジカルとNF3ガスを反応させてN、F及びHからなるラジカルを生成するNFHラジカル生成工程と、
真空槽内で、Si基板上に形成されたSiO2膜に前記N、F及びHからなるラジカルを照射することにより前記SiO2膜を除去するエッチング工程と、
真空槽内で、前記エッチング工程で前記Si基板上に生成した残留生成物を加熱して蒸発させることにより、前記残留生成物を前記Si基板上から除去する第1残留生成物除去工程と、
その後、前記真空槽の外壁を水冷し、前記真空槽の内壁温度を昇華温度より低く維持し、前記真空槽内に付着していた残留生成物に対してマイクロ波を照射することにより、前記真空槽の外壁を加熱せずに、付着していた残留生成物を直接加熱して励起し、真空槽内に付着していた前記残留生成物を昇華させて除去する第2残留生成物除去工程とを有することを特徴とするラジカルクリーニング方法。 - 前記エッチング工程を行う真空槽は、前記第1残留生成物除去工程及び前記第2残留生成物除去工程を行う真空槽と同一の真空槽であることを特徴とする請求項1に記載するラジカルクリーニング方法。
- 前記第1残留生成物除去工程の後、前記Si基板を真空槽から取り出して、前記第2残留生成物除去工程を行うことを特徴とする請求項2に記載するラジカルクリーニング方法。
- 前記エッチング工程を行う真空槽は、前記第1残留生成物除去工程及び前記第2残留生成物除去工程を行う真空槽とは異なる真空槽であることを特徴とする請求項1に記載するラジカルクリーニング方法。
- 前記残留生成物が、(NH4)2SiF6を含むことを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載するラジカルクリーニング方法。
- 前記第2残留生成物除去工程での前記真空槽の内壁温度は30〜80℃であることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載するラジカルクリーニング方法。
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