JP5697884B2 - 接触抵抗、充填密度、流動性および分散性の優れたSi粉末の製造方法 - Google Patents
接触抵抗、充填密度、流動性および分散性の優れたSi粉末の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5697884B2 JP5697884B2 JP2010076700A JP2010076700A JP5697884B2 JP 5697884 B2 JP5697884 B2 JP 5697884B2 JP 2010076700 A JP2010076700 A JP 2010076700A JP 2010076700 A JP2010076700 A JP 2010076700A JP 5697884 B2 JP5697884 B2 JP 5697884B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- powder
- dispersibility
- contact resistance
- fluidity
- packing density
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000011863 silicon-based powder Substances 0.000 title claims description 41
- 238000012856 packing Methods 0.000 title claims description 26
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 28
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 19
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 claims description 18
- 238000009689 gas atomisation Methods 0.000 claims description 18
- 238000000889 atomisation Methods 0.000 claims description 10
- 238000009690 centrifugal atomisation Methods 0.000 claims description 5
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 58
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 11
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 10
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 10
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 3
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 3
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 3
- 238000004438 BET method Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N Lithium ion Chemical compound [Li+] HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 2
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 2
- 229910001416 lithium ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010299 mechanically pulverizing process Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 239000007773 negative electrode material Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 238000009692 water atomization Methods 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010301 surface-oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003021 water soluble solvent Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Silicon Compounds (AREA)
Description
(1)ガスアトマイズ、遠心アトマイズ、ディスクアトマイズ、ハイブリッドアトマイズ法により作製されたSi粉末を分級し、比表面積に対する酸素分析値の比(以下、「酸素分析値/比表面積」という。)が0.2〜10からなるSi粉末であることを特徴とする接触抵抗、充填密度、流動性および分散性の優れたSi粉末の製造方法。
(2)前記(2)に記載の方法で製造された形状が球状または概ね球状であることを特徴とする接触抵抗、充填密度、流動性および分散性の優れたSi粉末の製造方法。
発明者らはまず、充填密度および流動性に優れる粉末として、市販されている不定形状の粉砕粉末ではなく、概ね球形状の粉末が作製されるアトマイズ法に着目した。アトマイズ法のうち、概ね粒径状の粉末が得られる方法には、ガスアトマイズ法や遠心アトマイズ、ディスクアトマイズ法、ハイブリッドアトマイズ法、高圧水アトマイズ法などが知られている。
「酸素分析値/比表面積」は粉末表面の酸化物層厚さの指標である。この酸素分析値/比表面積を0.2〜10とした理由は、0.2未満では表面の酸化物層が薄いために接触抵抗が低くなり、かつ溶媒中での分散性も悪くなる。したがって、0.2以上とした。しかし、10を超えるためには、高温での酸化処理が必要で、酸化と同時に焼結が進むため、酸化処理後に粉末を砕くことにより、ガスアトマイズの特徴である球状が損なわれ、充填密度や流動性が劣化することから、その範囲を、0.2〜10とした。好ましくは0.3〜5とする。なお、酸素分析値の単位はmass%、比表面積はBET法による評価で単位はm2 /gである。
表1に示す「酸素分析値/比表面積」の異なる数種類のSi粉末を作製するために、ガスアトマイズ法により作製した純Si粉末を、150μm以下に分級し、大気中で500〜1100℃で1時間の酸化処理を行なった。また、市販の粉砕粉末も同様に、150μm以下に分級し、大気中で500〜1100℃で1時間の酸化処理を行なった。これらの酸化処理前後の粉末について、以下の評価を行なった。
さらに、流動性の評価としては、各供試粉末についてJIS−Z2502の方法に従い試験した。この試験で、流動したものを○、流動しなかったものを×として評価した。
Claims (3)
- ガスアトマイズ、遠心アトマイズ、ディスクアトマイズ、ハイブリッドアトマイズ法により作製されたSi粉末を分級し、比表面積に対する酸素分析値の比が0.2〜10からなるSi粉末であることを特徴とする接触抵抗、充填密度、流動性および分散性の優れたSi粉末の製造方法。
- 請求項1に記載の方法で製造された形状が球状または概ね球状であることを特徴とする接触抵抗、充填密度、流動性および分散性の優れたSi粉末の製造方法。
- ガスアトマイズ、遠心アトマイズ、ディスクアトマイズ、ハイブリッドアトマイズ法により作製されたSi粉末を分級し、500〜1000℃で酸化処理し、比表面積に対する酸素分析値の比が0.2〜10としたことを特徴とする接触抵抗、充填密度、流動性および分散性の優れたSi粉末の製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010076700A JP5697884B2 (ja) | 2010-03-30 | 2010-03-30 | 接触抵抗、充填密度、流動性および分散性の優れたSi粉末の製造方法 |
PCT/JP2011/053265 WO2011102376A1 (ja) | 2010-02-17 | 2011-02-16 | Si粉末およびその製造方法 |
TW100105253A TW201200472A (en) | 2010-02-17 | 2011-02-17 | Si powder and method for producing same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010076700A JP5697884B2 (ja) | 2010-03-30 | 2010-03-30 | 接触抵抗、充填密度、流動性および分散性の優れたSi粉末の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011207659A JP2011207659A (ja) | 2011-10-20 |
JP5697884B2 true JP5697884B2 (ja) | 2015-04-08 |
Family
ID=44939150
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010076700A Active JP5697884B2 (ja) | 2010-02-17 | 2010-03-30 | 接触抵抗、充填密度、流動性および分散性の優れたSi粉末の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5697884B2 (ja) |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06127916A (ja) * | 1992-10-16 | 1994-05-10 | Tonen Chem Corp | 真球状高純度多結晶シリコンの製造方法 |
JPH10182125A (ja) * | 1996-12-20 | 1998-07-07 | Kawasaki Steel Corp | 粉状高純度シリコンの製造方法 |
JPH10182130A (ja) * | 1996-12-26 | 1998-07-07 | Kawasaki Steel Corp | シリコンの精製方法 |
JP2004203652A (ja) * | 2002-12-25 | 2004-07-22 | Clean Venture 21:Kk | 半導体粒子または金属粒子の製造装置 |
JP5338676B2 (ja) * | 2007-11-12 | 2013-11-13 | 三洋電機株式会社 | 非水電解質二次電池負極材、非水電解質二次電池用負極及び非水電解質二次電池 |
-
2010
- 2010-03-30 JP JP2010076700A patent/JP5697884B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011207659A (ja) | 2011-10-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6653420B2 (ja) | 複合磁性材料とこれを用いたコイル部品ならびに複合磁性材料の製造方法 | |
JP6333099B2 (ja) | Ag/SnO2電気接点用粉末の製造方法及びAg/SnO2電気接点材料の製造方法 | |
JP5094276B2 (ja) | 圧粉コア及びその製造方法 | |
TW201125993A (en) | Sputtering target comprising oxide phase dispersed in co or co alloy phase, magnetic material thin film comprising co or co alloy phase and oxide phase, and magnetic recording medium produced using the magnetic material thin film | |
JP6712655B2 (ja) | 軟磁性粉末、軟磁性材料、並びに圧粉磁心の製造方法 | |
US10975326B2 (en) | Lubricant for powder metallurgy and metal powder compositions containing said lubricant | |
JP5986010B2 (ja) | 圧粉磁心およびそれに用いる磁心用粉末 | |
WO2016152364A1 (ja) | 磁心用粉末および圧粉磁心、並びに磁心用粉末の製造方法 | |
JP6333098B2 (ja) | Ag/SnO2電気接点用粉末の製造方法及びAg/SnO2電気接点材料の製造方法 | |
TW201939530A (zh) | 軟磁性金屬粉末、壓粉磁芯及磁性部件 | |
JP5372481B2 (ja) | 圧粉磁心及びその製造方法 | |
JPWO2016199576A1 (ja) | 造粒粉、及び造粒粉の製造方法 | |
CN113363043B (zh) | 绝缘物包覆软磁性粉末、压粉磁芯、磁性元件及电子设备 | |
JP2016072577A (ja) | 軟磁性扁平粉末及びその製造方法 | |
JP2016174065A (ja) | 扁平状軟磁性粉末およびその製造方法 | |
WO2014024519A1 (ja) | 焼結体およびスパッタリングターゲット | |
WO2017159366A1 (ja) | 圧粉磁心用混合粉末及びその製造方法 | |
JP5697884B2 (ja) | 接触抵抗、充填密度、流動性および分散性の優れたSi粉末の製造方法 | |
JP5768029B2 (ja) | マグネトロンスパッタリング用ターゲットおよびその製造方法 | |
TWI652701B (zh) | 磁性粉體、磁性粉體組成物、磁性粉體組成物成形體及其製造方法 | |
JP4962905B2 (ja) | パーティクル発生の少ない磁気記録膜形成用Co基焼結合金スパッタリングターゲットの製造方法 | |
CN108028131B (zh) | 压粉磁芯的制造方法 | |
WO2011102376A1 (ja) | Si粉末およびその製造方法 | |
JP5748639B2 (ja) | マグネトロンスパッタリング用ターゲットおよびその製造方法 | |
JP2010251221A (ja) | 優れたハイレート特性を有する電解二酸化マンガン組成物 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20121220 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140527 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140717 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150210 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150212 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5697884 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |