JP5696786B2 - Prepreg, laminated board, semiconductor package, and laminated board manufacturing method - Google Patents

Prepreg, laminated board, semiconductor package, and laminated board manufacturing method Download PDF

Info

Publication number
JP5696786B2
JP5696786B2 JP2013522710A JP2013522710A JP5696786B2 JP 5696786 B2 JP5696786 B2 JP 5696786B2 JP 2013522710 A JP2013522710 A JP 2013522710A JP 2013522710 A JP2013522710 A JP 2013522710A JP 5696786 B2 JP5696786 B2 JP 5696786B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
prepreg
resin
base material
laminated board
fiber base
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2013522710A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPWO2013001726A1 (en
Inventor
光男 武谷
光男 武谷
孝幸 馬塲
孝幸 馬塲
飛澤 晃彦
晃彦 飛澤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Bakelite Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Bakelite Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Bakelite Co Ltd filed Critical Sumitomo Bakelite Co Ltd
Priority to JP2013522710A priority Critical patent/JP5696786B2/en
Publication of JPWO2013001726A1 publication Critical patent/JPWO2013001726A1/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5696786B2 publication Critical patent/JP5696786B2/en
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08JWORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J5/00Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
    • C08J5/24Impregnating materials with prepolymers which can be polymerised in situ, e.g. manufacture of prepregs
    • C08J5/241Impregnating materials with prepolymers which can be polymerised in situ, e.g. manufacture of prepregs using inorganic fibres
    • C08J5/244Impregnating materials with prepolymers which can be polymerised in situ, e.g. manufacture of prepregs using inorganic fibres using glass fibres
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/03Use of materials for the substrate
    • H05K1/0313Organic insulating material
    • H05K1/0353Organic insulating material consisting of two or more materials, e.g. two or more polymers, polymer + filler, + reinforcement
    • H05K1/0366Organic insulating material consisting of two or more materials, e.g. two or more polymers, polymer + filler, + reinforcement reinforced, e.g. by fibres, fabrics
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B17/00Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres
    • B32B17/02Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres in the form of fibres or filaments
    • B32B17/04Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres in the form of fibres or filaments bonded with or embedded in a plastic substance
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/04Layered products comprising a layer of synthetic resin as impregnant, bonding, or embedding substance
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/38Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising epoxy resins
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08JWORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J5/00Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
    • C08J5/24Impregnating materials with prepolymers which can be polymerised in situ, e.g. manufacture of prepregs
    • C08J5/249Impregnating materials with prepolymers which can be polymerised in situ, e.g. manufacture of prepregs characterised by the additives used in the prepolymer mixture
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00Use of organic ingredients
    • C08K5/0008Organic ingredients according to more than one of the "one dot" groups of C08K5/01 - C08K5/59
    • C08K5/0025Crosslinking or vulcanising agents; including accelerators
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00Use of organic ingredients
    • C08K5/16Nitrogen-containing compounds
    • C08K5/34Heterocyclic compounds having nitrogen in the ring
    • C08K5/3442Heterocyclic compounds having nitrogen in the ring having two nitrogen atoms in the ring
    • C08K5/3445Five-membered rings
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K7/00Use of ingredients characterised by shape
    • C08K7/02Fibres or whiskers
    • C08K7/04Fibres or whiskers inorganic
    • C08K7/14Glass
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L63/00Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H01L23/14Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
    • H01L23/145Organic substrates, e.g. plastic
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2262/00Composition or structural features of fibres which form a fibrous or filamentary layer or are present as additives
    • B32B2262/10Inorganic fibres
    • B32B2262/101Glass fibres
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2305/00Condition, form or state of the layers or laminate
    • B32B2305/07Parts immersed or impregnated in a matrix
    • B32B2305/076Prepregs
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2457/00Electrical equipment
    • B32B2457/08PCBs, i.e. printed circuit boards
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08JWORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J2363/00Characterised by the use of epoxy resins; Derivatives of epoxy resins
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K2201/00Specific properties of additives
    • C08K2201/002Physical properties
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49822Multilayer substrates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49827Via connections through the substrates, e.g. pins going through the substrate, coaxial cables
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10227Other objects, e.g. metallic pieces
    • H05K2201/10378Interposers

Description

本発明は、プリプレグ、積層板、半導体パッケージおよび積層板の製造方法に関する。   The present invention relates to a prepreg, a laminate, a semiconductor package, and a method for manufacturing the laminate.

近年の電子機器の高機能化および軽薄短小化の要求にともなって、これらの電子機器に使用される半導体装置の小型化が急速に進行している。   Along with the recent demand for higher functionality and lighter and thinner electronic devices, miniaturization of semiconductor devices used in these electronic devices is progressing rapidly.

一方、半導体装置を小型化するには、使用する回路基板を高密度にする必要があるため、回路間の接続のために空けていたスルーホールの数は従来に比べて増加し、ホール密度が高くなってきている。ホール密度が高くなると、スルーホールの壁間距離が近付くため、繊維基材の単繊維に沿って金属イオンが移行して回路を短絡させるイオンマイグレーションが生じやすくなる。このイオンマイグレーションが生じると、回路基板の絶縁信頼性が低下してしまう(例えば、特許文献1、2参照)。   On the other hand, in order to reduce the size of a semiconductor device, it is necessary to increase the density of a circuit board to be used. Therefore, the number of through holes that have been vacated for connection between circuits has increased compared to the conventional case, and the hole density has increased. It's getting higher. As the hole density increases, the distance between the walls of the through hole approaches, so that ion migration that causes the metal ions to migrate along the single fiber of the fiber base and short-circuit the circuit tends to occur. When this ion migration occurs, the insulation reliability of the circuit board decreases (for example, see Patent Documents 1 and 2).

特許文献3(特開2004−149577号公報)には、ガラスクロスに対して偏平加工と開繊加工のうちの少なくとも一方の処理を施すことにより通気度を2〜4cm/cm/secとした基材に、熱硬化性樹脂組成物を含浸し、この熱硬化性樹脂組成物をBステージ状態として成るプリプレグが記載されている。In patent document 3 (Unexamined-Japanese-Patent No. 2004-149577), air permeability is set to 2-4 cm < 3 > / cm < 2 > / sec by performing at least one process of a flattening process and a fiber opening process with respect to a glass cloth. There is described a prepreg in which a base material is impregnated with a thermosetting resin composition and the thermosetting resin composition is in a B-stage state.

このようなプリプレグを用いた積層板は、熱硬化性樹脂組成物の繊維基材への含浸性が向上するため、積層板の強度が均一化する。そのため、孔あけ加工にて形成される孔の内壁を滑らかに形成することができ、ホール密度が高くなってスルーホールの壁間距離が近くなっても、イオンマイグレーションの発生を抑制することができると記載されている。
また開繊処理により、ガラス繊維糸が空間的に広がって、ガラス繊維への含浸性が向上し、ボイドが減少するため、マイグレーションの発生を抑制できると記載されている。
Since the laminate using such a prepreg improves the impregnation property of the thermosetting resin composition into the fiber substrate, the strength of the laminate is made uniform. Therefore, the inner wall of the hole formed by the drilling process can be formed smoothly, and the occurrence of ion migration can be suppressed even when the hole density is increased and the distance between the walls of the through hole is reduced. It is described.
In addition, it is described that, by the fiber opening treatment, the glass fiber yarn spreads spatially, the impregnation into the glass fiber is improved, and voids are reduced, so that the occurrence of migration can be suppressed.

特開2004−322364号公報JP 2004-322364 A 特開平6−316643号公報JP-A-6-316643 特開2004−149577号公報JP 2004-149577 A

しかしながら、ガラスクロスなどの繊維基材に対して、上記の偏平加工や開繊加工をおこなうと、繊維基材が毛羽立ってしまう場合があった。繊維基材上に毛羽が発生すると、繊維基材の強度が低下したり、毛羽の突起した部分で樹脂だまりが生じ、プリプレグの表面が荒れてしまったりする。   However, when the above flattening process or fiber opening process is performed on a fiber base material such as a glass cloth, the fiber base material may become fuzzy. When fluff is generated on the fiber base material, the strength of the fiber base material is reduced, or the resin puddle is generated at the protruding portion of the fluff, and the surface of the prepreg is roughened.

よって、上記の特許文献3のような繊維基材を加工して積層板の絶縁信頼性を向上させる技術は、絶縁信頼性を向上させる上では効果的であったが、歩留まりの点ではまだ改善の余地があった。   Therefore, the technique of processing the fiber base material as described in Patent Document 3 to improve the insulation reliability of the laminated plate is effective in improving the insulation reliability, but is still improved in terms of yield. There was room for.

そこで、本発明では、絶縁信頼性に優れる積層板が得られ、かつ、歩留まりが良好なプリプレグを提供することを課題とする。   In view of the above, an object of the present invention is to provide a prepreg having a good yield and a laminate having excellent insulation reliability.

本発明者らはイオンマイグレーションが発生するメカニズムについて鋭意研究した。その結果、プリプレグ中の窒素含有量を0.10質量%以下まで低減させると、耐イオンマイグレーション性が向上することを見出した。   The present inventors diligently studied the mechanism of ion migration. As a result, it was found that when the nitrogen content in the prepreg is reduced to 0.10% by mass or less, the ion migration resistance is improved.

すなわち、本発明によれば、
エポキシ樹脂とエポキシ樹脂硬化剤とを含む樹脂組成物を、繊維基材に含浸して得られるプリプレグであって、
当該プリプレグ中の窒素含有量が0.10質量%以下であり、
上記繊維基材の通気度が3.0cm/cm/sec以上30.0cm/cm/sec以下である、プリプレグが提供される。
That is, according to the present invention,
A prepreg obtained by impregnating a fiber base material with a resin composition containing an epoxy resin and an epoxy resin curing agent,
The nitrogen content in the prepreg is 0.10% by mass or less,
A prepreg in which the air permeability of the fiber base material is 3.0 cm 3 / cm 2 / sec or more and 30.0 cm 3 / cm 2 / sec or less is provided.

この発明によれば、窒素含有量が0.10質量%以下の上記プリプレグを用いることによって、上記の通気度をもつ繊維基材を使用しても積層板の耐イオンマイグレーション性を向上させることができる。また、上記の通気度をもつ繊維基材は毛羽立ちの発生が抑制されており、プリプレグの歩留まりを改善することができる。   According to this invention, by using the prepreg having a nitrogen content of 0.10% by mass or less, the ion migration resistance of the laminate can be improved even when a fiber base material having the above air permeability is used. it can. In addition, the fiber base material having the above air permeability has suppressed the occurrence of fuzz and can improve the yield of the prepreg.

さらに、本発明によれば、
上記プリプレグの硬化体を含む、積層板が提供される。
Furthermore, according to the present invention,
A laminate including the cured product of the prepreg is provided.

さらに、本発明によれば、
上記積層板を回路加工して得られる回路基板に半導体素子を搭載してなる、半導体パッケージが提供される。
Furthermore, according to the present invention,
There is provided a semiconductor package in which a semiconductor element is mounted on a circuit board obtained by processing a circuit of the laminated plate.

さらに、本発明によれば、
エポキシ樹脂とエポキシ樹脂硬化剤と溶媒とを含む樹脂ワニスを、繊維基材に含浸してプリプレグを得る工程と、
上記プリプレグを加熱してプリプレグの硬化体を得る工程と
をおこない、その後、
レーザーによりビアを形成する工程をおこなう積層板の製造方法であって、
上記樹脂ワニス中の理論窒素含有量が0.50質量%以下であり、
上記繊維基材の通気度が3.0cm/cm/sec以上30.0cm/cm/sec以下である、積層板の製造方法が提供される。
Furthermore, according to the present invention,
A step of impregnating a fiber base material with a resin varnish containing an epoxy resin, an epoxy resin curing agent and a solvent to obtain a prepreg;
Heating the prepreg to obtain a cured product of the prepreg, and then
A method of manufacturing a laminated board that performs a step of forming a via with a laser,
The theoretical nitrogen content in the resin varnish is 0.50% by mass or less,
Provided is a method for producing a laminated board, wherein the fiber base has an air permeability of 3.0 cm 3 / cm 2 / sec or more and 30.0 cm 3 / cm 2 / sec or less.

本発明によれば、絶縁信頼性に優れる積層板が得られ、かつ、歩留まりが良好なプリプレグを提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the laminated board excellent in insulation reliability can be obtained, and the prepreg with a favorable yield can be provided.

上述した目的、およびその他の目的、特徴および利点は、以下に述べる好適な実施の形態、およびそれに付随する以下の図面によってさらに明らかになる。
本実施形態におけるプリプレグの構成の一例を示す断面図である。 本実施形態における半導体パッケージの構成の一例を示す断面図である。 本実施形態における半導体装置の構成の一例を示す断面図である。
The above-described object and other objects, features, and advantages will become more apparent from the preferred embodiments described below and the accompanying drawings.
It is sectional drawing which shows an example of a structure of the prepreg in this embodiment. It is sectional drawing which shows an example of a structure of the semiconductor package in this embodiment. It is sectional drawing which shows an example of a structure of the semiconductor device in this embodiment.

以下に、本発明の実施形態について、図面を用いて説明する。なお、すべての図面において、同様な構成要素には共通の符号を付し、適宜説明を省略する。また、図は概略図であり、実際の寸法比率とは必ずしも一致していない。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In all the drawings, similar constituent elements are denoted by common reference numerals, and description thereof is omitted as appropriate. Moreover, the figure is a schematic diagram and does not necessarily match the actual dimensional ratio.

(プリプレグ)
はじめに、本実施形態におけるプリプレグの構成について説明する。図1は、本実施形態におけるプリプレグの構成の一例を示す断面図である。プリプレグ100は、(A)エポキシ樹脂と、(B)エポキシ樹脂硬化剤と、を含む樹脂組成物Pを、繊維基材101に含浸して得られる。
(Prepreg)
First, the configuration of the prepreg in the present embodiment will be described. FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of the configuration of a prepreg in the present embodiment. The prepreg 100 is obtained by impregnating the fiber substrate 101 with a resin composition P containing (A) an epoxy resin and (B) an epoxy resin curing agent.

プリプレグ100中の窒素含有量は0.10質量%以下であり、好ましくは0.08質量%以下であり、さらに好ましくは0.05質量%以下である。プリプレグ100中の窒素含有量が上記上限値以下であると、積層板の耐イオンマイグレーション性を向上させることができる。よって、耐イオンマイグレーション性を向上させるために繊維基材に対しておこなう偏平加工や開繊加工のような特別な加工処理を抑制することができる。そのため、繊維基材の毛羽立ちの発生が抑制され、プリプレグの歩留まりを改善することができる。
積層板の耐イオンマイグレーション性が向上する理由は必ずしも明らかではないが、以下のように推察される。プリプレグ100中の窒素含有量を低減させると、プリプレグ100の耐湿性が向上する。そのため、プリプレグ100から得られる積層板の内部、とくに繊維基材と樹脂との間の隙間に水分が付着しにくくなり、金属のイオン化や金属イオンの移動が起こりにくくなる。その結果、イオンマイグレーションの発生が抑制されると推察される。
The nitrogen content in the prepreg 100 is 0.10% by mass or less, preferably 0.08% by mass or less, and more preferably 0.05% by mass or less. When the nitrogen content in the prepreg 100 is not more than the above upper limit value, the ion migration resistance of the laminate can be improved. Therefore, special processing treatments such as flattening processing and fiber opening processing performed on the fiber base material in order to improve ion migration resistance can be suppressed. Therefore, the occurrence of fluffing of the fiber base material is suppressed, and the yield of the prepreg can be improved.
The reason why the ion migration resistance of the laminate is improved is not necessarily clear, but is presumed as follows. When the nitrogen content in the prepreg 100 is reduced, the moisture resistance of the prepreg 100 is improved. For this reason, moisture hardly adheres to the inside of the laminate obtained from the prepreg 100, in particular, the gap between the fiber base material and the resin, and metal ionization and metal ion migration hardly occur. As a result, it is assumed that the occurrence of ion migration is suppressed.

プリプレグ100中の窒素含有量の測定は、一般的に公知の方法で測定することができ、例えば有機元素分析装置を用いて、プリプレグを燃焼分解させ、発生ガスをNに変換し、熱伝導度検出器により測定することができる。The nitrogen content in the prepreg 100 can be generally measured by a known method. For example, the prepreg is combusted and decomposed by using an organic element analyzer, the generated gas is converted to N 2 , and heat conduction is performed. It can be measured by a degree detector.

また、プリプレグ100中の繊維基材101の通気度は、3.0cm/cm/sec以上であり、さらに好ましくは3.5cm/cm/sec以上であり、とくに好ましくは4.0cm/cm/sec以上である。本実施形態におけるプリプレグ100は、耐イオンマイグレーション性が優れるため、通気度が上記下限値以上の繊維基材を使用できる。言い換えると、耐イオンマイグレーション性を向上させるために繊維基材に対しておこなう偏平加工や開繊加工のような特別な加工処理を抑制することができる。したがって、繊維基材101の毛羽立ちの発生が抑制されるため、毛羽の突起した部分で生じやすい樹脂だまりが発生しにくい。そのため、プリプレグの歩留まりを改善することができる。
また、繊維基材101の通気度は、30.0cm/cm/sec以下であり、より好ましくは20.0cm/cm/sec以下であり、さらに好ましくは15.0cm/cm/sec以下、とくに好ましくは12.0cm/cm/sec以下である。繊維基材101の通気度が上記上限値以下であると、樹脂組成物の繊維基材への含浸性が向上するため、積層板の強度を均一化することができる。そのため、孔あけ加工にて形成される孔の内壁を滑らかに形成することができ、ホール密度が高くなってスルーホールの壁間距離が近くなっても、イオンマイグレーションの発生を抑制することができる。
ここで、繊維基材101の通気度は、例えば、偏平加工や開繊加工などの加工処理により、調整することができる。
なお、通気度の測定は、JIS R3420法(フラジール形法)にしたがって測定できる。
Further, the air permeability of the fiber base material 101 in the prepreg 100 is 3.0 cm 3 / cm 2 / sec or more, more preferably 3.5 cm 3 / cm 2 / sec or more, and particularly preferably 4.0 cm. 3 / cm 2 / sec or more. Since the prepreg 100 in this embodiment has excellent ion migration resistance, a fiber base material having an air permeability equal to or higher than the lower limit value can be used. In other words, it is possible to suppress special processing such as flattening or fiber opening performed on the fiber base material in order to improve the ion migration resistance. Therefore, since the occurrence of fluffing of the fiber base material 101 is suppressed, a resin pool that tends to occur at the protruding portion of the fluff hardly occurs. Therefore, the yield of prepreg can be improved.
The air permeability of the fiber base material 101 is 30.0 cm 3 / cm 2 / sec or less, more preferably 20.0 cm 3 / cm 2 / sec or less, and further preferably 15.0 cm 3 / cm 2. / Sec or less, particularly preferably 12.0 cm 3 / cm 2 / sec or less. When the air permeability of the fiber base material 101 is not more than the above upper limit value, the impregnation property of the resin composition into the fiber base material is improved, so that the strength of the laminate can be made uniform. Therefore, the inner wall of the hole formed by the drilling process can be formed smoothly, and the occurrence of ion migration can be suppressed even when the hole density is increased and the distance between the walls of the through hole is reduced. .
Here, the air permeability of the fiber base material 101 can be adjusted, for example, by processing such as flattening or fiber opening.
The air permeability can be measured according to JIS R3420 method (Fragile method).

つづいて、プリプレグ100を構成する材料について詳細に説明する。
本実施形態におけるプリプレグ100は、繊維基材101に、(A)エポキシ樹脂と、(B)エポキシ樹脂硬化剤と、を含む樹脂組成物Pを含浸させ、その後、半硬化させて得られる、繊維基材101と樹脂層103、104を備えるシート状の材料である。このような構造のシート状材料は、誘電特性、高温多湿下での機械的、電気的接続信頼性などの各種特性に優れ、回路基板用の積層板の製造に適しており、好ましい。
Next, the material constituting the prepreg 100 will be described in detail.
The prepreg 100 in this embodiment is a fiber obtained by impregnating a fiber base material 101 with a resin composition P containing (A) an epoxy resin and (B) an epoxy resin curing agent, and then semi-curing the fiber. This is a sheet-like material including a base material 101 and resin layers 103 and 104. A sheet-like material having such a structure is preferable because it is excellent in various properties such as dielectric properties, mechanical and electrical connection reliability under high temperature and high humidity, and suitable for manufacturing a laminated board for a circuit board.

(樹脂組成物)
以下、繊維基材101に含浸させる樹脂組成物Pとしては(A)エポキシ樹脂と、(B)エポキシ樹脂硬化剤とを含むものであればとくに限定されないが、低線膨張率および高弾性率を有し、熱衝撃性の信頼性に優れたものであることが好ましい。
(Resin composition)
Hereinafter, the resin composition P impregnated into the fiber base material 101 is not particularly limited as long as it contains (A) an epoxy resin and (B) an epoxy resin curing agent, but it has a low linear expansion coefficient and a high elastic modulus. It is preferable that it has excellent thermal shock reliability.

(A)エポキシ樹脂は、グリシジル基を分子内に1つ以上有する化合物であり、加熱によりグリシジル基が反応することで3次元的網目構造を形成し、硬化する化合物である。(A)エポキシ樹脂には、グリシジル基は1分子に2つ以上含まれていることが好ましいが、これはグリシジル基が1つの化合物のみでは反応させても十分な硬化物特性を示すことができないからである。
具体的な(A)エポキシ樹脂としては、例えばビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、ビスフェノールE型エポキシ樹脂、ビスフェノールM型エポキシ樹脂、ビスフェノールP型エポキシ樹脂、ビスフェノールZ型エポキシ樹脂などのビスフェノール型エポキシ樹脂またはこれらの誘導体、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂などのノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂などのアリールアルキレン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、フェノキシ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ノルボルネン型エポキシ樹脂、アダマンタン型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂などのエポキシ樹脂などが挙げられる。これらの中の1種類を単独で用いることもできるし、2種類以上を併用したりすることもできる。
(A) The epoxy resin is a compound having one or more glycidyl groups in the molecule, and is a compound that forms a three-dimensional network structure and cures when the glycidyl group reacts by heating. (A) The epoxy resin preferably contains two or more glycidyl groups in one molecule, but this does not show sufficient cured product properties even if the glycidyl group is reacted with only one compound. Because.
Specific examples of the (A) epoxy resin include bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, bisphenol E type epoxy resin, bisphenol M type epoxy resin, bisphenol P type epoxy resin, and bisphenol Z. Bisphenol type epoxy resins such as epoxy resins or derivatives thereof, phenol novolac type epoxy resins, novolac type epoxy resins such as cresol novolac type epoxy resins, arylalkylene type epoxy resins such as biphenyl type epoxy resins and biphenyl aralkyl type epoxy resins, Naphthalene type epoxy resin, anthracene type epoxy resin, phenoxy type epoxy resin, dicyclopentadiene type epoxy resin, norbornene type epoxy resin, Adamantane type epoxy resins, such as epoxy resins and fluorene type epoxy resins. One of these can be used alone, or two or more can be used in combination.

(A)エポキシ樹脂の含有量は、とくに限定されないが、樹脂組成物P全体の15質量%以上80質量%以下であることが好ましい。さらに好ましくは25質量%以上60質量%以下である。また、液状のビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂などの液状のエポキシ樹脂を併用すると、繊維基材101への含浸性を向上させることができるため好ましい。液状のエポキシ樹脂の含有量は、樹脂組成物P全体の3質量%以上30質量%以下であるとより好ましい。また、固形のビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂を併用すると、導体への密着性を向上させることができる。   (A) Although content of an epoxy resin is not specifically limited, It is preferable that it is 15 to 80 mass% of the resin composition P whole. More preferably, it is 25 mass% or more and 60 mass% or less. In addition, it is preferable to use a liquid epoxy resin such as a liquid bisphenol A type epoxy resin or a bisphenol F type epoxy resin because the impregnation property to the fiber base material 101 can be improved. The content of the liquid epoxy resin is more preferably 3% by mass or more and 30% by mass or less of the entire resin composition P. Moreover, when solid bisphenol A type epoxy resin and bisphenol F type epoxy resin are used in combination, adhesion to the conductor can be improved.

(B)エポキシ樹脂硬化剤としては、とくに限定されないが、例えばフェノール系硬化剤、脂肪族アミン、芳香族アミン、ジシアンジアミド、ジヒドラジド化合物、酸無水物などが挙げられる。これらの中でも、化学式中に窒素原子を含まない有機化合物がとくに好ましく、化学式中に窒素原子を含まないフェノール系硬化剤および酸無水物がとくに好ましい。フェノール系硬化剤や酸無水物を用いると、窒素含有量が0.10質量%以下のプリプレグをより一層効率良く得ることができる。   (B) Although it does not specifically limit as an epoxy resin hardening | curing agent, For example, a phenol type hardening | curing agent, an aliphatic amine, an aromatic amine, a dicyandiamide, a dihydrazide compound, an acid anhydride etc. are mentioned. Among these, organic compounds that do not contain a nitrogen atom in the chemical formula are particularly preferred, and phenolic curing agents and acid anhydrides that do not contain a nitrogen atom in the chemical formula are particularly preferred. When a phenolic curing agent or acid anhydride is used, a prepreg having a nitrogen content of 0.10% by mass or less can be obtained more efficiently.

(B)エポキシ樹脂硬化剤としてのフェノール系硬化剤は1分子内にフェノール性水酸基を2つ以上有する化合物である。1分子内にフェノール性水酸基を1つ有する化合物の場合には架橋構造をとることができないため硬化物特性が悪化し、使用できない。
フェノール系硬化剤としては、例えば、フェノールノボラック樹脂、アルキルフェノールノボラック樹脂、ビスフェノールAノボラック樹脂、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂、ザイロック型フェノール樹脂、テルペン変性フェノール樹脂、ポリビニルフェノール類など公知慣用のものを単独あるいは2種以上組み合わせて使用することができる。
(B) A phenolic curing agent as an epoxy resin curing agent is a compound having two or more phenolic hydroxyl groups in one molecule. In the case of a compound having one phenolic hydroxyl group in one molecule, since a crosslinked structure cannot be taken, the cured product characteristics deteriorate and cannot be used.
As the phenolic curing agent, for example, phenol novolak resin, alkylphenol novolak resin, bisphenol A novolak resin, dicyclopentadiene type phenol resin, zylock type phenol resin, terpene modified phenol resin, polyvinylphenols, etc. Two or more types can be used in combination.

フェノール硬化剤の配合量は、(A)エポキシ樹脂との当量比(フェノール性水酸基当量/エポキシ基当量)が0.1以上1.0以下であると好ましい。これにより、未反応のフェノール硬化剤の残留がなくなり、吸湿耐熱性が向上する。樹脂組成物Pがエポキシ樹脂とシアネート樹脂とを併用する場合は、0.2以上0.5以下の範囲がとくに好ましい。これは、フェノール樹脂は、硬化剤として作用するだけでなく、シアネート基とエポキシ基との硬化を促進するためである。     The blending amount of the phenol curing agent is preferably such that (A) the equivalent ratio to the epoxy resin (phenolic hydroxyl group equivalent / epoxy group equivalent) is from 0.1 to 1.0. As a result, there remains no unreacted phenol curing agent, and the moisture absorption heat resistance is improved. When the resin composition P uses an epoxy resin and a cyanate resin in combination, the range of 0.2 to 0.5 is particularly preferable. This is because the phenol resin not only acts as a curing agent but also promotes curing of the cyanate group and the epoxy group.

(B)エポキシ樹脂硬化剤としての酸無水物としては、例えばフタル酸無水物、テトラヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、4−メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、エンドメチレンテトラヒドロフタル酸無水物、ドデセニルコハク酸無水物、無水マレイン酸などが挙げられる。   (B) Examples of acid anhydrides as epoxy resin curing agents include phthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, 4-methylhexahydrophthalic anhydride, endomethylenetetrahydrophthalic anhydride, dodecenyl succinic acid. An anhydride, maleic anhydride, etc. are mentioned.

(B)エポキシ樹脂硬化剤としてのジヒドラジド化合物としては、例えばアジピン酸ジヒドラジド、ドデカン酸ジヒドラジド、イソフタル酸ジヒドラジド、p−オキシ安息香酸ジヒドラジドなどのカルボン酸ジヒドラジドなどが挙げられる。   (B) Examples of the dihydrazide compound as the epoxy resin curing agent include carboxylic acid dihydrazides such as adipic acid dihydrazide, dodecanoic acid dihydrazide, isophthalic acid dihydrazide, and p-oxybenzoic acid dihydrazide.

また、樹脂組成物Pには、得られるプリプレグ100中の窒素含有量が0.10質量%を超えない程度に下記の(C)硬化触媒を併用してもよい。なお、(C)硬化触媒とは、(A)エポキシ樹脂と、(B)エポキシ樹脂硬化剤との硬化反応を促進する働きがある触媒であり、(B)エポキシ樹脂硬化剤とは区別される。
例えばナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、オクチル酸スズ、オクチル酸コバルト、ビスアセチルアセトナートコバルト(II)、トリスアセチルアセトナートコバルト(III)などの有機金属塩、トリエチルアミン、トリブチルアミン、ジアザビシクロ[2,2,2]オクタンなどの3級アミン類、2−フェニルイミダゾール、2−フェニル−4−メチルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、2−エチル−4−エチルイミダゾール、2−フェニル−4−メチルイミダゾール、2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシイミダゾール、2−フェニル−4,5−ジヒドロキシイミダゾールなどのイミダゾール類、フェノール、ビスフェノールA、ノニルフェノールなどのフェノール化合物、酢酸、安息香酸、サリチル酸、パラトルエンスルホン酸などの有機酸など、オニウム塩化合物など、またはこの混合物が挙げられる。(C)硬化触媒として、これらの中の誘導体も含めて1種類を単独で用いることもできるし、これらの誘導体も含めて2種類以上を併用したりすることもできる。
Moreover, you may use together the following (C) curing catalyst for the resin composition P to such an extent that the nitrogen content in the obtained prepreg 100 does not exceed 0.10 mass%. The (C) curing catalyst is a catalyst that has a function of promoting the curing reaction between the (A) epoxy resin and the (B) epoxy resin curing agent, and is distinguished from the (B) epoxy resin curing agent. .
For example, organic metal salts such as zinc naphthenate, cobalt naphthenate, tin octylate, cobalt octylate, bisacetylacetonate cobalt (II), trisacetylacetonate cobalt (III), triethylamine, tributylamine, diazabicyclo [2,2 , 2] tertiary amines such as octane, 2-phenylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-ethyl-4-ethylimidazole, 2-phenyl-4-methyl Imidazoles, 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxyimidazole, imidazoles such as 2-phenyl-4,5-dihydroxyimidazole, phenolic compounds such as phenol, bisphenol A, nonylphenol, acetic acid, benzoic acid, salicylic acid And organic acids such as p-toluenesulfonic acid, etc. onium salt compound, or a mixture thereof. (C) As a curing catalyst, one kind including these derivatives can be used alone, or two or more kinds including these derivatives can be used in combination.

(C)硬化触媒の含有量は、得られるプリプレグ100中の窒素含有量が0.10質量%を超えなければとくに限定されない。例えば樹脂組成物P全体の0.010質量%以上が好ましく、とくに0.10質量%以上が好ましい。(C)硬化触媒の含有量が上記下限値以上であると、硬化を促進する効果を充分に得ることができる。また、(C)硬化触媒の含有量は、樹脂組成物P全体の5.0質量%以下が好ましく、とくに2.0質量%以下が好ましい。(C)硬化触媒の含有量が上記上限値以下であると、プリプレグ100の保存性の低下を抑制することができる。   (C) Content of a curing catalyst will not be specifically limited if the nitrogen content in the obtained prepreg 100 does not exceed 0.10 mass%. For example, 0.010 mass% or more of the whole resin composition P is preferable, and 0.10 mass% or more is particularly preferable. (C) The effect which accelerates | stimulates hardening can fully be acquired as content of a curing catalyst is more than the said lower limit. Further, the content of the (C) curing catalyst is preferably 5.0% by mass or less, and particularly preferably 2.0% by mass or less, based on the entire resin composition P. (C) The fall of the preservability of the prepreg 100 can be suppressed as content of a curing catalyst is below the said upper limit.

樹脂組成物Pは、さらに(D)無機充填材を含むことが好ましい。(D)無機充填材としては、例えばタルク、焼成クレー、未焼成クレー、マイカ、ガラスなどのケイ酸塩、酸化チタン、アルミナ、シリカ、溶融シリカなどの酸化物、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ハイドロタルサイトなどの炭酸塩、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウムなどの水酸化物、硫酸バリウム、硫酸カルシウム、亜硫酸カルシウムなどの硫酸塩または亜硫酸塩、ホウ酸亜鉛、メタホウ酸バリウム、ホウ酸アルミニウム、ホウ酸カルシウム、ホウ酸ナトリウムなどのホウ酸塩、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素、窒化炭素などの窒化物、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウムなどのチタン酸塩などを挙げることができる。これらの中の1種類を単独で用いることもできるし、2種類以上を併用したりすることもできる。   The resin composition P preferably further contains (D) an inorganic filler. (D) Examples of inorganic fillers include silicates such as talc, calcined clay, unfired clay, mica and glass, oxides such as titanium oxide, alumina, silica and fused silica, calcium carbonate, magnesium carbonate and hydrotalc. Carbonate such as site, hydroxide such as aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium hydroxide, sulfate or sulfite such as barium sulfate, calcium sulfate, calcium sulfite, zinc borate, barium metaborate, aluminum borate And borate salts such as calcium borate and sodium borate, nitrides such as aluminum nitride, boron nitride, silicon nitride and carbon nitride, titanates such as strontium titanate and barium titanate. One of these can be used alone, or two or more can be used in combination.

これらの中でも、とくにシリカが好ましく、溶融シリカ(とくに球状溶融シリカ)が低熱膨張性に優れる点で好ましい。その形状は破砕状、球状があるが、繊維基材101への含浸性を確保するために樹脂組成物Pの溶融粘度を下げるには球状シリカを使うなど、その目的にあわせた使用方法が採用される。   Among these, silica is particularly preferable, and fused silica (especially spherical fused silica) is preferable in terms of excellent low thermal expansion. The shape is crushed and spherical, but in order to reduce the melt viscosity of the resin composition P in order to ensure the impregnation of the fiber base material 101, a method of use that suits the purpose, such as using spherical silica, is adopted. Is done.

(D)無機充填材の平均粒子径は、とくに限定されないが、0.01μm以上3μm以下が好ましく、とくに0.02μm以上1μm以下が好ましい。(D)無機充填材の粒径を0.01μm以上とすることで、ワニスを低粘度にし、繊維基材101に樹脂組成物Pを良好に含浸させることができる。また、3μm以下とすることで、ワニス中で(D)無機充填材の沈降などを抑制することができる。この平均粒子径は、例えば粒度分布計(島津製作所社製、製品名:レーザー回折式粒度分布測定装置SALDシリーズ)により測定することができる。   (D) The average particle diameter of the inorganic filler is not particularly limited, but is preferably 0.01 μm or more and 3 μm or less, and particularly preferably 0.02 μm or more and 1 μm or less. (D) By making the particle size of an inorganic filler 0.01 micrometer or more, a varnish can be made low viscosity and the fiber base material 101 can be made to impregnate the resin composition P favorably. Moreover, by setting it as 3 micrometers or less, sedimentation etc. of (D) inorganic filler can be suppressed in a varnish. This average particle diameter can be measured by, for example, a particle size distribution meter (manufactured by Shimadzu Corporation, product name: laser diffraction particle size distribution measuring device SALD series).

また、(D)無機充填材は、とくに限定されないが、平均粒子径が単分散の無機充填材を用いることもできるし、平均粒子径が多分散の無機充填材を用いることができる。さらに平均粒子径が単分散および/または、多分散の無機充填材を1種類または2種類以上を併用したりすることもできる。   Further, (D) the inorganic filler is not particularly limited, but an inorganic filler having a monodispersed average particle diameter can be used, and an inorganic filler having a polydispersed average particle diameter can be used. Furthermore, one type or two or more types of inorganic fillers having an average particle size of monodisperse and / or polydisperse can be used in combination.

さらに、平均粒子径3μm以下の球状シリカ(とくに球状溶融シリカ)が好ましく、とくに平均粒子径0.02μm以上1μm以下の球状溶融シリカが好ましい。これにより、(D)無機充填材の充填性を向上させることができる。   Furthermore, spherical silica (especially spherical fused silica) having an average particle size of 3 μm or less is preferable, and spherical fused silica having an average particle size of 0.02 μm or more and 1 μm or less is particularly preferable. Thereby, the filling property of (D) inorganic filler can be improved.

(D)無機充填材の含有量は、とくに限定されないが、樹脂組成物P全体の2質量%以上70質量%以下が好ましく、とくに5質量%以上60質量%以下が好ましい。含有量が上記範囲内であると、とくに低熱膨張、低吸水とすることができる。   (D) Although content of an inorganic filler is not specifically limited, 2 mass% or more and 70 mass% or less of the whole resin composition P are preferable, and 5 mass% or more and 60 mass% or less are especially preferable. When the content is within the above range, particularly low thermal expansion and low water absorption can be achieved.

また、樹脂組成物Pには、とくに限定されないが、(E)カップリング剤をさらに含むことが好ましい。(E)カップリング剤は、(A)エポキシ樹脂と、(D)無機充填材との界面の濡れ性を向上させることにより、繊維基材に対して(A)エポキシ樹脂および(D)無機充填材を均一に定着させ、耐熱性、とくに吸湿後の半田耐熱性を改良することができる。   Moreover, it is although it does not specifically limit in the resin composition P, It is preferable to further contain (E) coupling agent. (E) Coupling agent improves (A) epoxy resin and (D) inorganic filling with respect to fiber base material by improving the wettability of the interface of (A) epoxy resin and (D) inorganic filler. The material can be fixed uniformly, and the heat resistance, particularly the solder heat resistance after moisture absorption can be improved.

(E)カップリング剤としては、通常用いられるものなら何でも使用できるが、具体的にはエポキシシランカップリング剤、カチオニックシランカップリング剤、アミノシランカップリング剤、チタネート系カップリング剤およびシリコーンオイル型カップリング剤の中から選ばれる1種以上のカップリング剤を使用することが好ましい。これにより、(D)無機充填材の界面との濡れ性を高くすることができ、それによって耐熱性をより向上させることできる。   (E) Any commonly used coupling agent can be used. Specifically, epoxy silane coupling agents, cationic silane coupling agents, aminosilane coupling agents, titanate coupling agents, and silicone oil types. It is preferable to use one or more coupling agents selected from coupling agents. Thereby, (D) wettability with the interface of an inorganic filler can be made high, and thereby heat resistance can be improved more.

(E)カップリング剤の添加量は(D)無機充填材の比表面積に依存するので、とくに限定されないが、(D)無機充填材100質量部に対して0.05質量%以上5質量%以下が好ましく、とくに0.1質量%以上3質量%以下が好ましい。含有量を0.05質量%以上とすることで、(D)無機充填材を十分に被覆でき、耐熱性を向上させることができる。5質量%以下とすることで、反応が良好に進行し、曲げ強度などの低下を防ぐことができる。   (E) The addition amount of the coupling agent depends on the specific surface area of the (D) inorganic filler and is not particularly limited. However, (D) 0.05% by mass to 5% by mass with respect to 100 parts by mass of the inorganic filler. The following is preferable, and 0.1 mass% or more and 3 mass% or less are especially preferable. By setting the content to 0.05% by mass or more, (D) the inorganic filler can be sufficiently covered, and the heat resistance can be improved. By setting the content to 5% by mass or less, the reaction proceeds satisfactorily and a decrease in bending strength or the like can be prevented.

また、樹脂組成物Pには、メラミン樹脂、ユリア樹脂、シアネート樹脂などのエポキシ樹脂以外の熱硬化性樹脂を含んでいてもよく、とくにシアネート樹脂を併用することが好ましい。
シアネート樹脂の種類としては、とくに限定されないが、例えばノボラック型シアネート樹脂、ビスフェノールA型シアネート樹脂、ビスフェノールE型シアネート樹脂、テトラメチルビスフェノールF型シアネート樹脂などのビスフェノール型シアネート樹脂などを挙げることができる。これらの中でも、フェノールノボラック型シアネート樹脂が低熱膨張性の点から好ましい。また、さらに他のシアネート樹脂を1種類あるいは2種類以上併用したりすることもでき、とくに限定されない。シアネート樹脂は、樹脂組成物P全体の8質量%以上20質量%以下であると好ましい。
The resin composition P may contain a thermosetting resin other than an epoxy resin such as a melamine resin, a urea resin, or a cyanate resin, and it is particularly preferable to use a cyanate resin in combination.
Although it does not specifically limit as a kind of cyanate resin, For example, bisphenol-type cyanate resin, such as a novolak-type cyanate resin, a bisphenol A-type cyanate resin, a bisphenol E-type cyanate resin, a tetramethylbisphenol F-type cyanate resin, etc. can be mentioned. Among these, phenol novolac type cyanate resin is preferable from the viewpoint of low thermal expansion. Furthermore, other cyanate resins may be used alone or in combination of two or more, and are not particularly limited. The cyanate resin is preferably 8% by mass or more and 20% by mass or less of the entire resin composition P.

また、樹脂組成物Pには、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリスチレン樹脂などの熱可塑性樹脂、スチレン−ブタジエン共重合体、スチレン−イソプレン共重合体などのポリスチレン系熱可塑性エラストマー、ポリオレフィン系熱可塑性エラストマー、ポリアミド系エラストマー、ポリエステル系エラストマーなどの熱可塑性エラストマ−、ポリブタジエン、エポキシ変性ポリブタジエン、アクリル変性ポリブタジエン、メタクリル変性ポリブタジエンなどのジエン系エラストマーを併用してもよい。これらの中でも、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂等の耐熱性の高分子樹脂が好ましい。これによって、プリプレグ100の厚み均一性に優れ、配線基板として、耐熱性、および微細配線の絶縁性に優れる。また、この樹脂組成物Pには、必要に応じて、顔料、染料、消泡剤、レベリング剤、紫外線吸収剤、発泡剤、酸化防止剤、難燃剤、イオン捕捉剤などの上記成分以外の添加物を添加してもよい。   The resin composition P includes a phenoxy resin, a polyimide resin, a polyamideimide resin, a polyamide resin, a polyphenylene oxide resin, a polyethersulfone resin, a polyester resin, a polyethylene resin, a polystyrene resin, and other thermoplastic resins, styrene-butadiene copolymer Polystyrene, thermoplastic elastomers such as styrene-isoprene copolymers, thermoplastic elastomers such as polyolefin thermoplastic elastomers, polyamide elastomers, polyester elastomers, polybutadiene, epoxy-modified polybutadiene, acrylic-modified polybutadiene, methacryl-modified polybutadiene, etc. These diene elastomers may be used in combination. Among these, heat-resistant polymer resins such as phenoxy resin, polyimide resin, polyamideimide resin, polyamide resin, polyphenylene oxide resin, and polyethersulfone resin are preferable. Thereby, the thickness uniformity of the prepreg 100 is excellent, and as a wiring board, the heat resistance and the insulating property of the fine wiring are excellent. In addition, the resin composition P may contain additives other than the above components such as pigments, dyes, antifoaming agents, leveling agents, ultraviolet absorbers, foaming agents, antioxidants, flame retardants, and ion scavengers as necessary Things may be added.

樹脂組成物Pを含浸させる繊維基材101は、とくに限定されないが、ガラスクロス、ガラス織布、ガラス不織布などのガラス繊維基材、カーボンクロス、炭素繊維織物などの炭素繊維基材、ロックウールなどの人造鉱物基材、ポリアミド樹脂繊維、芳香族ポリアミド樹脂繊維、全芳香族ポリアミド樹脂繊維などのポリアミド系樹脂繊維、ポリエステル樹脂繊維、芳香族ポリエステル樹脂繊維、全芳香族ポリエステル樹脂繊維などのポリエステル系樹脂繊維、ポリイミド樹脂繊維、フッ素樹脂繊維などを主成分とする織布または不織布で構成される合成繊維基材、クラフト紙、コットンリンター紙、リンターとクラフトパルプの混抄紙などを主成分とする紙基材などの有機繊維基材などが挙げられる。これらの中でもガラス繊維基材が好ましい。これにより、低吸水性で、高強度、低熱膨張性のプリプレグを得ることができる。   The fiber base material 101 impregnated with the resin composition P is not particularly limited, but glass fiber base materials such as glass cloth, glass woven fabric and glass nonwoven fabric, carbon fiber base materials such as carbon cloth and carbon fiber woven fabric, rock wool, etc. Man-made mineral base materials, polyamide resin fibers, aromatic polyamide resin fibers, polyamide resin fibers such as wholly aromatic polyamide resin fibers, polyester resins such as polyester resin fibers, aromatic polyester resin fibers, wholly aromatic polyester resin fibers Synthetic fiber substrate composed of woven or non-woven fabric mainly composed of fiber, polyimide resin fiber, fluororesin fiber, etc., kraft paper, cotton linter paper, mixed paper of linter and kraft pulp, etc. Examples thereof include organic fiber base materials such as materials. Among these, a glass fiber base material is preferable. Thereby, a prepreg having low water absorption, high strength, and low thermal expansion can be obtained.

ガラス繊維基材を構成するガラスは、例えばEガラス、Cガラス、Aガラス、Sガラス、Dガラス、NEガラス、Tガラス、Hガラスなどが挙げられる。これらの中でもEガラス、またはTガラスが好ましい。これにより、プリプレグの高弾性化を達成することができ、またプリプレグの熱膨張係数を小さくすることができる。   Examples of the glass constituting the glass fiber substrate include E glass, C glass, A glass, S glass, D glass, NE glass, T glass, and H glass. Among these, E glass or T glass is preferable. Thereby, the high elasticity of a prepreg can be achieved and the thermal expansion coefficient of a prepreg can be reduced.

本実施形態で用いる繊維基材としては、坪量(1mあたりの繊維基材の質量)が145g/m以上300g/m以下のものであることが好ましく、より好ましくは160g/m以上230g/m以下、さらに好ましくは190g/m以上205g/m以下である。The fiber base material used in the present embodiment, it is preferable that the basis weight (weight of the fiber base material per 1 m 2) is of 145 g / m 2 or more 300 g / m 2 or less, more preferably 160 g / m 2 It is 230 g / m 2 or more, more preferably 190 g / m 2 or more and 205 g / m 2 or less.

坪量が上記上限値以下であると、繊維基材中の樹脂組成物の含浸性が向上し、ストランドボイドや絶縁信頼性の低下を抑制することができる。また炭酸ガス、UV、エキシマなどのレーザーによるスルーホールの形成が容易になる場合がある。また、坪量が上記下限値以上であると、ガラスクロスやプリプレグの強度が向上する。その結果、ハンドリング性が向上したり、プリプレグの作製が容易になったり、基板の反りの低減効果が向上したりする場合がある。   When the basis weight is not more than the above upper limit value, the impregnation property of the resin composition in the fiber base material is improved, and a decrease in strand voids and insulation reliability can be suppressed. In addition, formation of a through hole with a laser such as carbon dioxide, UV, or excimer may be facilitated. Moreover, the intensity | strength of a glass cloth or a prepreg improves that basic weight is more than the said lower limit. As a result, handling may be improved, prepregs may be easily manufactured, and the effect of reducing substrate warpage may be improved.

繊維基材の厚みは、とくに限定されないが、50μm以上300μm以下であることが好ましく、より好ましくは80μm以上250μm以下、さらに好ましくは100μm以上200μm以下である。このような厚みを有する繊維基材を用いることにより、プリプレグ製造時のハンドリング性がさらに向上し、とくに反り低減効果が顕著である。   Although the thickness of a fiber base material is not specifically limited, It is preferable that they are 50 micrometers or more and 300 micrometers or less, More preferably, they are 80 micrometers or more and 250 micrometers or less, More preferably, they are 100 micrometers or more and 200 micrometers or less. By using the fiber base material having such a thickness, the handling property at the time of manufacturing the prepreg is further improved, and the warp reduction effect is particularly remarkable.

繊維基材の厚みが上記上限値以下であると、繊維基材中の樹脂組成物の含浸性が向上し、ストランドボイドや絶縁信頼性の低下を抑制することができる。また炭酸ガス、UV、エキシマなどのレーザーによるスルーホールの形成が容易になる場合がある。また、坪量が上記下限値以上であると、ガラスクロスやプリプレグの強度が向上する。その結果、ハンドリング性が向上したり、プリプレグの作製が容易になったり、基板の反りの低減効果が向上したりする場合がある。   When the thickness of the fiber base material is not more than the above upper limit, the impregnation property of the resin composition in the fiber base material can be improved, and the decrease in strand voids and insulation reliability can be suppressed. In addition, formation of a through hole with a laser such as carbon dioxide, UV, or excimer may be facilitated. Moreover, the intensity | strength of a glass cloth or a prepreg improves that basic weight is more than the said lower limit. As a result, handling may be improved, prepregs may be easily manufactured, and the effect of reducing substrate warpage may be improved.

また、繊維基材の使用枚数は、一枚に限らず、薄い繊維基材を複数枚重ねて使用することも可能である。なお、繊維基材を複数枚重ねて使用する場合は、その合計の厚みが上記の範囲を満たせばよい。   Further, the number of fiber base materials used is not limited to one, and a plurality of thin fiber base materials can be used in a stacked manner. In addition, when using a plurality of fiber base materials in piles, the total thickness only needs to satisfy the above range.

つづいて、プリプレグ100の製造方法について詳細に説明する。
本実施形態におけるプリプレグ100は、繊維基材101に、(A)エポキシ樹脂と、(B)エポキシ樹脂硬化剤と、を含む樹脂組成物Pを含浸させ、その後、半硬化させて得られる。
It continues and demonstrates the manufacturing method of the prepreg 100 in detail.
The prepreg 100 in the present embodiment is obtained by impregnating a fiber base material 101 with a resin composition P containing (A) an epoxy resin and (B) an epoxy resin curing agent, and then semi-curing it.

樹脂組成物Pを繊維基材101に含浸させる方法は、例えば、樹脂組成物Pを用いて樹脂ワニスVを調製し、繊維基材101を樹脂ワニスVに浸漬する方法、各種コーターにより樹脂ワニスVを塗布する方法、スプレーにより樹脂ワニスVを吹き付ける方法、支持基材付き樹脂層を繊維基材にラミネートする方法などが挙げられる。これらの中でも、繊維基材101を樹脂ワニスVに浸漬する方法、支持基材付き樹脂層を繊維基材にラミネートする方法が好ましい。繊維基材101を樹脂ワニスVに浸漬する方法は、繊維基材101に対する樹脂組成物Pの含浸性を向上することができる。なお、繊維基材101を樹脂ワニスVに浸漬する場合、通常の含浸塗布設備を使用することができる。   The method of impregnating the fiber base material 101 with the resin composition P is, for example, a method of preparing a resin varnish V using the resin composition P, immersing the fiber base material 101 in the resin varnish V, and a resin varnish V using various coaters. The method of apply | coating, the method of spraying the resin varnish V by spray, the method of laminating the resin layer with a support base material on a fiber base material, etc. are mentioned. Among these, the method of immersing the fiber substrate 101 in the resin varnish V and the method of laminating the resin layer with a supporting substrate on the fiber substrate are preferable. The method of immersing the fiber base material 101 in the resin varnish V can improve the impregnation property of the resin composition P with respect to the fiber base material 101. In addition, when the fiber base material 101 is immersed in the resin varnish V, a normal impregnation coating equipment can be used.

とくに、繊維基材101の厚さが0.1mm以下の場合、支持基材付き樹脂層を繊維基材にラミネートする方法が好ましい。これにより、繊維基材101に対する樹脂組成物Pの含浸量を自在に調節でき、プリプレグの成形性をさらに向上できる。なお、フィルム状の樹脂層をラミネートする場合、真空のラミネート装置などを用いることがより好ましい。   In particular, when the thickness of the fiber substrate 101 is 0.1 mm or less, a method of laminating a resin layer with a supporting substrate on the fiber substrate is preferable. Thereby, the impregnation amount of the resin composition P with respect to the fiber base material 101 can be adjusted freely, and the moldability of a prepreg can further be improved. In addition, when laminating a film-like resin layer, it is more preferable to use a vacuum laminating apparatus or the like.

樹脂ワニスVに用いられる溶媒は、樹脂組成物P中の樹脂成分に対して良好な溶解性を示すことが望ましいが、悪影響を及ぼさない範囲で貧溶媒を使用しても構わない。良好な溶解性を示す溶媒は、例えばメタノール、エタノールなどのアルコール類、トルエン、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、エチレングリコール、セルソルブ系、カルビトール系などが挙げられる。
これらの中でも、溶媒として化学式中に窒素原子を含まない有機化合物がとくに好ましく、とくにアルコール類、メチルエチルケトン、トルエンが好ましい。化学式中に窒素原子を含まない有機化合物を用いると、窒素含有量が0.10質量%以下のプリプレグをより一層効率良く得ることができる。
The solvent used in the resin varnish V desirably has good solubility in the resin component in the resin composition P, but a poor solvent may be used within a range that does not adversely affect the resin varnish V. Solvents exhibiting good solubility include, for example, alcohols such as methanol and ethanol, toluene, acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, cyclopentanone, tetrahydrofuran, dimethylformamide, dimethylacetamide, dimethyl sulfoxide, ethylene glycol, cellosolve type And carbitol series.
Among these, an organic compound that does not contain a nitrogen atom in the chemical formula is particularly preferable as a solvent, and alcohols, methyl ethyl ketone, and toluene are particularly preferable. When an organic compound not containing a nitrogen atom in the chemical formula is used, a prepreg having a nitrogen content of 0.10% by mass or less can be obtained more efficiently.

樹脂ワニスVの固形分は、とくに限定されないが、樹脂組成物Pの固形分20質量%以上90質量%以下が好ましく、とくに50質量%以上80質量%以下が好ましい。これにより、樹脂ワニスVの繊維基材101への含浸性をさらに向上できる。繊維基材101に樹脂組成物Pを含浸させる所定温度は、とくに限定されないが、例えば90℃以上220℃以下で乾燥させることによりプリプレグ100を得ることができる。プリプレグ100の厚みは、20μm以上100μm以下であるのが好ましい。   The solid content of the resin varnish V is not particularly limited, but the solid content of the resin composition P is preferably 20% by mass to 90% by mass, and particularly preferably 50% by mass to 80% by mass. Thereby, the impregnation property to the fiber base material 101 of the resin varnish V can further be improved. Although the predetermined temperature which makes the fiber base material 101 impregnate the resin composition P is not specifically limited, For example, the prepreg 100 can be obtained by drying at 90 degreeC or more and 220 degrees C or less. The thickness of the prepreg 100 is preferably 20 μm or more and 100 μm or less.

また、樹脂ワニスV中の理論窒素含有量は、0.50質量%以下であり、好ましくは0.20質量%以下であり、さらに好ましくは0.10質量%以下である。樹脂ワニスV中の理論窒素含有量が上記上限以下であると、窒素含有量が0.10質量%以下のプリプレグをより一層効率良く得ることができる。
なお、樹脂ワニスV中の理論窒素含有量とは、樹脂ワニスV中に含まれる窒素が、化学式中に窒素原子が含まれる成分由来のものだけと仮定して算出される値である。具体的には、分子量と窒素原子数から各成分に含まれる窒素含有量を算出し、その合計の重さを樹脂ワニス全体の重さで割り、得られた値を%表示したものである。
Further, the theoretical nitrogen content in the resin varnish V is 0.50% by mass or less, preferably 0.20% by mass or less, and more preferably 0.10% by mass or less. When the theoretical nitrogen content in the resin varnish V is not more than the above upper limit, a prepreg having a nitrogen content of 0.10% by mass or less can be obtained more efficiently.
The theoretical nitrogen content in the resin varnish V is a value calculated on the assumption that the nitrogen contained in the resin varnish V is derived only from a component containing a nitrogen atom in the chemical formula. Specifically, the nitrogen content contained in each component is calculated from the molecular weight and the number of nitrogen atoms, the total weight is divided by the weight of the entire resin varnish, and the obtained value is expressed in%.

プリプレグ100は、繊維基材101を中心として、樹脂層103と樹脂層104との厚みは、繊維基材101を中心として実質的に同じであってもよいし、異なっていてもよい。換言すれば、プリプレグ100は、繊維基材の厚み方向の中心と、プリプレグの厚み方向の中心とがずれていてもよい。   In the prepreg 100, the thickness of the resin layer 103 and the resin layer 104 may be substantially the same or different with the fiber base 101 as the center, with the fiber base 101 as the center. In other words, in the prepreg 100, the center in the thickness direction of the fiber base material may be shifted from the center in the thickness direction of the prepreg.

(積層板)
つぎに、本実施形態における積層板の構成について説明する。本実施形態における積層板は、上記のプリプレグ100を硬化して得られるプリプレグの硬化体を含んでいる。
(Laminated board)
Below, the structure of the laminated board in this embodiment is demonstrated. The laminate in the present embodiment includes a cured body of prepreg obtained by curing the prepreg 100 described above.

(積層板の製造方法)
つづいて、上記で得られたプリプレグ100を用いた積層板の製造方法について説明する。プリプレグを用いた積層板の製造方法は、とくに限定されないが、例えば以下の通りである。
1枚以上のプリプレグを重ね、その外側の上下両面または片面に金属箔を重ね、ラミネーター装置やベクレル装置を用いて高真空条件下でこれらを接合する、あるいはそのままプリプレグの外側の上下両面または片面に金属箔を重ねる。
つぎに、プリプレグに金属箔を重ねたものを真空プレス機で加熱、加圧するかあるいは乾燥機で加熱することで、積層板を得ることができる。
金属箔の厚みは、例えば1μm以上35μm以下である。さらに好ましくは2μm以上25μm以下である。この金属箔の厚みが上記下限値以上であると、積層板を製造する際の機械的強度を充分に確保することができる。また、厚みが上記上限値以下であると、微細な回路を加工形成し易くすることができる。
(Laminate production method)
Then, the manufacturing method of the laminated board using the prepreg 100 obtained above is demonstrated. Although the manufacturing method of the laminated board using a prepreg is not specifically limited, For example, it is as follows.
Laminate one or more prepregs, overlap metal foils on both the top and bottom sides or one side of the outside, and join them under high vacuum conditions using a laminator or becquerel unit, or directly on top and bottom or both sides on the outside of the prepreg Stack metal foil.
Next, a laminated plate can be obtained by heating and pressurizing a prepreg with a metal foil on a vacuum press or heating with a dryer.
The thickness of the metal foil is, for example, 1 μm or more and 35 μm or less. More preferably, they are 2 micrometers or more and 25 micrometers or less. When the thickness of the metal foil is equal to or more than the lower limit, it is possible to sufficiently ensure the mechanical strength when manufacturing the laminated plate. Further, when the thickness is not more than the above upper limit value, it is possible to easily process and form a fine circuit.

金属箔を構成する金属としては、例えば銅および銅系合金、アルミおよびアルミ系合金、銀および銀系合金、金および金系合金、亜鉛および亜鉛系合金、ニッケルおよびニッケル系合金、錫および錫系合金、鉄および鉄系合金、コバール(商標名)、42アロイ、インバーまたはスーパーインバーなどのFe−Ni系の合金、WまたはMoなどが挙げられる。また、キャリア付電解銅箔なども使用することができる。   Examples of the metal constituting the metal foil include copper and copper alloys, aluminum and aluminum alloys, silver and silver alloys, gold and gold alloys, zinc and zinc alloys, nickel and nickel alloys, tin and tin alloys. Alloys, iron and iron-based alloys, Kovar (trade name), 42 alloys, Fe-Ni alloys such as Invar or Super Invar, W or Mo, and the like can be given. Also, an electrolytic copper foil with a carrier can be used.

上記加熱処理する方法としては、とくに限定されないが、例えば、熱風乾燥装置、赤外線加熱装置、加熱ロール装置、平板状の熱盤プレス装置などを用いて実施することができる。熱風乾燥装置または赤外線加熱装置を用いた場合は、上記接合したものに実質的に圧力を作用させることなく実施することができる。また、加熱ロール装置または平板状の熱盤プレス装置を用いた場合は、上記接合したものに所定の圧力を作用させることで実施することができる。   Although it does not specifically limit as said heat-processing method, For example, it can implement using a hot-air drying apparatus, an infrared heating apparatus, a heating roll apparatus, a flat platen hot-plate press apparatus, etc. When a hot-air drying device or an infrared heating device is used, the bonding can be carried out without substantially applying pressure to the joined ones. Moreover, when using a heating roll apparatus or a flat hot platen press apparatus, it can implement by making predetermined | prescribed pressure act on the said joined thing.

加熱処理する際の温度は、とくに限定されないが、用いる樹脂が溶融し、かつ樹脂の硬化反応が急速に進行しないような温度域とすることが好ましい。樹脂が溶融する温度としては好ましくは120℃以上、より好ましくは150℃以上である。また、樹脂の硬化反応が急速に進行しない温度としては好ましくは250℃以下、より好ましくは230℃以下である。   The temperature during the heat treatment is not particularly limited, but it is preferably a temperature range in which the resin used melts and the resin curing reaction does not proceed rapidly. The temperature at which the resin melts is preferably 120 ° C. or higher, more preferably 150 ° C. or higher. The temperature at which the resin curing reaction does not proceed rapidly is preferably 250 ° C. or lower, more preferably 230 ° C. or lower.

また、加熱処理する時間は用いる樹脂の種類などにより異なるため、とくに限定されないが、例えば、30分間以上300分間以下処理することにより実施することができる。
また、加圧する圧力は、とくに限定されないが、例えば、0.2MPa以上6MPa以下が好ましく、2MPa以上5MPa以下がより好ましい。
In addition, since the time for the heat treatment varies depending on the type of resin used and the like, it is not particularly limited. For example, the heat treatment can be performed by treating for 30 minutes to 300 minutes.
Moreover, the pressure to pressurize is not particularly limited, but is preferably 0.2 MPa or more and 6 MPa or less, and more preferably 2 MPa or more and 5 MPa or less.

また、金属箔の代わりに、本実施形態における積層板の少なくとも一方の面にフィルムを積層してもよい。フィルムとしては、例えばポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリイミド、フッ素系樹脂などを挙げることができる。   Moreover, you may laminate | stack a film on the at least one surface of the laminated board in this embodiment instead of metal foil. Examples of the film include polyethylene, polypropylene, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polyimide, and fluorine resin.

(半導体パッケージ)
つづいて、本実施形態における半導体パッケージ200について説明する。
得られた積層板は、図2に示すような半導体パッケージ200に用いることができる。半導体パッケージ200の製造方法としては、例えば、以下のような方法がある。
積層板213に層間接続用のスルーホール215を形成し、サブトラクティブ工法、セミアディティブ工法などにより配線層を作製する。その後、必要に応じてビルドアップ層(図2では図示しない)を積層して、アディティブ工法により層間接続および回路形成する工程を繰り返す。そして、必要に応じてソルダーレジスト層201を積層して、上記に準じた方法で回路形成し、回路基板が得られる。ここで、一部あるいは全てのビルドアップ層およびソルダーレジスト層201は繊維基材を含んでも構わないし、含まなくても構わない。
(Semiconductor package)
Next, the semiconductor package 200 in the present embodiment will be described.
The obtained laminated plate can be used for a semiconductor package 200 as shown in FIG. As a manufacturing method of the semiconductor package 200, for example, there are the following methods.
A through hole 215 for interlayer connection is formed in the laminate 213, and a wiring layer is manufactured by a subtractive method, a semi-additive method, or the like. Thereafter, build-up layers (not shown in FIG. 2) are stacked as necessary, and the steps of interlayer connection and circuit formation by the additive method are repeated. And if necessary, the solder resist layer 201 is laminated | stacked, and a circuit is formed by the method according to the above, and a circuit board is obtained. Here, some or all of the buildup layers and the solder resist layer 201 may or may not include a fiber base material.

つぎにソルダーレジスト層201全面にフォトレジストを塗布した後に、フォトレジストの一部を除去してソルダーレジスト層201の一部を露出する。なお、ソルダーレジスト層201には、フォトレジストの機能を持ったレジストを使用することもできる。この場合は、フォトレジストの塗布の工程を省略できる。つぎに、露出したソルダーレジスト層の除去をおこなって、開口部209を形成する。   Next, after a photoresist is applied to the entire surface of the solder resist layer 201, a part of the photoresist is removed to expose a part of the solder resist layer 201. Note that a resist having a photoresist function may be used for the solder resist layer 201. In this case, the step of applying a photoresist can be omitted. Next, the exposed solder resist layer is removed to form the opening 209.

つづいて、リフロー処理を行なうことによって、半導体素子203を配線パターンの一部である接続端子205上に半田バンプ207を介して固着させる。その後、半導体素子203、半田バンプ207等を封止材211で封止することによって、図2に示す様な半導体パッケージ200が得られる。   Subsequently, by performing a reflow process, the semiconductor element 203 is fixed to the connection terminal 205 which is a part of the wiring pattern via the solder bump 207. Then, the semiconductor package 203 as shown in FIG. 2 is obtained by sealing the semiconductor element 203, the solder bump 207, etc. with the sealing material 211. Then, as shown in FIG.

(半導体装置)
つづいて、本実施形態における半導体装置300について説明する。
半導体パッケージ200は、図3に示すような半導体装置300に用いることができる。半導体装置300の製造方法としては、とくに限定されないが、例えば以下のような方法がある。
(Semiconductor device)
Next, the semiconductor device 300 in this embodiment will be described.
The semiconductor package 200 can be used in a semiconductor device 300 as shown in FIG. A method for manufacturing the semiconductor device 300 is not particularly limited, and examples thereof include the following methods.

はじめに、得られた半導体パッケージ200のソルダーレジスト層201の開口部209に半田ペーストを供給し、リフロー処理を行なうことによって半田バンプ301を形成する。また、半田バンプ301は、あらかじめ作製した半田ボールを開口部209に取り付けることによっても形成できる。   First, the solder bump 301 is formed by supplying a solder paste to the opening 209 of the solder resist layer 201 of the obtained semiconductor package 200 and performing a reflow process. The solder bump 301 can also be formed by attaching a solder ball prepared in advance to the opening 209.

つぎに、実装基板303の接続端子305と半田バンプ301とを接合することによって半導体パッケージ200を実装基板303に実装し、図3に示した半導体装置300が得られる。   Next, the semiconductor package 200 is mounted on the mounting substrate 303 by bonding the connection terminals 305 and the solder bumps 301 of the mounting substrate 303, and the semiconductor device 300 shown in FIG. 3 is obtained.

以上に説明したように、本実施形態によれば、絶縁信頼性に優れた積層板213用プリプレグ100を提供できる。そして、積層板213を使用した回路基板は、絶縁信頼性に優れたものである。したがって、本実施形態における積層板213は、高密度化、高多層化が要求されるプリント配線板など、絶縁信頼性がより一層要求される用途に好適に用いることができる。   As described above, according to the present embodiment, the prepreg 100 for the laminated plate 213 having excellent insulation reliability can be provided. And the circuit board using the laminated board 213 is excellent in insulation reliability. Therefore, the laminated board 213 in the present embodiment can be suitably used for applications that require further insulation reliability, such as printed wiring boards that require higher density and higher multilayer.

以上、本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。例えば、本実施形態では、プリプレグが1層の場合を示したが、プリプレグ100を1層以上積層したものを用いて積層板を作製してもよい。
また、本実施形態における積層板にビルドアップ層をさらに積層した構成を取ることもできる。また、ビルドアップ層やソルダーレジスト層に使用されるプリプレグにも、本実施形態におけるプリプレグ100を使用してもよい。この場合はより一層絶縁信頼性に優れた半導体パッケージ200および半導体装置300を得ることができる。
As mentioned above, although embodiment of this invention was described, these are illustrations of this invention and various structures other than the above are also employable. For example, in this embodiment, although the case where the prepreg was one layer was shown, you may produce a laminated board using what laminated | stacked the prepreg 100 one or more layers.
Moreover, the structure which laminated | stacked the buildup layer further on the laminated board in this embodiment can also be taken. Moreover, you may use the prepreg 100 in this embodiment also for the prepreg used for a buildup layer or a soldering resist layer. In this case, it is possible to obtain the semiconductor package 200 and the semiconductor device 300 that are further excellent in insulation reliability.

以下、本発明を実施例、参考例、および比較例により説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、実施例では、部はとくに特定しない限り質量部を表す。また、それぞれの厚みは平均膜厚で表わされている。 Hereinafter, although an example , a reference example, and a comparative example explain the present invention, the present invention is not limited to these. In addition, in an Example, unless otherwise specified, a part represents a mass part. Moreover, each thickness is represented by the average film thickness.

実施例、参考例、および比較例では、以下の原料を用いた。
(1)臭素化ビスフェノールA型エポキシ樹脂(三菱化学社製、5047、エポキシ当量560)
(2)ビスフェノールA型エポキシ樹脂(三菱化学社製、828、エポキシ当量190)
(3)ビスフェノールF型エポキシ樹脂(DIC社製、830S、エポキシ当量170)
(4)1,1,2,2−テトラキス(グリシジルフェニル)エタン型エポキシ樹脂(三菱化学社製、1031、エポキシ当量220)
(5)フェノールノボラック樹脂(DIC社製、TD−2090、水酸基当量105)
(6)フェノールアラルキル樹脂(三井化学社製、XLC−LL、水酸基当量175)
(7)ビスフェノールAノボラック樹脂(DIC社製、VH−4170、水酸基当量115)
(8)2-フェニルイミダゾール(四国化成社製)
(9)エポキシシラン(信越シリコーン社製、KBM−403)
(10)溶融シリカ(アドマテックス社製、SO−E2、平均粒径0.5μm)
(11)水酸化アルミニウム(日本軽金属社製、BE−033、平均粒径3.0μm)
(12)ジシアンジアミド(デグサ社製)
(13)4,4'−ジアミノジフェニルメタン(東京化成社製)
In the examples , reference examples, and comparative examples, the following raw materials were used.
(1) Brominated bisphenol A type epoxy resin (Mitsubishi Chemical Corporation, 5047, epoxy equivalent 560)
(2) Bisphenol A type epoxy resin (Mitsubishi Chemical Corporation, 828, epoxy equivalent 190)
(3) Bisphenol F type epoxy resin (DIC, 830S, epoxy equivalent 170)
(4) 1,1,2,2-tetrakis (glycidylphenyl) ethane type epoxy resin (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, 1031, epoxy equivalent 220)
(5) Phenol novolac resin (DIC Corporation, TD-2090, hydroxyl group equivalent 105)
(6) Phenol aralkyl resin (Mitsui Chemicals, XLC-LL, hydroxyl group equivalent 175)
(7) Bisphenol A novolak resin (DIC, VH-4170, hydroxyl group equivalent 115)
(8) 2-Phenylimidazole (manufactured by Shikoku Chemicals)
(9) Epoxysilane (Shin-Etsu Silicone, KBM-403)
(10) Fused silica (manufactured by Admatechs, SO-E2, average particle size 0.5 μm)
(11) Aluminum hydroxide (Nippon Light Metal Co., Ltd., BE-033, average particle size 3.0 μm)
(12) Dicyandiamide (Degussa)
(13) 4,4′-diaminodiphenylmethane (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.)

(実施例1)
以下の手順を用いて、本発明における積層板を作製した。
Example 1
The laminated board in this invention was produced using the following procedures.

1.樹脂組成物のワニスの調製
臭素化ビスフェノールA型エポキシ樹脂(三菱化学社製、5047、エポキシ当量560)を28.1質量部、ビスフェノールA型エポキシ樹脂(三菱化学社製、828、エポキシ当量190)を20.0質量部、フェノールノボラック樹脂(DIC社製、TD−2090、水酸基当量105)を16.3質量部、2-フェニルイミダゾール(四国化成社製)を0.03質量部、エポキシシラン(信越シリコーン社製、KBM−403)を0.8質量部、溶融シリカ(アドマテックス社製、SO−E2、平均粒径0.5μm)を1.5質量部、水酸化アルミニウム(日本軽金属社製、BE−033、平均粒径3.0μm)を33.3質量部に、メチルエチルケトン28.0質量部を加え、高速撹拌装置を用い撹拌して、樹脂組成物が固形分基準で78質量%の樹脂ワニスを得た。また、上述した理論窒素含有量を算出した。なお、実施例1においては、化学式中に窒素原子が含まれる成分は2-フェニルイミダゾールである。
1. Preparation of varnish of resin composition 28.1 parts by mass of brominated bisphenol A type epoxy resin (Mitsubishi Chemical Corporation, 5047, epoxy equivalent 560), bisphenol A type epoxy resin (Mitsubishi Chemical Corporation, 828, epoxy equivalent 190) 20.0 parts by mass, phenol novolac resin (manufactured by DIC, TD-2090, hydroxyl equivalent 105) 16.3 parts by mass, 2-phenylimidazole (manufactured by Shikoku Chemicals) 0.03 parts by mass, epoxy silane ( 0.8 parts by mass of Shin-Etsu Silicone, KBM-403), 1.5 parts by mass of fused silica (manufactured by Admatechs, SO-E2, average particle size 0.5 μm), aluminum hydroxide (manufactured by Nippon Light Metal Co., Ltd.) , BE-033, average particle size 3.0 μm) is added to 33.3 parts by mass, 28.0 parts by mass of methyl ethyl ketone is added, and the mixture is stirred using a high-speed agitator. A resin varnish having a resin composition based on solid content of 78% by mass was obtained. Moreover, the theoretical nitrogen content mentioned above was computed. In Example 1, the component containing a nitrogen atom in the chemical formula is 2-phenylimidazole.

2.プリプレグの製造
上述のワニスを用いて、ガラス織布(厚さ0.16mm、坪量208.0g/m、通気度5.1cm/cm/sec、日東紡マカオ社製)208.0質量部に対して、ワニスを樹脂組成物の固形分で192.0質量部含浸させて、180℃の乾燥炉で5分間乾燥させ、樹脂組成物含有量48.0質量%のプリプレグを作製した。
ガラス織布の通気度は、試料を200mm×500mmにカットし、フラジール測定器(大栄科学社製AP−360S)を用いて、水の圧力降下が1.27cmのときの1平方cmあたり、1秒間に布を通過する空気量として求めた。
2. Production of prepreg Glass woven fabric (thickness 0.16 mm, basis weight 208.0 g / m 2 , air permeability 5.1 cm 3 / cm 2 / sec, manufactured by Nittobo Macao Co., Ltd.) 208.0 using the varnish described above. A prepreg having a resin composition content of 48.0% by mass was obtained by impregnating 192.0 parts by mass of the varnish with a solid content of the resin composition with respect to parts by mass and drying it in a drying furnace at 180 ° C. for 5 minutes. .
The air permeability of the glass woven fabric is as follows: a sample is cut into 200 mm × 500 mm, and a fragile measuring instrument (AP-360S manufactured by Daiei Scientific Co., Ltd.) is used. The amount of air passing through the cloth per second was obtained.

3.積層板の製造
上記プリプレグを4枚重ね、上下に厚さ18μmの電解銅箔(古河サーキットホイル社製、GTSMP)を重ねて、圧力4MPa、温度200℃で180分間加熱加圧成形を行い、厚さ0.8mmの両面銅張積層板を得た。
3. Manufacture of laminates 4 prepregs are stacked, 18 μm thick electrolytic copper foil (FTS made by Furukawa Circuit Foil Co., Ltd., GTSMP) is stacked on top and bottom, and heat press molding is performed at a pressure of 4 MPa and a temperature of 200 ° C. for 180 minutes. A double-sided copper clad laminate having a thickness of 0.8 mm was obtained.

4.プリント配線板の製造
上記で得られた両面銅張積層板に、65μmのドリルビットを用いてスルーホール加工を行った後、70℃の膨潤液(アトテックジャパン社製、スウェリングディップセキュリガントP)に5分間浸漬し、さらに80℃の過マンガン酸カリウム水溶液(アトテックジャパン社製、コンセントレートコンパクトCP)に15分浸漬後、中和してスルーホール内のデスミア処理を行った。次に、フラッシュエッチングにより電解銅箔層表面を1μm程度エッチングした後、無電解銅メッキを厚さ0.5μm形成し、電解銅メッキ用レジスト層を厚さ18μm形成し、パターン銅メッキし、温度200℃、60分間加熱してポストキュアした。次いで、メッキレジストを剥離し全面をフラッシュエッチングして、L/S=75/75μmのパターンを形成した。最後に回路表面にソルダーレジスト(太陽インキ社製PSR4000/AUS308)を厚さ20μm形成し、両面プリント配線板を得た。
4). Manufacture of printed wiring board After performing through-hole processing on the double-sided copper-clad laminate obtained above using a 65 μm drill bit, a swelling solution at 70 ° C. (Swelling Dip Securigant P, manufactured by Atotech Japan) For 5 minutes, and further immersed in an aqueous solution of potassium permanganate at 80 ° C. (Atotech Japan Co., Ltd., Concentrate Compact CP) for 15 minutes, followed by neutralization and desmear treatment in the through hole. Next, after the surface of the electrolytic copper foil layer is etched by about 1 μm by flash etching, an electroless copper plating is formed to a thickness of 0.5 μm, a resist layer for electrolytic copper plating is formed to a thickness of 18 μm, and pattern copper plating is performed. The film was post-cured by heating at 200 ° C. for 60 minutes. Next, the plating resist was removed and the entire surface was flash etched to form a pattern of L / S = 75/75 μm. Finally, a solder resist (PSR4000 / AUS308 manufactured by Taiyo Ink Co., Ltd.) having a thickness of 20 μm was formed on the circuit surface to obtain a double-sided printed wiring board.

(実施例2〜4、実施例6〜、参考例および比較例1〜8)
表1および表2に記載の配合表に従い樹脂ワニスを調製した以外は、実施例1と同様に樹脂ワニスを調製し、プリプレグ、積層板、プリント配線板を作製した。
また、各実施例、参考例および比較例により得られたプリプレグおよびプリント配線板について、次の各評価を行った。評価結果を表1に示す。
(Examples 2 to 4, Examples 6 to 9 , Reference Examples and Comparative Examples 1 to 8)
A resin varnish was prepared in the same manner as in Example 1 except that a resin varnish was prepared according to the recipe shown in Table 1 and Table 2, and a prepreg, a laminate, and a printed wiring board were produced.
In addition, the following evaluations were performed on the prepregs and printed wiring boards obtained in the examples , reference examples, and comparative examples. The evaluation results are shown in Table 1.

1.プリプレグの評価
(1)樹脂だまりの発生状況
各実施例、参考例、及び各比較例で得られたプリプレグ表面の樹脂だまりの発生状況を目視により評価した。樹脂だまりが確認されなかったものを「異常なし」とし、ガラス織布の毛羽によってプリプレグ表面に樹脂だまりが確認されたものを「あり」とした。
(2)プリプレグ中の窒素含有量の測定
プリプレグ中の窒素含有量は、以下の方法で測定した。
窒素含有量は、有機元素分析装置(パーキンエルマー2400IICHNS)を用いて、以下のようにして測定した。プリプレグを20mgとり、スズボードに包み込み、これを装置にセットし、燃焼管に落下させ、酸素中で1000℃で燃焼させ、発生した窒素ガスを、熱伝導度検出器で検出した。
1. Evaluation of prepreg (1) Occurrence of resin pools The occurrence of resin pools on the prepreg surface obtained in each of the Examples , Reference Examples, and Comparative Examples was visually evaluated. A resin puddle was confirmed as “no abnormality”, and a glass pavement fluff confirmed as having a resin puddle on the prepreg surface was “present”.
(2) Measurement of nitrogen content in prepreg The nitrogen content in the prepreg was measured by the following method.
The nitrogen content was measured as follows using an organic element analyzer (Perkin Elmer 2400IICHNS). 20 mg of the prepreg was taken and wrapped in a tin board, which was set in an apparatus, dropped into a combustion tube, burned in oxygen at 1000 ° C., and the generated nitrogen gas was detected with a thermal conductivity detector.

2.プリント配線板の評価
(1)半田耐熱性
上記実施例、参考例、及び比較例で得られたプリント配線板を、50mm×50mmにグラインダーソーで切断し、85℃85%で96時間処理したのち、260℃の半田槽にサンプルを30秒間浸漬した後で外観の異常の有無を調べた。
評価基準:異常なし
:膨れあり(全体的に膨れの箇所がある)
2. Evaluation of Printed Wiring Board (1) Solder heat resistance After the printed wiring boards obtained in the above Examples , Reference Examples and Comparative Examples were cut into 50 mm × 50 mm with a grinder saw and treated at 85 ° C. and 85% for 96 hours. After the sample was immersed in a solder bath at 260 ° C. for 30 seconds, the presence or absence of abnormal appearance was examined.
Evaluation criteria: No abnormality
: Swelled (there is a swelled area as a whole)

(2)耐マイグレーション性
上記実施例、参考例、及び比較例で得られたプリント配線板のスルーホール部分に85℃85%条件下で50V印加し、300時間処理後の絶縁抵抗を測定した。なお、スルーホールとスルーホールの壁間の距離は0.35μmである。ここで、10−8Ω以下に絶縁低下したものを「絶縁低下」とした。
(2) Migration resistance 50V was applied to the through-hole part of the printed wiring board obtained by the said Example , reference example, and the comparative example on 85 degreeC85% conditions, and the insulation resistance after 300-hour processing was measured. The distance between the through hole and the wall of the through hole is 0.35 μm. Here, the insulation lowered to 10 −8 Ω or less was defined as “insulation lowered”.

3.評価結果
表1から明らかなように、実施例1〜4、実施例6〜、および参考例は樹脂だまりがなく、プリント配線板の半田耐熱性や耐マイグレーション性に優れていた。
3. Evaluation Results As is clear from Table 1, Examples 1-4, Examples 6-9 , and Reference Example were free from resin and had excellent printed circuit board solder heat resistance and migration resistance.

比較例1はガラス織布の通気度が小さいものを使用したため、樹脂だまりが発生した。
比較例2、3は溶媒に窒素を含むものを使用したため、半田耐熱性および耐マイグレーション性が悪化した。
比較例4、6、7は硬化剤に窒素を含むものを使用したため、耐マイグレーション性が悪化した。
比較例5はガラス織布の通気度が小さいものを使用したため、硬化剤に窒素を含むものを使用したがマイグレーションは発生しなかった。しかしながら、ガラス織布の通気度が小さいものを使用したため、樹脂だまりが発生した。
比較例8はガラス織布の通気度が30cm/cm/secを超えるものを使用したため耐マイグレーション性が悪化した。
Since Comparative Example 1 used a glass woven fabric having a low air permeability, a resin pool was generated.
Since Comparative Examples 2 and 3 used nitrogen as a solvent, solder heat resistance and migration resistance deteriorated.
Since Comparative Examples 4, 6, and 7 used nitrogen containing curing agents, the migration resistance deteriorated.
In Comparative Example 5, since a glass woven fabric having a low air permeability was used, a hardener containing nitrogen was used, but no migration occurred. However, since a glass woven fabric having a low air permeability was used, resin accumulation occurred.
Since Comparative Example 8 used a glass woven fabric having an air permeability exceeding 30 cm 3 / cm 2 / sec, the migration resistance deteriorated.

Figure 0005696786
Figure 0005696786

Figure 0005696786
Figure 0005696786

この出願は、2011年6月28日に出願された日本出願特願2011−142630号を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。   This application claims the priority on the basis of Japanese application Japanese Patent Application No. 2011-142630 for which it applied on June 28, 2011, and takes in those the indications of all here.

Claims (11)

エポキシ樹脂とエポキシ樹脂硬化剤とを含む樹脂組成物を、繊維基材に含浸して得られるプリプレグであって、
当該プリプレグ中の窒素含有量が0.0024質量%以下であり、
前記繊維基材の通気度が3.0cm/cm/sec以上30.0cm/cm/sec以下である、プリプレグ。
A prepreg obtained by impregnating a fiber base material with a resin composition containing an epoxy resin and an epoxy resin curing agent,
The nitrogen content in the prepreg is 0.0024 % by mass or less,
The air permeability of the fibrous base material is not more than 3.0cm 3 / cm 2 / sec or more 30.0cm 3 / cm 2 / sec, the prepreg.
前記樹脂組成物は、さらに硬化触媒を含む、請求項1に記載のプリプレグ。   The prepreg according to claim 1, wherein the resin composition further contains a curing catalyst. 前記硬化触媒が、イミダゾール化合物を含む、請求項2に記載のプリプレグ。   The prepreg according to claim 2, wherein the curing catalyst contains an imidazole compound. 前記繊維基材の坪量が、145g/m以上300g/m以下である、請求項1乃至3いずれか一項に記載のプリプレグ。 The basis weight of the fiber substrate, is 145 g / m 2 or more 300 g / m 2 or less, prepreg according to any one of claims 1 to 3. 前記繊維基材の厚みが、50μm以上300μm以下である、請求項1乃至4いずれか一項に記載のプリプレグ。   The prepreg as described in any one of Claims 1 thru | or 4 whose thickness of the said fiber base material is 50 micrometers or more and 300 micrometers or less. 前記繊維基材が、ガラス繊維基材である、請求項1乃至5いずれか一項に記載のプリプレグ。   The prepreg according to any one of claims 1 to 5, wherein the fiber base material is a glass fiber base material. 請求項1乃至6いずれか一項に記載のプリプレグの硬化体を含む、積層板。   A laminated board comprising the cured body of the prepreg according to any one of claims 1 to 6. 請求項7に記載の積層板を回路加工して得られる回路基板に半導体素子を搭載してなる、半導体パッケージ。   A semiconductor package comprising a semiconductor element mounted on a circuit board obtained by processing a circuit board of the laminated board according to claim 7. エポキシ樹脂とエポキシ樹脂硬化剤と溶媒とを含む樹脂ワニスを、繊維基材に含浸してプリプレグを得る工程と、
前記プリプレグを加熱してプリプレグの硬化体を得る工程と
をおこない、その後、
レーザーによりビアを形成する工程をおこなう積層板の製造方法であって、
前記樹脂ワニス中の理論窒素含有量が0.005質量%以下であり、
前記繊維基材の通気度が3.0cm/cm/sec以上30.0cm/cm/sec以下である、積層板の製造方法。
A step of impregnating a fiber base material with a resin varnish containing an epoxy resin, an epoxy resin curing agent and a solvent to obtain a prepreg;
Heating the prepreg to obtain a cured product of the prepreg, and then
A method of manufacturing a laminated board that performs a step of forming a via with a laser,
The theoretical nitrogen content in the resin varnish is 0.005 % by mass or less,
The air permeability of the fibrous base material is not more than 3.0cm 3 / cm 2 / sec or more 30.0cm 3 / cm 2 / sec, the production method of the laminated board.
請求項9に記載の積層板の製造方法であって、
前記エポキシ樹脂硬化剤は、化学式中に窒素原子を含まない有機化合物である、積層板の製造方法。
It is a manufacturing method of the laminated board of Claim 9, Comprising:
The said epoxy resin hardening | curing agent is a manufacturing method of a laminated board which is an organic compound which does not contain a nitrogen atom in chemical formula.
請求項9または10に記載の積層板の製造方法であって、
前記溶媒は、化学式中に窒素原子を含まない有機化合物である、積層板の製造方法。
It is a manufacturing method of the laminated board of Claim 9 or 10,
The said solvent is a manufacturing method of a laminated board which is an organic compound which does not contain a nitrogen atom in chemical formula.
JP2013522710A 2011-06-28 2012-06-05 Prepreg, laminated board, semiconductor package, and laminated board manufacturing method Expired - Fee Related JP5696786B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013522710A JP5696786B2 (en) 2011-06-28 2012-06-05 Prepreg, laminated board, semiconductor package, and laminated board manufacturing method

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011142630 2011-06-28
JP2011142630 2011-06-28
JP2013522710A JP5696786B2 (en) 2011-06-28 2012-06-05 Prepreg, laminated board, semiconductor package, and laminated board manufacturing method
PCT/JP2012/003671 WO2013001726A1 (en) 2011-06-28 2012-06-05 Prepreg, laminated plate, semiconductor package, and method for producing laminated plate

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2013001726A1 JPWO2013001726A1 (en) 2015-02-23
JP5696786B2 true JP5696786B2 (en) 2015-04-08

Family

ID=47423658

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013522710A Expired - Fee Related JP5696786B2 (en) 2011-06-28 2012-06-05 Prepreg, laminated board, semiconductor package, and laminated board manufacturing method

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP5696786B2 (en)
KR (1) KR101574907B1 (en)
CN (1) CN103649185B (en)
TW (1) TW201315767A (en)
WO (1) WO2013001726A1 (en)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105006436A (en) * 2015-06-05 2015-10-28 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 Apparatus improving the preparation yield rate of micro-bumps and micro-bump preparation process
JP7062331B2 (en) * 2017-11-16 2022-05-06 株式会社ディスコ Manufacturing method of core material and manufacturing method of copper-clad laminate
US10796998B1 (en) 2019-04-10 2020-10-06 Gan Systems Inc. Embedded packaging for high voltage, high temperature operation of power semiconductor devices
EP4026865B1 (en) * 2019-09-06 2023-08-09 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Resin composition, prepreg, resin-equipped film, resin-equipped metal foil, metal-cladded laminated plate, and printed wiring board
CN111303788A (en) * 2020-02-25 2020-06-19 深圳赛兰仕科创有限公司 High-frequency composite material and preparation method thereof
US11342248B2 (en) 2020-07-14 2022-05-24 Gan Systems Inc. Embedded die packaging for power semiconductor devices

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0759626B2 (en) * 1989-07-12 1995-06-28 日立化成工業株式会社 Epoxy resin composition for printed wiring board
JPH06316643A (en) * 1993-05-07 1994-11-15 Hitachi Chem Co Ltd Production of prepreg
JPH10279779A (en) * 1997-04-07 1998-10-20 Hitachi Chem Co Ltd Epoxy resin composition for printed circuit board and prepreg and metal-clad laminated board produced by using the composition
JP4348785B2 (en) * 1999-07-29 2009-10-21 三菱瓦斯化学株式会社 High elastic modulus glass cloth base thermosetting resin copper clad laminate
JP2002003626A (en) * 2000-06-19 2002-01-09 Shin Kobe Electric Mach Co Ltd Epoxy resin composition for impregnation of organic fiber base material and prepreg made of it, laminated plate and printed wiring board
JP2002003627A (en) * 2000-06-21 2002-01-09 Matsushita Electric Works Ltd Prepreg and laminated plate for lazer processing by using it
JP2003147051A (en) * 2001-11-09 2003-05-21 Hitachi Chem Co Ltd Resin composition, method for producing the same, and prepreg for printed wiring board using the same
JP2003213021A (en) * 2002-01-18 2003-07-30 Hitachi Chem Co Ltd Prepreg, metal-clad laminated plate and printed wiring plate using the same
JP2006310572A (en) * 2005-04-28 2006-11-09 Hitachi Chem Co Ltd Method of manufacturing printed circuit board
JP5260458B2 (en) * 2009-09-25 2013-08-14 パナソニック株式会社 Epoxy resin composition for prepreg and prepreg, laminate and multilayer board using the same

Also Published As

Publication number Publication date
KR20140027493A (en) 2014-03-06
CN103649185B (en) 2017-06-09
WO2013001726A1 (en) 2013-01-03
TW201315767A (en) 2013-04-16
CN103649185A (en) 2014-03-19
KR101574907B1 (en) 2015-12-04
JPWO2013001726A1 (en) 2015-02-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101482299B1 (en) Resin composition, resin sheet, prepreg, laminate, multilayer printed wiring board, and semiconductor device
JP6217165B2 (en) Prepreg with primer layer, metal foil with primer layer, metal-clad laminate, printed wiring board, semiconductor package and semiconductor device
JP5493853B2 (en) Epoxy resin composition, prepreg, laminate, multilayer printed wiring board, semiconductor device, insulating resin sheet, and method for producing multilayer printed wiring board
JP5692201B2 (en) Thermosetting resin composition, and prepreg, laminate and multilayer printed wiring board using the same
JP5696786B2 (en) Prepreg, laminated board, semiconductor package, and laminated board manufacturing method
JP5445442B2 (en) Resin composition for printed wiring board, prepreg, laminate, resin sheet, printed wiring board, and semiconductor device
JP2010174242A (en) Biphenyl aralkyl type cyanate ester resin, resin composition containing biphenyl aralkyl type cyanate ester resin, and prepreg, laminated plate, resin sheet, multilayer printed wiring board, and semiconductor device obtained using the resin composition
JP2018199797A (en) Thermosetting resin composition, resin film with carrier, prepreg, printed wiring board, and semiconductor device
JP2017206578A (en) Thermosetting resin composition, carrier-attached resin film, prepreg, metal-clad laminate, resin substrate, printed wiring board, and semiconductor device
JP2012131947A (en) Resin composition for printed wiring board, prepreg, metal-clad laminate, resin sheet, printed wiring board, and semiconductor device
JP5157103B2 (en) Prepreg, substrate and semiconductor device
JP5737028B2 (en) Pre-preg for printed wiring board, laminated board, printed wiring board, and semiconductor package
JP5594128B2 (en) Resin composition for printed wiring board, prepreg, laminate, resin sheet, printed wiring board, and semiconductor device
JP6428638B2 (en) Metal-clad laminate, circuit board, and electronic device
JP5245253B2 (en) Resin composition, insulating resin sheet with film or metal foil, multilayer printed wiring board, and semiconductor device
JP2012131946A (en) Resin composition for printed wiring board, prepreg, laminate, resin sheet, printed wiring board, and semiconductor device
JP5515225B2 (en) Multilayer printed wiring board and semiconductor device
WO2015072261A1 (en) Resin-layer-equipped carrier material, laminate, circuit board, and electronic device
JP2011099072A (en) Resin composition, insulating layer, prepreg, laminate, print wiring board and semiconductor device
JP4840303B2 (en) Insulated resin sheet with glass fiber woven fabric, laminated board, multilayer printed wiring board, and semiconductor device
JP2009067852A (en) Insulation resin sheet impregnated with glass fiber woven fabric, laminated plate, multilayered printed wiring board, and semiconductor device
JP2012158645A (en) Epoxy resin composition for printed wiring board, prepreg, metal-clad laminate, resin sheet, printed wiring board, and semiconductor device
JP5929639B2 (en) Cyanate ester compound, resin composition, prepreg, laminate, resin sheet, multilayer printed wiring board, and semiconductor device
JP2015086293A (en) Prepreg and multilayer printed wiring board
JP2013057065A (en) Prepreg, substrate, and semiconductor device

Legal Events

Date Code Title Description
TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20150113

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20150126

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5696786

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees