KR101574907B1 - Prepreg, laminated plate, semiconductor package and method for manufacturing laminated plate - Google Patents

Prepreg, laminated plate, semiconductor package and method for manufacturing laminated plate Download PDF

Info

Publication number
KR101574907B1
KR101574907B1 KR1020147001652A KR20147001652A KR101574907B1 KR 101574907 B1 KR101574907 B1 KR 101574907B1 KR 1020147001652 A KR1020147001652 A KR 1020147001652A KR 20147001652 A KR20147001652 A KR 20147001652A KR 101574907 B1 KR101574907 B1 KR 101574907B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
prepreg
resin
less
epoxy resin
mass
Prior art date
Application number
KR1020147001652A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20140027493A (en
Inventor
미츠오 다카타니
다카유키 바바
아키히코 도비사와
Original Assignee
스미또모 베이크라이트 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 스미또모 베이크라이트 가부시키가이샤 filed Critical 스미또모 베이크라이트 가부시키가이샤
Publication of KR20140027493A publication Critical patent/KR20140027493A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101574907B1 publication Critical patent/KR101574907B1/en

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08JWORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J5/00Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
    • C08J5/24Impregnating materials with prepolymers which can be polymerised in situ, e.g. manufacture of prepregs
    • C08J5/241Impregnating materials with prepolymers which can be polymerised in situ, e.g. manufacture of prepregs using inorganic fibres
    • C08J5/244Impregnating materials with prepolymers which can be polymerised in situ, e.g. manufacture of prepregs using inorganic fibres using glass fibres
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/03Use of materials for the substrate
    • H05K1/0313Organic insulating material
    • H05K1/0353Organic insulating material consisting of two or more materials, e.g. two or more polymers, polymer + filler, + reinforcement
    • H05K1/0366Organic insulating material consisting of two or more materials, e.g. two or more polymers, polymer + filler, + reinforcement reinforced, e.g. by fibres, fabrics
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B17/00Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres
    • B32B17/02Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres in the form of fibres or filaments
    • B32B17/04Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres in the form of fibres or filaments bonded with or embedded in a plastic substance
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/04Layered products comprising a layer of synthetic resin as impregnant, bonding, or embedding substance
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/38Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising epoxy resins
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08JWORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J5/00Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
    • C08J5/24Impregnating materials with prepolymers which can be polymerised in situ, e.g. manufacture of prepregs
    • C08J5/249Impregnating materials with prepolymers which can be polymerised in situ, e.g. manufacture of prepregs characterised by the additives used in the prepolymer mixture
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00Use of organic ingredients
    • C08K5/0008Organic ingredients according to more than one of the "one dot" groups of C08K5/01 - C08K5/59
    • C08K5/0025Crosslinking or vulcanising agents; including accelerators
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00Use of organic ingredients
    • C08K5/16Nitrogen-containing compounds
    • C08K5/34Heterocyclic compounds having nitrogen in the ring
    • C08K5/3442Heterocyclic compounds having nitrogen in the ring having two nitrogen atoms in the ring
    • C08K5/3445Five-membered rings
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K7/00Use of ingredients characterised by shape
    • C08K7/02Fibres or whiskers
    • C08K7/04Fibres or whiskers inorganic
    • C08K7/14Glass
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L63/00Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H01L23/14Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
    • H01L23/145Organic substrates, e.g. plastic
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2262/00Composition or structural features of fibres which form a fibrous or filamentary layer or are present as additives
    • B32B2262/10Inorganic fibres
    • B32B2262/101Glass fibres
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2305/00Condition, form or state of the layers or laminate
    • B32B2305/07Parts immersed or impregnated in a matrix
    • B32B2305/076Prepregs
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2457/00Electrical equipment
    • B32B2457/08PCBs, i.e. printed circuit boards
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08JWORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J2363/00Characterised by the use of epoxy resins; Derivatives of epoxy resins
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K2201/00Specific properties of additives
    • C08K2201/002Physical properties
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49822Multilayer substrates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49827Via connections through the substrates, e.g. pins going through the substrate, coaxial cables
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10227Other objects, e.g. metallic pieces
    • H05K2201/10378Interposers

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Reinforced Plastic Materials (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Treatments For Attaching Organic Compounds To Fibrous Goods (AREA)

Abstract

본 발명의 프리프레그 (100) 는, 에폭시 수지와 에폭시 수지 경화제를 함유하는 수지 조성물을 섬유 기재 (101) 에 함침시켜 얻어진다. 그리고, 프리프레그 (100) 중의 질소 함유량은 0.10 질량% 이하이고, 섬유 기재 (101) 의 통기도는 3.0 ㎤/㎠/sec 이상 30.0 ㎤/㎠/sec 이하이다.The prepreg 100 of the present invention is obtained by impregnating a fiber substrate 101 with a resin composition containing an epoxy resin and an epoxy resin curing agent. The nitrogen content in the prepreg 100 is 0.10 mass% or less, and the air permeability of the fibrous substrate 101 is 3.0 cm 3 / cm 2 / sec or more and 30.0 cm 3 / cm 2 / sec or less.

Description

프리프레그, 적층판, 반도체 패키지 및 적층판의 제조 방법{PREPREG, LAMINATED PLATE, SEMICONDUCTOR PACKAGE AND METHOD FOR MANUFACTURING LAMINATED PLATE}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a prepreg, a laminate, a semiconductor package, and a manufacturing method of the laminate,

본 발명은 프리프레그, 적층판, 반도체 패키지 및 적층판의 제조 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a prepreg, a laminate, a semiconductor package, and a method of manufacturing a laminate.

최근의 전자 기기의 고기능화 및 경박단소화의 요구에 수반하여, 이들 전자 기기에 사용되는 반도체 장치의 소형화가 급속히 진행되고 있다.BACKGROUND ART [0002] With the recent demand for high-performance and thin-shortening of electronic devices, miniaturization of semiconductor devices used in these electronic devices is rapidly proceeding.

한편, 반도체 장치를 소형화할 때에는, 사용하는 회로 기판을 고밀도로 할 필요가 있기 때문에, 회로간의 접속을 위해서 뚫려 있던 스루홀의 수는 종래에 비해서 증가되고, 홀 밀도가 높아지게 된다. 홀 밀도가 높아지면 스루홀의 벽간 거리가 가까워지기 때문에, 섬유 기재의 단 (單) 섬유를 따라서 금속 이온이 이행되어 회로를 단락시키는 이온 마이그레이션이 발생되기 쉬워진다. 이 이온 마이그레이션이 발생되면 회로 기판의 절연 신뢰성이 저하되어 버린다 (예를 들어, 특허문헌 1, 2 참조).On the other hand, when miniaturizing a semiconductor device, it is necessary to increase the density of the circuit board to be used. Therefore, the number of through holes that are pierced for connection between circuits increases and the hole density increases. As the hole density becomes higher, the distance between the walls of the through holes becomes close to each other, so that metal ions are shifted along the single fibers of the fiber base material, and ion migration which short circuits the circuit is likely to occur. If this ion migration occurs, the insulation reliability of the circuit board is lowered (see, for example, Patent Documents 1 and 2).

특허문헌 3 (일본 공개특허공보 2004-149577호) 에는, 유리 클로스 (cloth) 에 대해서 편평 가공과 개섬 가공 중 적어도 일방의 처리를 행함으로써 통기도를 2 ∼ 4 ㎤/㎠/sec 로 한 기재에 열경화성 수지 조성물을 함침시키고, 이 열경화성 수지 조성물을 B 스테이지 상태로 하여 이루어지는 프리프레그가 기재되어 있다.Patent Document 3 (Japanese Unexamined Patent Publication (Kokai) No. 2004-149577) discloses a method for producing a thermosetting resin composition, which has a degree of air permeability of 2 to 4 cm 3 / cm 2 / sec by subjecting a glass cloth to at least one of a flattening process and a carding process, A resin composition is impregnated, and the thermosetting resin composition is put into a B-stage state.

이와 같은 프리프레그를 사용한 적층판은, 열경화성 수지 조성물의 섬유 기재에 대한 함침성이 향상되기 때문에 적층판의 강도가 균일화된다. 그 때문에, 천공 가공에 의해서 형성되는 구멍의 내벽을 매끄럽게 형성할 수 있고, 홀 밀도가 높아져 스루홀의 벽간 거리가 가까워져도 이온 마이그레이션의 발생을 억제할 수 있다고 기재되어 있다.In the laminate using such a prepreg, the impregnation property of the thermosetting resin composition to the fiber substrate is improved, so that the strength of the laminate is made uniform. Therefore, it is described that the inner wall of the hole formed by the drilling process can be formed smoothly, and the occurrence of ion migration can be suppressed even if the hole density becomes high and the distance between the walls of the through hole becomes close to each other.

또 개섬 처리에 의해서 유리 섬유사가 공간적으로 확대되어 유리 섬유에 대한 함침성이 향상되어 보이드가 감소되기 때문에, 마이그레이션의 발생을 억제할 수 있다고 기재되어 있다.In addition, it is described that the glass fiber yarn is spatially expanded by the carding process to improve the impregnation property with respect to the glass fiber, thereby reducing voids, thereby suppressing the occurrence of migration.

일본 공개특허공보 2004-322364호Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-322364 일본 공개특허공보 평6-316643호Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-316643 일본 공개특허공보 2004-149577호Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-149577

그러나, 유리 클로스 등의 섬유 기재에 대해서 상기의 편평 가공이나 개섬 가공을 행하면, 섬유 기재가 보풀이 일어나 버리는 경우가 있었다. 섬유 기재 상에 보풀이 발생되면, 섬유 기재의 강도가 저하되거나 보풀의 돌기된 부분에서 수지 고임이 발생되어 프리프레그의 표면이 거칠어지거나 한다.However, when the above-mentioned flattening or carding is performed on a fiber base material such as a glass cloth, the fiber base material may cause fluff. When napping is generated on the fibrous substrate, the strength of the fibrous base material is lowered, or the resin protrusion is generated in the protruded portion of the napping, resulting in a rough surface of the prepreg.

따라서, 상기의 특허문헌 3 과 같은 섬유 기재를 가공하여 적층판의 절연 신뢰성을 향상시키는 기술은, 절연 신뢰성을 향상시키는데 있어서는 효과적이었지만, 수율면에서는 여전히 개선의 여지가 있었다.Therefore, the technique of improving the insulation reliability of the laminated board by processing the fiber base material as in Patent Document 3 described above was effective in improving the insulation reliability, but there was still room for improvement in terms of the yield.

그래서, 본 발명에서는 절연 신뢰성이 우수한 적층판을 얻을 수 있고, 또한 수율이 양호한 프리프레그를 제공하는 것을 과제로 한다.Therefore, it is an object of the present invention to provide a prepreg in which a laminated board excellent in insulation reliability can be obtained and a yield is good.

본 발명자들은 이온 마이그레이션이 발생되는 메커니즘에 대해서 예의 연구하였다. 그 결과, 프리프레그 중의 질소 함유량을 0.10 질량% 이하까지 저감시키면, 내이온 마이그레이션성이 향상되는 것을 알아내었다.The present inventors have intensively studied the mechanism by which ion migration occurs. As a result, it was found that when the nitrogen content in the prepreg was reduced to 0.10 mass% or less, the ion migration resistance was improved.

즉, 본 발명에 의하면, That is, according to the present invention,

에폭시 수지와 에폭시 수지 경화제를 함유하는 수지 조성물을 섬유 기재에 함침시켜 얻어지는 프리프레그로서, A prepreg obtained by impregnating a fiber substrate with a resin composition containing an epoxy resin and an epoxy resin curing agent,

당해 프리프레그 중의 질소 함유량이 0.10 질량% 이하이고, The nitrogen content in the prepreg is 0.10 mass% or less,

상기 섬유 기재의 통기도가 3.0 ㎤/㎠/sec 이상 30.0 ㎤/㎠/sec 이하인 프리프레그가 제공된다.Wherein the fiber substrate has an air permeability of 3.0 cm 3 / cm 2 / sec or more and 30.0 cm 3 / cm 2 / sec or less.

이 발명에 의하면, 질소 함유량이 0.10 질량% 이하인 상기 프리프레그를 사용함으로써, 상기의 통기도를 갖는 섬유 기재를 사용해도 적층판의 내이온 마이그레이션성을 향상시킬 수 있다. 또, 상기의 통기도를 갖는 섬유 기재는 보풀이 일어나는 것의 발생이 억제되어 프리프레그의 수율을 개선할 수 있다.According to the present invention, by using the above-mentioned prepreg having a nitrogen content of 0.10 mass% or less, it is possible to improve the ion migration resistance of the laminated sheet even if a fiber base material having the aforementioned air permeability is used. In addition, in the above-described fiber substrate having air permeability, generation of fluffs is suppressed, and the yield of the prepreg can be improved.

또한, 본 발명에 의하면, Further, according to the present invention,

상기 프리프레그의 경화체를 포함하는 적층판이 제공된다.There is provided a laminate including the cured product of the prepreg.

또한, 본 발명에 의하면, Further, according to the present invention,

상기 적층판을 회로 가공하여 얻어지는 회로 기판에 반도체 소자를 탑재하여 이루어지는 반도체 패키지가 제공된다.There is provided a semiconductor package in which a semiconductor element is mounted on a circuit board obtained by circuit processing the laminated board.

또한, 본 발명에 의하면, Further, according to the present invention,

에폭시 수지와 에폭시 수지 경화제와 용매를 함유하는 수지 바니시를 섬유 기재에 함침시켜 프리프레그를 얻는 공정과, A step of impregnating a fiber substrate with a resin varnish containing an epoxy resin, an epoxy resin curing agent and a solvent to obtain a prepreg;

상기 프리프레그를 가열하여 프리프레그의 경화체를 얻는 공정, A step of heating the prepreg to obtain a cured product of the prepreg,

을 행하고, 그 후, And then,

레이저에 의해서 비아를 형성하는 공정을 행하는 적층판의 제조 방법으로서, A manufacturing method of a laminated board for performing a step of forming a via by a laser,

상기 수지 바니시 중의 이론 질소 함유량이 0.50 질량% 이하이고, The resin varnish has a theoretical nitrogen content of 0.50 mass% or less,

상기 섬유 기재의 통기도가 3.0 ㎤/㎠/sec 이상 30.0 ㎤/㎠/sec 이하인 적층판의 제조 방법이 제공된다.Wherein the air permeability of the fiber substrate is 3.0 cm 3 / cm 2 / sec or more and 30.0 cm 3 / cm 2 / sec or less.

본 발명에 의하면 절연 신뢰성이 우수한 적층판을 얻을 수 있고, 또한 수율이 양호한 프리프레그를 제공할 수 있다.According to the present invention, it is possible to obtain a laminated board having excellent insulation reliability, and to provide a prepreg having a good yield.

상기 서술한 목적 및 그 밖의 목적, 특징 및 이점은, 이하에서 서술하는 바람직한 실시형태 및 그에 부수되는 이하의 도면에 의해서 더욱 명확해진다.
도 1 은 본 실시형태에 있어서의 프리프레그의 구성의 일례를 나타내는 단면도이다.
도 2 는 본 실시형태에 있어서의 반도체 패키지의 구성의 일례를 나타내는 단면도이다.
도 3 은 본 실시형태에 있어서의 반도체 장치의 구성의 일례를 나타내는 단면도이다.
The foregoing and other objects, features and advantages of the present invention will become more apparent from the following description of a preferred embodiment thereof and the accompanying drawings.
1 is a cross-sectional view showing an example of the configuration of a prepreg in the present embodiment.
2 is a cross-sectional view showing an example of the configuration of the semiconductor package in this embodiment.
3 is a cross-sectional view showing an example of the configuration of the semiconductor device in the present embodiment.

이하에 본 발명의 실시형태에 대해서 도면을 이용하여 설명한다. 또한, 모든 도면에 있어서, 동일한 구성 요소에는 공통의 부호를 붙여 적절히 설명을 생략한다. 또, 도면은 개략도로서, 실제의 치수 비율과 반드시 일치하지는 않는다.DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In all the drawings, the same constituent elements are denoted by the same reference numerals, and a description thereof will be omitted. It should be noted that the drawings are schematic diagrams and do not necessarily correspond to the actual dimensional ratios.

(프리프레그) (Prepreg)

먼저, 본 실시형태에 있어서의 프리프레그의 구성에 대해서 설명한다. 도 1 은 본 실시형태에 있어서의 프리프레그의 구성의 일례를 나타내는 단면도이다. 프리프레그 (100) 는 (A) 에폭시 수지와 (B) 에폭시 수지 경화제를 함유하는 수지 조성물 P 를 섬유 기재 (101) 에 함침시켜 얻어진다.First, the structure of the prepreg in this embodiment will be described. 1 is a cross-sectional view showing an example of the configuration of a prepreg in the present embodiment. The prepreg 100 is obtained by impregnating the fiber substrate 101 with a resin composition P containing (A) an epoxy resin and (B) an epoxy resin curing agent.

프리프레그 (100) 중의 질소 함유량은 0.10 질량% 이하이고, 바람직하게는 0.08 질량% 이하이고, 더욱 바람직하게는 0.05 질량% 이하이다. 프리프레그 (100) 중의 질소 함유량이 상기 상한치 이하이면, 적층판의 내이온 마이그레이션성을 향상시킬 수 있다. 따라서, 내이온 마이그레이션성을 향상시키기 위해서 섬유 기재에 대해서 행하는 편평 가공이나 개섬 가공과 같은 특별한 가공 처리를 억제할 수 있다. 그 때문에, 섬유 기재의 보풀이 일어나는 것의 발생이 억제되어 프리프레그의 수율을 개선할 수 있다.The nitrogen content in the prepreg 100 is 0.10 mass% or less, preferably 0.08 mass% or less, and more preferably 0.05 mass% or less. When the nitrogen content in the prepreg 100 is not more than the upper limit value, the ion migration resistance of the laminated plate can be improved. Therefore, in order to improve the ion migration resistance, it is possible to suppress special processing such as flat processing and carding processing performed on the fibrous substrate. Therefore, occurrence of occurrence of napping of the fibrous substrate can be suppressed, and the yield of the prepreg can be improved.

적층판의 내이온 마이그레이션성이 향상되는 이유는 아주 확실한 것은 아니지만, 아래와 같이 추찰된다. 프리프레그 (100) 중의 질소 함유량을 저감시키면, 프리프레그 (100) 의 내습성이 향상된다. 그 때문에, 프리프레그 (100) 로부터 얻어지는 적층판의 내부, 특히 섬유 기재와 수지 사이의 간극에 수분이 잘 부착되지 않게 되어 금속의 이온화나 금속 이온의 이동이 잘 발생되지 않게 된다. 그 결과, 이온 마이그레이션의 발생이 억제되는 것으로 추찰된다.The reason why the ion migration resistance of the laminated board is improved is not very clear, but it is presumed that the following. When the nitrogen content in the prepreg 100 is reduced, the moisture resistance of the prepreg 100 is improved. Therefore, moisture does not adhere well to the inside of the laminate obtained from the prepreg 100, particularly, the gap between the fiber substrate and the resin, so that ionization of the metal and migration of metal ions are not generated well. As a result, it is presumed that the occurrence of ion migration is suppressed.

프리프레그 (100) 중의 질소 함유량의 측정은 일반적으로 공지된 방법으로 측정할 수 있고, 예를 들어 유기 원소 분석 장치를 사용하여 프리프레그를 연소 분해시키고, 발생 가스를 N2 로 변환하여 열전도도 검출기에 의해서 측정할 수 있다.The nitrogen content in the prepreg 100 can be measured by a generally known method. For example, the prepreg may be burned and decomposed using an organic element analyzer, the generated gas may be converted into N 2 , As shown in FIG.

또, 프리프레그 (100) 중의 섬유 기재 (101) 의 통기도는 3.0 ㎤/㎠/sec 이상이고, 더욱 바람직하게는 3.5 ㎤/㎠/sec 이상이고, 특히 바람직하게는 4.0 ㎤/㎠/sec 이상이다. 본 실시형태에 있어서의 프리프레그 (100) 는 내이온 마이그레이션성이 우수하기 때문에, 통기도가 상기 하한치 이상의 섬유 기재를 사용할 수 있다. 바꾸어 말하면, 내이온 마이그레이션성을 향상시키기 위해서 섬유 기재에 대해서 행하는 편평 가공이나 개섬 가공과 같은 특별한 가공 처리를 억제할 수 있다. 따라서, 섬유 기재 (101) 의 보풀이 일어나는 것의 발생이 억제되기 때문에, 보풀의 돌기된 부분에서 발생되기 쉬운 수지 고임 (resin pool) 이 잘 발생되지 않는다. 그 때문에, 프리프레그의 수율을 개선할 수 있다.The air permeability of the fiber substrate 101 in the prepreg 100 is 3.0 cm 3 / cm 2 / sec or more, more preferably 3.5 cm 3 / cm 2 / sec or more, and particularly preferably 4.0 cm 3 / cm 2 / sec or more . Since the prepreg 100 in this embodiment is excellent in ion-migration resistance, a fiber base material having an air permeability higher than the lower limit value described above can be used. In other words, in order to improve the ion migration resistance, it is possible to suppress special processing such as flattening and carding, which is performed on the fiber base material. Therefore, since the generation of the fluff of the fibrous substrate 101 is suppressed, a resin pool, which is likely to be generated at the projected portion of the fluff, is not generated well. Therefore, the yield of the prepreg can be improved.

또, 섬유 기재 (101) 의 통기도는 30.0 ㎤/㎠/sec 이하이고, 보다 바람직하게는 20.0 ㎤/㎠/sec 이하이고, 더욱 바람직하게는 15.0 ㎤/㎠/sec 이하, 특히 바람직하게는 12.0 ㎤/㎠/sec 이하이다. 섬유 기재 (101) 의 통기도가 상기 상한치 이하이면, 수지 조성물의 섬유 기재에 대한 함침성이 향상되기 때문에 적층판의 강도를 균일화할 수 있다. 그 때문에, 천공 가공에 의해서 형성되는 구멍의 내벽을 매끄럽게 형성할 수 있고, 홀 밀도가 높아져 스루홀의 벽간 거리가 가까워져도 이온 마이그레이션의 발생을 억제할 수 있다.The air permeability of the fibrous substrate 101 is 30.0 cm3 / cm2 / sec or less, more preferably 20.0 cm3 / cm2 / sec or less, further preferably 15.0 cm3 / cm2 / sec or less, particularly preferably 12.0 cm3 / Cm2 / sec or less. If the air permeability of the fibrous substrate 101 is not more than the upper limit, the impregnation property of the resin composition to the fibrous substrate is improved, so that the strength of the laminate can be made uniform. Therefore, the inner wall of the hole formed by the drilling process can be formed smoothly, and the occurrence of ion migration can be suppressed even if the hole density becomes high and the distance between the walls of the through hole approaches.

여기서, 섬유 기재 (101) 의 통기도는, 예를 들어 편평 가공이나 개섬 가공 등의 가공 처리에 의해서 조정할 수 있다.Here, the air permeability of the fibrous substrate 101 can be adjusted by, for example, processing such as flattening or carding.

또한, 통기도의 측정은 JIS R 3420 법 (프래질형법) 에 따라서 측정할 수 있다.In addition, the air permeability can be measured in accordance with the JIS R 3420 method (fibrillation method).

계속해서, 프리프레그 (100) 를 구성하는 재료에 대해서 상세하게 설명한다.Next, the material constituting the prepreg 100 will be described in detail.

본 실시형태에 있어서의 프리프레그 (100) 는, 섬유 기재 (101) 에, (A) 에폭시 수지와, (B) 에폭시 수지 경화제를 함유하는 수지 조성물 P 를 함침시키고, 그 후, 반경화시켜 얻어지는, 섬유 기재 (101) 와, 수지층 (103, 104) 을 구비하는 시트상 재료이다. 이와 같은 구조의 시트상 재료는 유전 특성, 고온 다습하에서의 기계적, 전기적 접속 신뢰성 등의 각종 특성이 우수하여 회로 기판용의 적층판의 제조에 적합하고 바람직하다.The prepreg 100 in this embodiment is obtained by impregnating the fiber substrate 101 with a resin composition P containing (A) an epoxy resin and (B) an epoxy resin curing agent, A fiber substrate 101, and resin layers 103 and 104. The sheet- The sheet-like material having such a structure is excellent in various characteristics such as dielectric properties, mechanical and electrical connection reliability under high-temperature and high-humidity conditions, and is suitable for producing a laminated board for a circuit board.

(수지 조성물) (Resin composition)

이하, 섬유 기재 (101) 에 함침시키는 수지 조성물 P 로는, (A) 에폭시 수지와, (B) 에폭시 수지 경화제를 함유하는 것이면 특별히 한정되지 않지만, 저선팽창률 및 고탄성률을 갖고, 열충격성의 신뢰성이 우수한 것인 것이 바람직하다.The resin composition P to be impregnated into the fiber substrate 101 is not particularly limited as long as it contains (A) an epoxy resin and (B) an epoxy resin curing agent. However, the resin composition P has a low linear expansion coefficient and a high elastic modulus, .

(A) 에폭시 수지는 글리시딜기를 분자 내에 1 개 이상 갖는 화합물로서, 가열에 의해서 글리시딜기가 반응함으로써 3 차원적 망목 구조를 형성하여, 경화되는 화합물이다. (A) 에폭시 수지에는, 글리시딜기가 1 분자에 2 개 이상 함유되어 있는 것이 바람직한데, 이것은 글리시딜기가 1 개인 화합물만으로는 반응시켜도 충분한 경화물 특성을 나타낼 수 없기 때문이다.(A) The epoxy resin is a compound having at least one glycidyl group in the molecule, which forms a three-dimensional network structure by reacting with a glycidyl group by heating and is cured. It is preferable that the epoxy resin (A) contains at least two glycidyl groups in one molecule. This is because the compound having only one glycidyl group can not exhibit sufficient cured characteristics even when it is reacted.

구체적인 (A) 에폭시 수지로는, 예를 들어 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 S형 에폭시 수지, 비스페놀 E형 에폭시 수지, 비스페놀 M형 에폭시 수지, 비스페놀 P형 에폭시 수지, 비스페놀 Z형 에폭시 수지 등의 비스페놀형 에폭시 수지 또는 이들의 유도체, 페놀노볼락형 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지 등의 노볼락형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 비페닐 아르알킬형 에폭시 수지 등의 아릴알킬렌형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 안트라센형 에폭시 수지, 페녹시형 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지, 노르보르넨형 에폭시 수지, 아다만탄형 에폭시 수지, 플루오렌형 에폭시 수지 등의 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 이들 중의 1 종류를 단독으로 사용할 수도 있고 2 종류 이상을 병용할 수도 있다.Specific examples of the epoxy resin (A) include epoxy resins such as bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, bisphenol E type epoxy resin, bisphenol M type epoxy resin, bisphenol P type epoxy resin, bisphenol Z Novolak type epoxy resins such as phenol novolak type epoxy resins and cresol novolak type epoxy resins, biphenyl type epoxy resins, biphenyl aralkyl type epoxy resins, and the like An epoxy resin such as an arylalkylene type epoxy resin, a naphthalene type epoxy resin, an anthracene type epoxy resin, a phenoxy type epoxy resin, a dicyclopentadiene type epoxy resin, a norbornene type epoxy resin, an adamantane type epoxy resin and a fluorene type epoxy resin And the like. One of these may be used alone, or two or more of them may be used in combination.

(A) 에폭시 수지의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 수지 조성물 P 전체의 15 질량% 이상 80 질량% 이하인 것이 바람직하다. 더욱 바람직하게는 25 질량% 이상 60 질량% 이하이다. 또, 액상의 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지 등의 액상의 에폭시 수지를 병용하면, 섬유 기재 (101) 에 대한 함침성을 향상시킬 수 있기 때문에 바람직하다. 액상의 에폭시 수지의 함유량은, 수지 조성물 P 전체의 3 질량% 이상 30 질량% 이하이면 보다 바람직하다. 또, 고형의 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지를 병용하면 도체에 대한 밀착성을 향상시킬 수 있다.The content of the epoxy resin (A) is not particularly limited, but is preferably 15% by mass or more and 80% by mass or less based on the total amount of the resin composition P. [ More preferably 25 mass% or more and 60 mass% or less. A liquid epoxy resin such as a liquid bisphenol A type epoxy resin or a bisphenol F type epoxy resin is preferably used in combination because the impregnation property to the fiber base material 101 can be improved. The content of the liquid epoxy resin in the resin composition P is more preferably 3% by mass or more and 30% by mass or less. When a solid bisphenol A type epoxy resin or a bisphenol F type epoxy resin is used in combination, adhesion to a conductor can be improved.

(B) 에폭시 수지 경화제로는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 페놀계 경화제, 지방족 아민, 방향족 아민, 디시안디아미드, 디하이드라지드 화합물, 산무수물 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 화학식 중에 질소 원자를 함유하지 않는 유기 화합물이 특히 바람직하고, 화학식 중에 질소 원자를 함유하지 않는 페놀계 경화제 및 산무수물이 특히 바람직하다. 페놀계 경화제나 산무수물을 사용하면, 질소 함유량이 0.10 질량% 이하인 프리프레그를 보다 더 효율적으로 얻을 수 있다.Examples of the epoxy resin curing agent (B) include, but are not limited to, phenolic curing agents, aliphatic amines, aromatic amines, dicyandiamide, dihydrazide compounds and acid anhydrides. Among them, an organic compound containing no nitrogen atom in the formula is particularly preferable, and a phenolic curing agent and an acid anhydride which do not contain a nitrogen atom in the formula are particularly preferable. When a phenol-based curing agent or an acid anhydride is used, a prepreg having a nitrogen content of 0.10 mass% or less can be obtained more efficiently.

(B) 에폭시 수지 경화제로서의 페놀계 경화제는 1 분자 내에 페놀성 수산기를 2 개 이상 갖는 화합물이다. 1 분자 내에 페놀성 수산기를 1 개 갖는 화합물의 경우에는, 가교 구조를 취할 수 없기 때문에 경화물 특성이 악화되어 사용할 수 없다.The phenolic curing agent (B) as the epoxy resin curing agent is a compound having two or more phenolic hydroxyl groups in one molecule. In the case of a compound having one phenolic hydroxyl group in one molecule, since the crosslinked structure can not be obtained, the properties of the cured product deteriorate and can not be used.

페놀계 경화제로는, 예를 들어 페놀노볼락 수지, 알킬페놀노볼락 수지, 비스페놀 A 노볼락 수지, 디시클로펜타디엔형 페놀 수지, 자일록형 페놀 수지, 테르펜 변성 페놀 수지, 폴리비닐페놀류 등 공지 관용의 것을 단독 혹은 2 종 이상 조합하여 사용할 수 있다.Examples of the phenol-based curing agent include known phenol novolac resins, alkylphenol novolak resins, bisphenol A novolac resins, dicyclopentadiene-type phenol resins, xylocophenol resins, terpene-modified phenol resins, Can be used singly or in combination of two or more kinds.

페놀 경화제의 배합량은, (A) 에폭시 수지와의 당량비 (페놀성 수산기 당량/에폭시기 당량) 가 0.1 이상 1.0 이하이면 바람직하다. 이로써, 미반응의 페놀 경화제의 잔류가 없어지고, 흡습 내열성이 향상된다. 수지 조성물 P 가 에폭시 수지와 시아네이트 수지를 병용하는 경우에는, 0.2 이상 0.5 이하의 범위가 특히 바람직하다. 이것은, 페놀 수지는 경화제로서 작용할 뿐만 아니라, 시아네이트기와 에폭시기의 경화를 촉진하기 때문이다.The blending amount of the phenol curing agent is preferably 0.1 to 1.0 in terms of the equivalent ratio (phenolic hydroxyl group equivalent / epoxy group equivalent) to the epoxy resin (A). As a result, the unreacted phenol curing agent is prevented from remaining and the moisture absorption and heat resistance is improved. When the resin composition P is used in combination with an epoxy resin and a cyanate resin, a range of 0.2 or more and 0.5 or less is particularly preferable. This is because the phenol resin acts not only as a curing agent but also accelerates curing of a cyanate group and an epoxy group.

(B) 에폭시 수지 경화제로서의 산무수물로는, 예를 들어 프탈산 무수물, 테트라하이드로 무수 프탈산, 헥사하이드로 무수 프탈산, 4-메틸헥사하이드로 무수 프탈산, 엔도메틸렌테트라하이드로프탈산 무수물, 도데세닐숙신산 무수물, 무수 말레산 등을 들 수 있다.Examples of the acid anhydride as the epoxy resin curing agent (B) include phthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, 4-methylhexahydrophthalic anhydride, endomethylenetetrahydrophthalic anhydride, dodecenylsuccinic anhydride, maleic anhydride And the like.

(B) 에폭시 수지 경화제로서의 디하이드라지드 화합물로는, 예를 들어 아디프산디하이드라지드, 도데칸산디하이드라지드, 이소프탈산디하이드라지드, p-옥시벤조산디하이드라지드 등의 카르복시산디하이드라지드 등을 들 수 있다.Examples of the dihydrazide compound (B) as the epoxy resin curing agent include carboxylic acid esters such as adipic acid dihydrazide, dodecanic acid dihydrazide, isophthalic acid dihydrazide and p-oxybenzoic acid dihydrazide, Dihydrazide and the like.

또, 수지 조성물 P 에는, 얻어진 프리프레그 (100) 중의 질소 함유량이 0.10 질량% 를 초과하지 않을 정도로 하기의 (C) 경화 촉매를 병용해도 된다. 또한, (C) 경화 촉매란, (A) 에폭시 수지와 (B) 에폭시 수지 경화제의 경화 반응을 촉진시키는 기능이 있는 촉매로서, (B) 에폭시 수지 경화제와는 구별된다.The resin composition P may also be used in combination with the following curing catalyst (C) to such an extent that the nitrogen content in the obtained prepreg 100 does not exceed 0.10 mass%. The (C) curing catalyst is a catalyst having a function of promoting the curing reaction between the epoxy resin (A) and the epoxy resin curing agent (B), and is distinguished from the epoxy resin curing agent (B).

예를 들어 나프텐산아연, 나프텐산코발트, 옥틸산주석, 옥틸산코발트, 비스아세틸아세토네이트코발트 (Ⅱ), 트리스아세틸아세토네이트코발트 (Ⅲ) 등의 유기 금속염, 트리에틸아민, 트리부틸아민, 디아자비시클로[2,2,2]옥탄 등의 3 급 아민류, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-에틸-4-에틸이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 2-페닐-4-메틸-5-하이드록시이미다졸, 2-페닐-4,5-디하이드록시이미다졸 등의 이미다졸류, 페놀, 비스페놀 A, 노닐페놀 등의 페놀 화합물, 아세트산, 벤조산, 살리실산, 파라톨루엔술폰산 등의 유기산 등, 오늄염 화합물 등, 또는 이 혼합물을 들 수 있다. (C) 경화 촉매로서, 이들 중의 유도체도 포함하여 1 종류를 단독으로 사용할 수도 있고, 이들 유도체도 포함하여 2 종류 이상을 병용할 수도 있다.For example, organic metal salts such as zinc naphthenate, cobalt naphthenate, tin octylate, cobalt octylate, cobalt (II) bisacetylacetonate and cobalt (III) trisacetylacetonate; organic metal salts such as triethylamine, tributylamine, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, Imidazoles such as ethylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxyimidazole and 2-phenyl- , Phenol compounds such as phenol, bisphenol A and nonylphenol, organic acids such as acetic acid, benzoic acid, salicylic acid and para toluenesulfonic acid, and onium salt compounds, and the like, or mixtures thereof. As the (C) curing catalyst, one type of curing catalyst may be used alone, or two or more types of these curing catalysts may be used in combination.

(C) 경화 촉매의 함유량은 얻어지는 프리프레그 (100) 중의 질소 함유량이 0.10 질량% 를 초과하지 않으면 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 수지 조성물 P 전체의 0.010 질량% 이상이 바람직하고, 특히 0.10 질량% 이상이 바람직하다. (C) 경화 촉매의 함유량이 상기 하한치 이상이면, 경화를 촉진시키는 효과를 충분히 얻을 수 있다. 또, (C) 경화 촉매의 함유량은 수지 조성물 P 전체의 5.0 질량% 이하가 바람직하고, 특히 2.0 질량% 이하가 바람직하다. (C) 경화 촉매의 함유량이 상기 상한치 이하이면, 프리프레그 (100) 의 보존성 저하를 억제할 수 있다.The content of the curing catalyst (C) is not particularly limited as long as the nitrogen content in the obtained prepreg 100 does not exceed 0.10 mass%. For example, the total amount of the resin composition P is preferably 0.010% by mass or more, more preferably 0.10% by mass or more. If the content of the curing catalyst (C) is lower than the lower limit, the effect of promoting curing can be sufficiently obtained. The content of the curing catalyst (C) in the resin composition P is preferably 5.0 mass% or less, more preferably 2.0 mass% or less. When the content of the curing catalyst (C) is not more than the upper limit value, deterioration of the preservability of the prepreg (100) can be suppressed.

수지 조성물 P 는 추가로 (D) 무기 충전재를 함유하는 것이 바람직하다. (D) 무기 충전재로는, 예를 들어 탤크, 소성 클레이, 미소성 클레이, 마이카, 유리 등의 규산염, 산화티탄, 알루미나, 실리카, 용융 실리카 등의 산화물, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 하이드로탈사이트 등의 탄산염, 수산화알루미늄, 수산화마그네슘, 수산화칼슘 등의 수산화물, 황산바륨, 황산칼슘, 아황산칼슘 등의 황산염 또는 아황산염, 붕산아연, 메타붕산바륨, 붕산알루미늄, 붕산칼슘, 붕산나트륨 등의 붕산염, 질화알루미늄, 질화붕소, 질화규소, 질화탄소 등의 질화물, 티탄산스트론튬, 티탄산바륨 등의 티탄산염 등을 들 수 있다. 이들 중의 1 종류를 단독으로 사용할 수도 있고 2 종류 이상을 병용할 수도 있다.The resin composition P preferably further contains (D) an inorganic filler. Examples of the inorganic filler (D) include silicates such as talc, calcined clay, unbaked clay, mica and glass, oxides such as titanium oxide, alumina, silica and fused silica, calcium carbonate, magnesium carbonate, hydrotalcite, Hydroxides such as carbonates of aluminum hydroxide, magnesium hydroxide and calcium hydroxide; sulfates or sulfites of barium sulfate, calcium sulfate and calcium sulfite; borates such as zinc borate, barium metaborate, aluminum borate, calcium borate and sodium borate; Nitrides such as boron nitride, silicon nitride, and carbon nitride, and titanate salts such as strontium titanate and barium titanate. One of these may be used alone, or two or more of them may be used in combination.

이들 중에서도 특히 실리카가 바람직하고, 용융 실리카 (특히 구상 용융 실리카) 가 저열팽창성이 우수한 점에서 바람직하다. 그 형상은 파쇄상, 구상이 있는데, 섬유 기재 (101) 에 대한 함침성을 확보하기 위해서 수지 조성물 P 의 용융 점도를 낮출 때에는 구상 실리카를 사용하는 등, 그 목적에 맞는 사용 방법이 채용된다.Of these, silica is particularly preferable, and fused silica (particularly spherical fused silica) is preferable because of its excellent low-temperature expansion. When the melt viscosity of the resin composition P is lowered to secure the impregnation property with respect to the fiber substrate 101, a spherical silica is used, and a method suitable for the purpose is adopted.

(D) 무기 충전재의 평균 입자경은 특별히 한정되지 않지만, 0.01 ㎛ 이상 3 ㎛ 이하가 바람직하고, 특히 0.02 ㎛ 이상 1 ㎛ 이하가 바람직하다. (D) 무기 충전재의 입경을 0.01 ㎛ 이상으로 함으로써 바니시를 저점도로 하고, 섬유 기재 (101) 에 수지 조성물 P 를 양호하게 함침시킬 수 있다. 또, 3 ㎛ 이하로 함으로써 바니시 중에서 (D) 무기 충전재의 침강 등을 억제할 수 있다. 이 평균 입자경은, 예를 들어 입도 분포계 (시마즈 제작소사 제조, 제품명 : 레이저 회절식 입도 분포 측정 장치 SALD 시리즈) 에 의해서 측정할 수 있다.The average particle diameter of the inorganic filler (D) is not particularly limited, but is preferably 0.01 mu m or more and 3 mu m or less, particularly preferably 0.02 mu m or more and 1 mu m or less. By setting the particle size of the inorganic filler (D) to be at least 0.01 mu m, the resin composition P can be impregnated with the resin composition P well by setting the varnish at a low viscosity. Further, by setting the thickness to 3 m or less, (D) sedimentation of the inorganic filler can be suppressed in the varnish. The average particle size can be measured by, for example, a particle size distribution meter (manufactured by Shimadzu Corporation, product name: laser diffraction particle size distribution measurement apparatus SALD series).

또, (D) 무기 충전재는 특별히 한정되지 않지만, 평균 입자경이 단분산인 무기 충전재를 사용할 수도 있고, 평균 입자경이 다분산인 무기 충전재를 사용할 수 있다. 또한, 평균 입자경이 단분산 및/또는 다분산인 무기 충전재를 1 종류 또는 2 종류 이상을 병용할 수도 있다.The inorganic filler (D) is not particularly limited, but an inorganic filler whose average particle size is monodispersed may be used, or an inorganic filler whose average particle size is polydispersed may be used. One kind or two or more types of inorganic fillers having an average particle size of monodisperse and / or polydisperse may be used in combination.

나아가, 평균 입자경 3 ㎛ 이하의 구상 실리카 (특히 구상 용융 실리카) 가 바람직하고, 특히 평균 입자경 0.02 ㎛ 이상 1 ㎛ 이하의 구상 용융 실리카가 바람직하다. 이로써, (D) 무기 충전재의 충전성을 향상시킬 수 있다.Furthermore, spherical silica having an average particle size of 3 μm or less (particularly spherical fused silica) is preferable, and spherical fused silica having an average particle size of 0.02 μm or more and 1 μm or less is particularly preferable. As a result, the filling property of the inorganic filler (D) can be improved.

(D) 무기 충전재의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 수지 조성물 P 전체의 2 질량% 이상 70 질량% 이하가 바람직하고, 특히 5 질량% 이상 60 질량% 이하가 바람직하다. 함유량이 상기 범위 내이면, 특히 저열팽창, 저흡수로 할 수 있다.The content of the inorganic filler (D) is not particularly limited, but is preferably 2% by mass or more and 70% by mass or less, more preferably 5% by mass or more and 60% by mass or less, When the content is within the above range, particularly low thermal expansion and low absorption can be achieved.

또, 수지 조성물 P 에는 특별히 한정되지 않지만, (E) 커플링제를 추가로 함유하는 것이 바람직하다. (E) 커플링제는, (A) 에폭시 수지와, (D) 무기 충전재의 계면 젖음성을 향상시킴으로써, 섬유 기재에 대해서 (A) 에폭시 수지 및 (D) 무기 충전재를 균일하게 정착시켜 내열성, 특히 흡습 후의 땜납 내열성을 개량할 수 있다.The resin composition P is not particularly limited, but it is preferable that the resin composition P further contains a coupling agent (E). (E) The coupling agent improves the interfacial wettability between the epoxy resin (A) and the inorganic filler (D), thereby uniformly fixing the epoxy resin (A) and the inorganic filler (D) to the fiber substrate, The solder heat resistance after soldering can be improved.

(E) 커플링제로는 통상적으로 사용되는 것이라면 어느 것이든 사용할 수 있는데, 구체적으로는 에폭시실란 커플링제, 카티오닉 실란 커플링제, 아미노실란 커플링제, 티타네이트계 커플링제 및 실리콘 오일형 커플링제 중에서 선택되는 1 종 이상의 커플링제를 사용하는 것이 바람직하다. 이로써, (D) 무기 충전재의 계면과의 젖음성을 높일 수 있고, 그에 따라서 내열성을 보다 향상시킬 수 있다.As the coupling agent (E), any of conventionally used coupling agents may be used. Specifically, the coupling agent may be selected from an epoxy silane coupling agent, a cationic silane coupling agent, an aminosilane coupling agent, a titanate coupling agent and a silicone oil coupling agent It is preferable to use at least one kind of coupling agent. As a result, the wettability with the interface of the inorganic filler (D) can be increased, and the heat resistance can be further improved accordingly.

(E) 커플링제의 첨가량은 (D) 무기 충전재의 비표면적에 의존하기 때문에 특별히 한정되지 않는데, (D) 무기 충전재 100 질량부에 대해서 0.05 질량% 이상 5 질량% 이하가 바람직하고, 특히 0.1 질량% 이상 3 질량% 이하가 바람직하다. 함유량을 0.05 질량% 이상으로 함으로써, (D) 무기 충전재를 충분히 피복할 수 있어 내열성을 향상시킬 수 있다. 5 질량% 이하로 함으로써, 반응이 양호하게 진행되어 굽힘 강도 등의 저하를 방지할 수 있다.The amount of the (E) coupling agent to be added is not particularly limited because it depends on the specific surface area of the inorganic filler (D), and is preferably 0.05 mass% or more and 5 mass% or less with respect to 100 mass parts of the inorganic filler (D) % Or more and 3 mass% or less. When the content is 0.05% by mass or more, the inorganic filler (D) can be sufficiently coated to improve the heat resistance. When the content is 5% by mass or less, the reaction progresses well and the decrease in the bending strength and the like can be prevented.

또, 수지 조성물 P 에는 멜라민 수지, 우레아 수지, 시아네이트 수지 등의 에폭시 수지 이외의 열경화성 수지를 함유하고 있어도 되고, 특히 시아네이트 수지를 병용하는 것이 바람직하다.The resin composition P may contain a thermosetting resin other than an epoxy resin such as a melamine resin, a urea resin and a cyanate resin, and it is particularly preferable to use a cyanate resin in combination.

시아네이트 수지의 종류로는 특별히 한정되지 않는데, 예를 들어 노볼락형 시아네이트 수지, 비스페놀 A형 시아네이트 수지, 비스페놀 E형 시아네이트 수지, 테트라메틸비스페놀 F형 시아네이트 수지 등의 비스페놀형 시아네이트 수지 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 페놀노볼락형 시아네이트 수지가 저열팽창성인 점에서 바람직하다. 또, 추가로 다른 시아네이트 수지를 1 종류 혹은 2 종류 이상 병용할 수도 있어 특별히 한정되지 않는다. 시아네이트 수지는 수지 조성물 P 전체의 8 질량% 이상 20 질량% 이하이면 바람직하다.Examples of the cyanate resin include, but are not limited to, bisphenol-type cyanates such as novolak type cyanate resin, bisphenol A type cyanate resin, bisphenol E type cyanate resin and tetramethyl bisphenol F type cyanate resin Resins and the like. Among them, a phenol novolak type cyanate resin is preferable because of its low thermal expansion. In addition, one or more other cyanate resins may be used in combination, and it is not particularly limited. The cyanate resin is preferably not less than 8% by mass and not more than 20% by mass of the entire resin composition P. [

또, 수지 조성물 P 에는, 페녹시 수지, 폴리이미드 수지, 폴리아미드이미드 수지, 폴리아미드 수지, 폴리페닐렌옥사이드 수지, 폴리에테르술폰 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리에틸렌 수지, 폴리스티렌 수지 등의 열가소성 수지, 스티렌-부타디엔 공중합체, 스티렌-이소프렌 공중합체 등의 폴리스티렌계 열가소성 엘라스토머, 폴리올레핀계 열가소성 엘라스토머, 폴리아미드계 엘라스토머, 폴리에스테르계 엘라스토머 등의 열가소성 엘라스토머, 폴리부타디엔, 에폭시 변성 폴리부타디엔, 아크릴 변성 폴리부타디엔, 메타크릴 변성 폴리부타디엔 등의 디엔계 엘라스토머를 병용해도 된다. 이들 중에서도, 페녹시 수지, 폴리이미드 수지, 폴리아미드이미드 수지, 폴리아미드 수지, 폴리페닐렌옥사이드 수지, 폴리에테르술폰 수지 등의 내열성의 고분자 수지가 바람직하다. 이로써, 프리프레그 (100) 의 두께 균일성이 우수하고, 배선 기판으로서 내열성 및 미세 배선의 절연성이 우수하다. 또, 이 수지 조성물 P 에는 필요에 따라서 안료, 염료, 소포제, 레벨링제, 자외선 흡수제, 발포제, 산화방지제, 난연제, 이온 포착제 등의 상기 성분 이외의 첨가물을 첨가해도 된다.Examples of the resin composition P include a thermoplastic resin such as a phenoxy resin, a polyimide resin, a polyamideimide resin, a polyamide resin, a polyphenylene oxide resin, a polyether sulfone resin, a polyester resin, a polyethylene resin and a polystyrene resin, Butadiene copolymers and styrene-isoprene copolymers; thermoplastic elastomers such as polyolefin thermoplastic elastomers, polyamide elastomers and polyester elastomers; thermoplastic elastomers such as polybutadiene, epoxy-modified polybutadiene, acrylic modified polybutadiene, And a diene-based elastomer such as cryl-modified polybutadiene may be used in combination. Among these, heat-resistant polymer resins such as phenoxy resin, polyimide resin, polyamideimide resin, polyamide resin, polyphenylene oxide resin and polyether sulfone resin are preferable. Thereby, the thickness uniformity of the prepreg 100 is excellent, and the heat resistance and the insulation of the fine wiring are excellent as the wiring board. Additives other than the above components such as pigments, dyes, antifoaming agents, leveling agents, ultraviolet absorbers, foaming agents, antioxidants, flame retardants and ion scavengers may be added to the resin composition P, if necessary.

수지 조성물 P 를 함침시키는 섬유 기재 (101) 는 특별히 한정되지 않지만, 유리 클로스, 유리 직포 (織佈), 유리 부직포 등의 유리 섬유 기재, 카본 클로스, 탄소 섬유 직물 등의 탄소 섬유 기재, 로크 울 등의 인조 광물 기재, 폴리아미드 수지 섬유, 방향족 폴리아미드 수지 섬유, 전체 방향족 폴리아미드 수지 섬유 등의 폴리아미드계 수지 섬유, 폴리에스테르 수지 섬유, 방향족 폴리에스테르 수지 섬유, 전체 방향족 폴리에스테르 수지 섬유 등의 폴리에스테르계 수지 섬유, 폴리이미드 수지 섬유, 불소 수지 섬유 등을 주성분으로 하는 직포 또는 부직포로 구성되는 합성 섬유 기재, 크라프트지, 코튼 린터지, 린터와 크라프트 펄프의 혼초지 등을 주성분으로 하는 종이 기재 등의 유기 섬유 기재 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 유리 섬유 기재가 바람직하다. 이로써, 저흡수성이고, 고강도, 저열팽창성을 갖는 프리프레그를 얻을 수 있다.The fiber substrate 101 impregnated with the resin composition P is not particularly limited, and examples thereof include glass fiber materials such as glass cloth, glass woven fabric and glass nonwoven fabric, carbon fiber materials such as carbon cloth and carbon fiber fabric, Polyamide resin fiber such as polyamide resin fiber, aromatic polyamide resin fiber and all aromatic polyamide resin fiber, polyester resin fiber, aromatic polyester resin fiber and all aromatic polyester resin fiber A synthetic fiber base material composed of a woven or nonwoven fabric composed mainly of an ester type resin fiber, a polyimide resin fiber and a fluororesin fiber, a paper base material mainly composed of a kraft paper, a korean paper cloth, Based organic fiber substrate and the like. Of these, glass fiber substrates are preferred. Thereby, a prepreg having low water absorption, high strength, and low thermal expansion can be obtained.

유리 섬유 기재를 구성하는 유리는, 예를 들어 E 유리, C 유리, A 유리, S 유리, D 유리, NE 유리, T 유리, H 유리 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 E 유리 또는 T 유리가 바람직하다. 이로써, 프리프레그의 고탄성화를 달성할 수 있고, 또 프리프레그의 열팽창 계수를 작게 할 수 있다.Examples of the glass constituting the glass fiber base material include E glass, C glass, A glass, S glass, D glass, NE glass, T glass, H glass and the like. Of these, E glass or T glass is preferable. As a result, it is possible to achieve a high elasticity of the prepreg and to reduce the thermal expansion coefficient of the prepreg.

본 실시형태에서 사용하는 섬유 기재로는, 평량 (1 ㎡ 당의 섬유 기재의 질량) 이 145 g/㎡ 이상 300 g/㎡ 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 160 g/㎡ 이상 230 g/㎡ 이하, 더욱 바람직하게는 190 g/㎡ 이상 205 g/㎡ 이하이다.The fibrous substrate used in the present embodiment preferably has a basis weight (mass of fiber base material per 1 m 2) of 145 g / m 2 or more and 300 g / m 2 or less, more preferably 160 g / m 2 or more and 230 g / , More preferably not less than 190 g / m 2 and not more than 205 g / m 2.

평량이 상기 상한치 이하이면, 섬유 기재 중의 수지 조성물의 함침성이 향상되어, 스트랜드 보이드나 절연 신뢰성의 저하를 억제할 수 있다. 또 탄산 가스, UV, 엑시머 등의 레이저에 의한 스루홀의 형성이 용이해지는 경우가 있다. 또, 평량이 상기 하한치 이상이면, 유리 클로스나 프리프레그의 강도가 향상된다. 그 결과, 핸들링성이 향상되거나, 프리프레그의 제작이 용이해지거나, 기판의 휨 저감 효과가 향상되는 경우가 있다.When the basis weight is not more than the upper limit value, the impregnation property of the resin composition in the fiber substrate is improved, and deterioration of the strand canvas and insulation reliability can be suppressed. In addition, formation of through holes by laser such as carbon dioxide, UV, excimer or the like may be facilitated. When the basis weight is not less than the above lower limit value, strength of the glass cloth or prepreg is improved. As a result, the handling property may be improved, the prepreg may be easily manufactured, or the bending reduction effect of the substrate may be improved.

섬유 기재의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 50 ㎛ 이상 300 ㎛ 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 80 ㎛ 이상 250 ㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 100 ㎛ 이상 200 ㎛ 이하이다. 이와 같은 두께를 갖는 섬유 기재를 사용함으로써, 프리프레그 제조시의 핸들링성이 더욱 향상되고, 특히 휨 저감 효과가 현저하다.The thickness of the fiber substrate is not particularly limited, but is preferably 50 占 퐉 or more and 300 占 퐉 or less, more preferably 80 占 퐉 or more and 250 占 퐉 or less, further preferably 100 占 퐉 or more and 200 占 퐉 or less. By using the fibrous base material having such a thickness, the handling property at the time of preparing the prepreg is further improved, and the effect of reducing warpage is remarkable.

섬유 기재의 두께가 상기 상한치 이하이면, 섬유 기재 중의 수지 조성물의 함침성이 향상되어, 스트랜드 보이드나 절연 신뢰성의 저하를 억제할 수 있다. 또 탄산 가스, UV, 엑시머 등의 레이저에 의한 스루홀의 형성이 용이해지는 경우가 있다. 또, 평량이 상기 하한치 이상이면, 유리 클로스나 프리프레그의 강도가 향상된다. 그 결과, 핸들링성이 향상되거나, 프리프레그의 제작이 용이해지거나, 기판의 휨 저감 효과가 향상되는 경우가 있다.When the thickness of the fibrous substrate is not more than the upper limit, the impregnating property of the resin composition in the fibrous substrate is improved, and deterioration of the stranded structure and insulation reliability can be suppressed. In addition, formation of through holes by laser such as carbon dioxide, UV, excimer or the like may be facilitated. When the basis weight is not less than the above lower limit value, strength of the glass cloth or prepreg is improved. As a result, the handling property may be improved, the prepreg may be easily manufactured, or the bending reduction effect of the substrate may be improved.

또, 섬유 기재의 사용 장수는 1 장에 한정되지 않고, 얇은 섬유 기재를 복수 장 중첩하여 사용할 수도 있다. 또한, 섬유 기재를 복수 장 중첩하여 사용하는 경우에는, 그 합계의 두께가 상기의 범위를 만족하면 된다.The number of fibers used is not limited to one, and a plurality of thin fiber substrates may be stacked. When a plurality of fiber substrates are stacked and used, the total thickness may satisfy the above range.

계속해서, 프리프레그 (100) 의 제조 방법에 대해서 상세하게 설명한다.Next, a method of manufacturing the prepreg 100 will be described in detail.

본 실시형태에 있어서의 프리프레그 (100) 는, 섬유 기재 (101) 에, (A) 에폭시 수지와, (B) 에폭시 수지 경화제를 함유하는 수지 조성물 P 를 함침시키고, 그 후에 반경화시켜 얻어진다.The prepreg 100 in this embodiment is obtained by impregnating the fiber substrate 101 with a resin composition P containing (A) an epoxy resin and (B) an epoxy resin curing agent, and then semi-curing .

수지 조성물 P 를 섬유 기재 (101) 에 함침시키는 방법은, 예를 들어 수지 조성물 P 를 사용하여 수지 바니시 V 를 조제하고, 섬유 기재 (101) 를 수지 바니시 V 에 침지시키는 방법, 각종 코터에 의해서 수지 바니시 V 를 도포하는 방법, 스프레이에 의해서 수지 바니시 V 를 분사하는 방법, 지지 기재 부착 수지층을 섬유 기재에 라미네이트하는 방법 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 섬유 기재 (101) 를 수지 바니시 V 에 침지시키는 방법, 지지 기재 부착 수지층을 섬유 기재에 라미네이트하는 방법이 바람직하다. 섬유 기재 (101) 를 수지 바니시 V 에 침지시키는 방법은, 섬유 기재 (101) 에 대한 수지 조성물 P 의 함침성을 향상시킬 수 있다. 또한, 섬유 기재 (101) 를 수지 바니시 V 에 침지시키는 경우, 통상적인 함침 도포 설비를 사용할 수 있다.The resin composition P may be impregnated into the fiber substrate 101 by, for example, preparing a resin varnish V by using the resin composition P, immersing the fiber substrate 101 in the resin varnish V, A method of applying the varnish V, a method of spraying the resin varnish V by spraying, a method of laminating the resin layer with the supporting substrate to the fiber substrate, and the like. Among them, a method of immersing the fiber substrate 101 in the resin varnish V, and a method of laminating the resin base layer with the supporting substrate to the fiber substrate are preferable. The method of immersing the fiber substrate 101 in the resin varnish V can improve the impregnability of the resin composition P with respect to the fiber substrate 101. [ Further, when the fiber substrate 101 is immersed in the resin varnish V, a conventional impregnation coating equipment can be used.

특히, 섬유 기재 (101) 의 두께가 0.1 ㎜ 이하인 경우, 지지 기재 부착 수지층을 섬유 기재에 라미네이트하는 방법이 바람직하다. 이로써, 섬유 기재 (101) 에 대한 수지 조성물 P 의 함침량을 자유롭게 조절할 수 있어 프리프레그의 성형성을 더욱 향상시킬 수 있다. 또한, 필름상의 수지층을 라미네이트하는 경우, 진공 라미네이트 장치 등을 사용하는 것이 보다 바람직하다.Particularly, when the thickness of the fibrous substrate 101 is 0.1 mm or less, a method of laminating the resin base layer with the supporting substrate to the fibrous substrate is preferable. Thus, the impregnation amount of the resin composition P with respect to the fiber substrate 101 can be freely adjusted, and the moldability of the prepreg can be further improved. In the case of laminating a resin layer on a film, it is more preferable to use a vacuum laminator or the like.

수지 바니시 V 에 사용되는 용매는, 수지 조성물 P 중의 수지 성분에 대해서 양호한 용해성을 나타내는 것이 바람직하지만, 악영향을 미치지 않는 범위에서 빈용매를 사용해도 된다. 양호한 용해성을 나타내는 용매는, 예를 들어 메탄올, 에탄올 등의 알코올류, 톨루엔, 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 시클로헥사논, 시클로펜타논, 테트라하이드로푸란, 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아미드, 디메틸술폭시드, 에틸렌글리콜, 셀로솔브계, 카르비톨계 등을 들 수 있다.The solvent used in the resin varnish V preferably shows good solubility with respect to the resin component in the resin composition P, but a poor solvent may be used within a range not adversely affecting. Examples of the solvent having good solubility include alcohols such as methanol and ethanol, alcohols such as toluene, acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, cyclopentanone, tetrahydrofuran, dimethylformamide, dimethylacetamide , Dimethyl sulfoxide, ethylene glycol, cellosolve, carbitol and the like.

이들 중에서도, 용매로서 화학식 중에 질소 원자를 함유하지 않는 유기 화합물이 특히 바람직하고, 특히 알코올류, 메틸에틸케톤, 톨루엔이 바람직하다. 화학식 중에 질소 원자를 함유하지 않는 유기 화합물을 사용하면, 질소 함유량이 0.10 질량% 이하인 프리프레그를 보다 더 효율적으로 얻을 수 있다.Among them, an organic compound containing no nitrogen atom in the formula is particularly preferable as a solvent, and alcohols, methyl ethyl ketone, and toluene are particularly preferable. When an organic compound containing no nitrogen atom in the formula is used, a prepreg having a nitrogen content of 0.10% by mass or less can be obtained more efficiently.

수지 바니시 V 의 고형분은 특별히 한정되지 않지만, 수지 조성물 P 의 고형분 20 질량% 이상 90 질량% 이하가 바람직하고, 특히 50 질량% 이상 80 질량% 이하가 바람직하다. 이로써, 수지 바니시 V 의 섬유 기재 (101) 에 대한 함침성을 더욱 향상시킬 수 있다. 섬유 기재 (101) 에 수지 조성물 P 를 함침시키는 소정 온도는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 90 ℃ 이상 220 ℃ 이하에서 건조시킴으로써 프리프레그 (100) 를 얻을 수 있다. 프리프레그 (100) 의 두께는 20 ㎛ 이상 100 ㎛ 이하인 것이 바람직하다.The solid content of the resin varnish V is not particularly limited, but is preferably 20% by mass or more and 90% by mass or less, more preferably 50% by mass or more and 80% by mass or less, As a result, the impregnation property of the resin varnish V with respect to the fiber base material 101 can be further improved. The predetermined temperature for impregnating the fiber substrate 101 with the resin composition P is not particularly limited, but the prepreg 100 can be obtained, for example, by drying at 90 ° C or higher and 220 ° C or lower. The thickness of the prepreg 100 is preferably 20 占 퐉 or more and 100 占 퐉 or less.

또, 수지 바니시 V 중의 이론 질소 함유량은 0.50 질량% 이하이고, 바람직하게는 0.20 질량% 이하이고, 더욱 바람직하게는 0.10 질량% 이하이다. 수지 바니시 V 중의 이론 질소 함유량이 상기 상한 이하이면, 질소 함유량이 0.10 질량% 이하인 프리프레그를 더욱 효율적으로 얻을 수 있다.The theoretical nitrogen content in the resin varnish V is 0.50% by mass or less, preferably 0.20% by mass or less, and more preferably 0.10% by mass or less. When the theoretical nitrogen content in the resin varnish V is not more than the upper limit, a prepreg having a nitrogen content of 0.10 mass% or less can be obtained more efficiently.

또한, 수지 바니시 V 중의 이론 질소 함유량이란, 수지 바니시 V 중에 함유되는 질소가 화학식 중에 질소 원자가 함유되는 성분에서 유래하는 것만으로 가정하여 산출되는 값이다. 구체적으로는, 분자량과 질소 원자수로부터 각 성분에 함유되는 질소 함유량을 산출하고, 그 합계의 무게를 수지 바니시 전체의 무게로 나누어 얻어진 값을 % 표시한 것이다.The theoretical nitrogen content in the resin varnish V is a value calculated assuming that nitrogen contained in the resin varnish V is derived from a component containing nitrogen atoms in the chemical formula. Specifically, the nitrogen content of each component is calculated from the molecular weight and the number of nitrogen atoms, and the value obtained by dividing the weight of the total by the weight of the entire resin varnish is expressed in%.

프리프레그 (100) 는 섬유 기재 (101) 를 중심으로 하고, 수지층 (103) 과 수지층 (104) 의 두께는 섬유 기재 (101) 를 중심으로 하여 실질적으로 동일해도 되고 상이해도 된다. 바꾸어 말하면, 프리프레그 (100) 는 섬유 기재의 두께 방향의 중심과, 프리프레그의 두께 방향의 중심이 어긋나 있어도 된다.The thickness of the resin layer 103 and the resin layer 104 may be substantially the same or different from each other with the fiber base 101 as the center. In other words, the center of the prepreg 100 in the thickness direction of the fiber base material and the center of the prepreg in the thickness direction may be shifted.

(적층판) (Laminates)

다음으로, 본 실시형태에 있어서의 적층판의 구성에 대해서 설명한다. 본 실시형태에 있어서의 적층판은 상기의 프리프레그 (100) 를 경화시켜 얻어지는 프리프레그의 경화체를 포함하고 있다.Next, the structure of the laminated board in this embodiment will be described. The laminated board in this embodiment includes a cured product of a prepreg obtained by curing the prepreg 100 described above.

(적층판의 제조 방법) (Production method of laminate)

계속해서, 상기에서 얻어진 프리프레그 (100) 를 사용한 적층판의 제조 방법에 대해서 설명한다. 프리프레그를 사용한 적층판의 제조 방법은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 다음과 같다.Next, a method for producing a laminated plate using the prepreg 100 obtained as described above will be described. The method of producing the laminate using the prepreg is not particularly limited, but examples thereof are as follows.

1 장 이상의 프리프레그를 중첩시키고, 그 외측의 상하 양면 또는 편면에 금속박을 중첩시켜 라미네이터 장치나 베크렐 장치를 사용하여 고진공 조건하에서 이것들을 접합하거나, 혹은 그대로 프리프레그 외측의 상하 양면 또는 편면에 금속박을 중첩시킨다.One or more prepregs may be superimposed on each other and the metal foil may be superimposed on the upper and lower sides or one side of the outer side of the prepregs to bond them under a high vacuum condition using a laminator or a beaker apparatus, Overlap.

다음으로, 프리프레그에 금속박을 중첩시킨 것을 진공 프레스기로 가열, 가압하거나 혹은 건조기로 가열함으로써 적층판을 얻을 수 있다.Next, the laminated plate obtained by superimposing the metal foil on the prepreg is heated, pressurized, or heated by a vacuum press.

금속박의 두께는, 예를 들어 1 ㎛ 이상 35 ㎛ 이하이다. 더욱 바람직하게는 2 ㎛ 이상 25 ㎛ 이하이다. 이 금속박의 두께가 상기 하한치 이상이면, 적층판을 제조할 때의 기계적 강도를 충분히 확보할 수 있다. 또, 두께가 상기 상한치 이하이면, 미세한 회로를 가공 형성하기 쉽게 할 수 있다.The thickness of the metal foil is, for example, 1 mu m or more and 35 mu m or less. More preferably not less than 2 占 퐉 and not more than 25 占 퐉. When the thickness of the metal foil is not less than the above lower limit value, the mechanical strength at the time of producing the laminated board can be sufficiently secured. When the thickness is not more than the upper limit value, it is easy to form a fine circuit.

금속박을 구성하는 금속으로는, 예를 들어 동 및 동계 합금, 알루미늄 및 알루미늄계 합금, 은 및 은계 합금, 금 및 금계 합금, 아연 및 아연계 합금, 니켈 및 니켈계 합금, 주석 및 주석계 합금, 철 및 철계 합금, 코발 (상표명), 42 얼로이, 인바 또는 슈퍼 인바 등의 Fe-Ni 계의 합금, W 또는 Mo 등을 들 수 있다. 또, 캐리어 부착 전해 동박 등도 사용할 수 있다.Examples of the metal constituting the metal foil include copper and copper alloys, aluminum and aluminum alloys, silver and silver alloys, gold and gold alloys, zinc and zinc alloys, nickel and nickel alloys, tin and tin alloys, Iron and iron alloys, Cobal (trade name), Fe-Ni alloys such as 42 alloy, Invar or Super Invar, W or Mo and the like. An electrolytic copper foil with a carrier can also be used.

상기 가열 처리하는 방법으로는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 열풍 건조 장치, 적외선 가열 장치, 가열 롤 장치, 평판상의 열반 프레스 장치 등을 사용하여 실시할 수 있다. 열풍 건조 장치 또는 적외선 가열 장치를 사용한 경우에는, 상기 접합한 것에 실질적으로 압력을 작용시키지 않고 실시할 수 있다. 또, 가열 롤 장치 또는 평판상의 열반 프레스 장치를 사용한 경우에는, 상기 접합한 것에 소정의 압력을 작용시킴으로써 실시할 수 있다.The method of performing the heat treatment is not particularly limited, and can be carried out by using, for example, a hot air drying apparatus, an infrared heating apparatus, a heating roll apparatus, a flat plate thermal press apparatus, or the like. When a hot-air drying apparatus or an infrared heating apparatus is used, the bonding can be carried out without substantially applying pressure. In the case of using a heating roll apparatus or a flat plate type hot press apparatus, it is possible to perform the above-mentioned bonding by applying a predetermined pressure.

가열 처리시의 온도는 특별히 한정되지 않지만, 사용하는 수지가 용융되고, 또한 수지의 경화 반응이 급속히 진행되지 않는 온도역으로 하는 것이 바람직하다. 수지가 용융되는 온도로는 바람직하게는 120 ℃ 이상, 보다 바람직하게는 150 ℃ 이상이다. 또, 수지의 경화 반응이 급속히 진행되지 않는 온도로는 바람직하게는 250 ℃ 이하, 보다 바람직하게는 230 ℃ 이하이다.The temperature at the time of the heat treatment is not particularly limited, but it is preferable that the temperature is in a range where the resin used is melted and the curing reaction of the resin does not progress rapidly. The temperature at which the resin is melted is preferably 120 占 폚 or higher, and more preferably 150 占 폚 or higher. The temperature at which the curing reaction of the resin does not proceed rapidly is preferably 250 DEG C or lower, more preferably 230 DEG C or lower.

또, 가열 처리하는 시간은, 사용하는 수지의 종류 등에 따라서 상이하기 때문에 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 30 분간 이상 300 분간 이하 처리함으로써 실시할 수 있다.The heating treatment time is not particularly limited because it varies depending on the kind of the resin to be used. For example, the heating treatment can be performed for 30 minutes or longer and 300 minutes or shorter.

또, 가압하는 압력은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 0.2 ㎫ 이상 6 ㎫ 이하가 바람직하고, 2 ㎫ 이상 5 ㎫ 이하가 보다 바람직하다.The pressure for pressurizing is not particularly limited, but is preferably 0.2 to 6 MPa, more preferably 2 to 5 MPa.

또, 금속박 대신에, 본 실시형태에 있어서의 적층판의 적어도 일방의 면에 필름을 적층해도 된다. 필름으로는, 예를 들어 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리이미드, 불소계 수지 등을 들 수 있다.Instead of the metal foil, a film may be laminated on at least one surface of the laminate according to the present embodiment. Examples of the film include polyethylene, polypropylene, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polyimide, and fluorine-based resins.

(반도체 패키지) (Semiconductor package)

계속해서, 본 실시형태에 있어서의 반도체 패키지 (200) 에 대해서 설명한다.Next, the semiconductor package 200 according to the present embodiment will be described.

얻어진 적층판은 도 2 에 나타내는 반도체 패키지 (200) 에 사용할 수 있다. 반도체 패키지 (200) 의 제조 방법으로는, 예를 들어 아래와 같은 방법이 있다.The obtained laminated plate can be used for the semiconductor package 200 shown in Fig. As a manufacturing method of the semiconductor package 200, for example, the following method is available.

적층판 (213) 에 층간 접속용의 스루홀 (215) 를 형성하고, 서브 트랙티브 공법, 세미 애디티브 공법 등에 의해서 배선층을 제작한다. 그 후, 필요에 따라서 빌드업층 (도 2 에서는 도시되지 않음) 을 적층하고, 애디티브 공법에 의해서 층간 접속 및 회로 형성하는 공정을 반복한다. 그리고, 필요에 따라서 솔더 레지스트층 (201) 을 적층하고, 상기에 준한 방법으로 회로 형성하여 회로 기판이 얻어진다. 여기서, 일부 혹은 모든 빌드업층 및 솔더 레지스트층 (201) 은 섬유 기재를 포함해도 되고, 포함하지 않아도 된다.A through hole 215 for interlayer connection is formed in the laminate 213, and a wiring layer is formed by a subtractive method, a semi-additive method, or the like. Thereafter, a buildup layer (not shown in Fig. 2) is stacked as necessary, and the steps of interlayer connection and circuit formation by the additive process are repeated. Then, a solder resist layer 201 is laminated as required, and a circuit is formed by a method similar to that described above to obtain a circuit board. Here, some or all of the buildup layers and the solder resist layer 201 may or may not include a fiber substrate.

다음으로, 솔더 레지스트층 (201) 전체 면에 포토레지스트를 도포한 후에, 포토레지스트의 일부를 제거하여 솔더 레지스트층 (201) 의 일부를 노출시킨다. 또한, 솔더 레지스트층 (201) 에는 포토레지스트의 기능을 갖는 레지스트를 사용할 수도 있다. 이 경우에는, 포토레지스트의 도포 공정을 생략할 수 있다. 다음으로, 노출된 솔더 레지스트층을 제거하여 개구부 (209) 를 형성한다.Next, after the photoresist is applied to the entire surface of the solder resist layer 201, a part of the photoresist is removed to expose a part of the solder resist layer 201. A resist having a photoresist function may also be used for the solder resist layer 201. [ In this case, the step of coating the photoresist can be omitted. Next, the exposed solder resist layer is removed to form openings 209. [

계속해서, 리플로우 처리를 행함으로써, 반도체 소자 (203) 를 배선 패턴의 일부인 접속 단자 (205) 상에 땜납 범프 (207) 를 개재하여 고착시킨다. 그 후, 반도체 소자 (203), 땜납 범프 (207) 등을 봉지재 (211) 로 봉지함으로써, 도 2 에 나타내는 반도체 패키지 (200) 가 얻어진다.Subsequently, reflow processing is performed to fix the semiconductor element 203 on the connection terminal 205, which is a part of the wiring pattern, with the solder bumps 207 interposed therebetween. Thereafter, the semiconductor element 203, the solder bumps 207, and the like are sealed with the sealing material 211 to obtain the semiconductor package 200 shown in Fig.

(반도체 장치) (Semiconductor device)

계속해서, 본 실시형태에 있어서의 반도체 장치 (300) 에 대해서 설명한다.Next, the semiconductor device 300 in the present embodiment will be described.

반도체 패키지 (200) 는 도 3 에 나타내는 반도체 장치 (300) 에 사용할 수 있다. 반도체 장치 (300) 의 제조 방법으로는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 아래와 같은 방법이 있다.The semiconductor package 200 can be used for the semiconductor device 300 shown in Fig. The manufacturing method of the semiconductor device 300 is not particularly limited, and for example, the following method is available.

먼저, 얻어진 반도체 패키지 (200) 의 솔더 레지스트층 (201) 의 개구부 (209) 에 땜납 페이스트를 공급하고, 리플로우 처리함으로써 땜납 범프 (301) 를 형성한다. 또, 땜납 범프 (301) 는 미리 제작한 땜납 볼을 개구부 (209) 에 장착하는 것에 의해서도 형성할 수 있다.First, solder paste is supplied to the openings 209 of the solder resist layer 201 of the obtained semiconductor package 200, and reflow processing is performed to form the solder bumps 301. The solder bumps 301 can also be formed by mounting solder balls previously prepared in the openings 209. [

다음으로, 실장 기판 (303) 의 접속 단자 (305) 와 땜납 범프 (301) 를 접합함으로써 반도체 패키지 (200) 를 실장 기판 (303) 에 실장하여, 도 3 에 나타낸 반도체 장치 (300) 가 얻어진다.Next, the semiconductor package 200 is mounted on the mounting board 303 by bonding the connection terminals 305 of the mounting board 303 and the solder bumps 301 to obtain the semiconductor device 300 shown in Fig. 3 .

이상에서 설명한 바와 같이, 본 실시형태에 의하면, 절연 신뢰성이 우수한 적층판 (213) 용 프리프레그 (100) 를 제공할 수 있다. 그리고, 적층판 (213) 을 사용한 회로 기판은 절연 신뢰성이 우수한 것이다. 따라서, 본 실시형태에 있어서의 적층판 (213) 은, 고밀도화, 고다층화가 요구되는 프린트 배선판 등 절연 신뢰성이 보다 더 요구되는 용도에 바람직하게 사용할 수 있다.As described above, according to the present embodiment, it is possible to provide the prepreg 100 for the laminated plate 213 excellent in insulation reliability. The circuit board using the laminated plate 213 is excellent in insulation reliability. Therefore, the laminate plate 213 in the present embodiment can be preferably used for applications requiring higher insulation reliability such as printed wiring boards requiring high density and high multilayer structure.

이상, 본 발명의 실시형태에 대해서 서술했지만, 이것들은 본 발명의 예시로서 상기 이외의 여러 가지 구성을 채용할 수도 있다. 예를 들어, 본 실시형태에서는, 프리프레그가 1 층인 경우를 나타냈지만, 프리프레그 (100) 를 1 층 이상 적층한 것을 사용하여 적층판을 제작해도 된다.As described above, the embodiments of the present invention have been described. However, the present invention may be applied to various configurations other than the above. For example, although the case where the prepreg is one layer is shown in the present embodiment, a laminated board may be produced using a laminate of one or more prepregs 100.

또, 본 실시형태에 있어서의 적층판에 빌드업층을 추가로 적층한 구성을 취할 수도 있다. 또, 빌드업층이나 솔더 레지스트층에 사용되는 프리프레그에도 본 실시형태에 있어서의 프리프레그 (100) 를 사용해도 된다. 이 경우에는 더욱 절연 신뢰성이 우수한 반도체 패키지 (200) 및 반도체 장치 (300) 를 얻을 수 있다.It is also possible to adopt a configuration in which a buildup layer is further laminated on the laminated board in the present embodiment. The prepreg 100 according to the present embodiment may also be used for a prepreg used for a buildup layer or a solder resist layer. In this case, the semiconductor package 200 and the semiconductor device 300, which are more excellent in insulation reliability, can be obtained.

실시예Example

이하, 본 발명을 실시예 및 비교예에 의해서 설명하지만, 본 발명은 이것들에 한정되는 것은 아니다. 또한, 실시예에서는 부는 특별히 특정하지 않는 한 질량부를 나타낸다. 또, 각각의 두께는 평균 막두께로 표시되어 있다.Hereinafter, the present invention will be described with reference to examples and comparative examples, but the present invention is not limited thereto. In the following Examples, "parts" means "parts by weight" unless otherwise specified. Each thickness is indicated by an average film thickness.

실시예 및 비교예에서는, 이하의 원료를 사용한다.In the examples and comparative examples, the following raw materials are used.

(1) 브롬화 비스페놀 A형 에폭시 수지 (미츠비시 화학사 제조, 5047, 에폭시 당량 560) (1) Brominated bisphenol A type epoxy resin (Mitsubishi Chemical Corporation, 5047, epoxy equivalent: 560)

(2) 비스페놀 A형 에폭시 수지 (미츠비시 화학사 제조, 828, 에폭시 당량 190) (2) bisphenol A type epoxy resin (Mitsubishi Chemical Corporation, 828, epoxy equivalent 190)

(3) 비스페놀 F형 에폭시 수지 (DIC 사 제조, 830S, 에폭시 당량 170) (3) Bisphenol F type epoxy resin (830S, epoxy equivalent 170, manufactured by DIC Corporation)

(4) 1,1,2,2-테트라키스(글리시딜페닐) 에탄형 에폭시 수지 (미츠비시 화학사 제조, 1031, 에폭시 당량 220) (4) 1,1,2,2-tetrakis (glycidylphenyl) ethane type epoxy resin (Mitsubishi Chemical Corporation, 1031, epoxy equivalent 220)

(5) 페놀노볼락 수지 (DIC 사 제조, TD-2090, 수산기 당량 105) (5) Phenol novolak resin (TD-2090, manufactured by DIC, hydroxyl equivalent 105)

(6) 페놀아르알킬 수지 (미츠이 화학사 제조, XLC-LL, 수산기 당량 175) (6) Phenol aralkyl resin (XLC-LL, manufactured by Mitsui Chemicals, Inc., hydroxyl equivalent 175)

(7) 비스페놀 A 노볼락 수지 (DIC 사 제조, VH-4170, 수산기 당량 115) (7) Bisphenol A novolac resin (VH-4170, manufactured by DIC Corporation, hydroxyl equivalent of 115)

(8) 2-페닐이미다졸 (시코쿠 화성사 제조) (8) 2-Phenylimidazole (manufactured by Shikoku Chemical Industry Co., Ltd.)

(9) 에폭시실란 (신에츠 실리콘사 제조, KBM-403) (9) Epoxy silane (KBM-403, Shin-Etsu Silicone Co., Ltd.)

(10) 용융 실리카 (아드마텍스사 제조, SO-E2, 평균 입경 0.5 ㎛) (10) Fused silica (SO-E2, manufactured by Admatechs Co., average particle diameter 0.5 mu m)

(11) 수산화알루미늄 (닛폰 경금속사 제조, BE-033, 평균 입경 3.0 ㎛) (11) Aluminum hydroxide (BE-033, average particle diameter 3.0 mu m, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.)

(12) 디시안디아미드 (데구사사 제조) (12) Dicyandiamide (manufactured by Degussa)

(13) 4,4'-디아미노디페닐메탄 (토쿄 화성사 제조) (13) 4,4'-diaminodiphenylmethane (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.)

(실시예 1) (Example 1)

이하의 순서를 사용하여, 본 발명에 있어서의 적층판을 제작하였다.The following procedure was used to produce a laminate according to the present invention.

1. 수지 조성물의 바니시 조제1. Varnish preparation of resin composition

브롬화 비스페놀 A형 에폭시 수지 (미츠비시 화학사 제조, 5047, 에폭시 당량 560) 를 28.1 질량부, 비스페놀 A형 에폭시 수지 (미츠비시 화학사 제조, 828, 에폭시 당량 190) 를 20.0 질량부, 페놀노볼락 수지 (DIC 사 제조, TD-2090, 수산기 당량 105) 를 16.3 질량부, 2-페닐이미다졸 (시코쿠 화성사 제조) 을 0.03 질량부, 에폭시실란 (신에츠 실리콘사 제조, KBM-403) 을 0.8 질량부, 용융 실리카 (아드마텍스사 제조, SO-E2, 평균 입경 0.5 ㎛) 를 1.5 질량부, 수산화알루미늄 (닛폰 경금속사 제조, BE-033, 평균 입경 3.0 ㎛) 을 33.3 질량부에, 메틸에틸케톤 28.0 질량부를 첨가하고, 고속 교반 장치를 사용하여 교반하여, 수지 조성물이 고형분 기준으로 78 질량% 인 수지 바니시를 얻었다. 또, 상기 서술한 이론 질소 함유량을 산출하였다. 또한, 실시예 1 에 있어서는, 화학식 중에 질소 원자가 함유되는 성분은 2-페닐이미다졸이다.28.1 parts by mass of a brominated bisphenol A type epoxy resin (Mitsubishi Chemical Corporation, 5047, epoxy equivalent: 560), 20.0 parts by mass of bisphenol A type epoxy resin (Mitsubishi Chemical Corporation, 828, epoxy equivalent 190) 16.3 parts by mass of TD-2090, hydroxyl equivalent 105), 0.03 parts by mass of 2-phenylimidazole (manufactured by Shikoku Chemicals), 0.8 parts by mass of epoxy silane (KBM-403, 1.5 parts by mass of silica (SO-E2 manufactured by Admatech Co., Ltd., average particle diameter 0.5 占 퐉), 33.3 parts by mass of aluminum hydroxide (BE-033, average particle size 3.0 占 퐉, manufactured by Nippon Light Metal Co., Ltd.), 28.0 mass parts of methyl ethyl ketone And the mixture was stirred using a high-speed stirring apparatus to obtain a resin varnish having a resin composition of 78 mass% based on the solid content. The above-described theoretical nitrogen content was calculated. Further, in Example 1, the component containing a nitrogen atom in the chemical formula is 2-phenylimidazole.

2. 프리프레그의 제조2. Preparation of prepreg

상기 서술한 바니시를 사용하여, 유리 직포 (두께 0.16 ㎜, 평량 208.0 g/㎡, 통기도 5.1 ㎤/㎠/sec, 닛토보 마카오사 제조) 208.0 질량부에 대해서, 바니시를 수지 조성물의 고형분으로 192.0 질량부 함침시키고, 180 ℃ 의 건조로에서 5 분간 건조시켜 수지 조성물 함유량 48.0 질량% 의 프리프레그를 제작하였다.Using the varnish described above, varnish was added to 192.0 parts by mass of the resin composition as a solid component of a glass woven fabric (thickness 0.16 mm, basis weight 208.0 g / m 2, air permeability 5.1 cm 3 / cm 2 / sec, Nittobo Macao Co., Impregnated and dried in a drying oven at 180 캜 for 5 minutes to prepare a prepreg having a resin composition content of 48.0% by mass.

유리 직포의 통기도는, 시료를 200 ㎜×500 ㎜ 로 절단하고, 프레질 측정기 (타이에이 과학사 제조 AP-360S) 를 사용하여, 물의 압력 강하가 1.27 ㎝ 일 때의 1 평방 ㎝ 당, 1 초 동안에 천을 통과하는 공기량으로서 구하였다.The air-permeability of the glass woven fabric was measured by cutting a sample to 200 mm x 500 mm and measuring the pressure drop per square centimeter when the pressure drop of water was 1.27 cm by using a pre-measuring machine (AP-360S manufactured by Taisei Scientific Co., Ltd.) The amount of air passing through the cloth was obtained.

3. 적층판의 제조3. Manufacture of laminates

상기 프리프레그를 4 장 중첩시키고, 상하로 두께 18 ㎛ 의 전해 동박 (코가 서킷 호일사 제조, GTSMP) 을 중첩하여, 압력 4 ㎫, 온도 200 ℃ 에서 180 분간 가열 가압 성형하여 두께 0.8 ㎜ 의 양면 구리 피복 적층판을 얻었다.Four sheets of the above prepregs were superimposed, and an electrolytic copper foil (GTSMP, manufactured by Kohaku Foil Co., Ltd.) having a thickness of 18 탆 was stacked on top and bottom and heated and pressed at a pressure of 4 MPa and a temperature of 200 캜 for 180 minutes. To obtain a copper clad laminate.

4. 프린트 배선판의 제조4. Manufacture of printed wiring board

상기에서 얻어진 양면 구리 피복 적층판에, 65 ㎛ 의 드릴 비트를 사용하여 스루홀 가공을 실시한 후, 70 ℃ 의 팽윤액 (아토텍크 재팬사 제조, 스웰링 딥 세큐리간트 P) 에 5 분간 침지하고, 추가로 80 ℃ 의 과망간산칼륨 수용액 (아토텍크 재팬사 제조, 컨센트레이트 콤팩트 CP) 에 15 분간 침지 후, 중화하여 스루홀 내의 디스미어 처리를 실시하였다. 다음으로, 플래시 에칭에 의해서 전해 동박층 표면을 1 ㎛ 정도 에칭한 후, 무전해 동도금을 두께 0.5 ㎛ 형성하고, 전해 동도금용 레지스트 층을 두께 18 ㎛ 형성하고, 패턴 동도금하고, 온도 200 ℃, 60 분간 가열하여 포스트 큐어하였다. 이어서, 도금 레지스트를 박리하고, 전체 면을 플래시 에칭하여 L/S = 75/75 ㎛ 의 패턴을 형성하였다. 마지막으로 회로 표면에 솔더 레지스트 (타이요 잉크사 제조 PSR4000/AUS308) 를 두께 20 ㎛ 형성하여, 양면 프린트 배선판을 얻었다.The double-sided copper clad laminate thus obtained was subjected to through-hole processing using a drill bit having a diameter of 65 mu m and then immersed in a swelling solution (Swelling Deep Sycregent P manufactured by Atotech Japan Co., Ltd.) at 70 DEG C for 5 minutes, And further immersed in an aqueous potassium permanganate solution (Concentrate Compact CP, manufactured by Atotech Japan) at 80 ° C for 15 minutes, neutralized and subjected to desmear treatment in a through hole. Next, the surface of the electrolytic copper foil layer was etched by about 1 탆 by flash etching, electroless copper plating was formed to a thickness of 0.5 탆, a resist layer for electrolytic copper plating was formed to a thickness of 18 탆, pattern copper plating was performed, And heated for a minute to post-cure. Subsequently, the plating resist was peeled off and the entire surface was subjected to flash etching to form a pattern of L / S = 75/75 μm. Finally, a solder resist (PSR4000 / AUS308, manufactured by TAIYO INK Co., Ltd.) was formed on the circuit surface to a thickness of 20 mu m to obtain a double-sided printed wiring board.

(실시예 2 ∼ 9 및 비교예 1 ∼ 8) (Examples 2 to 9 and Comparative Examples 1 to 8)

표 1 및 표 2 에 기재된 배합표에 따라서 수지 바니시를 조제한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 수지 바니시를 조제하고, 프리프레그, 적층판, 프린트 배선판을 제작하였다.A resin varnish was prepared in the same manner as in Example 1 except that a resin varnish was prepared in accordance with the formulation tables shown in Tables 1 and 2 to prepare a prepreg, a laminate, and a printed wiring board.

또, 각 실시예 및 비교예에 의해서 얻어진 프리프레그 및 프린트 배선판에 대해서, 다음의 각 평가를 실시하였다. 평가 결과를 표 1 에 나타낸다.The following evaluations were carried out on the prepreg and the printed wiring board obtained in each of the examples and the comparative examples. The evaluation results are shown in Table 1.

1. 프리프레그의 평가1. Evaluation of prepreg

(1) 수지 고임의 발생 상황(1) Outbreak situation

각 실시예 및 각 비교예에서 얻어진 프리프레그 표면의 수지 고임의 발생 상황을 육안으로 평가하였다. 수지 고임이 확인되지 않은 것을「이상 없음」으로 하고, 유리 직포의 보풀에 의해서 프리프레그 표면에 수지 고임이 확인된 것을「있음」으로 하였다.The occurrence of resin gaps on the surface of the prepreg obtained in each of the Examples and Comparative Examples was visually evaluated. A sample in which the resin adherence was not confirmed was defined as " no abnormality ", and a sample in which the resin adherence was confirmed on the prepreg surface by the fluff of the glass woven fabric was determined as "

(2) 프리프레그 중의 질소 함유량의 측정(2) Measurement of nitrogen content in prepreg

프리프레그 중의 질소 함유량은 이하의 방법으로 측정하였다.The nitrogen content in the prepreg was measured by the following method.

질소 함유량은 유기 원소 분석 장치 (퍼킨엘머 2400 IICHNS) 를 사용하여, 아래와 같이 하여 측정하였다. 프리프레그를 20 mg 취하여 주석 보드에 감싸고, 이것을 장치에 세트하여 연소관에 낙하시키고, 산소 중에서 1000 ℃ 에서 연소시키고, 발생된 질소 가스를 열전도도 검출기로 검출하였다.The nitrogen content was measured using an organic element analyzer (Perkin Elmer 2400 IICHNS) as follows. 20 mg of the prepreg was taken and wrapped in a tin board, which was set in the apparatus, dropped into a combustion tube, and burned at 1000 캜 in oxygen, and the generated nitrogen gas was detected by a thermal conductivity detector.

2. 프린트 배선판의 평가2. Evaluation of printed wiring board

(1) 땜납 내열성(1) Solder heat resistance

상기 실시예 및 비교예에서 얻어진 프린트 배선판을 50 ㎜ × 50 ㎜ 로 그라인더 소 (saw) 로 절단하고, 85 ℃ 85 % 에서 96 시간 처리한 후, 260 ℃ 의 땜납조에 샘플을 30 초간 침지시킨 후에 외관의 이상 유무를 조사하였다.The printed wiring boards obtained in the above-mentioned Examples and Comparative Examples were cut into a grinder with a size of 50 mm x 50 mm, treated at 85 캜 and 85% for 96 hours, immersed in a solder bath at 260 캜 for 30 seconds, Were investigated.

평가 기준 : 이상 없음Evaluation Criteria: No abnormality

: 팽윤 있음 (전체적으로 팽윤된 지점이 있다)           : Swelling (there is a swelling point as a whole)

(2) 내마이그레이션성(2) My migration ability

상기 실시예 및 비교예에서 얻어진 프린트 배선판의 스루홀 부분에 85 ℃ 85 % 조건하에서 50 V 인가하고, 300 시간 처리 후의 절연 저항을 측정하였다. 또한, 스루홀과 스루홀의 벽간 거리는 0.35 ㎛ 이다. 여기서, 10-8 Ω 이하로 절연 저하된 것을「절연 저하」로 하였다.50 V was applied to the through-hole portions of the printed wiring boards obtained in the above Examples and Comparative Examples under the condition of 85 캜 and 85%, and the insulation resistance after the treatment for 300 hours was measured. The distance between the through-holes and the through-holes is 0.35 mu m. Here, insulation deterioration of not more than 10 < -8 >

3. 평가 결과3. Evaluation results

표 1 로부터 분명한 바와 같이, 실시예 1 ∼ 9 는 수지 고임이 없어, 프린트 배선판의 땜납 내열성이나 내마이그레이션성이 우수하였다.As apparent from Table 1, in Examples 1 to 9, there were no resin gaps and the solder heat resistance and migration resistance of the printed wiring board were excellent.

비교예 1 은 유리 직포의 통기도가 작은 것을 사용했기 때문에 수지 고임이 발생하였다.In Comparative Example 1, since the glass woven fabric having a low air permeability was used, a resin sticking occurred.

비교예 2, 3 은 용매에 질소를 함유하는 것을 사용했기 때문에, 땜납 내열성 및 내마이그레이션성이 악화되었다.In Comparative Examples 2 and 3, since solder containing nitrogen was used, solder heat resistance and migration resistance deteriorated.

비교예 4, 6, 7 은 경화제에 질소를 함유하는 것을 사용했기 때문에, 내마이그레이션성이 악화되었다.In Comparative Examples 4, 6, and 7, since the curing agent containing nitrogen was used, migration resistance deteriorated.

비교예 5 는 유리 직포의 통기도가 작은 것을 사용했기 때문에, 경화제에 질소를 함유하는 것을 사용했지만, 마이그레이션은 발생하지 않았다. 그러나, 유리 직포의 통기도가 작은 것을 사용했기 때문에 수지 고임이 발생하였다.In Comparative Example 5, a glass woven fabric having a low air permeability was used, so that a material containing nitrogen as a curing agent was used, but migration did not occur. However, since the glass woven fabric having a low air permeability was used, a resin stain occurred.

비교예 8 은 유리 직포의 통기도가 30 ㎤/㎠/sec 를 초과하는 것을 사용했기 때문에 내마이그레이션성이 악화되었다.In Comparative Example 8, the glass woven fabric having an air permeability exceeding 30 cm < 3 > / cm < 2 > / sec.

Figure 112014006192210-pct00001
Figure 112014006192210-pct00001

Figure 112014006192210-pct00002
Figure 112014006192210-pct00002

이 출원은 2011년 6월 28일에 출원된 일본 특허출원 2011-142630호를 기초로 하는 우선권을 주장하고, 그 개시의 모두를 여기에 받아들였다.This application claims priority based on Japanese Patent Application No. 2011-142630 filed on June 28, 2011, and hereby accepts all of its disclosures.

Claims (11)

에폭시 수지와 에폭시 수지 경화제를 함유하는 수지 조성물을 섬유 기재에 함침시켜 얻어지는 프리프레그로서,
상기 프리프레그 중의 질소 함유량이 0.0024 질량% 이하이고,
상기 섬유 기재의 통기도가 3.0 ㎤/㎠/sec 이상 30.0 ㎤/㎠/sec 이하인, 프리프레그.
A prepreg obtained by impregnating a fiber substrate with a resin composition containing an epoxy resin and an epoxy resin curing agent,
The nitrogen content in the prepreg is 0.0024 mass% or less,
Wherein the air permeability of the fiber substrate is 3.0 cm 3 / cm 2 / sec or more and 30.0 cm 3 / cm 2 / sec or less.
제 1 항에 있어서,
상기 수지 조성물은 추가로 경화 촉매를 함유하는, 프리프레그.
The method according to claim 1,
Wherein the resin composition further comprises a curing catalyst.
제 2 항에 있어서,
상기 경화 촉매가 이미다졸 화합물을 함유하는, 프리프레그.
3. The method of claim 2,
Wherein the curing catalyst contains an imidazole compound.
제 1 항에 있어서,
상기 섬유 기재의 평량이 145 g/㎡ 이상 300 g/㎡ 이하인, 프리프레그.
The method according to claim 1,
Wherein a basis weight of the fibrous substrate is not less than 145 g / m < 2 > and not more than 300 g / m < 2 >.
제 1 항에 있어서,
상기 섬유 기재의 두께가 50 ㎛ 이상 300 ㎛ 이하인, 프리프레그.
The method according to claim 1,
Wherein the thickness of the fiber substrate is not less than 50 占 퐉 and not more than 300 占 퐉.
제 1 항에 있어서,
상기 섬유 기재가 유리 섬유 기재인, 프리프레그.
The method according to claim 1,
Wherein the fiber substrate is a glass fiber substrate.
제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 기재된 프리프레그의 경화체를 포함하는, 적층판. A laminate comprising the cured product of the prepreg according to any one of claims 1 to 6. 제 7 항에 기재된 적층판을 회로 가공하여 얻어지는 회로 기판에 반도체 소자를 탑재하여 이루어지는, 반도체 패키지.A semiconductor package comprising a circuit board obtained by subjecting the laminate according to claim 7 to circuit processing and mounting a semiconductor element thereon. 에폭시 수지와 에폭시 수지 경화제와 용매를 함유하는 수지 바니시를 섬유 기재에 함침시켜 프리프레그를 얻는 공정과,
상기 프리프레그를 가열하여 프리프레그의 경화체를 얻는 공정,
을 행하고, 그 후,
레이저에 의해서 비아를 형성하는 공정을 행하는 적층판의 제조 방법으로서,
상기 수지 바니시 중의 이론 질소 함유량이 0.005 질량% 이하이고,
상기 섬유 기재의 통기도가 3.0 ㎤/㎠/sec 이상 30.0 ㎤/㎠/sec 이하인, 적층판의 제조 방법.
A step of impregnating a fiber substrate with a resin varnish containing an epoxy resin, an epoxy resin curing agent and a solvent to obtain a prepreg;
A step of heating the prepreg to obtain a cured product of the prepreg,
And then,
A manufacturing method of a laminated board for performing a step of forming a via by a laser,
The resin varnish has a theoretical nitrogen content of 0.005 mass% or less,
Wherein the air permeability of the fiber substrate is 3.0 cm 3 / cm 2 / sec or more and 30.0 cm 3 / cm 2 / sec or less.
제 9 항에 있어서,
상기 에폭시 수지 경화제는 화학식 중에 질소 원자를 함유하지 않는 유기 화합물인, 적층판의 제조 방법.
10. The method of claim 9,
Wherein the epoxy resin curing agent is an organic compound containing no nitrogen atom in the formula.
제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,
상기 용매는 화학식 중에 질소 원자를 함유하지 않는 유기 화합물인, 적층판의 제조 방법.
11. The method according to claim 9 or 10,
Wherein the solvent is an organic compound containing no nitrogen atom in the chemical formula.
KR1020147001652A 2011-06-28 2012-06-05 Prepreg, laminated plate, semiconductor package and method for manufacturing laminated plate KR101574907B1 (en)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2011-142630 2011-06-28
JP2011142630 2011-06-28
PCT/JP2012/003671 WO2013001726A1 (en) 2011-06-28 2012-06-05 Prepreg, laminated plate, semiconductor package, and method for producing laminated plate

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140027493A KR20140027493A (en) 2014-03-06
KR101574907B1 true KR101574907B1 (en) 2015-12-04

Family

ID=47423658

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020147001652A KR101574907B1 (en) 2011-06-28 2012-06-05 Prepreg, laminated plate, semiconductor package and method for manufacturing laminated plate

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP5696786B2 (en)
KR (1) KR101574907B1 (en)
CN (1) CN103649185B (en)
TW (1) TW201315767A (en)
WO (1) WO2013001726A1 (en)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105006436A (en) * 2015-06-05 2015-10-28 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 Apparatus improving the preparation yield rate of micro-bumps and micro-bump preparation process
JP7062331B2 (en) * 2017-11-16 2022-05-06 株式会社ディスコ Manufacturing method of core material and manufacturing method of copper-clad laminate
US10796998B1 (en) 2019-04-10 2020-10-06 Gan Systems Inc. Embedded packaging for high voltage, high temperature operation of power semiconductor devices
EP4026865B1 (en) * 2019-09-06 2023-08-09 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Resin composition, prepreg, resin-equipped film, resin-equipped metal foil, metal-cladded laminated plate, and printed wiring board
CN111303788A (en) * 2020-02-25 2020-06-19 深圳赛兰仕科创有限公司 High-frequency composite material and preparation method thereof
US11342248B2 (en) 2020-07-14 2022-05-24 Gan Systems Inc. Embedded die packaging for power semiconductor devices

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003213021A (en) 2002-01-18 2003-07-30 Hitachi Chem Co Ltd Prepreg, metal-clad laminated plate and printed wiring plate using the same
JP2011068788A (en) * 2009-09-25 2011-04-07 Panasonic Electric Works Co Ltd Epoxy resin composition for prepreg, prepreg using the same, laminated board, and multilayer board

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0759626B2 (en) * 1989-07-12 1995-06-28 日立化成工業株式会社 Epoxy resin composition for printed wiring board
JPH06316643A (en) * 1993-05-07 1994-11-15 Hitachi Chem Co Ltd Production of prepreg
JPH10279779A (en) * 1997-04-07 1998-10-20 Hitachi Chem Co Ltd Epoxy resin composition for printed circuit board and prepreg and metal-clad laminated board produced by using the composition
JP4348785B2 (en) * 1999-07-29 2009-10-21 三菱瓦斯化学株式会社 High elastic modulus glass cloth base thermosetting resin copper clad laminate
JP2002003626A (en) * 2000-06-19 2002-01-09 Shin Kobe Electric Mach Co Ltd Epoxy resin composition for impregnation of organic fiber base material and prepreg made of it, laminated plate and printed wiring board
JP2002003627A (en) * 2000-06-21 2002-01-09 Matsushita Electric Works Ltd Prepreg and laminated plate for lazer processing by using it
JP2003147051A (en) * 2001-11-09 2003-05-21 Hitachi Chem Co Ltd Resin composition, method for producing the same, and prepreg for printed wiring board using the same
JP2006310572A (en) * 2005-04-28 2006-11-09 Hitachi Chem Co Ltd Method of manufacturing printed circuit board

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003213021A (en) 2002-01-18 2003-07-30 Hitachi Chem Co Ltd Prepreg, metal-clad laminated plate and printed wiring plate using the same
JP2011068788A (en) * 2009-09-25 2011-04-07 Panasonic Electric Works Co Ltd Epoxy resin composition for prepreg, prepreg using the same, laminated board, and multilayer board

Also Published As

Publication number Publication date
WO2013001726A1 (en) 2013-01-03
CN103649185A (en) 2014-03-19
JP5696786B2 (en) 2015-04-08
JPWO2013001726A1 (en) 2015-02-23
CN103649185B (en) 2017-06-09
TW201315767A (en) 2013-04-16
KR20140027493A (en) 2014-03-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101482299B1 (en) Resin composition, resin sheet, prepreg, laminate, multilayer printed wiring board, and semiconductor device
JP6217165B2 (en) Prepreg with primer layer, metal foil with primer layer, metal-clad laminate, printed wiring board, semiconductor package and semiconductor device
US8357859B2 (en) Insulating resin sheet laminate and multi-layer printed circuit board including insulating resin sheet laminate
KR101574907B1 (en) Prepreg, laminated plate, semiconductor package and method for manufacturing laminated plate
JP2010248473A (en) Thermosetting resin composition, and prepreg, laminate and multi-layered printed wiring board using same
JP5445442B2 (en) Resin composition for printed wiring board, prepreg, laminate, resin sheet, printed wiring board, and semiconductor device
JP2018199797A (en) Thermosetting resin composition, resin film with carrier, prepreg, printed wiring board, and semiconductor device
KR20150123179A (en) Resin composition for insulating layer of printed wiring board
JP2012131947A (en) Resin composition for printed wiring board, prepreg, metal-clad laminate, resin sheet, printed wiring board, and semiconductor device
JP2007070418A (en) Adhesive sheet, metal foil-clad laminated sheet and built-up type multilayered printed wiring board
JP2010258415A (en) Composite body, method of manufacturing the same, and semiconductor device
JP5737028B2 (en) Pre-preg for printed wiring board, laminated board, printed wiring board, and semiconductor package
JP2008038066A (en) Prepreg, substrate and semiconductor device
KR102259476B1 (en) Process for producing component mounting substrate
JP6428638B2 (en) Metal-clad laminate, circuit board, and electronic device
JP5594128B2 (en) Resin composition for printed wiring board, prepreg, laminate, resin sheet, printed wiring board, and semiconductor device
JP5245253B2 (en) Resin composition, insulating resin sheet with film or metal foil, multilayer printed wiring board, and semiconductor device
JP2012131946A (en) Resin composition for printed wiring board, prepreg, laminate, resin sheet, printed wiring board, and semiconductor device
JP2011099072A (en) Resin composition, insulating layer, prepreg, laminate, print wiring board and semiconductor device
KR101571086B1 (en) Insulating resin sheet for flexible printed circuit board and method of manufacturing the same, and printed circuit board comprising the same
JP7176556B2 (en) Resin sheet with support
JP4840303B2 (en) Insulated resin sheet with glass fiber woven fabric, laminated board, multilayer printed wiring board, and semiconductor device
JP2012158645A (en) Epoxy resin composition for printed wiring board, prepreg, metal-clad laminate, resin sheet, printed wiring board, and semiconductor device
JP2021163767A (en) Method for manufacturing printed wiring board
JP2015086293A (en) Prepreg and multilayer printed wiring board

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180917

Year of fee payment: 4