KR102259476B1 - Process for producing component mounting substrate - Google Patents

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KR102259476B1 KR1020140093212A KR20140093212A KR102259476B1 KR 102259476 B1 KR102259476 B1 KR 102259476B1 KR 1020140093212 A KR1020140093212 A KR 1020140093212A KR 20140093212 A KR20140093212 A KR 20140093212A KR 102259476 B1 KR102259476 B1 KR 102259476B1
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시게오 나카무라
마사토시 와타나베
치히로 미야케
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Abstract

[과제] 부품 실장 기판의 새로운 박형화에 대응할 수 있는, 리플로우 공정에 의한 부품 실장의 고온을 거친 후라도, 기판의 휘어짐이 생기기 어려운 부품 실장 기판의 제조 방법, 및 박형의 부품 실장 기판의 절연층 형성에 적합한 열경화성 수지 조성물을 제공한다.
[해결 수단] 내층 기판 위에 형성된 열경화성 수지 조성물층을 가열 경화하여 경화물층을 형성하는, 열경화 공정과, 당해 경화물층을 갖는 기판 위에 부품을 리플로우에 의해 실장하는, 리플로우 공정을 포함하고, 열경화성 수지 조성물층의 열경화 공정 후에서의 x-y 방향의 수축률(S1)이 0.35% 이하이고, 경화물층의 리플로우 공정 후에서의 x-y 방향의 수축률(S2)이 0.4% 이하이고, 또한 S1과 S2가 S2-S1≤0.08의 관계를 충족시키는 것을 특징으로 하는, 부품 실장 기판의 제조 방법, 및 절연층을 형성하기 위한 열경화성 수지 조성물로서, 열경화 후의 x-y 방향의 수축률(S1)이 0.35% 이하가 되는 조건으로 열경화된 당해 열경화성 수지 조성물의 경화물을 IPC/JEDEC J-STD-020C에 준거한 리플로우 온도 프로파일로 가열한 후의 x-y 방향의 수축률(S2)이 0.4% 이하이고, 또한 S1과 S2가 S2-S1≤0.08의 관계를 충족시키는 것을 특징으로 하는, 열경화성 수지 조성물.
[Problem] A method for manufacturing a component mounting board that is unlikely to cause warpage of the board even after a high temperature of component mounting by a reflow process, which can respond to new thinning of the component mounting board, and formation of an insulating layer for a thin component mounting board To provide a thermosetting resin composition suitable for
[Solutions] Includes a thermosetting step of heating and curing the thermosetting resin composition layer formed on the inner layer substrate to form a cured product layer, and a reflow step of mounting the component on the substrate having the cured material layer by reflow. and the shrinkage ratio (S1) in the xy direction after the thermosetting step of the thermosetting resin composition layer is 0.35% or less, and the shrinkage ratio (S2) in the xy direction after the reflow step of the cured product layer is 0.4% or less, and A method for manufacturing a component mounting board, wherein S1 and S2 satisfy the relationship S2-S1≤0.08, and a thermosetting resin composition for forming an insulating layer, wherein the shrinkage rate (S1) in the xy direction after thermosetting is 0.35 % or less, the shrinkage rate (S2) in the xy direction after heating the cured product of the thermosetting resin composition thermoset to a reflow temperature profile conforming to IPC/JEDEC J-STD-020C is 0.4% or less, and A thermosetting resin composition, characterized in that S1 and S2 satisfy the relationship of S2-S1≤0.08.

Description

부품 실장 기판의 제조 방법{PROCESS FOR PRODUCING COMPONENT MOUNTING SUBSTRATE}Manufacturing method of component mounting board {PROCESS FOR PRODUCING COMPONENT MOUNTING SUBSTRATE}

본 발명은, 부품 실장 기판의 제조 방법 및 부품 실장 기판의 절연층 형성에 유용한 열경화성 수지 조성물에 관한 것이다.This invention relates to the manufacturing method of a component mounting board|substrate, and the thermosetting resin composition useful for formation of the insulating layer of a component mounting board|substrate.

다층 프린트 기판의 제조 기술로서는, 코어 기판 위에 절연층과 도체층을 교대로 적층하는 빌드업 방식에 의한 제조 방법이 알려져 있다. 빌드업 방식에 의한 제조 방법에 있어서, 일반적으로 절연층은 수지 조성물을 경화시켜서 형성된다. 이러한 수지 조성물로서, 에폭시 수지 조성물을 사용하는 것이 알려져 있다(특허문헌 1).As a manufacturing technique of a multilayer printed circuit board, the manufacturing method by the buildup system which laminates|stacks an insulating layer and a conductor layer alternately on a core board|substrate is known. In the manufacturing method by the build-up method, in general, an insulating layer is formed by hardening|curing a resin composition. As such a resin composition, it is known to use an epoxy resin composition (patent document 1).

최근, 다층 프린트 기판을 제조할 때에, 절연층과 도체층의 열팽창의 차에 기인하는 크랙이나 회로 변형을 방지하기 위하여, 수지 조성물에 실리카 입자 등의 무기 충전재를 고배합하는 경향이 있다(특허문헌 2).In recent years, when manufacturing a multilayer printed circuit board, in order to prevent cracks and circuit deformation caused by the difference in thermal expansion between the insulating layer and the conductor layer, there is a tendency to highly blend inorganic fillers such as silica particles in the resin composition (Patent Document) 2).

일본국 공개특허공보 특개2007-254709호Japanese Patent Laid-Open No. 2007-254709 일본국 공개특허공보 특개2010-202865호Japanese Patent Laid-Open No. 2010-202865

다층 프린트 기판의 추가 박형화가 요망되는 중에, 코어 기판이나 절연층의 두께는 점차로 얇아지는 경향이 있다. 그러나, 코어 기판이나 절연층의 박형화에 의해, 절연층은 열에 의한 수축의 영향을 받기 쉬워진다. 본 발명자들은 리플로우(reflow) 공정에 의해 부품을 기판에 실장하여 부품 실장 기판을 제조하는 경우에, 특히 박형의 기판에 있어서는, 고온 하에서의 절연층의 수축에 의해, 기판의 휘어짐이 현재화(顯在化)되기 쉬워진다는 문제를 발견하였다.While further thinning of a multilayer printed circuit board is desired, the thickness of a core board|substrate or an insulating layer tends to become thin gradually. However, due to the reduction in thickness of the core substrate or the insulating layer, the insulating layer is easily affected by heat shrinkage. The present inventors have found that when a component is mounted on a substrate by a reflow process to manufacture a component mounting substrate, in particular, in a thin substrate, the bending of the substrate is realized due to the shrinkage of the insulating layer under high temperature. found the problem that it becomes easy to exist.

따라서, 본 발명의 과제는, 부품 실장 기판의 추가 박형화에 대응하기 위하여, 리플로우 공정에 의한 부품 실장의 고온을 거친 후라도, 기판의 휘어짐이 생기기 어려운 부품 실장 기판의 제조 방법을 제공하는 것에 있다. 또한 본 발명의 과제는, 박형의 부품 실장 기판의 절연층 형성에 적합한 열경화성 수지 조성물을 제공하는 것에 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a method for manufacturing a component mounting board in which warpage of the board is less likely to occur even after high temperature of component mounting by a reflow process in order to cope with further thinning of the component mounting board. Moreover, the subject of this invention is providing the thermosetting resin composition suitable for insulating layer formation of a thin component mounting board|substrate.

본 발명자들은, 상기 과제를 감안하여 예의 검토한 결과, 부품 실장 기판의 절연층 형성에 사용하는 열경화성 수지 조성물에 있어서, 내층 기판 위에 형성된 열경화성 수지 조성물층의 열경화 공정 후에서의 수축률과, 열경화에 의해 형성된 경화물층(절연층)의 리플로우 공정 후에서의 수축률 및 이것들의 차에 착목하여, 이들 각각의 수축률, 및 이들 수축률의 차가 일정값 이하가 될 경우에, 박형 기판에서도 리플로우 공정 후의 기판의 휘어짐이 억제되는 것을 발견하여 본 발명을 완성시키기에 이르렀다. 즉 본 발명은 이하의 내용을 포함한다.MEANS TO SOLVE THE PROBLEM As a result of earnest examination in view of the said subject, the present inventors WHEREIN: In the thermosetting resin composition used for formation of the insulating layer of a component mounting board|substrate, the shrinkage rate after the thermosetting process of the thermosetting resin composition layer formed on the inner-layer board|substrate, and thermosetting Paying attention to the shrinkage rate and their difference after the reflow process of the cured material layer (insulating layer) formed by It was discovered that the curvature of the subsequent board|substrate was suppressed, and came to complete this invention. That is, the present invention includes the following contents.

〔1〕내층 기판 위에 형성된 열경화성 수지 조성물층을 가열 경화하여 경화물층을 형성하는, 열경화 공정과, 당해 경화물층을 갖는 기판 위에 부품을 리플로우에 의해 실장하는, 리플로우 공정을 포함하고, 열경화성 수지 조성물층의 열경화 공정 후에서의 x-y 방향의 수축률(S1)이 0.35% 이하이고, 경화물층의 리플로우 공정 후에서의 x-y 방향의 수축률(S2)이 0.4% 이하이고, 또한 S1과 S2가 S2-S1≤0.08의 관계를 충족시키는 것을 특징으로 하는, 부품 실장 기판의 제조 방법.[1] including a thermosetting step of heating and curing the thermosetting resin composition layer formed on the inner layer substrate to form a cured product layer, and a reflow step of mounting the component on the substrate having the cured material layer by reflow; , the shrinkage ratio (S1) in the xy direction after the thermosetting step of the thermosetting resin composition layer is 0.35% or less, the shrinkage ratio (S2) in the xy direction after the reflow step of the cured product layer is 0.4% or less, and S1 and S2 satisfy the relationship of S2-S1 ≤ 0.08.

〔2〕〔1〕에 있어서, 열경화성 수지 조성물이 에폭시 수지, 경화제 및 무기 충전재를 함유하는, 방법.[2] The method according to [1], wherein the thermosetting resin composition contains an epoxy resin, a curing agent, and an inorganic filler.

〔3〕〔2〕에 있어서, 무기 충전재로서 실리카를 함유하는, 방법.[3] The method according to [2], which contains silica as an inorganic filler.

〔4〕〔2〕에 있어서, 무기 충전재로서 티타늄이 도프된 실리카를 함유하는, 방법.[4] The method according to [2], which contains titanium-doped silica as an inorganic filler.

〔5〕〔2〕 내지 [4〕 중 어느 하나에 있어서, 열경화성 수지 조성물 중의 불휘발성 성분을 100질량%로 한 경우, 열경화성 수지 조성물 중의 무기 충전재의 함유량이 40질량% 이상인, 방법.[5] The method according to any one of [2] to [4], wherein when the nonvolatile component in the thermosetting resin composition is 100% by mass, the content of the inorganic filler in the thermosetting resin composition is 40% by mass or more.

〔6〕〔1〕 내지 〔5〕 중 어느 하나에 있어서, 열경화 공정에서의 가열 온도가 120℃ 내지 240℃인, 방법.[6] The method according to any one of [1] to [5], wherein the heating temperature in the thermosetting step is 120°C to 240°C.

〔7〕〔1〕 내지 〔6〕 중 어느 하나에 있어서, 리플로우 공정에서의 피크 온도가 210℃ 내지 330℃인, 방법.[7] The method according to any one of [1] to [6], wherein the peak temperature in the reflow step is 210°C to 330°C.

〔8〕〔1〕 내지 〔7〕 중 어느 하나에 있어서, 열경화성 수지 조성물층이, 열경화성 수지 조성물이 섬유 기재(基材)에 함침되어 이루어진 프리프레그에 의해 형성되어 있는, 방법.[8] The method according to any one of [1] to [7], wherein the thermosetting resin composition layer is formed of a prepreg in which the thermosetting resin composition is impregnated into a fiber base material.

〔9〕〔1〕 내지 〔8〕 중 어느 하나에 있어서, 열경화성 수지 조성물층이, 캐리어 필름 위에 열경화성 수지 조(粗)조성물층이 형성된 접착 필름을 내층 기판에 라미네이트하여 형성된 것인, 방법.[9] The method according to any one of [1] to [8], wherein the thermosetting resin composition layer is formed by laminating an adhesive film in which a thermosetting resin crude composition layer is formed on a carrier film to an inner layer substrate.

〔10〕〔1〕 내지 〔8〕 중 어느 하나에 있어서, 열경화성 수지 조성물층이 캐리어 필름 위에 열경화성 수지 조성물이 섬유 기재에 함침되어 이루어진 프리프레그 형성된 캐리어 부착 프리프레그를 내층 기판에 라미네이트하여 형성된 것인, 방법.[10] The thermosetting resin composition layer according to any one of [1] to [8], wherein the prepreg formed by impregnating a fiber base with a thermosetting resin composition on a carrier film is formed by laminating a prepreg with a carrier to an inner layer substrate. , Way.

〔11〕〔1〕 내지 〔10〕 중 어느 하나에 있어서, 경화물층의 두께가 3 내지 200㎛인, 방법.[11] The method according to any one of [1] to [10], wherein the cured product layer has a thickness of 3 to 200 µm.

〔12〕〔1〕 내지 〔11〕 중 어느 하나에 있어서, 부품이 반도체칩, 인터포저(interposer) 또는 수동 소자인, 방법.[12] The method according to any one of [1] to [11], wherein the component is a semiconductor chip, an interposer, or a passive element.

〔13〕〔12〕에 있어서, 부품이 반도체칩인, 방법.[13] The method according to [12], wherein the component is a semiconductor chip.

〔14〕절연층을 형성하기 위한 열경화성 수지 조성물로서, [14] A thermosetting resin composition for forming an insulating layer, comprising:

열경화 후의 x-y 방향의 수축률(S1)이 0.35% 이하가 되는 조건으로 열경화된 당해 열경화성 수지 조성물의 경화물을 IPC/JEDEC J-STD-020C에 준거한 리플로우 온도 프로파일로 가열한 후의 x-y 방향의 수축률(S2)이 0.4% 이하이고, 또한 S1과 S2가 S2-S1≤0.08의 관계를 충족시키는 것을 특징으로 하는, 열경화성 수지 조성물.The cured product of the thermosetting resin composition thermosetting under the condition that the shrinkage rate (S1) in the xy direction after thermosetting is 0.35% or less is heated to a reflow temperature profile based on IPC/JEDEC J-STD-020C in the xy direction A thermosetting resin composition, characterized in that the shrinkage ratio (S2) of is 0.4% or less, and S1 and S2 satisfy the relationship of S2-S1≤0.08.

〔15〕〔14〕에 있어서, 리플로우의 피크 온도가 260℃인, 열경화성 수지 조성물.[15] The thermosetting resin composition according to [14], wherein the reflow peak temperature is 260°C.

〔16〕〔15〕에 있어서, 열경화성 수지 조성물이 에폭시 수지, 경화제 및 무기 충전재를 함유하는, 열경화성 수지 조성물.[16] The thermosetting resin composition according to [15], wherein the thermosetting resin composition contains an epoxy resin, a curing agent, and an inorganic filler.

〔17〕〔16〕에 있어서, 무기 충전재로서 실리카를 포함하는, 열경화성 수지 조성물.[17] The thermosetting resin composition according to [16], which contains silica as an inorganic filler.

〔18〕〔16〕에 있어서, 무기 충전재로서 티타늄이 도프된 실리카를 포함하는, 열경화성 수지 조성물.[18] The thermosetting resin composition according to [16], comprising silica doped with titanium as an inorganic filler.

〔19〕〔16〕 내지 〔18〕 중 어느 하나에 있어서, 열경화성 수지 조성물 중의 불휘발성 성분을 100질량%로 한 경우, 열경화성 수지 조성물 중의 무기 충전재의 함유량이 40질량% 이상인, 열경화성 수지 조성물.[19] The thermosetting resin composition according to any one of [16] to [18], wherein when the nonvolatile component in the thermosetting resin composition is 100% by mass, the content of the inorganic filler in the thermosetting resin composition is 40% by mass or more.

〔20〕〔15〕 내지 〔19〕 중 어느 하나에 기재된 열경화성 수지 조성물이 섬유 기재에 함침되어 이루어진 프리프레그.[20] A prepreg obtained by impregnating a fiber base with the thermosetting resin composition according to any one of [15] to [19].

〔21〕〔15〕 내지 〔19〕 중 어느 하나에 기재된 열경화성 수지 조성물의 경화물에 의해 절연층이 형성되어 있는, 다층 프린트 배선판.[21] A multilayer printed wiring board in which an insulating layer is formed of the cured product of the thermosetting resin composition according to any one of [15] to [19].

〔22〕〔15〕 내지 〔19〕 중 어느 하나에 기재된 열경화성 수지 조성물의 경화물에 의해 절연층이 형성되어 있는, 부품 실장 기판.[22] A component mounting substrate in which an insulating layer is formed of the cured product of the thermosetting resin composition according to any one of [15] to [19].

〔23〕〔22〕에 있어서, 부품이 반도체칩, 인터포저 또는 수동 소자인, 부품 실장 기판.[23] The component mounting board according to [22], wherein the component is a semiconductor chip, an interposer, or a passive element.

〔24〕〔23〕에 있어서, 부품이 반도체칩인, 부품 실장 기판.[24] The component mounting board according to [23], wherein the component is a semiconductor chip.

본 발명에 의하면, 리플로우 공정에 의한 부품 실장의 고온을 거친 후라도, 기판의 휘어짐이 생기기 어려운 부품 실장 기판의 제조 방법이 제공된다. 또한 본 발명에 의하면, 박형의 부품 실장 기판의 절연층 형성에 적합한 열경화성 수지 조성물이 제공된다. 본 발명은 특히 기판의 휘어짐이 생기기 쉬운 박형의 부품 실장 기판의 제조에 적합하게 사용할 수 있다.ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, even after going through the high temperature of component mounting by a reflow process, the manufacturing method of the component mounting board|substrate which the board|substrate is hard to produce is provided. Moreover, according to this invention, the thermosetting resin composition suitable for formation of the insulating layer of a thin component mounting board|substrate is provided. INDUSTRIAL APPLICATION This invention can be used suitably especially for manufacture of the thin component mounting board|substrate which the board|substrate warp easily produces.

도 1은 S1 및 S2를 계산할 때의 A, B, C, D 각 점간의 호칭을 나타내는 도면이다.
도 2는 IPC/JEDEC J-STD-020C에 기재되는 리플로우 온도 프로파일을 설명하는 도면이다.
1 is a diagram showing the names of points A, B, C, and D when calculating S1 and S2.
Fig. 2 is a view for explaining a reflow temperature profile described in IPC/JEDEC J-STD-020C.

이하, 본 발명을 그 적합한 실시형태에 입각해서 상세하게 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, this invention is demonstrated in detail based on the suitable embodiment.

본 발명의 일 실시형태는, 내층 기판 위에 형성된 열경화성 수지 조성물층을 가열 경화하여 경화물층을 형성하는 열경화 공정과, 당해 경화물층을 갖는 기판 위에 부품을 리플로우에 의해 실장하는 리플로우 공정을 포함하고, 열경화성 수지 조성물층의 열경화 공정 후에서의 x-y 방향의 수축률(S1)이 0.35% 이하이고, 경화물층의 리플로우 공정 후에서의 x-y 방향의 수축률(S2)이 0.4% 이하이고, 또한 S1과 S2가 S2-S1≤0.08의 관계를 충족시키는 것을 특징으로 하는, 부품 실장 기판의 제조 방법이다.An embodiment of the present invention provides a thermosetting step of heat-curing a thermosetting resin composition layer formed on an inner-layer substrate to form a cured product layer, and a reflow step of mounting components on a substrate having the cured product layer by reflow. Including, the shrinkage ratio (S1) in the xy direction after the thermosetting process of the thermosetting resin composition layer is 0.35% or less, and the shrinkage ratio (S2) in the xy direction after the reflow process of the cured material layer is 0.4% or less, and , and S1 and S2 satisfy the relationship of S2-S1 ≤ 0.08, it is a method for manufacturing a component mounting board.

<열경화 공정><Thermal curing process>

본 발명의 제조 방법은, 열경화 공정을 포함하고, 열경화 공정에서는, 내층 기판 위에 형성된 열경화성 수지 조성물층을 가열 경화하여 경화물층을 형성한다.The manufacturing method of this invention includes a thermosetting process, In the thermosetting process, the thermosetting resin composition layer formed on the inner-layer substrate is heat-hardened, and the hardened|cured material layer is formed.

열경화의 온도는, 구체적으로 사용하는 열경화성 수지 조성물의 조성에 의해 다를 수 있지만, 경화 시간의 단축화와 기판의 내열성의 밸런스의 관점에서, 일반적으로는 120℃ 내지 240℃이고, 140℃ 내지 210℃가 바람직하고, 150℃ 내지 200℃가 보다 바람직하다.Although the temperature of thermosetting may differ depending on the composition of the thermosetting resin composition used specifically, from a viewpoint of the balance between shortening of curing time and the heat resistance of a board|substrate, it is generally 120 degreeC - 240 degreeC, and 140 degreeC - 210 degreeC is preferable, and 150 to 200°C is more preferable.

본 발명에서의 「내층 기판」이란, 부품 내장 기판 등의 프린트 기판을 제조할 때에 중간 제조물이 되는 기판이며, 내층 기판 위에 추가로 절연층 및/또는 도체층이 형성되고, 프린트 기판의 내층을 구성하게 되는 기판을 말한다. 내층 기판의 한 면 또는 양면은 패턴 가공된 회로 배선을 갖고 있어도 좋다. 내층 기판에 사용되는 기판으로서는, 예를 들어, 유리 에폭시기판, 금속 기판, 폴리에스테르 기판, 폴리이미드 기판, BT 레진 기판, 열경화형 폴리페닐렌 에테르 기판, 코어리스(coreless) 기판 등을 들 수 있다.The "inner-layer substrate" in the present invention is a substrate used as an intermediate product when manufacturing a printed circuit board such as a component-embedded substrate, and an insulating layer and/or a conductor layer are further formed on the inner-layer substrate to constitute the inner layer of the printed circuit board. It refers to the board to be made. One or both surfaces of the inner layer substrate may have circuit wirings subjected to pattern processing. Examples of the substrate used for the inner layer substrate include a glass epoxy substrate, a metal substrate, a polyester substrate, a polyimide substrate, a BT resin substrate, a thermosetting polyphenylene ether substrate, and a coreless substrate. .

기판의 한 면 또는 양면에 회로 배선을 갖는 경우, 당해 회로 배선의 두께는 특별히 제한되지 않지만, 층의 박형화의 관점에서, 바람직하게는 70㎛ 이하이고, 보다 바람직하게는 30㎛ 이하이고, 더 바람직하게는 20㎛ 이하이다. 회로 배선의 두께의 하한은 특별히 제한되지 않지만, 바람직하게는 1㎛ 이상이고, 보다 바람직하게는 3㎛ 이상이며, 더 바람직하게는 5㎛ 이상이다.When the circuit wiring is provided on one side or both sides of the substrate, the thickness of the circuit wiring is not particularly limited, but from the viewpoint of reducing the thickness of the layer, it is preferably 70 µm or less, more preferably 30 µm or less, and still more preferably It is preferably 20 μm or less. Although the lower limit in particular of the thickness of a circuit wiring is not restrict|limited, Preferably it is 1 micrometer or more, More preferably, it is 3 micrometers or more, More preferably, it is 5 micrometers or more.

회로 배선의 라인/스페이스 비는 특별히 제한되지 않지만, 경화체 표면의 기복을 억제하기 위하여, 바람직하게는 200/200㎛ 이하, 보다 바람직하게는 100/100㎛ 이하, 더 바람직하게는 40/40㎛ 이하, 보다 더 바람직하게는 20/20㎛ 이하, 특히 바람직하게는 8/8㎛이다. 회로 배선의 라인/스페이스 비의 하한은 특별히 제한되지 않지만, 스페이스간으로의 수지의 매립을 양호하게 하기 위하여, 바람직하게는 0.5/0.5㎛ 이상, 보다 바람직하게는 1/1㎛ 이상이다.Although the line/space ratio of the circuit wiring is not particularly limited, in order to suppress undulation on the surface of the cured body, preferably 200/200 µm or less, more preferably 100/100 µm or less, still more preferably 40/40 µm or less , more preferably 20/20 µm or less, particularly preferably 8/8 µm. The lower limit of the line/space ratio of the circuit wiring is not particularly limited, but is preferably 0.5/0.5 µm or more, more preferably 1/1 µm or more, in order to improve the resin embedding between spaces.

본 발명의 열경화성 수지 조성물층에 사용하는 열경화성 수지 조성물은 특별히 한정되지 않고, 그 경화물이 절연층으로서 충분한 경도와 절연성을 갖는 것이면 좋다. 예를 들어, 에폭시 수지, 경화제 및 무기 충전재를 포함하는 열경화성 수지 조성물을 사용하는 것이 바람직하다.The thermosetting resin composition used for the thermosetting resin composition layer of this invention is not specifically limited, The hardened|cured material may just have sufficient hardness and insulation as an insulating layer. For example, it is preferable to use a thermosetting resin composition comprising an epoxy resin, a curing agent and an inorganic filler.

(에폭시 수지)(epoxy resin)

본 발명에 사용하는 에폭시 수지로서는 특별히 한정되지 않지만, 비스페놀A형 에폭시 수지, 비스페놀F형 에폭시 수지, 비스페놀S형 에폭시 수지, 비스페놀AF형 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 3급-부틸카테콜형 에폭시 수지, 나프톨형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 나프틸렌 에테르형 에폭시 수지, 글리시딜 아민형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 안트라센형 에폭시 수지, 선형 지방족 에폭시 수지, 부타디엔 구조를 갖는 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지, 복소환식 에폭시 수지, 스피로환 함유 에폭시 수지, 사이클로헥산디메탄올형 에폭시 수지, 트리메티롤형 에폭시 수지, 할로겐화 에폭시 수지, 디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 이것들은 1종 또는 2종 이상 조합하여 사용해도 좋다.Although it does not specifically limit as an epoxy resin used for this invention, Bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, bisphenol AF type epoxy resin, phenol novolak type epoxy resin, tert-butylcatechol type Epoxy resin, naphthol type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, naphthylene ether type epoxy resin, glycidyl amine type epoxy resin, cresol novolak type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, anthracene type epoxy resin, linear aliphatic epoxy resin Epoxy resin having a butadiene structure, alicyclic epoxy resin, heterocyclic epoxy resin, spiro ring-containing epoxy resin, cyclohexanedimethanol type epoxy resin, trimethylol type epoxy resin, halogenated epoxy resin, dicyclopentadiene type epoxy resin and the like. You may use these 1 type or in combination of 2 or more types.

이 중에서도, 내열성 향상, 절연 신뢰성 향상, 금속박과의 밀착성 향상의 관점에서, 비스페놀A형 에폭시 수지, 나프톨형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 나프틸렌 에테르형 에폭시 수지, 안트라센형 에폭시 수지, 부타디엔 구조를 갖는 에폭시 수지, 디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지가 바람직하다. 구체적으로는, 예를 들어, 비스페놀A형 에폭시 수지(미츠비시 카가쿠 가부시키가이샤 제조 「에피코트828EL」, 「YL980」), 비스페놀F형 에폭시 수지(미츠비시 카가쿠 가부시키가이샤 제조 「jER806H」, 「YL983U」), 비스페놀A형과 비스페놀F형의 1:1 혼합품(신닛테츠 카가쿠 가부시키가이샤 제조 「ZX1059」), 나프탈렌형 2관능 에폭시 수지(DIC 가부시키가이샤 제조 「HP4032」, 「HP4032D」, 「HP4032SS」, 「EXA4032SS」), 나프탈렌형 4관능 에폭시 수지(DIC 가부시키가이샤 제조 「HP4700」, 「HP4710」), 나프톨형 에폭시 수지(토토 카세이 가부시키가이샤 제조 「ESN-475V」), 부타디엔 구조를 갖는 에폭시 수지(다이세루 카가쿠코교 가부시키가이샤 제조 「PB-3600」), 비페닐 구조를 갖는 에폭시 수지(니혼 카야쿠 가부시키가이샤 제조 「NC3000H」, 「NC3000L」, 「NC3100」, 미츠비시 카가쿠 가부시키가이샤 제조 「YX4000」, 「YX4000H」, 「YX4000HK」, 「YL6121」), 안트라센형 에폭시 수지(미츠비시 카가쿠 가부시키가이샤 제조 「YX8800」), 나프틸렌 에테르형 에폭시 수지(DIC 가부시키가이샤 제조 「EXA-7310」, 「EXA-7311」, 「EXA-7311L」, 「EXA7311-G3」), 디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지(DIC 가부시키가이샤 제조 「HP-7200H」) 등을 들 수 있다.Among these, from the viewpoint of improving heat resistance, improving insulation reliability, and improving adhesion to metal foil, bisphenol A type epoxy resin, naphthol type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, naphthylene ether type epoxy resin, anthracene type An epoxy resin, an epoxy resin having a butadiene structure, and a dicyclopentadiene type epoxy resin are preferable. Specifically, for example, bisphenol A epoxy resin ("Epicoat 828EL", "YL980" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), bisphenol F type epoxy resin ("jER806H" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, "jER806H", " YL983U"), a 1:1 mixture of bisphenol A type and bisphenol F type ("ZX1059" manufactured by New Nittetsu Chemical Co., Ltd.), naphthalene-type bifunctional epoxy resin ("HP4032", "HP4032D" manufactured by DIC Ltd.) , "HP4032SS", "EXA4032SS"), naphthalene tetrafunctional epoxy resin (DIC Corporation "HP4700", "HP4710"), naphthol type epoxy resin (Toto Kasei Corporation "ESN-475V"), butadiene Epoxy resin having a structure (“PB-3600” manufactured by Daiseru Chemical Co., Ltd.), an epoxy resin having a biphenyl structure (“NC3000H”, “NC3000L”, “NC3100” manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., “NC3100”, Mitsubishi) "YX4000", "YX4000H", "YX4000HK", "YL6121" manufactured by Kagaku Co., Ltd., anthracene type epoxy resin ("YX8800" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), naphthylene ether type epoxy resin (DIC Ltd.) Corporation "EXA-7310", "EXA-7311", "EXA-7311L", "EXA7311-G3"), dicyclopentadiene type epoxy resin (DIC Corporation "HP-7200H"), etc. are mentioned. have.

에폭시 수지는 2종 이상을 병용해도 좋지만, 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 에폭시 수지를 함유하는 것이 바람직하다. 그 중에서도, 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖고, 온도 20℃에서 액상의 방향족계 에폭시 수지(이하, 「액상 에폭시 수지」라고 함.)와, 1분자 중에 3개 이상의 에폭시기를 갖고, 온도 20℃에서 고체상의 방향족계 에폭시 수지(이하, 「고체상 에폭시 수지」라고 함.)를 함유하는 형태가 보다 바람직하다. 또한, 본 발명에서 말하는 방향족계 에폭시 수지란, 그 분자 내에 방향환 구조를 갖는 에폭시 수지를 의미한다. 에폭시 수지로서, 액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지를 병용할 경우, 수지 조성물을 접착 필름 형태로 사용할 경우에 적당한 가요성을 갖는 점이나 수지 조성물의 경화물이 적당한 파단 강도를 갖는 점에서, 그 배합 비율(액상 에폭시 수지:고체상 에폭시 수지)은 질량비로 1:0.1 내지 1:2의 범위가 바람직하고, 1:0.3 내지 1:1.8의 범위가 보다 바람직하고, 1:0.6 내지 1:1.5의 범위가 더욱 바람직하다.Although an epoxy resin may use 2 or more types together, it is preferable to contain the epoxy resin which has two or more epoxy groups in 1 molecule. Among them, an aromatic epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule and liquid at a temperature of 20°C (hereinafter referred to as “liquid epoxy resin”.) and three or more epoxy groups in one molecule, having a temperature of 20°C A form containing a solid aromatic epoxy resin (hereinafter referred to as "solid epoxy resin".) is more preferable. In addition, the aromatic epoxy resin as used in this invention means the epoxy resin which has an aromatic ring structure in the molecule|numerator. As an epoxy resin, when a liquid epoxy resin and a solid epoxy resin are used together, when the resin composition is used in the form of an adhesive film, it has moderate flexibility and the cured product of the resin composition has an appropriate breaking strength. (liquid epoxy resin: solid epoxy resin) is preferably in the range of 1:0.1 to 1:2, more preferably in the range of 1:0.3 to 1:1.8, and further in the range of 1:0.6 to 1:1.5 by mass ratio. desirable.

액상 에폭시 수지로서는, 비스페놀A형 에폭시 수지, 비스페놀F형 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 및 나프탈렌형 에폭시 수지가 바람직하고, 비스페놀A형 에폭시 수지, 및 나프탈렌형 에폭시 수지가 보다 바람직하다. 이것들은 1종 또는 2종 이상 조합하여 사용해도 좋다.As a liquid epoxy resin, a bisphenol A type epoxy resin, a bisphenol F type epoxy resin, a phenol novolak type epoxy resin, and a naphthalene type epoxy resin are preferable, and a bisphenol A type epoxy resin and a naphthalene type epoxy resin are more preferable. You may use these 1 type or in combination of 2 or more types.

고체상 에폭시 수지로서는, 4관능 나프탈렌형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지, 트리스페놀 에폭시 수지, 나프톨 노볼락 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 또는 나프틸렌 에테르형 에폭시 수지가 바람직하고, 4관능 나프탈렌형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 및 나프틸렌 에테르형 에폭시 수지가 보다 바람직하다. 이것들은 1종 또는 2종 이상 조합하여 사용해도 좋다.Examples of the solid epoxy resin include a tetrafunctional naphthalene type epoxy resin, a cresol novolac type epoxy resin, a dicyclopentadiene type epoxy resin, a trisphenol epoxy resin, a naphthol novolac epoxy resin, a biphenyl type epoxy resin, or a naphthylene ether type epoxy resin. Resin is preferable, and a tetrafunctional naphthalene type epoxy resin, a biphenyl type epoxy resin, and a naphthylene ether type epoxy resin are more preferable. You may use these 1 type or in combination of 2 or more types.

본 발명의 제조 방법에 적합한 수지 조성물에 있어서는, 수지 조성물의 경화물의 기계 강도나 내수성을 향상시킨다는 관점에서, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 한 경우, 에폭시 수지의 함유량은 3 내지 35질량%인 것이 바람직하고, 5 내지 40질량%인 것이 보다 바람직하고, 10 내지 45질량%인 것이 더욱 바람직하다.In the resin composition suitable for the manufacturing method of this invention, when the nonvolatile component in a resin composition is 100 mass % from a viewpoint of improving the mechanical strength and water resistance of the hardened|cured material of a resin composition, content of an epoxy resin is 3-35 mass It is preferable that it is %, It is more preferable that it is 5-40 mass %, It is more preferable that it is 10-45 mass %.

(경화제)(hardener)

본 발명에 사용하는 경화제로서는 특별히 한정되지 않지만, 페놀계 경화제, 나프톨계 경화제, 활성 에스테르계 경화제, 벤조옥사진계 경화제, 시아네이트 에스테르계 경화제, 산무수물계 경화제 등을 들 수 있고, 그 중에서도 페놀계 경화제, 나프톨계 경화제, 활성 에스테르계 경화제가 바람직하다. 이것들은 1종 또는 2종 이상 조합하여 사용해도 좋다.Although it does not specifically limit as a hardening|curing agent used in this invention, A phenol-type hardening|curing agent, a naphthol-type hardening|curing agent, an active ester-type hardening|curing agent, a benzoxazine-type hardening|curing agent, a cyanate ester-type hardening|curing agent, an acid anhydride-type hardening|curing agent, etc. are mentioned, Among them, a phenol-type hardening|curing agent A curing agent, a naphthol-based curing agent, and an active ester-based curing agent are preferred. You may use these 1 type or in combination of 2 or more types.

페놀계 경화제, 나프톨계 경화제로서는 특별히 제한은 없지만, 예를 들어, 노볼락 구조를 갖는 페놀계 경화제나 노볼락 구조를 갖는 나프톨계 경화제를 들 수 있고, 페놀 노볼락 수지, 트리아진 골격 함유 페놀 노볼락 수지, 나프톨 노볼락 수지, 나프톨 아랄킬형 수지, 트리아진 골격 함유 나프톨 수지, 비페닐 아랄킬형 페놀 수지가 바람직하다. 시판품으로서는, 비페닐 아랄킬형 페놀 수지로서, 「MEH-7700」, 「MEH-7810」, 「MEH-7851」, 「MEH7851-4H」(메이와 카세이 가부시키가이샤 제조), 「GPH」(니혼 카야쿠 가부시키가이샤 제조), 나프톨 노볼락 수지로서, 「NHN」, 「CBN」(니혼 카야쿠 가부시키가이샤 제조), 나프톨 아랄킬형 수지로서, 「SN170」, 「SN180」, 「SN190」, 「SN475」, 「SN485」, 「SN495」, 「SN395」, 「SN375」(토토 카세이 가부시키가이샤 제조), 페놀 노볼락 수지로서 「TD2090」(DIC 가부시키가이샤 제조), 트리아진 골격 함유 페놀 노볼락 수지 「LA3018」, 「LA7052」, 「LA7054」, 「LA1356」(DIC 가부시키가이샤 제조) 등을 들 수 있다. 이것들은 1종 또는 2종 이상을 병용해도 좋다.Although there is no restriction|limiting in particular as a phenol-type hardening|curing agent and a naphthol-type hardening|curing agent, For example, a phenol-type hardening|curing agent which has a novolak structure, and a naphthol-type hardening|curing agent which has a novolak structure are mentioned, A phenol novolak resin, triazine skeleton containing phenol furnace A bolac resin, a naphthol novolak resin, a naphthol aralkyl type resin, a triazine skeleton containing naphthol resin, and a biphenyl aralkyl type phenol resin are preferable. As a commercial item, it is a biphenyl aralkyl type phenol resin, "MEH-7700", "MEH-7810", "MEH-7851", "MEH7851-4H" (made by Meiwa Kasei Co., Ltd.), "GPH" (Nippon Kaya) Co., Ltd.), as a naphthol novolac resin, "NHN", "CBN" (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), as a naphthol aralkyl resin, "SN170", "SN180", "SN190", "SN475" , "SN485", "SN495", "SN395", "SN375" (manufactured by Toto Kasei Corporation), "TD2090" (manufactured by DIC Corporation) as a phenol novolac resin, phenol novolac resin containing a triazine skeleton "LA3018", "LA7052", "LA7054", "LA1356" (made by DIC Corporation), etc. are mentioned. These may use 1 type or 2 or more types together.

활성 에스테르계 경화제로서는, 특별히 제한은 없지만, 일반적으로 페놀 에스테르류, 티오페놀 에스테르류, N-하이드록시아민 에스테르류, 복소환 하이드록시 화합물의 에스테르류 등의 반응 활성이 높은 에스테르기를 1분자 중에 2개 이상 갖는 화합물이 바람직하게 사용된다. 당해 활성 에스테르계 경화제는 카르복실산 화합물 및/또는 티오카르복실산 화합물과 하이드록시 화합물 및/또는 티올 화합물의 축합 반응에 의해 수득되는 것이 바람직하다. 특히 내열성 향상의 관점에서, 카르복실산 화합물과 하이드록시 화합물로부터 수득되는 활성 에스테르계 경화제가 바람직하고, 카르복실산 화합물과 페놀 화합물 및/또는 나프톨 화합물로부터 수득되는 활성 에스테르계 경화제가 보다 바람직하다. 카르복실산 화합물로서는, 예를 들어, 안식향산, 아세트산, 석신산, 말레산, 이타콘산, 프탈산, 이소프탈산, 테레프탈산, 피로멜리트산 등을 들 수 있다. 페놀 화합물 또는 나프톨 화합물로서는, 예를 들어, 하이드로퀴논, 레조르신, 비스페놀A, 비스페놀F, 비스페놀S, 페놀프탈린, 메틸화 비스페놀A, 메틸화 비스페놀F, 메틸화 비스페놀S, 페놀, o-크레졸, m-크레졸, p-크레졸, 카테콜, α-나프톨, β-나프톨, 1,5-디하이드록시나프탈렌, 1,6-디하이드록시나프탈렌, 2,6-디하이드록시나프탈렌, 디하이드록시벤조페논, 트리하이드록시벤조페논, 테트라하이드록시벤조페논, 플로로글루신, 벤젠트리올, 디사이클로펜타디엔형의 디페놀 화합물(폴리사이클로펜타디엔형의 디페놀 화합물), 페놀 노볼락 등을 들 수 있다. 활성 에스테르계 경화제는 1종 또는 2종 이상을 사용할 수 있다. 활성 에스테르계 경화제로서는, 일본국 공개특허공보 특개2004-277460호에 개시되어 있는 활성 에스테르계 경화제를 사용해도 좋고, 또한 시판중인 것을 사용할 수도 있다. 시판되고 있는 활성 에스테르계 경화제로서는, 디사이클로펜타디엔형 디페놀 축합 구조를 포함하는 것, 페놀 노볼락의 아세틸화물, 페놀 노볼락의 벤조일화물 등이 바람직하고, 그 중에서도 디사이클로펜타디엔형 디페놀 축합 구조를 포함하는 것이 보다 바람직하다. 구체적으로는, 디사이클로펜타디엔형 디페놀 축합 구조를 포함하는 것으로서 EXB9451, EXB9460, EXB9460S-65T, HPC8000-65T(DIC 가부시키가이샤 제조, 활성기 당량 약 223), 페놀 노볼락의 아세틸화물로서 DC808(미츠비시 카가쿠 가부시키가이샤 제조, 활성기 당량 약 149), 페놀 노볼락의 벤조일화물로서 YLH1026(미츠비시 카가쿠 가부시키가이샤 제조, 활성기 당량 약 200), YLH1030(미츠비시 카가쿠 가부시키가이샤 제조, 활성기 당량 약 201), YLH1048(미츠비시 카가쿠 가부시키가이샤 제조, 활성기 당량 약 245), 등을 들 수 있고, 그 중에서도 HPC-8000-65T가 와니스의 보존 안정성, 경화물의 열팽창율의 관점에서 바람직하다.Although there is no restriction|limiting in particular as an active ester-type hardening|curing agent, Generally, ester groups with high reaction activity, such as phenol esters, thiophenol esters, N-hydroxyamine esters, and heterocyclic hydroxy compound esters, are 2 in 1 molecule. Compounds having at least one compound are preferably used. The active ester curing agent is preferably obtained by a condensation reaction of a carboxylic acid compound and/or a thiocarboxylic acid compound with a hydroxy compound and/or a thiol compound. In particular, from the viewpoint of improving heat resistance, an active ester curing agent obtained from a carboxylic acid compound and a hydroxy compound is preferable, and an active ester curing agent obtained from a carboxylic acid compound, a phenol compound and/or a naphthol compound is more preferable. Examples of the carboxylic acid compound include benzoic acid, acetic acid, succinic acid, maleic acid, itaconic acid, phthalic acid, isophthalic acid, terephthalic acid, and pyromellitic acid. Examples of the phenol compound or naphthol compound include hydroquinone, resorcin, bisphenol A, bisphenol F, bisphenol S, phenolphthaline, methylated bisphenol A, methylated bisphenol F, methylated bisphenol S, phenol, o-cresol, m- Cresol, p-cresol, catechol, α-naphthol, β-naphthol, 1,5-dihydroxynaphthalene, 1,6-dihydroxynaphthalene, 2,6-dihydroxynaphthalene, dihydroxybenzophenone, trihydroxybenzophenone, tetrahydroxybenzophenone, phloroglucin, benzenetriol, dicyclopentadiene type diphenol compound (polycyclopentadiene type diphenol compound), phenol novolac, etc. are mentioned. . One type or two or more types of active ester-based curing agents may be used. As the active ester curing agent, an active ester curing agent disclosed in JP 2004-277460 A may be used, or a commercially available curing agent may be used. As the commercially available active ester curing agent, those containing a dicyclopentadiene-type diphenol condensed structure, an acetylated product of phenol novolac, a benzoylated product of phenol novolac, etc. are preferable. Among them, dicyclopentadiene-type diphenol is preferable. It is more preferable to include a condensed structure. Specifically, EXB9451, EXB9460, EXB9460S-65T, HPC8000-65T (manufactured by DIC Corporation, active group equivalent about 223) as those containing a dicyclopentadiene-type diphenol condensed structure, DC808 as an acetylated product of phenol novolac ( Mitsubishi Chemical Co., Ltd., active group equivalent about 149), YLH1026 (Mitsubishi Chemical Co., Ltd., active group equivalent about 200), YLH1030 (Mitsubishi Chemical Corporation, active group equivalent about 200) as a benzoyl product of phenol novolac 201), YLH1048 (manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd., active group equivalent of about 245), and the like. Among them, HPC-8000-65T is preferable from the viewpoints of storage stability of the varnish and the coefficient of thermal expansion of the cured product.

디사이클로펜타디엔형 디페놀 축합 구조를 포함하는 활성 에스테르계 경화제로서, 보다 구체적으로는 하기 식의 화합물을 들 수 있다.As an active ester-type hardening|curing agent containing a dicyclopentadiene type diphenol condensed structure, the compound of the following formula is mentioned more specifically.

Figure 112014069299183-pat00001
Figure 112014069299183-pat00001

상기 화학식 1에서, In Formula 1,

R은 페닐기, 나프틸기이고,R is a phenyl group, a naphthyl group,

k는 0 또는 1이고,k is 0 or 1,

n은 반복 단위의 평균으로 0.05 내지 2.5이다.n is 0.05 to 2.5 as the average of repeat units.

유전 정접을 저하시켜, 내열성을 향상시킨다는 관점에서, R은 나프틸기가 바람직하고, 한편, k는 0이 바람직하고, 또한, n은 0.25 내지 1.5가 바람직하다.From the viewpoint of reducing dielectric loss tangent and improving heat resistance, R is preferably a naphthyl group, on the other hand, k is preferably 0, and n is preferably 0.25 to 1.5.

벤조옥사진계 경화제로서는 특별히 제한은 없지만, 구체적인 예로서는, F-a, P-d(시코쿠 카세이 가부시키가이샤 제조), HFB2006M(쇼와 코분시 가부시키가이샤 제조) 등을 들 수 있다.Although there is no restriction|limiting in particular as a benzoxazine type hardening|curing agent, F-a, P-d (made by Shikoku Kasei Co., Ltd.), HFB2006M (made by Showa Kobunshi Co., Ltd.) etc. are mentioned as a specific example.

시아네이트 에스테르계 경화제로서는 특별히 제한은 없지만, 예를 들어, 노볼락형(페놀 노볼락형, 알킬페놀 노볼락형 등) 시아네이트 에스테르계 경화제, 디사이클로펜타디엔형 시아네이트 에스테르계 경화제, 비스페놀형(비스페놀A형, 비스페놀F형, 비스페놀S형 등) 시아네이트 에스테르계 경화제, 및 이들이 일부 트리아진화된 프레폴리머 등을 들 수 있다. 시아네이트 에스테르계 경화제의 중량 평균 분자량은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 500 내지 4500이 바람직하고, 600 내지 3000이 보다 바람직하다. 시아네이트 에스테르계 경화제의 구체적인 예로서는, 예를 들어, 비스페놀A디시아네이트, 폴리페놀시아네이트(올리고(3-메틸렌-1,5-페닐렌 시아네이트)), 4,4'-메틸렌비스(2,6-디메틸페닐시아네이트), 4,4'-에틸리덴디페닐디시아네이트, 헥사플루오로비스페놀A디시아네이트, 2,2-비스(4-시아네이트)페닐 프로판, 1,1-비스(4-시아네이트페닐메탄), 비스(4-시아네이트-3,5-디메틸페닐)메탄, 1,3-비스(4-시아네이트페닐-1-(메틸에틸리덴))벤젠, 비스(4-시아네이트페닐)티오에테르, 비스(4-시아네이트페닐)에테르 등의 2관능 시아네이트 수지, 페놀 노볼락, 크레졸 노볼락, 디사이클로펜타디엔 구조 함유 페놀 수지 등으로부터 유도되는 다관능 시아네이트 수지, 이들 시아네이트 수지가 일부 트리아진화된 프레폴리머 등을 들 수 있다. 이것들은 1종 또는 2종 이상 조합하여 사용해도 좋다.Although there is no restriction|limiting in particular as a cyanate ester type hardening|curing agent, For example, a novolak type (phenol novolak type, alkylphenol novolak type, etc.) cyanate ester type hardener, a dicyclopentadiene type cyanate ester type hardener, a bisphenol type. (Bisphenol A type, bisphenol F type, bisphenol S type, etc.) A cyanate ester type hardening|curing agent and the prepolymer etc. by which these were partially triazined are mentioned. Although the weight average molecular weight of a cyanate ester type hardening|curing agent is not specifically limited, 500-4500 are preferable and 600-3000 are more preferable. Specific examples of the cyanate ester curing agent include, for example, bisphenol A dicyanate, polyphenol cyanate (oligo(3-methylene-1,5-phenylene cyanate)), 4,4'-methylenebis(2) ,6-dimethylphenyl cyanate), 4,4'-ethylidene diphenyl dicyanate, hexafluorobisphenol A dicyanate, 2,2-bis (4-cyanate) phenyl propane, 1,1-bis (4-cyanatephenylmethane), bis(4-cyanate-3,5-dimethylphenyl)methane, 1,3-bis(4-cyanatephenyl-1-(methylethylidene))benzene, bis( Polyfunctional cyanates derived from bifunctional cyanate resins such as 4-cyanatephenyl)thioether and bis(4-cyanatephenyl)ether, phenol novolac, cresol novolac, dicyclopentadiene structure-containing phenol resin, etc. and resins and prepolymers in which these cyanate resins are partially triazined. You may use these 1 type or in combination of 2 or more types.

시판되고 있는 시아네이트 에스테르 수지로서는 하기 식에서 나타나는 페놀 노볼락형 다관능 시아네이트 에스테르 수지(론자 쟈판 가부시키가이샤 제조, PT30S, 시아네이트 당량 124)As a commercially available cyanate ester resin, a phenol novolak-type polyfunctional cyanate ester resin represented by the following formula (Lonza Japan Co., Ltd., PT30S, cyanate equivalent 124)

Figure 112014069299183-pat00002
Figure 112014069299183-pat00002

[상기 화학식 2에서, n은 평균값으로서 임의의 수(바람직하게는 0 내지 20)를 나타낸다][In the formula (2), n represents an arbitrary number (preferably 0 to 20) as an average value]

하기 화학식에서 나타나는 비스페놀A디시아네이트의 일부 또는 전부가 트리아진화되어 3량체가 된 프레폴리머(론자 쟈판 가부시키가이샤 제조, BA230, 시아네이트 당량 232)A prepolymer in which some or all of the bisphenol A dicyanate represented by the following formula has been triazined to form a trimer (Ronza Japan Co., Ltd., BA230, cyanate equivalent 232)

Figure 112014069299183-pat00003
Figure 112014069299183-pat00003

하기 화학식에서 나타나는 디사이클로펜타디엔 구조 함유 시아네이트 에스테르 수지(론자 쟈판 가부시키가이샤 제조, DT-4000, DT-7000)Cyanate ester resin containing dicyclopentadiene structure represented by the following formula (manufactured by Ronza Japan Co., Ltd., DT-4000, DT-7000)

Figure 112014069299183-pat00004
Figure 112014069299183-pat00004

[상기 화학식 4에서, n은 평균값으로서 0 내지 5의 수를 나타낸다][In Formula 4, n represents a number of 0 to 5 as an average value]

등을 들 수 있다.and the like.

산무수물계 경화제로서는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어, 무수 프탈산, 테트라하이드로 무수 프탈산, 헥사하이드로 무수 프탈산, 메틸테트라하이드로 무수 프탈산, 메틸헥사하이드로 무수 프탈산, 메틸나딕산 무수물, 수소화메틸나딕산 무수물, 트리알킬테트라하이드로 무수 프탈산, 도데세닐 무수 석신산, 5-(2,5-디옥소테트라하이드로-3-푸라닐)-3-메틸-3-사이클로헥센-1,2-디카르복실산 무수물, 무수 트리멜리트산, 무수 피로멜리트산, 벤조페논테트라카르복실산 2무수물, 비페닐테트라카르복실산 2무수물, 나프탈렌테트라카르복실산 2무수물, 옥시디프탈산 2무수물, 3,3'-4,4'-디페닐설폰테트라카르복실산 2무수물, 1,3,3a,4,5,9b-헥사하이드로-5-(테트라하이드로-2,5-디옥소-3-푸라닐)-나프토[1,2-C]푸란-1,3-디온, 에틸렌글리콜비스(언하이드로트리멜리테이트), 스티렌과 말레산이 공중합한 스티렌·말레산 수지 등의 중합체형의 산무수물 등을 들 수 있다.Although it does not specifically limit as an acid anhydride type hardening|curing agent, For example, For example, phthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, methyltetrahydrophthalic anhydride, methylhexahydrophthalic anhydride, methylnadic anhydride, hydrogenated methylnadic anhydride , trialkyltetrahydrophthalic anhydride, dodecenyl succinic anhydride, 5-(2,5-dioxotetrahydro-3-furanyl)-3-methyl-3-cyclohexene-1,2-dicarboxylic acid anhydride , trimellitic anhydride, pyromellitic anhydride, benzophenonetetracarboxylic dianhydride, biphenyltetracarboxylic dianhydride, naphthalenetetracarboxylic dianhydride, oxydiphthalic dianhydride, 3,3'-4, 4'-diphenylsulfonetetracarboxylic dianhydride, 1,3,3a,4,5,9b-hexahydro-5-(tetrahydro-2,5-dioxo-3-furanyl)-naphtho[ and polymeric acid anhydrides such as 1,2-C]furan-1,3-dione, ethylene glycol bis(anhydrotrimellitate), and styrene/maleic acid resin copolymerized with styrene and maleic acid.

열경화성 수지 조성물에 있어서는, 수지 조성물의 경화물의 기계 강도나 내수성을 향상시킨다는 관점에서, (A) 에폭시 수지의 에폭시기의 합계수와, (B) 경화제의 반응기의 합계수의 비가 1:0.2 내지 1:2가 바람직하고, 1:0.3 내지 1:1.5가 보다 바람직하고, 1:0.4 내지 1:1이 더욱 바람직하다. 또한 수지 조성물 중에 존재하는 에폭시 수지의 에폭시기의 합계수란, 각 에폭시 수지의 고형분 질량을 에폭시 당량으로 나눈 값을 모든 에폭시 수지에 대하여 합계한 값이며, 경화제의 반응 기의 합계수란, 각 경화제의 고형분 질량을 반응기 당량으로 나눈 값을 모든 경화제에 대하여 합계한 값이다.In the thermosetting resin composition, from the viewpoint of improving the mechanical strength and water resistance of the cured product of the resin composition, (A) the total number of epoxy groups of the epoxy resin and (B) the ratio of the total number of reactive groups of the curing agent is 1:0.2 to 1: 2 is preferable, 1:0.3 - 1:1.5 are more preferable, and 1:0.4 - 1:1 are still more preferable. In addition, the total number of epoxy groups of the epoxy resin present in the resin composition is the value obtained by dividing the solid content mass of each epoxy resin by the epoxy equivalent for all epoxy resins, and the total number of reactive groups of the curing agent is The value obtained by dividing the solid mass by the reactor equivalent is the sum of all curing agents.

상기 수지 조성물에 있어서는, 수지 조성물의 경화물의 기계 강도나 내수성을 향상시킨다는 관점에서, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 한 경우, 경화제의 함유량은 3 내지 30질량%인 것이 바람직하고, 5 내지 25질량%인 것이 보다 바람직하고, 10 내지 20질량%인 것이 더욱 바람직하다.In the above resin composition, from the viewpoint of improving the mechanical strength and water resistance of the cured product of the resin composition, when the nonvolatile component in the resin composition is 100% by mass, the content of the curing agent is preferably 3 to 30% by mass, 5 It is more preferable that it is -25 mass %, and it is still more preferable that it is 10-20 mass %.

(무기 충전재)(Inorganic filling material)

본 발명의 열경화성 수지 조성물은 열팽창율 저하의 관점에서, 무기 충전재를 함유하는 것이 바람직하다. 사용하는 무기 충전재로서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 실리카, 알루미나, 황산 바륨, 활석, 클레이, 운모분, 수산화 알루미늄, 수산화 마그네슘, 탄산 칼슘, 탄산 마그네슘, 산화 마그네슘, 질화 붕소, 붕산 알루미늄, 티탄산 바륨, 티탄산 스트론튬, 티탄산 칼슘, 티탄산 마그네슘, 티탄산 비스무스, 산화 티탄, 지르콘산 바륨, 지르콘산 칼슘 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 실리카가 바람직하다. 또한, 무정형 실리카, 분쇄 실리카, 용융 실리카, 결정 실리카, 합성 실리카, 중공 실리카, 구형 실리카, 티타늄이 도프된 실리카 등의 실리카가 바람직하다. 또한, 실리카로서는 구상의 것이 바람직하다. 구상의 실리카의 예로서는 가부시키가이샤 아도마텍스 제조의 「SOC1」, 「SOC2」를 들 수 있다. 무기 충전재는 1종 또는 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다. 본 발명에 있어서 열팽창율의 조정은 열경화성 수지 조성물에 포함되는 성분의 종류, 양의 조정에 의해 행할 수 있지만, 특히 무기 충전재는 열경화 수지 조성물의 저열팽창화에 크게 기여하기 때문에, 무기 충전재의 종류, 양의 조정에 의해, 열팽창율의 조정을 적합하게 행할 수 있다. 또한 티타늄이 도프된 실리카는 무기 충전재 중에서도 특히 저열팽창 경향이 되기 때문에, 본 발명에 있어서 열팽창율의 값을 조정하기 위하여 특히 적합하게 사용할 수 있다. It is preferable that the thermosetting resin composition of this invention contains an inorganic filler from a viewpoint of a thermal expansion coefficient fall. Although it does not specifically limit as an inorganic filler to be used, For example, Silica, alumina, barium sulfate, talc, clay, mica powder, aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, magnesium oxide, boron nitride, aluminum borate, titanic acid. Barium, strontium titanate, calcium titanate, magnesium titanate, bismuth titanate, titanium oxide, barium zirconate, calcium zirconate, etc. are mentioned. Among them, silica is preferable. Further, preferred are silica such as amorphous silica, pulverized silica, fused silica, crystalline silica, synthetic silica, hollow silica, spherical silica, and titanium doped silica. Moreover, as a silica, a spherical thing is preferable. As an example of a spherical silica, "SOC1" and "SOC2" by Adomatex Corporation are mentioned. You may use an inorganic filler 1 type or in combination of 2 or more type. In the present invention, adjustment of the coefficient of thermal expansion can be performed by adjusting the type and amount of components contained in the thermosetting resin composition. In particular, since the inorganic filler greatly contributes to the low thermal expansion of the thermosetting resin composition, the type of the inorganic filler By adjusting the amount of , it is possible to suitably adjust the coefficient of thermal expansion. Moreover, since titanium-doped silica becomes especially low thermal expansion tendency among an inorganic filler, in order to adjust the value of thermal expansion coefficient in this invention, it can be used especially suitably.

「티타늄이 도프된 실리카」란, 예를 들어, TiO2-SiO2 유리의 유리 형성 원료인 TiCl4와 SiCl4를, 각각 가스화시킨 후에 혼합시키고, 산수소 화염 중에서 가열 가수분해(화염 가수분해)시킴으로써 수득되는 TiO2-SiO2 유리 미립자이다. 티타늄이 도프된 실리카는 공지이며, 시판품의 예로서는, 아사히 가라스 가부시키가이샤 제조의 「AZ 필러」를 들 수 있다. 무기 충전재에 티타늄이 도프된 실리카를 배합할 경우, 수지 조성물 중에 포함되는 무기 충전재의 양을 100질량%로 하고, 무기 충전재 중의 티타늄이 도프된 실리카의 배합량은 10질량% 이상으로 하는 것이 바람직하고, 20질량% 이상이 보다 바람직하고, 30질량% 이상이 보다 바람직하고, 40질량% 이상이 보다 바람직하고, 50질량% 이상이 보다 바람직하고, 60질량% 이상이 보다 바람직하고, 70질량% 이상이 보다 바람직하고, 80질량% 이상이 보다 바람직하고, 90질량% 이상이 보다 바람직하고, 100질량%가 특히 바람직하다.The term "titanium-doped silica" means, for example, TiCl 4 and SiCl 4 , which are raw materials for forming glass of TiO 2 -SiO 2 glass, respectively, after gasifying, mixing, and thermal hydrolysis (flame hydrolysis) in an oxyhydrogen flame. TiO 2 -SiO 2 glass microparticles obtained. The silica doped with titanium is well-known, As an example of a commercial item, the "AZ filler" by Asahi Glass Co., Ltd. is mentioned. When titanium-doped silica is blended with the inorganic filler, the amount of the inorganic filler contained in the resin composition is 100% by mass, and the compounding amount of the titanium-doped silica in the inorganic filler is preferably 10% by mass or more, 20 mass % or more is more preferable, 30 mass % or more is more preferable, 40 mass % or more is more preferable, 50 mass % or more is more preferable, 60 mass % or more is more preferable, 70 mass % or more is more preferable. More preferably, 80 mass % or more is more preferable, 90 mass % or more is more preferable, and 100 mass % is especially preferable.

또한, 무기 충전재로서는, 내습성, 분산성을 향상시키기 위하여, 실란 커플링제(에폭시 실란계 커플링제, 아미노 실란계 커플링제, 머캅토 실란계 커플링제 등), 티타네이트계 커플링제, 실라잔 화합물 등의 표면 처리제로 표면 처리한 것이 바람직하다. 이것들은 1종 또는 2종 이상 조합하여 사용해도 좋다.Moreover, as an inorganic filler, in order to improve moisture resistance and dispersibility, a silane coupling agent (epoxy silane type coupling agent, aminosilane type coupling agent, mercapto silane type coupling agent, etc.), a titanate type coupling agent, a silazane compound What surface-treated with surface treating agents, such as these is preferable. You may use these 1 type or in combination of 2 or more types.

에폭시 실란계 커플링제로서는, 예를 들어, 글리시독시프로필트리메톡시실란, 글리시독시프로필트리에톡시실란, 글리시독시프로필메틸디에톡시실란, 글리시딜부틸트리메톡시실란, (3,4-에폭시사이클로헥실)에틸트리메톡시실란 등을 들 수 있고, 아미노 실란계 커플링제로서는, 예를 들어, 아미노프로필메톡시실란, 아미노프로필트리에톡시실란, N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란, N-2(아미노에틸)아미노프로필트리메톡시실란 등을 들 수 있고, 머캅토 실란계 커플링제로서는, 예를 들어, 머캅토프로필트리메톡시실란, 머캅토프로필트리에톡시실란 등을 들 수 있다. 이것들은 1종 또는 2종 이상 조합하여 사용해도 좋다. 시판 중인 커플링제로서는, 예를 들어, 신에츠 카가쿠코교 가부시키가이샤 제조 「KBM403」(3-글리시독시프로필트리메톡시실란), 신에츠 카가쿠코교 가부시키가이샤 제조 「KBM803」(3-머캅토프로필트리메톡시실란), 신에츠카가쿠코교 가부시키가이샤 제조 「KBE903」(3-아미노프로필트리에톡시실란), 신에츠 카가쿠코교 가부시키가이샤 제조 「KBM573」(N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란) 등을 들 수 있다.Examples of the epoxy silane coupling agent include glycidoxypropyltrimethoxysilane, glycidoxypropyltriethoxysilane, glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, glycidylbutyltrimethoxysilane, (3, 4-epoxycyclohexyl) ethyl trimethoxysilane etc. are mentioned, As an aminosilane type coupling agent, aminopropyl methoxysilane, aminopropyl triethoxysilane, N-phenyl-3- aminopropyl tri, for example. Methoxysilane, N-2 (aminoethyl) aminopropyl trimethoxysilane, etc. are mentioned, As a mercapto silane type coupling agent, For example, mercaptopropyl trimethoxysilane, mercaptopropyl triethoxysilane. and the like. You may use these 1 type or in combination of 2 or more types. As a commercially available coupling agent, for example, Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. "KBM403" (3-glycidoxypropyl trimethoxysilane), Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. "KBM803" (3-mercapto) propyltrimethoxysilane), Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. "KBE903" (3-aminopropyltriethoxysilane), Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. "KBM573" (N-phenyl-3-aminopropyltri methoxysilane) and the like.

무기 충전재의 평균 입자 직경은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 무기 충전재의 평균 입자 직경의 상한값은, 절연층 위에 미세 배선 형성을 행한다는 관점에서, 5㎛ 이하가 바람직하고, 3㎛ 이하가 보다 바람직하고, 1㎛ 이하가 더욱 바람직하고, 0.7㎛ 이하가 한층 더 바람직하고, 0.5㎛ 이하가 특히 바람직하고, 0.4㎛ 이하가 특히 바람직하고, 0.3㎛ 이하가 특히 더 바람직하다. 한편, 무기 충전재의 평균 입자 직경의 하한값은, 에폭시 수지 조성물을 수지 조성물 와니스로 한 경우에, 와니스의 점도가 상승하고, 취급성이 저하되는 것을 방지한다는 관점에서, 0.01㎛ 이상이 바람직하고, 0.03㎛ 이상이 보다 바람직하고, 0.05㎛ 이상이 더욱 바람직하고, 0.07㎛ 이상이 특히 바람직하고, 0.1㎛ 이상이 특히 바람직하다. 상기 무기 충전재의 평균 입자 직경은 미(Mie) 산란 이론에 기초하는 레이저 회절·산란법에 의해 측정할 수 있다. 구체적으로는 레이저 회절식 입도 분포 측정 장치에 의해, 무기 충전재의 입도 분포를 체적 기준으로 작성하고, 그 median 직경을 평균 입자 직경으로 함으로써 측정할 수 있다. 측정 샘플은 무기 충전재를 초음파에 의해 수중에 분산시킨 것을 바람직하게 사용할 수 있다. 레이저 회절식 입도 분포 측정 장치로서는, 가부시키가이샤 호리바 세사쿠쇼 제조 LA-500, 750, 950 등을 사용할 수 있다.Although the average particle diameter of the inorganic filler is not particularly limited, the upper limit of the average particle diameter of the inorganic filler is preferably 5 µm or less, more preferably 3 µm or less, from the viewpoint of forming fine wiring on the insulating layer, 1 micrometer or less is more preferable, 0.7 micrometer or less is still more preferable, 0.5 micrometer or less is especially preferable, 0.4 micrometer or less is especially preferable, and 0.3 micrometer or less is especially more preferable. On the other hand, the lower limit of the average particle diameter of the inorganic filler is preferably 0.01 µm or more, and 0.03 from the viewpoint of preventing an increase in the viscosity of the varnish and a decrease in handleability when the epoxy resin composition is used as a resin composition varnish. Micrometer or more is more preferable, 0.05 micrometer or more is still more preferable, 0.07 micrometer or more is especially preferable, 0.1 micrometer or more is especially preferable. The average particle diameter of the said inorganic filler can be measured by the laser diffraction/scattering method based on the Mie scattering theory. Specifically, it can measure by creating the particle size distribution of an inorganic filler on a volume basis with a laser diffraction type particle size distribution measuring apparatus, and making the median diameter into an average particle diameter. As a measurement sample, what disperse|distributed the inorganic filler in water by ultrasonic wave can be used preferably. As a laser diffraction type particle size distribution measuring apparatus, Horiba Corporation LA-500, 750, 950, etc. can be used.

무기 충전재를 배합할 경우의 함유량은, 열팽창율 저하의 관점에서, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 한 경우, 40질량% 이상인 것이 바람직하고, 50질량% 이상이 보다 바람직하고, 60질량%가 보다 더 바람직하다. 무기 충전재의 함유량이 너무 적으면, 경화물의 열팽창율이 높아지는 경향이 있다. 무기 충전재의 함유량이 너무 크면 경화물이 물러지는 경향이나 필(peel) 강도가 저하되는 경향이 있는 것으로부터, 무기 충전재의 최대 함유량은 90질량% 이하, 바람직하게는 85질량% 이하로 하는 것이 바람직하다.Content in the case of mix|blending an inorganic filler, when making the nonvolatile component in a resin composition 100 mass % from a viewpoint of a thermal expansion coefficient fall, it is preferable that it is 40 mass % or more, 50 mass % or more is more preferable, 60 mass % % is even more preferred. When there is too little content of an inorganic filler, there exists a tendency for the thermal expansion coefficient of hardened|cured material to become high. If the content of the inorganic filler is too large, the cured product tends to become brittle and the peel strength tends to decrease. Therefore, the maximum content of the inorganic filler is preferably 90% by mass or less, preferably 85% by mass or less. Do.

본 발명의 수지 조성물에는 또한 기타 성분(예를 들어, 열가소성 수지, 경화 촉진제, 난연제 등의 첨가제)을 배합할 수 있다.The resin composition of the present invention may further contain other components (eg, additives such as thermoplastic resins, curing accelerators, and flame retardants).

-열가소성 수지--Thermoplastic resin-

열가소성 수지로서는, 예를 들어, 페녹시 수지, 폴리비닐아세탈 수지, 폴리이미드 수지, 폴리아미드이미드 수지, 폴리에테르설폰 수지, 및 폴리설폰 수지 등을 들 수 있다. 열가소성 수지는 1종 단독으로 사용해도 좋고, 또는 2종 이상을 병용해도 좋다.Examples of the thermoplastic resin include phenoxy resin, polyvinyl acetal resin, polyimide resin, polyamideimide resin, polyethersulfone resin, and polysulfone resin. A thermoplastic resin may be used individually by 1 type, or may use 2 or more types together.

열가소성 수지의 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량은 8,000 내지 70,000의 범위가 바람직하고, 10,000 내지 60,000의 범위가 보다 바람직하고, 20,000 내지 60,O00의 범위가 더욱 바람직하다. 열가소성 수지의 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량은 겔 침투 크로마토그래피(GPC)법으로 측정된다. 구체적으로는, 열가소성 수지의 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량은 측정 장치로서 (가부시키가이샤 시마즈 세사쿠쇼 제조 LC-9A/RID-6A를, 컬럼으로서 쇼와 덴코 가부시키가이샤 제조 Shodex K-800P/K-804L/K-804L을, 이동상으로서 클로로포름 등을 사용하고, 컬럼 온도 40℃에서 측정하고, 표준 폴리스티렌의 검량선을 사용하여 산출할 수 있다.The range of 8,000-70,000 is preferable, as for the weight average molecular weight of polystyrene conversion of a thermoplastic resin, the range of 10,000-60,000 is more preferable, The range of 20,000-60,00 is still more preferable. The weight average molecular weight in terms of polystyrene of the thermoplastic resin is measured by a gel permeation chromatography (GPC) method. Specifically, the weight average molecular weight of the thermoplastic resin in terms of polystyrene was measured as a measuring device (LC-9A/RID-6A manufactured by Shimadzu Corporation, Shodex K-800P/K manufactured by Showa Denko Corporation as a column) -804L/K-804L can be calculated using a standard polystyrene calibration curve using chloroform or the like as a mobile phase and measuring at a column temperature of 40°C.

페녹시 수지로서는, 예를 들어, 비스페놀A 골격, 비스페놀F 골격, 비스페놀S 골격, 비스페놀 아세토페논 골격, 노볼락 골격, 비페닐 골격, 플로우렌 골격, 디사이클로펜타디엔 골격, 노르보르넨 골격, 나프탈렌 골격, 안트라센 골격, 아다만탄 골격, 테르펜 골격, 및 트리메틸사이클로헥산 골격으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종 이상의 골격을 갖는 페녹시 수지를 들 수 있다. 페녹시 수지의 말단은 페놀성 수산기, 에폭시기 등의 어느 쪽의 관능기라도 좋다. 페녹시 수지는 1종 단독으로 사용해도 좋고, 또는 2종 이상을 병용해도 좋다. 페녹시 수지의 구체적인 예로서는, 미츠비시 카가쿠 가부시키가이샤 제조의 「1256」 및 「4250」(모두 비스페놀A 골격 함유 페녹시 수지), 「YX8100」(비스페놀S 골격 함유 페녹시 수지), 및 「YX6954」(비스페놀 아세토페논 골격 함유 페녹시 수지)을 들 수 있고, 그 밖에도, 토토 카세이 가부시키가이샤 제조의 「FX280」 및 「FX293」, 미츠비시 카가쿠 가부시키가이샤 제조의 「YL7553」, 「YL6794」, 「YL7213」, 「YL7290」 및 「YL7482」등을 들 수 있다.Examples of the phenoxy resin include bisphenol A skeleton, bisphenol F skeleton, bisphenol S skeleton, bisphenol acetophenone skeleton, novolak skeleton, biphenyl skeleton, fluorene skeleton, dicyclopentadiene skeleton, norbornene skeleton, naphthalene. and phenoxy resins having at least one skeleton selected from the group consisting of skeleton, anthracene skeleton, adamantane skeleton, terpene skeleton, and trimethylcyclohexane skeleton. Any functional group, such as a phenolic hydroxyl group and an epoxy group, may be sufficient as the terminal of a phenoxy resin. A phenoxy resin may be used individually by 1 type, or may use 2 or more types together. Specific examples of the phenoxy resin include "1256" and "4250" (both bisphenol A skeleton-containing phenoxy resins), "YX8100" (bisphenol S skeleton-containing phenoxy resin), and "YX6954" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation. (Bisphenol acetophenone skeleton-containing phenoxy resin), In addition, "FX280" and "FX293" manufactured by Toto Chemical Co., Ltd., "YL7553", "YL6794", "YL6794" manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd. YL7213", "YL7290", "YL7482", etc. are mentioned.

폴리비닐아세탈 수지의 구체적인 예로서는, 덴키 카가쿠코교 가부시키가이샤 제조의 전화 부티랄 4000-2, 5000-A, 6000-C, 6000-EP, 세키스이 카가쿠코교 가부시키가이샤 제조의 에스렉 BH 시리즈, BX 시리즈, KS 시리즈, BL 시리즈, BM 시리즈 등을 들 수 있다.Specific examples of the polyvinyl acetal resin include Denki Butyral 4000-2, 5000-A, 6000-C, 6000-EP manufactured by Denki Chemical Co., Ltd., S-Rec BH series manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd. , BX series, KS series, BL series, BM series, and the like.

폴리이미드 수지의 구체적인 예로서는, 신니혼 리카 가부시키가이샤 제조의 「리카코트SN20」 및 「리카코트PN20」을 들 수 있다. 폴리이미드 수지의 구체적인 예로서는 또한, 2관능성 하이드록실기 말단 폴리부타디엔, 디이소시아네이트 화합물 및 4염기산 무수물을 반응시켜서 수득되는 선형 폴리이미드(일본국 공개특허공보 특개2006-37083호에 기재된 것), 폴리실록산 골격 함유 폴리이미드(일본국 공개특허공보 특개2002-12667호 및 일본국 공개특허공보 특개2000-319386호 등에 기재된 것) 등의 변성 폴리이미드를 들 수 있다.As a specific example of polyimide resin, "Ricacoat SN20" and "Ricacoat PN20" by Shin-Nippon Rica Co., Ltd. are mentioned. As a specific example of the polyimide resin, furthermore, a linear polyimide obtained by reacting a difunctional hydroxyl-terminated polybutadiene, a diisocyanate compound, and a tetrabasic acid anhydride (the one described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-37083); Modified polyimides, such as polysiloxane skeleton containing polyimide (the thing described in Unexamined-Japanese-Patent No. 2002-12667, Unexamined-Japanese-Patent No. 2000-319386, etc.) are mentioned.

폴리아미드이미드 수지의 구체적인 예로서는, 토요 보세키 가부시키가이샤 제조의 「바이로막스HR11NN」 및 「바이로막스HR16NN」을 들 수 있다. 폴리아미드이미드 수지의 구체적인 예로서는 또한, 히타치 카세이코교 가부시키가이샤 제조의 폴리실록산 골격 함유 폴리아미드이미드 「KS9100」, 「KS9300」등의 변성 폴리아미드이미드를 들 수 있다.Specific examples of the polyamideimide resin include "Viromax HR11NN" and "Viromax HR16NN" manufactured by Toyo Boseki Co., Ltd. Specific examples of the polyamideimide resin include modified polyamideimides such as polysiloxane skeleton-containing polyamideimides “KS9100” and “KS9300” manufactured by Hitachi Chemical Corporation.

폴리에테르설폰 수지의 구체적인 예로서는, 쓰미토모 카가쿠 가부시키가이샤 제조의 「PES5003P」 등을 들 수 있다.As a specific example of polyether sulfone resin, the Tsumitomo Chemical Co., Ltd. product "PES5003P" etc. are mentioned.

폴리설폰 수지의 구체적인 예로서는, 솔베이 아도반스토 포리마즈 가부시키가이샤 제조의 폴리설폰 「P1700」, 「P3500」등을 들 수 있다.As a specific example of polysulfone resin, the polysulfone "P1700", "P3500" of Solvay Advansto Formaz Co., Ltd. product, etc. are mentioned.

수지 조성물 중의 불휘발 성분의 함유량을 100%로 한 경우, 수지 조성물 중의 열가소성 수지의 함유량은 0.1질량% 내지 20질량%인 것이 바람직하다. 열가소성 수지의 함유량을 이러한 범위로 함으로써, 수지 조성물의 점도가 적당해지고, 두께나 벌크 성상의 균일한 수지 조성물을 형성할 수 있다. 수지 조성물 중의 열가소성 수지의 함유량은 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 한 경우, 1질량% 내지 10질량%인 것이 보다 바람직하다. When content of the non-volatile component in a resin composition is 100 %, it is preferable that content of the thermoplastic resin in a resin composition is 0.1 mass % - 20 mass %. By making content of a thermoplastic resin into such a range, the viscosity of a resin composition becomes moderate, and the uniform resin composition of thickness and bulk property can be formed. When content of the thermoplastic resin in a resin composition makes the nonvolatile component in a resin composition 100 mass %, it is more preferable that they are 1 mass % - 10 mass %.

-경화 촉진제--curing accelerator-

경화 촉진제로서는, 예를 들어, 인계 경화 촉진제, 아민계 경화 촉진제, 이미다졸계 경화 촉진제, 구아니딘계 경화 촉진제, 금속계 경화 촉진제 등을 들 수 있고, 아민계 경화 촉진제, 이미다졸계 경화 촉진제, 금속계 경화 촉진제가 바람직하다.Examples of the curing accelerator include phosphorus-based curing accelerators, amine-based curing accelerators, imidazole-based curing accelerators, guanidine-based curing accelerators, and metal-based curing accelerators, and amine-based curing accelerators, imidazole-based curing accelerators, and metal-based curing accelerators. Accelerators are preferred.

인계 경화 촉진제로서는, 예를 들어, 트리페닐포스핀, 포스포늄보레이트 화합물, 테트라페닐포스포늄테트라페닐보레이트, n-부틸포스포늄테트라페닐보레이트, 테트라부틸포스포늄데칸산염, (4-메틸페닐)트리페닐포스포늄티오시아네이트, 테트라페닐포스포늄티오시아네이트, 부틸트리페닐포스포늄티오시아네이트 등을 들 수 있고, 트리페닐포스핀, 테트라부틸포스포늄데칸산염이 바람직하다.Examples of the phosphorus-based curing accelerator include triphenylphosphine, phosphonium borate compound, tetraphenylphosphonium tetraphenylborate, n-butylphosphonium tetraphenylborate, tetrabutylphosphoniumdecanoate, (4-methylphenyl)triphenyl Phosphonium thiocyanate, tetraphenyl phosphonium thiocyanate, butyl triphenyl phosphonium thiocyanate, etc. are mentioned, Triphenyl phosphine and tetrabutyl phosphonium decanoate are preferable.

아민계 경화 촉진제로서는, 예를 들어, 트리에틸아민, 트리부틸아민 등의 트리알킬아민, 4-디메틸아미노피리딘, 벤질디메틸아민, 2,4,6-트리스(디메틸아미노메틸)페놀, 1,8-디아자비사이클로[5.4.0]-운데센 등을 들 수 있고, 4-디메틸아미노 피리딘, 1,8-디아자비사이클로[5.4.0]-운데센이 바람직하다.Examples of the amine curing accelerator include trialkylamines such as triethylamine and tributylamine, 4-dimethylaminopyridine, benzyldimethylamine, 2,4,6-tris(dimethylaminomethyl)phenol, 1,8 -diazabicyclo[5.4.0]-undecene etc. are mentioned, 4-dimethylamino pyridine and 1,8- diazabicyclo[5.4.0]-undecene are preferable.

이미다졸계 경화 촉진제로서는, 예를 들어, 2-메틸이미다졸, 2-운데실이미다졸, 2-헵타데실이미다졸, 1,2-디메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 1,2-디메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 1-벤질-2-메틸이미다졸, 1-벤질-2-페닐이미다졸, 1-시아노에틸-2-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸, 1-시아노에틸-2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸륨트리메리테이트, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸륨트리메리테이트, 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-운데실이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-에틸-4'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진이소시아눌산 부가물, 2-페닐이미다졸이소시아눌산 부가물, 2-페닐-4,5-디하이드록시메틸이미다졸, 2-페닐-4-메틸-5-하이드록시메틸이미다졸, 2,3-디하이드로-1H-피롤로[1,2-a]벤즈이미다졸, 1-도데실-2-메틸-3-벤질이미다졸륨클로라이드, 2-메틸이미다졸린, 2-페닐이미다졸린 등의 이미다졸 화합물 및 이미다졸 화합물과 에폭시 수지의 어덕트체를 들 수 있고, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-벤질-2-페닐이미다졸이 바람직하다.Examples of the imidazole-based curing accelerator include 2-methylimidazole, 2-undecylimidazole, 2-heptadecylimidazole, 1,2-dimethylimidazole, and 2-ethyl-4-methyl. Imidazole, 1,2-dimethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, 1-benzyl-2-methyl Midazole, 1-benzyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazole, 1-cyanoethyl-2-ethyl -4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazolium trimeritate, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazolium Trimeritate, 2,4-diamino-6-[2'-methylimidazolyl-(1')]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6-[2'-undecyl Imidazolyl-(1′)]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6-[2′-ethyl-4′-methylimidazolyl-(1′)]-ethyl-s- triazine, 2,4-diamino-6-[2'-methylimidazolyl-(1')]-ethyl-s-triazineisocyanuric acid adduct, 2-phenylimidazoleisocyanuric acid adduct, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole, 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole, 2,3-dihydro-1H-pyrrolo[1,2-a ]Imidazole compounds such as benzimidazole, 1-dodecyl-2-methyl-3-benzylimidazolium chloride, 2-methylimidazoline and 2-phenylimidazoline, and adducts of imidazole compounds and epoxy resins sieves, and 2-ethyl-4-methylimidazole and 1-benzyl-2-phenylimidazole are preferable.

구아니딘계 경화 촉진제로서는, 예를 들어, 디시안디아미드, 1-메틸구아니딘, 1-에틸구아니딘, 1-사이클로헥실구아니딘, 1-페닐구아니딘, 1-(o-톨릴)구아니딘, 디메틸구아니딘, 디페닐구아니딘, 트리메틸구아니딘, 테트라메틸구아니딘, 펜타메틸구아니딘, 1,5,7-트리아자비사이클로[4.4.0]데카-5-엔, 7-메틸-1,5,7-트리아자비사이클로[4.4.0]데카-5-엔, 1-메틸비구아니드, 1-에틸비구아니드, 1-n-부틸비구아니드, 1-n-옥타데실비구아니드, 1,1-디메틸비구아니드, 1,1-디에틸비구아니드, 1-사이클로헥실비구아니드, 1-알릴비구아니드, 1-페닐비구아니드, 1-(o-톨릴)비구아니드 등을 들 수 있고, 디시안디아미드, 1,5,7-트리아자비사이클로[4.4.0]데카-5-엔이 바람직하다.Examples of the guanidine-based curing accelerator include dicyandiamide, 1-methylguanidine, 1-ethylguanidine, 1-cyclohexylguanidine, 1-phenylguanidine, 1-(o-tolyl)guanidine, dimethylguanidine, and diphenylguanidine. , trimethylguanidine, tetramethylguanidine, pentamethylguanidine, 1,5,7-triazabicyclo[4.4.0]deca-5-ene, 7-methyl-1,5,7-triazabicyclo[4.4.0] Deca-5-ene, 1-methylbiguanide, 1-ethylbiguanide, 1-n-butylbiguanide, 1-n-octadecylbiguanide, 1,1-dimethylbiguanide, 1, 1-diethylbiguanide, 1-cyclohexylbiguanide, 1-allylbiguanide, 1-phenylbiguanide, 1-(o-tolyl)biguanide, etc. are mentioned, dicyandiamide, 1,5,7-triazabicyclo[4.4.0]deca-5-ene is preferred.

금속계 경화 촉진제로서는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어, 코발트, 구리, 아연, 철, 니켈, 망간, 주석 등의 금속의, 유기 금속 착체 또는 유기 금속염을 들 수 있다. 유기 금속 착체의 구체예로서는 코발트(Ⅱ) 아세틸아세토네이트, 코발트(Ⅲ) 아세틸아세토네이트 등의 유기 코발트 착체, 구리(Ⅱ) 아세틸아세토네이트 등의 유기 구리 착체, 아연(Ⅱ) 아세틸아세토네이트 등의 유기 아연 착체, 철(Ⅲ) 아세틸아세토네이트 등의 유기 철 착체, 니켈(Ⅱ) 아세틸아세토네이트 등의 유기 니켈 착체, 망간(Ⅱ) 아세틸아세토네이트 등의 유기 망간 착체 등을 들 수 있다. 유기 금속염으로서는, 예를 들어, 옥틸산 아연, 옥틸산 주석, 나프텐산 아연, 나프텐산 코발트, 스테아르산 주석, 스테아르산 아연 등을 들 수 있다. 이것들은 1종 또는 2종 이상 조합하여 사용해도 좋다. Although it does not specifically limit as a metal type hardening accelerator, For example, organometallic complexes or organometallic salts of metals, such as cobalt, copper, zinc, iron, nickel, manganese, and tin, are mentioned. Specific examples of the organometallic complex include organic cobalt complexes such as cobalt(II) acetylacetonate and cobalt(III) acetylacetonate, organic copper complexes such as copper(II) acetylacetonate, and organic copper complexes such as zinc(II) acetylacetonate. and organic iron complexes such as zinc complex and iron(III) acetylacetonate, organic nickel complexes such as nickel(II) acetylacetonate, and organic manganese complexes such as manganese(II) acetylacetonate. Examples of the organometallic salt include zinc octylate, tin octylate, zinc naphthenate, cobalt naphthenate, tin stearate, zinc stearate, and the like. You may use these 1 type or in combination of 2 or more types.

본 발명의 수지 조성물에 있어서, 금속계 경화 촉진제로서는 유기 코발트 착체를 사용하는 것이 바람직하고, 특히, 코발트(Ⅲ) 아세틸아세토네이트를 사용하는 것이 바람직하다. 금속계 경화 촉진제의 함유량은 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 한 경우, 금속계 경화 촉매에 기초하는 금속의 함유량이 25ppm 내지 500ppm의 범위인 것이 바람직하고, 30ppm 내지 200ppm의 범위인 것이 보다 바람직하다.In the resin composition of the present invention, an organic cobalt complex is preferably used as the metal-based curing accelerator, and in particular, cobalt (III) acetylacetonate is preferably used. When the content of the metal-based curing accelerator is 100% by mass of the nonvolatile component in the resin composition, the content of the metal based on the metal-based curing catalyst is preferably in the range of 25 ppm to 500 ppm, more preferably in the range of 30 ppm to 200 ppm. .

경화 촉진제는 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다. 수지 조성물 중의 경화 촉진제의 함유량은 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 한 경우, 0.01질량% 내지 1질량%가 바람직하고, 0.02질량% 내지 0.5질량%가 보다 바람직하고, 0.03질량% 내지 0.1질량%가 보다 더 바람직하다.A hardening accelerator may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type. When content of the hardening accelerator in a resin composition makes the nonvolatile component in a resin composition 100 mass %, 0.01 mass % - 1 mass % are preferable, 0.02 mass % - 0.5 mass % are more preferable, 0.03 mass % - 0.1 % by mass is even more preferred.

-난연제--Flame retardant-

난연제로서는, 예를 들어, 유기 인계 난연제, 유기계 질소 함유 인 화합물, 질소 화합물, 실리콘계 난연제, 금속 수산화물 등을 들 수 있고, 10-(2,5-디하이드록시페닐)-10-하이드로-9-옥사-10-포스파페난트렌-10-옥사이드(예를 들어, 산코 가부시키가이샤 제조 「HCA-HQ」)가 바람직하다. 난연제는 1종 단독으로 사용해도 좋고, 또는 2종 이상을 병용해도 좋다. 수지 조성물층 중의 난연제의 함유량은 특별히 한정은 되지 않지만, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 한 경우, 0.5질량% 내지 10질량%가 바람직하고, 1질량% 내지 5질량%가 보다 바람직하고, 1.5질량% 내지 3질량%가 더욱 바람직하다.Examples of the flame retardant include an organic phosphorus flame retardant, an organic nitrogen-containing phosphorus compound, a nitrogen compound, a silicone flame retardant, and a metal hydroxide, and 10-(2,5-dihydroxyphenyl)-10-hydro-9- Oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide (for example, Sanko Corporation "HCA-HQ") is preferable. A flame retardant may be used individually by 1 type, or may use 2 or more types together. The content of the flame retardant in the resin composition layer is not particularly limited, but when the nonvolatile component in the resin composition is 100% by mass, preferably 0.5% by mass to 10% by mass, more preferably 1% by mass to 5% by mass, , 1.5 mass % - 3 mass % are more preferable.

<리플로우 공정><Reflow process>

본 발명의 제조 방법은 리플로우 공정을 포함하고, 리플로우 공정에서는, 상기 열경화 공정에 의해 제조한 경화물층을 갖는 기판 위에 부품을 리플로우에 의해 실장한다.The manufacturing method of this invention includes a reflow process, In a reflow process, a component is mounted by reflow on the board|substrate which has the hardened|cured material layer manufactured by the said thermosetting process.

실장하는 부품으로서는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 반도체, 인터포저, 수동 소자 등을 들 수 있지만, 본 발명의 제조 방법은 특히 반도체의 실장에 적합하게 사용할 수 있다.It does not specifically limit as a component to mount, For example, although a semiconductor, an interposer, a passive element etc. are mentioned, The manufacturing method of this invention can be used especially suitably for semiconductor mounting.

리플로우 공정에서의 가열 온도는, 사용하는 땜납의 종류나 실장하는 부품의 종류 등의 조건에 의해 다를 수 있지만, 일반적으로 210℃ 내지 330℃이며, 220℃ 내지 300℃가 바람직하고, 230℃ 내지 280℃가 보다 바람직하다. 본 발명의 제조 방법은, 땜납으로서는 납 프리(free)의 땜납을 사용하는 경우에 보다 적합하다.The heating temperature in the reflow step may vary depending on conditions such as the type of solder used or the type of components to be mounted, but is generally 210°C to 330°C, preferably 220°C to 300°C, and 230°C to 230°C. 280 degreeC is more preferable. The manufacturing method of the present invention is more suitable when a lead-free solder is used as the solder.

본 발명의 제조 방법은, 상기 열경화 공정 및 상기 리플로우 공정을 포함한다. The manufacturing method of this invention contains the said thermosetting process and the said reflow process.

본 발명의 부품 실장 기판의 제조 방법은, 열경화성 수지 조성물층의 열경화 공정 후에서의 x-y 방향의 수축률(S1)이, 열경화 공정 전의 열경화성 수지 조성물층에 비하여 0.35% 이하, 바람직하게는 0.3% 이하, 보다 바람직하게는 0.2% 이하이고, 리플로우 공정 후에서의 경화물층의 x-y 방향의 수축률(S2)이, 열경화 공정 전의 열경화성 수지 조성물층에 비하여 0.4% 이하, 바람직하게는 0.3% 이하, 보다 바람직하게는 0.2% 이하이고, 또한 S1과 S2가, S2-S1≤0.08, 바람직하게는 S2-S1≤0.05, 보다 바람직하게는 S2-S1≤0.04의 관계를 충족시키는 것을 특징으로 한다.In the method for manufacturing a component mounting board of the present invention, the shrinkage rate (S1) in the xy direction after the thermosetting step of the thermosetting resin composition layer is 0.35% or less, preferably 0.3% compared to the thermosetting resin composition layer before the thermosetting step Hereinafter, it is more preferably 0.2% or less, and the shrinkage ratio (S2) in the xy direction of the cured material layer after the reflow step is 0.4% or less, preferably 0.3% or less, compared to the thermosetting resin composition layer before the thermosetting step. , more preferably 0.2% or less, and S1 and S2 satisfy the relationship of S2-S1 ≤ 0.08, preferably S2-S1 ≤ 0.05, more preferably S2-S1 ≤ 0.04.

상기 S1 및 S2의 측정은, 아래와 같이 실시한다.The measurements of S1 and S2 are performed as follows.

<S1의 측정><Measurement of S1>

(1-1) 초기 길이의 측정(1-1) Measurement of initial length

열경화성 수지 조성물층(두께 40㎛)의 200mm 각상(角狀) 수지의 4각으로부터 20mm정도의 부분에, 관통 구멍을, 펀칭에 의해 4개 형성하고(구멍을 시계 방향으로 A, B, C, D라고 가칭함.), 형성한 각 구멍의 중앙간의 길이 L(LAB, LBC, LCD, LDA, LAC, LBD)(도 1 참조)을 비접촉형 화상 측정기로 측정한다.Four through holes are formed by punching in a portion about 20 mm from the square of the 200 mm square resin of the thermosetting resin composition layer (thickness 40 μm) (the holes A, B, C, D) and the length L(L AB , L BC , L CD , L DA , L AC , L BD ) between the centers of each formed hole (see FIG. 1 ) are measured with a non-contact image measuring device.

(1-2) 열경화성 수지 조성물층의 열경화(1-2) Thermosetting of thermosetting resin composition layer

길이 측정을 종료한 열경화성 수지 조성물층을 가열하여 열경화한다.The thermosetting resin composition layer whose length measurement has been completed is heated and thermosetted.

(1-3) 열경화 수축률의 측정(1-3) Measurement of thermal curing shrinkage

열경화 후, 경화가 끝난 열가소성 수지 조성물층에 있어서, (1-1)에서 형성한 각 구멍의 중앙간의 경화 후의 길이 L'(L'AB, L'BC, L'CD, L'DA, L'AC, L'BD)를, L과 같이 비접촉형 화상 측정기로 측정한다.After thermosetting, in the cured thermoplastic resin composition layer, the length L'(L' AB , L' BC , L' CD , L' DA , L after curing between the centers of the holes formed in (1-1)) ' AC , L' BD ), like L, is measured with a non-contact image measuring instrument.

S1AB=(LAB-L'AB)/LAB S 1 AB =(L AB -L' AB )/L AB

를 산출한다. 동일하게 하여, s1BC, s1CD, s1DA, s1AC, s1DA를, LBC와 L'BC, LCD와 L'CD, LDA와 L'DA, LAC와 L'AC, LBD와 L'BD에 대하여 산출한다.to calculate Similarly, s1 BC , s1 CD , s1 DA , s1 AC , s1 DA , L BC and L' BC , L CD and L' CD , L DA and L' DA , L AC and L' AC , L BD and L' BD .

열경화 수축률을 이하의 식으로 산출한다.The thermosetting shrinkage rate is computed by the following formula|equation.

열경화수축률[x-y 방향의 수축률:S1](%)Thermosetting shrinkage [Shrinkage in x-y direction: S1] (%)

={(s1AB+s1BC+s1CD+s1DA+s1AC+s1DA)/6}×100={(s1 AB + s1 BC + s1 CD + s1 DA + s1 AC +s1 DA )/6}×100

<S2의 측정><Measurement of S2>

(1-4) 리플로우 공정(1-4) Reflow process

(1-3)의 공정이 종료한 기재를 리플로우한다.The substrate after the step (1-3) has been completed is reflowed.

(1-5) 리플로우 수축률의 측정(1-5) Measurement of reflow shrinkage

리플로우 공정 후, (1-3)과 완전히 동일하게 하여, (1-1)에서 형성한 각 구멍의 중앙간의 리플로우 후의 길이 L"(L"AB, L"BC, L"CD, L"DA, L"AC, L"BD)을, L과 같이 비접촉형 화상 측정기로 측정한다.After the reflow step, in the exact same manner as in (1-3), the length L"(L" AB , L" BC , L" CD , L" after reflow between the centers of the holes formed in (1-1)) DA , L" AC , L" BD ) are measured with a non-contact imager, like L.

s2AB=(LAB-L"AB)/LAB s2 AB =(L AB -L" AB )/L AB

을 산출한다. 동일하게 하여, s2BC, s2CD, s2DA, s2AC, s2DA를, LBC와 L"BC, LCD와 L"CD, LDA와 L"DA, LAC와 L"AC, LBD와 L"BD에 대하여 산출한다.to calculate Similarly, s2 BC , s2 CD , s2 DA , s2 AC , s2 DA , L BC and L" BC , L CD and L" CD , L DA and L" DA , L AC and L" AC , L BD and L" BD .

리플로우 수축률을 이하의 식으로 산출한다.A reflow shrinkage rate is computed with the following formula.

리플로우 수축률[x-y 방향의 수축률:S2](%)Reflow shrinkage [shrinkage in x-y direction: S2] (%)

={(s2AB+s2BC+s2CD+s2DA+s2AC+s2DA)/6}×100={(s2 AB + s2 BC + s2 CD + s2 DA + s2 AC +s2 DA )/6}×100

상기 파라미터는 바람직하게는, 선행하여 기재한 에폭시 수지, 경화제 및 무기 충전재를 함유하는 열경화성 수지 조성물을 사용함으로써 충족시킬 수 있다. 그러한 열경화성 수지 조성물에 의하면, 절연층의 수축이 억제되어 휘어짐이 억제된, 기판의 변형이 생기기 어려운 절연층에 적합한 경화물을 수득할 수 있다. 이 열경화성 수지 조성물의 경화물은 부품 실장 기판(특히 반도체 실장 기판)의 제조에 적합하며, 특히, 기판의 절연층을 형성하는데도 적합하다. 1 경화물층(1 절연층)의 두께는 통상 3 내지 200㎛ 정도이지만, 다층화한 경우에는 절연층 전체의 두께는 이것보다도 두꺼워져서 통상 10 내지 300㎛ 정도가 된다.The above parameters can preferably be satisfied by using a thermosetting resin composition containing the previously described epoxy resin, curing agent and inorganic filler. According to such a thermosetting resin composition, the hardened|cured material suitable for the insulating layer in which the shrinkage|contraction of an insulating layer was suppressed and warpage was suppressed and the deformation|transformation of a board|substrate hardly produced can be obtained. The hardened|cured material of this thermosetting resin composition is suitable for manufacture of a component mounting board|substrate (especially semiconductor mounting board|substrate), and it is also suitable especially for forming the insulating layer of a board|substrate. The thickness of one hardened|cured material layer (1 insulating layer) is about 3-200 micrometers normally, but in the case of multilayering, the thickness of the whole insulating layer becomes thicker than this, and it becomes about 10-300 micrometers normally.

<열경화성 수지 조성물><Thermosetting resin composition>

본 발명의 일 실시형태는 절연층을 형성하기 위한 열경화성 수지 조성물을 제공한다.One embodiment of the present invention provides a thermosetting resin composition for forming an insulating layer.

상기 열경화성 수지 조성물은, 열경화 후의 x-y 방향의 수축률(S1)이 0.35% 이하가 되는 조건으로 열경화된 당해 열경화성 수지 조성물의 경화물을 IPC/JEDEC J-STD-020C에 준거한 리플로우 온도 프로파일로 가열한 후의 x-y 방향의 수축률(S2)이 0.4% 이하이고, 또한 S1과 S2가 S2-S1≤0.08의 관계를 충족시키는 것이다.The said thermosetting resin composition is a reflow temperature profile based on IPC/JEDEC J-STD-020C of the hardened|cured material of the said thermosetting resin composition thermosetting under the condition that the shrinkage rate (S1) in the xy direction after thermosetting becomes 0.35% or less. The shrinkage ratio (S2) in the xy direction after heating with a furnace is 0.4% or less, and S1 and S2 satisfy the relationship of S2-S1 ≤ 0.08.

열경화 후의 x-y 방향의 수축률(S1)이 0.35% 이하가 되는 조건으로 열경화 된 당해 열경화성 수지 조성물의 경화물을 IPC/JEDEC J-STD-020C에 준거한 리플로우 온도 프로파일로 가열한 후의 x-y 방향의 수축률(S2)이 0.4% 이하이고, 또한 S1과 S2가 S2-S1≤0.08의 관계를 충족하기만 하면, 당해 열가소성 수지 조성물은 리플로우 공정에 의한 부품 실장의 고온을 거친 후라도, 기판의 휘어짐이 생기기 어렵고, 박형의 부품 실장 기판의 절연층 형성에 적합한 것이 된다.The cured product of the thermosetting resin composition thermosetting under the condition that the shrinkage ratio (S1) in the xy direction after thermosetting is 0.35% or less is heated to a reflow temperature profile in accordance with IPC/JEDEC J-STD-020C in the xy direction As long as the shrinkage ratio (S2) of is 0.4% or less and S1 and S2 satisfy the relationship of S2-S1 ≤ 0.08, the thermoplastic resin composition will warp of the substrate even after high temperature of component mounting by the reflow process. This is difficult to occur and is suitable for forming an insulating layer on a thin component mounting substrate.

열가소성 수지 조성물에 사용할 수 있는 원료의 적합한 예는 상술한 바와 같다.Suitable examples of the raw material that can be used for the thermoplastic resin composition are as described above.

S1 및 S2의 측정 방법에 대해서는 상술한 바와 같다.The method of measuring S1 and S2 is as described above.

IPC/JEDEC J-STD-020C에 기재되는 리플로우 온도 프로파일을 도 2 및 표 1 내지 3에 인용한다. 시간에 대해서는 표에 기재된 범위의 어느 조건이라도 좋지만, 예를 들어, Sn-Pb 공정(共晶) 땜납이면 tS=90초, tL=105초, tP=20초, Pb 프리 땜납이면 tS=120초, tL=105초, tP=30초가 되는 조건을 들 수 있다. 또한 여기에서 말하는 패키지는 본 발명에 있어서는, 리플로우에 의해 부품 실장하기 전의 기판에 상당한다. 패키지 두께로서는, Sn-Pb 공정 땜납이면 2.5mm 미만이 바람직하고, Pb 프리 땜납이면 2.5mm 미만이 바람직하고, 2.5mm 미만 내지 1.6mm가 보다 바람직하고, 1.6mm 미만이 보다 더 바람직하다.The reflow temperature profile described in IPC/JEDEC J-STD-020C is cited in FIG. 2 and Tables 1-3. The time may be any condition within the range described in the table. For example, for Sn-Pb eutectic solder, t S = 90 sec, t L = 105 sec, t P = 20 sec, and for Pb-free solder, t Conditions such that S = 120 seconds, t L =105 seconds, and t P =30 seconds are exemplified. In addition, in this invention, the package mentioned here corresponds to the board|substrate before component mounting by reflow. The package thickness is preferably less than 2.5 mm if it is a Sn-Pb eutectic solder, preferably less than 2.5 mm if it is a Pb-free solder, more preferably less than 2.5 mm to 1.6 mm, and still more preferably less than 1.6 mm.

Figure 112014069299183-pat00005
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Figure 112014069299183-pat00006
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Figure 112014069299183-pat00007
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상기 열경화성 수지 조성물은, 다층 프린트 배선판의 절연층을 형성하기 위한 수지 조성물(내층 기판 위의 절연층용 수지 조성물)로서 적합하게 사용할 수 있다. 상기 열경화성 수지 조성물을 사용하여 다층 프린트 배선판의 절연층을 형성 함으로써, 절연층의 수축이 억제되어, 기판의 변형이 생기기 어려운 절연층을 실현 할 수 있고, 기판의 휘어짐의 문제를 현저히 개선할 수 있다. 그 중에서도, 빌드업 방식에 의한 다층 프린트 배선판의 제조에 있어서, 절연층을 형성하기 위한 수지 조성물(다층 프린트 배선판의 빌드업 절연층용 수지 조성물)로서 적합하게 사용 할 수 있고, 그 위에 도금에 의해 도체층이 형성되는 절연층을 형성하기 위한 수지 조성물(도금에 의해 도체층을 형성하는 다층 프린트 배선판의 빌드업 절연층용 수지 조성물)로서 한층 더 적합하게 사용할 수 있다. 또한, 상기 열경화성 수지 조성물은 다층 프린트 배선판이 부품 내장 회로판인 경우에도 적합하게 사용할 수 있다. 즉, 본 발명의 수지 조성물은 부품 내장 회로판 부품을 매립하기 위한 수지 조성물(부품 매립용 수지 조성물)로서 적합하게 사용할 수 있다. 부품 내장 회로판의 제조에 사용되는 코어 기판에 관해서는, 부품을 내장하기 위한 캐비티를 갖고, 또한 부품 내장 회로판 자체의 소형화의 요청으로부터 당해 캐비티 밀도는 높아지는 경향이 있고, 코어 기판의 강성 부족에 기인한 휘어짐의 문제는 보다 심각해지는 경향이 있지만, 상기 열경화성 수지 조성물을 부품 매립용 수지 조성물로서 사용함으로써, 캐비티 밀도가 높고 또한 얇은 코어 기판을 사용하는 경우라도 휘어짐의 문제를 현저히 완화할 수 있다.The said thermosetting resin composition can be used suitably as a resin composition (resin composition for insulating layers on an inner-layer board|substrate) for forming the insulating layer of a multilayer printed wiring board. By using the above thermosetting resin composition to form the insulating layer of the multilayer printed wiring board, the shrinkage of the insulating layer is suppressed, an insulating layer that is less prone to deformation of the substrate can be realized, and the problem of warpage of the substrate can be significantly improved. . Among them, in the production of a multilayer printed wiring board by a build-up method, it can be suitably used as a resin composition for forming an insulating layer (resin composition for a build-up insulating layer of a multilayer printed wiring board), and a conductor is plated thereon. It can be used further suitably as a resin composition (resin composition for buildup insulating layers of a multilayer printed wiring board which forms a conductor layer by plating) for forming the insulating layer in which a layer is formed. Moreover, the said thermosetting resin composition can be used suitably also when a multilayer printed wiring board is a circuit board with built-in components. That is, the resin composition of this invention can be used suitably as a resin composition (resin composition for component embedding) for embedding a component built-in circuit board component. Regarding the core board used for manufacturing the circuit board with built-in components, it has a cavity for embedding components, and the density of the cavity tends to increase due to the request for miniaturization of the circuit board itself with built-in components, and due to the lack of rigidity of the core board. Although the problem of warpage tends to become more serious, by using the thermosetting resin composition as a resin composition for embedding components, the problem of warpage can be significantly alleviated even when a core substrate having a high cavity density and a thin core is used.

<프리프레그><Prepreg>

상기 열경화성 수지 조성물은, 시트상 섬유 기재에 함침하여 프리프레그로 해도 좋다. 프리프레그는, 시트상 섬유 기재중에 상기 열경화성 수지 조성물을 함침시켜 이루어진 것이다.The said thermosetting resin composition is good also as a prepreg by impregnating a sheet-like fiber base material. A prepreg is formed by impregnating the said thermosetting resin composition in a sheet-like fiber base material.

프리프레그에 사용하는 시트상 섬유 기재는 특별히 한정되지 않고, 글라스 클로스(glass cloth), 아라미드 부직포, 액정 중합체 부직포 등의 프리프레그용 기재로서 상용되고 있는 것을 사용할 수 있다. 다층 프린트 배선판의 절연층의 형성에 사용하는 경우에는 두께가 50㎛ 이하의 박형의 시트상 섬유 기재가 적합하게 사용되고, 특히 두께가 10㎛ 내지 40㎛의 시트상 섬유 기재가 바람직하고, 10㎛ 내지 30㎛의 시트상 섬유 기재가 보다 바람직하고, 10 내지 20㎛의 시트상 섬유 기재가 더욱 바람직하다. 시트상 섬유 기재로서 사용되는 글라스 클로스 기재의 구체적인 예로서는, 아사히 슈에베루 가부시키가이샤 제조의 「스타일1027MS」(경사(經絲)) 밀도 75개/25mm, 위사(緯絲) 밀도 75개/25mm, 포(布) 중량 20g/㎡, 두께 19㎛), 아사히 슈에베루 가부시키가이샤 제조의 「스타일1037MS」(경사 밀도 70개/25mm, 위사 밀도 73개/25mm, 포 중량 24g/㎡, 두께 28㎛), 가부시키가이샤 아리사와 세사쿠쇼 제조의 「1078」(경사 밀도 54개/25mm, 위사 밀도 54개/25mm, 포 중량48g/㎡, 두께 43㎛), 가부시키가이샤 아리사와 세사쿠쇼 제조의 「1037NS」(경사 밀도 72개/25mm, 위사 밀도 69개/25mm, 포 중량 23g/㎡, 두께 21㎛), 가부시키가이샤 아리사와 세사쿠쇼 제조의 「1027NS」(경사 밀도 75개/25mm, 위사 밀도 75개/25mm, 포 중량 19.5g/㎡, 두께 16㎛), 가부시키가이샤 아리사와 세사쿠쇼 제조의 「1015NS」(경사 밀도 95개/25mm, 위사 밀도 95개/25mm, 포 중량 17.5g/㎡, 두께 15㎛), 가부시키가이샤 아리사와 세사쿠쇼 제조의 「1000NS」(경사 밀도 85개/25mm, 위사 밀도 85개/25mm, 포 중량 11g/㎡, 두께 10㎛) 등을 들 수 있다. 또한 액정 중합체 부직포의 구체적인 예로서는, 가부시키가이샤 쿠라레 제조의, 방향족 폴리에스테르 부직포의 멜트 블로우법에 의한 「베쿠루스」(목부량(目付量) 6 내지 15g/㎡)이나 「베쿠토란」 등을 들 수 있다.The sheet-like fiber base material used for the prepreg is not particularly limited, and those commonly used as the base material for prepregs, such as glass cloth, aramid nonwoven fabric, and liquid crystal polymer nonwoven fabric, can be used. When used for the formation of the insulating layer of a multilayer printed wiring board, a thin sheet-like fibrous substrate having a thickness of 50 µm or less is preferably used, and in particular, a sheet-like fibrous substrate having a thickness of 10 µm to 40 µm is preferable, and 10 µm to A 30-micrometer sheet-like fiber base material is more preferable, and a 10-20 micrometers sheet-like fiber base material is still more preferable. As a specific example of the glass cloth base material used as a sheet-like fiber base material, "Style 1027MS" (warp) density of 75 pieces/25 mm by Asahi Shueberu Co., Ltd. and a weft density of 75 pieces/25 mm , fabric weight 20 g/m2, thickness 19 µm), "Style 1037MS" manufactured by Asahi Shueberu Co., Ltd. (warp density 70/25mm, weft density 73/25mm, fabric weight 24g/m2, thickness 28 μm), “1078” manufactured by Arisawa Sesakusho Co., Ltd. (warp density 54/25 mm, weft density 54/25 mm, fabric weight 48 g/m2, thickness 43 μm), Arisawa Sesaku Co., Ltd. "1037NS" manufactured by Shaw (warp density of 72 pieces/25mm, weft density of 69 pieces/25mm, fabric weight 23g/m2, thickness 21㎛), "1027NS" manufactured by Arisa and Sesakusho Co., Ltd. (warp density 75 pieces) /25mm, weft density 75/25mm, fabric weight 19.5g/m2, thickness 16㎛), Arisa and Sesakusho Co., Ltd. "1015NS" (warp density 95/25mm, weft density 95/25mm, Fabric weight 17.5 g/m2, thickness 15 µm), "1000NS" manufactured by Arisa and Sesakusho Co., Ltd. (warp density 85/25 mm, weft density 85/25 mm, fabric weight 11 g/m2, thickness 10 µm) and the like. In addition, as a specific example of the liquid crystal polymer nonwoven fabric, "Vekurus" (amount of wood 6 to 15 g/m2) by a melt blow method of an aromatic polyester nonwoven fabric manufactured by Kuraray Co., Ltd., "Bekutoran", etc. can be heard

프리프레그는 핫멜트법, 솔벤트법 등의 공지의 방법에 의하여 제조해도 좋다.You may manufacture a prepreg by well-known methods, such as a hot melt method and a solvent method.

본 발명의 일 실시형태에서는 열경화성 수지 조성물층이, 캐리어 필름 위에 상기 열경화성 수지 조성물이 섬유 기재에 함침되어 이루어진 프리프레그가 형성된 캐리어 부착 프리프레그를 내층 기판에 라미네이트하여 형성된 부품 실장 기판이 바람직하다.In one embodiment of the present invention, the thermosetting resin composition layer is a component mounting substrate formed by laminating a prepreg with a carrier on a carrier film, a prepreg formed by impregnating a fiber base with the thermosetting resin composition to an inner layer substrate.

<프리프레그를 사용한 다층 프린트 배선판><Multilayer printed wiring board using prepreg>

다음에, 상기한 바와 같이 해서 제조한 프리프레그를 사용하여 다층 프린트 배선판을 제조하는 방법의 일례를 설명한다. 회로 기판에 본 발명의 프리프레그를 1장 또는 필요에 의해 몇 장 겹치고, 이형 필름을 개재하여 금속 플레이트로 끼우고, 가압·가열 조건 하에서 진공 프레스 적층한다. 가압·가열 조건은 바람직하게는, 압력이 5 내지 40kgf/㎠(49×104 내지 392×104N/㎡), 온도가 120 내지 200℃에서 20 내지 100분이다. 또한 접착 필름과 마찬가지로, 프리프레그를 진공 라미네이트법에 의해 회로 기판에 라미네이트한 후, 가열 경화하는 것도 가능하다. 그 후, 상기에서 기재한 방법과 동일하게 하고, 경화한 프리프레그 표면을 조화(粗化)한 후, 도체층을 도금에 의해 형성하여 다층 프린트 배선판을 제조할 수 있다.Next, an example of the method of manufacturing a multilayer printed wiring board using the prepreg manufactured as mentioned above is demonstrated. One sheet or several sheets of the prepreg of this invention are laminated|stacked on a circuit board as needed, it pinches|interposed with a metal plate through a release film, and vacuum press lamination|stacking under pressure and heating conditions. The pressure/heating conditions are preferably 5 to 40 kgf/cm 2 (49×10 4 to 392×10 4 N/m 2 ) and a temperature of 120 to 200° C. for 20 to 100 minutes. Moreover, after laminating a prepreg on a circuit board by the vacuum lamination method similarly to an adhesive film, it is also possible to heat-harden. Then, after carrying out similarly to the method described above, after roughening the hardened|cured prepreg surface, a conductor layer is formed by plating, and a multilayer printed wiring board can be manufactured.

<접착 필름><Adhesive film>

상기 열경화성 수지 조성물을 사용하여 접착 필름을 형성할 수 있다.An adhesive film may be formed using the thermosetting resin composition.

일 실시형태에 있어서, 본 발명의 접착 필름은, 지지체와, 당해 지지체와 접합하는 수지 조성물층을 포함하고, 수지 조성물층이 상기 열경화성 수지 조성물로 이루어진다.In one embodiment, the adhesive film of the present invention includes a support and a resin composition layer bonded to the support, and the resin composition layer is made of the thermosetting resin composition.

접착 필름은, 예를 들어, 유기 용제에 상기 열경화성 수지 조성물을 용해한 수지 와니스를 조제하고, 이 수지 와니스를 다이코터 등을 사용하여 지지체 위에 도포하고, 수지 와니스를 건조시킴으로써 형성할 수 있다.The adhesive film can be formed, for example, by preparing a resin varnish obtained by dissolving the thermosetting resin composition in an organic solvent, applying the resin varnish on a support using a die coater or the like, and drying the resin varnish.

유기 용제로서는, 예를 들어, 아세톤, 메틸에틸케톤(이하 「MEK」이라고도 함.) 및 사이클로헥사논 등의 케톤류, 아세트산 에틸, 아세트산 부틸, 셀로솔브 아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르 아세테이트, 카르비톨 아세테이트 등의 아세트산 에스테르류, 셀로솔브 및 부틸카르비톨 등의 카르비톨류, 톨루엔 및 크실렌 등의 방향족 탄화 수소류, 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아미드, N-메틸피롤리돈 등의 아미드계 용매 등을 들 수 있다. 유기 용제는 1종 단독으로 사용해도 좋고, 또는 2종 이상을 병용해도 좋다.Examples of the organic solvent include ketones such as acetone, methyl ethyl ketone (hereinafter also referred to as "MEK") and cyclohexanone, ethyl acetate, butyl acetate, cellosolve acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, and carbitol acetate. Acetic acid esters, such as cellosolve, carbitols, such as butylcarbitol, aromatic hydrocarbons, such as toluene and xylene, amide solvents, such as dimethylformamide, dimethylacetamide, N-methylpyrrolidone, etc. are mentioned. can An organic solvent may be used individually by 1 type, or may use 2 or more types together.

수지 와니스의 건조는 가열, 열풍 분사 등의 공지의 건조 방법에 의해 실시해도 좋다. 수지 와니스 중의 유기 용제의 비점에 의해서도 다르지만, 예를 들어, 30질량% 내지 60질량%의 유기 용제를 포함하는 수지 와니스를 사용할 경우, 50℃ 내지 150℃에서 3분간 내지 10분간 건조시킴으로써, 접착 필름을 형성할 수 있다.The resin varnish may be dried by a known drying method such as heating or hot air spraying. Although it also varies depending on the boiling point of the organic solvent in the resin varnish, for example, when using a resin varnish containing 30 mass % to 60 mass % of an organic solvent, by drying at 50 ° C. to 150 ° C. for 3 minutes to 10 minutes, the adhesive film can form.

접착 필름의 형성에 사용되는 지지체로서는, 플라스틱 재료로 이루어진 필름, 금속박(구리박, 알루미늄박 등), 이형지를 들 수 있고, 플라스틱 재료로 이루어진 필름이 적합하게 사용된다. 플라스틱 재료로서는, 예를 들어, 폴리에틸렌테레프탈레이트(이하 「PET」라고 약칭하는 경우가 있음.), 폴리에틸렌나프탈레이트(이하 「PEN」이라고 약칭하는 경우가 있음.) 등의 폴리에스테르, 폴리카보네이트(이하 「PC」라고 약칭하는 경우가 있음.), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA) 등의 아크릴, 환상 폴리올레핀, 트리아세틸셀룰로스(TAC), 폴리에테르설파이드(PES), 폴리에테르케톤, 폴리이미드 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트가 바람직하고, 저렴한 폴리에틸렌테레프탈레이트가 특히 바람직하다. 적합한 일 실시형태에 있어서, 지지체는 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름이다.As a support body used for formation of an adhesive film, the film which consists of a plastic material, metal foil (copper foil, aluminum foil, etc.), and a release paper are mentioned, The film which consists of a plastic material is used suitably. Examples of the plastic material include polyesters such as polyethylene terephthalate (hereinafter sometimes abbreviated as “PET”), polyethylene naphthalate (hereinafter sometimes abbreviated as “PEN”), and polycarbonate (hereinafter, abbreviated as “PEN”). "PC" may be abbreviated), acrylics such as polymethyl methacrylate (PMMA), cyclic polyolefins, triacetyl cellulose (TAC), polyether sulfide (PES), polyether ketone, polyimide, etc. can Among them, polyethylene terephthalate and polyethylene naphthalate are preferable, and inexpensive polyethylene terephthalate is particularly preferable. In one suitable embodiment, the support is a polyethyleneterephthalate film.

지지체는 수지 조성물층과 접합하는 면에 매드 처리, 코로나 처리를 실시해도 좋다.A support body may give a mad process and corona treatment to the surface to join with the resin composition layer.

또한, 지지체로서는, 수지 조성물층과 접합하는 면에 이형층을 갖는 이형층 부착 지지체를 사용해도 좋다. 이형층 부착 지지체의 이형층에 사용하는 이형제로서는, 예를 들어, 알키드 수지, 폴리올레핀 수지, 우레탄 수지, 및 실리콘 수지로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종 이상의 이형제를 들 수 있다.Moreover, as a support body, you may use the support body with a mold release layer which has a mold release layer on the surface to join with the resin composition layer. As a mold release agent used for the mold release layer of a support body with a mold release layer, 1 or more types of mold release agents are mentioned from the group which consists of an alkyd resin, a polyolefin resin, a urethane resin, and a silicone resin, for example.

본 발명에 있어서, 이형층 부착 지지체는 시판품을 사용해도 좋다. 시판품으로서는, 예를 들어, 알키드 수지계 이형제를 주성분으로 하는 이형층을 갖는 PET필름인, 린텍 가부시키가이샤 제조의 「SK-1」, 「AL-5」, 「AL-7」 등을 들 수 있다.In this invention, you may use a commercial item as a support body with a mold release layer. As a commercial item, "SK-1", "AL-5", "AL-7" etc. which are PET film which is a PET film which has a release layer which has an alkyd resin type release agent as a main component, for example, manufactured by Lintec Corporation are mentioned, for example. .

지지체의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 5㎛ 내지 75㎛, 보다 바람직하게는 10㎛ 내지 60㎛이다. 또한, 지지체가 이형층 부착 지지체인 경우, 이형층 부착 지지체 전체의 두께가 상기 범위인 것이 바람직하다.Although the thickness of a support body is not specifically limited, Preferably it is 5 micrometers - 75 micrometers, More preferably, it is 10 micrometers - 60 micrometers. Moreover, when a support body is a support body with a mold release layer, it is preferable that the thickness of the whole support body with a mold release layer is the said range.

상술한 바와 같이 상기 열경화성 수지 조성물을 사용하여 제조된 접착 필름에 있어서, 수지 조성물층의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 다층 프린트 배선판의 박형화의 관점에서, 바람직하게는 100㎛ 이하, 보다 바람직하게는 80㎛ 이하, 더 바람직하게는 60㎛ 이하, 보다 더 바람직하게는 50㎛ 이하이다. 수지 조성물층의 두께의 하한은 통상 15㎛ 이상이다.In the adhesive film produced by using the thermosetting resin composition as described above, the thickness of the resin composition layer is not particularly limited, but from the viewpoint of reducing the thickness of the multilayer printed wiring board, preferably 100 µm or less, more preferably 80 µm or less ㎛ or less, more preferably 60 ㎛ or less, even more preferably 50 ㎛ or less. The minimum of the thickness of a resin composition layer is 15 micrometers or more normally.

상술한 바와 같이 상기 열경화성 수지 조성물을 사용하여 제조된 접착 필름에 있어서, 수지 조성물층의 지지체와 접합하고 있지 않은 면(즉, 지지체와는 반대측의 면)에는 지지체에 준한 보호 필름을 추가로 적층할 수 있다. 보호 필름의 두께는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어, 1㎛ 내지 40㎛이다. 보호 필름을 적층함으로써, 수지 조성물층의 표면으로의 먼지 등의 부착이나 흠집을 방지할 수 있다. 접착 필름은 롤 형상으로 권취하여 보존하는 것이 가능하고, 다층 프린트 배선판의 제조에 있어서 절연층을 형성할 때에는, 보호 필름을 벗김으로써 사용 가능해진다.As described above, in the adhesive film produced using the thermosetting resin composition, a protective film conforming to the support is additionally laminated on the surface of the resin composition layer that is not bonded to the support (that is, the surface opposite to the support). can Although the thickness of a protective film is not specifically limited, For example, it is 1 micrometer - 40 micrometers. By laminating|stacking a protective film, adhesion of dust, etc. to the surface of a resin composition layer, and a flaw can be prevented. An adhesive film can be wound up in roll shape and can be stored, and when forming an insulating layer in manufacture of a multilayer printed wiring board, it becomes usable by peeling off a protective film.

본 발명의 일 실시형태에서는, 열경화성 수지 조성물층이 캐리어 필름 위에 열경화성 수지 조(粗)조성물층이 형성된 접착 필름을 내층 기판에 라미네이트하여 형성된 부품 실장 기판이 바람직하다.In one embodiment of the present invention, a component mounting substrate formed by laminating an adhesive film in which a thermosetting resin composition layer is formed on a carrier film to an inner layer substrate is preferable.

<접착 필름을 사용한 다층 프린트 배선판> <Multilayer printed wiring board using adhesive film>

상기한 바와 같이 하여 제조한 접착 필름을 사용하여 다층 프린트 배선판을 제조하는 방법의 일례를 설명한다.An example of the method of manufacturing a multilayer printed wiring board using the adhesive film manufactured as mentioned above is demonstrated.

우선, 접착 필름을, 진공 라미네이터를 사용하여 회로 기판의 한 면 또는 양면에 라미네이트한다. 회로 기판에 사용되는 기판으로서는, 예를 들어, 유리 에폭시 기판, 금속 기판, 폴리에스테르 기판, 폴리이미드 기판, BT 레진 기판, 열경화형 폴리페닐렌 에테르 기판 등을 들 수 있다. 또한, 여기에서 회로 기판이란, 상기와 같은 기판의 한 면 또는 양면에 패턴 가공된 도체층(회로)이 형성된 것을 말한다. 또한 도체층과 절연층을 교대로 적층하여 이루어진 다층 프린트 배선판에 있어서, 당해 다층 프린트 배선판의 최외층의 한 면 또는 양면이 패턴 가공된 도체층(회로)이 되어 있는 것도, 여기에서 말하는 회로 기판에 포함된다. 또한 도체층 표면에는 흑화 처리, 구리 에칭 등에 의해 미리 조화 처리가 실시되어 있어도 좋다.First, an adhesive film is laminated on one or both sides of a circuit board using a vacuum laminator. As a board|substrate used for a circuit board, a glass epoxy board|substrate, a metal board|substrate, a polyester board|substrate, a polyimide board|substrate, a BT resin board|substrate, a thermosetting polyphenylene ether board|substrate etc. are mentioned, for example. In addition, the circuit board here means that the conductor layer (circuit) by which the pattern process was formed is formed on one side or both surfaces of the board|substrate as mentioned above. Further, in a multilayer printed wiring board formed by alternately laminating conductor layers and insulating layers, one or both surfaces of the outermost layer of the multilayer printed wiring board are pattern-processed conductor layers (circuits). Included. Moreover, the roughening process may be previously given to the conductor layer surface by blackening process, copper etching, etc.

상기 라미네이트에 있어서, 접착 필름이 보호 필름을 갖고 있는 경우에는 당해 보호 필름을 제거한 후, 필요에 따라서 접착 필름 및 회로 기판을 예열(preheat)하고, 접착 필름을 가압 및 가열하면서 회로 기판에 압착한다. 본 발명의 접착 필름에 있어서는, 진공 라미네이트법에 의해 감압 하에서 회로 기판에 라미네이트하는 방법이 적합하게 사용된다. 라미네이트의 조건은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어, 압착 온도(라미네이트 온도)를 바람직하게는 70 내지 140℃, 압착 압력을 바람직하게는 1 내지 11kgf/㎠(9.8×104 내지 107.9×104N/㎡)로 하고 공기압 20mmHg(26.7hPa) 이하의 감압 하에서 라미네이트하는 것이 바람직하다. 또한, 라미네이트의 방법은 뱃치식이여도 롤에서의 연속식이라도 좋다. 진공 라미네이트는 시판 중인 진공 라미네이터를 사용하여 실시할 수 있다. 시판 중인 진공 라미네이터로서는, 예를 들어, 니치고 모톤 가부시키가이샤 제조 배큠 어플리케이터, 가부시키가이샤 메이키 세사쿠쇼 제조 진공 가압식 라미네이터, 가부시키가이샤 히타치 인더스트리즈 제조 롤식 드라이코터, 히타치 에이아이시씨 가부시키가이샤 제조 진공 라미네이터 등을 들 수 있다.In the above laminate, when the adhesive film has a protective film, after the protective film is removed, the adhesive film and the circuit board are preheated if necessary, and the adhesive film is pressed against the circuit board while pressing and heating. In the adhesive film of this invention, the method of laminating on a circuit board under reduced pressure by the vacuum lamination method is used suitably. The conditions of the lamination are not particularly limited, but, for example, the compression temperature (laminate temperature) is preferably 70 to 140°C, and the compression pressure is preferably 1 to 11 kgf/cm 2 (9.8 × 10 4 to 107.9 × 10 4 ) N/m 2 ) and lamination is preferably performed under a reduced pressure of 20 mmHg (26.7 hPa) or less. In addition, the method of lamination may be a batch type, or the continuous type with a roll may be sufficient as it. Vacuum lamination can be performed using a commercially available vacuum laminator. As a commercially available vacuum laminator, For example, Nichigo Morton Co., Ltd. vacuum applicator, Meiki Sesakusho's vacuum pressurization type laminator, Hitachi Industries, Ltd. roll type dry coater, Hitachi AICI Co., Ltd. A Geisha vacuum laminator etc. are mentioned.

또한, 감압 하, 가열 및 가압을 행하는 적층 공정은, 일반의 진공 핫프레스기를 사용하여 행하는 것도 가능하다. 예를 들어, 가열된 SUS판 등의 금속판을 지지체층측으로부터 프레스함으로써 행할 수 있다. 프레스 조건은 감압도를 통상 1×10-2MPa 이하, 바람직하게는 1×10-3MPa 이하의 감압 하로 한다. 가열 및 가압은 1단계로 행할 수도 있지만, 수지의 침출을 제어하는 관점에서 2단계 이상으로 조건을 나누어서 행하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 1단계째의 프레스를, 온도가 70 내지 150℃, 압력이 1 내지 15kgf/㎠의 범위, 2단계째의 프레스를, 온도가 150 내지 200℃, 압력이 1 내지 40kgf/㎠의 범위에서 행하는 것이 바람직하다. 각 단계의 시간은 3O 내지 120분으로 행하는 것이 바람직하다. 시판되고 있는 진공 핫프레스기로서는, 예를 들어, MNPC-V-750-5-200(가부시키가이샤 메이키 세사쿠쇼 제조), VH1-1603(키타가와 세이키 가부시키가이샤 제조) 등을 들 수 있다.In addition, the lamination|stacking process of heating and pressurizing under reduced pressure can also be performed using a general vacuum hot press machine. For example, it can carry out by pressing metal plates, such as a heated SUS plate, from the support body layer side. Press conditions make the degree of reduced pressure under a reduced pressure of usually 1×10 -2 MPa or less, preferably 1×10 -3 MPa or less. Although heating and pressurization may be performed in one step, it is preferable to carry out by dividing conditions into two or more steps from a viewpoint of controlling the leaching of resin. For example, the press of the first step, the temperature is 70 to 150 ℃, the pressure is in the range of 1 to 15 kgf / ㎠, the second stage press, the temperature is 150 to 200 ℃, the pressure is 1 to 40 kgf / ㎠ It is preferable to do it within the range. The time for each step is preferably 30 to 120 minutes. As a commercially available vacuum hot press machine, MNPC-V-750-5-200 (made by Meiki Sesakusho Co., Ltd.), VH1-1603 (made by Kitagawa Seiki Co., Ltd.) etc. are mentioned, for example. .

열경화성 수지 조성물층이, 캐리어 필름 위에 열경화성 수지 조(粗)조성물층이 형성된 접착 필름을 내층 기판에 라미네이트하여 형성된 것이 바람직하다. 접착 필름을 회로 기판에 라미네이트한 후, 실온 부근에 냉각하고 나서, 지지체를 박리하는 경우에는 박리하고, 열경화함으로써 회로 기판에 절연층을 형성할 수 있다. 열경화의 조건은, 수지 조성물 중의 수지 성분의 종류, 함유량 등에 따라 적절히 선택하면 좋은데, 바람직하게는 150℃ 내지 220℃에서 20분 내지 180분, 보다 바람직하게는 160℃ 내지 210℃에서 30 내지 120분의 범위에서 선택된다.The thermosetting resin composition layer is preferably formed by laminating an adhesive film in which a thermosetting resin crude composition layer is formed on a carrier film on an inner layer substrate. After laminating an adhesive film on a circuit board, after cooling to room temperature vicinity, when peeling a support body, it peels and can form an insulating layer in a circuit board by thermosetting. The thermosetting conditions may be appropriately selected depending on the type, content, etc. of the resin component in the resin composition, preferably at 150° C. to 220° C. for 20 minutes to 180 minutes, more preferably at 160° C. to 210° C. for 30 to 120 minutes. selected from the range of minutes.

절연층을 형성한 후, 경화 전에 지지체를 박리하지 않은 경우에는, 여기에서 박리한다. 이어서 필요에 의해, 회로 기판 위에 형성된 절연층에 천공을 행하여 비아홀, 스루홀을 형성한다. 천공은, 예를 들어, 드릴, 레이저, 플라즈마 등의 공지의 방법에 의해, 또한 필요에 의해 이들 방법을 조합하여 실시할 수 있지만, 탄산 가스 레이저, YAG 레이저 등의 레이저에 의한 천공이 가장 일반적인 방법이다.After forming an insulating layer, when a support body is not peeled before hardening, it peels here. Next, if necessary, the insulating layer formed on the circuit board is drilled to form a via hole and a through hole. Although the drilling can be performed, for example, by a known method such as a drill, a laser, a plasma, or a combination of these methods if necessary, the drilling by a laser such as a carbon dioxide laser or a YAG laser is the most common method. to be.

이어서, 건식 도금 또는 습식 도금에 의해 절연층 위에 도체층을 형성한다. 건식 도금으로서는 증착, 스퍼터링, 이온 플레이팅 등의 공지의 방법을 사용할 수 있다. 습식 도금의 경우에는, 절연층 표면을 팽윤액에 의한 팽윤 처리, 산화제에 의한 조화 처리 및 중화액에 의한 중화 처리를 이 순서대로 실시함으로써 요철의 앵커를 형성한다. 팽윤액에 의한 팽윤 처리는, 절연층을 50 내지 80℃에서 5 내지 20분간 팽윤액에 침지시킴으로써 행해진다. 팽윤액으로서는 알칼리 용액, 계면활성제 용액 등을 들 수 있고, 바람직하게는 알칼리 용액이고, 당해 알칼리 용액으로서는, 예를 들어, 수산화 나트륨 용액, 수산화 칼륨 용액 등을 들 수 있다. 시판되고 있는 팽윤액으로서는, 예를 들어, 아토텍쟈판 가부시키가이샤 제조의 스웰링 딥 시큐리간스 P(Swelling Dip Securiganth P), 스웰링 딥 시큐리간스 SBU(Swelling Dip Securiganth SBU) 등을 들 수 있다. 산화제에 의한 조화 처리는 절연층을 60℃ 내지 80℃에서 10분 내지 30분간 산화제 용액에 침지시킴으로써 행해진다. 산화제로서는, 예를 들어, 수산화 나트륨의 수용액에 과망간산 칼륨이나 과망간산 나트륨을 용해한 알카리성 과망간산 용액, 중크롬산염, 오존, 과산화 수소/황산, 질산 등을 들 수 있다. 또한, 알카리성 과망간산 용액에서의 과망간산염의 농도는 5 내지 10중량%로 하는 것이 바람직하다. 시판되고 있는 산화제로서는, 예를 들어, 아토텍쟈판 가부시키가이샤 제조의 콘센트레이트 컴팩트 CP, 도징 솔루션 시큐리간스 P 등의 알칼리성 과망간산 용액을 들 수 있다. 중화액에 의한 중화 처리는 30 내지 50℃에서 3 내지 10분간 중화액에 침지시킴으로써 행해진다. 중화액으로서는 산성의 수용액이 바람직하고, 시판품으로서는 아토텍쟈판 가부시키가이샤 제조의 리덕션 솔류션 시큐리간스 P를 들 수 있다.Then, a conductor layer is formed on the insulating layer by dry plating or wet plating. As dry plating, well-known methods, such as vapor deposition, sputtering, and ion plating, can be used. In the case of wet plating, an uneven anchor is formed by performing a swelling treatment with a swelling liquid, a roughening treatment with an oxidizing agent, and a neutralization treatment with a neutralizing liquid on the surface of the insulating layer in this order. The swelling treatment by the swelling liquid is performed by immersing the insulating layer in the swelling liquid at 50 to 80°C for 5 to 20 minutes. Examples of the swelling solution include an alkali solution and a surfactant solution, preferably an alkali solution, and examples of the alkali solution include a sodium hydroxide solution and a potassium hydroxide solution. As a commercially available swelling liquid, Swelling Dip Securiganth P (Swelling Dip Securiganth P) by Atotech Japan Co., Ltd., Swelling Dip Securiganth SBU, etc. are mentioned, for example. The roughening process by an oxidizing agent is performed by immersing an insulating layer in the oxidizing agent solution at 60 degreeC - 80 degreeC for 10 minutes - 30 minutes. As an oxidizing agent, the alkaline permanganic acid solution which melt|dissolved potassium permanganate and sodium permanganate in the aqueous solution of sodium hydroxide, dichromate, ozone, hydrogen peroxide/sulfuric acid, nitric acid etc. are mentioned, for example. In addition, the concentration of the permanganate in the alkaline permanganic acid solution is preferably 5 to 10% by weight. As a commercially available oxidizing agent, alkaline permanganic acid solutions, such as Atotech Japan Co., Ltd.|KK Concentrate Compact CP, and dosing solution Securiganth P, are mentioned, for example. The neutralization treatment with a neutralizing liquid is performed by immersing in the neutralizing liquid at 30-50 degreeC for 3 to 10 minutes. As a neutralizing liquid, an acidic aqueous solution is preferable, As a commercial item, Atotech Japan Co., Ltd. product reduction solution security P is mentioned.

이어서, 무전해 도금과 전해 도금을 조합하여 도체층을 형성한다. 또한 도체층과는 역 패턴의 도금 레지스트를 형성하고, 무전해 도금 만으로 도체층을 형성할 수도 있다. 그 후의 패턴 형성의 방법으로서, Next, a conductor layer is formed by combining electroless plating and electrolytic plating. In addition, a plating resist having a pattern opposite to that of the conductor layer may be formed, and the conductor layer may be formed only by electroless plating. As a method of pattern formation thereafter,

예를 들어, 당업자에게 공지인 서브트랙티브법, 세미 어디티브법 등을 사용할 수 있다.For example, the subtractive method, the semi-additive method, etc. which are well-known to those skilled in the art can be used.

상기 열경화성 수지 조성물을 사용하여 제조된 다층 프린트 배선판을 사용함으로써, 반도체칩, 인터포저, 수동 소자 등의 부품을 실장한 기판을 제조할 수 있다.By using the multilayer printed wiring board manufactured using the thermosetting resin composition, it is possible to manufacture a substrate on which components such as a semiconductor chip, an interposer, and a passive element are mounted.

반도체 실장 기판의 제조 방법의 일례를 기재한다.An example of the manufacturing method of a semiconductor mounting board|substrate is described.

<반도체 실장 기판><Semiconductor mounting board>

상기 열경화성 수지 조성물을 사용하여 제조된 다층 프린트 배선판의 도통(導通) 개소에, 반도체칩을 실장함으로써 반도체 실장 기판을 제조할 수 있다. 「도통 개소」란, 「다층 프린트 배선판에서의 전기 신호를 전해주는 개소」이며, 그 장소는 표면이라도, 매립된 개소라도 어느 쪽이라도 상관 없다. 또한, 반도체칩은 반도체를 재료로 하는 전기 회로 소자이면 특별히 한정되지 않는다.A semiconductor mounting board can be manufactured by mounting a semiconductor chip in the conduction|electrical_connection location of the multilayer printed wiring board manufactured using the said thermosetting resin composition. A "conduction location" is "a location through which an electric signal is transmitted in a multilayer printed wiring board", and the location may be a surface or a buried location, either. In addition, a semiconductor chip will not be specifically limited if it is an electric circuit element which uses a semiconductor as a material.

상기 반도체 실장 기판을 제조할 때의 반도체칩의 실장 방법은, 반도체칩이 유효하게 기능만 한다면 특별히 한정되지 않지만, 구체적으로는, 와이어 본딩 실장 방법, 플립 칩 실장방법, 범프리스(bumpless) 빌드업층(BBUL)에 의한 실장 방법, 이방성 도전 필름(ACF)에 의한 실장 방법, 비도전성 필름(NCF)에 의한 실장 방법, 등을 들 수 있다.The semiconductor chip mounting method when manufacturing the semiconductor mounting substrate is not particularly limited as long as the semiconductor chip functions effectively, and specifically, a wire bonding mounting method, a flip chip mounting method, and a bumpless build-up layer The mounting method by (BBUL), the mounting method by an anisotropic conductive film (ACF), the mounting method by a nonelectroconductive film (NCF), etc. are mentioned.

[실시예][Example]

이하, 실시예 및 비교예에 기초하여 본 발명을 보다 구체적으로 설명하겠지만, 본 발명은 이하의 실시예에 한정되는 것은 아니다. 또한, 이하의 기재 중의 「부」는 「질량부」를 의미한다. Hereinafter, the present invention will be described in more detail based on Examples and Comparative Examples, but the present invention is not limited to the following Examples. In addition, "part" in the following description means a "mass part."

우선, 본 명세서에서의 물성 평가에서의 측정 방법·평가 방법에 대하여 설명한다.First, the measuring method and evaluation method in the physical property evaluation in this specification are demonstrated.

〔수축률의 측정〕[Measurement of shrinkage]

(1-1) 수지 부착 폴리이미드 필름의 조제(1-1) Preparation of polyimide film with resin

하기 제작예에서 제작한 수지 시트(200mm 각(角))를, 뱃치식 진공 가압 라미네이터(가부시키가이샤 니치고 모톤 제조 2스테이지 빌드업 라미네이터 CVP700)를 사용하고, 수지 조성물층이 폴리이미드 필름(우베 코산 가부시키가이샤 제조 유피렉스25S, 25㎛ 두께, 240mm 각)의 평활면의 중앙과 접하도록 한 면에 라미네이트하였다. 라미네이트는 30초간 감압하여 기압을 13hPa 이하로 한 후, 100℃, 압력 0.74MPa로 30초간 압착시킴으로써 실시하였다.
For the resin sheet (200 mm square) produced in the following production example, a batch type vacuum pressurization laminator (2-stage build-up laminator CVP700 manufactured by Nichigo Morton, Ltd.) was used, and the resin composition layer was a polyimide film (Ube). It was laminated on one side so that it might contact with the center of the smooth surface of Kosan Corporation Upirex 25S, 25 micrometers thickness, 240 mm square). After lamination was pressure-reduced for 30 second and the atmospheric pressure was 13 hPa or less, it performed by crimping|bonding for 30 second at 100 degreeC and pressure 0.74 MPa.

(1-2) 초기 길이의 측정(1-2) Measurement of initial length

수득된 수지 부착 폴리이미드 필름을 수지 시트의 지지체 위부터, 200mm 각상 수지의 4각으로부터 20mm 정도의 부분에, 관통 구멍(직경 약 6mm)을 펀칭에 의해 4개 형성하고(구멍을 시계 방향으로 A, B, C, D라고 가칭함.), 수지 시트의 지지체를 박리 후, 형성한 각 구멍의 중앙간의 길이 L(LAB, LBC, LCD, LDA, LAC, LBD)(도 1 참조)을 비접촉형 화상 측정기(가부시키가이샤 미쯔토요 제조, Quick Vision 형식: QVH1X606-PRO Ⅲ_BHU2G)로 측정하였다.
Four through holes (diameter of about 6 mm) were formed by punching the obtained polyimide film with resin from the top of the resin sheet support, in a portion about 20 mm from the square of a 200 mm square resin, (the holes were clockwise A , B, C, and D.), the length L between the centers of the holes formed after peeling off the support of the resin sheet (L AB , L BC , L CD , L DA , L AC , L BD ) (FIG. 1) was measured with a non-contact image measuring device (manufactured by Mitsutoyo Co., Ltd., Quick Vision format: QVH1X606-PRO Ⅲ_BHU2G).

(1-3) 수지 조성물층의 열경화(1-3) Thermosetting of the resin composition layer

길이 측정을 종료한 수지 부착 폴리이미드 필름의 폴리이미드 필름면을, 255mm×255mm 사이즈의 유리포 기재 에폭시 수지 양면 동장 적층판(0.7mm 두께, 마츠시타 덴코 가부시키가이샤 제조 「R5715ES」) 위에 실장하고, 4변을 폴리이미드 접착 테이프(폭 10mm)로 고정하고, 150℃에서 90분간 가열하여 수지 조성물층을 열경화하여 경화물층을 수득하였다. 동일하게 하여, 190℃ 90분간, 200℃ 90분간 가열하여 각각 경화물층을 얻었다.
The polyimide film side of the polyimide film with resin after length measurement is mounted on a glass cloth-based epoxy resin double-sided copper-clad laminate (0.7 mm thick, "R5715ES" manufactured by Matsushita Denko Co., Ltd.) of 255 mm × 255 mm size, 4 The sides were fixed with polyimide adhesive tape (width 10 mm), and the resin composition layer was thermosetted by heating at 150° C. for 90 minutes to obtain a cured product layer. Similarly, it heated at 190 degreeC for 90 minutes and 200 degreeC for 90 minutes, respectively, and obtained hardened|cured material layer.

(1-4) 열경화 수축률의 측정(1-4) Measurement of heat curing shrinkage

열경화 후, 폴리이미드 접착 테이프를 벗기고, 경화물층 부착 폴리이미드 필름을 적층판에서 떼어 내고, 추가로 경화물층을 폴리이미드 필름으로부터 박리하고, (1-2)에서 형성한 각 구멍의 중앙간의 경화 후의 길이 L'(L'AB, L'BC, L'CD, L'DA, L'AC, L'BD)을, L과 같이 비접촉형 화상 측정기로 측정하였다.After thermosetting, the polyimide adhesive tape is peeled off, the polyimide film with a cured material layer is peeled off from the laminate, and the cured material layer is further peeled from the polyimide film, between the centers of the holes formed in (1-2). The length L'(L' AB , L' BC , L' CD , L' DA , L' AC , L' BD ) after curing was measured with a non-contact imager like L.

s1AB=(LAB-L'AB)/LAB s1 AB =(L AB -L' AB )/L AB

을 산출하였다. 동일하게 하여, s1BC, s1CD, s1DA, s1AC, s1DA를, LBC와 L'BC, LCD와 L'CD, LDA와 L'DA, LAC와 L'AC, LBD와 L'BD에 대하여 산출하였다.was calculated. Similarly, s1 BC , s1 CD , s1 DA , s1 AC , s1 DA , L BC and L' BC , L CD and L' CD , L DA and L' DA , L AC and L' AC , L BD and L' BD were calculated.

열경화 수축률을 이하의 식으로 산출하였다.The thermosetting shrinkage rate was computed with the following formula.

열경화 수축률[x-y 방향의 수축률:S1](%)Thermal curing shrinkage [shrinkage in x-y direction: S1] (%)

={(slAB+s1BC+s1CD+s1DA+s1AC+s1DA)/6}×100
={(sl AB +s1 BC +s1 CD +s1 DA +s1 AC +s1 DA )/6}×100

(1-5) 리플로우 공정(1-5) Reflow process

(1-3)의 공정이 종료한 기재를, 피크 온도 260℃의 리플로우 장치(니혼 안토무 가부시키가이샤 제조 「HAS-6116」, 온도 프로파일은 IPC/JEDEC J-STD-020C에 준거)로 1회 통과시켰다.
The substrate having completed the step (1-3) was transferred to a reflow device with a peak temperature of 260° C. (“HAS-6116” manufactured by Nippon Antomu Co., Ltd., the temperature profile conformed to IPC/JEDEC J-STD-020C) passed once.

(1-6) 리플로우 수축률의 측정(1-6) Measurement of reflow shrinkage

리플로우 공정 후, (1-4)와 완전히 동일하게 하여, (1-2)에서 형성한 각 구멍의 중앙간의 리플로우 후의 길이 L"(L"AB, L"BC, L"CD, L"DA, L"AC, L"BD)을, L과 같이 비접촉형 화상 측정기로 측정하였다. After the reflow step, the length L"(L" AB , L" BC , L" CD , L" after reflow between the centers of the holes formed in (1-2) in the exact same manner as in (1-4). DA , L" AC , L" BD ) were measured with a non-contact imager as L.

s2AB=(LAB-L"AB)/LAB s2 AB =(L AB -L" AB )/L AB

을 산출하였다. 동일하게 하여, s2BC, s2CD, s2DA, s2AC, s2DA를, LBC와 L"BC, LCD와 L"CD, LDA와 L"DA, LAC와 L"AC, LBD와 L"BD에 대하여 산출하였다.was calculated. Similarly, s2 BC , s2 CD , s2 DA , s2 AC , s2 DA , L BC and L" BC , L CD and L" CD , L DA and L" DA , L AC and L" AC , L BD and L" BD .

리플로우 수축률을 이하의 식으로 산출하였다.The reflow shrinkage rate was computed with the following formula.

리플로우 수축률[x-y 방향의 수축률:S2](%)Reflow shrinkage [shrinkage in x-y direction: S2] (%)

={(s2AB+s2BC+s2CD+s2DA+s2AC+s2DA)/6}×100
={(s2 AB + s2 BC + s2 CD + s2 DA + s2 AC +s2 DA )/6}×100

〔리플로우 거동 평가용 기판의 조제〕[Preparation of substrate for reflow behavior evaluation]

(2-1) 내층 기판의 준비(2-1) Preparation of inner layer substrate

내층 기판으로서, 유리포 기재 에폭시 수지 적층판[구리박 에칭 아웃 완료 언클래드(unclad)판, 0.06mm 두께, 쓰미토모 베이크라이토 가부시키가이샤 제조 「LaXY-4785TH-B」]를 준비하였다.
As the inner-layer substrate, a glass cloth-based epoxy resin laminate (unclad plate with copper foil etching-out completed, 0.06 mm thick, “LaXY-4785TH-B” manufactured by Tsumitomo Bakelite Co., Ltd.) was prepared.

(2-2) 수지 시트의 라미네이트(2-2) Lamination of resin sheets

하기 제작예에서 제작한 수지 시트를, 뱃치식 진공 가압 라미네이터(가부시키가이샤 니치고 모톤 제조 2스테이지 빌드업 라미네이터 CVP700)를 사용하고, 수지 조성물층이 내층 기판과 접하도록 내층 기판의 양면에 라미네이트하였다. 라미네이트는 30초간 감압하여 기압을 13hPa 이하로 한 후, 100℃, 압력 0.74MPa로 30초간 압착시킴으로써 실시하였다. 이어서, 100℃, 압력 0.5MPa로 60초간 열 프레스를 실시하였다.
The resin sheet produced in the following Production Example was laminated on both sides of the inner layer substrate so that the resin composition layer was in contact with the inner layer substrate using a batch vacuum pressurized laminator (2-stage build-up laminator CVP700 manufactured by Nichigo Morton Co., Ltd.). . After lamination was pressure-reduced for 30 second and the atmospheric pressure was 13 hPa or less, it performed by crimping|bonding for 30 second at 100 degreeC and pressure 0.74 MPa. Then, it hot-pressed for 60 second at 100 degreeC and the pressure of 0.5 MPa.

(2-3) 수지 조성물층의 열경화(2-3) Thermosetting of the resin composition layer

수지 시트가 라미네이트된 기판으로부터, 수지 시트의 지지체를 박리한 후, 150℃에서 90분간 가열하여 수지 조성물층을 열경화하고, 경화물층을 수득하였다. 동일하게 하여, 190℃ 90분간, 200℃ 90분간 가열하여, 각각 경화물층을 수득하였다.
After peeling the support body of the resin sheet from the board|substrate on which the resin sheet was laminated, it heated at 150 degreeC for 90 minutes, the resin composition layer was thermosetted, and the hardened|cured material layer was obtained. Similarly, it heated at 190 degreeC for 90 minutes and 200 degreeC for 90 minutes, respectively, and hardened|cured material layers were obtained.

(2-4) 리플로우 거동 평가(2-4) Reflow behavior evaluation

45mm 각의 개편(個片)으로 잘라낸 후(n=5), 피크 온도 260℃의 리플로우 장치(니혼 안토무 가부시키가이샤 제조 「HAS-6116」)에 1회 통과시켰다(이 조건도, IPC/JEDEC J-STD-020C에 준거). 이어서, 셰도우 모아레(Shadow Moire) 장치(Akrometrix 제조 TherMoire AXP)를 사용하고, IPC/JEDEC J-STD-020C(피크 온도 260℃)에 준거한 온도 프로파일로 기판 하부로부터 가열하고, 기판 중앙의 1Omm 각 부분의 휘어짐 거동을 측정하였다.After cutting into 45 mm square pieces (n = 5), it was passed once through a reflow device ("HAS-6116" manufactured by Nippon Antomu Co., Ltd.) having a peak temperature of 260°C (this condition is also IPC /According to JEDEC J-STD-020C). Next, using a Shadow Moire apparatus (TherMoire AXP manufactured by Akrometrix), heating was performed from the bottom of the substrate in a temperature profile conforming to IPC/JEDEC J-STD-020C (peak temperature 260° C.), and the center of the substrate was 10 mm square. The bending behavior of the part was measured.

수득된 변위 데이터의 최대 높이와 최소 높이의 차이가 전 온도 범위에서 1샘플이라도 40㎛ 이상이 되는 것을 ×, 전 샘플에서 40㎛ 미만을 ○라고 하였다.The difference between the maximum height and the minimum height of the obtained displacement data was 40 μm or more for even one sample in the entire temperature range, and ×, and less than 40 μm for all samples was designated as ○.

실시예 및 비교예에서 사용한 수지 시트 1, 2, 3 및 4는 하기의 순서로 제작하였다.Resin sheets 1, 2, 3 and 4 used in Examples and Comparative Examples were produced in the following procedure.

<제작예 1(수지 시트 1의 제작)><Production Example 1 (Preparation of Resin Sheet 1)>

비스페놀A형 에폭시 수지(미츠비시 카가쿠 가부시키가이샤 제조 「828EL」, 에폭시 당량 약 185) 12부, 나프탈렌형 에폭시 수지(DIC 가부시키가이샤 제조 「HP4032SS」, 에폭시 당량 약 144) 3부, 비페닐형 에폭시 수지(미츠비시 카가쿠 가부시키가이샤 제조 「YX4000HK」, 에폭시 당량 약 185) 6부, 비페닐형 에폭시 수지(니혼 카야쿠 가부시키가이샤 제조 「NC3000H」, 에폭시 당량 약 288) 25부, 페녹시 수지(미츠비시 카가쿠 가부시키가이샤 제조 「YX6954BH30」, 고형분 30질량%의 MEK/사이클로헥사논=1/1 용액) 20부를, 솔벤트 나프타 15부에 교반하면서 가열 용해시켰다. 실온으로까지 냉각한 후, 거기에, 트리아진 골격 함유 페놀 노볼락계 경화제(DIC 가부시키가이샤 제조 「LA-7054」, 수산기 당량 125, 고형분 60%의 MEK 용액) 20부, 나프톨계 경화제(신닛테츠 카가쿠 가부시키가이샤 제조 「SN485」, 수산기 당량 215, 고형분 60%의 MEK 용액) 10부, 경화 촉진제(4-디메틸아미노피리딘(DMAP), 고형분 5질량%의 MEK 용액) 0.4부, 난연제(산코 가부시키가이샤 제조 「HCA-HQ」, 10-(2,5-디하이드록시페닐)-10-하이드로-9-옥사-10-포스파페난트렌-10-옥사이드, 평균 입자 직경 2㎛) 3부, 아미노 실란계 커플링제(신에츠 카가쿠코교 가부시키가이샤 제조 「KBM573」)로 표면 처리된 구형 실리카(평균 입자 직경 0.25㎛, 가부시키가이샤 아도마텍스 제조 「SOC1」, 단위 표면적 당의 카본량 0.36mg/㎡) 40부, 아미노 실란계 커플링제(신에츠 카가쿠코교 가부시키가이샤 제조 「KBM573」)로 표면 처리된 구형 유리 필러(평균 입자 직경 0.2㎛, 아사히 가라스 가부시키가이샤 제조「AZ 필러」, 단위 표면적 당의 카본량 0.38mg/㎡) 10부를 혼합하고, 고속 회전 믹서로 균일하게 분산하여 수지 와니스 1을 조제하였다.12 parts of bisphenol A epoxy resin (“828EL” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, epoxy equivalent about 185), 3 parts of naphthalene-type epoxy resin (“HP4032SS” manufactured by DIC Corporation, about 144 epoxy equivalent), biphenyl type 6 parts of epoxy resin (“YX4000HK” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, epoxy equivalent about 185), 25 parts of biphenyl type epoxy resin (“NC3000H” manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., about 288 epoxy equivalent), phenoxy resin (Mitsubishi Chemical Co., Ltd. "YX6954BH30", MEK/cyclohexanone = 1/1 solution of 30 mass % of solid content) 20 parts were heat-dissolved, stirring 15 parts of solvent naphtha. After cooling to room temperature, thereto, 20 parts of a triazine skeleton-containing phenol novolac curing agent (“LA-7054” manufactured by DIC Corporation, a MEK solution having a hydroxyl equivalent of 125 and a solid content of 60%), a naphthol-based curing agent (thinnit) Tetsu Chemical Co., Ltd. "SN485", hydroxyl equivalent 215, MEK solution having a solid content of 60%) 10 parts, a curing accelerator (4-dimethylaminopyridine (DMAP), a MEK solution having a solid content of 5% by mass) 0.4 parts, a flame retardant ( "HCA-HQ" manufactured by Sanko Corporation, 10-(2,5-dihydroxyphenyl)-10-hydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide, average particle diameter 2 µm) 3 Spherical silica (average particle diameter 0.25 μm, “SOC1” manufactured by Adomatex Co., Ltd., carbon amount per unit surface area of 0.36) surface-treated with an amino silane coupling agent (“KBM573” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) mg/m) 40 parts, a spherical glass filler (average particle diameter 0.2 μm, “AZ filler” manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.) surface-treated with an aminosilane-based coupling agent (“KBM573” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) , 0.38 mg/m 2) 10 parts of carbon per unit surface area were mixed and uniformly dispersed with a high-speed rotary mixer to prepare resin varnish 1.

이어서, 알키드 수지계 이형층 부착 PET 필름(린텍 가부시키가이샤 제조 「AL5」, 두께 38㎛)의 이형층측에, 건조 후의 수지 조성물층의 두께가 40㎛가 되도록 수지 와니스 1을 균일하게 도포하고, 80 내지 120℃(평균 100℃)에서 5분간 건조시켜서 수지 시트 1을 제작하였다.
Next, on the release layer side of the alkyd resin-based PET film with a release layer ("AL5" manufactured by Lintec Corporation, 38 µm in thickness), the resin varnish 1 is uniformly applied so that the thickness of the resin composition layer after drying is 40 µm, 80 The resin sheet 1 was produced by drying at ∼120°C (average 100°C) for 5 minutes.

<제작예 2(수지 시트 2의 제작)><Production Example 2 (Production of Resin Sheet 2)>

비스페놀형 에폭시 수지(신닛테츠 카가쿠 가부시키가이샤 제조 「ZX1059」, 비스페놀A형과 비스페놀F형의 1:1 혼합품, 에폭시 당량 약 169) 5부, 비페닐형 에폭시 수지(미츠비시 카가쿠 가부시키가이샤 제조 「YX4000HK」, 에폭시 당량 약 185) 12부, 디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지(DIC 가부시키가이샤 제조 「HP-7200H」, 에폭시 당량 약 275) 9부, 페녹시 수지(미츠비시 카가쿠 가부시키가이샤 제조 「YL7553BH30」, 고형분 30질량%의 MEK/사이클로헥사논=1/1 용액) 16부를, 솔벤트 나프타 30부에 교반하면서 가열 용해시켰다. 실온으로까지 냉각한 후, 거기에, 활성 에스테르계 경화제(DIC 가부시키가이샤 제조 「HPC8000-65T」, 활성기 당량 약 223, 불휘발분 65질량%의 톨루엔 용액) 40부, 경화 촉진제(4-디메틸아미노 피리딘, 고형분 5질량%의 MEK 용액) 3부, 아미노 실란계 커플링제(신에츠 카가쿠코교 가부시키가이샤 제조 「KBM573」)로 표면 처리된 구형 실리카(평균 입자 직경 0.5㎛, 가부시키가이샤 아도마텍스 제조 「SOC2」, 단위 표면적 당의 카본량 0.38mg/㎡) 100부, 아미노 실란계 커플링제(신에츠 카가쿠코교 가부시키가이샤 제조 「KBM573」)로 표면 처리된 구형 유리 필러(평균 입자 직경 0.2㎛, 아사히 가라스 가부시키가이샤 제조 「AZ 필러」, 단위 표면적 당의 카본량 0.38mg/㎡) 40부를 혼합하고, 고속 회전 믹서로 균일하게 분산하여 수지 와니스 2를 조제하였다.5 parts of bisphenol type epoxy resin (“ZX1059” manufactured by Shin-Nippon Chemical Co., Ltd., 1:1 mixture of bisphenol A type and bisphenol F type, epoxy equivalent of about 169) 5 parts, biphenyl type epoxy resin (Mitsubishi Chemical Co., Ltd.) Co., Ltd. "YX4000HK", epoxy equivalent about 185) 12 parts, dicyclopentadiene type epoxy resin (DIC Corporation "HP-7200H", epoxy equivalent about 275) 9 parts, phenoxy resin (Mitsubishi Chemical Co., Ltd.) "YL7553BH30" manufactured by Corporation, and 16 parts of MEK/cyclohexanone = 1/1 solution of 30 mass % of solid content) were heat-dissolved, stirring 30 parts of solvent naphtha. After cooling to room temperature, 40 parts of an active ester curing agent ("HPC8000-65T" manufactured by DIC Corporation, about 223 active group equivalents, 65% by mass of nonvolatile matter in toluene solution), a curing accelerator (4-dimethylamino) 3 parts of pyridine, MEK solution having a solid content of 5% by mass), spherical silica (average particle diameter of 0.5 µm, Adomatex Corporation) surface-treated with an aminosilane-based coupling agent (“KBM573” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) Manufactured "SOC2", carbon content per unit surface area of 0.38 mg/m2) 100 parts, spherical glass filler surface-treated with an aminosilane-based coupling agent ("KBM573" manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) (average particle diameter 0.2 µm, 40 parts of "AZ filler" manufactured by Asahi Glass Co., Ltd., carbon amount per unit surface area of 0.38 mg/m 2 ) were mixed, and uniformly dispersed with a high-speed rotary mixer to prepare resin varnish 2.

이어서, 수지 와니스 2를 사용하여, 제작예 1과 동일한 순서로 수지 시트 2를 제작하였다.
Next, using the resin varnish 2, a resin sheet 2 was produced in the same procedure as in Production Example 1.

<제작예 3(수지 시트 3의 제작)><Production Example 3 (Production of Resin Sheet 3)>

나프탈렌형 에폭시 수지(DIC 가부시키가이샤 제조 「HP4032SS」, 에폭시 당량 약 144) 6부, 비페닐형 수지(미츠비시 카가쿠 가부시키가이샤 제조 「YX4000HK」, 에폭시 당량 약 185) 6부, 비페닐형 에폭시 수지(니혼 카야쿠 가부시키가이샤 제조 「NC3000H」, 에폭시 당량 약 288) 20부, 페녹시 수지(미츠비시 카가쿠 가부시키가이샤 제조 「YL7553BH30」, 고형분 30질량%의 MEK 용액) 8부를, 솔벤트 나프타 15부에 교반하면서 가열 용해시켰다. 실온으로까지 냉각한 후, 거기에, 비스페놀A디시아네이트의 프레폴리머(론자 쟈판 가부시키가이샤 제조 「BA230S75」, 시아네이트 당량 약 232, 불휘발분 75질량%의 MEK 용액) 20부, 페놀 노볼락형 다관능 시아네이트 에스테르 수지(론자 쟈판 가부시키가이샤 제조 「PT30S」, 시아네이트 당량 약 133, 불휘발분 85질량%의 MEK 용액) 8부, 활성 에스테르계 경화제(DIC 가부시키가이샤 제조 「HPC8000-65T」, 활성기 당량 약 223의 불휘발분 65질량%의 톨루엔 용액) 8부, 경화 촉진제(4-디메틸아미노피리딘, 고형분 5질량%의 MEK 용액) 0.4부, 경화 촉진제(토쿄 카세이 가부시키가이샤 제조, 코발트(Ⅲ)아세틸아세토네이트, 고형분 1질량%의 MEK 용액) 3부, 난연제(산코 가부시키가이샤 제조 「HCA-HQ」, 10-(2,5-디하이드록시페닐)-10-하이드로-9-옥사-10-포스파페난트렌-10-옥사이드, 평균 입자 직경 2㎛) 3부, 아미노 실란계 커플링제(신에츠 카가쿠코교 가부시키가이샤 제조 「KBM573」)로 표면 처리된 구형 실리카(평균 입자 직경 0.5㎛, 가부시키가이샤 아도마텍스 제조 「SOC2」, 단위 표면적 당의 카본량 0.39mg/㎡) 50부, 아미노 실란계 커플링제(신에츠 카가쿠코교 가부시키가이샤 제조 「KBM573」)로 표면 처리된 구형 유리 필러(평균 입자 직경 0.2㎛, 아사히 가라스 가부시키가이샤 제조 「AZ 필러」, 단위 표면적 당의 카본량 0.38mg/㎡) 50부를 혼합하고, 고속 회전 믹서로 균일하게 분산하여 수지 와니스 3을 조제하였다. 6 parts of naphthalene type epoxy resin ("HP4032SS" manufactured by DIC Corporation, epoxy equivalent about 144) 6 parts, biphenyl type resin ("YX4000HK" manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd., epoxy equivalent about 185) 6 parts, biphenyl type epoxy 20 parts of resin ("NC3000H" manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., epoxy equivalent about 288), 8 parts of phenoxy resin ("YL7553BH30" manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd., MEK solution having a solid content of 30% by mass), solvent naphtha 15 It was heat-dissolved while stirring in the part. After cooling to room temperature, 20 parts of prepolymer of bisphenol A dicyanate ("BA230S75" manufactured by Lonza Japan Co., Ltd., about 232 cyanate equivalent, MEK solution having a nonvolatile content of 75% by mass) 20 parts, phenol novolac 8 parts of polyfunctional cyanate ester resin ("PT30S" manufactured by Ronza Japan Co., Ltd., MEK solution having a cyanate equivalent weight of about 133 and 85% by mass of nonvolatile content), an active ester curing agent (“HPC8000-65T” manufactured by DIC Corporation) , 8 parts of a toluene solution with an active group equivalent of about 223 and a nonvolatile content of 65% by mass), a curing accelerator (4-dimethylaminopyridine, a MEK solution having a solid content of 5% by mass) 0.4 parts, a curing accelerator (manufactured by Tokyo Kasei Co., Ltd., cobalt) (III) Acetylacetonate, MEK solution having a solid content of 1% by mass) 3 parts, a flame retardant (“HCA-HQ” manufactured by Sanko Corporation, 10-(2,5-dihydroxyphenyl)-10-hydro-9- 3 parts of oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide, average particle diameter of 2 µm), spherical silica (average particle diameter) surface-treated with an amino silane coupling agent (“KBM573” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) 0.5 µm, manufactured by Adomatex Corporation "SOC2", carbon content per unit surface area of 0.39 mg/m2) 50 parts, spheres surface-treated with an amino silane coupling agent ("KBM573" manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) 50 parts of glass filler (average particle diameter 0.2 µm, "AZ filler" manufactured by Asahi Glass Co., Ltd., carbon amount per unit surface area of 0.38 mg/m 2 ) was mixed and uniformly dispersed with a high-speed rotary mixer to prepare resin varnish 3 .

이어서, 수지 와니스 3을 사용하여, 제작예 1과 동일한 순서로 수지 시트 3을 제작하였다.
Next, using the resin varnish 3, a resin sheet 3 was produced in the same procedure as in Production Example 1.

<제작예 4(수지 시트 4의 제작)><Production Example 4 (Production of Resin Sheet 4)>

비스페놀A형 에폭시 수지(미츠비시 카가쿠 가부시키가이샤 제조 「828EL」, 에폭시 당량 약 185) 12부, 나프탈렌형 에폭시 수지(DIC 가부시키가이샤 제조 「HP4032SS」, 에폭시 당량 약 144) 3부, 비페닐형 에폭시 수지(미츠비시 카가쿠 가부시키가이샤 제조 「YX4000HK」, 에폭시 당량 약 185) 6부, 비페닐형 에폭시 수지(니혼 카야쿠 가부시키가이샤 제조 「NC3000H」, 에폭시 당량 약 288) 25부, 페녹시 수지(미츠비시 카가쿠 가부시키가이샤 제조 「YX6954BH30」, 고형분 30질량%의 MEK/사이클로헥사논=1/1 용액) 20부를, 솔벤트 나프타 10부에 교반하면서 가열 용해시켰다. 실온으로까지 냉각한 후, 거기에, 트리아진 골격 함유 페놀 노볼락계 경화제(DIC 가부시키가이샤 제조 「LA-7054」, 수산기 당량 125, 고형분 60%의 MEK 용액) 20부, 나프톨계 경화제(신닛테츠 카가쿠 가부시키가이샤 제조 「SN485」, 수산기 당량 215, 고형분 60%의 MEK 용액) 10부, 경화 촉진제(4-디메틸아미노피리딘(DMAP), 고형분 5질량%의 MEK 용액) 0.4부, 난연제(산코 가부시키가이샤 제조 「HCA-HQ」, 10-(2,5-디하이드록시페닐)-10-하이드로-9-옥사-10-포스파페난트렌-10-옥사이드, 평균 입자 직경 2㎛) 3부, 아미노 실란계 커플링제(신에츠 카가쿠코교 가부시키가이샤 제조 「KBM573」)로 표면 처리된 구형 실리카(평균 입자 직경 0.25㎛, 가부시키가이샤 아도마텍스 제조 「SOC1」, 단위 표면적 당의 카본량 0.36mg/㎡) 40부를 혼합하고, 고속 회전 믹서로 균일하게 분산하여 수지 와니스 4를 조제하였다.12 parts of bisphenol A epoxy resin (“828EL” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, epoxy equivalent about 185), 3 parts of naphthalene-type epoxy resin (“HP4032SS” manufactured by DIC Corporation, about 144 epoxy equivalent), biphenyl type 6 parts of epoxy resin (“YX4000HK” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, epoxy equivalent about 185), 25 parts of biphenyl type epoxy resin (“NC3000H” manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., about 288 epoxy equivalent), phenoxy resin ("YX6954BH30" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, MEK/cyclohexanone = 1/1 solution having a solid content of 30 mass%) 20 parts were heated and dissolved while stirring in 10 parts of solvent naphtha. After cooling to room temperature, thereto, 20 parts of a triazine skeleton-containing phenol novolac curing agent (“LA-7054” manufactured by DIC Corporation, a MEK solution having a hydroxyl equivalent of 125 and a solid content of 60%), a naphthol-based curing agent (thinnit) Tetsu Chemical Co., Ltd. "SN485", hydroxyl equivalent 215, MEK solution having a solid content of 60%) 10 parts, a curing accelerator (4-dimethylaminopyridine (DMAP), a MEK solution having a solid content of 5% by mass) 0.4 parts, a flame retardant ( "HCA-HQ" manufactured by Sanko Corporation, 10-(2,5-dihydroxyphenyl)-10-hydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide, average particle diameter 2 µm) 3 Spherical silica (average particle diameter 0.25 μm, “SOC1” manufactured by Adomatex Co., Ltd., carbon amount per unit surface area of 0.36) surface-treated with an amino silane coupling agent (“KBM573” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) mg/m 2 ) 40 parts were mixed and uniformly dispersed with a high-speed rotary mixer to prepare resin varnish 4.

이어서, 수지 와니스 4를 사용하여, 제작예 1과 동일한 순서로 수지 시트 4를 제작하였다.
Next, using the resin varnish 4, a resin sheet 4 was produced in the same procedure as in Production Example 1.

<제작예 5(수지 시트 5의 제작)><Production Example 5 (Production of Resin Sheet 5)>

나프탈렌형 에폭시 수지(DIC 가부시키가이샤 제조 「HP4032SS」, 에폭시 당량 약 144) 6부, 비페닐형 수지(미츠비시 카가쿠 가부시키가이샤 제조 「YX4000HK」, 에폭시 당량 약 185) 6부, 비페닐형 에폭시 수지(니혼 카야쿠 가부시키가이샤 제조 「NC3000H」, 에폭시 당량 약 288) 20부, 페녹시 수지(미츠비시 카가쿠 가부시키가이샤 제조 「YL7553BH30」, 고형분 30질량%의 MEK 용액) 16부를, 솔벤트 나프타 5부에 교반하면서 가열 용해시켰다. 실온으로까지 냉각한 후, 거기에, 비스페놀A디시아네이트의 프레폴리머(론자 쟈판 가부시키가이샤 제조 「BA230S75」, 시아네이트 당량 약 232, 불휘발분 75질량%의 MEK 용액) 20부, 페놀 노볼락형 다관능 시아네이트 에스테르 수지(론자 쟈판 가부시키가이샤 제조 「PT30S」, 시아네이트 당량 약 133, 불휘발분 85질량%의 MEK 용액) 8부, 활성 에스테르계 경화제(DIC 가부시키가이샤 제조 「HPC8000-65T」, 활성기 당량 약 223의 불휘발분 65질량%의 톨루엔 용액) 8부, 경화 촉진제(4-디메틸아미노피리딘, 고형분 5질량%의 MEK 용액) 0.4부, 경화 촉진제(토쿄 카세이 가부시키가이샤 제조, 코발트(Ⅲ)아세틸아세토네이트, 고형분 1질량%의 MEK 용액) 3부, 난연제(산코 가부시키가이샤 제조 「HCA-HQ」, 10-(2,5-디하이드록시페닐)-10-하이드로-9-옥사-10-포스파페난트렌-10-옥사이드, 평균 입자 직경 2㎛) 3부, 아미노 실란계 커플링제(신에츠 카가쿠코교 가부시키가이샤 제조 「KBM573」)로 표면 처리된 구형 실리카(평균 입자 직경 0.25㎛, 가부시키가이샤 아도마텍스 제조 「SOC1」, 단위 표면적 당의 카본량 0.36mg/㎡) 40부를 혼합하고, 고속 회전 믹서로 균일하게 분산하여 수지 와니스 5를 조제하였다.6 parts of naphthalene type epoxy resin ("HP4032SS" manufactured by DIC Corporation, epoxy equivalent about 144) 6 parts, biphenyl type resin ("YX4000HK" manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd., epoxy equivalent about 185) 6 parts, biphenyl type epoxy 20 parts of resin ("NC3000H" manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., epoxy equivalent of about 288), 16 parts of phenoxy resin ("YL7553BH30" manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd., MEK solution with a solid content of 30% by mass), solvent naphtha 5 It was heat-dissolved while stirring in the part. After cooling to room temperature, 20 parts of prepolymer of bisphenol A dicyanate ("BA230S75" manufactured by Lonza Japan Co., Ltd., about 232 cyanate equivalent, MEK solution having a nonvolatile content of 75% by mass) 20 parts, phenol novolac 8 parts of polyfunctional cyanate ester resin ("PT30S" manufactured by Lonza Japan Co., Ltd., MEK solution having a cyanate equivalent weight of about 133, and nonvolatile content of 85% by mass), an active ester curing agent ("HPC8000-65T" manufactured by DIC Corporation) , 8 parts of a toluene solution with an active group equivalent weight of about 223 and a nonvolatile content of 65% by mass), a curing accelerator (4-dimethylaminopyridine, a MEK solution with a solid content of 5% by mass) 0.4 parts, a curing accelerator (manufactured by Tokyo Kasei Corporation, cobalt) (III) Acetylacetonate, MEK solution having a solid content of 1% by mass) 3 parts, a flame retardant (“HCA-HQ” manufactured by Sanko Corporation, 10-(2,5-dihydroxyphenyl)-10-hydro-9- 3 parts of oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide, average particle diameter 2 µm), spherical silica (average particle diameter) surface-treated with an amino silane coupling agent (“KBM573” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) 0.25 μm, “SOC1” manufactured by Adomatex Co., Ltd., carbon amount per unit surface area of 0.36 mg/m 2) 40 parts were mixed and uniformly dispersed with a high-speed rotary mixer to prepare resin varnish 5.

이어서, 수지 와니스 5를 사용하여, 제작예 1과 동일한 순서로 수지 시트 5를 제작하였다.Next, using the resin varnish 5, a resin sheet 5 was produced in the same procedure as in Production Example 1.

수지 시트 1 내지 5의 수지 조성물층의 조성을 표 4에 기재한다.Table 4 shows the composition of the resin composition layer of the resin sheets 1 to 5.

Figure 112014069299183-pat00008
Figure 112014069299183-pat00008

평가의 결과를 표 5에 기재한다.Table 5 shows the results of the evaluation.

Figure 112014069299183-pat00009
Figure 112014069299183-pat00009

표 2의 결과로부터 명백한 바와 같이, 같은 수지 시트 1을 사용해도, 열경화 공정의 온도가 190℃(시험예 1)×90분인 경우에는, 본 발명의 규정을 충족시키는 조성물이 수득되는 것에 대하여, 150℃(시험예 5)×90분인 경우에는, 본 발명의 규정을 충족시키는 조성물은 수득되지 않았다. 또한, 같은 수지 시트 2를 사용해도 마찬가지로, 열경화 공정의 온도가 200℃(시험예 2)×90분인 경우에는, 본 발명의 규정을 충족시키는 조성물이 수득되는 것에 대하여, 150℃(시험예 6)×90분인 경우에는, 본 발명의 규정을 충족시키는 조성물은 수득되지 않았다.As is clear from the results in Table 2, even when the same resin sheet 1 is used, when the temperature of the thermosetting step is 190°C (Test Example 1) × 90 minutes, a composition satisfying the provisions of the present invention is obtained, In the case of 150 degreeC (Test Example 5) x 90 minutes, the composition which satisfies the prescription|regulation of this invention was not obtained. In addition, similarly, even if the same resin sheet 2 is used, when the temperature of the thermosetting step is 200°C (Test Example 2)×90 minutes, the composition satisfying the regulations of the present invention is obtained at 150°C (Test Example 6). ) x 90 minutes, a composition satisfying the provisions of the present invention was not obtained.

수지 시트 1과 수지 시트 4는 유사한 조성을 갖고 있지만, 열경화 공정이 동일 조건임에도 불구하고, 시험예 1은 AZ 필러 본 발명의 규정을 충족시키는 조성물이 수득되는 것에 대하여, 시험예 4의 경우에는, 본 발명의 규정을 충족시키는 조성물이 수득되지 않았다.Although the resin sheet 1 and the resin sheet 4 have similar compositions, although the thermosetting process is the same condition, Test Example 1 is an AZ filler composition satisfying the provisions of the present invention is obtained. In the case of Test Example 4, No composition was obtained which satisfies the provisions of the present invention.

수지 시트 3과 수지 시트 5는 유사한 조성을 갖고 있지만, 열경화 공정이 동일 조건임에도 불구하고, 수지 시트 3(시험예 3)은 본 발명의 규정을 충족시키는 조성물이 수득되는 것에 대하여, 수지 시트 5(시험예 7)의 경우에는, 본 발명의 규정을 충족시키는 조성물이 수득되지 않았다. 또한, 수지 시트 5의 경우에는, 열경화 공정의 온도를 바꾸어도, 본 발명의 규정을 충족시키는 조성물은 수득되지 않았다(시험예 8).Although the resin sheet 3 and the resin sheet 5 had similar compositions, although the thermosetting process was under the same conditions, the resin sheet 3 (Test Example 3) had a composition satisfying the provisions of the present invention, whereas the resin sheet 5 ( In the case of Test Example 7), a composition satisfying the provisions of the present invention was not obtained. Moreover, in the case of the resin sheet 5, even if the temperature of the thermosetting process was changed, the composition which satisfy|fills the prescription|regulation of this invention was not obtained (Test Example 8).

Claims (24)

내층 기판 위에 형성된 열경화성 수지 조성물층(단, 열경화성 수지 조성물이 섬유 기재에 함침되어 이루어진 프리프레그를 제외함)을 가열 경화하여 경화물층을 형성하는, 열경화 공정과, 당해 경화물층을 갖는 기판 위에 부품을 리플로우에 의해 실장하는, 리플로우 공정을 포함하고, 열경화성 수지 조성물층의 열경화 공정 후에서의 x-y 방향의 수축률(S1)이 0.35% 이하이고, 경화물층의 리플로우 공정 후에서의 x-y 방향의 수축률(S2)이 0.4% 이하이고, 또한 S1과 S2가 S2-S1≤0.08의 관계를 충족시키는 것을 특징으로 하는, 부품 실장 기판의 제조 방법.A thermosetting process of forming a cured material layer by heating and curing the thermosetting resin composition layer formed on the inner layer substrate (except for the prepreg in which the thermosetting resin composition is impregnated into the fiber base material), and a substrate having the cured material layer Including a reflow step of mounting the parts by reflow on top, the shrinkage ratio (S1) in the xy direction after the thermosetting step of the thermosetting resin composition layer is 0.35% or less, and after the reflow step of the cured product layer A method of manufacturing a component mounting board, characterized in that the shrinkage ratio (S2) in the xy direction of is 0.4% or less, and S1 and S2 satisfy the relationship of S2-S1 ≤ 0.08. 제1항에 있어서, 열경화성 수지 조성물이 에폭시 수지, 경화제 및 무기 충전재를 함유하는, 방법.The method of claim 1 , wherein the thermosetting resin composition contains an epoxy resin, a curing agent and an inorganic filler. 제2항에 있어서, 무기 충전재로서 실리카를 함유하는, 방법.The method according to claim 2, comprising silica as an inorganic filler. 제2항에 있어서, 무기 충전재로서 티타늄이 도프된 실리카를 함유하는, 방법.The method according to claim 2, comprising silica doped with titanium as an inorganic filler. 제2항에 있어서, 열경화성 수지 조성물 중의 불휘발성 성분을 100질량%로 한 경우, 열경화성 수지 조성물 중의 무기 충전재의 함유량이 40질량% 이상인, 방법.The method of Claim 2 whose content of the inorganic filler in a thermosetting resin composition is 40 mass % or more when the nonvolatile component in a thermosetting resin composition is 100 mass %. 제1항에 있어서, 열경화 공정에서의 가열 온도가 120℃ 내지 240℃인, 방법.The method according to claim 1, wherein the heating temperature in the thermosetting process is 120°C to 240°C. 제1항에 있어서, 리플로우 공정에서의 피크 온도가 210℃ 내지 330℃인, 방법.The method of claim 1 , wherein the peak temperature in the reflow process is between 210°C and 330°C. 제1항에 있어서, 열경화성 수지 조성물층이, 캐리어 필름 위에 열경화성 수지 조(粗)조성물층이 형성된 접착 필름을 내층 기판에 라미네이트하여 형성된 것인, 방법.The method according to claim 1, wherein the thermosetting resin composition layer is formed by laminating an adhesive film in which a thermosetting resin crude composition layer is formed on a carrier film to an inner layer substrate. 제1항에 있어서, 경화물층의 두께가 3 내지 200㎛인, 방법.The method according to claim 1, wherein the thickness of the cured product layer is 3 to 200 μm. 제1항에 있어서, 부품이 반도체칩, 인터포저(interposer) 또는 수동 소자인, 방법.The method of claim 1 , wherein the component is a semiconductor chip, an interposer, or a passive device. 제10항에 있어서, 부품이 반도체칩인, 방법.The method of claim 10 , wherein the component is a semiconductor chip. 절연층(단, 열경화성 수지 조성물이 섬유 기재에 함침되어 이루어진 프리프레그를 가열 경화한 것을 제외함)을 형성하기 위한 열경화성 수지 조성물로서,
열경화 후의 x-y 방향의 수축률(S1)이 0.35% 이하가 되는 조건으로 열경화된 당해 열경화성 수지 조성물의 경화물을 IPC/JEDEC J-STD-020C에 준거한 리플로우 온도 프로파일로 가열한 후의 x-y 방향의 수축률(S2)이 0.4% 이하이고, 또한 S1과 S2가 S2-S1≤0.08의 관계를 충족시키는 것을 특징으로 하는, 열경화성 수지 조성물.
A thermosetting resin composition for forming an insulating layer (except for a prepreg formed by impregnating a thermosetting resin composition in a fiber base material by heating),
The cured product of the thermosetting resin composition thermosetting under the condition that the shrinkage rate (S1) in the xy direction after thermosetting is 0.35% or less is heated to a reflow temperature profile based on IPC/JEDEC J-STD-020C in the xy direction A thermosetting resin composition, characterized in that the shrinkage ratio (S2) of is 0.4% or less, and S1 and S2 satisfy the relationship of S2-S1≤0.08.
제12항에 있어서, 리플로우의 피크 온도가 260℃인, 열경화성 수지 조성물.The thermosetting resin composition according to claim 12, wherein the peak temperature of reflow is 260°C. 제12항에 있어서, 열경화성 수지 조성물이 에폭시 수지, 경화제 및 무기 충전재를 함유하는, 열경화성 수지 조성물.The thermosetting resin composition according to claim 12, wherein the thermosetting resin composition contains an epoxy resin, a curing agent and an inorganic filler. 제14항에 있어서, 무기 충전재로서 실리카를 포함하는, 열경화성 수지 조성물.The thermosetting resin composition according to claim 14, comprising silica as the inorganic filler. 제14항에 있어서, 무기 충전재로서 티타늄이 도프된 실리카를 포함하는, 열경화성 수지 조성물.The thermosetting resin composition according to claim 14, comprising titanium-doped silica as an inorganic filler. 제14항에 있어서, 열경화성 수지 조성물 중의 불휘발성 성분을 100질량%로 한 경우, 열경화성 수지 조성물 중의 무기 충전재의 함유량이 40질량% 이상인, 열경화성 수지 조성물.The thermosetting resin composition of Claim 14 whose content of the inorganic filler in a thermosetting resin composition is 40 mass % or more when the nonvolatile component in a thermosetting resin composition is 100 mass %. 제12항 내지 제17항 중 어느 한 항에 기재된 열경화성 수지 조성물의 경화물에 의해 절연층이 형성되어 있는, 다층 프린트 배선판.The multilayer printed wiring board in which the insulating layer is formed of the hardened|cured material of the thermosetting resin composition in any one of Claims 12-17. 제12항 내지 제17항 중 어느 한 항에 기재된 열경화성 수지 조성물의 경화물에 의해 절연층이 형성되어 있는, 부품 실장 기판.The component mounting board|substrate in which the insulating layer is formed of the hardened|cured material of the thermosetting resin composition in any one of Claims 12-17. 제19항에 있어서, 부품이 반도체칩, 인터포저 또는 수동 소자인, 부품 실장 기판.The component mounting board according to claim 19, wherein the component is a semiconductor chip, an interposer, or a passive element. 제20항에 있어서, 부품이 반도체칩인, 부품 실장 기판.The component mounting board according to claim 20, wherein the component is a semiconductor chip. 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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