JP4840303B2 - Insulated resin sheet with glass fiber woven fabric, laminated board, multilayer printed wiring board, and semiconductor device - Google Patents

Insulated resin sheet with glass fiber woven fabric, laminated board, multilayer printed wiring board, and semiconductor device Download PDF

Info

Publication number
JP4840303B2
JP4840303B2 JP2007235785A JP2007235785A JP4840303B2 JP 4840303 B2 JP4840303 B2 JP 4840303B2 JP 2007235785 A JP2007235785 A JP 2007235785A JP 2007235785 A JP2007235785 A JP 2007235785A JP 4840303 B2 JP4840303 B2 JP 4840303B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
glass fiber
woven fabric
fiber woven
insulating resin
resin sheet
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2007235785A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2009070921A (en
JP2009070921A5 (en
Inventor
偉師 小野塚
和也 濱谷
忠相 遠藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Bakelite Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Bakelite Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Bakelite Co Ltd filed Critical Sumitomo Bakelite Co Ltd
Priority to JP2007235785A priority Critical patent/JP4840303B2/en
Publication of JP2009070921A publication Critical patent/JP2009070921A/en
Publication of JP2009070921A5 publication Critical patent/JP2009070921A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4840303B2 publication Critical patent/JP4840303B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Laminated Bodies (AREA)

Description

本発明は、ガラス繊維織布入り絶縁樹脂シート、積層板、多層プリント配線板、及び半導体装置に関するものである。   The present invention relates to an insulating resin sheet containing a glass fiber woven fabric, a laminated board, a multilayer printed wiring board, and a semiconductor device.

多層プリント配線板のコア材やビルドアップ層に用いられる基材入り絶縁樹脂シートは、ガラスクロスやガラス不織布などの基材にエポキシ樹脂などからなる樹脂ワニスを含浸、加熱乾燥させ、樹脂を半硬化させる方法(例えば、特許文献1参照。)、基材の両面に絶縁樹脂層、さらにその外側に銅箔やPETフィルムなどからなるキャリアフィルムを配置し、これを加熱、加圧して基材に樹脂を含浸させる方法(例えば、特許文献2参照。)、キャリアフィルムに樹脂ワニスを塗工し、その上に基材を配置した後、再度樹脂ワニスを塗工する方法などにより作製される(例えば、特許文献3参照。)。   Insulating resin sheets with base materials used for the core material and build-up layer of multilayer printed wiring boards are impregnated with resin varnish made of epoxy resin, etc. on base materials such as glass cloth and glass nonwoven fabric, heat-dried, and semi-cured resin Method (see, for example, Patent Document 1), insulating resin layers on both sides of the base material, and a carrier film made of copper foil or PET film on the outside, and this is heated and pressurized to apply resin to the base material. (For example, refer to Patent Document 2), a resin varnish is applied to a carrier film, a substrate is disposed thereon, and then a resin varnish is applied again (for example, (See Patent Document 3).

前記の基材入り絶縁樹脂層を多層プリント配線板のコア材として用いる場合には、基材入り絶縁樹脂シートを1枚ないし複数枚を重ね合わせ、この少なくとも一方の面に銅箔などを配置して加熱、加圧することによって、銅張積層板を作製する。さらに、銅張積層板をエッチングなどによって内層回路パターンを形成して内層回路基板を作製し、この内層回路基板の少なくとも一方の面に基材入り絶縁樹脂シートを1枚ないし複数枚と銅箔などを重ね合わせて加熱、加圧しすることで、多層プリント配線板を作製する。   When the insulating resin layer with a base material is used as a core material of a multilayer printed wiring board, one or a plurality of insulating resin sheets with a base material are stacked, and a copper foil or the like is disposed on at least one surface. A copper-clad laminate is produced by heating and pressurizing. Further, an inner layer circuit board is manufactured by forming an inner layer circuit pattern by etching or the like on the copper clad laminate, and at least one surface of the inner layer circuit board is provided with one or a plurality of insulating resin sheets containing a base material and copper foil, etc. Are stacked and heated and pressed to produce a multilayer printed wiring board.

前記の銅張積層板をドリルやレーザー加工によってスルーホールを形成しメッキや導電性充填材などによって層間回路を電気的に接続、またエッチングなどによって回路パターンを形成することによって内層回路基板を作製する。   A through-hole is formed in the copper-clad laminate by drilling or laser processing, an interlayer circuit is electrically connected by plating or conductive filler, and a circuit pattern is formed by etching or the like to produce an inner layer circuit board. .

また、前記の基材入り絶縁樹脂シートを多層プリント配線板のビルドアップ層に用いる場合、前記内層回路基板の少なくとも一方の面に基材入り絶縁樹脂シートと銅箔やPETフィルムなどからなるキャリアフィルムを配置し、これを加熱、加圧後、レーザー加工によってビアを形成し、アディティブ法やサブトラ法などによって回路パターンの形成や電気的に層間接続することによって、ビルドアップ法による多層プリント配線板を作製する。   In addition, when the insulating resin sheet with a base material is used for a build-up layer of a multilayer printed wiring board, a carrier film made of an insulating resin sheet with a base material and a copper foil, a PET film, or the like on at least one surface of the inner layer circuit board After heating and pressurizing this, vias are formed by laser processing, circuit patterns are formed by the additive method and subtra method, etc., and interlayer connection is made electrically, so that a multilayer printed wiring board by the build-up method can be formed. Make it.

近年の電子部品・電子機器等の小型化・薄膜化等に伴って、これらに用いられる多層プリント配線板等はさらなる小型化・薄膜化が要求されている。このような要求に対応するために、多層プリント配線板を構成する絶縁樹脂層の薄膜化や、回路幅及び回路間の狭ピッチ化も検討されているが、多層プリント配線板を小型化・薄膜化した場合に、基板の反り低減や耐衝撃性、及び絶縁信頼性を満たすことは困難であった。   With recent downsizing and thinning of electronic parts and electronic devices, multilayer printed wiring boards and the like used for these are required to be further downsized and thinned. In order to meet such demands, thinning of the insulating resin layer constituting the multilayer printed wiring board and reduction of the circuit width and the pitch between the circuits have been studied. In such a case, it has been difficult to reduce the warpage of the substrate, to satisfy the impact resistance, and to satisfy the insulation reliability.

特開2004−216784号公報JP 2004-216784 A 特開2002−46125号公報JP 2002-46125 A 特開2004−82687号公報JP 2004-82687 A

本発明は、冷熱サイクル試験等の熱衝撃試験により、導体回路層の剥離やクラックが発生しない低熱膨張性や耐衝撃性、また、難燃性を有すると共に、高温、多湿の環境下においても高い壁間絶縁信頼性を有し、高密度、高多層成形が可能なガラス繊維織布入り絶縁樹脂シートと、これを用いた積層板、多層プリント配線板、及び半導体装置を提供するものである。   The present invention has low thermal expansion and impact resistance that does not cause peeling and cracking of the conductor circuit layer by thermal shock tests such as a thermal cycle test, and has flame retardancy, and is also high in a high temperature and high humidity environment. An insulating resin sheet containing a glass fiber woven fabric having inter-wall insulation reliability and capable of high density and high multilayer molding, and a laminated board, multilayer printed wiring board, and semiconductor device using the same are provided.

このような目的は、下記(1)〜()に記載の本発明により達成される。
(1)たて糸とよこ糸から構成されるガラス繊維織布と、絶縁樹脂組成物とからなるガラス繊維織布入り絶縁樹脂シートにおいて、前記ガラス繊維織布をたて糸と垂直方向に任意に切断した時のたて糸中に存在する空隙の個数が、たて糸10万本あたり0.1個以上個以下であり、前記空隙のたて糸方向の長さが200mm以下であり、前記ガラス繊維織布は、ガラス中に少なくとも、0.1重量%以上2重量%以下のTiO を含むものであることを特徴とするガラス繊維織布入り絶縁樹脂シート。
(2)前記たて糸中に存在する空隙は、ほぼ円柱状であって、各々の空隙の最大直径が、0.01μm以上1.2μm以下である(1)に記載のガラス繊維織布入り絶縁樹脂シート
(3)前記ガラス繊維織布を構成するガラス繊維の線膨張係数が1ppm/℃以上10ppm/℃以下である(1)または)のいずれかに記載のガラス繊維織布入り絶縁樹脂シート。
)前記ガラス繊維織布の厚さが10μm以上100μm以下、質量が10g/m以上110g/m以下である(1)ないし()のいずれかに記載のガラス繊維織布入り絶縁樹脂シート
(5)前記ガラス繊維織布は、ガラス中に少なくとも、50重量%以上75重量%以下のSiO、5重量%以上30重量%以下のAl、及び20重量%以下のMgOを含むものである(1)ないし()のいずれかに記載のガラス繊維織布入り絶縁樹脂シート
(6)(1)ないし()のいずれかに記載のガラス繊維織布入り絶縁樹脂シートを1枚以上重ね合わせ、前記ガラス繊維織布入り絶縁樹脂シートの少なくとも一方の外側の面に銅箔を配置して加熱加圧成形してなる積層板。
)(1)ないし()のいずれかに記載のガラス繊維織布入り絶縁樹脂シート及び/または()に記載の積層板を用いてなる多層プリント配線板。
)()に記載の多層プリント配線板に半導体素子を搭載してなる半導体装置。
Such an object is achieved by the present invention described in the following (1) to ( 8 ).
(1) In an insulating resin sheet containing a glass fiber woven fabric composed of a warp yarn and a weft yarn and an insulating resin composition, when the glass fiber woven fabric is arbitrarily cut in a direction perpendicular to the warp yarn the number of voids present in the warp state, and are warp threads 100,003 or 0.1 or more per present less, the length in the warp direction of the gap is equal to or less than 200 mm, the glass fiber woven fabric, glass And an insulating resin sheet containing a glass fiber woven fabric , comprising at least 0.1 wt% to 2 wt% of TiO 2 .
(2) The voids present in the warp yarn are substantially cylindrical, and the maximum diameter of each void is 0.01 μm or more and 1.2 μm or less, and the insulating resin containing a glass fiber woven fabric according to (1) Sheet .
(3) the glass fiber woven fabric containing insulating resin sheet according to any one of the linear expansion coefficient of the glass fibers constituting the glass fiber woven fabric is 1 ppm / ° C. or higher 10 ppm / ° C. or less (1) or (2).
( 4 ) The glass fiber woven fabric insulation according to any one of (1) to ( 3 ), wherein the glass fiber woven fabric has a thickness of 10 μm to 100 μm and a mass of 10 g / m 2 to 110 g / m 2. Resin sheet .
(5 ) The glass fiber woven fabric contains at least 50% by weight to 75% by weight SiO 2 , 5% by weight to 30% by weight Al 2 O 3 , and 20% by weight or less MgO in the glass. The insulating resin sheet containing a glass fiber woven fabric according to any one of (1) to ( 4 ) .
(6 ) One or more insulating resin sheets with glass fiber woven fabric according to any one of (1) to ( 5 ) are stacked, and a copper foil is provided on at least one outer surface of the insulating resin sheet with glass fiber woven fabric. Is a laminated board formed by heating and pressing.
( 7 ) A multilayer printed wiring board using the insulating resin sheet with glass fiber woven fabric according to any one of (1) to ( 5 ) and / or the laminated board according to ( 6 ).
( 8 ) A semiconductor device comprising a semiconductor element mounted on the multilayer printed wiring board according to ( 7 ).

本発明のガラス繊維織布入り絶縁樹脂シートは、低熱膨張性や耐衝撃性を有すると共に、高温、多湿の環境下においても高い壁間絶縁信頼性を有し、高密度、高多層成形が可能な積層板を作製可能とし、それを用いた多層プリント配線板、及び半導体装置を提供するものである。   The insulating resin sheet with glass fiber woven fabric of the present invention has low thermal expansion and impact resistance and high insulation reliability between walls even in high temperature and high humidity environments, enabling high density and high multilayer molding. A multilayer printed wiring board and a semiconductor device using the same can be manufactured.

以下に本発明のガラス繊維織布入り絶縁樹脂シート、積層板、多層プリント配線板、及び半導体装置について詳細に説明する。   The insulating resin sheet with glass fiber woven fabric, laminated board, multilayer printed wiring board, and semiconductor device of the present invention will be described in detail below.

本発明のガラス繊維織布入り絶縁樹脂シートに用いられるガラス繊維織布は、たて糸と垂直方向に任意に切断した時のたて糸中に存在する空隙の個数が、たて糸10万本あたり0.1個以上10個以下である。これにより、前記ガラス繊維織布入り絶縁樹脂シートを多層プリント配線板や半導体装置に用いた際、スルーホールまたはビア壁の壁間絶縁信頼性の低下を抑制できる。前記空隙は、ガラス繊維織布のたて糸、又はよこ糸のどちらの空隙を検査しても構わないが、空隙確認の検査の際、ガラス繊維の直行方向より流れ方向の空隙の方が確認しやすいため、たて糸に含まれる空隙を検査することが望ましい。また、前記空隙の個数は、たて糸10万本あたり0.1個以上8個以下が好ましく、さらに0.1個以上5個以下が好ましく、さらには0.1個以上3個以下が好ましい。これにより前記作用を効果的に発現させることができる。   The glass fiber woven fabric used for the insulating resin sheet containing the glass fiber woven fabric of the present invention has 0.1 voids per 100,000 warp yarns when the warp yarns are arbitrarily cut in the direction perpendicular to the warp yarns. The number is 10 or less. Thereby, when the said insulating resin sheet containing a glass fiber woven fabric is used for a multilayer printed wiring board or a semiconductor device, the fall of the insulation reliability between walls of a through hole or a via wall can be suppressed. The gap may be inspected for either the warp or weft of the glass fiber woven fabric. However, when checking the gap, the gap in the flow direction is easier to check than the direction perpendicular to the glass fiber. It is desirable to inspect the voids contained in the warp yarn. The number of voids is preferably 0.1 or more and 8 or less per 100,000 warp yarns, more preferably 0.1 or more and 5 or less, and further preferably 0.1 or more and 3 or less. Thereby, the said effect | action can be expressed effectively.

また前記空隙の個数が上限値を越えると、スルーホールまたはビア壁の壁間絶縁信頼性が損なわれ、これにより実用上問題なく多層プリント配線板や半導体装置を作製するために、単位面積当たりに形成可能なスルーホールまたはビアの個数が制限される。前記空隙の個数が下限値未満については、実用上ガラス繊維の作製が難しく歩留まりを悪化させるため、生産性を低下させる。   Also, if the number of the voids exceeds the upper limit value, the insulation reliability between the through holes or via walls is impaired, thereby making it possible to produce a multilayer printed wiring board or a semiconductor device without any practical problems. The number of through holes or vias that can be formed is limited. When the number of the voids is less than the lower limit, it is difficult to produce glass fibers practically and deteriorates the yield, so that the productivity is lowered.

前記ガラス繊維織布の空隙の個数は、ガラス繊維織布をガラスの屈折率に近い溶剤に浸漬し、光学顕微鏡で観察することで、確認することができる。ガラスの屈折率に近い溶剤としては、例えばベンジルアルコールが挙げられる。   The number of voids in the glass fiber woven fabric can be confirmed by immersing the glass fiber woven fabric in a solvent close to the refractive index of glass and observing it with an optical microscope. An example of a solvent having a refractive index close to that of glass is benzyl alcohol.

本発明のガラス繊維織布入り絶縁樹脂シートに用いられるガラス繊維織布中に存在する空隙はガラス繊維織布と同じ方向にほぼ円柱状であって、各々の空隙の最大直径が0.01μm以上1.2μm以下である。これにより、前記ガラス繊維織布入り絶縁樹脂シートを多層プリント配線板や半導体装置に用いた際、スルーホールまたはビア壁の壁間絶縁信頼性の低下を抑制できる。前記空隙の最大直径が上記範囲内であると、炭酸ガスやUVレーザー等でスルーホールやビアを形成した際に、レーザーの熱でスルーホールやビア壁付近のガラス繊維の空隙を塞ぐことができる。前記空隙の最大直径は特に、0.01μm以上1.0μm以下が好ましく、さらに0.01μm以上0.8μm以下が好ましく、さらには0.01μ以上0.5μm以下が好ましい。これにより上記の作用を効果的に発現させることができる。   The voids present in the glass fiber woven fabric used in the insulating resin sheet with glass fiber woven fabric of the present invention are substantially columnar in the same direction as the glass fiber woven fabric, and the maximum diameter of each void is 0.01 μm or more. 1.2 μm or less. Thereby, when the said insulating resin sheet containing a glass fiber woven fabric is used for a multilayer printed wiring board or a semiconductor device, the fall of the insulation reliability between walls of a through hole or a via wall can be suppressed. When the maximum diameter of the void is within the above range, when the through hole or via is formed with carbon dioxide gas or UV laser, the glass fiber void near the through hole or via wall can be blocked by the heat of the laser. . The maximum diameter of the void is particularly preferably 0.01 μm or more and 1.0 μm or less, more preferably 0.01 μm or more and 0.8 μm or less, and further preferably 0.01 μm or more and 0.5 μm or less. Thereby, said effect | action can be expressed effectively.

前記空隙の最大直径が前記下限値未満であると、前記ガラス繊維織布を前記溶剤に浸漬して光学顕微鏡で観察しても空隙を確認することが困難であり、前記上限値を超えると、スルーホールまたはビア壁の壁間絶縁信頼性が損なわれ、これにより実用上問題なく多層プリント配線板や半導体装置を作製するために、単位面積当たりに形成可能なスルーホールまたはビアの個数が制限される。   When the maximum diameter of the void is less than the lower limit, it is difficult to confirm the void even if the glass fiber woven fabric is immersed in the solvent and observed with an optical microscope. The inter-wall insulation reliability of through-holes or via walls is impaired, which limits the number of through-holes or vias that can be formed per unit area in order to produce multilayer printed wiring boards and semiconductor devices without practical problems. The

本発明のガラス繊維織布入り絶縁樹脂シートに用いられるガラス繊維織布中に存在する空隙のたて糸方向の長さは、200mm以下である。これにより、前記ガラス繊維織布入り絶縁樹脂シートを多層プリント配線板や半導体装置に用いた際、スルーホールまたはビア壁の壁間絶縁信頼性の低下を抑制できる。また前記空隙は、ガラス繊維織布のたて糸、又はよこ糸のどちらでも構わないが、空隙確認の検査の便宜上、たて糸方向の長さであることが好ましい。前記空隙のガラス繊維方向の長さは、150mm以下が好ましく、さらに100mm以下が好ましい。これにより、上記の作用を効果的に発現させることができる。   The length in the warp direction of the voids present in the glass fiber woven fabric used in the insulating resin sheet with the glass fiber woven fabric of the present invention is 200 mm or less. Thereby, when the said insulating resin sheet containing a glass fiber woven fabric is used for a multilayer printed wiring board or a semiconductor device, the fall of the insulation reliability between walls of a through hole or a via wall can be suppressed. The gap may be either a warp or a weft of a glass fiber woven fabric, but is preferably the length in the warp direction for the convenience of checking the gap. The length of the gap in the glass fiber direction is preferably 150 mm or less, and more preferably 100 mm or less. Thereby, said effect | action can be expressed effectively.

前記空隙のたて糸方向の長さが前記上限値を越えると、スルーホールまたはビア壁の壁間絶縁信頼性が損なわれ、これにより実用上問題なく多層プリント配線板や半導体装置を作製するために、単位面積当たりに形成可能なスルーホールまたはビアの個数が制限される。   When the length in the warp direction of the gap exceeds the upper limit value, the insulation reliability between the walls of the through hole or via wall is impaired, and thereby to produce a multilayer printed wiring board or a semiconductor device without any practical problem, The number of through holes or vias that can be formed per unit area is limited.

本発明のガラス繊維の線膨張係数は1ppm/℃以上10ppm/℃以下である。これにより前記ガラス繊維織布入り絶縁樹脂シートを用いた多層プリント配線板の厚さが0.2mm以下であっても、チップ実装後の半田リフローなど熱履歴がかかった際の反りを低減できる。前記線膨張係数は特に1ppm/℃以上8ppm/℃以下が好ましく、さらに1ppm/℃以上6ppm/℃以下が好ましく、さらには2ppm/℃以上4ppm/℃以下が好ましい。これにより、上記作用を効果的に発現させることができる。   The linear expansion coefficient of the glass fiber of the present invention is 1 ppm / ° C. or more and 10 ppm / ° C. or less. Thereby, even when the thickness of the multilayer printed wiring board using the insulating resin sheet with the glass fiber woven fabric is 0.2 mm or less, it is possible to reduce warpage when a thermal history such as solder reflow after chip mounting is applied. The linear expansion coefficient is particularly preferably from 1 ppm / ° C. to 8 ppm / ° C., more preferably from 1 ppm / ° C. to 6 ppm / ° C., and further preferably from 2 ppm / ° C. to 4 ppm / ° C. Thereby, the said effect | action can be expressed effectively.

前記線膨張係数が前記下限値未満であると、多層プリント配線板の厚みによっては、導体回路との線膨張のミスマッチにより、プレス成形時や半田リフロー時の基板の反りを抑制することができなくなることがある。また、前記上限値を超えると、こちらも導体回路との線膨張のミスマッチにより、プレス成形時や半田リフロー時の多層プリント配線板の反りや冷熱サイクル試験等の熱衝撃試験における導体回路層の剥離やクラックの発生を抑制することができなくなる恐れがある。   When the linear expansion coefficient is less than the lower limit value, depending on the thickness of the multilayer printed wiring board, it becomes impossible to suppress the warpage of the substrate during press molding or solder reflow due to a mismatch of linear expansion with the conductor circuit. Sometimes. Also, if the above upper limit is exceeded, the conductor circuit layer may also be peeled off in thermal shock tests such as warpage of multilayer printed wiring boards during press molding or solder reflow and thermal cycle tests due to mismatch of linear expansion with the conductor circuit. And the generation of cracks may not be suppressed.

前記線膨張係数は、例えばTMAを用いて5℃/分の条件で0℃〜280℃まで昇温度させ、25℃における線膨張係数を測定することで、求めることができる。   The linear expansion coefficient can be obtained, for example, by increasing the temperature from 0 ° C. to 280 ° C. using TMA at 5 ° C./min and measuring the linear expansion coefficient at 25 ° C.

本発明のガラス繊維織布の厚さは10μm以上100μm以下、質量は10g/m以上110g/m以下である。これにより、前記ガラス繊維織布入り絶縁樹脂シートを用いた多層プリント配線板や半導体装置の厚みを薄くでき、また狭ピッチのスルーホールやビアを形成することができる。 The glass fiber woven fabric of the present invention has a thickness of 10 μm to 100 μm and a mass of 10 g / m 2 to 110 g / m 2 . Thereby, the thickness of the multilayer printed wiring board using the said glass fiber woven insulating resin sheet and a semiconductor device can be made thin, and a through-hole and via | veer of a narrow pitch can be formed.

前記ガラス繊維織布の厚さ及び/または質量がそれぞれ前記未満であるとガラス繊維織布のハンドリング性が低下することがあり、前記上限値を超えると前記ガラス繊維織布入り絶縁樹脂シートを用いた多層プリント配線板や半導体装置の厚みを薄くすることが難しく、さらに多層プリント配線板製造時において、絶縁樹脂層を炭酸ガスやUVレーザーによりスルーホール形成やビア形成することが難しくなることがある。   When the thickness and / or mass of the glass fiber woven fabric is less than the above, the handling property of the glass fiber woven fabric may deteriorate. When the upper limit is exceeded, the insulating resin sheet with the glass fiber woven fabric is used. It is difficult to reduce the thickness of multilayer printed wiring boards and semiconductor devices, and it may be difficult to form through holes and vias with carbon dioxide gas or UV lasers in insulating resin layers when manufacturing multilayer printed wiring boards. .

前記ガラス繊維織布を構成するガラス繊維の引っ張り強度は、2.5GPa以上5.0GPa以下であることが好ましい。これにより、前記ガラス繊維織布入り絶縁樹脂シートを用いた多層プリント配線板の厚が0.2mm以下であっても、機械強度を高めることができる。前記引っ張り強度が前記下限値未満であると、多層プリント配線板の厚みが薄いときに十分な機械強度を得ることが難しく、前記上限値を超えると多層プリント配線板の製造時において、打ち抜き性やメカニカルドリルによるスルーホール加工性が悪化することがある。   It is preferable that the tensile strength of the glass fiber which comprises the said glass fiber woven fabric is 2.5 GPa or more and 5.0 GPa or less. Thereby, even if the thickness of the multilayer printed wiring board using the said insulating resin sheet containing a glass fiber woven fabric is 0.2 mm or less, mechanical strength can be raised. When the tensile strength is less than the lower limit value, it is difficult to obtain sufficient mechanical strength when the thickness of the multilayer printed wiring board is thin. Through-hole processability with a mechanical drill may deteriorate.

前記ガラス繊維織布を構成するガラスの軟化点は、800℃以上1800℃以下が好ましい。これにより、ガラス繊維織布中に含まれる空隙の発生を少ないガラス繊維を作製することができる。また前記軟化点を有するガラス繊維は、ガラス中に少なくとも50重量%以上75重量%以下のSiO、5重量%以上30重量%以下のAl、及び20重量%以下のMgOを含むものであることが好ましい。また場合によっては、0.1重量%以上2重量%以下のTiOを含有することが好ましい。 The softening point of the glass constituting the glass fiber woven fabric is preferably 800 ° C. or higher and 1800 ° C. or lower. Thereby, glass fiber with few generation | occurrence | production of the space | gap contained in a glass fiber woven fabric can be produced. The glass fiber having the softening point contains at least 50 wt% to 75 wt% SiO 2 , 5 wt% to 30 wt% Al 2 O 3 , and 20 wt% MgO in the glass. It is preferable. In some cases, it is preferable to contain 0.1 wt% or more and 2 wt% or less of TiO 2 .

これにより、ガラス繊維織布の熱膨張係数を小さくすることができ、それによってガラス繊維織布入り絶縁樹脂シートの熱膨張係数をより効果的に小さくすることができる。また、ガラス繊維織布の引っ張り強度や弾性率が大きいため、前記ガラス繊維織布入り絶縁樹脂シートを用いた多層プリント配線板や半導体装置の機械強度や、半導体素子を多層プリント配線板に実装した後の半田リフローなど熱履歴がかかった際の反りを低減するのにより効果が得られる。   Thereby, the thermal expansion coefficient of a glass fiber woven fabric can be made small, and thereby the thermal expansion coefficient of the insulating resin sheet containing a glass fiber woven fabric can be made more effective. Moreover, since the tensile strength and elastic modulus of the glass fiber woven fabric are large, the multilayer printed wiring board using the insulating resin sheet containing the glass fiber woven fabric, the mechanical strength of the semiconductor device, and the semiconductor element are mounted on the multilayer printed wiring board. An effect can be obtained by reducing warpage when a thermal history is applied such as later solder reflow.

本発明のガラス繊維織布入り絶縁樹脂シートに用いられる絶縁樹脂組成物は、エポキシ樹脂を含有する。エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、ビスフェノールE型エポキシ樹脂、ビスフェノールM型エポキシ樹脂、ビスフェノールP型エポキシ樹脂、ビスフェノールZ型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂等のアリールアルキレン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、フェノキシ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ノルボルネン型エポキシ樹脂、アダマンタン型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂などが挙げられる。これにより、前記絶縁樹脂組成物の硬化物の架橋密度を増加させ、高い難燃性と耐熱性とを付与することができる。   The insulating resin composition used for the insulating resin sheet with a glass fiber woven fabric of the present invention contains an epoxy resin. Examples of the epoxy resin include bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, bisphenol E type epoxy resin, bisphenol M type epoxy resin, bisphenol P type epoxy resin, and bisphenol Z type epoxy resin. Bisphenol type epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin, novolac type epoxy resin such as cresol novolac epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, arylalkylene type epoxy resin such as biphenyl aralkyl type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, anthracene type epoxy resin, Phenoxy type epoxy resin, dicyclopentadiene type epoxy resin, norbornene type epoxy resin, adamantane type epoxy resin, fluorene type Such as epoxy resins such as epoxy resins. Thereby, the crosslinking density of the hardened | cured material of the said insulating resin composition can be increased, and high flame retardance and heat resistance can be provided.

前記エポキシ樹脂の含有量は特に限定されないが、絶縁樹脂組成物全体の60〜90重量%であることが好ましい。さらに好ましくは65〜85重量%である。これにより、前記作用を効果的に発現させることができる。エポキシ樹脂の含有量が前記下限値未満であると、耐熱性を向上させる効果が充分でないことがある。また、前記上限値を超えると、硬化物が硬くなり、多層プリント配線板製造時において、ドリル加工性や打ち抜き加工性が低下することがある。ここで、液状のビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂を併用すると、ガラス繊維織布への含浸性を向上させることができる。また、固形のビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂を併用すると、銅箔への密着性を向上させることができる。   Although content of the said epoxy resin is not specifically limited, It is preferable that it is 60 to 90 weight% of the whole insulating resin composition. More preferably, it is 65 to 85% by weight. Thereby, the said effect | action can be expressed effectively. If the content of the epoxy resin is less than the lower limit, the effect of improving the heat resistance may not be sufficient. Moreover, when the said upper limit is exceeded, hardened | cured material will become hard and drill workability and punching workability may fall at the time of multilayer printed wiring board manufacture. Here, when liquid bisphenol A type epoxy resin and bisphenol F type epoxy resin are used in combination, the impregnation property to the glass fiber woven fabric can be improved. Moreover, when solid bisphenol A type epoxy resin and bisphenol F type epoxy resin are used in combination, adhesion to copper foil can be improved.

本発明の絶縁樹脂組成物に用いられるエポキシ樹脂は、ハロゲン化されていないものである。これにより、実質的にハロゲン化合物を用いることなく、難燃性を付与することができるとともに、硬化物の熱分解時に、ハロゲンに起因する腐食性、毒性を有する成分の発生をなくすことができる。   The epoxy resin used in the insulating resin composition of the present invention is not halogenated. Thereby, flame retardancy can be imparted substantially without using a halogen compound, and the occurrence of corrosive and toxic components due to halogen can be eliminated during thermal decomposition of the cured product.

本発明の絶縁樹脂組成物は、無機充填材を含むことが好ましい。これにより、前記ガラス繊維織布入り絶縁樹脂シートを用いた多層プリント配線板や半導体装置の厚さが薄くても、機械強度を高め、チップ実装後の半田リフローなど熱履歴がかかった際の反りをより効果的に低減することができ、されに線膨張係数を小さくすることができる。   The insulating resin composition of the present invention preferably contains an inorganic filler. As a result, even when the thickness of the multilayer printed wiring board or semiconductor device using the glass fiber woven insulating resin sheet is thin, the mechanical strength is increased and the warp when a thermal history such as solder reflow after chip mounting is applied. Can be reduced more effectively, and the linear expansion coefficient can be reduced.

前記無機充填材としては、例えばタルク、焼成クレー、未焼成クレー、マイカ、ガラス等のケイ酸塩、酸化チタン、アルミナ、シリカ、溶融シリカ等の酸化物、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ハイドロタルサイト等の炭酸塩、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウム等の水酸化物、硫酸バリウム、硫酸カルシウム、亜硫酸カルシウム等の硫酸塩または亜硫酸塩、ホウ酸亜鉛、メタホウ酸バリウム、ホウ酸アルミニウム、ホウ酸カルシウム、ホウ酸ナトリウム等のホウ酸塩、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素、窒化炭素等の窒化物、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウム等のチタン酸塩等を挙げることができる。これらの中の1種類を単独で用いることもできるし、2種類以上を併用したりすることもできる。   Examples of the inorganic filler include silicates such as talc, calcined clay, unfired clay, mica and glass, oxides such as titanium oxide, alumina, silica and fused silica, calcium carbonate, magnesium carbonate, hydrotalcite and the like. Carbonates, hydroxides such as aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium hydroxide, sulfates or sulfites such as barium sulfate, calcium sulfate, calcium sulfite, zinc borate, barium metaborate, aluminum borate, boron Examples thereof include borates such as calcium oxide and sodium borate, nitrides such as aluminum nitride, boron nitride, silicon nitride, and carbon nitride, titanates such as strontium titanate and barium titanate. One of these can be used alone, or two or more can be used in combination.

これらの中でも特に、シリカが好ましく、溶融シリカ(特に球状溶融シリカ)が低熱膨張性に優れる点で好ましい。その形状は破砕状、球状があるが、ガラス繊維織布への含浸性を確保するために絶縁樹脂組成物の溶融粘度を下げるには球状シリカを使う等、その目的にあわせた使用方法が採用される。   Among these, silica is particularly preferable, and fused silica (particularly spherical fused silica) is preferable in terms of excellent low thermal expansion. There are crushed and spherical shapes, but in order to reduce the melt viscosity of the insulating resin composition in order to ensure the impregnation of the glass fiber woven fabric, the use method according to the purpose such as using spherical silica is adopted. Is done.

前記無機充填材の平均粒子径は、特に限定されないが、0.01〜5.0μmが好ましく、特に0.1〜2.0μmが好ましい。無機充填材の粒径が前記下限値未満であるとワニスの粘度が高くなるため、ガラス繊維織布への絶縁樹脂組成物の含浸性が低下する場合がある。また、前記上限値を超えると、ワニス中で無機充填剤の沈降等の現象が起こる場合がある。この平均粒子径は、例えば粒度分布計(HORIBA製、LA−500)により測定することができる。   The average particle diameter of the inorganic filler is not particularly limited, but is preferably 0.01 to 5.0 μm, particularly preferably 0.1 to 2.0 μm. If the particle size of the inorganic filler is less than the lower limit, the viscosity of the varnish increases, so that the impregnation property of the insulating resin composition into the glass fiber woven fabric may decrease. When the upper limit is exceeded, phenomena such as sedimentation of the inorganic filler may occur in the varnish. This average particle diameter can be measured, for example, by a particle size distribution meter (manufactured by HORIBA, LA-500).

また前記無機充填材は、特に限定されないが、平均粒子径が単分散の無機充填材を用いることもできるし、平均粒子径が多分散の無機充填材を用いることができる。さらに平均粒子径が単分散及び/または、多分散の無機充填材を1種類または2種類以上とを併用したりすることもできる。   The inorganic filler is not particularly limited, but an inorganic filler having a monodispersed average particle diameter can be used, and an inorganic filler having a polydispersed average particle diameter can be used. Furthermore, one type or two or more types of inorganic fillers having an average particle size of monodispersed and / or polydispersed can be used in combination.

更に平均粒子径5.0μm以下の球状シリカ(特に球状溶融シリカ)が好ましく、特に平均粒子径0.01〜2.0μmの球状溶融シリカが好ましい。これにより、無機充填剤の充填性を向上させることができる。   Furthermore, spherical silica (especially spherical fused silica) having an average particle size of 5.0 μm or less is preferable, and spherical fused silica having an average particle size of 0.01 to 2.0 μm is particularly preferable. Thereby, the filling property of an inorganic filler can be improved.

前記無機充填材の含有量は、特に限定されないが、絶縁樹脂組成物全体の20〜80重量%が好ましく、特に30〜70重量%が好ましい。含有量が前記範囲内であると、特に低熱膨張、低吸水とすることができる。   Although content of the said inorganic filler is not specifically limited, 20 to 80 weight% of the whole insulating resin composition is preferable, and 30 to 70 weight% is especially preferable. When the content is within the above range, particularly low thermal expansion and low water absorption can be achieved.

前記絶縁樹脂組成物は、特に限定されないが、カップリング剤を用いることが好ましい。前記カップリング剤は、絶縁樹脂と、前記無機充填材との界面の濡れ性を向上させることにより、ガラス繊維織布に対して絶縁樹脂等および無機充填材を均一に定着させ、耐熱性、特に吸湿後の半田耐熱性を改良することができる。   The insulating resin composition is not particularly limited, but it is preferable to use a coupling agent. The coupling agent improves the wettability of the interface between the insulating resin and the inorganic filler, thereby uniformly fixing the insulating resin and the inorganic filler to the glass fiber woven fabric, Solder heat resistance after moisture absorption can be improved.

前記カップリング剤としては、通常用いられるものなら何でも使用できるが、具体的にはエポキシシランカップリング剤、カチオニックシランカップリング剤、アミノシランカップリング剤、チタネート系カップリング剤およびシリコーンオイル型カップリング剤の中から選ばれる1種以上のカップリング剤を使用することが好ましい。これにより、無機充填材の界面との濡れ性を高くすることができ、それによって耐熱性をより向上させることできる。   As the coupling agent, any commonly used one can be used. Specifically, an epoxy silane coupling agent, a cationic silane coupling agent, an aminosilane coupling agent, a titanate coupling agent, and a silicone oil type coupling. It is preferable to use one or more coupling agents selected from among the agents. Thereby, the wettability with the interface of an inorganic filler can be made high, and thereby heat resistance can be improved more.

前記カップリング剤の添加量は、前記無機充填材の比表面積に依存するので特に限定されないが、無機充填材100重量部に対して0.05〜3重量%が好ましく、特に0.1〜2重量%が好ましい。含有量が前記下限値未満であると無機充填材を十分に被覆できないため耐熱性を向上する効果が低下する場合があり、前記上限値を超えると反応に影響を与え、曲げ強度等が低下する場合がある。   The addition amount of the coupling agent is not particularly limited because it depends on the specific surface area of the inorganic filler, but is preferably 0.05 to 3% by weight, particularly 0.1 to 2% with respect to 100 parts by weight of the inorganic filler. % By weight is preferred. If the content is less than the lower limit, the inorganic filler cannot be sufficiently coated, and thus the effect of improving the heat resistance may be reduced. If the content exceeds the upper limit, the reaction is affected, and the bending strength is reduced. There is a case.

絶縁樹脂組成物には、必要に応じて硬化促進剤を用いても良い。前記硬化促進剤としては公知の物を用いることが出来る。例えばナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、オクチル酸スズ、オクチル酸コバルト、ビスアセチルアセトナートコバルト(II)、トリスアセチルアセトナートコバルト(III)等の有機金属塩、トリエチルアミン、トリブチルアミン、ジアザビシクロ[2,2,2]オクタン等の3級アミン類、2−フェニル−4−メチルイミダゾール、2−エチル−4−エチルイミダゾール、2−フェニル−4−メチルイミダゾール、2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシイミダゾール、2−フェニル−4,5−ジヒドロキシイミダゾール等のイミダゾール類、フェノール、ビスフェノールA、ノニルフェノール等のフェノール化合物、酢酸、安息香酸、サリチル酸、パラトルエンスルホン酸等の有機酸等、またはこの混合物が挙げられる。硬化促進剤として、これらの中の誘導体も含めて1種類を単独で用いることもできるし、これらの誘導体も含めて2種類以上を併用したりすることもできる。   A curing accelerator may be used in the insulating resin composition as necessary. A well-known thing can be used as said hardening accelerator. For example, organic metal salts such as zinc naphthenate, cobalt naphthenate, tin octylate, cobalt octylate, bisacetylacetonate cobalt (II), trisacetylacetonate cobalt (III), triethylamine, tributylamine, diazabicyclo [2,2 , 2] tertiary amines such as octane, 2-phenyl-4-methylimidazole, 2-ethyl-4-ethylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxyimidazole Imidazoles such as 2-phenyl-4,5-dihydroxyimidazole, phenolic compounds such as phenol, bisphenol A, and nonylphenol, organic acids such as acetic acid, benzoic acid, salicylic acid, paratoluenesulfonic acid, and the like, or a mixture thereof. . As the curing accelerator, one kind including these derivatives can be used alone, or two or more kinds including these derivatives can be used in combination.

前記硬化促進剤の含有量は、特に限定されないが、絶縁樹脂組成物全体の0.05〜5重量%が好ましく、特に0.2〜2重量%が好ましい。含有量が前記下限値未満であると硬化を促進する効果が現れない場合があり、前記上限値を超えるとガラス繊維織布入り絶縁樹脂シートの保存性が低下する場合がある。   Although content of the said hardening accelerator is not specifically limited, 0.05 to 5 weight% of the whole insulating resin composition is preferable, and 0.2 to 2 weight% is especially preferable. If the content is less than the lower limit, the effect of promoting curing may not appear, and if the content exceeds the upper limit, the storage stability of the insulating resin sheet with a glass fiber woven fabric may deteriorate.

絶縁樹脂組成物は、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリスチレン樹脂等の熱可塑性樹脂、スチレン−ブタジエン共重合体、スチレン−イソプレン共重合体等のポリスチレン系熱可塑性エラストマー、ポリオレフィン系熱可塑性エラストマー、ポリアミド系エラストマー、ポリエステル系エラストマー等の熱可塑性エラストマ−、ポリブタジエン、エポキシ変性ポリブタジエン、アクリル変性ポリブタジエン、メタクリル変性ポリブタジエン等のジエン系エラストマーを併用しても良い。また、絶縁樹脂組成物には、必要に応じて、顔料、染料、消泡剤、レベリング剤、紫外線吸収剤、発泡剤、酸化防止剤、難燃剤、イオン捕捉剤等の上記成分以外の添加物を添加しても良い。   The insulating resin composition is composed of thermoplastic resin such as phenoxy resin, polyimide resin, polyamideimide resin, polyphenylene oxide resin, polyethersulfone resin, polyester resin, polyethylene resin, polystyrene resin, styrene-butadiene copolymer, styrene-isoprene copolymer. Polystyrene thermoplastic elastomers such as polymers, polyolefin thermoplastic elastomers, polyamide elastomers, thermoplastic elastomers such as polyester elastomers, and diene elastomers such as polybutadiene, epoxy modified polybutadiene, acrylic modified polybutadiene, methacryl modified polybutadiene, etc. You may do it. In addition, for the insulating resin composition, additives other than the above components such as pigments, dyes, antifoaming agents, leveling agents, ultraviolet absorbers, foaming agents, antioxidants, flame retardants, ion scavengers, etc., as necessary May be added.

次に、ガラス繊維織布入り絶縁樹脂シートについて説明する。
本発明のガラス繊維織布入り絶縁樹脂シートは、上述の絶縁樹脂組成物をガラス繊維織布に含浸させてなるものである。これにより、誘電特性、高温多湿下での機械的、電気的接続信頼性等の各種特性に優れた多層プリント配線板を製造するのに好適なガラス繊維織布入り絶縁樹脂シートを得ることができる。
Next, the insulating resin sheet with glass fiber woven fabric will be described.
The glass fiber woven fabric-containing insulating resin sheet of the present invention is obtained by impregnating a glass fiber woven fabric with the above-described insulating resin composition. Thereby, it is possible to obtain an insulating resin sheet containing a glass fiber woven fabric suitable for producing a multilayer printed wiring board having excellent properties such as dielectric properties, mechanical properties under high temperature and high humidity, and electrical connection reliability. .

絶縁樹脂組成物をガラス繊維織布に含浸させる方法は、例えば、絶縁樹脂組成物を用いて樹脂ワニスを調製し、ガラス繊維織布を樹脂ワニスに浸漬する方法、各種コーターによる塗布する方法、スプレーによる吹き付ける方法等が挙げられる。これらの中でも、ガラス繊維織布を樹脂ワニスに浸漬する方法が好ましい。これにより、ガラス繊維織布に対する絶縁樹脂組成物の含浸性を向上させることができる。なお、ガラス繊維織布を樹脂ワニスに浸漬する場合、通常の含浸塗布設備を使用することができる。   Examples of the method of impregnating the glass fiber woven fabric with the insulating resin composition include, for example, preparing a resin varnish using the insulating resin composition, immersing the glass fiber woven fabric in the resin varnish, applying with various coaters, spraying And the like. Among these, the method of immersing the glass fiber woven fabric in the resin varnish is preferable. Thereby, the impregnation property of the insulating resin composition with respect to the glass fiber woven fabric can be improved. In addition, when a glass fiber woven fabric is immersed in a resin varnish, a normal impregnation coating equipment can be used.

前記樹脂ワニスに用いられる溶媒は、前記絶縁樹脂組成物中の樹脂成分に対して良好な溶解性を示すことが望ましいが、悪影響を及ぼさない範囲で貧溶媒を使用しても構わない。良好な溶解性を示す溶媒としては、例えばアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、エチレングリコール、セルソルブ系、カルビトール系等が挙げられる。   The solvent used in the resin varnish desirably has good solubility in the resin component in the insulating resin composition, but a poor solvent may be used as long as it does not adversely affect the resin varnish. Examples of the solvent exhibiting good solubility include acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, tetrahydrofuran, dimethylformamide, dimethylacetamide, dimethyl sulfoxide, ethylene glycol, cellosolve and carbitol.

前記樹脂ワニス中の不揮発分濃度としては特に限定されないが、40〜80重量%が好ましく、特に50〜65重量%が好ましい。これにより、樹脂ワニスの粘度を好適な水準とすることができ、ガラス繊維織布への含浸性を更に向上させることができる。前記ガラス繊維織布に前記絶縁樹脂組成物を含浸させ、所定温度、例えば80〜200℃等で乾燥させることによりガラス繊維織布入り絶縁樹脂シートを得ることが出来る。   The nonvolatile content concentration in the resin varnish is not particularly limited, but is preferably 40 to 80% by weight, and particularly preferably 50 to 65% by weight. Thereby, the viscosity of a resin varnish can be made into a suitable level, and the impregnation property to a glass fiber woven fabric can further be improved. An insulating resin sheet with a glass fiber woven fabric can be obtained by impregnating the glass fiber woven fabric with the insulating resin composition and drying at a predetermined temperature, for example, 80 to 200 ° C.

次に、積層板について説明する。
本発明の積層板は、上述のガラス繊維織布入り絶縁樹脂シートを少なくとも1枚成形してなるものである。これにより、誘電特性、高温多湿化での機械的、電気的接続信頼性に優れた積層板を得ることができる。
ガラス繊維織布入り絶縁樹脂シート1枚のときは、その上下両面もしくは片面に金属箔あるいはフィルムを重ねる。また、ガラス繊維織布入り絶縁樹脂シートを2枚以上積層することもできる。ガラス繊維織布入り絶縁樹脂シート2枚以上積層するときは、積層したガラス繊維織布入り絶縁樹脂シートの最も外側の上下両面もしくは片面に金属箔あるいはフィルムを重ねる。次に、ガラス繊維織布入り絶縁樹脂シートと金属箔等とを重ねたものを加熱、加圧することで積層板を得ることができる。前記加熱する温度は、特に限定されないが、120〜220℃が好ましく、特に150〜200℃が好ましい。また、前記加圧する圧力は、特に限定されないが、2〜5MPaが好ましく、特に2.5〜4MPaが好ましい。
Next, a laminated board is demonstrated.
The laminate of the present invention is formed by molding at least one insulating resin sheet containing glass fiber woven fabric. Thereby, the laminated board excellent in the dielectric property and the mechanical and electrical connection reliability in high temperature and high humidity can be obtained.
In the case of one insulating resin sheet containing glass fiber woven fabric, a metal foil or film is stacked on both upper and lower surfaces or one surface. Two or more insulating resin sheets with glass fiber woven fabric can be laminated. When two or more insulating resin sheets with glass fiber woven fabric are laminated, a metal foil or film is laminated on the outermost upper and lower surfaces or one side of the laminated insulating resin sheets with glass fiber woven fabric. Next, a laminated board can be obtained by heating and pressurizing what laminated | stacked the insulating resin sheet containing a glass fiber woven fabric, metal foil, etc. FIG. Although the temperature to heat is not specifically limited, 120-220 degreeC is preferable and especially 150-200 degreeC is preferable. Moreover, the pressure to pressurize is not particularly limited, but is preferably 2 to 5 MPa, and particularly preferably 2.5 to 4 MPa.

前記金属箔を構成する金属としては、例えば銅及び銅系合金、アルミ及びアルミ系合金、銀及び銀系合金、金及び金系合金、亜鉛及び亜鉛系合金、ニッケル及びニッケル系合金、錫及び錫系合金、鉄および鉄系合金等が挙げられる。
また、フィルムとしては、例えばポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、フッ素系樹脂等を挙げることができる。
Examples of the metal constituting the metal foil include copper and copper alloys, aluminum and aluminum alloys, silver and silver alloys, gold and gold alloys, zinc and zinc alloys, nickel and nickel alloys, tin and tin. Alloy, iron, iron alloy and the like.
Examples of the film include polyethylene, polypropylene, polyethylene terephthalate, polyimide, and fluorine resin.

次に多層プリント配線板について説明する。   Next, a multilayer printed wiring board will be described.

多層プリント配線板は、前記積層板を用いて製造することができる。製造方法は、特に限定されないが、サブトラクティブ法、セミアディティブ法などがあり、例えば、前記両面に銅箔を有する積層板を用い、ドリル機で所定の位置に開孔部を設け、無電解めっきにより、内層回路基板の両面の導通を図る。そして、前記銅箔をエッチングすることにより内層回路を形成する。
なお、内層回路部分は、黒化処理等の粗化処理したものを好適に用いることができる。また開口部は、導体ペースト、または樹脂ペーストで適宜埋めることができる。
A multilayer printed wiring board can be manufactured using the said laminated board. The manufacturing method is not particularly limited, and there are a subtractive method, a semi-additive method, and the like, for example, using a laminated plate having copper foil on both sides, providing an opening at a predetermined position with a drill machine, and electroless plating As a result, conduction between both surfaces of the inner layer circuit board is achieved. Then, an inner layer circuit is formed by etching the copper foil.
The inner layer circuit portion can be suitably used after roughening treatment such as blackening treatment. The opening can be appropriately filled with a conductor paste or a resin paste.

次に本発明のガラス繊維織布入り絶縁樹脂シート、またはフィルム付き絶縁樹脂シートを用い、前記内層回路を覆うように、積層し、絶縁樹脂層を形成する。積層(ラミネート)方法は、特に限定されないが、真空プレス、常圧ラミネーター、および真空下で加熱加圧するラミネーターを用いて積層する方法が好ましく、更に好ましくは、真空下で加熱加圧するラミネーターを用いる方法である。   Next, the insulating resin sheet containing the glass fiber woven fabric of the present invention or the insulating resin sheet with a film is laminated so as to cover the inner layer circuit to form an insulating resin layer. The lamination method is not particularly limited, but a lamination method using a vacuum press, an atmospheric laminator, and a laminator that is heated and pressurized under vacuum is preferable, and a method using a laminator that is heated and pressurized under vacuum is more preferable. It is.

その後、前記絶縁樹脂層を加熱することにより硬化させる。硬化させる温度は、特に限定されないが、例えば、100℃〜250℃の範囲で硬化させることができる。好ましくは150℃〜200℃で硬化させることである。   Thereafter, the insulating resin layer is cured by heating. Although the temperature to harden | cure is not specifically limited, For example, it can be made to harden | cure in the range of 100 to 250 degreeC. Preferably it is made to harden | cure at 150 to 200 degreeC.

次に、絶縁樹脂層に、炭酸レーザー装置を用いて開孔部を設け、電解銅めっきにより絶縁樹脂層表面に外層回路形成を行い、外層回路と内層回路との導通を図った。なお、外層回路は、半導体素子を実装するための接続用電極部を設ける。   Next, an opening was provided in the insulating resin layer using a carbonic acid laser device, and an outer layer circuit was formed on the surface of the insulating resin layer by electrolytic copper plating, so that conduction between the outer layer circuit and the inner layer circuit was achieved. The outer layer circuit is provided with a connection electrode portion for mounting a semiconductor element.

その後、最外層にソルダーレジストを形成し、露光・現像により半導体素子が実装できるよう接続用電極部を露出させ、ニッケル金メッキ処理を施し、所定の大きさに切断し、多層プリント配線板を得ることができる。   After that, a solder resist is formed on the outermost layer, the connection electrode part is exposed so that a semiconductor element can be mounted by exposure / development, nickel gold plating treatment is performed, and it is cut into a predetermined size to obtain a multilayer printed wiring board. Can do.

次に半導体装置について説明する。   Next, the semiconductor device will be described.

前記で得られた多層プリント配線板に半田バンプを有する半導体素子を実装し、半田バンプを介して、前記多層プリント配線板と半導体素子とを接続する。そして、多層プリント配線板と半導体素子との間には液状封止樹脂を充填し、半導体装置を形成する。半田バンプは、錫、鉛、銀、銅、ビスマスなどからなる合金で構成されることが好ましい。半導体素子と多層プリント配線板との接続方法は、フリップチップボンダーなどを用いて基板上の接続用電極部と半導体素子の半田バンプとの位置合わせを行ったあと、IRリフロー装置、熱板、その他加熱装置を用いて半田バンプを融点以上に加熱し、多層プリント配線板と半田バンプとを溶融接合することにより接続する。尚、接続信頼性を良くするため、予め多層プリント配線板上の接続用電極部に半田ペースト等、比較的融点の低い金属の層を形成しておいても良い。この接合工程に先んじて、半田バンプおよび、または多層プリント配線板上の接続用電極部の表層にフラックスを塗布することで接続信頼性を向上させることもできる。   A semiconductor element having a solder bump is mounted on the multilayer printed wiring board obtained above, and the multilayer printed wiring board and the semiconductor element are connected via the solder bump. A liquid sealing resin is filled between the multilayer printed wiring board and the semiconductor element to form a semiconductor device. The solder bump is preferably made of an alloy made of tin, lead, silver, copper, bismuth or the like. The connection method between the semiconductor element and the multilayer printed wiring board is to align the connection electrode part on the substrate with the solder bump of the semiconductor element using a flip chip bonder, etc. The solder bumps are heated to the melting point or higher by using a heating device, and the multilayer printed wiring board and the solder bumps are connected by fusion bonding. In order to improve connection reliability, a metal layer having a relatively low melting point, such as solder paste, may be formed in advance on the connection electrode portion on the multilayer printed wiring board. Prior to this joining step, the connection reliability can be improved by applying a flux to the solder bumps and / or the surface layer of the connection electrode portion on the multilayer printed wiring board.

以下、本発明を実施例及び比較例により説明するが、本発明はこれに限定されるものでない。
なお、本発明で用いたガラス繊維織布は以下の通りである。
ガラス繊維織布(1)
厚さ80μm、質量95g/m、クロススタイル2319、日東紡績製、ガラスタイプA
ガラス繊維織布(2)
厚さ42μm、質量48g/m、クロススタイル1078、日東紡績製、ガラスタイプA
ガラス繊維織布(3)
厚さ28μm、質量30g/m、クロススタイル1035、日東紡績製、ガラスタイプA
ガラス繊維織布(4)
厚さ95μm、質量104g/m、クロススタイル2116、日東紡績製、ガラスタイプA
ガラス繊維織布(5)
厚さ14μm、質量12g/m、クロススタイル1014、日東紡績製、ガラスタイプB
ガラス繊維織布(6)
厚さ95μm、質量104g/m、クロススタイル2116、日東紡績製、ガラスタイプB
ガラス繊維織布(7)
厚さ95μm、質量104g/m、クロススタイル2116、日東紡績製、ガラスタイプA
ガラス繊維織布(8)
厚さ95μm、質量104g/m、クロススタイル2116、日東紡績製、ガラスタイプB
ガラス繊維織布(9)
厚さ90μm、質量104g/m、クロススタイル2116、日東紡績製、ガラスタイプB
ガラスタイプA
(物性)線膨張係数:2.8ppm/℃、引っ張り強度:4.6GPa、軟化点:970℃、(化学組成)SiO:64重量%、Al:25重量%、MgO:10重量%、TiO:1重量%
ガラスタイプB
(物性)線膨張係数:5.8ppm/℃、引っ張り強度:3.2GPa、軟化点:850℃、(化学組成)SiO:54重量%、Al:14重量%、MgO:3重量%)
Hereinafter, although an example and a comparative example explain the present invention, the present invention is not limited to this.
In addition, the glass fiber woven fabric used by this invention is as follows.
Glass fiber woven fabric (1)
Thickness 80μm, mass 95g / m 2 , cross style 2319, manufactured by Nitto Boseki, glass type A
Glass fiber woven fabric (2)
Thickness 42μm, mass 48g / m 2 , cross style 1078, manufactured by Nitto Boseki, glass type A
Glass fiber woven fabric (3)
Thickness 28μm, mass 30g / m 2 , cross style 1035, made by Nittobo, glass type A
Glass fiber woven fabric (4)
Thickness 95 μm, mass 104 g / m 2 , cross style 2116, Nitto Boseki, glass type A
Glass fiber woven fabric (5)
Thickness 14μm, Mass 12g / m 2 , Cross Style 1014, Nittobo, Glass Type B
Glass fiber woven fabric (6)
Thickness 95 μm, mass 104 g / m 2 , cross style 2116, manufactured by Nitto Boseki, glass type B
Glass fiber woven fabric (7)
Thickness 95 μm, mass 104 g / m 2 , cross style 2116, manufactured by Nitto Boseki, glass type A
Glass fiber woven fabric (8)
Thickness 95 μm, mass 104 g / m 2 , cross style 2116, Nitto Boseki, glass type B
Glass fiber woven fabric (9)
Thickness 90μm, mass 104g / m 2 , cross style 2116, Nitto Boseki, glass type B
Glass type A
(Physical properties) Linear expansion coefficient: 2.8 ppm / ° C., Tensile strength: 4.6 GPa, Softening point: 970 ° C. (Chemical composition) SiO 2 : 64 wt%, Al 2 O 3 : 25 wt%, MgO: 10 wt %, TiO 2 : 1% by weight
Glass type B
(Physical properties) Linear expansion coefficient: 5.8 ppm / ° C., Tensile strength: 3.2 GPa, Softening point: 850 ° C. (Chemical composition) SiO 2 : 54 wt%, Al 2 O 3 : 14 wt%, MgO: 3 wt %)

(実施例1)
(1)樹脂ワニスの調整
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(「エピクロンN-690」、エポキシ当量210、大日本インキ化学工業株式会社製)22重量部、ビスフェノールA型エポキシ樹脂(I)(「エピクロン850」、エポキシ当量190、大日本インキ化学工業株式会社製)6.5重量部、ビスフェノールA型エポキシ樹脂(II)(「エピクロン7050」、エポキシ当量1900、大日本インキ化学工業株式会社製)1.5重量部、ビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂(NC−3000、エポキシ当量275、日本化薬株式会社製)1重量部、ジシアンジアミド(シグマ アルドリッチ ジャパン株式会社製)1.5重量部、10−ベンジル−9,10−ジヒドロ−9−オキサ−10−ホスファフェナントレン−10−オキシド(三光株式会社製)6.4重量部、2−メチルイミダゾール(日本合成化学工業株式会社製)0.1重量部、エポキシシラン型カップリング剤(A−187、GE東芝シリコーン株式会社製)1重量部をメチルエチルケトンに常温で溶解し、無機充填材(球状溶融シリカ、SO−25R、平均粒径0.5μm、株式会社アドマテックス社製)60重量部を添加し、高速攪撹拌機を用いて10分攪撹拌して、不揮発分濃度55%となるように樹脂ワニスを調整した。
Example 1
(1) Adjustment of resin varnish Cresol novolak type epoxy resin (“Epiclon N-690”, epoxy equivalent 210, manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc.) 22 parts by weight, bisphenol A type epoxy resin (I) (“Epiclon 850”) , Epoxy equivalent 190, manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc.) 6.5 parts by weight, bisphenol A type epoxy resin (II) (“Epiclon 7050”, epoxy equivalent 1900, manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc.) 1.5 Parts by weight, 1 part by weight of a biphenyl dimethylene type epoxy resin (NC-3000, epoxy equivalent 275, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), 1.5 parts by weight of dicyandiamide (manufactured by Sigma Aldrich Japan Co., Ltd.), 10-benzyl-9, 10-Dihydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxy Sid (manufactured by Sanko Co., Ltd.) 6.4 parts by weight, 2-methylimidazole (manufactured by Nippon Synthetic Chemical Industry Co., Ltd.) 0.1 part by weight, epoxy silane type coupling agent (A-187, manufactured by GE Toshiba Silicone Co., Ltd.) 1 part by weight is dissolved in methyl ethyl ketone at room temperature, 60 parts by weight of an inorganic filler (spherical fused silica, SO-25R, average particle size 0.5 μm, manufactured by Admatechs Co., Ltd.) is added, and a high-speed agitator is used. The resin varnish was adjusted to a non-volatile content of 55% by stirring for 10 minutes.

(2)ガラス繊維織布入り絶縁樹脂シートの製造 (2) Manufacture of insulating resin sheet with glass fiber woven fabric

上述の樹脂ワニスを上記ガラス繊維織布(1)に含浸し、150℃の加熱炉で2分間乾燥して、厚さ約0.1mmのガラス繊維織布入り絶縁樹脂シートを得た。   The glass fiber woven fabric (1) was impregnated with the above resin varnish and dried in a heating furnace at 150 ° C. for 2 minutes to obtain an insulating resin sheet with a glass fiber woven fabric having a thickness of about 0.1 mm.

(3)積層板の製造
上述のガラス繊維織布入り絶縁樹脂シートを所定枚数を重ね、両面に厚さ12μmの銅箔を重ねて、圧力4MPa、温度200℃で2時間加熱加圧成形することによって、両面に銅箔を有する積層板を得た。
(3) Manufacture of laminated plate A predetermined number of the above-mentioned insulating resin sheets with glass fiber woven fabric are stacked, a copper foil having a thickness of 12 μm is stacked on both surfaces, and pressure-molded at a pressure of 4 MPa and a temperature of 200 ° C. for 2 hours. Thus, a laminate having copper foil on both sides was obtained.

(4)多層プリント配線板の製造
上述の積層板をスルーホール形成後サブトラクティブ法にての銅箔に所定の回路配線を形成し、回路配線の表面を粗化処理した後、積層板の両面にフィルム付き絶縁樹脂シート(APL−3601、樹脂厚:60μm、住友ベークライト株式会社製)を内層回路上に真空積層装置を用いて積層した。次にフィルムを剥離し、温度170℃、時間60分間加熱し、絶縁樹脂層を半硬化させた。尚、フィルム付き絶縁樹脂シートを積層する条件は、温度100℃、圧力1MPa、30秒間とした。
(4) Manufacture of multilayer printed wiring board After forming a through hole in the above-mentioned laminated board, a predetermined circuit wiring is formed on the copper foil by the subtractive method, and after roughening the surface of the circuit wiring, both sides of the laminated board An insulating resin sheet with a film (APL-3601, resin thickness: 60 μm, manufactured by Sumitomo Bakelite Co., Ltd.) was laminated on the inner layer circuit using a vacuum laminator. Next, the film was peeled off and heated at a temperature of 170 ° C. for 60 minutes to semi-cure the insulating resin layer. In addition, the conditions for laminating the insulating resin sheet with a film were set to a temperature of 100 ° C., a pressure of 1 MPa, and 30 seconds.

次に絶縁樹脂層に、炭酸レーザー装置を用いてφ60μmの開孔部(ブラインド・ビアホール)を形成し、70℃の膨潤液(アトテックジャパン社製、スウェリングディップ セキュリガント P)に10分間浸漬し、さらに80℃の過マンガン酸カリウム水溶液(アトテックジャパン社製、コンセントレート コンパクト CP)に20分浸漬後、中和して粗化処理を行った。次に脱脂、触媒付与、活性化の工程を経た後、無電解銅メッキ皮膜を約0.5μmの給電層を形成した。次にこの給電層表面に、厚さ25μmの紫外線感光性ドライフィルム(旭化成社製AQ−2558)をホットロールラミネーターにより貼り合わせ、最小線幅/線間が20/20μmのパターンが描画されたクロム蒸着マスク(トウワプロセス社製)を使用して、位置を合わせ、露光装置(ウシオ電機社製UX−1100SM−AJN01)にて露光、炭酸ソーダ水溶液にて現像し、めっきレジストを形成した。   Next, a φ60 μm aperture (blind via hole) is formed on the insulating resin layer using a carbonic acid laser device, and immersed in a swelling solution (Swelling Dip Securigant P, manufactured by Atotech Japan) at 70 ° C. for 10 minutes. Further, after being immersed in an aqueous potassium permanganate solution (manufactured by Atotech Japan Co., Ltd., Concentrate Compact CP) at 80 ° C. for 20 minutes, it was neutralized and roughened. Next, after passing through degreasing, catalyst application, and activation steps, an electroless copper plating film was formed with a power supply layer of about 0.5 μm. Next, a 25 μm thick UV-sensitive dry film (AQ-2558 manufactured by Asahi Kasei Co., Ltd.) is bonded to the surface of the power supply layer with a hot roll laminator, and a chromium having a pattern with a minimum line width / line spacing of 20/20 μm is drawn. Using a vapor deposition mask (manufactured by Towa Process Co., Ltd.), the position was adjusted, exposure was performed with an exposure apparatus (UX-1100SM-AJN01 manufactured by USHIO INC.), And development was performed with a sodium carbonate aqueous solution to form a plating resist.

次に、給電層を電極として電解銅めっき(奥野製薬社製81−HL)を3A/dm2、30分間行って、厚さ約25μmの銅配線を形成した。ここで2段階剥離機を用いて、前記めっきレジストを剥離した。各薬液は、1段階目のアルカリ水溶液層にはモノエタノールアミン溶液(三菱ガス化学社製R−100)、2段階目の酸化性樹脂エッチング剤には過マンガン酸カリウムと水酸化ナトリウムを主成分とする水溶液(日本マクダーミッド社製マキュダイザー9275、9276)、中和には酸性アミン水溶液(日本マクダーミッド社製マキュダイザー9279)をそれぞれ用いた。   Next, electrolytic copper plating (81-HL manufactured by Okuno Pharmaceutical Co., Ltd.) was performed at 3 A / dm 2 for 30 minutes using the power feeding layer as an electrode to form a copper wiring having a thickness of about 25 μm. Here, the plating resist was peeled off using a two-stage peeling machine. Each chemical solution is mainly composed of monoethanolamine solution (R-100 manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd.) in the first stage alkaline aqueous solution layer, and potassium permanganate and sodium hydroxide as the main ingredients in the second stage oxidizing resin etchant. An aqueous solution of acidic amine (Mc. Dicer 9279, manufactured by Nihon McDermid Co., Ltd.) was used for neutralization.

次に、給電層を過硫酸アンモニウム水溶液(メルテックス(株)製AD−485)に浸漬処理することで、エッチング除去し、配線間の絶縁を確保した。次に絶縁樹脂層を温度200℃時間60分で最終硬化させ、最後に回路表面にソルダーレジスト(太陽インキ社製PSR4000/AUS308)を形成し多層プリント配線板を得た。   Next, the power feeding layer was immersed in an aqueous ammonium persulfate solution (AD-485 manufactured by Meltex Co., Ltd.) to remove it by etching and ensure insulation between the wirings. Next, the insulating resin layer was finally cured at a temperature of 200 ° C. for 60 minutes, and finally a solder resist (PSR4000 / AUS308 manufactured by Taiyo Ink Co., Ltd.) was formed on the circuit surface to obtain a multilayer printed wiring board.

(5)半導体装置の製造
50mm×50mmサイズの上述の多層プリント配線板上に所定の位置に、厚さ0.75mm、15mm×15mmサイズの半導体素子をフリップチップボンダー、リフロー炉にて接合し、液状封止樹脂(住友ベークライト社製、CRP−4152S)を充填し、液状封止樹脂を硬化させることで半導体装置を得た。尚、液状封止樹脂の硬化条件は、温度150℃、120分の条件であった。
(5) Manufacture of a semiconductor device A semiconductor element having a thickness of 0.75 mm and a size of 15 mm × 15 mm is bonded to a predetermined position on the above-described multilayer printed wiring board having a size of 50 mm × 50 mm using a flip chip bonder and a reflow furnace, A semiconductor device was obtained by filling a liquid sealing resin (CRP-4152S, manufactured by Sumitomo Bakelite Co., Ltd.) and curing the liquid sealing resin. The curing condition of the liquid sealing resin was a temperature of 150 ° C. and 120 minutes.

(実施例2)
ガラス繊維織布(1)の代わりにガラス繊維織布(2)を用い、厚さ約0.06mmのガラス繊維織布入り絶縁樹脂シートを得た以外は、実施例1と同様に、積層板、多層プリント配線板、及び半導体装置を作製した。
(Example 2)
Laminated plate in the same manner as in Example 1 except that the glass fiber woven fabric (2) was used instead of the glass fiber woven fabric (1) to obtain an insulating resin sheet with a glass fiber woven fabric having a thickness of about 0.06 mm. A multilayer printed wiring board and a semiconductor device were produced.

(実施例3)
ガラス繊維織布(1)の代わりにガラス繊維織布(3)を用い、厚さ約0.05mmのガラス繊維織布入り絶縁樹脂シートを得た以外は、実施例1と同様に、積層板、多層プリント配線板、及び半導体装置を作製した。
(Example 3)
Laminated plate in the same manner as in Example 1 except that the glass fiber woven fabric (3) was used instead of the glass fiber woven fabric (1) to obtain an insulating resin sheet with a glass fiber woven fabric having a thickness of about 0.05 mm. A multilayer printed wiring board and a semiconductor device were produced.

(実施例4)
ガラス繊維織布(1)の代わりにガラス繊維織布(4)を用い、厚さ約0.12mmのガラス繊維織布入り絶縁樹脂シートを得た以外は、実施例1と同様に、積層板、多層プリント配線板、及び半導体装置を作製した。
Example 4
Laminated plate in the same manner as in Example 1, except that the glass fiber woven fabric (4) was used instead of the glass fiber woven fabric (1) to obtain an insulating resin sheet with a glass fiber woven fabric having a thickness of about 0.12 mm. A multilayer printed wiring board and a semiconductor device were produced.

参考例1
ガラス繊維織布(1)の代わりにガラス繊維織布(5)を用い、厚さ約0.03mmのガラス繊維織布入り絶縁樹脂シートを得た以外は、実施例1と同様に、積層板、多層プリント配線板、及び半導体装置を作製した。
( Reference Example 1 )
Laminated plate in the same manner as in Example 1 except that the glass fiber woven fabric (5) was used instead of the glass fiber woven fabric (1) to obtain an insulating resin sheet with a glass fiber woven fabric having a thickness of about 0.03 mm. A multilayer printed wiring board and a semiconductor device were produced.

参考例2
ガラス繊維織布(1)の代わりにガラス繊維織布(6)を用い、厚さ約0.12mmのガラス繊維織布入り絶縁樹脂シートを得た以外は、実施例1と同様に、積層板、多層プリント配線板、及び半導体装置を作製した。
( Reference Example 2 )
Laminated plate in the same manner as in Example 1, except that the glass fiber woven fabric (6) was used instead of the glass fiber woven fabric (1) to obtain an insulating resin sheet with a glass fiber woven fabric having a thickness of about 0.12 mm. A multilayer printed wiring board and a semiconductor device were produced.

(比較例1)
ガラス繊維織布(1)の代わりにガラス繊維織布(7)を用い、厚さ約0.12mmのガラス繊維織布入り絶縁樹脂シートを得た以外は、実施例1と同様に積層板、多層プリント配線板、及び半導体装置を作製した。
(Comparative Example 1)
A laminated board similar to Example 1, except that the glass fiber woven fabric (7) was used instead of the glass fiber woven fabric (1), and an insulating resin sheet with a glass fiber woven fabric having a thickness of about 0.12 mm was obtained. A multilayer printed wiring board and a semiconductor device were produced.

(比較例2)
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂を44重量部、ビスフェノールA型エポキシ樹脂(I)を13重量部、ビスフェノールA型エポキシ樹脂(II)を3重量部、ビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂を2重量部、ジシアンジアミドを3重量部、10−ベンジル−9,10−ジヒドロ−9−オキサ−10−ホスファフェナントレン−10−オキシドを11.8重量部、2−メチルイミダゾールを0.2重量部、無機充填材を20重量部とし、ガラス繊維織布(1)の代わりにガラス繊維織布(8)を用い、厚さ約0.12mmのガラス繊維織布入り絶縁樹脂シートを得た以外は、実施例1と同様に、積層板、多層プリント配線板、及び半導体装置を作製した。
(Comparative Example 2)
44 parts by weight of cresol novolac type epoxy resin, 13 parts by weight of bisphenol A type epoxy resin (I), 3 parts by weight of bisphenol A type epoxy resin (II), 2 parts by weight of biphenyldimethylene type epoxy resin, 3 parts of dicyandiamide 1 part by weight of 10-benzyl-9,10-dihydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide, 0.2 part by weight of 2-methylimidazole, 20 parts by weight of inorganic filler In the same manner as in Example 1, except that the glass fiber woven fabric (8) was used instead of the glass fiber woven fabric (1) to obtain an insulating resin sheet with a glass fiber woven fabric having a thickness of about 0.12 mm. A laminated board, a multilayer printed wiring board, and a semiconductor device were produced.

(比較例3)
ガラス繊維織布(1)の代わりにガラス繊維織布(9)を用い、厚さ約0.12mmのガラス繊維織布入り絶縁樹脂シートを得た以外は、実施例1と同様に、積層板、多層プリント配線板、及び半導体装置を作製した。
(Comparative Example 3)
Laminated plate in the same manner as in Example 1 except that the glass fiber woven fabric (9) was used instead of the glass fiber woven fabric (1) to obtain an insulating resin sheet with a glass fiber woven fabric having a thickness of about 0.12 mm. A multilayer printed wiring board and a semiconductor device were produced.

実施例および比較例で得られた樹脂組成物、ガラス繊維織布入り絶縁樹脂シート、積層板、半導体装置について、特性の評価を行った。結果を表1に示す。   The characteristics of the resin compositions, the insulating resin sheets with glass fiber woven fabric, the laminates, and the semiconductor devices obtained in the examples and comparative examples were evaluated. The results are shown in Table 1.

Figure 0004840303
Figure 0004840303

評価方法は、以下の通りである。 The evaluation method is as follows.

1.空隙の数
1060mm幅のガラス繊維織布を繊維織布の流れ方向に1000mm切り出し、これを任意の大きさで構わないが、幅265mm、長さ250mmの大きさに切り分けてベンジルアルコールに浸漬、光学顕微鏡で観察しながらガラス繊維織布内の空隙の数を数えることにより、ガラス繊維織布のたて糸10万本あたりの空隙の個数を求めた。ここで、ベンジルアルコールを用いるのは、ガラス繊維織布の屈折率にベンジルアルコールの屈折率が近いため、ガラス繊維織布内の空隙が見つけやすくなるためである。
1. Number of voids A glass fiber woven fabric having a width of 1060 mm is cut out by 1000 mm in the flow direction of the fiber woven fabric, and this may be of any size, but it is cut into a size of 265 mm wide and 250 mm long and immersed in benzyl alcohol. The number of voids per 100,000 warp yarns of the glass fiber woven fabric was determined by counting the number of voids in the glass fiber woven fabric while observing with a microscope. Here, benzyl alcohol is used because the refractive index of benzyl alcohol is close to the refractive index of the glass fiber woven fabric, so that voids in the glass fiber woven fabric can be easily found.

2.空隙の直径
空隙を含む部分のガラス繊維織布のたて糸断面を研磨し、電子顕微鏡で空隙を観察することによって、空隙の径を測定した。
2. Diameter of the void The diameter of the void was measured by polishing the cross section of the warp yarn of the glass fiber woven fabric in the portion including the void and observing the void with an electron microscope.

3.空隙の長さ
1060mm幅のガラス繊維織布を繊維織布の流れ方向に1000mm切り出し、これをベンジルアルコールに浸漬、ルーペで観察しながら、ガラス繊維織布のたて糸方向に200mm以上の空隙がないか確認した。
○:200mm以上の空隙なし
×:200mm以上の空隙あり
3. A glass fiber woven fabric with a gap length of 1060 mm is cut out 1000 mm in the flow direction of the fiber woven fabric, immersed in benzyl alcohol, and observed with a loupe, is there a gap of 200 mm or more in the warp direction of the glass fiber woven fabric? confirmed.
○: No gap of 200 mm or more ×: There is a gap of 200 mm or more

4.線膨張係数
ガラス繊維織布をよこ糸方向4mm、たて糸方向20mmに切り、TMAを用いて5℃/分の引っ張り条件で、25℃での線膨張係数を測定した。
4). The linear expansion coefficient glass fiber woven fabric was cut into a weft direction of 4 mm and a warp direction of 20 mm, and the linear expansion coefficient at 25 ° C. was measured using TMA under a pulling condition of 5 ° C./min.

5.熱衝撃試験
前記で得られた半導体装置をフロリナート中で−55℃10分、125℃10分、−55℃10分を1サイクルとして、500サイクル処理し、半導体装置にクラックが発生していないか確認した。
○:クラック発生なし
×:クラック発生
5). Thermal shock test The semiconductor device obtained above was treated in 500 cycles for 1 cycle at -55 ° C for 10 minutes, 125 ° C for 10 minutes and -55 ° C for 10 minutes in Fluorinert. confirmed.
○: No crack occurrence ×: Crack occurrence

6.壁間絶縁信頼性試験
前記で得られた両面に銅箔を有する厚さ0.8mmの積層板(厚さ約0.1mmのガラス繊維織布入り絶縁樹脂シートを8枚重ねて作製した積層板)に、メカニカルドリルを用いて径0.4mm、壁間距離0.4mmのスルーホールを開け、その後メッキ、回路配線を形成して、85℃、85%RH、印加電圧50Vの条件下で500h処理し、100Vで絶縁抵抗を測定した。測定用の試料は、N=10用意した。
○:N全て1.0×10Ω以上
△:1.0×10Ω以上がN≧8
×:1.0×10Ω以上がN<8
6). Insulation reliability test between walls Obtained above is a 0.8 mm thick laminated plate having copper foil on both sides (a laminated plate produced by stacking eight insulating resin sheets with a glass fiber woven thickness of about 0.1 mm) ), Using a mechanical drill, open a through hole with a diameter of 0.4 mm and a distance between walls of 0.4 mm, and then form a plating and circuit wiring, and 500 h under the conditions of 85 ° C., 85% RH and applied voltage 50 V. The insulation resistance was measured at 100V. N = 10 samples were prepared for measurement.
○: N is 1.0 × 10 7 Ω or more Δ: 1.0 × 10 7 Ω or more is N ≧ 8
×: 1.0 <10 7 Ω or more is N <8

7.難燃性
UL−94規格に従い、1mm厚のテストピースを垂直法により測定した。
7). In accordance with the flame retardant UL-94 standard, a 1 mm thick test piece was measured by the vertical method.

8.吸湿半田耐熱試験
前記で得られた両面に銅箔を有する厚さ0.8mmの積層板から50mm×50mmに切り出し、JIS C 6481に従い半面エッチングを行ってテストピースを作成した。121℃のプレッシャークッカーで2時間処理した後、260℃のはんだ槽に銅箔面を下にして浮かべ、120秒後の外観異常の有無を調べた。
○:異常なし
×:フクレあり
8). Moisture-absorbing solder heat test A test piece was prepared by cutting 50 mm × 50 mm from a 0.8 mm thick laminate having copper foil on both sides obtained above, and performing half-side etching according to JIS C 6481. After being treated with a pressure cooker at 121 ° C. for 2 hours, it was floated in a solder bath at 260 ° C. with the copper foil face down, and the presence or absence of appearance abnormality after 120 seconds was examined.
○: No abnormality ×: There is swelling

表1からも明らかなように、実施例1〜4、参考例1,2は、ガラス繊維織布のたて糸中に存在する空隙の個数が少なく、さらに空隙の最大直径や長さが短いガラス繊維織布入り絶縁樹脂シートと、これを用いた積層板、多層プリント配線板、及び半導体装置である。
実施例1〜4、参考例1,2はいずれも、低熱膨張性、耐衝撃性、絶縁信頼性、難燃性、すべての評価において良好な結果であった。
これに対し、比較例1、及び比較例3は、ガラス繊維織布のたて糸中の空隙の個数が多く、空隙の長さが長いため、壁間絶縁信頼性試験の結果が好ましくなかった。
比較例2は、ガラス繊維織布のたて糸中の空隙の個数が多く、直径が長く、さらに無機充填材の添加量が少ないため、壁間絶縁信頼性試験、熱衝撃試験、難燃性試験において好ましくない結果となった。尚、難燃試験においては、試験片が全焼するものがあったため表1中に規格外と表記した。




As is apparent from Table 1, Examples 1-4 and Reference Examples 1 and 2 are glass fibers in which the number of voids present in the warp yarn of the glass fiber woven fabric is small, and the maximum diameter and length of the voids are short. An insulating resin sheet with a woven fabric, and a laminated board, multilayer printed wiring board, and semiconductor device using the same.
Examples 1-4 and Reference Examples 1 and 2 all had good results in all evaluations, such as low thermal expansion, impact resistance, insulation reliability, and flame retardancy.
On the other hand, in Comparative Example 1 and Comparative Example 3, the number of voids in the warp yarn of the glass fiber woven fabric was large, and the length of the voids was long.
In Comparative Example 2, the number of voids in the warp yarn of the glass fiber woven fabric is large, the diameter is long, and the addition amount of the inorganic filler is small. Therefore, in the inter-wall insulation reliability test, thermal shock test, and flame retardancy test The result was unfavorable. In addition, in the flame retardant test, since the test piece was completely burned, it was described as out of specification in Table 1.




本発明のガラス繊維織布入り絶縁樹脂シートは、積層板、該積層板よりなる多層プリント配線板、半導体装置に好適に用いることができるが、その他、低熱膨張性、耐衝撃性、高温、壁間絶縁信頼性にも優れることから、小型化・薄膜化が要求される多層プリント配線板の中でも、高信頼性が要求される用途に用いることも可能である。   The insulating resin sheet with a glass fiber woven fabric of the present invention can be suitably used for a laminated board, a multilayer printed wiring board comprising the laminated board, and a semiconductor device, but also has a low thermal expansion property, impact resistance, high temperature, wall Since it is excellent in inter-insulation reliability, it can also be used for applications requiring high reliability among multilayer printed wiring boards that are required to be downsized and thinned.

Claims (8)

たて糸とよこ糸から構成されるガラス繊維織布と、絶縁樹脂組成物とからなるガラス繊維織布入り絶縁樹脂シートにおいて、前記ガラス繊維織布をたて糸と垂直方向に任意に切断した時のたて糸中に存在する空隙の個数が、たて糸10万本あたり0.1個以上個以下であり、
前記空隙のたて糸方向の長さが200mm以下であり、
前記ガラス繊維織布は、ガラス中に少なくとも、0.1重量%以上2重量%以下のTiO を含むものであることを特徴とするガラス繊維織布入り絶縁樹脂シート。
In an insulating resin sheet containing a glass fiber woven fabric composed of a warp yarn and a weft yarn and an insulating resin composition, in the warp yarn when the glass fiber woven fabric is arbitrarily cut in a direction perpendicular to the warp yarn the number of existing voids, Ri warp 100,000 0.1 or more three der less per,
The length of the gap in the warp direction is 200 mm or less,
The glass fiber woven fabric, at least in the glass, the glass fiber woven fabric containing an insulating resin sheet, characterized in that containing 2% by weight of TiO 2 0.1% by weight or more.
前記たて糸中に存在する空隙は、ほぼ円柱状であって、各々の空隙の最大直径が、0.01μm以上1.2μm以下である請求項1に記載のガラス繊維織布入り絶縁樹脂シート。 The insulating resin sheet with a glass fiber woven fabric according to claim 1, wherein the voids present in the warp yarn are substantially cylindrical, and the maximum diameter of each void is 0.01 µm or more and 1.2 µm or less. 前記ガラス繊維織布を構成するガラス繊維の線膨張係数が1ppm/℃以上10ppm/℃以下である請求項1または2に記載のガラス繊維織布入り絶縁樹脂シート。 The insulating resin sheet with glass fiber woven fabric according to claim 1 or 2 , wherein the glass fiber constituting the glass fiber woven fabric has a linear expansion coefficient of 1 ppm / ° C to 10 ppm / ° C. 前記ガラス繊維織布の厚さが10μm以上100μm以下、質量が10g/m以上110g/m以下である請求項1ないしのいずれかに記載のガラス繊維織布入り絶縁樹脂シート。 The insulating resin sheet with glass fiber woven fabric according to any one of claims 1 to 3 , wherein the glass fiber woven fabric has a thickness of 10 µm to 100 µm and a mass of 10 g / m 2 to 110 g / m 2 . 前記ガラス繊維織布は、ガラス中に少なくとも、50重量%以上75重量%以下のSiO、5重量%以上30重量%以下のAl、及び20重量%以下のMgOを含むものである請求項1ないしのいずれかに記載のガラス繊維織布入り絶縁樹脂シート。 The glass fiber woven fabric contains at least 50% by weight to 75% by weight SiO 2 , 5% by weight to 30% by weight Al 2 O 3 , and 20% by weight or less MgO in the glass. The insulating resin sheet containing the glass fiber woven fabric according to any one of 1 to 4 . 請求項1ないしのいずれかに記載のガラス繊維織布入り絶縁樹脂シートを1枚以上重ね合わせ、前記ガラス繊維織布入り絶縁樹脂シートの少なくとも一方の外側の面に銅箔を配置して加熱加圧成形してなる積層板。 One or more insulating resin sheets with glass fiber woven fabric according to any one of claims 1 to 5 are overlapped, and a copper foil is disposed on at least one outer surface of the insulating resin sheet with glass fiber woven fabric and heated. A laminated board formed by pressure molding. 請求項1ないしのいずれかに記載のガラス繊維織布入り絶縁樹脂シート及び/または請求項に記載の積層板を用いてなる多層プリント配線板。 A multilayer printed wiring board using the insulating resin sheet with glass fiber woven fabric according to any one of claims 1 to 5 and / or the laminate according to claim 6 . 請求項に記載の多層プリント配線板に半導体素子を搭載してなる半導体装置。 A semiconductor device comprising a semiconductor element mounted on the multilayer printed wiring board according to claim 7 .
JP2007235785A 2007-09-11 2007-09-11 Insulated resin sheet with glass fiber woven fabric, laminated board, multilayer printed wiring board, and semiconductor device Active JP4840303B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007235785A JP4840303B2 (en) 2007-09-11 2007-09-11 Insulated resin sheet with glass fiber woven fabric, laminated board, multilayer printed wiring board, and semiconductor device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007235785A JP4840303B2 (en) 2007-09-11 2007-09-11 Insulated resin sheet with glass fiber woven fabric, laminated board, multilayer printed wiring board, and semiconductor device

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011108953A Division JP2011216892A (en) 2011-05-16 2011-05-16 Insulative resin sheet containing glass woven fabric, laminate plate, multilayer printed wiring board, and semiconductor device

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2009070921A JP2009070921A (en) 2009-04-02
JP2009070921A5 JP2009070921A5 (en) 2011-06-30
JP4840303B2 true JP4840303B2 (en) 2011-12-21

Family

ID=40606892

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007235785A Active JP4840303B2 (en) 2007-09-11 2007-09-11 Insulated resin sheet with glass fiber woven fabric, laminated board, multilayer printed wiring board, and semiconductor device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4840303B2 (en)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011225777A (en) * 2010-04-22 2011-11-10 Sumitomo Bakelite Co Ltd Prepreg, its manufacturing method and laminated board
JP2014046493A (en) * 2012-08-30 2014-03-17 Sumitomo Bakelite Co Ltd Laminate and production method of laminate
US10029443B2 (en) * 2013-11-29 2018-07-24 Nitto Boseki Co., Ltd. Glass fiber fabric-resin composition laminate

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0985891A (en) * 1995-09-25 1997-03-31 Shin Kobe Electric Mach Co Ltd Manufacture of laminated board, manufacture of prepreg for the laminated board and glass woven fabric for the laminated board
JPH09133710A (en) * 1995-11-10 1997-05-20 Hitachi Chem Co Ltd Jig for inspection of semiconductor device
JPH11163227A (en) * 1997-11-26 1999-06-18 Ngk Spark Plug Co Ltd Relay board
JP4200250B2 (en) * 1999-10-26 2008-12-24 パナソニック電工株式会社 Epoxy resin composition, prepreg, metal foil with resin and laminate
JP4244605B2 (en) * 2001-09-28 2009-03-25 日東紡績株式会社 Glass composition for glass fiber
JP2003321247A (en) * 2002-05-07 2003-11-11 Nitto Boseki Co Ltd Glass composition for glass fiber
JP4087722B2 (en) * 2003-02-21 2008-05-21 ユニチカ株式会社 Low-mass glass cloth for printed wiring boards
JP2004115368A (en) * 2003-10-31 2004-04-15 Nitto Boseki Co Ltd Method for manufacturing glass fiber, glass fiber, glass fiber braid, glass fiber reinforced resin and printed wiring board
JP2005281663A (en) * 2004-03-04 2005-10-13 Hitachi Chem Co Ltd Prepreg and metal foil-clad laminate and printed circuit board using the same

Also Published As

Publication number Publication date
JP2009070921A (en) 2009-04-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5493853B2 (en) Epoxy resin composition, prepreg, laminate, multilayer printed wiring board, semiconductor device, insulating resin sheet, and method for producing multilayer printed wiring board
US8357859B2 (en) Insulating resin sheet laminate and multi-layer printed circuit board including insulating resin sheet laminate
JP5533657B2 (en) Laminate board, circuit board and semiconductor device
JP2010174242A (en) Biphenyl aralkyl type cyanate ester resin, resin composition containing biphenyl aralkyl type cyanate ester resin, and prepreg, laminated plate, resin sheet, multilayer printed wiring board, and semiconductor device obtained using the resin composition
JPWO2008093579A1 (en) LAMINATE, BOARD MANUFACTURING METHOD, SUBSTRATE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
JP2009007469A (en) Resin composition, prepreg, laminate and semiconductor device
JP5157103B2 (en) Prepreg, substrate and semiconductor device
JP5696786B2 (en) Prepreg, laminated board, semiconductor package, and laminated board manufacturing method
JP5737028B2 (en) Pre-preg for printed wiring board, laminated board, printed wiring board, and semiconductor package
JP5515225B2 (en) Multilayer printed wiring board and semiconductor device
JP2012131946A (en) Resin composition for printed wiring board, prepreg, laminate, resin sheet, printed wiring board, and semiconductor device
JP5245253B2 (en) Resin composition, insulating resin sheet with film or metal foil, multilayer printed wiring board, and semiconductor device
JP4840303B2 (en) Insulated resin sheet with glass fiber woven fabric, laminated board, multilayer printed wiring board, and semiconductor device
JP5732729B2 (en) Resin composition for wiring board and resin sheet for wiring board
JP2011099072A (en) Resin composition, insulating layer, prepreg, laminate, print wiring board and semiconductor device
JP2009067852A (en) Insulation resin sheet impregnated with glass fiber woven fabric, laminated plate, multilayered printed wiring board, and semiconductor device
JP2004277671A (en) Prepreg and printed circuit board using the same
JP5448414B2 (en) Resin composition, prepreg, laminate, multilayer printed wiring board, and semiconductor device
JP5194423B2 (en) Resin composition, prepreg, laminate, and semiconductor device
JP5929639B2 (en) Cyanate ester compound, resin composition, prepreg, laminate, resin sheet, multilayer printed wiring board, and semiconductor device
JP2012158645A (en) Epoxy resin composition for printed wiring board, prepreg, metal-clad laminate, resin sheet, printed wiring board, and semiconductor device
JP5493524B2 (en) Glass cloth, prepreg manufacturing method, prepreg and laminate
JP2011216892A (en) Insulative resin sheet containing glass woven fabric, laminate plate, multilayer printed wiring board, and semiconductor device
JP2011179001A (en) Prepreg, circuit board and semiconductor device
JP2011195644A (en) Cyanate resin composition for laminated board, prepreg, metal-clad laminate, printed wiring board, and semiconductor device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20091214

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20110405

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110516

A871 Explanation of circumstances concerning accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871

Effective date: 20110516

A975 Report on accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005

Effective date: 20110610

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110621

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110818

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110906

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110919

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4840303

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141014

Year of fee payment: 3