JP2011099072A - Resin composition, insulating layer, prepreg, laminate, print wiring board and semiconductor device - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a low elastic, low thermal expandable, and low hygroscopic resin composition, and to provide insulating layers, prepregs, laminates, print wiring boards and semiconductor devices each provided with low elasticity, low thermal expansion, and low hygroscopicity by using the resin composition. <P>SOLUTION: The resin composition contains (A) a thermosetting resin and (B) particles having vacancies inside. The incorporation of the particles having vacancies inside (B) provides the resin composition with low elasticity, low thermal expansion, and low hygroscopicity. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、低弾性及び低熱膨張性に優れた樹脂組成物に関する。また、前記樹脂組成物を用いた、絶縁層、プリプレグ、積層板、プリント配線板および半導体装置に関する。   The present invention relates to a resin composition excellent in low elasticity and low thermal expansion. The present invention also relates to an insulating layer, a prepreg, a laminated board, a printed wiring board, and a semiconductor device using the resin composition.

半導体の分野では高密度実装技術の進歩から従来の面実装からエリア実装に移行していくトレンドが進行し、BGAやCSPなど新しいパッケージが登場、増加しつつある。そのため、以前にもましてインターポーザ用リジッド基板が注目されるようになっている。   In the field of semiconductors, a trend of shifting from conventional surface mounting to area mounting is progressing due to progress in high-density mounting technology, and new packages such as BGA and CSP are appearing and increasing. Therefore, the rigid substrate for interposers has been attracting more attention than before.

さらに近年、電子機器の高機能化等の要求に伴い、電子部品の高密度集積化、更には高密度実装化等が進んでいる。そのため、これらに使用される高密度実装対応のプリント配線板等は、従来にも増して、小型化かつ高密度化が進んでいる。これに伴い、プリント配線板の薄型化が要求されるため、基板の反りが問題となった。これを抑制すべく、プリント配線板材料の高弾性化が検討されている(例えば、特許文献1参照)。しかしながら、材料の高弾性化に伴い、高温高湿といった過酷な条件下では、クラックが生じ易いといった問題が生じた。   Further, in recent years, along with demands for higher functionality of electronic devices, electronic components have been integrated with higher density and further mounted with higher density. For this reason, printed wiring boards and the like for high-density mounting used for these are becoming smaller and higher in density than ever before. Along with this, since the printed wiring board is required to be thin, warping of the substrate has become a problem. In order to suppress this, increasing the elasticity of printed wiring board materials has been studied (for example, see Patent Document 1). However, with the increase in elasticity of materials, there has been a problem that cracks are likely to occur under severe conditions such as high temperature and high humidity.

一方、耐クラック性を改善するために、低弾性、高耐熱性のプリント配線板材料の検討も行われている(例えば、特許文献2参照)。しかしながら、前述の通り、基板の弾性率の低下に伴い反りが生じやすくなるため、プリント配線板材料を低弾性化した場合、併せて、低熱膨張性を有することが必要とされている。   On the other hand, in order to improve the crack resistance, a printed circuit board material having low elasticity and high heat resistance has been studied (for example, see Patent Document 2). However, as described above, warpage is likely to occur with a decrease in the elastic modulus of the substrate. Therefore, when the printed wiring board material is made low elastic, it is necessary to have low thermal expansion.

特開2004−231847号公報JP 2004-231847 A 特開2006−22309号公報JP 2006-22309 A

本発明は、低弾性、低熱膨張性および低吸湿性に優れた樹脂組成物を提供することである。
また、前記樹脂組成物を用いることにより、低弾性、低熱膨張性および低吸湿性に優れた絶縁層、プリプレグ、積層板、プリント配線板および半導体装置を提供することである。
The present invention is to provide a resin composition excellent in low elasticity, low thermal expansibility and low hygroscopicity.
Another object of the present invention is to provide an insulating layer, a prepreg, a laminate, a printed wiring board, and a semiconductor device that are excellent in low elasticity, low thermal expansion, and low hygroscopicity by using the resin composition.

このような目的は、下記(1)〜(13)の本発明により達成される。
(1)熱硬化性樹脂(A)と、内部に空孔を有する粒子(B)とを含むことを特徴とする樹脂組成物。
(2)前記内部に空孔を有する粒子(B)は、多孔質の粒子(B1)の周囲が被覆層(B2)で覆われているものである前記(1)に記載の樹脂組成物。
(3)前記多孔質の粒子(B1)は、無機化合物である前記(2)に記載の樹脂組成物。
(4)前記無機化合物は、シリカである前記(3)に記載の樹脂組成物。
(5)前記被覆層(B2)は、無機化合物である前記(2)乃至(4)のいずれかに記載の樹脂組成物。
(6)前記被覆層(B2)は、有機ケイ素化合物及び/又はその重合体である前記(2)乃至 (5)のいずれかに記載の樹脂組成物。
(7)前記熱硬化性樹脂(A)は、エポキシ樹脂、シアネートエステル樹脂およびフェノール樹脂からなる群より選ばれた少なくとも1種以上を含むものである前記(1)乃至(6)のいずれかに記載の樹脂組成物。
(8)前記(1)乃至(7)のいずれかに記載の樹脂組成物を熱硬化させて得られることを特徴とする絶縁層。
(9)前記(1)乃至(7)のいずれかに記載の樹脂組成物を基材に含浸させて得られることを特徴とするプリプレグ。
(10)前記(9)に記載のプリプレグを1枚又は2枚以上重ね合わせ、少なくとも一方の外側の面に金属箔を配置して、加熱加圧成形して得られることを特徴とする積層板。
(11)前記(8)に記載の絶縁層を用いて得られることを特徴とするプリント配線板。
(12)前記(10)に記載の積層板を用いて得られることを特徴とするプリント配線板。
(13)前記(11)又は(12)に記載のプリント配線板を用いて得られることを特徴とする半導体装置。
Such an object is achieved by the present inventions (1) to (13) below.
(1) A resin composition comprising a thermosetting resin (A) and particles (B) having pores therein.
(2) The resin composition according to (1), wherein the particles (B) having pores therein are those in which the periphery of the porous particles (B1) is covered with a coating layer (B2).
(3) The resin composition according to (2), wherein the porous particle (B1) is an inorganic compound.
(4) The resin composition according to (3), wherein the inorganic compound is silica.
(5) The resin composition according to any one of (2) to (4), wherein the coating layer (B2) is an inorganic compound.
(6) The resin composition according to any one of (2) to (5), wherein the coating layer (B2) is an organosilicon compound and / or a polymer thereof.
(7) The thermosetting resin (A) includes at least one selected from the group consisting of an epoxy resin, a cyanate ester resin, and a phenol resin, according to any one of (1) to (6). Resin composition.
(8) An insulating layer obtained by thermosetting the resin composition according to any one of (1) to (7).
(9) A prepreg obtained by impregnating a base material with the resin composition according to any one of (1) to (7).
(10) A laminate obtained by superposing one or more prepregs according to (9) above, placing a metal foil on at least one outer surface, and heat-pressing the laminate. .
(11) A printed wiring board obtained by using the insulating layer according to (8).
(12) A printed wiring board obtained by using the laminated board according to (10).
(13) A semiconductor device obtained by using the printed wiring board according to (11) or (12).

本発明によれば、低弾性、低熱膨張性および低吸湿性に優れた樹脂組成物を提供することができる。
また、前記樹脂組成物を用いることにより、低弾性、低熱膨張性および低吸湿性に優れた絶縁層、プリプレグ、積層板、プリント配線板および半導体装置を提供することができる。
According to the present invention, it is possible to provide a resin composition excellent in low elasticity, low thermal expansibility, and low hygroscopicity.
In addition, by using the resin composition, it is possible to provide an insulating layer, a prepreg, a laminated board, a printed wiring board, and a semiconductor device that are excellent in low elasticity, low thermal expansion, and low hygroscopicity.

以下、本発明の樹脂組成物、絶縁層、プリプレグ、積層板、プリント配線板および半導体装置について説明する。   Hereinafter, the resin composition, insulating layer, prepreg, laminate, printed wiring board and semiconductor device of the present invention will be described.

本発明の樹脂組成物は、熱硬化性樹脂(A)と、内部に空孔を有する粒子(B)とを含むことを特徴とする。
また、本発明の絶縁層は、前記樹脂組成物を熱硬化して得られることを特徴とする。
また、本発明のプリプレグは、前記樹脂組成物で構成されることを特徴とする。
また、本発明の積層板は、前記プリプレグを1枚又は2枚以上重ね合わせ、少なくとも一方の外側の面に金属箔を配置して、加熱加圧成形して得られることを特徴とする。
また、本発明のプリント配線板は、前記絶縁層を用いて得られることを特徴とする。
また、本発明の半導体装置は、前記プリント配線板を用いて得られることを特徴とする。
The resin composition of the present invention comprises a thermosetting resin (A) and particles (B) having pores therein.
The insulating layer of the present invention is obtained by thermosetting the resin composition.
Moreover, the prepreg of the present invention is characterized by comprising the resin composition.
In addition, the laminated board of the present invention is obtained by stacking one or two or more of the prepregs, placing a metal foil on at least one outer surface, and heating and pressing.
Moreover, the printed wiring board of the present invention is obtained using the insulating layer.
The semiconductor device of the present invention is obtained using the printed wiring board.

まず、樹脂組成物について説明する。前記樹脂組成物は、熱硬化性樹脂(A)と、内部に空孔を有する粒子(B)とを含む。   First, the resin composition will be described. The resin composition includes a thermosetting resin (A) and particles (B) having pores therein.

前記熱硬化性樹脂(A)としては、特に限定されないが、例えば、エポキシ樹脂、シアネートエステル樹脂、キシレン樹脂、グアナミン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、ビニルエステル樹脂、フェノール樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリイミド、ポリウレタン、マレイン樹脂、メラミン樹脂等のトリアジン環を有する樹脂、ユリア樹脂及びエポキシアクリレート、不飽和ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコーン樹脂、ベンゾオキサジン環を有する樹脂およびシアネート樹脂等が挙げられる。これらの中でも、前記熱硬化性樹脂(A)は、耐熱性、電気特性、コスト面で優れていることから、エポキシ樹脂、シアネートエステル樹脂およびフェノール樹脂からなる群より選ばれた少なくとも1種以上であることが特に好ましい。
これらの中の1種類を単独で用いることもできるし、異なる重量平均分子量を有する2種類以上を併用したり、1種類または2種類以上と、それらのプレポリマーを併用したりすることもできる。
The thermosetting resin (A) is not particularly limited. For example, epoxy resin, cyanate ester resin, xylene resin, guanamine resin, diallyl phthalate resin, vinyl ester resin, phenol resin, unsaturated polyester resin, polyimide, polyurethane Resins having a triazine ring such as maleic resin, melamine resin, urea resin and epoxy acrylate, unsaturated polyester resin, bismaleimide resin, polyurethane resin, diallyl phthalate resin, silicone resin, resin having benzoxazine ring and cyanate resin Can be mentioned. Among these, since the thermosetting resin (A) is excellent in heat resistance, electrical characteristics, and cost, it is at least one selected from the group consisting of epoxy resins, cyanate ester resins, and phenol resins. It is particularly preferred.
One of these can be used alone, or two or more having different weight average molecular weights can be used in combination, or one or two or more of these prepolymers can be used in combination.

これらの前記熱硬化性樹脂(A)の中で、エポキシ樹脂は、積層板用材料として広く用いられているように、高耐熱性であり、絶縁性、絶縁信頼性に優れ、かつ低価格であるため好ましい。
前記エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールE型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、ビスフェノールM型エポキシ樹脂、ビスフェノールP型エポキシ樹脂、ビスフェノールZ型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、キシリレン型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂等のアリールアルキレン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、フェノキシ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ノルボルネン型エポキシ樹脂、アダマンタン型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂等が挙げられる。
これらの中の1種類を単独で用いることもできるし、異なる重量平均分子量を有する2種類以上を併用したり、1種類または2種類以上と、それらのプレポリマーを併用したりすることもできる。
Among these thermosetting resins (A), the epoxy resin has high heat resistance, is excellent in insulation and insulation reliability, and is inexpensive, as widely used as a laminated board material. This is preferable.
Examples of the epoxy resin include bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol E type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, bisphenol M type epoxy resin, bisphenol P type epoxy resin, and bisphenol Z type epoxy resin. Bisphenol type epoxy resins, phenol novolac type epoxy resins, cresol novolac epoxy resins and other novolac type epoxy resins, biphenyl type epoxy resins, xylylene type epoxy resins, biphenyl aralkyl type epoxy resins and other aryl alkylene type epoxy resins, naphthalene type epoxy resins , Anthracene type epoxy resin, phenoxy type epoxy resin, dicyclopentadiene type epoxy resin, norbornene type epoxy resin, adamanta Type epoxy resins, fluorene type epoxy resins and the like.
One of these can be used alone, or two or more having different weight average molecular weights can be used in combination, or one or two or more of these prepolymers can be used in combination.

また、これらの前記熱硬化性樹脂(A)の中で、シアネートエステル樹脂は、絶縁層の熱膨張率を小さくすることができ、さらに、絶縁層の電気特性(低誘電率、低誘電正接)、機機械強度等にも優れるため好ましい。
前記シアネートエステル樹脂は、例えば、ハロゲン化シアン化合物とフェノール類とを反応させ、必要に応じて加熱等の方法でプレポリマー化することにより得ることができる。具体的には、ノボラック型シアネート樹脂、ビスフェノールA型シアネート樹脂、ビスフェノールE型シアネート樹脂、テトラメチルビスフェノールF型シアネート樹脂等のビスフェノール型シアネート樹脂等を挙げることができる。これらの中でもノボラック型シアネート樹脂が好ましい。これにより、架橋密度増加による耐熱性向上と、樹脂組成物等の難燃性を向上することができる。ノボラック型シアネート樹脂は、硬化反応後にトリアジン環を形成するからである。さらに、ノボラック型シアネート樹脂は、その構造上ベンゼン環の割合が高く、炭化しやすいためと考えられる。さらに、絶縁層を厚さ0.5mm以下にした場合であっても、作製した絶縁層に優れた剛性を付与することができる。特に加熱時における剛性に優れるので、半導体素子実装時の信頼性にも特に優れる。
Among these thermosetting resins (A), the cyanate ester resin can reduce the thermal expansion coefficient of the insulating layer, and further, the electrical characteristics of the insulating layer (low dielectric constant, low dielectric loss tangent). It is preferable because of excellent mechanical strength.
The cyanate ester resin can be obtained, for example, by reacting a halogenated cyanide compound with a phenol and prepolymerizing it by a method such as heating as necessary. Specific examples include bisphenol type cyanate resins such as novolac type cyanate resin, bisphenol A type cyanate resin, bisphenol E type cyanate resin, and tetramethylbisphenol F type cyanate resin. Among these, novolac type cyanate resin is preferable. Thereby, the heat resistance improvement by a crosslinking density increase and flame retardance, such as a resin composition, can be improved. This is because the novolac-type cyanate resin forms a triazine ring after the curing reaction. Furthermore, it is considered that novolak-type cyanate resin has a high benzene ring ratio due to its structure and is easily carbonized. Furthermore, even when the insulating layer has a thickness of 0.5 mm or less, excellent rigidity can be imparted to the manufactured insulating layer. In particular, since the rigidity during heating is excellent, the reliability when mounting a semiconductor element is also particularly excellent.

前記ノボラック型シアネート樹脂としては、例えば下記式(1)で示されるものを使用することができる。   As said novolak-type cyanate resin, what is shown by following formula (1) can be used, for example.

前記式(1)で示されるノボラック型シアネート樹脂の平均繰り返し単位nは、特に限定されないが、1〜10が好ましく、特に2〜7が好ましい。平均繰り返し単位nが前記下限値未満であるとノボラック型シアネート樹脂は耐熱性が低下し、加熱時に低量体が脱離、揮発する場合がある。また、平均繰り返し単位nが前記上限値を超えると溶融粘度が高くなりすぎ、プリプレグに用いた場合成形性が低下することがある。   The average repeating unit n of the novolak cyanate resin represented by the formula (1) is not particularly limited, but is preferably 1 to 10, and particularly preferably 2 to 7. When the average repeating unit n is less than the lower limit, the novolak cyanate resin has low heat resistance, and the low-mer may be desorbed and volatilized during heating. Moreover, when average repeating unit n exceeds the said upper limit, melt viscosity will become high too much, and when it uses for a prepreg, a moldability may fall.

前記シアネートエステル樹脂の重量平均分子量は、特に限定されないが、重量平均分子量500〜4,500が好ましく、特に600〜3,000が好ましい。重量平均分子量が前記下限値未満であるとプリプレグを作製した場合にタック性が生じ、プリプレグ同士が接触したとき互いに付着したり、樹脂の転写が生じたりする場合がある。また、重量平均分子量が前記上限値を超えると反応が速くなりすぎ、絶縁層に用いた場合に、成形不良が生じたり、層間ピール強度が低下したりすることがある。
前記シアネートエステル樹脂等の重量平均分子量は、例えばGPC(ゲルパーミエーションクロマトグラフィー、標準物質:ポリスチレン換算)で測定することができる。
Although the weight average molecular weight of the cyanate ester resin is not particularly limited, a weight average molecular weight of 500 to 4,500 is preferable, and 600 to 3,000 is particularly preferable. When the prepreg is produced when the weight average molecular weight is less than the lower limit, tackiness may occur, and when the prepregs come into contact with each other, they may adhere to each other or transfer of the resin may occur. In addition, when the weight average molecular weight exceeds the upper limit, the reaction becomes too fast, and when used in an insulating layer, molding defects may occur or the interlayer peel strength may be lowered.
The weight average molecular weight of the cyanate ester resin or the like can be measured by, for example, GPC (gel permeation chromatography, standard substance: converted to polystyrene).

また、特に限定されないが、前記シアネートエステル樹脂は、1種類を単独で用いることもできるし、異なる重量平均分子量を有する2種類以上を併用したり、1種類または2種類以上と、それらのプレポリマーを併用したりすることもできる。   Further, although not particularly limited, the cyanate ester resin can be used alone or in combination of two or more having different weight average molecular weights, or one or two or more prepolymers thereof. Can also be used together.

前記シアネートエステル樹脂の含有量は、特に限定されないが、前記樹脂組成物または前記樹脂層の5〜50重量部が好ましく、特に20〜40重量部が好ましい。含有量が前記下限値未満であるとプリプレグを形成するのが困難となる場合があり、前記上限値を超えるとプリプレグや樹脂層の強度が低下する場合がある。   Although content of the said cyanate ester resin is not specifically limited, 5-50 weight part of the said resin composition or the said resin layer is preferable, and 20-40 weight part is especially preferable. When the content is less than the lower limit, it may be difficult to form a prepreg, and when the content exceeds the upper limit, the strength of the prepreg or the resin layer may be reduced.

また、これらの前記熱硬化性樹脂(A)の中で、フェノール樹脂は、耐熱性と打抜性が向上するため好ましい。前記フェノール樹脂としては、特に限定されないが、フェノール樹脂としては、ノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、アリールアルキレン型フェノール樹脂等が挙げられる。これらの中でもアリールアルキレン型フェノール樹脂が好ましい。これにより、さらに耐熱性を向上させることができる。前記アリールアルキレン型フェノール樹脂としては、例えばキシリレン型フェノール樹脂、ビフェニルジメチレン型フェノール樹脂等が挙げられる。ビフェニルジメチレン型フェノール樹脂は、例えば下記式(2)で示すことができる。   Among these thermosetting resins (A), a phenol resin is preferable because heat resistance and punchability are improved. The phenol resin is not particularly limited, and examples of the phenol resin include novolac-type phenol resins, resol-type phenol resins, and arylalkylene-type phenol resins. Among these, arylalkylene type phenol resins are preferable. Thereby, heat resistance can be improved further. Examples of the aryl alkylene type phenol resin include a xylylene type phenol resin and a biphenyl dimethylene type phenol resin. A biphenyl dimethylene type phenol resin can be shown, for example by following formula (2).

式(2)で示されるビフェニルジメチレン型フェノール樹脂のnは、特に限定されないが、1〜12が好ましく、特に2〜8が好ましい。これより少ないと耐熱性が低下する場合がある。また、これより多いと他の樹脂との相溶性が低下し、作業性が悪くなる場合があるため好ましくない。前述のシアネート樹脂及び/またはそのプレポリマー(特にノボラック型シアネート樹脂)とアリールアルキレン型フェノール樹脂との組合せにより、架橋密度をコントロールし、金属と樹脂との密着性を向上することができる。   Although n of the biphenyl dimethylene type | mold phenol resin shown by Formula (2) is not specifically limited, 1-12 are preferable and 2-8 are especially preferable. If it is less than this, the heat resistance may decrease. Moreover, when more than this, since compatibility with other resin falls and workability | operativity may worsen, it is unpreferable. The combination of the aforementioned cyanate resin and / or prepolymer thereof (particularly a novolac type cyanate resin) and an arylalkylene type phenol resin can control the crosslink density and improve the adhesion between the metal and the resin.

前記フェノール樹脂の含有量は、特に限定されないが、樹脂組成物全体の1〜55重量%が好ましく、特に5〜40重量%が好ましい。フェノール樹脂が前記下限値未満では耐熱性が低下する場合があり、前記上限値を超えると低熱膨張の特性が損なわれる場合がある。前記フェノール樹脂の重量平均分子量は、特に限定されないが、重量平均分子量400〜18,000が好ましく、特に500〜15,000が好ましい。重量平均分子量が前記下限値未満だとプリプレグにタック性が生じるなどの問題が起こる場合が有り、前記上限値を超えるとプリプレグ作製時、基材への含浸性が低下し、均一な製品が得られないなどの問題が起こる場合がある。    Although content of the said phenol resin is not specifically limited, 1 to 55 weight% of the whole resin composition is preferable, and 5 to 40 weight% is especially preferable. When the phenol resin is less than the lower limit value, the heat resistance may be lowered, and when the upper limit value is exceeded, the characteristics of low thermal expansion may be impaired. The weight average molecular weight of the phenol resin is not particularly limited, but a weight average molecular weight of 400 to 18,000 is preferable, and 500 to 15,000 is particularly preferable. If the weight average molecular weight is less than the lower limit, problems such as tackiness may occur in the prepreg, and if the upper limit is exceeded, the impregnation property to the base material is reduced during preparation of the prepreg, and a uniform product is obtained. Problems such as inability to occur.

前記樹脂組成物は、内部に空孔を有する粒子(B)を含む。これにより、内部に空孔を有する粒子(B)中の空孔により、前記樹脂組成物の空隙率も高くなるため、前記樹脂組成物を用いて得られる絶縁層、プリプレグ、積層板およびプリント配線板に低弾性を付与することができる。前記内部に空孔を有する粒子(B)の形状としては、特に限定されないが、例えば、内部が空洞になっている粒子、多孔質の粒子(B1)の周囲が被覆層(B2)で覆われている粒子等が挙げられる。これらの中でも、多孔質の粒子(B1)の周囲が被覆層(B2)で覆われている粒子が特に好ましい。これにより、前記内部に空孔を有する粒子(B)の空孔内部への水の吸着を被覆層(B2)により防ぐことができるため、前記樹脂組成物の吸湿性をより低下することができ、さらに耐熱性を向上することができる。また、前記樹脂組成物の圧縮強度を低下することができる。具体的には、前記樹脂組成物の成形品に対し、穴あけ、切断等の加工を行う際に、内部に空孔を有することにより粒子を容易に砕くことができるため、ドリル加工性、切断加工性に優れた絶縁層、プリプレグ、積層板およびプリント配線板を得ることができる。   The resin composition includes particles (B) having pores therein. As a result, the voids in the particles (B) having voids therein also increase the porosity of the resin composition. Therefore, an insulating layer, a prepreg, a laminate, and a printed wiring obtained using the resin composition Low elasticity can be imparted to the plate. The shape of the particle (B) having pores in the inside is not particularly limited. For example, the particle having a hollow inside and the periphery of the porous particle (B1) are covered with the coating layer (B2). Particles and the like. Among these, particles in which the periphery of the porous particles (B1) is covered with the coating layer (B2) are particularly preferable. Thereby, since the adsorption | suction of the water to the inside of a void | hole of the particle | grains (B) which have a void | hole in the said inside can be prevented by a coating layer (B2), the hygroscopic property of the said resin composition can be reduced more. Furthermore, heat resistance can be improved. Moreover, the compressive strength of the resin composition can be reduced. Specifically, when processing such as drilling and cutting the molded product of the resin composition, particles can be easily crushed by having pores inside, so that drillability, cutting processing Insulating layers, prepregs, laminates and printed wiring boards having excellent properties can be obtained.

前記多孔質の粒子(B1)の形状としては、特に限定されないが、多孔性物質の粒子、繊維状材料の粒子、不均一な形状・大きさの微粒子を凝集させて形成された粒子、テンプレート剤を含む組成物により形成された粒子であって、焼成等によってテンプレート剤を除去し表面及び内部に複数の空孔が生じた粒子等が挙げられる。これらの中でも、前記樹脂組成物の成形品に低弾性を付与するため、特に不均一な形状・大きさの微粒子を凝集させて形成された粒子が好ましい。   The shape of the porous particles (B1) is not particularly limited, but is formed by agglomerating particles of porous material, particles of fibrous material, fine particles of non-uniform shape / size, template agent And particles having a plurality of pores formed on the surface and inside thereof by removing the template agent by firing or the like. Among these, in order to give low elasticity to the molded article of the resin composition, particles formed by agglomerating fine particles having non-uniform shapes and sizes are particularly preferable.

前記多孔質の粒子(B1)の材質としては、特に限定されないが、炭素繊維、カーボンナノチューブ、黒鉛等の有機化合物、タルク、アルミナ、ガラス、シリカ、水酸化アルミニウム等の無機化合物が挙げられる。これらの中でも、難燃性が高いため、特に無機化合物がより好ましい。さらに、低熱膨張性を有するため、シリカが特に好ましい。   The material of the porous particles (B1) is not particularly limited, and examples thereof include organic compounds such as carbon fiber, carbon nanotube, and graphite, and inorganic compounds such as talc, alumina, glass, silica, and aluminum hydroxide. Among these, since the flame retardancy is high, an inorganic compound is particularly preferable. Furthermore, silica is particularly preferable because of its low thermal expansion.

前記被覆層(B2)としては、特に限定されないが、ゴム、ポリマー等の有機化合物、有機ケイ素化合物及び/又はその重合体、チタン、アルミナ、シリカ等の無機化合物等が挙げられる。これらの中でも、難燃性が高いため、無機化合物がより好ましい。さらに、前記多孔質の粒子(B1)の材質をシリカとした場合、前記多孔質の粒子(B1)との親和性が高く密着性が高い点、または、被覆時の作業性が高い点から、有機ケイ素化合物及び/又はその重合体が特に好ましい。   Although it does not specifically limit as said coating layer (B2), Organic compounds, such as rubber | gum and a polymer, an organic silicon compound and / or its polymer, inorganic compounds, such as titanium, an alumina, a silica, etc. are mentioned. Among these, since the flame retardancy is high, an inorganic compound is more preferable. Furthermore, when the material of the porous particles (B1) is silica, from the point of high affinity and high adhesion with the porous particles (B1), or high workability at the time of coating, Organosilicon compounds and / or polymers thereof are particularly preferred.

前記被覆層(B2)は、有機ケイ素化合物を溶媒中に添加し、有機ケイ素化合物及び/又はその重合体で、前記多孔質の粒子(B1)を被覆、焼成することにより、表面を無孔質化したものを用いることによって、高絶縁信頼性、低熱膨張性の積層板を作製することができる。   The coating layer (B2) has a nonporous surface by adding an organosilicon compound in a solvent, coating the porous particles (B1) with an organosilicon compound and / or a polymer thereof, and firing the resultant. By using such a laminated plate, a laminate having high insulation reliability and low thermal expansion can be produced.

前記内部に空孔を有する粒子(B)の平均粒径は、特に限定されないが、0.01〜8μmが好ましく、特に0.2〜3μmが好ましい。前記内部に空孔を有する粒子(B)の粒径が前記下限値より小さいとワニスの粘度が高くなるため、プリプレグ作製時の作業性に影響を与える場合がある。また、前記上限値より高いと、ワニス中で前記内部に空孔を有する粒子(B)の沈降等の現象が起こるため望ましくない。
更に平均粒径5μm以下の球状溶融シリカが好ましく、特に平均粒径2μm以下の球状溶融シリカが好ましい。これにより、前記内部に空孔を有する粒子(B)の充填性を向上させることができる。
The average particle diameter of the particles (B) having pores therein is not particularly limited, but is preferably 0.01 to 8 μm, particularly preferably 0.2 to 3 μm. If the particle diameter of the particles (B) having pores in the interior is smaller than the lower limit, the viscosity of the varnish becomes high, which may affect the workability at the time of preparing the prepreg. Moreover, when higher than the said upper limit, phenomena, such as sedimentation of the particle | grains (B) which have a void | hole inside the said varnish, will arise, and it is not desirable.
Further, spherical fused silica having an average particle size of 5 μm or less is preferable, and spherical fused silica having an average particle size of 2 μm or less is particularly preferable. Thereby, the filling property of the particles (B) having pores in the interior can be improved.

前記内部に空孔を有する粒子(B)の含有量は、樹脂組成物全体の10〜75重量%が好ましく、特に15〜70重量%が好ましい。前記内部に空孔を有する粒子(B)が前記範囲内であると、前記樹脂組成物に、低熱膨張性、低吸湿性を付与することができる。また、特に限定されないが、前記内部に空孔を有する粒子(B)は、1種類を単独で用いることもできるし、異なる種類の前記内部に空孔を有する粒子(B)2種類以上を併用しても良いし、内部に空孔を有しない粒子と併用することもできる。   The content of the particles (B) having pores therein is preferably 10 to 75% by weight, particularly preferably 15 to 70% by weight, based on the entire resin composition. When the particles (B) having pores in the interior are within the above range, the resin composition can be imparted with low thermal expansion and low hygroscopicity. In addition, although not particularly limited, the particles (B) having pores in the interior can be used alone or in combination of two or more different types of particles (B) having pores in the interior. Alternatively, it may be used in combination with particles that do not have pores inside.

本発明の樹脂組成物では、必要に応じて、カップリング剤、硬化促進剤等の添加物を、特性を損なわない範囲で添加することができる。   In the resin composition of this invention, additives, such as a coupling agent and a hardening accelerator, can be added in the range which does not impair a characteristic as needed.

次に、絶縁層について説明する。
本発明の絶縁層としては、特に限定されないが、ビルトアップ、プリプレグ、樹脂付キャリア材、硬化膜、保護膜、絶縁膜、樹脂付きキャリア材料および後述するプリント配線板の絶縁層等が挙げられる。これらの絶縁層は、前記樹脂組成物を基材に、含浸又は塗布することにより、作製することができる。
Next, the insulating layer will be described.
The insulating layer of the present invention is not particularly limited, and examples thereof include built-up, prepreg, resin-attached carrier material, cured film, protective film, insulating film, resin-attached carrier material, and an insulating layer of a printed wiring board described later. These insulating layers can be produced by impregnating or applying the resin composition to a substrate.

次に、プリプレグについて説明する。
本発明のプリプレグは、上記樹脂組成物を基材に含浸してなるものである。これにより、耐熱性、低膨張性および難燃性に優れたプリプレグを得ることができる。
前記基材としては、例えばガラス織布、ガラス不繊布、ガラスペーパー等のガラス繊維基材、紙、アラミド、ポリエステル、芳香族ポリエステル、フッ素樹脂等の合成繊維等からなる織布や不織布、金属繊維、カーボン繊維、鉱物繊維等からなる織布、不織布、マット類等が挙げられる。これらの基材は単独又は混合して使用してもよい。これらの中でも、プリプレグの剛性、寸法安定性を向上することができるため、ガラス繊維基材が好ましい。
Next, the prepreg will be described.
The prepreg of the present invention is obtained by impregnating a base material with the resin composition. Thereby, the prepreg excellent in heat resistance, low expansibility, and a flame retardance can be obtained.
Examples of the base material include glass fiber base materials such as glass woven fabric, glass non-woven fabric, and glass paper, woven fabric and non-woven fabric made of synthetic fibers such as paper, aramid, polyester, aromatic polyester, and fluororesin, and metal fibers. Woven fabrics, nonwoven fabrics, mats and the like made of carbon fibers, mineral fibers, and the like. These substrates may be used alone or in combination. Among these, since the rigidity and dimensional stability of a prepreg can be improved, a glass fiber base material is preferable.

前記樹脂組成物を前記基材に含浸させる方法は、例えば基材を樹脂ワニスに浸漬する方法、各種コーターにより塗布する方法、スプレーによる吹き付ける方法等が挙げられる。これらの中でも、基材に対する樹脂組成物の含浸性を向上することができるため、基材を樹脂ワニスに浸漬する方法が好ましい。なお、基材を樹脂ワニスに浸漬する場合、通常の含浸塗布設備を使用することができる。   Examples of the method for impregnating the base material with the resin composition include a method of immersing the base material in a resin varnish, a method of applying with various coaters, and a spraying method. Among these, since the impregnation property of the resin composition with respect to the base material can be improved, a method of immersing the base material in the resin varnish is preferable. In addition, when a base material is immersed in a resin varnish, a normal impregnation coating equipment can be used.

前記樹脂ワニスに用いられる溶媒は、前記樹脂組成物に対して良好な溶解性を示すことが望ましいが、悪影響を及ぼさない範囲で貧溶媒を使用しても構わない。良好な溶解性を示す溶媒としては、例えばアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、N-メチルピロリドン等が挙げられる。
前記樹脂ワニスの固形分は、特に限定されないが、前記樹脂組成物の固形分30〜80重量%が好ましく、特に40〜70重量%が好ましい。これにより、樹脂ワニスの基材への含浸性を向上できる。
前記基材に前記樹脂組成物を含浸させ、所定温度、例えば90〜180℃で乾燥させることによりプリプレグを得ることが出来る。
The solvent used in the resin varnish desirably has good solubility in the resin composition, but a poor solvent may be used as long as it does not adversely affect the resin varnish. Examples of the solvent exhibiting good solubility include acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclopentanone, cyclohexanone, dimethylformamide, dimethylacetamide, N-methylpyrrolidone and the like.
The solid content of the resin varnish is not particularly limited, but the solid content of the resin composition is preferably 30 to 80% by weight, and particularly preferably 40 to 70% by weight. Thereby, the impregnation property to the base material of the resin varnish can be improved.
A prepreg can be obtained by impregnating the base material with the resin composition and drying at a predetermined temperature, for example, 90 to 180 ° C.

次に、積層板について説明する。
本発明の積層板は、上記のプリプレグを加熱加圧成形してなるものである。これにより、耐熱性、低熱膨張性に優れた積層板を得ることができる。プリプレグ1枚のときは、その上下両面もしくは片面に金属箔を重ねる。また、プリプレグを2枚以上積層することもできる。プリプレグ2枚以上積層するときは、積層したプリプレグの最も外側の上下両面もしくは片面に金属箔あるいはフィルムを重ねる。次に、プリプレグと金属箔とを重ねたものを加熱加圧成形することで積層板を得ることができる。前記加熱する温度は、特に限定されないが、120〜220℃が好ましく、特に150〜200℃が好ましい。前記加圧する圧力は、特に限定されないが、1.5〜5MPaが好ましく、特に2〜4MPaが好ましい。
また、必要に応じて高温漕等で150〜300℃の温度で後硬化を行うこともできる。
Next, a laminated board is demonstrated.
The laminate of the present invention is obtained by heating and pressing the above prepreg. Thereby, the laminated board excellent in heat resistance and low thermal expansibility can be obtained. When one prepreg is used, the metal foil is overlapped on both the upper and lower surfaces or one surface. Two or more prepregs can be laminated. When two or more prepregs are laminated, a metal foil or film is laminated on the outermost upper and lower surfaces or one surface of the laminated prepreg. Next, a laminate can be obtained by heat-pressing a laminate of a prepreg and a metal foil. Although the temperature to heat is not specifically limited, 120-220 degreeC is preferable and especially 150-200 degreeC is preferable. Although the pressure to pressurize is not particularly limited, it is preferably 1.5 to 5 MPa, and particularly preferably 2 to 4 MPa.
Further, if necessary, post-curing can be performed at a temperature of 150 to 300 ° C. with a high-temperature soot.

前記金属箔は、特に限定されないが、例えば銅及び銅系合金、アルミ及びアルミ系合金、銀及び銀系合金、金及び金系合金、亜鉛及び亜鉛系合金、ニッケル及びニッケル系合金、錫及び錫系合金、鉄および鉄系合金等の金属箔が挙げられる。これらの中でも、誘電特性およびコスト面で優れているため、銅及び銅系合金が特に好ましい。   The metal foil is not particularly limited. For example, copper and copper-based alloy, aluminum and aluminum-based alloy, silver and silver-based alloy, gold and gold-based alloy, zinc and zinc-based alloy, nickel and nickel-based alloy, tin and tin And metal foils such as iron alloys, iron and iron alloys. Among these, copper and copper-based alloys are particularly preferable because of excellent dielectric characteristics and cost.

次に、本発明のプリント配線板について説明する。
本発明のプリント配線板は、前記絶縁層及び前記プリプレグを絶縁層に用いてなる。また、本発明のプリント配線板は、上記に記載の積層板を内層回路基板に用いてなる。前記積層板を内層回路基板として用いる場合について説明する。
前記内層回路基板となる積層板の片面又は両面に回路形成する。場合によっては、ドリル加工、レーザー加工によりスルーホールを形成し、めっき等で両面の電気的接続をとることもできる。また、この内層回路基板に市販の樹脂シート、または前記プリプレグを重ね合わせて加熱加圧成形することにより、多層のプリント配線板を得ることができる。
具体的には、上記樹脂シートの絶縁層側と内層回路板とを合わせて、真空加圧式ラミネーター装置などを用いて真空加熱加圧成形させ、その後、熱風乾燥装置等で絶縁層を加熱硬化させることにより得ることができる。ここで加熱加圧成形する条件としては、特に限定されないが、一例を挙げると、温度60〜160℃、圧力0.2〜3MPaで実施することができる。また、加熱硬化させる条件としては特に限定されないが、一例を挙げると、温度140〜240℃、時間30〜120分間で実施することができる。
Next, the printed wiring board of the present invention will be described.
The printed wiring board of this invention uses the said insulating layer and the said prepreg for an insulating layer. Moreover, the printed wiring board of this invention uses the laminated board as described above for an inner layer circuit board. The case where the said laminated board is used as an inner-layer circuit board is demonstrated.
A circuit is formed on one side or both sides of the laminated board to be the inner circuit board. In some cases, through holes can be formed by drilling or laser processing, and electrical connection on both sides can be achieved by plating or the like. Moreover, a multilayer printed wiring board can be obtained by superposing a commercially available resin sheet or the prepreg on the inner layer circuit board and performing heat and pressure molding.
Specifically, the insulating layer side of the resin sheet and the inner layer circuit board are combined, vacuum-pressed using a pressure-pressing laminator, etc., and then the insulating layer is heat-cured with a hot-air dryer or the like. Can be obtained. Although it does not specifically limit as conditions to heat-press form here, If an example is given, it can implement at the temperature of 60-160 degreeC, and the pressure of 0.2-3 MPa. Moreover, it is although it does not specifically limit as conditions to heat-harden, If an example is given, it can implement in temperature 140-240 degreeC and time 30-120 minutes.

また、前記プリプレグを前記内層回路板に重ね合わせ、これを平板プレス装置等で加熱加圧成形することにより得ることができる。ここで加熱加圧成形する条件としては特に限定されないが、一例を挙げると、温度140〜240℃、圧力1〜4MPaで実施することができる。このような平板プレス装置等による加熱加圧成形では、加熱加圧成形と同時に絶縁層の加熱硬化が行われる。   Further, the prepreg can be obtained by superimposing the prepreg on the inner circuit board and heating and pressing it with a flat plate press or the like. Although it does not specifically limit as conditions to heat-press form here, For example, it can implement at the temperature of 140-240 degreeC, and the pressure of 1-4 MPa. In the heat and pressure forming by such a flat plate press apparatus or the like, the insulating layer is heat-cured simultaneously with the heat and pressure forming.

前記プリント配線板の製造方法は、前記樹脂シートまたはプリプレグを、内層回路基板の内層回路パターンが形成された面に重ね合わせて連続積層する工程および導体回路層をセミアディティブ法で形成する工程を含む。   The method for producing the printed wiring board includes a step of continuously laminating the resin sheet or prepreg on the surface of the inner layer circuit board on which the inner layer circuit pattern is formed, and a step of forming a conductor circuit layer by a semi-additive method. .

前記樹脂シートまたは前記プリプレグより形成された絶縁層の硬化は、次のレーザー照射および樹脂残渣の除去を容易にし、デスミア性を向上させるため、半硬化状態にしておく場合もある。また、一層目の絶縁層を通常の加熱温度より低い温度で加熱することにより一部硬化(半硬化)させ、絶縁層上に、一層ないし複数の絶縁層をさらに形成し半硬化の絶縁層を実用上問題ない程度に再度加熱硬化させることにより絶縁層間および絶縁層と回路との密着力を向上させることができる。この場合の半硬化の温度は、80〜200℃が好ましく、100〜180℃がより好ましい。尚、次工程においてレーザーを照射し、絶縁層に開口部を形成するが、その前に基材を剥離する必要がある。基材の剥離は、絶縁層を形成後、加熱硬化の前、または加熱硬化後のいずれに行っても特に問題はない。
なお、前記プリント配線板を得る際に用いられる内層回路板は、例えば、銅張積層板の両面に、エッチング等により所定の導体回路を形成し、導体回路部分を黒化処理したものを好適に用いることができる。
Curing of the insulating layer formed from the resin sheet or the prepreg may be left in a semi-cured state in order to facilitate the subsequent laser irradiation and removal of the resin residue and improve desmearing properties. In addition, the first insulating layer is partially cured (semi-cured) by heating at a temperature lower than the normal heating temperature, and one or more insulating layers are further formed on the insulating layer to form a semi-cured insulating layer. By heat-curing again to such an extent that there is no practical problem, the adhesion between the insulating layer and between the insulating layer and the circuit can be improved. In this case, the semi-curing temperature is preferably 80 to 200 ° C, more preferably 100 to 180 ° C. In the next step, laser is irradiated to form an opening in the insulating layer, but it is necessary to peel off the substrate before that. There is no particular problem with the peeling of the base material either after the insulating layer is formed, before heat curing, or after heat curing.
The inner layer circuit board used when obtaining the printed wiring board is preferably, for example, one in which a predetermined conductor circuit is formed by etching or the like on both surfaces of a copper clad laminate and the conductor circuit portion is blackened. Can be used.

次に、絶縁層に、レーザーを照射して、開孔部を形成する。前記レーザーは、エキシマレーザー、UVレーザーおよび炭酸ガスレーザー等が使用できる。   Next, the insulating layer is irradiated with laser to form an opening. As the laser, an excimer laser, a UV laser, a carbon dioxide laser, or the like can be used.

レーザー照射後の樹脂残渣等は過マンガン酸塩、重クロム酸塩等の酸化剤などにより除去することが好ましい。また、平滑な絶縁層の表面を同時に粗化することができ、続く金属メッキにより形成する導電配線回路の密着性を上げることができる。   Resin residues after laser irradiation are preferably removed with an oxidizing agent such as permanganate or dichromate. Further, the surface of the smooth insulating layer can be simultaneously roughened, and the adhesion of the conductive wiring circuit formed by subsequent metal plating can be improved.

次に、外層回路を形成する。外層回路の形成方法は、金属メッキにより絶縁樹脂層間の接続を図り、エッチングにより外層回路パターン形成を行う。樹脂シート、またはプリプレグを用いたときと同様にして、プリント配線板を得ることができる。
尚、金属箔を有する樹脂シート、またはプリプレグを用いた場合は、金属箔を剥離することなく、導体回路として用いるためにエッチングにより回路形成を行ってもよい。その場合、厚い銅箔を使用した基材付き絶縁樹脂シートを使うと、その後の回路パターン形成においてファインピッチ化が困難になるため、1〜5μmの極薄銅箔を使うか、または12〜18μmの銅箔をエッチングにより1〜5μmに薄くするハーフエッチングする場合もある。
Next, an outer layer circuit is formed. The outer layer circuit is formed by connecting the insulating resin layers by metal plating and forming an outer layer circuit pattern by etching. A printed wiring board can be obtained in the same manner as when a resin sheet or prepreg is used.
When a resin sheet having a metal foil or a prepreg is used, a circuit may be formed by etching for use as a conductor circuit without peeling off the metal foil. In that case, if an insulating resin sheet with a base material using a thick copper foil is used, it becomes difficult to make a fine pitch in subsequent circuit pattern formation, so use an ultrathin copper foil of 1 to 5 μm, or 12 to 18 μm. In some cases, the copper foil is half-etched to a thickness of 1 to 5 μm by etching.

さらに絶縁層を積層し、前記同様回路形成を行っても良いが、プリント配線板の設計上、最外層には、回路形成後、ソルダーレジストを形成する。ソルダーレジストの形成方法は、特に限定されないが、例えば、ドライフィルムタイプのソルダーレジストを積層(ラミネート)し、露光、および現像により形成する方法、または液状レジストを印刷したものを露光、および現像により形成する方法によりなされる。なお、得られたプリント配線板を半導体装置に用いる場合、半導体素子を実装するため接続用電極部を設ける。接続用電極部は、金めっき、ニッケルメッキおよび半田めっき等の金属皮膜で適宜被覆することができる。このような方法によりプリント配線板を製造することができる。   Further, an insulating layer may be laminated and a circuit may be formed in the same manner as described above. However, a solder resist is formed on the outermost layer after the circuit is formed in designing the printed wiring board. The method for forming the solder resist is not particularly limited. For example, a method of laminating (laminating) a dry film type solder resist, forming by exposure and development, or forming a printed liquid resist by exposure and development It is done by the method to do. In addition, when using the obtained printed wiring board for a semiconductor device, in order to mount a semiconductor element, the electrode part for a connection is provided. The connecting electrode portion can be appropriately coated with a metal film such as gold plating, nickel plating, or solder plating. A printed wiring board can be manufactured by such a method.

次に本発明のプリント配線板を用いて作製される半導体装置について説明する。
半導体装置の製造方法は、特に限定されないが、例えば前記プリント配線板を用い、プリント配線板と半導体素子とを、半田バンプを介して接続する。半導体素子とプリント配線板との接続方法は、フリップチップボンダーなどを用いて基板上の接続用電極部と半導体素子の金属バンプの位置合わせを行ったあと、IRリフロー装置、熱板等の加熱装置を用いて半田バンプを融点以上に加熱し、プリント配線板と半田バンプとを溶融接合することにより接続する。尚、接続信頼性を良くするため、あらかじめプリント配線板上の接続用電極部に半田ペースト等、比較的融点の低い金属の層を形成しておいても良い。この接合工程に先んじて、半田バンプおよび、またはプリント配線板上の接続用電極部の表層にフラックスを塗布することで接続性を向上させることもできる。
Next, a semiconductor device manufactured using the printed wiring board of the present invention will be described.
Although the manufacturing method of a semiconductor device is not specifically limited, For example, the said printed wiring board is used and a printed wiring board and a semiconductor element are connected via a solder bump. A method for connecting a semiconductor element and a printed wiring board is to use a flip chip bonder or the like to align a connection electrode portion on a substrate and a metal bump of a semiconductor element, and then a heating device such as an IR reflow device or a hot plate The solder bumps are heated to the melting point or higher by using, and the printed wiring board and the solder bumps are fused and connected. In order to improve connection reliability, a metal layer having a relatively low melting point, such as solder paste, may be formed in advance on the connection electrode portion on the printed wiring board. Prior to this joining step, the connectivity can also be improved by applying a flux to the solder bumps and / or the surface layer of the connection electrode portion on the printed wiring board.

次に、プリント配線板と半導体素子との間には液状封止樹脂を充填し、半導体装置を得ることができる。   Next, a liquid sealing resin is filled between the printed wiring board and the semiconductor element to obtain a semiconductor device.

(実施例1)
(1) 樹脂ワニスの調製
ノボラック型シアネート樹脂(ロンザジャパン株式会社製、プリマセット PT−30)25重量部(以下、部と略す)、ビスフェノールA型シアネート樹脂(旭化成エポキシ株式会社製、AroCy B−30)25部、エポキシシラン型カップリング剤(日本ユニカー株式会社製、A−187)1部及び触媒(四国化成工業株式会社製、2MZ)1部をメチルエチルケトンに常温で溶解し、充填材として多孔質シリカ(日揮触媒化成株式会社製、P15C)48部を添加し、高速攪拌機を用いて10分攪拌し、樹脂ワニスを得た。
(2) プリプレグの作製
前記樹脂ワニスをガラス織布(厚さ200μm、日東紡績製、WEA−7628)に含浸し、120℃の加熱炉で2分間乾燥して、ワニス固形分(プリプレグ中に樹脂とシリカの占める成分)が約50%のプリプレグを得た。
Example 1
(1) Preparation of resin varnish 25 parts by weight (hereinafter abbreviated as “part”) of novolak-type cyanate resin (Lonza Japan Co., Ltd., Primaset PT-30), bisphenol A-type cyanate resin (AroCy B Epoxy Co., Ltd., AroCy B-) 30) 25 parts, 1 part of an epoxy silane coupling agent (manufactured by Nihon Unicar Co., Ltd., A-187) and 1 part of catalyst (manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd., 2MZ) are dissolved in methyl ethyl ketone at room temperature and porous as a filler. 48 parts of silica (P15C, manufactured by JGC Catalysts & Chemicals Co., Ltd.) was added and stirred for 10 minutes using a high-speed stirrer to obtain a resin varnish.
(2) Preparation of prepreg The resin varnish was impregnated into a glass woven fabric (thickness 200 μm, manufactured by Nitto Boseki Co., Ltd., WEA-7628), dried in a heating furnace at 120 ° C. for 2 minutes, and varnish solids (resin in prepreg And a component occupying about 50% of silica were obtained.

(3) 積層板の作製
前記プリプレグを所定枚数重ね、両面に18μmの銅箔を重ねて、圧力4MPa、温度200℃で2時間加熱加圧成形することによって両面に銅箔を有する積層板を得た。
(3) Production of laminated plate A predetermined number of the prepregs are laminated, 18 μm copper foils are laminated on both sides, and a laminated plate having copper foils on both sides is obtained by heating and pressing at a pressure of 4 MPa and a temperature of 200 ° C. for 2 hours. It was.

(4)プリント配線板の製造
前記両面に銅箔を有する積層板を用いて、ドリル機で開孔後、無電解めっきで上下銅箔間の導通を図り、前記両面の銅箔をエッチングすることにより内層回路を両面に形成した。(L(導体回路幅)/S(導体回路間幅)=120/180μm、クリアランスホール1mmφ、3mmφ、スリット2mm)次に内層回路に過酸化水素水と硫酸を主成分とする薬液(旭電化工業(株)製テックSO−G)をスプレー吹き付けすることにより粗化処理による凹凸形成を行った。
(4) Manufacture of printed wiring board Using a laminated board having copper foil on both sides, after drilling with a drilling machine, conducting conduction between upper and lower copper foils by electroless plating and etching the copper foils on both sides Thus, inner layer circuits were formed on both sides. (L (conductor circuit width) / S (conductor circuit width) = 120/180 μm, clearance holes 1 mmφ, 3 mmφ, slit 2 mm) Next, a chemical solution containing hydrogen peroxide and sulfuric acid as main components in the inner layer circuit (Asahi Denka Kogyo) Unevenness was formed by a roughening treatment by spraying Tech Co., Ltd. (Tech SO-G).

次に市販の樹脂フィルム(ビルドアップ材ともいう)(味の素ファインテクノ社製、ABF GX−13、厚さ40μm)を内層回路上に真空積層装置を用いて積層し、温度170℃、時間60分間加熱硬化し積層体を得た。   Next, a commercially available resin film (also referred to as a build-up material) (Ajinomoto Fine Techno Co., ABF GX-13, thickness 40 μm) is laminated on the inner circuit using a vacuum laminator, temperature 170 ° C., time 60 minutes. Heat-cured to obtain a laminate.

その後、前記で得られた積層体のプリプレグに、炭酸レーザー装置を用いてφ60μmの開孔部(ブラインド・ビアホール)を形成し、70℃の膨潤液(アトテックジャパン社製、スウェリングディップ セキュリガント P)に5分間浸漬し、さらに80℃の過マンガン酸カリウム水溶液(アトテックジャパン社製、コンセントレート コンパクト CP)に15分浸漬後、中和して粗化処理を行った。次に脱脂、触媒付与、活性化の工程を経た後、無電解銅メッキ皮膜を約0.5μmの給電層を形成した。次にこの給電層表面に、厚さ25μmの紫外線感光性ドライフィルム(旭化成社製AQ−2558)をホットロールラミネーターにより貼り合わせ、最小線幅/線間が20/20μmのパターンが描画されたクロム蒸着マスク(トウワプロセス社製)を使用して、位置を合わせ、露光装置(ウシオ電機社製UX−1100SM−AJN01)にて露光、炭酸ソーダ水溶液にて現像し、めっきレジストを形成した。   Thereafter, an opening portion (blind via hole) of φ60 μm was formed on the prepreg of the laminate obtained above using a carbonic acid laser device, and a swelling liquid (Swelling Dip Securigant P, manufactured by Atotech Japan Co., Ltd.) at 70 ° C. ) For 5 minutes, and further immersed in an aqueous solution of potassium permanganate at 80 ° C. (manufactured by Atotech Japan, Concentrate Compact CP) for 15 minutes, followed by neutralization and roughening treatment. Next, after passing through degreasing, catalyst application, and activation steps, an electroless copper plating film was formed with a power supply layer of about 0.5 μm. Next, a 25 μm thick UV-sensitive dry film (AQ-2558 manufactured by Asahi Kasei Co., Ltd.) is bonded to the surface of the power supply layer with a hot roll laminator, and a chromium having a pattern with a minimum line width / line spacing of 20/20 μm is drawn. Using a vapor deposition mask (manufactured by Towa Process Co., Ltd.), the position was adjusted, exposure was performed with an exposure apparatus (UX-1100SM-AJN01 manufactured by USHIO INC.), And development was performed with a sodium carbonate aqueous solution to form a plating resist.

次に、給電層を電極として電解銅めっき(奥野製薬社製81−HL)を3A/dm2、30分間行って、厚さ約25μmの銅配線を形成した。ここで2段階剥離機を用いて、前記めっきレジストを剥離した。各薬液は、1段階目のアルカリ水溶液層にはモノエタノールアミン溶液(三菱ガス化学社製R−100)、2段階目の酸化性樹脂エッチング剤には過マンガン酸カリウムと水酸化ナトリウムを主成分とする水溶液(日本マクダーミッド社製マキュダイザー9275、9276)、中和には酸性アミン水溶液(日本マクダーミッド社製マキュダイザー9279)をそれぞれ用いた。 Next, electrolytic copper plating (81-HL, manufactured by Okuno Pharmaceutical Co., Ltd.) was performed at 3 A / dm 2 for 30 minutes using the power feeding layer as an electrode to form a copper wiring having a thickness of about 25 μm. Here, the plating resist was peeled off using a two-stage peeling machine. Each chemical solution is mainly composed of monoethanolamine solution (R-100 manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd.) in the first stage alkaline aqueous solution layer, and potassium permanganate and sodium hydroxide as the main ingredients in the second stage oxidizing resin etchant. An aqueous solution of acidic amine (Mc. Dicer 9279, manufactured by Nihon McDermid Co., Ltd.) was used for neutralization.

そして、給電層を過硫酸アンモニウム水溶液(メルテックス(株)製AD−485)に浸漬処理することで、エッチング除去し、配線間の絶縁を確保した。次に絶縁層を温度200℃時間60分で最終硬化させ、最後に回路表面にソルダーレジスト(太陽インキ社製PSR4000/AUS308)を形成しプリント配線板を得た。   Then, the power feeding layer was immersed in an ammonium persulfate aqueous solution (AD-485 manufactured by Meltex Co., Ltd.) to remove it by etching and ensure insulation between the wirings. Next, the insulating layer was finally cured at a temperature of 200 ° C. for 60 minutes, and finally a solder resist (PSR4000 / AUS308 manufactured by Taiyo Ink Co., Ltd.) was formed on the circuit surface to obtain a printed wiring board.

(5)半導体装置の製造
前記多層プリント配線板は、半導体素子の半田バンプ配列に相当するニッケル金メッキ処理が施された接続用電極部を配したものを50mm×50mmの大きさに切断し使用した。半導体素子(TEGチップ、サイズ15mm×15mm、厚み0.8mm)は、Sn/Pb組成の共晶で形成された半田バンプを有し、半導体素子の回路保護膜はポジ型感光性樹脂(住友ベークライト社製CRC−8300)で形成されたものを使用した。半導体装置の組み立ては、まず、半田バンプにフラックス材を転写法により均一に塗布し、次にフリップチップボンダー装置を用い、多層プリント配線板上に加熱圧着により搭載した。
次に、IRリフロー炉で半田バンプを溶融接合した後、液状封止樹脂(住友ベークライト社製、CRP−4152S)を充填し、液状封止樹脂を硬化させることで半導体装置を得た。尚、液状封止樹脂の硬化条件は、温度150℃、120分の条件であった。
(5) Manufacture of Semiconductor Device The multilayer printed wiring board was used by cutting the connection electrode portion subjected to nickel gold plating corresponding to the solder bump arrangement of the semiconductor element into a size of 50 mm × 50 mm. . A semiconductor element (TEG chip, size 15 mm × 15 mm, thickness 0.8 mm) has a solder bump formed of a eutectic of Sn / Pb composition, and a circuit protective film of the semiconductor element is a positive photosensitive resin (Sumitomo Bakelite). What was formed by company CRC-8300) was used. In assembling the semiconductor device, first, a flux material was uniformly applied to the solder bumps by a transfer method, and then mounted on a multilayer printed wiring board by thermocompression bonding using a flip chip bonder device.
Next, after solder bumps were melt-bonded in an IR reflow furnace, a liquid sealing resin (manufactured by Sumitomo Bakelite Co., Ltd., CRP-4152S) was filled and the liquid sealing resin was cured to obtain a semiconductor device. The curing condition of the liquid sealing resin was a temperature of 150 ° C. and 120 minutes.

(実施例2)
以下に説明する樹脂ワニスを用いる以外は、実施例1と同様にした。
ノボラック型シアネート樹脂(ロンザジャパン株式会社製、プリマセット PT−60)25部、ビフェニルアルキレン型エポキシ樹脂(日本化薬株式会社製、NC−3000SH)25部、エポキシシラン型カップリング剤(日本ユニカー株式会社製、A−187)1部及び触媒(四国化成工業株式会社製、2MZ)1部をメチルエチルケトンに常温で溶解し、充填材として多孔質シリカ(日揮触媒化成株式会社製、L15C)28部及び水酸化アルミニウム(昭和電工株式会社製、HP−350)20部を添加し、高速攪拌機を用いて10分攪拌し、樹脂ワニスを得た。
(Example 2)
Example 1 was repeated except that a resin varnish described below was used.
Novolac type cyanate resin (Lonza Japan Co., Ltd., Primaset PT-60) 25 parts, biphenyl alkylene type epoxy resin (Nippon Kayaku Co., Ltd., NC-3000SH) 25 parts, epoxy silane type coupling agent (Nippon Unicar Corporation) 1 part of a company, A-187) and 1 part of a catalyst (manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd., 2MZ) are dissolved in methyl ethyl ketone at room temperature, and 28 parts of porous silica (manufactured by JGC Catalysts and Chemicals, L15C) as a filler 20 parts of aluminum hydroxide (manufactured by Showa Denko KK, HP-350) was added and stirred for 10 minutes using a high-speed stirrer to obtain a resin varnish.

(実施例3)
以下に説明する樹脂ワニスを用いる以外は、実施例1と同様にした。
ノボラック型シアネート樹脂(ロンザジャパン株式会社製、プリマセット PT−30)29部、ノボラック型エポキシ樹脂(大日本インキ化学工業株式会社製、エピクロン N−775)19部、エポキシシラン型カップリング剤(日本ユニカー株式会社製、A−187)1部及び触媒(四国化成工業株式会社製、2MZ)1部をメチルエチルケトンに常温で溶解し、充填材としてシリカ粒子(株式会社アドマテックス製、SO−32R)40部及び多孔質シリカ(日揮触媒化成株式会社製、N15C)10部を添加し、高速攪拌機を用いて10分攪拌し、樹脂ワニスを得た。
(Example 3)
Example 1 was repeated except that a resin varnish described below was used.
29 parts of novolak type cyanate resin (Lonza Japan Co., Ltd., Primaset PT-30), 19 parts of novolak type epoxy resin (Dainippon Ink and Chemicals, Epicron N-775), epoxy silane type coupling agent (Japan) Unicar Co., Ltd., A-187) 1 part and catalyst (Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd., 2MZ) 1 part are dissolved in methyl ethyl ketone at room temperature, and silica particles (admatechs Co., Ltd., SO-32R) 40 are used as fillers. Part and 10 parts of porous silica (manufactured by JGC Catalysts & Chemicals Co., Ltd., N15C) were added and stirred for 10 minutes using a high speed stirrer to obtain a resin varnish.

(比較例1)
以下に説明する樹脂ワニスを用いる以外は、実施例1と同様にした。
ノボラック型シアネート樹脂(ロンザジャパン株式会社製、プリマセット PT−30)19部、ビスフェノールA型シアネート樹脂(旭化成エポキシ株式会社製、AroCy B−30)19部、エポキシシラン型カップリング剤(日本ユニカー株式会社製、A−187)1部及び触媒(四国化成工業株式会社製、2MZ)1部をメチルエチルケトンに常温で溶解し、充填材としてシリカ粒子(電気化学工業株式会社製、SFP−10X)60部を添加し、高速攪拌機を用いて10分攪拌し、樹脂ワニスを得た。
(Comparative Example 1)
Example 1 was repeated except that a resin varnish described below was used.
19 parts of novolak type cyanate resin (Lonza Japan Co., Ltd., Primaset PT-30), 19 parts of bisphenol A type cyanate resin (AroCy B-30, manufactured by Asahi Kasei Epoxy Co., Ltd.), epoxy silane type coupling agent (Nippon Unicar Corporation) 1 part of a company, A-187) and 1 part of a catalyst (manufactured by Shikoku Chemicals Co., Ltd., 2MZ) are dissolved in methyl ethyl ketone at room temperature, and 60 parts of silica particles (SFP-10X, manufactured by Denki Kagaku Kogyo Co., Ltd.) are used as a filler. Was added and stirred for 10 minutes using a high-speed stirrer to obtain a resin varnish.

(比較例2)
以下に説明する樹脂ワニスを用いる以外は、実施例1と同様にした。
ノボラック型シアネート樹脂(ロンザジャパン株式会社製、プリマセット PT−30)19部、ビスフェノールA型シアネート樹脂(旭化成エポキシ株式会社製、AroCy B−30)19部、エポキシシラン型カップリング剤(日本ユニカー株式会社製、A−187)1部及び触媒(四国化成工業株式会社製、2MZ)1部をメチルエチルケトンに常温で溶解し、充填材としてシリカ粒子(株式会社アドマテックス製、SO−32R)60部を添加し、高速攪拌機を用いて10分攪拌し、樹脂ワニスを得た。
(Comparative Example 2)
Example 1 was repeated except that a resin varnish described below was used.
19 parts of novolak type cyanate resin (Lonza Japan Co., Ltd., Primaset PT-30), 19 parts of bisphenol A type cyanate resin (AroCy B-30, manufactured by Asahi Kasei Epoxy Co., Ltd.), epoxy silane type coupling agent (Nippon Unicar Corporation) 1 part of a company, A-187) and 1 part of a catalyst (manufactured by Shikoku Chemicals Co., Ltd., 2MZ) are dissolved in methyl ethyl ketone at room temperature, and 60 parts of silica particles (manufactured by Admatechs Co., Ltd., SO-32R) are used as a filler. The mixture was added and stirred for 10 minutes using a high-speed stirrer to obtain a resin varnish.

(比較例3)
以下に説明する樹脂ワニスを用いる以外は、実施例1と同様にした。
ノボラック型シアネート樹脂(ロンザジャパン株式会社製、プリマセット PT−60)19部、ビフェニルアルキレン型エポキシ樹脂(日本化薬株式会社製、NC−3000SH)19部、エポキシシラン型カップリング剤(日本ユニカー株式会社製、A−187)1部及び触媒(四国化成工業株式会社製、2MZ)1部をメチルエチルケトンに常温で溶解し、充填材としてシリカ粒子(株式会社アドマテックス製、SO−32R)40部及び水酸化アルミニウム(昭和電工株式会社製、HP−350)20部を添加し、高速攪拌機を用いて10分攪拌し、樹脂ワニスを得た。
(Comparative Example 3)
Example 1 was repeated except that a resin varnish described below was used.
19 parts of novolac type cyanate resin (Lonza Japan Co., Ltd., Primaset PT-60), 19 parts biphenyl alkylene type epoxy resin (Nippon Kayaku Co., Ltd., NC-3000SH), epoxy silane type coupling agent (Nihon Unicar Corporation) 1 part of a company, A-187) and 1 part of a catalyst (manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd., 2MZ) are dissolved in methyl ethyl ketone at room temperature, and 40 parts of silica particles (manufactured by Admatechs Co., Ltd., SO-32R) and 20 parts of aluminum hydroxide (manufactured by Showa Denko KK, HP-350) was added and stirred for 10 minutes using a high-speed stirrer to obtain a resin varnish.

(比較例4)
以下に説明する樹脂ワニスを用いる以外は、実施例1と同様にした。
ノボラック型シアネート樹脂(ロンザジャパン株式会社製、プリマセット PT−30)23部、ノボラック型エポキシ樹脂(大日本インキ化学工業株式会社製、エピクロン N−775)15部、エポキシシラン型カップリング剤(日本ユニカー株式会社製、A−187)1部及び触媒(四国化成工業株式会社製、2MZ)1部をメチルエチルケトンに常温で溶解し、充填材としてシリカ粒子(株式会社アドマテックス製、SO−32R)40部及び水酸化アルミニウム(昭和電工株式会社製、HP−350)20部を添加し、高速攪拌機を用いて10分攪拌し、樹脂ワニスを得た。
(Comparative Example 4)
Example 1 was repeated except that a resin varnish described below was used.
23 parts of novolak type cyanate resin (Lonza Japan Co., Ltd., Primaset PT-30), 15 parts of novolak type epoxy resin (Dainippon Ink and Chemicals, Epicron N-775), epoxy silane type coupling agent (Japan) Unicar Co., Ltd., A-187) 1 part and catalyst (Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd., 2MZ) 1 part are dissolved in methyl ethyl ketone at room temperature, and silica particles (admatechs Co., Ltd., SO-32R) 40 are used as fillers. Part and 20 parts of aluminum hydroxide (manufactured by Showa Denko KK, HP-350) were added and stirred for 10 minutes using a high-speed stirrer to obtain a resin varnish.

得られた積層板の評価方法を(1)〜(4)に示す。
(1)線膨張係数
厚さ1.2mmの両面に銅箔を有する積層板を全面エッチングし、得られた積層板から2mm×2mmのテストピースを切り出し、TMAを用いて厚み方向(Z方向)の線膨張係数を5℃/分で測定した。
The evaluation method of the obtained laminated board is shown to (1)-(4).
(1) Coefficient of linear expansion A laminated board having a copper foil on both sides with a thickness of 1.2 mm is etched on the entire surface, a 2 mm × 2 mm test piece is cut out from the obtained laminated board, and the thickness direction (Z direction) is obtained using TMA. The linear expansion coefficient was measured at 5 ° C./min.

(2)吸湿半田耐熱性
厚さ0.6mmの両面に銅箔を有する積層板から50mm×50mmに切り出し、JIS6481に従い半面エッチングを行ってテストピースを作成した。125℃のプレッシャークッカーで処理した後、260℃のはんだ槽に銅箔面を下にして浮かべ、180秒後にフクレが発生する処理時間を計測した。
(2) Moisture-absorbing solder heat resistance A test piece was prepared by cutting 50 mm × 50 mm from a laminate having copper foil on both sides with a thickness of 0.6 mm and performing half-side etching according to JIS 6481. After processing with a 125 ° C. pressure cooker, the copper foil surface was floated down in a 260 ° C. solder bath, and the processing time for blistering after 180 seconds was measured.

(3)弾性率
作製した両面に銅箔を有する積層板の銅箔を全面エッチングし、得られた積層板から2mm×2mmのテストピースを切り出し、TAインスツルメント製DMA983を用いて3℃/分で昇温し、動的粘弾性測定を行った。
(3) Elastic modulus The entire copper foil of the laminate having copper foil on both sides was etched, a 2 mm × 2 mm test piece was cut out from the obtained laminate, and 3 ° C./day using DMA 983 manufactured by TA Instruments. The temperature was raised in minutes and the dynamic viscoelasticity measurement was performed.

(4)ドリル加工性
厚さ0.6mmの両面に銅箔を有する積層板を0.2mmφのドリルを用いて、16万回転、4000shot打ち、ドリル加工前のドリルの頂点面積と、ドリル加工後のドリルの頂点面積とを比較し、ドリル磨耗部の面積を測定した。
(4) Drilling process A laminated board with copper foil on both sides with a thickness of 0.6 mm is drilled at 160,000 revolutions, 4000 shots using a 0.2 mmφ drill, the apex area of the drill before drilling, and after drilling The area of the drill wear part was measured by comparing with the apex area of the drill.

得られた半導体装置の評価方法を(5)、(6)に示す。
(5)半導体装置の熱時反り
前記で得られた半導体装置(50mm×50mm)を260℃加熱下でのPKG全体の反りを評価した。測定範囲は、基板内の48mm×48mmの範囲とした。
Evaluation methods of the obtained semiconductor device are shown in (5) and (6).
(5) Warpage of semiconductor device during heating The semiconductor device (50 mm × 50 mm) obtained above was evaluated for warpage of the entire PKG when heated at 260 ° C. The measurement range was 48 mm × 48 mm in the substrate.

(6)半導体装置のTCTバイアス試験
前記で得られた半導体装置(50mm×50mm)を温度−55℃から150℃各温度で時間30分保持の温度サイクル試験を行った。判定は、導通抵抗が10%増加したサンプルをNGとし、5個の全サンプルがNGとなったところで終了とした。
(6) TCT bias test of semiconductor device The semiconductor device (50 mm × 50 mm) obtained above was subjected to a temperature cycle test in which the temperature was maintained at −55 ° C. to 150 ° C. for 30 minutes. The determination was made when the sample whose conduction resistance increased by 10% was judged as NG, and finished when all the five samples became NG.

これらの評価結果を表1に示す。   These evaluation results are shown in Table 1.

表中の樹脂等について、以下に詳細に示す。
1)Primaset PT−30(ノボラック型シアネート樹脂、数平均分子量約380):ロンザジャパン株式会社製
2)Primaset PT−60(ノボラック型シアネート樹脂、数平均分子量約560):ロンザジャパン株式会社製
3)AroCy B−30(ビスフェノールA型シアネート樹脂):旭化成エポキシ株式会社製
4)NC−3000SH(ビフェニルアルキレン型エポキシ樹脂、エポキシ当量290):日本化薬株式会社製
5)エピクロン N−775(ノボラック型エポキシ樹脂、エポキシ当量190):大日本インキ化学工業株式会社製
6)SFP−10X(球状溶融シリカ、平均粒径0.3μm):電気化学工業株式会社製
7)SO−32R(球状溶融シリカ、平均粒径1.5μm):株式会社アドマテックス製
8)P15C(多孔質シリカ):日揮触媒化成株式会社製
9)L15C(多孔質シリカ):日揮触媒化成株式会社製
10)N15C(多孔質シリカ):日揮触媒化成株式会社製
11)HP−350(水酸化アルミニウム):昭和電工株式会社製
12)A−187(エポキシシラン型カップリング剤):日本ユニカー株式会社製
13)2MZ(2−メチルイミダゾール):四国化成工業株式会社製
The resins in the table are shown in detail below.
1) Primaset PT-30 (Novolac type cyanate resin, number average molecular weight of about 380): Lonza Japan Co., Ltd. 2) Primaset PT-60 (Novolac type cyanate resin, number average molecular weight of about 560): Lonza Japan Co., Ltd. 3) AroCy B-30 (bisphenol A type cyanate resin): Asahi Kasei Epoxy Co., Ltd. 4) NC-3000SH (biphenyl alkylene type epoxy resin, epoxy equivalent 290): Nippon Kayaku Co., Ltd. 5) Epicron N-775 (Novolac type epoxy) Resin, epoxy equivalent 190): Dainippon Ink & Chemicals, Inc. 6) SFP-10X (spherical fused silica, average particle size 0.3 μm): Denki Kagaku Kogyo Co., Ltd. 7) SO-32R (spherical fused silica, average) (Particle diameter 1.5 μm): manufactured by Admatechs Co., Ltd. ) P15C (porous silica): JGC Catalysts & Chemicals 9) L15C (porous silica): JGC Catalysts & Chemicals 10) N15C (porous silica): JGC Catalysts & Chemicals 11) HP-350 ( Aluminum hydroxide): Showa Denko Co., Ltd. 12) A-187 (epoxysilane type coupling agent): Nippon Unicar Co., Ltd. 13) 2MZ (2-methylimidazole): Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd.

実施例1〜3では、得られた積層板は、低弾性及び低熱膨張性に優れている。そのため、得られた半導体装置は、低弾性の影響により260℃熱時反りが小さく、また、低弾性及び低熱膨張性の影響により、得られた半導体装置は応力の蓄積が小さくTCTバイアス試験において優れた結果を示している。また、得られた積層板は、吸湿半田耐熱性にも優れている。   In Examples 1 to 3, the obtained laminates are excellent in low elasticity and low thermal expansion. Therefore, the obtained semiconductor device has a small warpage when heated at 260 ° C. due to the low elasticity, and the obtained semiconductor device has a small stress accumulation due to the low elasticity and low thermal expansion. The results are shown. Moreover, the obtained laminated board is excellent also in moisture absorption solder heat resistance.

本発明にかかる樹脂組成物は、低弾性、低熱膨張性および低吸湿性を有しており、小型化、高密度配線化、高信頼性が要求される半導体装置に用いられる基板に好適に用いることができる。   The resin composition according to the present invention has low elasticity, low thermal expansibility, and low hygroscopicity, and is suitably used for a substrate used in a semiconductor device requiring miniaturization, high-density wiring, and high reliability. be able to.

Claims (13)

熱硬化性樹脂(A)と、内部に空孔を有する粒子(B)とを含むことを特徴とする樹脂組成物。   A resin composition comprising a thermosetting resin (A) and particles (B) having pores therein. 前記内部に空孔を有する粒子(B)は、多孔質の粒子(B1)の周囲が被覆層(B2)で覆われているものである請求項1に記載の樹脂組成物。   The resin composition according to claim 1, wherein the particles (B) having pores therein are those in which the periphery of the porous particles (B1) is covered with a coating layer (B2). 前記多孔質の粒子(B1)は、無機化合物である請求項2に記載の樹脂組成物。   The resin composition according to claim 2, wherein the porous particles (B1) are an inorganic compound. 前記無機化合物は、シリカである請求項3に記載の樹脂組成物。   The resin composition according to claim 3, wherein the inorganic compound is silica. 前記被覆層(B2)は、無機化合物である請求項2乃至4のいずれかに記載の樹脂組成物。   The resin composition according to any one of claims 2 to 4, wherein the coating layer (B2) is an inorganic compound. 前記被覆層(B2)は、有機ケイ素化合物及び/又はその重合体である請求項2乃至5のいずれかに記載の樹脂組成物。   The resin composition according to any one of claims 2 to 5, wherein the coating layer (B2) is an organosilicon compound and / or a polymer thereof. 前記熱硬化性樹脂(A)は、エポキシ樹脂、シアネートエステル樹脂およびフェノール樹脂からなる群より選ばれた少なくとも1種以上を含むものである請求項1乃至6のいずれかに記載の樹脂組成物。   The resin composition according to any one of claims 1 to 6, wherein the thermosetting resin (A) contains at least one selected from the group consisting of an epoxy resin, a cyanate ester resin, and a phenol resin. 請求項1乃至7のいずれかに記載の樹脂組成物を熱硬化させて得られることを特徴とする絶縁層。   An insulating layer obtained by thermosetting the resin composition according to claim 1. 請求項1乃至7のいずれかに記載の樹脂組成物を基材に含浸させて得られることを特徴とするプリプレグ。   A prepreg obtained by impregnating a base material with the resin composition according to claim 1. 請求項9に記載のプリプレグを1枚又は2枚以上重ね合わせ、少なくとも一方の外側の面に金属箔を配置して、加熱加圧成形して得られることを特徴とする積層板。 A laminate obtained by stacking one or more prepregs according to claim 9, placing a metal foil on at least one outer surface, and heat-pressing the laminate. 請求項8に記載の絶縁層を用いて得られることを特徴とするプリント配線板。   A printed wiring board obtained using the insulating layer according to claim 8. 請求項10に記載の積層板を用いて得られることを特徴とするプリント配線板。   A printed wiring board obtained by using the laminated board according to claim 10. 請求項11又は12に記載のプリント配線板を用いて得られることを特徴とする半導体装置。   A semiconductor device obtained using the printed wiring board according to claim 11.
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