JP5690873B2 - 消去可能プログラム可能単一ポリ不揮発性メモリ - Google Patents
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Claims (7)
- 基板構造と、
フローティングゲート、前記フローティングゲート下のゲート酸化物層、及びN型ウェル領域に形成されたチャネル領域を有するフローティングゲート・トランジスタと、
前記フローティングゲートが延びて隣接し、P型ウェル領域と消去線電圧に接続されるn型ソース/ドレイン領域とを有する消去ゲート領域と、を備え、
前記N型ウェル領域及び前記P型ウェル領域は、前記基板構造に形成され、前記ゲート酸化物層は、前記フローティングゲートの前記チャネル領域上の第1部分と、前記消去ゲート領域上の第2部分と、を有し、前記ゲート酸化物層の前記第1部分の厚さは前記ゲート酸化物層の前記第2部分の厚さと異なっており、
前記P型ウェル領域は、前記基板構造の表面下に形成される第1p型領域と、複数の第2p型領域と、第1p型領域の下に形成される第3p型領域と、を有し、
前記第1p型領域及び前記第3p型領域は、前記複数の第2p型領域の間に配置されており、
前記第2p型領域の注入量は、前記第1p型領域の注入量より高く、第3p型領域の注入量は、第1p型領域の注入量より高いか同じである、
ことを特徴とする消去可能プログラム可能単一ポリ不揮発性メモリ。 - 請求項1に記載の消去可能プログラム可能単一ポリ不揮発性メモリであって、
前記消去ゲート領域は、更に、前記n型ソース/ドレイン領域と前記P型ウェル領域との間に形成された第1n型領域を有している、ことを特徴とする消去可能プログラム可能単一ポリ不揮発性メモリ。 - 請求項2に記載の消去可能プログラム可能単一ポリ不揮発性メモリであって、
前記第1n型領域は、二重拡散ドレイン領域である、ことを特徴とする消去可能プログラム可能単一ポリ不揮発性メモリ。 - 請求項1から3のいずれか一項に記載の消去可能プログラム可能単一ポリ不揮発性メモリであって、
前記基板構造は、
P型基板と、
前記P型基板に形成され、前記N型ウェル領域、前記第2p型領域及び前記第3p型領域に接続され、深いN型ウェル電圧に接続された深いN型ウェル領域と、を有している、ことを特徴とする消去可能プログラム可能単一ポリ不揮発性メモリ。 - 請求項4に記載の消去可能プログラム可能単一ポリ不揮発性メモリであって、
前記第1p型領域の注入量は、前記第1n型領域の注入量より高いか同じである、ことを特徴とする消去可能プログラム可能単一ポリ不揮発性メモリ。 - 請求項1から3のいずれか一項に記載の消去可能プログラム可能単一ポリ不揮発性メモリであって、
前記基板構造は、
P型基板と、
前記P型基板に形成された第2n型領域と、
前記n型バリア層の上に形成され、接続されると共に、前記N型ウェル領域、前記第2p型領域及び前記第3p型領域に接続された第4p型領域と、を有することを特徴とする消去可能プログラム可能単一ポリ不揮発性メモリ。 - 請求項6に記載の消去可能プログラム可能単一ポリ不揮発性メモリであって、
前記第4p型領域の注入量は、前記P型基板の注入量より高いか同じであり、前記第4p型領域の注入量は、前記第3p型領域の注入量より高いか同じであり、前記第4p型領域の注入量は、前記第2p型領域の注入量より低いか同じである、ことを特徴とする消去可能プログラム可能単一ポリ不揮発性メモリ。
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