JP5690574B2 - 薄膜トランジスター及びその形成方法 - Google Patents
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Description
しかし、微細結晶質シリコンをチャネル領域に適用した薄膜トランジスターは電子移動度が低く、実現のために蒸着装備の開発が先行されなければならない。一方、酸化物半導体は電子移動度が非晶質シリコン薄膜トランジスターに比べて数十倍以上大きいため、画素充電能力が良く、基板上に駆動回路を集積できるという長所があって集中的に開発されている。
基板100は透明ガラス、透明プラスチックまたは絶縁膜が上部に形成された基板である。
第1ゲート絶縁膜パターン121aは第1の島型の平面形状を有する。この「第1ゲート絶縁膜パターン121aの第1の島型」の具体的な形状については後述する。なお、第1ゲート絶縁膜パターン121aは互いに異なる厚さを有するパターン(図示せず)で形成してもよい。
一方、エッチングストッパー用の絶縁膜パターン171は酸化物半導体パターン141より細長く形成されており、酸化物半導体パターン141を中心として両側において第1ゲート絶縁膜121aと部分的に接する。
より詳細には、エッチングストッパー用の絶縁膜パターン171の平面形状は第3の島型(図1に示すように、第3の長方形)であり、酸化物半導体パターン141の第2の島型(長方形)よりも全般に細長い。即ち、第3の長方形の、一方の対辺(図1でII−II’方向の辺)は第2の長方形の対応する対辺より長く、他方の対辺(図1でIII−III’方向の辺)は第2の長方形の対応する対辺より短い。そして、第3の島型は、図2に示すように第2の島型の中央部分を跨いで両端部の下面において「第1ゲート絶縁膜パターン121aの第1の島型」の上面と接し、且つ図3に示すように第2の島型の両端部の上面を露出するように位置する。これは、薄膜トランジスターのチャネルを成すべき酸化物半導体パターン141の中央部分を該絶縁膜パターン171により完全に覆って保護するためである。
一方、図3に示すように、酸化物半導体パターン141の第2の島型の露出した両端部は、後の工程でドレイン電極133、ソース電極134と接する。
「第1ゲート絶縁膜パターン121aの第1の島型」の平面形状は、酸化物半導体パターン141の平面形状である第2の島型(長方形)とエッチングストッパー用の絶縁膜パターン171の平面形状である第3の島型(長方形)を重ね合わせた、幅広の十字形状である。
ゲート絶縁膜は第1ゲート絶縁膜121a’と第2ゲート絶縁膜121bを含み、最初に第2ゲート絶縁膜121bをシリコン窒化膜で形成し、その上に第1ゲート絶縁膜121a’をシリコン酸化膜で形成する。これは、シリコン窒化膜(SiNx)の形成過程においてアンモニウム(NH3)ガスが使用され、亜酸化窒素(N2O)を使用するシリコン酸化膜(SiOx)よりも多くの水素が膜に残存して後工程で形成する酸化物半導体内に拡散し、水素が酸化物半導体と結合するを防止するためである。
次に、エッチングストッパー用の絶縁膜171aの上部にフォトレジスト(Photo Resist)膜を塗布する。フォトレジストは、PAG(Photo Acid Generator)を含むポジティブ型フォトレジストまたはPAC(Photo Active Cross linker)を含むネガティブ型フォトレジストであってもよい。光学マスクを利用して前記フォトレジストを露光、現像して所望する、第3の島型(第3の長方形)の平面形状を有する第1フォトレジストパターン172aを形成する。
第3の島型(第3の長方形)は、酸化物半導体パターン141の平面形状である第2の島型(第2の長方形)よりも細長く、第2の島型の中央部分を跨いで両端部の下面において「第1ゲート絶縁膜パターン121aの第1の島型」の上面と接し、且つ第2の島型(第2の長方形)の両端部の上面を露出するように位置する。
第1ゲート絶縁膜パターン121aは第1の島型の平面形状に形成される。この「第1ゲート絶縁膜パターン121aの第1の島型」の具体的な形状については後述する。
なお、第1ゲート絶縁膜パターン121aは互いに異なる厚さを有するパターン(図示せず)で形成してもよい。
即ち、第1ゲート絶縁膜パターン121aは酸化物半導体パターン141の下方に初期形成された厚さと同じ第1厚さを有する部分と第1厚さより薄い第2厚さを有する部分からなるパターンであってもよい。
酸化物半導体パターン141の第2の島型が存在する領域の第1ゲート絶縁膜パターン121aはそのまま残るので、結局、「第1ゲート絶縁膜パターン121aの第1の島型」の平面形状は、第2の島型と第3の島型を重ね合わせた形状になる。
また、第1フォトレジストパターン172aはエッチングガスによって部分的に除去されて第2フォトレジストパターン172bに変形される。
111 ゲート線
112 ゲート電極
113 ゲートパッド
121 ゲート絶縁膜
121a 第1ゲート絶縁膜パターン
121a’ 第1ゲート絶縁膜
121b 第2ゲート絶縁膜
131 データ線
132 データパッド
133 ドレイン電極
134 ソース電極
141 酸化物半導体パターン
152 画素電極
153、154 補助パッド
161 保護絶縁膜
162、163、164 接触口
171 第1絶縁膜パターン
171b 中間的絶縁膜パターン
171a 絶縁膜
171s 外郭部
171c 炭素を含む高分子化合物膜
171c’ 炭素を含む高分子化合物膜
172a 第1フォトレジストパターン
172b 第2フォトレジストパターン
Claims (22)
- ゲート電極、
酸化物半導体パターン、
前記ゲート電極と前記酸化物半導体パターンとの間に介在しており、島型または厚さが互いに異なる二部分を有する第1ゲート絶縁膜パターン、
前記酸化物半導体パターンと電気的に連結し、互いに離隔して位置するソース電極及びドレイン電極、及び
前記ソース電極及びドレイン電極と前記酸化物半導体パターンとの間に位置し、前記ソース電極及びドレイン電極、そして前記第1ゲート絶縁膜パターンと部分的に接し、自身の外周部が階段形状をなす外郭部を有する第1絶縁膜パターンを含むことを特徴とする、薄膜トランジスター。 - 前記階段形状をなす外郭部は炭素を含む高分子化合物からなる膜をさらに含むことを特徴とする、請求項1に記載の薄膜トランジスター。
- 前記第1ゲート絶縁膜パターンはシリコン酸化膜であることを特徴とする、請求項1に記載の薄膜トランジスター。
- 前記ゲート電極と前記酸化物半導体は少なくとも1000Å以上離隔していることを特徴とする、請求項3に記載の薄膜トランジスター。
- 前記第1絶縁膜パターンはシリコン酸化膜であることを特徴とする、請求項3に記載の薄膜トランジスター
- 前記第1絶縁膜パターンの厚さは3000Å以下であることを特徴とする、請求項5に記載の薄膜トランジスター。
- 前記階段形状をなす外郭部は炭素を含む高分子化合物からなる膜をさらに含むことを特徴とする、請求項5に記載の薄膜トランジスター。
- 前記ゲート電極と前記酸化物半導体パターンとの間に介在した第2ゲート絶縁膜をさらに含むことを特徴とする、請求項1に記載の薄膜トランジスター。
- 前記第2ゲート絶縁膜は前記ゲート電極と接し、シリコン窒化膜であることを特徴とする、請求項8に記載の薄膜トランジスター。
- 前記第2ゲート絶縁膜の厚さは1000Å以上であることを特徴とする、請求項9に記載の薄膜トランジスター。
- ゲート電極を形成する段階、
前記ゲート電極上に第1ゲート絶縁膜を形成する段階、
前記第1ゲート絶縁膜上に酸化物半導体パターンを形成する段階、
前記酸化物半導体パターン上に形成され、前記第1ゲート絶縁膜と部分的に接する中間的絶縁膜パターンを形成する段階、
前記中間的絶縁膜パターンを形成する段階に連続して前記第1ゲート絶縁膜をパターニングして島型または厚さが互いに異なる二部分を有する第1ゲート絶縁膜パターンを形成する段階、
前記中間的絶縁膜パターンを部分エッチングして自身の外周部が階段形状をなす外郭部を有する第1絶縁膜パターンを形成する段階、及び
前記酸化物半導体パターンと電気的に連結し、前記第1絶縁膜パターンと部分的に接し、互いに離隔して位置するソース電極及びドレイン電極を形成する段階を含むことを特徴とする、薄膜トランジスター形成方法。 - 前記第1ゲート絶縁膜パターンはシリコン酸化膜であることを特徴とする、請求項11に記載の薄膜トランジスター形成方法。
- 前記第1絶縁膜パターンはシリコン酸化膜であることを特徴とする、請求項12に記載の薄膜トランジスター形成方法。
- 前記第1絶縁膜パターンの厚さは3000Å以下であることを特徴とする、請求項13に記載の薄膜トランジスター形成方法。
- 前記中間的絶縁膜パターンを形成する段階及び島型の第1ゲート絶縁膜パターンを形成する段階は、
ハロゲン炭素化合物及び酸素ガスを原料ガスとする第1エッチング工程であることを特徴とする、請求項11に記載の薄膜トランジスター形成方法。 - 前記第1エッチング工程はハロゲン硫黄化合物を原料ガスとしてさらに含み、ハロゲン硫黄化合物をハロゲン炭素化合物及び酸素ガス流量対比20%以下の流量で供給することを特徴とする、請求項15に記載の薄膜トランジスター形成方法。
- 前記ハロゲン炭素化合物はC 4 F 8 であることを特徴とする、請求項16に記載の薄膜トランジスター形成方法
- 前記中間的絶縁膜パターンを部分エッチングして自身の外周部が階段形状をなす外郭部を有する第1絶縁膜パターンを形成する段階は、
前記中間的絶縁膜パターンの部分エッチングした表面に形成された炭素を含む高分子化合物を除去する段階、
高分子化合物が除去された前記中間的絶縁膜パターンをさらに部分エッチングし、外郭部に炭素を含む高分子化合物を形成する段階を含むことを特徴とする、請求項11に記載の薄膜トランジスター形成方法。 - 前記高分子化合物を除去する段階は、不活性ガス及び酸素ガスを原料ガスとする第2エッチング工程であることを特徴とする、請求項18に記載の薄膜トランジスター形成方法。
- 前記高分子化合物が除去された前記中間的絶縁膜パターンを部分エッチングし、外郭部に炭素を含む高分子化合物を形成する段階は、
ハロゲン炭素化合物及び酸素ガスを原料ガスとする第3エッチング工程であることを特徴とする、請求項18に記載の薄膜トランジスター形成方法。 - 前記第3エッチング工程はハロゲン炭素化合物を酸素ガス流量と対比して同等またはそれ以上で供給することを特徴とする、請求項20に記載の薄膜トランジスター形成方法。
- 前記ハロゲン炭素化合物はC 4 F 8 であることを特徴とする、請求項21に記載の薄膜トランジスター形成方法。
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