JP5675192B2 - トランスデューサおよびトランスデューサの製造方法 - Google Patents
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Description
典型的なデータ電子機器筐体は、さまざまな構成要素を封入する剛性のハウジングを含む。データ記憶システムは、電子機器筐体の一種である。データ記憶システムにおける構成要素として、1つ以上の記憶媒体が挙げられる。たとえば、記憶媒体は、媒体を回転させてディスクのデータ面が空力式軸受ヘッドスライダの下を通るようにするスピンドルモータ上に取付けられることができる。ヘッドスライダは、少なくとも1つのアームと、音声コイルモータから得られた機械的エネルギを用いて各媒体を横断する少なくとも1つの対応するサスペンションとを有するアクチュエータ上に支持される。スライダはトランスデューサを担持しており、このトランスデューサは、媒体のデータ面に情報を記録し、媒体のデータ面から情報を再生する。
保護されたトランスデューサおよびその製造の実施例を開示する。トランスデューサの一実施例は、後縁と、前縁と、後縁および前縁の間に延びる1対の対向する側壁とを含むように成形される、基板上に形成された磁性材料を含む。保護材料の層は、成形された磁性材料の1対の側壁の各々と接触して位置決めされる。埋め戻し材料は、成形された磁性材料の1対の側壁の各々の上の保護材料を取囲む。
本開示の実施例は、磁気デバイスの製造中に生じ得る端縁反応ゾーンまたは不感層の排除または最小化に関する。磁気デバイスは、再生トランスデューサまたは記録トランスデューサなどの任意のタイプのトランスデューサに関連付けられることができる。しかしながら、本開示では、記録磁極の製造の例示的な実施例について特に説明する。
Claims (5)
- トランスデューサの製造方法であって、
基板上に形成された磁性材料と、前記磁性材料上に堆積されたマスクとを含む第1の中間構造を得るステップを備え、前記構造を第1の部分と第2の部分とに分割する停止面が、前記磁性材料と前記マスクとの間に規定され、前記方法はさらに、
第2の中間構造を形成するために、イオンビーム打込みを用いて、第1のエネルギレベルで、前記第1の中間構造上で、マスクによって塞がれていない磁性材料を除去する、少なくとも1回の成形作業を実行して、後縁と、前縁と、前記後縁および前記前縁の間に延びる1対の側壁とを含む磁性材料を成形するステップと、
第3の中間構造を形成するために、前記第2の中間構造に対して第2の成形作業を実行した上で、前記第2の中間構造上に非磁性材料からなる第1の保護層を堆積させるステップと、
第4の中間構造を形成するために、絶縁材料で前記第3の中間構造を埋め戻しするステップと、
第5の中間構造を形成するために、埋め戻しされた絶縁材料の一部、前記マスクおよび前記第1の保護層の一部を含む前記構造の前記第1の部分を前記停止面において除去するステップとを備え、
前記第2の成形作業は、イオンビーム打込みを用いて、第1のエネルギレベルよりも少ない第2のエネルギレベルで、前記成形された磁性材料の前記前縁に直角の位置に対して第1の角度で、前記磁性材料の側面に形成された不感層を除去または低減して、その後に第1のエネルギレベルよりも少ないエネルギレベルで、イオンビーム打込みを用いて、前記前縁に直角の位置において、前記磁性材料の前記側壁上に前記基板の材料を再堆積させる、方法。 - 前記トランスデューサの少なくとも一部を形成するために、前記第5の中間構造上に間隙材料を堆積させ、前記間隙材料上にシールド材料を堆積させるステップをさらに備え、前記間隙材料は絶縁材料を含み、前記シールド材料は磁性材料を含む、請求項1に記載の方法。
- 第6の中間構造を形成するために、前記第5の中間構造上に非磁性材料からなる第3の保護層を堆積させるステップをさらに備える、請求項1または請求項2に記載の方法。
- 前記トランスデューサの少なくとも一部を形成するために、前記第6の中間構造上に間隙材料を堆積させ、前記間隙材料上にシールド材料を堆積させるステップをさらに備え、前記間隙材料は絶縁材料を含み、前記シールド材料は磁性材料を含む、請求項3に記載の方法。
- 前記第2の中間構造を形成するために第1の中間構造を成形するステップおよび第3の中間構造を形成するために非磁性材料からなる第1の保護層を堆積させるステップは、両方とも、真空下で実行される、請求項1から4のいずれか1項に記載の方法。
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