CN101996642B

CN101996642B - 用于减少死层的保护转换器

Info

Publication number: CN101996642B
Application number: CN 201010278034
Authority: CN
Inventors: A·V·纳扎洛夫; V·A·凡斯科; O·G·赫诺尼恩; 邹丽娟; T·R·布恩斯塔; X·彭; 高凯中
Original assignee: Seagate Technology LLC
Current assignee: Seagate Technology LLC
Priority date: 2009-07-13
Filing date: 2010-07-13
Publication date: 2013-06-05
Anticipated expiration: 2030-07-13
Also published as: CN101996642A; JP2014238911A; JP5905552B2; JP2011023101A; US20110007422A1; JP5675192B2; US9058823B2

Abstract

本发明涉及一种包括形成在基底上的磁性材料的转换器，该磁性材料成形为包括后沿、前沿和一对在后沿和前沿之间延伸的相对的侧壁。保护材料层与成形的磁性材料的一对侧壁的每一个相接触。回填材料围绕在成形的磁性材料的一对侧壁的每一个上的保护材料的周围。

Description

用于减少死层的保护转换器

背景技术

典型的数据电子器件外壳包括装入多个部件的刚性壳体。数据存储系统是一种电子器件外壳。数据存储系统中的部件包括一个或多个存储介质。例如，存储介质可安装在主轴电动机上，造成介质自转并且使盘的数据表面在空气动力轴承磁头浮动块的下方穿过。磁头浮动块被支承在具有至少一条臂和至少一个相应悬挂物的促动器上，借助来自于音圈电动机的机械能来移动越过每个介质。浮动块支承转换器，将信息写入介质的数据表面和从介质的数据表面读取。

由于对增加介质的面密度有不断的需求，转换器的尺寸持续地减小。比如，磁性转换器的宽度，例如为了适应介质上更小的轨道尺寸，阅读器传感器和写入极正在变得更小。

一般来说，通过一些离子铣削方式来确定阅读器传感器和写入极，例如离子束刻蚀(出E)。但是在确定了阅读器传感器和写入极之后，在装置的侧面会形成厚度不可控的反应区域或死层。

形成死层的原因有多种。例如，在离子铣削过程中氩气束轰击装置的侧壁，会造成离子感应物理损坏。在另一个例子中，在确定阅读器传感器或写入极采用离子铣削之后，为了转换到其他制造过程，离子铣削装置暴露在空气中。由于新的离子铣削装置暴露在空气中，氧气和水湿气容易与装置的边缘起反应。还在其他一个例子中，铝硬质掩模或其他铝层随后发生对侧壁的氧化。

死层为装置提供减少的磁矩。在写入极的情况下，与没有死层的写入极相比，死层会造成写入极的写入转换更加弯曲。在阅读器的情况下，装置的电阻随着死层的厚度而变化，因而，阅读器的边缘效应变得严重。控制或消除写入极和阅读器中的边缘反应区域对于控制阅读器/写入器的性能是重要的。

上述内容仅提供了通常的背景技术，其目的不是用来确定权利要求保护主题的范围。

发明内容

本发明公开了保护转换器及其制造过程的多个实施例。转换器的一个实施例包括形成在基底上的磁性材料，该磁性材料成形为包括后沿、前沿和一对在后沿和前沿之间延伸的相对的侧壁。保护材料层与成形的磁性材料的这对侧壁的每一个侧壁相接触。回填材料围绕着在成形的磁性材料的这对侧壁的每一个侧壁上的保护材料。

制造转换器的一个实施例需获得第一中间体结构，该第一中间体结构包括形成在基底上的磁性材料和沉积在磁性材料上的掩模。在磁性材料和掩模之间包括将该结构分为第一部分和第二部分的止挡板。在第一中间体结构上执行至少一个成形操作来形成第二中间体结构。将第一非磁性保护层沉积在第二中间体结构上，以形成第三中间体结构。采用绝缘材料回填第三中间体结构来形成第四中间体结构。在止挡板处移除包括一部分回填的绝缘材料、掩模和一部分第一保护层的该结构的第一部分来形成第五中间体结构。

制造转换器的另一个实施例需获得第一中间体结构，该第一中间体结构包括形成在基底上的磁性材料和沉积在磁性材料上的掩模。使用第一能量等级的离子束轰击，在第一中间体结构上执行第一成形操作，以形成第二中间体结构。使用离子束轰击，在第二中间体结构上将基底材料重新沉积在成形的磁性材料的侧壁上并与成形的磁性材料的侧壁接触来形成保护层。

很明显通过阅读以下的详细说明能得到多个其他的特征和优点。发明内容的目的不是确定权利要求保护主题的关键特征或必要特征，也不是确定权利要求保护主题的范围。权利要求的保护主题不限于克服背景技术中提及的任一或所有的缺点的实施例。

附图说明

图1示出了用于垂直记录到介质上的读/写转换器实例的局部剖视图。

图2是说明转换器的制造方法的一个实施例的流程图。

图3示出了在图2所示转换器的制造过程中形成的第一中间体结构。

图4示出了在图2所示转换器的制造过程中形成的第二中间体结构。

图5示出了在图2所示转换器的制造过程中形成的第三中间体结构。

图6示出了在图2所示转换器的制造过程中形成的第四中间体结构。

图7示出了在图2所示转换器的制造过程中形成的第五中间体结构。

图8示出了在图2所示转换器的制造过程中形成的第六中间体结构。

图9示出了图2所制造的转换器的一部分的空气轴承表面的示意图。

图10是说明转换器的制造方法的另一个实施例的流程图。

图11示出了在图10所示转换器的制造过程中形成的第一中间体结构。

图12示出了在图10所示转换器的制造过程中形成的第二中间体结构。

图13示出了在图10所示转换器的制造过程中形成的第三中间体结构。

图14示出了在图10所示转换器的制造过程中形成的第三中间体结构。

图15示出了在图10所示转换器的制造过程中形成的第四中间体结构。

图16示出了图10所制造的转换器的一部分的空气轴承表面的示意图。

图17是说明转换器的制造方法的第三个实施例的流程图。

图18示出了在图17所示转换器的制造过程中形成的第一中间体结构。

图19示出了在图17所示转换器的制造过程中形成的第二中间体结构。

图20示出了在图17所示转换器的制造过程中形成的第三中间体结构。

图21示出了在图17所示转换器的制造过程中形成的第四中间体结构。

具体实施方式

本发明公开的实施例是关于在磁性装置的制造过程中消除或最小化边缘反应区域或死层。磁性装置涉及任何类型的转换器，例如读或写转换器。但是，在本发明中，详细描述了制造写入极的典型实施例。

图1示出了用于垂直记录到介质104上的读/写转换器102实例的局部剖面图。图1中，为了清楚起见忽略了所有的隔离和绝缘层。读/写转换器102包括形成在浮动块(图1未图示)的后沿上的写元件106和读元件108。读元件108包括位于上部屏蔽112和下部屏蔽114之间的读传感器110。上部和下部屏蔽112和114用于将读传感器110与外部磁场隔离开，该外部磁场可能影响已记录在介质104上的数据的检测位。

写元件106包括写入极115、第一返回极118和第二返回极119。写入极115包括具有写入极尖端126的主要部分116。极尖端126包括后沿148和前沿149。写入极115还包括轭部117。第一返回极118包括第一返回极尖端128，并通过第一定位片120与写入极115分离。第一返回极118在第一反向间隙密封122处与写入极115连接。第一返回极118与写入极尖端126的前沿149隔开。第二返回极119与第一返回极118相比，位于写入极115的相对侧。特别地，第二返回极119与写入极尖端126的后沿148隔开。具有第二返回极尖端129的第二返回极119通过第二定位片121与写入极115分离，并连接到第二反向间隙密封123。主要的、第一返回和第二返回极尖端126、128和129，分别地，面向介质104的表面130，并形成浮动块的空气轴承表面(ABS)132的一部分。

导电线圈124环绕着写入极115，在写入极115和第一返回极118之间以及写入极115和第二返回极119之间延伸。绝缘材料(未图示)使导电线圈124与写入极115和第一返回极118以及写入极115和第二返回极119电绝缘。本领域普通技术人员应该清楚其他结构的导电线圈24是可行的。例如，导电线圈124是两个导电线圈。一个线圈可在第一返回极118和写入极115之间延伸并环绕反向间隙密封122，一个线圈可在第二返回极119和写入极115之间延伸并环绕反向间隙密封123。

图1示出了具有与写元件106分离的上部和下部屏蔽112和114的读元件108。但是，需要注意的是，在其他的读/写转换器中，返回极118用作读元件108的上部屏蔽。另外，需要注意的是，写元件106的一部分也被屏蔽。

由写入极115、第一返回极118、第二返回极119、反向间隙密封122和123以及在具有垂直磁化方向的硬磁或存储层136下面的介质104的软磁层134在写元件106上形成一条磁路。存储层136包括不规则的磁化区域138，每个区域代表与上方或下方相对应的一位数据。工作时，导电线圈124内产生电流，该电流感应出沿着磁路传导的磁通量。磁路产生垂直穿过主要极尖端126和记录介质的存储层136的磁通量，如箭头140所示。接下来，磁通量水平穿过记录介质的软磁层134，如箭头142和143所示，然后穿过存储层136、穿过第二返回极118的第二返回极尖端128和穿过第二返回极119的第二返回极尖端129垂直返回，如箭头144和145所示。最后，磁通量穿过反向间隙密封122和123传导回到写入极115。

主要极尖端126成形为集中穿过的磁通量，促使存储层136的图案138的磁化方向与写磁场对准，从而在上面记录多位数据。通常，在主要极尖端126上存储层136的磁场必须是该层的矫顽磁性或饱和场的两倍。介质104沿着箭头146指示的方向旋转。写入极116的后沿148作为“写入沿”限定了存储层136上所记录的多位数据之间的转换，因为该沿上产生的磁场最终限定了图案138的磁化方向。

有屏蔽的写入极增大后沿148的场梯度并提高转换质量。有屏蔽的写入极所记录的转换曲率比没有屏蔽时的记录要小。但是，即使有屏蔽，写入极产生的转换也不是直的。在空气轴承表面和特别是在空气轴承表面的后沿的极的整个区域上使用大力矩磁性材料可进一步提高转换的质量。在制造写入极或其他类型的转换器时与离子铣削相互作用，暴露在空气中以及随后的回填沉积都会造成在写入极的侧壁和边缘上产生死层。与没有死层的写入极相比，死层阻止会写入极写操作的直线转换。

图2是转换器的制造方法的一个实施例的流程图200，例如图1所示转换器102。特别地，流程图200描述了写入极，例如图1所示写入极116的制造方法。结合图2-9所示中间体结构对流程图200进行说明。

在框201中获得第一中间体结构250，如图3所示。第一中间体结构250包括形成在基底254上的磁性材料252。磁性材料252可以是FeCo或其他类型的2.4T铁钴。基底254可以是氧化铝(Al₂O₃)或其他类型的绝缘材料。第一中间体结构250还包括沉积在磁性材料252上的掩模256。例如，掩模256可以是一种光刻胶或硬质掩模。掩模256配置为用于确定将要制造的写入极的宽度。通常，写入极的宽度应与存储介质上的轨道宽度一致。

在框203中，在第一中间体结构250上执行至少一个成形操作，以形成第二中间体结构258(如图4所示)。为了确定磁性材料的形状，采用离子铣削来移除未被掩模256阻挡的磁性材料252，例如，采用标准的感应式离子束铣削。但是磁性材料252还可采用其他技术移除，如反应离子束刻蚀(RIBE)。

如图4所示，成形后，基底254的一部分和磁性材料252的一部分被移除。更特别地，磁性材料252被确定为包括前沿249、后沿248和一对相对的侧壁262和264。需要注意的是，后沿248与图1所示写入极116的后沿148相对应。

在框205中，第一保护层266沉积在第二中间体结构258上，以形成第三中间体结构268(如图5所示)。沉积形成第一保护层266，使其与基底254的易受离子铣削的一部分相接触，与磁性材料252的侧壁262和264和掩模256的一部分相接触，与磁性材料252不接触。例如，第一保护层266可由原子沉积(ALD)形成，并且包括非磁性材料，例如钽(Ta)、钌(Ru)、铜(Cu)、类似金刚石的碳或其他类似材料，如氧化铝或各种氮化物或碳化物。在图2所示的方法中，步骤203和205可在不破坏真空的条件下执行。在真空条件下执行这些步骤防止侧壁262和264因环境条件遭到损坏，如湿气和暴露在氧气中。一旦沉积形成了第一保护层266，就不用担心磁性材料252的暴露，真空可被打破。

在框207中，使用回填材料270回填第三中间体结构268，以形成图6所示的第四中间体结构272。例如，回填材料270可以是绝缘材料，如氧化铝。根据所示，回填材料270填充了位于围绕在框204提到的成形步骤中铣削过的磁性材料252的侧壁262和264周围的空间。图6中还提到，在磁性材料252和掩模256之间包括将结构272分成第一部分275和第二部分276的止挡板274。更特别地，止挡板274根据磁性材料252和掩模256之间的交界面确定。

在框209中，从止挡板274处移除第四中间体结构272的第一部分275，以形成第五中间体结构278(如图7所示)。通过移除第一部分275，一部分第一保护层266、一部分回填材料270和掩模256被移除以露出成形的磁性材料252的后沿248。

在框211中，第二保护层280沉积在第五中间体结构278上，以形成第六中间体结构282。特别地，第二保护层280被沉积为覆盖回填材料270、第一保护层266和成形的磁性材料252的后沿248。因此，成形的磁性材料252被与侧壁262和264相接触和在后沿248上的保护层覆盖和保护。和第一保护层266一样，第二保护层280可包括非磁性材料，例如钽(Ta)、钌(Ru)、铜(Cu)、类似金刚石的碳或其他类似材料，例如氧化铝或各种氮化物或碳化物。

在框213中，间隙材料284沉积在第六中间体结构282上(或如图9所示沉积在第二保护层280上)，以形成间隙(例如图1所示的间隙或间隔120)。屏蔽材料286(图1中未特别说明)沉积在间隙材料284上形成屏蔽或前置屏蔽。增加间隙材料284和屏蔽材料286形成第六中间体结构282以成为转换器202的至少一部分。例如，间隙材料284可以是绝缘材料，例如氧化铝，屏蔽材料286可以是磁性材料。如前所述，屏蔽材料286增大后沿248处的场梯度并且提高转换质量。

图10是说明转换器制造方法的另一个实施例的流程图300，如图1所示的转换器102。特别地，流程图300描述了制造写入极的方法，如图1所示写入极116。结合图11-16所示的中间体结构对流程图300进行说明。

在框301中，得到第一中间体结构350，如图11所示。第一中间体结构350包括形成在基底354上的磁性材料352。和图3的磁性材料252一样，磁性材料352可以是FeCo或其他类型的2.4T铁钴。和基底254一样，基底354可以是氧化铝或其他类型绝缘材料。第一中间体结构350还包括形成在磁性材料352上的第一保护层366和沉积在第一保护层366上的掩模356。和图5的第一保护层266一样，第一保护层366还包括非磁性材料，如钽(Ta)、钌(Ru)、铜(Cu)、类似金刚石的碳或其他类似材料，例如氧化铝或各种氮化物或碳化物。和图3的掩模256一样，掩模356可以是一种光刻胶或硬质掩模。掩模356配置为用于确定将要制造的写入极的宽度。

在框303中，在第一中间体结构350上执行至少一个成形操作，以形成第二中间体结构358(如图12所示)。为了确定磁性材料的形状，采用离子铣削或其他技术移除未被掩模356封存的磁性材料352和第一保护层366，如反应离子束刻蚀(RIBE)。如图12所示，成形后，基底354的一部分，磁性材料352的一部分和第一保护层366的一部分被移除。更特别地，磁性材料352被确定为包括后沿348、前沿349和一对相对的侧壁362和364。需要注意的是，后沿348与图1所示写入极116的后沿148相一致。

在框305中，第二保护层380沉积在第二中间体结构358上，以形成第三中间体结构368(如图13所示)。沉积形成第二保护层366，使其与基底354的易受离子铣削的一部分相接触，与磁性材料352的侧壁362和364、第一保护材料366的侧面以及掩模356的部分相接触。因此，成形的磁性材料352被与侧壁362和364相接触和在后沿348上的保护层覆盖和保护。和第一保护层366一样，第二保护层380可包括非磁性材料、如钽(Ta)、钌(Ru)、铜(Cu)、类似金刚石的碳或其他类似材料，例如氧化铝或各种氮化物或碳化物。

在图10所示的方法中，步骤303和305可在不打破真空的条件下执行。在真空中执行这些步骤防止侧壁362和364因环境条件而遭到损坏，如湿气和暴露在氧气中。一旦沉积形成了第一保护层366和第二保护层380，就不用担心磁性材料352的暴露，真空可被打破。

在框307中，使用回填材料370回填第三中间体结构368，以形成第四中间体结构372(如图14所示)。和回填材料270一样，回填材料370可以是绝缘材料，如氧化铝。根据所示，回填材料370填充了围绕在框303所提到的成形步骤中铣削过的被第二保护层380覆盖的磁性材料352的侧壁362和364周围的空间。还如图14所示，在磁性材料352和掩模356之间包括将结构372分成第一部分375和第二部分376的止挡板374。更特别地，止挡板374由第一保护层366和掩模356之间的交界面确定。

在框309中，从止挡板374处移除第四中间体结构372的第一部分375，以形成第五中间体结构378(如图7所示)。通过移除第一部分375，一部分第二保护层380、一部分回填材料370和掩模356被移除以露出形成在成形磁性材料352的后沿348上的第一保护层366。

在框311中，间隙材料384沉积在第六中间体结构382上(或如图16所示沉积在第二保护层366和回填370上)，以形成间隙(例如图1所示的间隙或空间120)。屏蔽材料386(图1未特别示出)沉积在间隙材料384上形成屏蔽或前置屏蔽。增加间隙材料384和屏蔽材料386形成第六中间体结构382以成为转换器302的至少一部分。例如，间隙材料384可以是一种绝缘材料，如氧化铝，和屏蔽材料386可以是一种磁性材料。如前所述，屏蔽材料386增大了后沿348处的场梯度和提高了转换质量。

图17是说明转换器制造方法的第三个实施例的流程图400，例如图1所示的转换器102。特别地，流程图400描述了写入极，例如图1所示写入极116的制造方法。结合图18-20所示的中间体结构对流程图400进行说明。

在框401中，获得第一中间体结构450，如图18所示。第一中间体结构450包括形成在基底454上的磁性材料452。和图3的磁性材料252和图11的352一样，磁性材料452可以是FeCo或其他类型的2.4T铁钴。和基底254和基底354一样，基底454可以是氧化铝或其他类型绝缘材料。第一中间体结构450还包括沉积在磁性材料452上掩模456。例如，掩模456可以是一种光刻胶或硬质掩模。掩模456配置为用于确定将要制造的写入极的宽度。通常，写入极的宽度应与存储介质上的轨道宽度相一致。

在框403中，在第一中间体结构450上执行至少一个成形操作，以形成第二中间体结构458(如图19所示)。为了确定磁性材料的形状，采用第一能量等级的离子铣削或其他技术，如反应离子束刻蚀(RIBE)，移除未被掩模456封存的磁性材料452来形成第二中间体结构458。特别地，使用感应离子束铣削来执行第一成形操作。如图19所示，成形后，一部分基底454和一部分磁性材料452被移除。更特别地，磁性材料452被确定为包括前沿449、后沿448和一对相对的侧壁462和464。需要注意的是，后沿448与图1所示写入极116的后沿148相一致。

但是，在磁性材料452上执行第一成形操作之后，磁性材料452的侧面上会形成厚度不可控的反应区域或死层。死层490的形成有多种原因。例如，在离子铣削过程中氩气束轰击装置的侧壁462和464会造成离子感应物理损伤。在另一例子中，在采用离子铣削确定了磁性材料452之后，转换到其他制造工序会暴露在空气中。由于新的离子铣削装置暴露在空气中，氧气和水湿气容易和装置的边缘起反应而形成死层490。在第三个例子中，氧化铝硬质掩模或其他氧化铝层随后发生对侧壁462和464的氧化。

如果死层490实际形成在磁性材料452上，通过在磁性材料452上执行第二成形操作来移除或减小死层的厚度以形成如图20所示第三中间体结构468。采用离子铣削或其他技术执行第二成形操作，例如处于第二能量等级的RIBE。特别地，可采用磁阻离子束铣削来执行第二成形操作。第二能量等级具有比第一能量等级总数少或总数小的能量。低功率执行第二成形操作意味着在磁性材料的侧壁462和464上新的损伤或死层491少于在第一成形操作时形成的损伤或死层490。还如图20所示，以第一角度492来执行第二中间体结构458上的第二成形操作，该第一角度是相对于与磁性材料452和基底454的交界面(例如，与磁性材料452的前沿449垂直)的位置。

在框405中，如图21所示，利用离子束轰击在第二中间体结构458或第三中间体结构468的磁性材料452的侧壁462和464上重新沉积基底454的材料，以在侧壁462和464上形成保护或密封层466。特别地，利用离子束轰击从基底454向侧壁462和464上重新沉积基底材料的步骤是在垂直于磁性材料452和基底454之间交界面(例如，垂直于磁性材料452的前沿449)的位置上进行的。如图21所示，离子束轰击的垂直位置造成基底454的氧化铝离开基底和重新沉积到侧壁462和464上。图20所示第二成形操作和图21所示的重新沉积操作都可使用处于第二能量等级的磁阻离子束铣削来执行，第二能量等级的能量等级是比图19所示执行第一成形操作的能量等级低。

能够理解的是，图19-21所示的所有步骤能够在单独的室内不破坏真空地进行。另外，在垂直于前沿449的位置上利用离子束轰击执行重新沉积操作不会影响转换器制造时的临界尺寸(例如，宽度)，因为在图21所示的点上磁性材料452还被掩模456覆盖。

能够理解的是，即使在前面内容中列举了多个实施例的多方面特性和优点，以及多个实施例的具体结构和功能，这种公开也仅用作说明，在细节处可以改变，特别是基于公开原理的结构和部件的布置有关的在权利要求所示术语的广义含义指示的尽可能大范围内。例如，在不脱离本发明的范围和精神的条件下保持功能基本上相同的同时，特定元件可根据转换器的类型而变化。另外，虽然这里描述的实施例是保护写入极的制造，但是在不脱离本发明的范围和精神的条件下本领域技术人员有动机将本发明应用到制造其他类型转换器的其他部件中。

Claims

1.一种转换器，包括：

形成在基底上的磁性材料，所述磁性材料成形为包括后沿、前沿以及一对在后沿和前沿之间延伸的相对的侧壁；

第一保护材料层，所述第一保护材料层与成形的磁性材料的这对侧壁中的每一个侧壁相接触；

回填材料，所述回填材料围绕着在成形的磁性材料的这对侧壁中的每一个侧壁上的保护材料，其中所述回填材料是绝缘材料；以及

第二保护材料层，所述第二保护材料层覆盖所述回填材料、所述第一保护材料层以及成形的磁性材料的后沿。

2.根据权利要求1所述的转换器，其中所述第一保护材料层包括非磁性材料。

3.根据权利要求1所述的转换器，其中所述第一保护材料层包括使用离子束轰击在成形的磁性材料的侧壁上重新沉积的基底材料。

4.根据权利要求1所述的转换器，其中所述第二保护材料层与成形的磁性材料的后沿相接触。

5.根据权利要求4所述的转换器，进一步包括：

沉积在中间体结构上的绝缘材料层以及沉积在绝缘材料层上的磁性材料层，用于构成转换器的至少一部分。

6.根据权利要求5所述的转换器，其中沉积在中间体结构上的绝缘材料层包括一间隙。

7.根据权利要求5所述的转换器，其中沉积在绝缘材料层上的磁性材料层包括前置屏蔽。

8.一种用于制造转换器的方法，包括：

获得第一中间体结构，其包括形成在基底上的磁性材料和沉积在磁性材料上的掩模；

使用第一能量等级的离子束轰击在第一中间体结构上执行第一成形操作以形成第二中间体结构，在第二中间体结构中的成形的磁性材料包括后沿、前沿以及一对在后沿和前沿之间延伸的侧壁；和

使用第二能量等级的离子束轰击在第二中间体结构中的成形的磁性材料的侧壁上重新沉积基底材料并使基底材料与所述侧壁接触，从而形成保护层，第二能量等级低于第一能量等级。

9.根据权利要求8的方法，进一步包括：使用第二能量等级的离子束轰击对第二中间体结构执行第二成形操作以形成第三中间体结构。

10.根据权利要求9的方法，其中执行第一成形操作的步骤是使用感应式离子束铣削来执行的。

11.根据权利要求9的方法，其中执行第二成形操作的步骤是使用磁阻离子束铣削来执行的。

12.根据权利要求9的方法，其中对第二中间体结构执行的第二成形操作是相对于与成形的磁性材料的前沿正交的位置以第一角度执行的。

13.根据权利要求12的方法，其中使用离子束轰击在第二中间体结构中的成形的磁性材料的侧壁上重新沉积基底材料的步骤是在与前沿正交的位置处执行的。

14.根据权利要求13的方法，其中对第二中间体结构执行的第二成形操作以及在第二中间体结构中的成形的磁性材料的侧壁上重新沉积基底材料的操作是使用第二能量等级的磁阻离子束铣削来执行的。

15.一种用于制造转换器的方法，包括：

获得第一中间体结构，其包括形成在基底上的磁性材料和沉积在磁性材料上的掩模，其中在磁性材料和掩模之间包括用于将该结构分为第一部分和第二部分的止挡板；

在第一中间体结构上执行至少一个成形操作，以形成第二中间体结构；

在第二中间体结构上沉积第一非磁性材料保护层，以形成第三中间体结构；

将绝缘材料回填到第三中间体结构，以形成第四中间体结构；和

在止挡板处移除该结构的第一部分，其中包括一部分回填的绝缘材料、掩模以及一部分第一保护层，从而形成第五中间体结构。

16.根据权利要求15的方法，其中第一中间体结构进一步包括位于磁性材料上且与磁性材料接触的第二非磁性材料保护层，掩模被沉积在第二非磁性材料保护层上且与第二非磁性材料保护层相接触。

17.根据权利要求16的方法，进一步包括：将间隙材料沉积在第五中间体结构上并且将屏蔽材料沉积在间隙材料上，以形成转换器的至少一部分，其中间隙材料包括绝缘材料并且屏蔽材料包括磁性材料。

18.根据权利要求15的方法，进一步包括：在第五中间体结构上沉积第二非磁性材料保护层，以形成第六中间体结构。

19.根据权利要求18的方法，进一步包括：将间隙材料沉积在第六中间体结构上并且将屏蔽材料沉积在间隙材料上，以形成转换器的至少一部分，其中间隙材料包括绝缘材料并且屏蔽材料包括磁性材料。

20.根据权利要求15的方法，其中对第一中间体结构进行成形以形成第二中间体结构的步骤以及沉积第一非磁性材料保护层以形成第三中间体结构的步骤都是在真空中执行的。