JP5672270B2 - 半導体モジュールの接続構造 - Google Patents
半導体モジュールの接続構造 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5672270B2 JP5672270B2 JP2012147427A JP2012147427A JP5672270B2 JP 5672270 B2 JP5672270 B2 JP 5672270B2 JP 2012147427 A JP2012147427 A JP 2012147427A JP 2012147427 A JP2012147427 A JP 2012147427A JP 5672270 B2 JP5672270 B2 JP 5672270B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- terminal
- negative electrode
- positive electrode
- electrode terminal
- opening
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 68
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 55
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 44
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 26
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 26
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 claims description 17
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 13
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 33
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 33
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 3
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 3
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- -1 specifically Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/30107—Inductance
Landscapes
- Inverter Devices (AREA)
Description
サージ電圧ΔVsurは、近年進められている大電流・高速スイッチング化により増加傾向にある。サージ保護については素子耐圧を高く取れば実現可能であるが、トレードオフの関係にあるオン抵抗が増加してしまい、定常損失の増加を招く。また、スイッチング損失Eswの低減や装置の小型化のニーズがあり、そのニーズに応えるには、dI/dtの向上や高周波化が必要となる。したがって、サージ電圧ΔVsurを増加させることなく、dI/dtの向上を図るためには、短絡ループ内における低インダクタンス化が必要である。
本発明の第1実施形態について説明する。本実施形態では、本発明の一実施形態にかかる半導体モジュールの適用例として、例えば三相交流モータなどの駆動を行う三相インバータが備えられたものを例に挙げて説明する。
本発明の第2実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対して各導体部分の接続構造を変更したものであり、その他については第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
本発明の第3実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対してネジ機構20〜23を用いた接続構造がより強固になるようにしたものであり、その他については第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
上記第3実施形態では、補強板25、26とスペーサ27とを別体で構成するようにしたが、図8に示すように補強板25、26に対してスペーサ27を構成する部分を一体化した構造とすることもできる。この場合、補強板25、26およびスペーサ27のうち少なくとも各導体部との接触箇所が絶縁材料で構成されるようにしてあれば良い。なお、図8は、図7Cに対応する断面を示している。
上記実施形態では、半導体モジュール1や平滑コンデンサ10の構造の一例を示したが、ここに示した構造は単なる一例を示したに過ぎず、適宜変更可能である。例えば、平滑コンデンサ10から突き出すように形成された正極側接続端子11および負極側接続端子12について折り曲げた構造としたが、例えば図9に示すように、単に平滑コンデンサ10の本体から直線状に伸ばされた構造のものであっても良い。つまり、正極端子3および負極端子4のうちの接続箇所と平行方向に伸びる平行導体となる部分を有した構造であれば良い。この場合でも、板状導体6が正極側接続端子11および負極側接続端子12の間に挟み込まれたときに板状導体6と絶縁部13との干渉が生じないように、絶縁部13の突き出し量を小さくしておくと好ましい。
2 樹脂
3 正極端子
3a、4a、11a、12a 切抜き部
4 負極端子
5 絶縁膜
9a、9b、11b、12b 開口部
10 平滑コンデンサ
11 正極側接続端子
12 負極側接続端子
20〜23 ネジ機構
Claims (7)
- 絶縁膜(5)を挟んで正極端子(3)および負極端子(4)が対向配置されて貼り合わせることで平行導体とされた板状導体(6)と、半導体スイッチング素子とを有し、前記板状導体を部分的に露出させつつ前記半導体スイッチング素子を覆うように樹脂(2)にてモジュール化した半導体モジュール(1)と、
前記板状導体に備えられた前記正極端子および前記負極端子それぞれと接続され、前記正極端子および前記負極端子における接続箇所と平行方向に伸びる部分にて構成される平行導体を有する正極側接続端子(11)および負極側接続端子(12)を備えた被接続対象物(10)と、を有する半導体モジュールの接続構造であって、
前記正極端子および前記負極端子は、部分的に前記樹脂から突き出させられることで該樹脂から露出させられており、前記樹脂から突き出させられた方向を突出方向、該突出方向に対する垂直方向を幅方向として、前記突出方向において前記樹脂から所定距離の位置に切抜き部(3a、4a)が形成されていると共に、前記正極端子の切抜き部と前記負極端子の切抜き部が前記幅方向において逆方向に形成されており、
前記正極側接続端子および前記負極側接続端子は、前記平行導体となる部分において、前記正極端子および前記負極端子それぞれに備えられた切抜き部と対応する切抜き部(11a、12a)が形成されており、
前記幅方向において、前記正極端子のうち該正極端子の切抜き部(3a)の反対側と前記正極側接続端子のうち該正極側接続端子の切抜き部(11a)の反対側とが接続されており、前記負極端子のうち該負極端子の切抜き部(4a)の反対側と前記負極側接続端子のうち該負極側接続端子の切抜き部(12a)の反対側とが接続されていることを特徴とする半導体モジュールの接続構造。 - 前記正極端子および前記絶縁膜のうち前記負極端子の切抜き部と対応する位置に第1開口部(9a)が形成され、
前記負極端子および前記絶縁膜のうち前記正極端子の切抜き部と対応する位置に第2開口部(9b)が形成され、
前記正極側接続端子のうち前記第1開口部と対応する位置に第3開口部(11b)が形成され、
前記負極側接続端子のうち前記第2開口部と対応する位置に第4開口部(12b)が形成され、
前記正極端子と前記正極側接続端子とは、前記第1開口部と前記第3開口部とが位置合わせされて接続されており、
前記負極端子と前記負極側接続端子とは、前記第2開口部と前記第4開口部とが位置合わせされて接続されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体モジュールの接続構造。 - 前記第1開口部および前記第3開口部を通じて第1ネジ機構(20、21)にて前記絶縁膜と前記正極端子および前記正極側接続端子を挟持していると共に、
前記第2開口部および前記第4開口部を通じて第2ネジ機構(22、23)にて前記絶縁膜と前記負極端子および前記負極側接続端子を挟持していることを特徴とする請求項2に記載の半導体モジュールの接続構造。 - 前記正極端子に形成された切抜き部は、前記第2開口部を中心として前記第2ネジ機構の最大径よりも大きな内径を有する円弧状で構成され、
前記負極端子に形成された切抜き部は、前記第1開口部を中心として前記第1ネジ機構の最大径よりも大きな内径を有する円弧状で構成され、
前記正極側接続端子に形成された切抜き部は、前記第4開口部を中心として、前記第2ネジ機構の最大径よりも大きな内径を有する円弧状で構成され、
前記負極側接続端子に形成された切抜き部は、前記第3開口部を中心として、前記第1ネジ機構の最大径よりも大きな内径を有する円弧状で構成されていることを特徴とする請求項3に記載の半導体モジュールの接続構造。 - 前記絶縁膜を挟んで前記正極端子と前記正極側接続端子の反対側には絶縁部材(24)が配置され、該絶縁部材も前記第1ネジ機構により挟持されており、
前記絶縁膜を挟んで前記負極端子と前記負極側接続端子の反対側にも絶縁部材(24)が配置され、該絶縁部材も前記第2ネジ機構により挟持されていることを特徴とする請求項3または4に記載の半導体モジュールの接続構造。 - 前記板状導体と前記正極側接続端子および前記負極側接続端子を挟んだ両側に配置された第1、第2補強板(25、26)と、前記補強板と前記絶縁膜の間の隙間を埋めるスペーサ(27)とを有し、
前記第1、第2補強板には、前記第1ネジ機構および前記第2ネジ機構の両方の雄ネジ部(20a、22a)が通過する開口部(25a、25b、26a、26b)が備えられ、前記第1、第2補強板を前記第1ネジ機構および前記第2ネジ機構の両方で挟持することで、前記正極端子と前記正極側接続端子との接続と前記負極端子と前記負極側接続端子との接続の両方が行われていることを特徴とする請求項3ないし5のいずれか1つに記載の半導体モジュールの接続構造。 - 前記幅方向において、前記絶縁膜は、前記正極端子および前記負極端子よりも寸法が大きくされ、前記正極端子および前記負極端子が前記絶縁膜よりも内側に入り込んだ状態となっていることを特徴とする請求項1ないし6のいずれか1つに記載の半導体モジュールの接続構造。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012147427A JP5672270B2 (ja) | 2012-06-29 | 2012-06-29 | 半導体モジュールの接続構造 |
PCT/JP2013/003847 WO2014002442A1 (ja) | 2012-06-29 | 2013-06-20 | 半導体装置および半導体装置の接続構造 |
DE112013003222.8T DE112013003222B4 (de) | 2012-06-29 | 2013-06-20 | Halbleitervorrichtung und Halbleitervorrichtungsverbindungsstruktur |
CN201380033827.6A CN104412383B (zh) | 2012-06-29 | 2013-06-20 | 半导体装置以及半导体装置的连接构造 |
US14/401,638 US9351423B2 (en) | 2012-06-29 | 2013-06-20 | Semiconductor device and semiconductor device connection structure |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012147427A JP5672270B2 (ja) | 2012-06-29 | 2012-06-29 | 半導体モジュールの接続構造 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014011339A JP2014011339A (ja) | 2014-01-20 |
JP5672270B2 true JP5672270B2 (ja) | 2015-02-18 |
Family
ID=50107751
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012147427A Active JP5672270B2 (ja) | 2012-06-29 | 2012-06-29 | 半導体モジュールの接続構造 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5672270B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102014114828B4 (de) * | 2014-10-13 | 2018-02-15 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Anordnung mit einem Leistungshalbleitermodul, mit einer Gleichspannungsverschienung und mit einer Kondensatoreinrichtung |
CA3067320C (en) * | 2017-06-15 | 2020-06-23 | Nissan Motor Co., Ltd. | Power conversion device |
EP3869548A4 (en) * | 2018-10-18 | 2021-12-01 | Nissan Arc, Ltd. | SEMICONDUCTOR COMPONENT AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF |
JP7467913B2 (ja) | 2019-12-27 | 2024-04-16 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3648417B2 (ja) * | 1999-12-09 | 2005-05-18 | 株式会社東芝 | パワー半導体モジュール及び電力変換装置 |
JP3642012B2 (ja) * | 2000-07-21 | 2005-04-27 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置,電力変換装置及び自動車 |
JP3910383B2 (ja) * | 2001-07-17 | 2007-04-25 | 株式会社日立製作所 | パワーモジュールおよびインバータ |
JP3851138B2 (ja) * | 2001-10-29 | 2006-11-29 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置 |
JP4567029B2 (ja) * | 2007-06-22 | 2010-10-20 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 電力変換装置 |
-
2012
- 2012-06-29 JP JP2012147427A patent/JP5672270B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2014011339A (ja) | 2014-01-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
WO2014002442A1 (ja) | 半導体装置および半導体装置の接続構造 | |
US10153708B2 (en) | Three-level power converter | |
JP6382097B2 (ja) | 半導体パワーモジュールおよびそれを用いた電力変換装置 | |
JP5263334B2 (ja) | バスバーモジュール | |
JP4920677B2 (ja) | 電力変換装置およびその組み立て方法 | |
JP5289348B2 (ja) | 車載用電力変換装置 | |
JP6836201B2 (ja) | 電力変換装置 | |
JP5830480B2 (ja) | 配線板およびそれを用いた電力変換装置 | |
WO2012029489A1 (ja) | 電気的接続装置 | |
JP2007035670A (ja) | 半導体装置 | |
JP6288769B2 (ja) | 半導体パワーモジュール、電力変換装置、およびこれを用いた移動体 | |
JP3622782B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP5672270B2 (ja) | 半導体モジュールの接続構造 | |
FI120068B (fi) | Sähköinen liitos ja sähkökomponentti | |
WO2012143964A1 (ja) | 半導体装置及びこれを備えたインバータ装置、並びにこれらを備えた車両用回転電機 | |
JP4977407B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP4488978B2 (ja) | 電力変換器の主回路構造 | |
JP6102668B2 (ja) | 電力変換装置 | |
JP2005237118A (ja) | バスバー構造体とそれが利用されている電力変換装置 | |
JP5550572B2 (ja) | 電力変換装置 | |
JP5092654B2 (ja) | 電力変換装置 | |
US10554145B2 (en) | Electrical power conversion apparatus | |
JP4479365B2 (ja) | 半導体装置 | |
WO2015133218A1 (ja) | コンデンサモジュール | |
JP6758570B2 (ja) | 電力変換装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140902 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141030 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20141125 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20141208 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5672270 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |