JP5664479B2 - 新規液晶性化合物および該化合物を含有する有機半導体素子 - Google Patents
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Description
Rは独立して、水素または炭素数1〜24のアルキルであり、このアルキルにおける任意の−CH2−は−O−、−S−、−CO−または−SiH2−で置き換えられてもよく、任意の−(CH2)2−は−CH=CH−または−C≡C−で置き換えられてもよく、任意の水素はハロゲンで置き換えられていてもよく;
Arはナフチレン、アントリレン、フェナントリレンまたはすべての水素がハロゲンで置き換えられたフェニレンであり、ナフチレン、アントリレンおよびフェナントリレンにおける任意の水素はハロゲンで置き換えられてもよい。]
[2] 前記式(1)において、Rは独立して、水素、炭素数1〜20のアルキル、炭素数1〜20のアルコキシ、炭素数2〜20のアルケニル、炭素数2〜20のアルキニル、炭素数2〜20のアルコキシアルキル、炭素数2〜20のアルケニルオキシ、炭素数1〜20のチオアルキル、炭素数2〜20のアルキルチオアルキルまたは炭素数2〜20のチオアルケニルであり、これらの基における任意の水素はフッ素で置き換えられてもよい、[1]に記載の化合物。
Rは独立して、水素または炭素数1〜24のアルキルであり、このアルキルにおける任意の−CH2−は−O−、−S−、−CO−または−SiH2−で置き換えられてもよく、任意の−(CH2)2−は−CH=CH−または−C≡C−で置き換えられてもよく、任意の水素はハロゲンで置き換えられていてもよく;
Arはフェニレン、ナフチレン、アントリレンまたはフェナントリレンであり、これらの環における任意の水素はハロゲンで置き換えられてもよい。]
[6] 前記式(2)において、Rは独立して、水素、炭素数1〜20のアルキル、炭素数1〜20のアルコキシ、炭素数2〜20のアルケニル、炭素数2〜20のアルキニル、炭素数2〜20のアルコキシアルキル、炭素数2〜20のアルケニルオキシ、炭素数1〜20のチオアルキル、炭素数2〜20のアルキルチオアルキルまたは炭素数2〜20のチオアルケニルであり、これらの基における任意の水素はフッ素で置き換えられてもよい、[5]に記載の有機半導体用組成物。
前記n−チャンネルトランジスタ(1)が、[11]に記載のトランジスタであり、
前記p−チャンネルトランジスタ(2)が、任意の材料により形成され、
前記n−チャンネルトランジスタ(1)のドレイン電極と前記p−チャンネルトランジスタ(2)のドレイン電極とを、トランジスタのオン抵抗が10%未満である材料で接続し、かつ、前記n−チャンネルトランジスタ(1)のゲート電極と前記p−チャンネルトランジスタ(2)のゲート電極とを、トランジスタのオン抵抗が10%未満である材料で接続した半導体素子。
前記n−チャンネルトランジスタ(3)が、任意の材料により形成され、
前記p−チャンネルトランジスタ(4)が、[11]に記載のトランジスタであり、
前記n−チャンネルトランジスタ(3)のドレイン電極と前記p−チャンネルトランジスタ(4)のドレイン電極とを、トランジスタのオン抵抗が10%未満である材料で接続し、かつ、前記n−チャンネルトランジスタ(3)のゲート電極と前記p−チャンネルトランジスタ(4)のゲート電極とを、トランジスタのオン抵抗が10%未満である材料で接続した半導体素子。
前記n−チャンネルトランジスタ(1)および前記p−チャンネルトランジスタ(4)が、[11]に記載のトランジスタであり、
前記n−チャンネルトランジスタ(1)のドレイン電極と前記p−チャンネルトランジスタ(4)のドレイン電極とを、トランジスタのオン抵抗が10%未満である材料で接続し、かつ、前記n−チャンネルトランジスタ(1)のゲート電極と前記p−チャンネルトランジスタ(4)のゲート電極とを、トランジスタのオン抵抗が10%未満である材料で接続した半導体素子。
化合物(1)は、芳香環の両端にチアジアゾール基を導入した液晶性化合物であり、有機溶媒等との相溶性に優れる。
アントラセン−2,6−ジイル、1−フルオロアントラセン−2,6−ジイル、3−フルオロアントラセン−2,6−ジイル、9−フルオロアントラセン−2,6−ジイル、3,4−ジフルオロアントラセン−2,6−ジイル、1,3−ジフルオロアントラセン−2,6−ジイル、1,4−ジフルオロアントラセン−2,6−ジイル、1,5−ジフルオロアントラセン−2,6−ジイル、4,7−ジフルオロアントラセン−2,6−ジイル、1,7−ジフルオロアントラセン−2,6−ジイル、1,8−ジフルオロアントラセン−2,6−ジイル、1,9−ジフルオロアントラセン−2,6−ジイル、1,10−ジフルオロアントラセン−2,6−ジイル、2,3−ジフルオロアントラセン−1,6−ジイル、3,7−ジフルオロアントラセン−2,6−ジイル、3,6−ジフルオロアントラセン−2,7−ジイル、3,10−ジフルオロアントラセン−2,6−ジイル、3,9−ジフルオロアントラセン−2,6−ジイル、9,10−ジフルオロアントラセン−2,6−ジイル、2,3,4−トリフルオロアントラセン−1,6−ジイル、1,3,4−トリフルオロアントラセン−2,6−ジイル、3,4,8−トリフルオロアントラセン−2,6−ジイル、3,4,7−トリフルオロアントラセン−2,6−ジイル、3,4,6−トリフルオロアントラセン−2,7−ジイル、3,4,5−トリフルオロアントラセン−2,6−ジイル、3,4,10−トリフルオロアントラセン−2,6−ジイル、3,4,9−トリフルオロアントラセン−2,6−ジイル、2,3,5−トリフルオロアントラセン−1,6−ジイル、2,3,7−トリフルオロアントラセン−1,6−ジイル、2,3,9−トリフルオロアントラセン−1,6−ジイル、1,9,10−トリフルオロアントラセン−2,6−ジイル、3,9,10−トリフルオロアントラセン−2,6−ジイル、1,4,5,8−テトラフルオロアントラセン−2,6−ジイル、2,3,6,7−テトラフルオロアントラセン−1,5−ジイル、1,5,9,10−テトラフルオロアントラセン−2,6−ジイル、3,7,9,10−テトラフルオロアントラセン−2,6−ジイル、1,3,5,7−テトラフルオロアントラセン−2,6−ジイル、3,4,7,8−テトラフルオロアントラセン−2,6−ジイル、5,6,7,8−テトラフルオロアントラセン−1,4−ジイル、2,3,4,8−テトラフルオロアントラセン−1,6−ジイル、2,3,4,7−テトラフルオロアントラセン−1,6−ジイル、2,3,4,6−テトラフルオロアントラセン−1,5−ジイル、2,3,4,5−テトラフルオロアントラセン−1,6−ジイル、2,3,4,10−テトラフルオロアントラセン−1,6−ジイル、2,3,4,9−テトラフルオロアントラセン−1,6−ジイル、2,3,4,6,7,8,9,10−オクタフルオロアントラセン−1,5−ジイル、1,3,4,5,7,8,9,10−オクタフルオロアントラセン−2,6−ジイル、1,3,4,5,6,8,9,10−オクタフルオロアントラセン−2,7−ジイル、1,3,4,5,6,7,9,10−オクタフルオロアントラセン−2,8−ジイル、
フェナントレン−2,7−ジイル、1−フルオロフェナントレン−2,7−ジイル、2−フルオロフェナントレン−1,7−ジイル、3−フルオロフェナントレン−2,7−ジイル、4−フルオロフェナントレン−2,7−ジイル、9−フルオロフェナントレン−2,7−ジイル、7,8−ジフルオロフェナントレン−2,6−ジイル、1,3−ジフルオロフェナントレン−2,7−ジイル、1,4−ジフルオロフェナントレン−2,7−ジイル、1,5−ジフルオロフェナントレン−2,7−ジイル、1,6−ジフルオロフェナントレン−2,7−ジイル、2,8−ジフルオロフェナントレン−1,7−ジイル、1,8−ジフルオロフェナントレン−2,7−ジイル、1,9−ジフルオロフェナントレン−2,7−ジイル、1,10−ジフルオロフェナントレン−2,7−ジイル、2,3−ジフルオロフェナントレン−1,7−ジイル、2,4−ジフルオロフェナントレン−1,7−ジイル、2,5−ジフルオロフェナントレン−1,7−ジイル、2,6−ジフルオロフェナントレン−1,7−ジイル、2,7−ジフルオロフェナントレン−1,6−ジイル、2,9−ジフルオロフェナントレン−1,7−ジイル、2,10−ジフルオロフェナントレン−1,7−ジイル、3,4−ジフルオロフェナントレン−2,7−ジイル、3,5−ジフルオロフェナントレン−2,7−ジイル、3,6−ジフルオロフェナントレン−2,7−ジイル、3,9−ジフルオロフェナントレン−2,7−ジイル、3,10−ジフルオロフェナントレン−2,7−ジイル、4,5−ジフルオロフェナントレン−2,7−ジイル、4,9−ジフルオロフェナントレン−2,7−ジイル、4,10−ジフルオロフェナントレン−2,7−ジイル、6,7,8−トリフルオロフェナントレン−1,5−ジイル、5,7,8−トリフルオロフェナントレン−2,6−ジイル、4,7,8−トリフルオロフェナントレン−2,6−ジイル、3,7,8−トリフルオロフェナントレン−2,6−ジイル、2,7,8−トリフルオロフェナントレン−1,6−ジイル、1,7,8−トリフルオロフェナントレン−2,6−ジイル、7,8,10−トリフルオロフェナントレン−2,6−ジイル、7,8,9−トリフルオロフェナントレン−2,6−ジイル、1,3,4−トリフルオロフェナントレン−2,7−ジイル、1,3,5−トリフルオロフェナントレン−2,7−ジイル、1,3,6−トリフルオロフェナントレン−2,7−ジイル、2,6,8−トリフルオロフェナントレン−1,7−ジイル、1,3,8−トリフルオロフェナントレン−2,7−ジイル、1,3,9−トリフルオロフェナントレン−2,7−ジイル、1,3,10−トリフルオロフェナントレン−2,7−ジイル、1,4,5−トリフルオロフェナントレン−2,7−ジイル、1,4,6−トリフルオロフェナントレン−2,7−ジイル、2,5,8−トリフルオロフェナントレン−1,7−ジイル、1,4,8−トリフルオロフェナントレン−2,7−ジイル、1,4,9−トリフルオロフェナントレン−2,7−ジイル、1,4,10−トリフルオロフェナントレン−2,7−ジイル、2,3,4−トリフルオロフェナントレン−1,7−ジイル、2,3,5−トリフルオロフェナントレン−1,7−ジイル、2,3,6−トリフルオロフェナントレン−1,7−ジイル、2,3,7−トリフルオロフェナントレン−1,6−ジイル、2,3,8−トリフルオロフェナントレン−1,7−ジイル、2,3,9−トリフルオロフェナントレン−1,7−ジイル、2,3,10−トリフルオロフェナントレン−1,7−ジイル、3,4,5−トリフルオロフェナントレン−2,7−ジイル、3,4,6−トリフルオロフェナントレン−2,7−ジイル、2,5,6−トリフルオロフェナントレン−1,7−ジイル、3,4,8−トリフルオロフェナントレン−2,7−ジイル、3,4,9−トリフルオロフェナントレン−2,7−ジイル、3,4,10−トリフルオロフェナントレン−2,7−ジイル、1,9,10−トリフルオロフェナントレン−2,7−ジイル、2,9,10−トリフルオロフェナントレン−1,7−ジイル、3,9,10−トリフルオロフェナントレン−2,7−ジイル、4,9,10−トリフルオロフェナントレン−2,7−ジイル、1,2,7,8−テトラフルオロフェナントレン−3,6−ジイル、1,3,6,8−テトラフルオロフェナントレン−2,7−ジイル、1,4,5,8−テトラフルオロフェナントレン−2,7−ジイル、2,3,6,7−テトラフルオロフェナントレン−1,8−ジイル、2,4,5,7−テトラフルオロフェナントレン−1,6−ジイル、3,4,5,6−テトラフルオロフェナントレン−2,7−ジイル、1,8,9,10−テトラフルオロフェナントレン−2,7−ジイル、2,7,9,10−テトラフルオロフェナントレン−1,6−ジイル、3,6,9,10−テトラフルオロフェナントレン−2,7−ジイル、4,5,9,10−テトラフルオロフェナントレン−2,7−ジイル、1,3,4,5,6,8,9,10−オクタフルオロフェナントレン−2,7−ジイル、1,3,4,5,6,7,9,10−オクタフルオロフェナントレン−2,8−ジイル、1,3,4,5,7,8,9,10−オクタフルオロフェナントレン−2,6−ジイル、1,2,4,5,7,8,9,10−オクタフルオロフェナントレン−3,6−ジイル、1,2,4,5,6,7,9,10−オクタフルオロフェナントレン−3,8−ジイル、および、2,3,4,5,6,7,9,10−オクタフルオロフェナントレン−1,8−ジイルが挙げられる。
本発明の有機半導体用組成物は、少なくとも1種の上記化合物(2)を含有し、好ましくは組成物100重量%に対し、化合物(2)を0.01重量%以上、100重量%以下の範囲内で含有し、さらに好ましくは、1重量%以上、80重量%以下の範囲内で含有する。
本発明の有機半導体用液晶組成物(以下「液晶相を有する組成物」ともいう。)は、スメクチック相もしくはネマチック相を有する上記有機半導体用組成物を含む。
本発明の有機半導体膜は、上記化合物(1)、上記有機半導体用組成物または上記有機半導体用液晶組成物から形成される。このため、電子およびホールを輸送可能であり、欠陥密度の小さい可視光透過性の半導体膜である。
本発明の有機半導体素子は、電極および上記本発明の有機半導体膜を含有する。
(A)n−チャンネルトランジスタ(1)とp−チャンネルトランジスタ(2)とを含む半導体素子であって、
前記n−チャンネルトランジスタ(1)が、本発明のトランジスタであり、前記p−チャンネルトランジスタ(2)が、任意のトランジスタであり、
前記n−チャンネルトランジスタ(1)のドレイン電極と前記p−チャンネルトランジスタ(2)のドレイン電極とを、トランジスタのオン抵抗が10%未満である材料で接続し、かつ、前記n−チャンネルトランジスタ(1)のゲート電極と前記p−チャンネルトランジスタ(2)のゲート電極とを、トランジスタのオン抵抗が10%未満である材料で接続したもの、および、
(B)n−チャンネルトランジスタ(3)とp−チャンネルトランジスタ(4)とを含む半導体素子であって、
前記n−チャンネルトランジスタ(3)が、任意のトランジスタであり、前記p−チャンネルトランジスタ(4)が、本発明のトランジスタであり、
前記n−チャンネルトランジスタ(3)のドレイン電極と前記p−チャンネルトランジスタ(4)のドレイン電極とを、トランジスタのオン抵抗が10%未満である材料で接続し、かつ、前記n−チャンネルトランジスタ(3)のゲート電極と前記p−チャンネルトランジスタ(4)のゲート電極とを、トランジスタのオン抵抗が10%未満である材料で接続したものが挙げられる。
前記n−チャンネルトランジスタ(1)のドレイン電極と前記p−チャンネルトランジスタ(4)のドレイン電極とを、トランジスタのオン抵抗が10%未満である材料で接続し、かつ、前記n−チャンネルトランジスタ(1)のゲート電極と前記p−チャンネルトランジスタ(4)のゲート電極とを、トランジスタのオン抵抗が10%未満である材料で接続したものである。このCMOS(C)は、n−チャンネルトランジスタおよびp−チャンネルトランジスタの半導体層を実質的に同じ組成とすることができるので、低コストで容易に製造され、キャリア移動度が全体として均一で、機械的強度に優れたものとなる。
相の同定および相移転温度を決定するために、下記1)および2)の方法で測定した。
吸収スペクトルは、日本分光製V−660を用いて測定した。下記実施例で得られた化合物の濃度が20μMになるように化合物をテトラヒドロフラン(THF)に溶解させた溶液を、光路長10mmの石英セル中に入れて測定を行った。
実施例1または2で得られた化合物(3)または化合物(4)をCDCl3に溶解させた溶液を用い、室温にて核磁気共鳴装置DRX−500(ブルカーバイオスピン(株)製)を用いて測定した。なお、δ値のゼロ点の基準物質にはテトラメチルシラン(TMS)を用いた。
化合物(3)の合成
テレフタル酸ジメチル(h)10g(51.5mmol)をエタノール15mL、クロロホルム10mLの混合溶媒へ溶解させ、そこにヒドラジン1水和物25.8g(515mmol)を加え、4時間加熱還流させた。冷却後、反応溶液中の固体をろ別し、エタノール10mLを用いて、ろ物を2回洗浄した後、減圧下乾燥させ、10gの化合物(i)を得た。
窒素雰囲気下1,4−ジオキサン200mLに溶解させた10gの化合物(i)に、ピリジン24.4g(309mmol)を加え、続いてノナノイルクロリド21.8g(123.6mmmol)を加え終夜撹拌した。その後、反応液を水中へ流し込み、固体を吸引濾過にてろ別し、ろ物を蒸留水で数回洗浄の後、減圧下乾燥させ、23.7gの化合物(j)を得た。
23.7gの化合物(j)をトルエン300mLに溶解させ、そこにローソン試薬52.1g(128.8mmol)を加え、加熱還流下4時間撹拌した。冷却後、反応溶液を2N−水酸化ナトリウム水溶液200mLに注ぎ込み、30分撹拌した。その後、吸引濾過にて固体をろ別した。得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶離液;クロロホルム/酢酸エチル=4/1(v/v))で精製し、ヘプタン−メタノール混合溶媒中で再結晶することにより、4.5gの化合物(3)を無色結晶として得た。
[相転移温度(℃)]
Cry1 86.7 Cry2 126.8 SmX 128.5 SmA 134.5 Iso
[吸収スペクトル]
可視光での吸収は観測されなかった。
化合物(4)の合成
2,6−ナフタレンジカルボン酸ジメチル(k)10g(41mmol)をエタノール15mLに溶解させ、そこにヒドラジン1水和物22.3g(446mmol)を加え4時間加熱還流させた。冷却後、反応溶液中の固体をろ別し、エタノール10mLを用いて、ろ物を2回洗浄した後、減圧下乾燥させ、6.01gの化合物(l)を得た。
窒素雰囲気下、1,4−ジオキサン150mLに溶解させた6.01gの化合物(l)(24.6mmol)に、ピリジン11.7g(147.6mmol)を加え、続いてノナノイルクロリド10.4g(59.0mmmol)を加え、終夜撹拌した。その後、反応液を水中へ流し込み、固体を吸引濾過にてろ別し、ろ物を蒸留水で数回洗浄の後、減圧下乾燥させ、12.8gの化合物(m)を得た。
12.8gの化合物(m)(24.4mmmol)をトルエン300mLに溶解させ、そこにローソン試薬25.0g(62.0mmol)を加え、加熱還流下4時間撹拌した。冷却後、反応溶液を2N−水酸化ナトリウム水溶液200mLに注ぎ込み、30分撹拌した。その後、吸引濾過にて固体を濾別した。得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶離液;クロロホルム/酢酸エチル=9/1(v/v))で精製し、ヘプタン−メタノール混合溶媒中で再結晶することにより、7.6gの化合物(4)を無色結晶として得た。
[相転移温度(℃)]
Cry 123.1 SmX 136.9 SmA 222.5 Iso
[吸収スペクトル]
可視光での吸収は観測されなかった。
化合物(3)のキャリア移動度(電子の移動度、ホールの移動度)の測定
実施例1で合成した化合物(3)のキャリア移動度を飛行時間測定法(TOF法)で測定した。この測定法で用いたセルの模式概略図を図1に示す。
化合物(4)のキャリア移動度の測定
実施例2で合成した化合物(4)を用いて、実施例3と同様の方法でTOF法測定セルを作成した。なお、セルは250℃に加熱した。
吸収スペクトルの記載があり、かつホール、電子両方の伝達の記載がある特許である特開2009−242339号公報の化合物5a〜5cと、実施例2で合成した化合物(4)との物性の比較を行った。その結果、キャリア移動度は化合物(4)よりも低い10-3cm2/Vsであった。また比較例においては600nm近傍に、モル吸収計数が105M-1cm-1にも及ぶ大きな吸収を有していた。化合物(4)は可視光域に吸収を有さないため、可視光下で用いられる表示素子への応用に有利である。また、化合物(4)は可視光透過性であるため、さまざまな用途に制限なく使用することができる。これらの点において化合物(4)が優れている。
非特許文献1には、可視光を吸収せず、かつホールおよび電子両方の伝達が可能である化合物2,7−bis(4−tert−butylphenyl−9,9‘−spirobifluorene(下記No.243)が記載されている。また、非特許文献1には、このNo.243の化合物のキャリア移動度を実施例4と同じ測定法であるTOF法により測定した結果が記載されており、温度約60℃において、ホールおよび電子の移動度とも1×10-3cm2/Vsを多少超える程度であった。化合物(4)のホールおよび電子移動度は、No.243の化合物に比べてそれぞれ10倍および100倍程度大きい。この点において化合物(4)が優れている。
2,5; ITO電極
3; 電荷輸送材料(化合物(1)〜化合物(4))
Claims (14)
- 前記式(1)において、Rは独立して、水素、炭素数1〜20のアルキル、炭素数1〜20のアルコキシ、炭素数2〜20のアルケニル、炭素数2〜20のアルキニル、炭素数2〜20のアルコキシアルキル、炭素数2〜20のアルケニルオキシ、炭素数1〜20のチオアルキル、炭素数2〜20のアルキルチオアルキルまたは炭素数2〜20のチオアルケニルであり、これらの基における任意の水素はフッ素で置き換えられてもよい、請求項1に記載の化合物。
- 前記式(1)において、Arはナフチレン、アントリレン、フェナントリレンまたはすべての水素が塩素またはフッ素で置き換えられたフェニレンであり、ナフチレン、アントリレンおよびフェナントリレンにおける任意の水素はフッ素で置き換えられてもよい、請求項1または請求項2に記載の化合物。
- 電子移動度およびホール移動度が1.0×10-4〜1.0×102cm2/Vsである、請求項1〜3のいずれか1項に記載の化合物。
- 前記式(2)において、Rは独立して、水素、炭素数1〜20のアルキル、炭素数1〜20のアルコキシ、炭素数2〜20のアルケニル、炭素数2〜20のアルキニル、炭素数2〜20のアルコキシアルキル、炭素数2〜20のアルケニルオキシ、炭素数1〜20のチオアルキル、炭素数2〜20のアルキルチオアルキルまたは炭素数2〜20のチオアルケニルであり、これらの基における任意の水素はフッ素で置き換えられてもよい、請求項5に記載の有機半導体用組成物。
- 前記式(2)において、Arはフェニレン、ナフチレン、アントリレンまたはフェナントリレンであり、これらの環における任意の水素はフッ素で置き換えられてもよい、請求項5または6に記載の有機半導体用組成物。
- 請求項5〜7のいずれか1項に記載の有機半導体用組成物がスメクチック相もしくはネマチック相を有する、有機半導体用液晶組成物。
- 請求項1〜4のいずれか1項に記載の化合物、請求項5〜7のいずれか1項に記載の有機半導体用組成物、または請求項8に記載の有機半導体用液晶組成物から形成される有機半導体膜。
- 電極および請求項9に記載の有機半導体膜を含有する有機半導体素子。
- ゲート電極、誘電体層、ソース電極、ドレイン電極および半導体層を含有するトランジスタであって、該半導体層が請求項9に記載の有機半導体膜を含有する電界効果トランジスタ。
- n−チャンネルトランジスタ(1)と、p−チャンネルトランジスタ(2)とを含む半導体素子であって、
前記n−チャンネルトランジスタ(1)が、請求項11に記載のトランジスタであり、
前記p−チャンネルトランジスタ(2)が、任意の材料により形成され、
前記n−チャンネルトランジスタ(1)のドレイン電極と、前記p−チャンネルトランジスタ(2)のドレイン電極とを、トランジスタのオン抵抗が10%未満である材料で接続し、かつ、前記n−チャンネルトランジスタ(1)のゲート電極と、前記p−チャンネルトランジスタ(2)のゲート電極とを、トランジスタのオン抵抗が10%未満である材料で接続した半導体素子。 - n−チャンネルトランジスタ(3)と、p−チャンネルトランジスタ(4)とを含む半導体素子であって、
前記n−チャンネルトランジスタ(3)が、任意の材料により形成され、
前記p−チャンネルトランジスタ(4)が、請求項11に記載のトランジスタであり、
前記n−チャンネルトランジスタ(3)のドレイン電極と、前記p−チャンネルトランジスタ(4)のドレイン電極とを、トランジスタのオン抵抗が10%未満である材料で接続し、かつ、前記n−チャンネルトランジスタ(3)のゲート電極と、前記p−チャンネルトランジスタ(4)のゲート電極とを、トランジスタのオン抵抗が10%未満である材料で接続した半導体素子。 - n−チャンネルトランジスタ(1)と、p−チャンネルトランジスタ(4)とを含む半導体素子であって、
前記n−チャンネルトランジスタ(1)および前記p−チャンネルトランジスタ(4)が、請求項11に記載のトランジスタであり、
前記n−チャンネルトランジスタ(1)のドレイン電極と、前記p−チャンネルトランジスタ(4)のドレイン電極とを、トランジスタのオン抵抗が10%未満である材料で接続し、かつ、前記n−チャンネルトランジスタ(1)のゲート電極と、前記p−チャンネルトランジスタ(4)のゲート電極とを、トランジスタのオン抵抗が10%未満である材料で接続した半導体素子。
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