JP5660371B2 - ホウ素含有化合物及びその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、ホウ素含有化合物及びその製造方法に関する。より詳しくは、有機ＥＬ素子等の発光デバイスや有機半導体の材料等の機能性電子素子素材として好適に用いることができるホウ素含有化合物及びその製造方法に関する。

ホウ素原子を構造中に有する有機ホウ素化合物は、ホウ素原子の分子軌道における電子状態に起因する電子的特性から機能性電子素子素材として注目されているものである。例えば、電子受容性などの特性が必要とされる有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子の材料やＮ型半導体の材料として期待されている。特に有機ＥＬ素子は、ディスプレイとしての種々の優れた特性を有することから、より一層の高性能化を実現できる材料の開発が盛んに進められている。また、ホール層、電子輸送層に無機材料を用いたＨＯＩＬＥＤ（ハイブリッド有機−無機発光ダイオード）素子の実用化開発が進められており、それに適した材料の開発が待たれるところでもあった。ＨＯＩＬＥＤ素子は、ハイブリッド化することによって、有機ＥＬ素子に比べて酸素や水に対する耐性が高いという有利性を有する。これにより、素子内部の各層を厳重に密閉する必要性を軽減させて製造時の手間を少なくし、生産コストを低くすることができる他、ディスプレイとしての種々の優れた特性を有するものである。

有機ＥＬ素子の用途に利用が検討された有機ホウ素化合物としては、これまで数例が知られているが、それらのほとんどは３つのアリール基がホウ素原子上に結合したものに限られていた。有機ホウ素化合物は、その電子的な特性に起因して安定な構造とすることが困難であり、そのために電子素材用途に実際に用いることができるものが限られているというのが現状である。このような有機ホウ素化合物を次世代の機能性電子素子素材として活用するためには、ホウ素原子に起因する優れた特有の性質を発揮させつつ、安定的に取り扱える新規な化合物を種々開発することが望まれるところであった。

従来の有機ホウ素含有化合物としては、ホウ素にビニル基が結合した構造を有する有機ホウ素化合物を有機ＥＬ素子用材料として用いることが開示されている（例えば、特許文献１参照。）。また、特定の構造を有する有機ホウ素π電子系化合物を電子輸送材料として用いることが開示され（例えば、特許文献２参照。）、有機ホウ素含有化合物であるジメシチルボリル置換チエニルトリアゾール等について、有機ホウ素π電子系化合物のＬＵＭＯのエネルギー準位が低いことが実際に示されている（例えば、非特許文献１参照。）。

更には、有機ＥＬ素子用材料としての利用が検討されている有機ホウ素含有化合物としては、上述した構造のものの他に、分子内に配位結合を有するホウ素化合物が開発されており、例えば、不対電子を持ちホウ素と配位結合可能な元素を含み、特定の構造を有する有機ホウ素含有化合物である有機ＥＬ素子用材料が開示されている（例えば、特許文献３参照。）。また、分子内においてホウ素原子に窒素原子が配位した構造を有する特定の構造の有機ホウ素含有化合物を含有する有機電界発光素子が開示されている（例えば、特許文献４参照。）。その他、分子内にホウ素原子を３〜１５個有する特定の構造の有機ホウ素含有化合物である有機ＥＬ素子用材料（例えば、特許文献５参照。）や、特定の構造を有する有機ホウ素含有化合物である有機ＥＬ素子用材料（例えば、特許文献６参照。）が開示されている。

ところで、ＨＯＩＬＥＤ素子については、これまで材料化学の分野において様々な誘導体が知られているフルオレン、ポリフルオレン誘導体が検討されている。例えば、発光層としてフルオレン誘導体を用いたＨＯＩＬＥＤ素子や（例えば、非特許文献２参照。）、陽極および陰極と、陽極と陰極とに挟まれた１層または複数層の有機化合物層と、陽極と有機化合物層との間及び陰極と有機化合物層との間に、少なくとも１種類以上の金属酸化物薄膜を有し、その有機化合物層がポリフルオレン誘導体により構成される有機薄膜発光素子が開示されている（例えば、特許文献７参照。）。

特開２００９−１５５３２５号公報（第１−２、２１８−２２０頁） 国際公開第２００６／０７０８１７号公報（第１−２頁） 国際公開第２００５／０６２６７６号公報（第１−５頁） 特開２００７−３５７９１号公報（第１−２頁） 特開２０００−２９０６４５号公報（第１−２頁） 国際公開第２００５／０６２６７５号公報（第３６−３７頁） 特開２００７−５３２８６号公報（第１−２、１３−１４頁）

アツシ・ワカミヤ（Ａｔｓｕｓｈｉ Ｗａｋａｍｉｙａ）、外２名、「アンゲヴァンテ ケミー インターナショナル エディション（Ａｎｇｅｗａｎｄｔｅ Ｃｈｅｍｉｅ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｅｄｉｔｉｏｎ）」、２００６年、第４５巻、ｐ．３１７０−３１７３ カツユキ・モリイ（Ｋａｔｓｕｙｕｋｉ Ｍｏｒｉｉ）、外６名、「アプライド フィジックス レターズ（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ）」、２００６年、第８９巻、ｐ．１８３５１０−１〜１８３５１０−３

有機ホウ素化合物は、ホウ素原子がその分子軌道に空軌道を有し、それによって最高被占軌道（ＨＯＭＯ）や最低空軌道（ＬＵＭＯ）のエネルギー準位が低いという、ホウ素原子の電子状態に由来する特性を有する。特にＬＵＭＯのエネルギー準位が低いことに起因して、上記のように有機ＥＬ素子の材料やＮ型半導体の材料としての用途が期待されている。例えば、低分子有機ＥＬ素子の一般的な構成、すなわち、透明電極から形成される陽極、ホール（正孔）輸送層、発光層、電子輸送層、Ｍｇ、Ａｌ、Ｃａ等から形成される陰極といった構成において、電子輸送層や発光層にＬＵＭＯのエネルギー準位が低い材料を使用すれば、機能性電子素子としての性能が向上することになる。また、高分子有機ＥＬの一般的な構成、すなわち、透明電極から形成される陽極、ホール（正孔）輸送層、発光兼電子輸送層、Ｃａ、Ｂａ等から形成される陰極といった構成において、発光兼電子輸送層にＬＵＭＯのエネルギー準位が低い材料を使用すれば、同様に機能性電子素子としての性能が向上することになる。ＨＯＩＬＥＤ素子については、従来検討されてきたフルオレン、ポリフルオレン誘導体のＬＵＭＯが高く、実際にはＨＯＩＬＥＤ素子には不向きであり安定した発光を得ることは出来ていない。これらに代わる材料として、ＬＵＭＯが低く、更には、発光材料として優れた材料の開発が期待されるところである。
一方で、有機ホウ素化合物における課題は、ホウ素原子が空軌道を有することに伴って、安定な化合物が少ないということである。安定な化合物でありながら、ＨＯＭＯ、ＬＵＭＯのエネルギー準位を下げることができれば、機能性電子素子素材としての用途に有用である。そのような化合物のバリエーションを増やすことは、有機ＥＬ素子やＮ型半導体、ＨＯＩＬＥＤ素子等の分野で当該化合物自体を素子材料として用いる場合や当該化合物から調製した重合体を用いる場合において大きな技術的意義がある。

一般的に、有機ホウ素化合物において安定な構造とするためには、いわゆる嵩高いバルキーな基をホウ素原子に結合させた構造とすればよい。従来技術において、有機ホウ素化合物に、３つのアリール基がホウ素原子に結合した構造が多いのは、前駆体であるフルオロジメシチルボラン、５−ブロモジベンゾボロールのようなハロホウ素化合物自体が、安定性を得るためにホウ素上の置換基を嵩高い構造にしているためである。また、特許文献１には、ビニル基を置換基として有する有機ホウ素含有化合物が合成されているが、このようなホウ素含有化合物の製造方法では、高価なパラジウム触媒を使用する必要がある。これらの有機ホウ素化合物においては、製造できる化合物や該化合物を原料とする重合体の構造が限られることになる。特許文献３、４においてはいずれも、ホウ素原子と配位結合可能な元素が、ホウ素原子に分子内で配位し、特定の構造を有する有機ホウ素含有化合物が合成されているが、それらに記載のホウ素含有化合物の製造方法では、ごく限られた構造の化合物が製造できるに止まり、該化合物を原料として重合体を製造することが困難であったり、製造出来たとしても重合体の構造制御が困難であったりするものである。また、特許文献５に記載のホウ素含有化合物は、１５量体までのものであり、それ以上の多量体について開示されていない。更に特許文献６についても、記載されたホウ素含有化合物の製造方法で製造することができるのは、限られた構造の化合物となる。
今後の有機ＥＬ素子やＮ型半導体、ＨＯＩＬＥＤ素子等の開発の中で、様々な特性が要求され、また、このような化合物から様々な重合体を調製することが求められることになる。ここで、上述した特許文献２〜６においては、それらに記載の有機ホウ素含有化合物を電子輸送材料や、正孔阻止材料、発光層中のホスト化合物として用いることが開示されているが、例えば、ＬＵＭＯが低く、更には、発光収率の高い化合物を合成することが出来れば、有機ＥＬ素子やＨＯＩＬＥＤ素子等の発光材料として好適に用いることが可能となる。
そしてこのような要求に応えることができる材料設計のためには、新規な有機ホウ素化合物を種々調製し、また、様々な構造の有機ホウ素化合物誘導体を安価で容易に得ることができることが好ましい。例えば、ホウ素原子における置換基等の種類を選択的にかつ自由度を高くして変えることができれば、新規な有機ＥＬ素子、新規な有機半導体の開発において極めて有益である。
また、ＨＯＩＬＥＤ素子材料として検討されてきたフルオレン、ポリフルオレンに代わるＬＵＭＯの低い疑似フルオレン化合物群の合成ができれば、ＨＯＩＬＥＤ素子の実用化検討が大いに進む可能性がある。

本発明は、上記現状に鑑みてなされたものであり、有機ＥＬ素子やＮ型半導体の発光材料等として有用で新規なホウ素含有化合物及び該化合物を用いて得られるホウ素含有重合体、並びに、ホウ素含有化合物やホウ素含有重合体を安価に製造することを可能とするホウ素含有化合物の製造方法を提供することを目的とする。

本発明者等は、新規なホウ素含有化合物、及び、種々のホウ素含有化合物の新たな製造方法について種々検討したところ、ホウ素含有化合物を安定的な化合物とするためには、ホウ素原子に対して窒素原子が配位した構造を有するようにすればよいことに着目した。そして、ホウ素原子に臭素原子又はヨウ素原子が結合し、ホウ素原子と窒素原子とを有する骨格中に二重結合を有し、その骨格が少なくとも２つの環構造の一部分を形成する特定構造のホウ素含有化合物が安定な化合物でありながら、ＨＯＭＯ、ＬＵＭＯのエネルギー準位を下げることができる有用な化合物であることを見出し、上記課題を見事に解決することができることに想到した。また、構造中に窒素原子と２つの環構造とを有し、更に少なくとも１つの二重結合を有する特定の構造の化合物と、特定の構造の臭素化又はヨウ素化ホウ素含有化合物とを反応させることにより、高価なパラジウム触媒を使用することなく、ホウ素原子に臭素原子又はヨウ素原子が置換基として結合し、窒素原子がホウ素原子に配位した構造を有する種々のホウ素含有化合物を製造できることを見出した。更に、このようなホウ素含有化合物のホウ素原子に結合した臭素原子又はヨウ素原子を他の原子や原子団に変換することができ、それによって従来法では製造困難であった様々な構造のホウ素含有化合物を製造することができること、及び、このようにして得られるホウ素含有化合物を用いることで、種々の構造をもつホウ素含有重合体を製造することができることを見出し、本発明に到達したものである。
また、ＨＯＩＬＥＤ素子等の分野においては、これまで検討されてきたフルオレン、ポリフルオレンに代わって、ＬＵＭＯを下げる手段として分子内にホウ素原子を導入することが考えられるが、本発明者等は、実際にホウ素原子を導入することによりフルオレンなどと等電子構造でＬＵＭＯの低い疑似フルオレン化合物群を合成できることも見出した。そして、それらの化合物の発光量子収率の値が機能性電子素子素材としての適性に関係することを見出し、その範囲を特定することによって、安定した発光特性を得ることができるようになり、有機ＥＬ素子等の発光層を構成する発光材料として、特にＨＯＩＬＥＤ素子の発光層を構成する発光材料として特に好適に用いることのできるホウ素含有化合物となることに想到した。
このように、本発明の好ましい形態の１つは、特定の構造を有するホウ素含有化合物のうち、発光量子収率が特定の範囲である化合物であり、また、本発明の好ましい形態の１つは、特定の構造を有するホウ素含有化合物のうち、特定の官能基（置換基）として直鎖状若しくは分岐状炭化水素基又は脂環式炭化水素基を有する化合物である。なお、これら２つの好ましい形態の両方の構成要素を持つ形態であることも好ましい。

すなわち本発明は、ホウ素原子及び二重結合を有するホウ素含有化合物を含む発光材料であって、上記ホウ素含有化合物は、下記式（１）；

（式中、点線の円弧は、ホウ素原子と窒素原子とを繋ぐ骨格部分の一部と共に環構造が形成されていることを表す。ホウ素原子と窒素原子とを繋ぐ骨格部分における点線部分は、少なくとも１対の原子が二重結合で結ばれることを表し、該二重結合が環構造と共役していてもよい。窒素原子からホウ素原子への矢印は、窒素原子がホウ素原子へ配位していることを表す。Ｘ^１及びＸ^２は、同一若しくは異なって、水素原子又は環構造の置換基となる１価の置換基を表し、点線の円弧部分を形成する環構造に複数個結合していてもよい。Ｒ^１及びＲ^２は、同一若しくは異なって、水素原子又は１価の置換基を表す。）で表されることを特徴とする発光材料である。
以下に本発明を詳述する。

本発明の発光材料は、下記式（１）；

（式中、点線の円弧は、ホウ素原子と窒素原子とを繋ぐ骨格部分の一部と共に環構造が形成されていることを表す。ホウ素原子と窒素原子とを繋ぐ骨格部分における点線部分は、少なくとも１対の原子が二重結合で結ばれることを表し、該二重結合が環構造と共役していてもよい。窒素原子からホウ素原子への矢印は、窒素原子がホウ素原子へ配位していることを表す。Ｘ^１及びＸ^２は、同一若しくは異なって、水素原子又は環構造の置換基となる１価の置換基を表し、点線の円弧部分を形成する環構造に複数個結合していてもよい。Ｒ^１及びＲ^２は、同一若しくは異なって、水素原子又は１価の置換基を表す。）で表される構造を有するホウ素含有化合物を含む。
なお、本発明の発光材料は、有機ＥＬ素子等の発光層を構成する発光材料等として好適に用いることができるものであり、発光体のホスト材料として用いられるものではなく、それ自体が発光体として用いられるものである。

上記式（１）において、点線の円弧は、ホウ素原子と窒素原子とを繋ぐ骨格部分の一部と共に環構造が形成されていることを表す。すなわち、上記式（１）で表されるホウ素含有化合物が構造中に少なくとも２つ環構造を有し、上記式（１）において、ホウ素原子と窒素原子とを繋ぐ骨格部分が、該環構造の一部として含まれていることを表している。
上記式（１）において、ホウ素原子と窒素原子とを繋ぐ骨格部分における点線部分は、少なくとも１対の原子が二重結合で結ばれることを表し、該二重結合が環構造と共役していてもよいことを表す。式（１）で表される化合物のうち、二重結合が環構造と共役するものとしては、例えば、下記式（２−１）〜（２−４）のような構造のものが挙げられる。

上記式（１）において、窒素原子からホウ素原子への矢印は、窒素原子がホウ素原子へ配位していることを表す。ここで、配位しているとは、窒素原子がホウ素原子に対して配位子と同様に作用して化学的に影響していることを意味し、配位結合（共有結合）となっていてもよく、配位結合を形成していなくてもよい。好ましくは、配位結合となっていることである。
上記式（１）において、Ｘ^１及びＸ^２は、同一若しくは異なって、水素原子又は環構造の置換基となる１価の置換基を表し、点線の円弧部分を形成する環構造に複数個結合していてもよい。すなわち、Ｘ^１及びＸ^２が水素原子である場合には、式（１）で表されるホウ素含有化合物の構造中、Ｘ^１及びＸ^２を有する２つの環構造は置換基を有していないことを示し、Ｘ^１及び／又はＸ^２が１価の置換基である場合には、該２つの環構造のいずれか、又は、いずれも置換基を有することとなる。その場合には、１つの環構造の有する置換基の数は１つであってもよいし、２つ以上であってもよい。
なお、本明細書中において置換基とは、炭素を含む有機基と、ハロゲン原子、ヒドロキシ基等の炭素を含まない基とを含めた基を意味している。

本発明におけるホウ素含有化合物は、ＬＵＭＯのエネルギー準位が低いために、有機ＥＬ素子の材料やＮ型半導体の材料として好適に用いることができるものであるが、そのような用途として用いられるホウ素含有化合物のＬＵＭＯのエネルギー準位としては、例えば、３．０ｅＶ〜５．２ｅＶであることが好ましい。そのような範囲であると、有機ＥＬ素子やＮ型半導体の材料として用いた場合に、充分に性能を発揮することができる。ＬＵＭＯのエネルギー準位としてより好ましくは、３．２ｅＶ〜５．１ｅＶであり、更に好ましくは、３．４ｅＶ〜５．０ｅＶである。特に好ましくは、３．６ｅＶ〜５．０ｅＶである。
なお、ＬＵＭＯのエネルギー準位は、例えば、後述する本願明細書の実施例及び比較例において行っているようにして求めることが好適である。

上記式（１）において、Ｒ^１及びＲ^２は、同一若しくは異なって、水素原子又は１価の置換基を表す。該Ｒ^１及びＲ^２は、同一であっても異なっていてもよいが、同一であることが好適である。該Ｒ^１及びＲ^２としては、特に制限されないが、例えば、水素原子、置換基を有していてもよいアリール基、複素環基、アルキル基、アルコキシ基、アリールアルコキシ基、シリル基、ヒドロキシ基、ボリルオキシ基、アミノ基、ハロゲン原子、Ｒ^１とＲ^２とが結合してなる２，２’−ビフェニル基、置換基を有していてもよいオリゴアリール基、１価のオリゴ複素環基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アゾ基、スタニル基、ホスフィノ基、シリルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基、アルキルスルホニルオキシ基；メタンスルホネート基、エタンスルホネート基、トリフルオロメタンスルホネート基等のアルキルスルホネート基；ベンゼンスルホネート基、ｐ−トルエンスルホネート基等のアリールスルホネート基；ベンジルスルホネート基等のアリールアルキルスルホネート基；下記式（３−１）〜（３−４）で表される基等のボリル基；下記式（３−５）〜（３−６）で表される基等のスルホニウムメチル基；下記式（３−７）で表される基等のホスホニウムメチル基；下記式（３−８）で表される基等のホスホネートメチル基；アリールスルホネート基；アルデヒド基；アセトニトリル基；下記式（３−９）で表されるハロゲン化マグネシウム等が挙げられる。
なお、式中、Ｍｅは、メチル基を表す。Ｅｔは、エチル基を表す。Ｘは、ハロゲン原子を表す。Ｒ´は、アルキル基、アリール基、又は、アリールアルキル基を表す。

上記アリール基としては、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、テトラヒドロナフチル基、インデニル基、インダニル基等が挙げられる。これらの中でも、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基が好ましい。
上記複素環基としては、ピロリル基、ピリジル基、キノリル基、ピペリジニル基、ピペリジノ基、フリル基、チエニル基等が挙げられる。これらの中でも、ピリジル基、チエニル基が好ましい。
上記ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられ、これらの中でも臭素原子、ヨウ素原子が好ましい。

上記アルキル基としては、炭素数１〜３０の直鎖状又は分岐状炭化水素基、炭素数３〜３０の脂環式炭化水素基が挙げられる。すなわち、式（１）で表されるホウ素含有化合物を含む発光材料において、式（１）におけるＲ^１及びＲ^２が、同一若しくは異なって、炭素数１〜３０の直鎖状若しくは分岐状炭化水素基、又は、炭素数３〜３０の脂環式炭化水素基であることもまた、本発明の好適な実施形態の１つである。
上記炭素数１〜３０の直鎖状炭化水素基としては具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基等が挙げられる。
上記炭素数１〜３０の分岐状炭化水素基としては具体的には、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イソペンチル基等が挙げられる。
上記炭素数３〜３０の脂環式炭化水素基としては具体的には、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロへプチル基等が挙げられる。
上記アルキル基としては、これらの中でもメチル基、エチル基、イソプロピル基、イソブチル基、オクチル基が好ましい。より好ましくは、メチル基、エチル基、イソブチル基、オクチル基である。

上記Ｒ^１及びＲ^２における置換基としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子のハロゲン原子；塩化メチル基、臭化メチル基、ヨウ化メチル基、フルオロメチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基等のハロアルキル基；メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等の炭素数１〜４の直鎖状又は分岐鎖状アルキル基；シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基等の炭素数５〜７の環状アルキル基；メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基等の炭素数１〜８の直鎖状又は分岐鎖状アルコキシ基；ヒドロキシ基；チオール基；ニトロ基；シアノ基；アミノ基；メチルアミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等の炭素数１〜４のアルキル基を有するモノ又はジアルキルアミノ基；ジフェニルアミノ基、カルバゾリル基などのアミノ基；アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基等のアシル基；ビニル基、１−プロペニル基、アリル基、ブテニル基、スチリル基等の炭素数２〜８のアルケニル基；エチニル基、１−プロピニル基、プロパルギル基、フェニルアセチニル等の炭素数２〜８のアルキニル基；ビニルオキシ基、アリルオキシ基等のアルケニルオキシ基；エチニルオキシ基、フェニルアセチルオキシ基等のアルキニルオキシ基；フェノキシ基、ナフトキシ基、ビフェニルオキシ基、ピレニルオキシ基等のアリールオキシ基；トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基、ペンタフルオロエトキシ基等のパーフルオロ基及び更に長鎖のパーフルオロ基；ジフェニルボリル基、ジメシチルボリル基、ビス（パーフルオロフェニル）ボリル基等のボリル基；アセチル基、ベンゾイル基等のカルボニル基；アセトキシ基、ベンゾイルオキシ基等のカルボニルオキシ基；メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基；メチルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基等のスルフィニル基；トリメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、ジメチル−ｔｅｒｔ−ブチルシリル基、トリメトキシシリル基、トリフェニルシリル基等のシリル基；ハロゲン原子やアルキル基、アルコキシ基等で置換されていてもよいフェニル基、２，６−キシリル基、メシチル基、デュリル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基、アントリル基、ピレニル基、トルイル基、アニシル基、フルオロフェニル基、ジフェニルアミノフェニル基、ジメチルアミノフェニル基、ジエチルアミノフェニル基、フェナンスレニル基等のアリール基；チエニル基、フリル基、シラシクロペンタジエニル基、オキサゾリル基、オキサジアゾリル基、チアゾリル基、チアジアゾリル基、アクリジニル基、キノリル基、キノキサロイル基、フェナンスロリル基、ベンゾチエニル基、ベンゾチアゾリル基、インドリル基、カルバゾリル基、ピリジル基、ピロリル基、ベンゾオキサゾリル基、ピリミジル基、イミダゾリル基等のヘテロ環基；；カルボキシル基；カルボン酸エステル；エポキシ基；イソシアノ基；シアネート基；イソシアネート基；チオシアネート基；イソチオシアネート基；カルバモイル基；Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイル基、Ｎ，Ｎ−ジエチルカルバモイル基等のＮ，Ｎ−ジアルキルカルバモイル基；ホルミル基；ニトロソ基；ホルミルオキシ基；等が挙げられる。なお、これらの基は、ハロゲン原子や芳香族等で置換されていてもよく、更に、これらの基がお互いに任意の場所で結合して環を形成していてもよい。
これらの中でも、上記Ｒ^１及びＲ^２における１価の置換基の有する置換基としては、ハロゲン原子、炭素数１〜４の直鎖状又は分岐鎖状アルキル基、炭素数１〜８の直鎖状又は分岐鎖状アルコキシ基、アリール基、ハロアルキル基が好ましい。より好ましくは、エチル基、イソプロピル基、オクチル基、フッ素原子、臭素原子、ビニル基、エチニル基、ジフェニルアミノ基、ジフェニルアミノフェニル基、トリフルオロメチル基である。

上記Ｒ^１及びＲ^２としては、上述したものの中でも、水素原子、臭素原子、メチル基、エチル基、イソプロピル基、イソブチル基、ｎ−オクチル基、フェニル基、４−メトキシフェニル基、４−トリフルオロメチルフェニル基、ペンタフルオロフェニル基、４−ブロモフェニル基、２，２’−ビフェニル基、スチリル基、ジフェニルアミノフェニル基がより好ましい。更に好ましくは、臭素原子、メチル基、エチル基、イソプロピル基、イソブチル基、ｎ−オクチル基、フェニル基、４−メトキシフェニル基、４−トリフルオロメチルフェニル基、ペンタフルオロフェニル基、４−ブロモフェニル基、２，２’−ビフェニル基、スチリル基、ジフェニルアミノフェニル基であり、特に好ましくは、臭素原子、イソプロピル基、イソブチル基、ｎ−オクチル基、フェニル基、４−トリフルオロメチルフェニル基、ペンタフルオロフェニル基、４−ブロモフェニル基、２，２’−ビフェニル基、スチリル基、ジフェニルアミノフェニル基である。

上記式（１）において、Ｘ^１及びＸ^２は、同一若しくは異なって、水素原子又は環構造の置換基となる１価の置換基を表す。該１価の置換基としては特に制限されないが、上記Ｒ^１及びＲ^２と同様のものが挙げられる。

これらの中でも、Ｘ^１及びＸ^２としては、水素原子；ハロゲン原子、カルボキシル基、ヒドロキシル基、チオール基、エポキシ基、イソシアネート基、アミノ基、アゾ基、アシル基、アリル基、ニトロ基、アルコキシカルボニル基、ホルミル基、シアノ基、シリル基、スタニル基、ボリル基、ホスフィノ基、シリルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基、アルキルスルホニルオキシ基等の反応性基；炭素数１〜４の直鎖状若しくは分岐鎖状アルキル基又は該反応性基で置換された炭素数１〜４の直鎖状若しくは分岐鎖状アルキル基；炭素数１〜８の直鎖状若しくは分岐鎖状アルコキシ基又は該反応性基で置換された炭素数１〜８の直鎖状若しくは分岐鎖状アルコキシ基；アリール基又は該反応性基で置換されたアリール基；オリゴアリール基又は該反応性基で置換されたオリゴアリール基；１価の複素環基又は該反応性基で置換された１価の複素環基；１価のオリゴ複素環基又は該反応性基で置換された１価のオリゴ複素環基；アルキルチオ基；アリールオキシ基；アリールチオ基；アリールアルキル基；アリールアルコキシ基；アリールアルキルチオ基；アルケニル基又は該反応性基で置換されたアルケニル基；アルキニル基又は該反応性基で置換されたアルキニル基が好ましい。より好ましくは、水素原子、臭素原子、ヨウ素原子、ボリル基、アルキニル基、アルケニル基、ホルミル基、スタニル基、ホスフィノ基、アリール基又は該反応性基で置換されたアリール基、該反応性基で置換されたオリゴアリール基、ジフェニルアミノ基等のアミノ基、下記式（３−１０）で表される基等の１価の複素環基又は該反応性基で置換された１価の複素環基、該反応性基で置換された１価のオリゴ複素環基、アルケニル基又は該反応性基で置換されたアルケニル基、アルキニル基又は該反応性基で置換されたアルキニル基である。

また、本発明においては、上記式（１）におけるＸ^１及びＸ^２が、上述したもののうち、反応性基を有する置換基であることもまた本発明の好適な実施形態の１つである。該Ｘ^１及びＸ^２が、上述したもののうち、反応性基を有する置換基である場合には、そのような置換基としては、ハロゲン原子、カルボキシル基、ヒドロキシル基、チオール基、エポキシ基、イソシアネート基、アミノ基、アゾ基、アシル基、アリル基、ニトロ基、アルコキシカルボニル基、ホルミル基、シアノ基、シリル基、スタニル基、ボリル基、ホスフィノ基、シリルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基、アルキルスルホニルオキシ基等の反応性基；該反応性基で置換された炭素数１〜４の直鎖状若しくは分岐鎖状アルキル基；該反応性基で置換された炭素数１〜８の直鎖状若しくは分岐鎖状アルコキシ基；該反応性基で置換されたアリール基；該反応性基で置換されたオリゴアリール基；該反応性基で置換された１価の複素環基；該反応性基で置換された１価のオリゴ複素環基；アルケニル基又は該反応性基で置換されたアルケニル基；アルキニル基又は該反応性基で置換されたアルキニル基が好ましい。より好ましくは、臭素原子、ヨウ素原子、ボリル基、ホルミル基、スタニル基、ホスフィノ基、該反応性基で置換されたアリール基、該反応性基で置換されたオリゴアリール基、該反応性基で置換された１価の複素環基、該反応性基で置換された１価のオリゴ複素環基、アルケニル基又は該反応性基で置換されたアルケニル基、アルキニル基又は該反応性基で置換されたアルキニル基である。更に好ましくは、臭素原子、ボリル基、ホルミル基、スタニル基、ホスフィノ基、該反応性基で置換されたアリール基、該反応性基で置換されたオリゴアリール基、該反応性基で置換された１価の複素環基、該反応性基で置換された１価のオリゴ複素環基、アルケニル基又は該反応性基で置換されたアルケニル基、アルキニル基又は該反応性基で置換されたアルキニル基である。
上記Ｘ^１及びＸ^２が反応性基を有する置換基である場合には、Ｘ^１及びＸ^２の有する反応性基を異なるものとし、１種のホウ素含有化合物が単独で重縮合し得る反応性基の組み合わせとなるようにするか、式（１）で表されるホウ素含有化合物を２種以上含み、これらのホウ素含有化合物が共重合し得るような反応性基の組み合わせを有するものとなるようにするか、又は、式（１）で表されるホウ素含有化合物を１種又は２種以上と反応性基を少なくとも１つ有する他の化合物とが共重合し得るような反応性基の組み合わせを有するものとなるようにすることにより、重合体の原料として好適に用いることができる。

上記式（１）において、点線の円弧と、ホウ素原子と窒素原子とを繋ぐ骨格部分の一部とによって形成される環構造は、環状構造であれば特に制限されないが、式（１）においてＸ^１が結合している環としては、例えば、ベンゼン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、チアゾール環、オキサゾール環、ナフタレン環、アントラセン環、テトラセン環、ペンタセン環、イミダゾール環、ピラゾール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピラジン環、ピリミジン環、キノリン環、イソキノリン環が挙げられ、これらはそれぞれ、下記式（４−１）〜（４−１７）で表される。これらの中でも、ベンゼン環、ナフタレン環、ベンゾチオフェン環が好ましい。

また、式（１）においてＸ^２が結合している環としては、例えば、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピラジン環、ピリミジン環、インドール環、イソインドール環、キノリン環、イソキノリン環、フェナントリジン環、チアゾール環、オキサゾール環が挙げられる。これらはそれぞれ、下記式（５−１）〜（５−１４）で表される。これらの中でも、ピリジン環、ピリミジン環、キノリン環、フェナントリジン環が好ましい。より好ましくは、ピリジン環、ピリミジン環、キノリン環である。

本発明におけるホウ素含有化合物が上記式（１）において、Ｘ^１及び／又はＸ^２が１価の置換基である場合、環構造に対するＸ^１及び／又はＸ^２の結合位置や結合する数は、特に制限されない。
また、Ｘ^１として環構造に少なくとも２つの１価の置換基が結合しており、該１価の置換基のうちの１つが置換基を有していてもよいボリル基であり、該１価の置換基のうちの他の１つが置換基を有していてもよいピリジル基であって、該ピリジル基の窒素原子が該ボリル基のホウ素原子に配位している形態もまた本発明の好適な実施形態の１つである。すなわち、本発明においてホウ素含有化合物が、窒素原子がホウ素原子に配位している部分を構造中に２つ以上有していることもまた、本発明の好適な実施形態の１つである。

本発明におけるホウ素含有化合物は、上記式（１）で表される構造を有するものであって、発光量子収率が、２０〜１００％であることもまた本発明の好適な実施形態の１つである。ホウ素含有化合物の発光量子収率がそのような範囲のものであると、有機ＥＬ素子やＨＯＩＬＥＤ素子等における発光層を構成する発光材料として用いた場合に、充分に安定した発光を得ることが可能となる。発光量子収率としてより好ましくは、３０〜１００％であり、更に好ましくは、４０〜１００％である。特に好ましくは、５０〜１００％であり、最も好ましくは６０〜１００％である。
なお、発光量子収率は、例えば、後述する本願明細書の実施例及び比較例において行っているようにして求めることが好適である。

上記式（１）で表される構造を有するホウ素含有化合物のうち、発光量子収率が、２０％以上を満たすためには、分子間でのπ−πスタッキング相互作用を防ぐような構造が望ましい。つまり、ホウ素上を嵩高くすることで分子同士の重なり合いが軽減され、発光量子収率が２０％以上の値が得られることになる。

本発明においては、上記式（１）において、Ｘ^１及びＸ^２の少なくとも一方が、末端部に２つの原子が二重結合で結ばれた構造を有し、該２つの原子のうちの一方の原子で点線の円弧部分を形成する環構造と結合した構造を有するような置換基であることもまた、本発明の好適な実施形態の１つである。すなわち、ホウ素原子及び二重結合を有するホウ素含有化合物であって、該ホウ素含有化合物は、下記式（１）；

（式中、点線の円弧は、ホウ素原子と窒素原子とを繋ぐ骨格部分の一部と共に環構造が形成されていることを表す。ホウ素原子と窒素原子とを繋ぐ骨格部分における点線部分は、少なくとも１対の原子が二重結合で結ばれることを表し、該二重結合が環構造と共役していてもよい。窒素原子からホウ素原子への矢印は、窒素原子がホウ素原子へ配位していることを表す。Ｘ^１及びＸ^２は、同一又は異なって、環構造の置換基となる１価の置換基を表し、点線の円弧部分を形成する環構造に複数個結合していてもよい。Ｒ^１及びＲ^２は、同一若しくは異なって、水素原子又は１価の置換基を表す。）で表され、上記Ｘ^１及びＸ^２の少なくとも一方は、末端部に２つの原子が二重結合で結ばれた構造を有し、該２つの原子のうちの一方の原子で点線の円弧部分を形成する環構造と結合した構造を有することを特徴とするホウ素含有化合物もまた本発明の１つである。

上記末端部に２つの原子が二重結合で結ばれた構造を有し、該２つの原子のうちの一方の原子で点線の円弧部分を形成する環構造と結合した構造とは、すなわち、Ｘ^１及び／又はＸ^２を構成する原子団において、それぞれ構造の末端部は少なくとも２つ存在するが、該末端部のうち、上記式（１）において点線の円弧部分を形成する環構造と結合する末端部が、点線の円弧部分を形成する環構造と結合する原子と、該原子の隣の原子とが二重結合で結ばれた構造を有していることを意味している。そのような置換基としては、下記式（６−１）〜（６−２）で表されるような構造が挙げられる。
なお、式（６−１）〜（６−２）中、＊は、式（１）において点線の円弧部分を形成する環構造と結合している原子を表している。Ｚ^１、Ｚ^２、Ｚ^３及びＺ^４は、同一又は異なって、Ｚ^１とＺ^２との間、及び、Ｚ^３とＺ^４との間で、それぞれ二重結合を形成することが出来る原子を表している。式（６−１）中、Ｙ^１は、水素原子又は１価の有機基を表し、Ｚ^２の原子価に応じてＺ^２に複数個結合していてもよいことを表している。式（６−２）中、点線の円弧は、Ｚ^３及びＺ^４により形成される二重結合部分と共に環構造が形成されていることを表している。Ｙ^２は、水素原子又は環構造の置換基となる１価の置換基を表し、式（６−２）における点線の円弧部分を形成する環構造に複数個結合していてもよいことを表している。

上記式（６−１）〜（６−２）において、Ｚ^１、Ｚ^２、Ｚ^３及びＺ^４は、同一又は異なって、Ｚ^１とＺ^２との間、及び、Ｚ^３とＺ^４との間で、それぞれ二重結合を形成することが出来る原子を表しているが、炭素原子、窒素原子、リン原子、硫黄原子であることが好ましい。より好ましくは、炭素原子、窒素原子である。

上記式（６−１）において、Ｙ^１は、水素原子又は１価の有機基を表し、Ｚ^２の原子価に応じてＺ^２に複数個結合していてもよいことを表しているが、これは、例えば、Ｚ^２が窒素原子である場合には、Ｙ^１はＺ^２に１つ結合することとなり、Ｚ^２が炭素原子である場合には、Ｙ^１はＺ^２に２つ結合することとなる、ということを示している。Ｙ^１が、Ｚ^２に複数個結合している場合には、Ｙ^１は、全て同一であってもよいし、それぞれ異なっていてもよい。上記１価の有機基としては特に制限されず、上記式（１）における、Ｒ^１及びＲ^２と同様のものが挙げられる。

これらの中でも、Ｙ^１としては、水素原子；ハロゲン原子、カルボキシル基、ヒドロキシル基、チオール基、エポキシ基、イソシアネート基、アミノ基、アゾ基、アシル基、アリル基、ニトロ基、アルコキシカルボニル基、ホルミル基、シアノ基、シリル基、スタニル基、ボリル基、ホスフィノ基、シリルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基、アルキルスルホニルオキシ基等の反応性基；炭素数１〜４の直鎖状若しくは分岐鎖状アルキル基又は該反応性基で置換された炭素数１〜４の直鎖状若しくは分岐鎖状アルキル基；炭素数１〜８の直鎖状若しくは分岐鎖状アルコキシ基又は該反応性基で置換された炭素数１〜８の直鎖状若しくは分岐鎖状アルコキシ基；アリール基又は該反応性基で置換されたアリール基；オリゴアリール基又は該反応性基で置換されたオリゴアリール基；１価の複素環基又は該反応性基で置換された１価の複素環基；１価のオリゴ複素環基又は該反応性基で置換された１価のオリゴ複素環基；アルキルチオ基；アリールオキシ基；アリールチオ基；アリールアルキル基；アリールアルコキシ基；アリールアルキルチオ基；アルケニル基又は該反応性基で置換されたアルケニル基；アルキニル基又は該反応性基で置換されたアルキニル基が好ましい。より好ましくは、水素原子、臭素原子、ヨウ素原子、ボリル基、アルキニル基、アルケニル基、ホルミル基、スタニル基、ホスフィノ基、アリール基又は該反応性基で置換されたアリール基、該反応性基で置換されたオリゴアリール基、該反応性基で置換された１価の複素環基、該反応性基で置換された１価のオリゴ複素環基、アルケニル基又は該反応性基で置換されたアルケニル基、アルキニル基又は該反応性基で置換されたアルキニル基である。

上記式（６−２）において、Ｙ^２は、水素原子又は環構造の置換基となる１価の置換基を表し、式（６−２）における点線の円弧部分を形成する環構造に複数個結合していてもよいことを表している。
すなわち、Ｙ^２が水素原子である場合には、式（６−２）で表される構造中、Ｙ^２を有する環構造は置換基を有していないことを示し、Ｙ^２が１価の置換基である場合には、該環構造は置換基を有することとなる。その場合には、該環構造の有する置換基の数は１つであってもよいし、２つ以上であってもよい。
上記１価の置換基としては上記式（１）における、Ｘ^１及びＸ^２と同様のものが挙げられるが、これらの中でも、上記式（３−１０）で表される基、ナフチル基、フェニル基であることが特に好ましい。

本発明においては更には、上記式（１）におけるＸ^１及びＸ^２のいずれもが、末端部に２つの原子が二重結合で結ばれた構造を有し、該２つの原子のうちの一方の原子で点線の円弧部分を形成する環構造と結合した構造を有するような置換基であることもまた、本発明の好適な実施形態の１つである。すなわち、ホウ素原子及び二重結合を有するホウ素含有化合物であって、該ホウ素含有化合物は、下記式（１）；

（式中、点線の円弧は、ホウ素原子と窒素原子とを繋ぐ骨格部分の一部と共に環構造が形成されていることを表す。ホウ素原子と窒素原子とを繋ぐ骨格部分における点線部分は、少なくとも１対の原子が二重結合で結ばれることを表し、該二重結合が環構造と共役していてもよい。窒素原子からホウ素原子への矢印は、窒素原子がホウ素原子へ配位していることを表す。Ｘ^１及びＸ^２は、同一又は異なって、環構造の置換基となる１価の置換基を表し、点線の円弧部分を形成する環構造に複数個結合していてもよい。Ｒ^１及びＲ^２は、同一若しくは異なって、水素原子又は１価の置換基を表す。）で表され、上記Ｘ^１及びＸ^２はいずれも、末端部に２つの原子が二重結合で結ばれた構造を有し、該２つの原子のうちの一方の原子で点線の円弧部分を形成する環構造と結合した構造を有することを特徴とするホウ素含有化合物もまた本発明の１つである。そのようなホウ素含有化合物は、特に発光量子収率が高いものであるために、有機ＥＬ素子やＮ型半導体の材料等として特に有用なものである。

上記式（１）においてＸ^１及びＸ^２がいずれも、末端部に２つの原子が二重結合で結ばれた構造を有し、該２つの原子のうちの一方の原子で点線の円弧部分を形成する環構造と結合した構造を有するホウ素含有化合物としては、大きくは、上記式（１）において点線の円弧部分を形成する環構造と結合している原子が構成している上記二重結合部分が、環構造を構成しない形態と、環構造の一部分を構成する形態とが挙げられ、具体的には、下記式（１´−１）〜（１´−４）の形態が挙げられる。
なお、式（１´−１）〜（１´−４）中、ホウ素原子と窒素原子とを繋ぐ骨格部分における点線部分、窒素原子からホウ素原子への矢印、及び、Ｒ^１及びＲ^２は、式（１）と同様である。式（１´−１）中、点線の円弧は、式（１）と同様である。式（１´−２）〜（１´−４）中、ホウ素原子と窒素原子とを繋ぐ骨格部分の一部と接している点線の円弧は、式（１）と同様にホウ素原子と窒素原子とを繋ぐ骨格部分の一部と共に環構造が形成されていることを表し、また、Ｚ^５及びＺ^６が形成する二重結合部分並びに／又はＺ^７及びＺ^８が形成する二重結合部分と接している点線の円弧は、該当する二重結合部分と共に環構造が形成されていることを表す。Ｚ^５〜Ｚ^８は、同一又は異なって、上記式（６−１）〜（６−２）における、Ｚ^１〜Ｚ^４と同様である。Ｙ^３及びＹ^４は、同一又は異なって、上記式（６−１）における、Ｙ^１と同様である。Ｙ^５及びＹ^６は、同一又は異なって、上記式（６−２）における、Ｙ^２と同様である。

これらの形態の中でも、上記式（１）において点線の円弧部分を形成する環構造と結合している原子が構成している二重結合部分が共に、環構造を構成しない形態のものであるか、又は、環構造の一部分を構成する形態のものであるか、のいずれかであるものが好ましい。すなわち、上記式（１´−１）、（１´−４）の形態であることが好ましい。
このような、上記式（１´−１）で表されるホウ素含有化合物、又は、上記式（１´−４）で表されるホウ素含有化合物もまた本発明の１つである。

上記式（１´−１）において、点線の円弧は、式（１）と同様に、ホウ素原子と窒素原子とを繋ぐ骨格部分の一部と共に環構造が形成されていることを表すが、上記式（１´−１）において、点線の円弧と、ホウ素原子と窒素原子とを繋ぐ骨格部分の一部とによって形成される環構造は、環状構造であれば特に制限されず、式（１´−１）においてＹ^３を有する基が結合している環としては、式（１）におけるＸ^１が結合している環と同様のものが挙げられる。また、式（１´−１）においてＹ^４を有する基が結合している環としては、式（１）におけるＸ^２が結合している環と同様のものが挙げられる。

上記式（１´−２）〜（１´−４）において、ホウ素原子と窒素原子とを繋ぐ骨格部分の一部と接している点線の円弧は、式（１）と同様にホウ素原子と窒素原子とを繋ぐ骨格部分の一部と共に環構造が形成されていることを表し、また、Ｚ^５及びＺ^６が形成する二重結合部分並びに／又はＺ^７及びＺ^８が形成する二重結合部分と接している点線の円弧は、該当する二重結合部分と共に環構造が形成されていることを表す。すなわち、上記式（１´−２）〜（１´−３）で表されるホウ素含有化合物は、構造中に少なくとも３つ環構造を有し、ホウ素原子と窒素原子とを繋ぐ骨格部分、及び、１つの二重結合部分が、該環構造の一部として含まれていることを表している。また、上記式（１´−４）で表されるホウ素含有化合物は、構造中に少なくとも４つ環構造を有し、ホウ素原子と窒素原子とを繋ぐ骨格部分、及び、２つの二重結合部分が、該環構造の一部として含まれていることを表している。

上記式（１´−２）〜（１´−４）において、ホウ素原子と窒素原子とを繋ぐ骨格部分の一部と接している点線の円弧と、ホウ素原子と窒素原子とを繋ぐ骨格部分の一部とによって形成される環構造は、環状構造であれば特に制限されないが、Ｚ^５及びＺ^６が形成する二重結合部分を含む基が結合している環としては、式（１）におけるＸ^１が結合している環と同様のものが挙げられる。また、Ｚ^７及びＺ^８が形成する二重結合部分を含む基が結合している環としては、式（１）におけるＸ^２が結合している環と同様のものが挙げられる。

また、上記式（１´−２）〜（１´−４）において、Ｚ^５及びＺ^６が形成する二重結合部分並びに／又はＺ^７及びＺ^８が形成する二重結合部分と接している点線の円弧と、該当する二重結合部分とによって形成される環構造としては、例えば、式（１）におけるＸ^１が結合している環、及び、式（１）におけるＸ^２が結合している環と同様のものが挙げられる。なお、上記式（１´−４）においては、Ｚ^５及びＺ^６が形成する二重結合部分並びにＺ^７及びＺ^８が形成する二重結合部分と接している点線の円弧と、該二重結合部分とによって形成される環構造が少なくとも２つ存在するが、それらは同一であってもよいし、異なっていてもよい。

本発明はまた、上記式（１）で表される構造を有するホウ素含有化合物を製造する方法であって、該製造方法は、下記式（Ｉ）；

（式中、点線の円弧は、表記の水素原子と窒素原子とを繋ぐ骨格部分の一部と共に環構造が形成されていることを表す。表記の水素原子と窒素原子とを繋ぐ骨格部分における点線部分は、少なくとも１対の原子が二重結合で結ばれることを表し、該二重結合が環構造と共役していてもよい。Ｘ^１及びＸ^２は、同一若しくは異なって、水素原子又は環構造の置換基となる１価の置換基を表し、点線の円弧部分を形成する環構造に複数個結合していてもよい。）で表される化合物と、下記式（ＩＩ）；

（式中、Ｑは、同一若しくは異なって、臭素原子又はヨウ素原子を表す。）で表される化合物とを反応させる工程を必須とするホウ素含有化合物の製造方法でもある。
本発明のホウ素含有化合物の製造方法によると、パラジウム触媒のような高価な触媒を用いることなく、比較的短い反応時間で新規なホウ素含有化合物を製造することができる。

上記製造方法は、上記式（Ｉ）で表される化合物と上記式（ＩＩ）で表される化合物とを反応させる工程を含むものである限り、その他の工程を含むものであってもよい。また、上記式（Ｉ）で表される化合物、上記式（ＩＩ）で表される化合物とも、それぞれ１種の化合物を用いてもよく、２種以上の化合物を用いてもよい。
上記式（Ｉ）における点線の円弧は、化合物が構造中に少なくとも２つの環構造を有していることを意味する。上記式（Ｉ）におけるＸ^１、Ｘ^２及び環構造として好ましいものは、上記式（１）におけるＸ^１、Ｘ^２及び環構造と同様である。

上記式（Ｉ）で表される化合物と上記式（ＩＩ）で表される化合物とを反応させる場合、式（Ｉ）で表される化合物１モルに対して、式（ＩＩ）で表される化合物を１モル〜１０モル用いることが好ましい。より好ましくは、１モル〜７モルであり、工業的な面から考えても、特に１モル〜３モルを用いることが好ましい。

上記式（Ｉ）で表される化合物と上記式（ＩＩ）で表される化合物とを反応させる工程に用いる溶媒としては、当該反応が進行するものである限り特に制限されず、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、１−ブタノール、２−ブタノール、イソブチルアルコール、イソペンチルアルコール等のアルコール類；酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸イソプロピル、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸ペンチル、酢酸イソペンチル等のエステル類；ジエチルエーテル、１，４−ジオキサン、テトラヒドロフラン、メチルフェニルエーテル（アニソール）等のエーテル類；アセトン、メチルエチルケトン、メチルブチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン類；エチレングリコールモノメチルエーテル（メチルセロソルブ）、エチレングリコールモノエチルエーテル（セロソルブ）、エチレングリコールモノブチルエーテル（ブチルセロソルブ）、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート（セロソルブアセテート）等のグリコールエーテル（セロソルブ）類；ジクロロメタン、クロロホルム、四塩化炭素、１，２−ジクロロエタン、１，１，１−トリクロロエタン、１，１，２，２−テトラクロロエタン、１，２−ジクロロエチレン、トリクロロエチレン、テトラクロロエチレン等のハロゲン化脂肪族炭化水素類；シクロヘキサン等の脂環式炭化水素類；ｎ−ヘキサン等の脂肪族炭化水素類；ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン等の芳香族炭化水素類；クロロベンゼン、１，２−ジクロロベンゼン等のハロゲン化芳香族炭化水素類等の１種又は２種以上を用いることができる。これらの中でも、ジクロロメタン、１，２−ジクロロエタン等のハロゲン化脂肪族炭化水素類、ベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素類が好ましい。溶媒は、１種又は２種以上を用いることができる。

上記式（Ｉ）で表される化合物と上記式（ＩＩ）で表される化合物とを反応させる工程においては、反応促進剤を用いてもよい。反応促進剤としては、エチルジイソプロピルアミン（ＤＩＰＥＡ）、ピリジン、トリエチルアミン、ＤＢＵ等のアミン系化合物が挙げられる。これらの反応促進剤は１種を用いてもよく、２種以上を用いてもよい。

上記反応促進剤を用いる場合、反応促進剤の使用量としては、上記式（Ｉ）で表される化合物１モルに対して、１モル〜１０モルであることが好ましい。さらに好ましくは１モル〜５モルであり、特に好ましくは、１モル〜３モルである。

上記式（Ｉ）で表される化合物と上記式（ＩＩ）で表される化合物とを反応させる工程は、不活性ガス雰囲気下で行われることが好ましい。不活性ガスとしては、特に制限されず、窒素、アルゴン、ヘリウム等のいずれを用いてもよいが、窒素、アルゴンが好ましい。不活性ガスは、１種又は２種以上を用いることができる。

上記式（Ｉ）で表される化合物と上記式（ＩＩ）で表される化合物とを反応させる工程の反応温度は、−７８℃〜１００℃であることが好ましい。より好ましくは、−３０℃〜８０℃であり、特に好ましくは溶媒にもよるが、０℃〜５０℃である。
反応圧力は、加圧、常圧、減圧のいずれであってもよいが、常圧であることが好ましい。
また、反応時間は、１０分間から４８時間であることが好ましい。より好ましくは、３０分間〜２４時間であり、特に好ましくは、工業的、実用的な側面からみても１時間から１２時間である。

上述した本発明のホウ素含有化合物の製造方法で製造されたホウ素含有化合物は、更に、下記式（ＩＩＩ）；

（式中、Ｒ^１及びＲ^２は、同一若しくは異なって、水素原子又は１価の置換基を表す。Ｍは、同一若しくは異なって、金属元素を表す。ｎは、金属元素の価数に対応するＲ^１及び／又はＲ^２の結合数を表す。）で表される金属元素含有化合物を反応させることで、上記式（Ｉ）で表される化合物と上記式（ＩＩ）で表される化合物とを反応させる工程により得られたホウ素含有化合物のホウ素原子に結合した臭素原子又はヨウ素原子を他の置換基と入れ換えることが可能であり、これにより、ホウ素原子に結合する置換基を様々に変えたホウ素含有化合物を製造することができる。
なお、以下においては、この反応工程を脱ハロゲン化工程と記載する。

上記脱ハロゲン化工程は、上記式（Ｉ）で表される化合物と上記式（ＩＩ）で表される化合物とを反応させる工程により得られたホウ素含有化合物と、上記式（ＩＩＩ）で表される金属元素含有化合物とを反応させる工程を含むものである限り、その他の工程を含むものであってもよい。また、上記式（Ｉ）で表される化合物と上記式（ＩＩ）で表される化合物とを反応させる工程により得られたホウ素含有化合物、上記式（ＩＩＩ）で表される金属元素含有化合物とも、それぞれ１種の化合物を用いてもよく、２種以上の化合物を用いてもよい。

上記脱ハロゲン化工程においては、式（Ｉ）で表される化合物と上記式（ＩＩ）で表される化合物とを反応させる工程により得られたホウ素含有化合物１モルに対して、上記式（ＩＩＩ）で表される金属元素含有化合物を金属元素の価数にもよるが、０．３３モル〜５モル使用することが好ましい。より好ましくは、０．６７モル〜４モルであり、特に好ましくは、工業的、実用的な側面からみても１モル〜３モルである。

上記式（ＩＩＩ）で表される金属元素含有化合物における金属元素Ｍとしては、アルミニウム、亜鉛、マグネシウム、リチウム、銅等が挙げられる。
Ｒ^１及びＲ^２としては、上記式（１）で表されるホウ素含有化合物のＲ^１及びＲ^２と同様のものを表している。
上記金属元素Ｍがマグネシウムである場合、マグネシウムに結合したＲ^１、Ｒ^２の少なくとも１つは、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子のいずれかであることが好ましい。すなわち、上記式（ＩＩＩ）で表される金属元素含有化合物は、ＭｇＣｌ、ＭｇＢｒ、又は、ＭｇＩを構造中に含むことが好ましい。
また、上記金属元素Ｍがマグネシウムである場合、上記脱ハロゲン化工程においては、ハロゲン化金属を反応の際に添加してもよい。ハロゲン化金属を脱ハロゲン化工程における反応の際に添加することによって、金属元素Ｍがマグネシウムである上記式（ＩＩＩ）で表される金属元素含有化合物を用いる場合の、脱ハロゲン化工程における反応収率を向上させることができる。

上記ハロゲン化金属におけるハロゲン原子としては、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられ、上記ハロゲン化金属における金属元素としては、亜鉛、アルミニウムが挙げられる。これらの中でも、上記ハロゲン化金属としては、塩化亜鉛、臭化亜鉛が好適である。

上記式（ＩＩＩ）で表される金属元素含有化合物としては、具体的には例えば、リチウムアルミニウムヒドリド、フェニルリチウム、トリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、トリイソブチルアルミニウム、ジイソプロピル亜鉛、ジフェニル亜鉛、ジ（４−メトキシフェニル）亜鉛、ビス（４−トリフルオロメチルフェニル）亜鉛、ビス（ペンタフルオロフェニル）亜鉛、トリオクチルアルミニウム、フェニルマグネシウムブロミド、４−プロピルフェニルマグネシウムブロミド、ペンタフルオロフェニルマグネシウムブロミド等が挙げられる。これらの中でも、トリオクチルアルミニウム、ジフェニル亜鉛、フェニルマグネシウムブロミドが好ましい。

上記脱ハロゲン化工程に用いる溶媒としては、当該反応が進行するものである限り特に制限されないが、上記式（Ｉ）で表される化合物と上記式（ＩＩ）で表される化合物とを反応させる工程に用いる溶媒と同様のものを用いることができる。これらの中でも、トルエン、ジクロロメタン、ジエチルエーテルが好ましい。溶媒は、１種又は２種以上を用いることができる。

上記脱ハロゲン化工程は、不活性ガス雰囲気下で行われることが好ましい。不活性ガスとしては、特に制限されず、窒素、アルゴン、ヘリウム等のいずれを用いてもよいが、窒素、アルゴンが好ましい。不活性ガスは、１種又は２種以上を用いることができる。

上記脱ハロゲン化工程の反応温度は、−７８℃〜１２０℃であることが好ましい。より好ましくは、−３０℃〜１００℃であり、特に好ましくは溶媒にもよるが、０℃〜８０℃である。反応圧力は、加圧、常圧、減圧のいずれであってもよいが、常圧であることが好ましい。また、反応時間は、１分間〜２４時間であることが好ましい。より好ましくは、３分間〜１８時間であり、特に好ましくは、工業的、実用的な側面からみても５分間〜１２時間である。
なお、本発明の式（１）で表されるホウ素含有化合物の製造方法においては、上記式（Ｉ）で表される化合物と上記式（ＩＩ）で表される化合物とを反応させる工程を行った後に、上記脱ハロゲン化工程を行う際、一旦上記式（Ｉ）で表される化合物と上記式（ＩＩ）で表される化合物とを反応させる工程により得られるホウ素含有化合物を精製した後に、上記式（ＩＩＩ）で表される金属元素含有化合物を投入し、脱ハロゲン化工程を行ってもよく、精製を行わずに、上記式（Ｉ）で表される化合物と上記式（ＩＩ）で表される化合物とを反応させる工程が終了した後に、そこに上記式（ＩＩＩ）で表される金属元素含有化合物を投入し、脱ハロゲン化工程を行ってもよい。このように、本発明の式（１）で表されるホウ素含有化合物の製造方法は、目的に応じて精製工程を行うか否かを選択することができる点においても、有用な方法であるということができる。

上述した脱ハロゲン化工程を経て製造されたホウ素含有化合物、又は、上記式（Ｉ）で表される化合物と上記（ＩＩ）で表される化合物とを反応させる工程により得られたホウ素含有化合物が、式（１）におけるＸ^１及びＸ^２として上述したハロゲン原子等の反応性基を有する置換基を有している場合には、適当な化合物とカップリング反応させることにより、更に、該環構造に結合する置換基を様々に変えたホウ素含有化合物を製造することができる。上記カップリング反応としては、通常用いられるカップリング反応であれば特に制限されず、例えば、Ｓｕｚｕｋｉカップリング、Ｓｔｉｌｌｅカップリング、根岸カップリング等が挙げられる。また、上記カップリング反応の反応条件としては、後述するような各カップリング反応が通常行われる反応条件を適宜採用することができる。

上記式（１）で表されるホウ素含有化合物は、式（１）におけるＸ^１、Ｘ^２、Ｒ^１及びＲ^２のうち少なくとも１つが、反応性基を有する置換基であることが好ましい。
上記式（１）で表されるホウ素含有化合物が、Ｘ^１、Ｘ^２、Ｒ^１及びＲ^２の中に少なくとも１組の重縮合し得る反応性基の組み合わせを有するか、又は、Ｘ^１、Ｘ^２、Ｒ^１及びＲ^２の中に少なくとも１つ単独で重合し得る反応性基を有するものであると、重合体の原料として好適に用いることができる。このような本発明におけるホウ素含有化合物を含む単量体成分を重合して得られるホウ素含有重合体もまた、本発明の１つである。本発明のホウ素含有重合体には、後述する式（７）で表される繰り返し単位を有するものと、式（１１）で表される繰り返し単位を有するものとがある。以下においては、式（７）で表される繰り返し単位を有するホウ素含有重合体、及び、式（１１）で表される繰り返し単位を有するホウ素含有重合体を総称して本発明のホウ素含有重合体という。

ホウ素原子及び二重結合を有するホウ素含有化合物を含む単量体成分を重合して得られるホウ素含有重合体であって、該ホウ素含有化合物は、下記式（１）；

（式中、点線の円弧は、ホウ素原子と窒素原子とを繋ぐ骨格部分の一部と共に環構造が形成されていることを表す。ホウ素原子と窒素原子とを繋ぐ骨格部分における点線部分は、少なくとも１対の原子が二重結合で結ばれることを表し、該二重結合が環構造と共役していてもよい。窒素原子からホウ素原子への矢印は、窒素原子がホウ素原子へ配位していることを表す。Ｘ^１及びＸ^２は、同一若しくは異なって、水素原子又は環構造の置換基となる１価の置換基を表し、点線の円弧部分を形成する環構造に複数個結合していてもよい。Ｒ^１及びＲ^２は、同一若しくは異なって、水素原子又は１価の置換基を表す。）で表され、上記ホウ素含有化合物は、式（１）中のＸ^１、Ｘ^２、Ｒ^１及びＲ^２の少なくとも１つが、反応性基を有する置換基であることを特徴とするホウ素含有重合体もまた、本発明の１つである。

上記ホウ素含有重合体は、式（１）中のＸ^１、Ｘ^２、Ｒ^１及びＲ^２の少なくとも２つの基が重縮合するか、又は、少なくとも１つの基が重合して形成される繰り返し単位を有するものである。すなわち、下記式（７）；

（式中、点線の円弧、ホウ素原子と窒素原子とを繋ぐ骨格部分における点線部分、窒素原子からホウ素原子への矢印は、式（１）と同様である。Ｘ^１´、Ｘ^２´、Ｒ^１´及びＲ^２´は、それぞれ、式（１）のＸ^１、Ｘ^２、Ｒ^１及びＲ^２と同様の基、２価の基、３価の基、又は、直接結合を表す。）で表される繰り返し単位の構造を有するホウ素含有重合体である。上記式（７）は、Ｘ^１´、Ｘ^２´、Ｒ^１´及びＲ^２´のうち、いずれか１つ以上が、重合体の主鎖の一部として結合を形成することを意味する。上記式（１）中のＸ^１、Ｘ^２、Ｒ^１及びＲ^２の少なくとも２つの基が重縮合してホウ素含有重合体が形成された場合、上記式（７）におけるＸ^１´、Ｘ^２´、Ｒ^１´及びＲ^２´のうち少なくとも２つが２価の基、又は、直接結合である。上記式（１）中のＸ^１、Ｘ^２、Ｒ^１及びＲ^２の少なくとも１つの基が単独で重合してホウ素含有重合体が形成された場合、上記式（７）におけるＸ^１´、Ｘ^２´、Ｒ^１´及びＲ^２´のうち少なくとも１つが３価の基、又は、直接結合である。
上記式（７）で表される繰り返し単位を有するホウ素含有重合体は、上記式（７）で表される構造の１種からなるものであってもよく、上記式（７）で表される２種以上の構造を含むものであってもよい。上記式（７）で表される２種以上の構造を含むものである場合、当該２種以上の構造は、ランダム重合体であっても、ブロック重合体でも、グラフト重合体等であってもよい。また、高分子主鎖に枝分かれがあり末端部が３つ以上ある場合やデンドリマーでも良い。

上記式（７）で表される繰り返し単位の構造を有するホウ素含有重合体の中でも、上記式（７）中のＲ^１´及びＲ^２´が、それぞれ式（１）中のＲ^１及びＲ^２と同様の基であることが好ましい。そして、上記式（７）中のＲ^１´及びＲ^２´が、炭素数１〜３０の直鎖状又は分岐状炭化水素基、炭素数３〜３０の脂環式炭化水素基であることが更に好ましい。
すなわち、式（１）で表されるホウ素含有化合物を含む単量体成分を重合して得られるホウ素含有重合体であって、式（１）におけるＲ^１及びＲ^２が、同一若しくは異なって、炭素数１〜３０の直鎖状若しくは分岐状炭化水素基、又は、炭素数３〜３０の脂環式炭化水素基であることもまた、本発明の好適な実施形態の１つである。

上記式（７）で表される繰り返し単位の構造の具体例のうち、重縮合によって得られる構造としては、例えば、以下の式（８−１）〜（８−６）のような構造がある。これらの中でも、（８−１）、（８−６）の構造であることが好ましい。より好ましくは、（８−１）の構造である。すなわち、式（１）で表される構造を有し、式（１）におけるＸ^１及びＸ^２が、反応性基を有する置換基であるホウ素含有化合物から得られるホウ素含有重合体もまた、本発明の１つである。

上記重縮合し得る反応性基の組み合わせとしては、重合し得るものであれば特に制限されないが、例えば、カルボキシル基とヒドロキシ基、カルボキシル基とチオール基、カルボキシル基とアミノ基、カルボン酸エステルとアミノ基、カルボキシル基とエポキシ基、ヒドロキシ基とエポキシ基、チオール基とエポキシ基、アミノ基とエポキシ基、イソシアネート基とヒドロキシ基、イソシアネート基とチオール基、イソシアネート基とアミノ基、ヒドロキシ基とハロゲン原子、チオール基とハロゲン原子、ボリル基とハロゲン原子、スタニル基とハロゲン原子、アルデヒド基とホスホニウムメチル基、ビニル基とハロゲン原子、アルデヒド基とホスホネートメチル基、ハロアルキル基とハロアルキル基、スルホニウムメチル基とスルホニウムメチル基、アルデヒド基とアセトニトリル基、アルデヒド基とアルデヒド基、ハロゲン原子とボリル基、ハロゲン原子とハロゲン化マグネシウム、ハロゲン原子とハロゲン原子等が挙げられる。
これらの中でも、ハロゲン原子とボリル基との組み合わせ、ハロゲン原子とハロゲン原子との組み合わせが好ましい。

上記式（１）中のＸ^１、Ｘ^２、Ｒ^１及びＲ^２の少なくとも２つの基が重縮合してホウ素含有重合体が形成される場合、上記式（７）におけるＸ^１´、Ｘ^２´、Ｒ^１´及びＲ^２´のうち少なくとも２つが２価の基、又は、直接結合を表すが、該２価の基は、反応性基を有する置換基間の重縮合反応により脱離しない残基を表すこととなる。上記重縮合し得る反応性基の組み合わせとなるような反応性基を有する置換基が重縮合反応した場合には、残基が重合体中に残る場合と、残らない場合とがあり、前者の場合には、Ｘ^１´、Ｘ^２´、Ｒ^１´及びＲ^２´のうち少なくとも１つは、反応性基を有する置換基間の重縮合反応により脱離しない残基を表し、後者の場合には、Ｘ^１´、Ｘ^２´、Ｒ^１´及びＲ^２´のうち少なくとも１つは、直接結合を表すこととなる。
また、上記式（７）で表される繰り返し単位が２つ以上続く場合には、２つの繰り返し単位の間に、例えば、−Ｘ^１´−Ｘ^２´−のように、Ｘ^１´、Ｘ^２´、Ｒ^１´及びＲ^２´のうちの２つが連続する結合が形成されることになるが、この場合、当該２つのうちいずれか一方は、直接結合である。

上記重縮合し得る反応性基の組み合わせとなるような反応性基を有する置換基が重縮合反応して残基が重合体中に残る場合の具体的としては、カルボキシル基を有する置換基とヒドロキシ基を有する置換基との組み合わせが挙げられる。例えば、−ＣＨ_２ＣＯＯＨ基と−ＣＨ_２ＣＨ_２ＯＨ基とが重縮合反応した場合、重合体中に残る残基は−ＣＨ_２（ＣＯ）−Ｏ−ＣＨ_２ＣＨ_２−基となる。また、例えば、−ＣＯＯＨ基と−ＯＨ基との反応のように、反応性基を有する置換基が反応性基のみから構成される場合、重合体中に残る残基は−（ＣＯ）−Ｏ−基となる。
また、上記重縮合し得る反応性基の組み合わせが重縮合反応して残基が重合体中に残らない場合の具体例としては、ボリル基とハロゲン原子、ハロゲン原子とハロゲン原子との組み合わせが挙げられる。

上記式（７）で表される繰り返し単位の構造の具体例のうち、上記式（１）中のＸ^１、Ｘ^２、Ｒ^１及びＲ^２の少なくとも１つの基が単独で重合して得られる構造として、例えば、Ｘ^２が重合して得られる構造は、下記式（９）のような構造である。このように、式（１）中のＸ^２が、構造中に単独で重合し得る反応性基を有する置換基である場合、Ｘ^２´が３価の基又は直接結合である構造の繰り返し単位となる。同様に、式（１）中のＸ^１、Ｘ^２、Ｒ^１又はＲ^２のいずれかが、構造中に単独で重合し得る反応性基を有する置換基である場合、それぞれ、Ｘ^１´、Ｘ^２´、Ｒ^１´、Ｒ^２´が３価の基又は直接結合である構造の繰り返し単位となる。

上記単独で重合し得る反応性基としては、３，５−ジブロモフェニル基、アルケニル基、アルキニル基、エポキシ基、ハロゲン原子等が挙げられる。上記式（１）のホウ素含有化合物がこれらの基のいずれかを少なくとも１つ有することで、上記式（１）のホウ素含有化合物は単独で重合することができる。これらの中でも、アルケニル基、エポキシ基、３，５−ジブロモフェニル基が好ましい。

上記式（１）中のＸ^１、Ｘ^２、Ｒ^１及びＲ^２の中で、重縮合する基は、上記重縮合し得る反応性基を構造中に有する置換基であればよい。同様に、単独重合する基は、上記単独で重合し得る反応性基を構造中に有する置換基であればよい。このような置換基としては、炭素数１〜４の直鎖状又は分岐状アルキル基、炭素数３〜７の環状アルキル基、炭素数１〜８の直鎖状又は分岐状アルコキシ基、アリール基や複素環基等のいずれかの基の水素原子が上記重縮合し得る反応性基や単独で重合し得る反応性基で置換された基が挙げられる。これらの中でも、スチリル基、３，５−ジブロモフェニル基が好ましい。

本発明のホウ素含有重合体は、上記式（１）で表されるホウ素含有化合物を含む単量体成分から得られるものである限り、単量体成分にその他の単量体が含まれていてもよい。
すなわち、式（１）で表されるホウ素含有化合物と、下記式（１０）；

（式中、Ａは、２価の基を表す。Ｘ^３及びＸ^４は、同一若しくは異なって、水素原子又は１価の置換基を表し、Ｘ^３及びＸ^４の少なくとも１つの基は、反応性基を有する置換基である。）で表されるその他の単量体とを重合して形成されるホウ素含有重合体もまた、本発明のホウ素含有重合体に含まれる。

上記式（１０）におけるＡは、２価の基であれば、特に制限されないが、その構造を相当する化合物名として挙げると例えば、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、クリセン、ルブレン、ピレン、ペリレン、インデン、アズレン、アダマンタン、フルオレン、フルオレノン、ジベンゾフラン、カルバゾール、ジベンゾチオフェン、フラン、ピロール、ピロリン、ピロリジン、チオフェン、ジオキソラン、ピラゾール、ピラゾリン、ピラゾリジン、イミダゾール、オキサゾール、チアゾール、オキサジアゾール、トリアゾール、チアジアゾール、ピラン、ピリジン、ピペリジン、ジオキサン、モルホリン、ピリダジン、ピリミジン、ピラジン、ピペラジン、トリアジン、トリチアン、ノルボルネン、ベンゾフラン、インドール、ベンゾチオフェン、ベンズイミダゾール、ベンゾオキサゾール、ベンゾチアゾール、ベンゾチアジアゾール、ベンゾオキサジアゾール、プリン、キノリン、イソキノリン、クマリン、シノリン、キノキサリン、アクリジン、フェナントロリン、フェノチアジン、フラボン、トリフェニルアミン、アセチルアセトン、ジベンゾイルメタン、ピコリン酸、シロール、ポルフィリン、イリジウム等の金属配位化合物、又は、それらが置換基を有している誘導体、それら誘導体の構造を含むポリマー若しくはオリゴマー等が挙げられる。
なお、上記置換基としては、上記Ｒ^１及びＲ^２における置換基と同様のものを用いることができる。

上記Ａとしては、上述したものに加えて、例えば、下記式（１１−１）〜（１１−４）の構造が挙げられる。

（式中、Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３は、同一若しくは異なって、アリーレン基、２価の複素環基又は金属錯体構造を有する２価の基を表す。Ｚ１は、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｎ（Ｑ３）−、−（ＳｉＱ４Ｑ５）ｂ−、又は、直接結合を示す。Ｚ２は、−ＣＱ１＝ＣＱ２−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｎ（Ｑ３）−、−（ＳｉＱ４Ｑ５）ｂ−、又は、直接結合を表す。Ｑ１及びＱ２は、同一若しくは異なって、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基、カルボキシル基、アルキルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アリールアルキルオキシカルボニル基、ヘテロアリールオキシカルボニル基、又は、シアノ基を表す。Ｑ３、Ｑ４及びＱ５は、同一若しくは異なって、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基、又は、アリールアルキル基を示す。ａは０〜１の整数を表す。ｂは１〜１２の整数を表す。）

上記アリーレン基とは、芳香族炭化水素から、水素原子２個を除いた原子団であり、環を構成する炭素数は通常６〜６０程度であり、好ましくは６〜２０である。該芳香族炭化水素としては、縮合環をもつもの、独立したベンゼン環または縮合環２個以上が直接又はビニレン等の基を介して結合したものも含まれる。
上記アリーレン基としては、例えば、下記式（１２−１）で表されるフェニレン基、下記式（１２−２）〜（１２−３）で表されるナフタレンジイル基、下記式（１２−４）〜（１２−７）で表されるアントラセンジイル基、下記式（１２−８）で表されるビフェニル−ジイル基、下記式（１２−９）で表されるフルオレン−ジイル基、下記式（１２−１０）で表されるターフェニル−ジイル基、下記式（１２−１１）〜（１２−１２）で表されるスチルベン−ジイル基，下記式（１２−１３）〜（１２−１４）で表されるジスチルベン−ジイル基、下記式（１２−１５）〜（１２−２０）で表される縮合環化合物基、下記式（１２−２１）〜（１２−２３）で表される基等が挙げられる。これらの中でもフェニレン基、ビフェニレン基、フルオレン−ジイル基、スチルベン−ジイル基が好ましい。
なお、式（１２−１）〜（１２−２３）において、Ｒは、同一若しくは異なって、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルキルオキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、イミド基、イミン残基、アミノ基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、１価の複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アリールアルケニル基、アリールエチニル基、カルボキシル基、アルキルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アリールアルキルオキシカルボニル基、ヘテロアリールオキシカルボニル基またはシアノ基を表す。式（１２−１）中においてｘ−ｙで示した線のように、環構造に交差して付された線は、環構造が被結合部分における原子と直接結合していることを意味する。すなわち、式（１２−１）においては、ｘ−ｙで示される線が付された環を構成する炭素原子のいずれかと直接結合することを意味し、その環構造における結合位置は限定されない。式（１２−１０）中においてｚ−で示した線のように、環構造の頂点に付された線は、その位置において環構造が被結合部分における原子と直接結合していることを意味する。また、環構造に交差して付されたＲの付いた線は、Ｒが、その環構造に対して１つ結合していてもよく、複数結合していてもよいことを意味し、その結合位置も限定されない。
また、式（１２−１）〜（１２−１０）及び（１２−１５）〜（１２−２０）において、炭素原子は、窒素原子、酸素原子又は硫黄原子と置き換えられていてもよく、水素原子はフッ素原子に置換されていてもよい。

上記２価の複素環基とは、複素環化合物から水素原子２個を除いた残りの原子団をいい、環を構成する炭素数は通常３〜６０程度である。該複素環化合物としては、環式構造をもつ有機化合物のうち、環を構成する元素が炭素原子だけでなく、酸素、硫黄、窒素、リン、ホウ素、ヒ素などのヘテロ原子を環内に含むものも含まれる。

上記２価の複素環基としては、例えば、下記式（１３−１）で表されるピリジン−ジイル基、下記式（１３−２）〜（１３−３）で表されるジアザフェニレン基、下記式（１３−４）〜（１３−６）で表されるキノリンジイル基、下記式（１３−７）〜（１３−９）で表されるキノキサリンジイル基、下記式（１３−１０）〜（１３−１２）で表されるアクリジンジイル基、下記式（１３−１３）で表されるビピリジルジイル基、下記式（１３−１４）で表されるフェナントロリンジイル基等のヘテロ原子として、窒素を含む２価の複素環基；
下記式（１３−１５）〜（１３−１７）で表されるヘテロ原子としてけい素、窒素、硫黄、セレンなどを含みフルオレン構造を有する基；
下記式（１３−１８）〜（１３−２０）で表されるヘテロ原子としてけい素、窒素、硫黄、セレンなどを含む５員環複素環基；
下記式（１３−２１）〜（１３−２６）で表されるヘテロ原子としてけい素、窒素、硫黄、セレンなどを含む５員環縮合複素基；
下記式（１３−２７）〜（１３−２９）で表される、ヘテロ原子としてけい素、窒素、硫黄、セレンなどを含む５員環複素環基でそのヘテロ原子のα位で結合し２量体やオリゴマーになっている基；
下記式（１３−３０）〜（１３−３５）で表される、ヘテロ原子としてけい素、窒素、硫黄、セレンなどを含む５員環複素環基でそのヘテロ原子のα位でフェニル基に結合している基；
下記式（１３−３６）〜（１３−３８）で表される、ヘテロ原子として酸素、窒素、硫黄、などを含む５員環縮合複素環基にフェニル基やフリル基、チエニル基が置換した基；等が挙げられる。
なお、式（１３−１）〜（１３−３８）において、Ｒは、上記アリーレン基の有するＲと同様である。Ｙは、Ｏ、Ｓ、ＳＯ、ＳＯ_２、Ｓｅ、又は、Ｔｅを表す。環構造に交差して付された線、環構造の頂点に付された線、環構造に交差して付されたＲの付いた線については、式（１２−１）〜（１２−２３）と同様である。
また、式（１３−１）〜（１３−３８）において、炭素原子は、窒素原子、酸素原子又は硫黄原子と置き換えられていてもよく、水素原子はフッ素原子に置換されていてもよい。

上記金属錯体構造を有する２価の基とは、有機配位子を有する金属錯体の有機配位子から水素原子を２個除いた残りの２価の基である。該有機配位子の炭素数は、通常４〜６０程度であり、例えば、８−キノリノール及びその誘導体、ベンゾキノリノール及びその誘導体、２−フェニル−ピリジン及びその誘導体、２−フェニル−ベンゾチアゾール及びその誘導体、２−フェニル−ベンゾキサゾール及びその誘導体、ポルフィリン及びその誘導体等が挙げられる。

上記金属錯体の中心金属としては、例えば、アルミニウム、亜鉛、ベリリウム、イリジウム、白金、金、ユーロピウム、テルビウムなどが挙げられ、上記有機配位子を有する金属錯体としては、低分子の蛍光材料、燐光材料として公知の金属錯体、三重項発光錯体などが挙げられる。

上記金属錯体構造を有する２価の基としては、具体的には、例えば下記式（１４−１）〜（１４−７）で表される基が挙げられる。
なお、式（１４−１）〜（１４−７）において、Ｒは、上記アリーレン基の有するＲと同様である。環構造の頂点に付された線については、式（１２−１）〜（１２−２３）と同様、直接結合を意味する。
また、式（１４−１）〜（１４−７）において、炭素原子は、窒素原子、酸素原子又は硫黄原子と置き換えられていてもよく、水素原子はフッ素原子に置換されていてもよい。

また、Ａの構造としては、下記式（１１−５）のような構造も挙げられる。

（式中、Ａｒ４、Ａｒ５、Ａｒ６及びＡｒ７は、同一又は異なって、アリーレン基又は２価の複素環基を表す。Ａｒ８、Ａｒ９及びＡｒ１０は、同一又は異なって、アリール基又は１価の複素環基を表す。ｏ及びｐは、同一又は異なって、０又は１を表し、０≦ｏ＋ｐ≦１である。）

上記式（１１−５）で表される構造の具体例としては、下記式（１５−１）〜（１５−８）で表される構造が挙げられる。

なお、式（１５−１）〜（１５−８）において、Ｒは、上記アリーレン基の有するＲと同様である。環構造の頂点に付された線については、式（１２−１）〜（１２−２３）と同様、直接結合を意味する。上記式（１５−１）〜（１５−８）において、１つの構造式中に複数のＲを有しているが、それらは同一であってもよいし、異なる基であってもよい。溶媒への溶解性を高めるためには、水素原子以外を１つ以上有していることが好ましく、また置換基を含めた構造の形状の対称性が少ないことが好ましい。更に、上記式（１５−１）〜（１５−８）において、Ｒがアリール基や複素環基をその一部に含む場合は、それらが更に１つ以上の置換基を有していてもよい。また、Ｒがアルキル鎖を含む置換基においては、それらは直鎖、分岐若しくは環状のいずれか又はそれらの組み合わせであってもよく、直鎖でない場合としては、例えば、イソアミル基、２−エチルヘキシル基、３，７−ジメチルオクチル基、シクロヘキシル基、４−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルシクロヘキシル基等が挙げられる。本発明のホウ素含有共重合体の溶媒への溶解性を高めるためには、１つ以上に環状または分岐のあるアルキル鎖が含まれることが好ましい。
また、複数のＲが連結して環を形成していてもよい。更に、Ｒがアルキル鎖を含む基の場合は、該アルキル鎖は、ヘテロ原子を含む基で中断されていてもよい。該ヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。

上記Ａの構造としては、上述したものの中でも、式（１１−５）、式（１２−９）、式（１３−１６）、式（１３−２８）であることが好ましい。

上記ホウ素含有重合体は、式（１）中のＸ^１、Ｘ^２、Ｒ^１及びＲ^２の少なくとも１つの基と式（１０）中のＸ^３及びＸ^４の少なくとも１つの基とが重合して形成される繰り返し単位を有するものである。すなわち、下記式（１６）；

（式中、点線の円弧、ホウ素原子と窒素原子とを繋ぐ骨格部分における点線部分、窒素原子からホウ素原子への矢印は、式（１）と同様である。Ｘ^１´、Ｘ^２´、Ｒ^１´及びＲ^２´は、式（７）と同様である。Ａは、同一若しくは異なって、２価の基を表す。Ｘ^３´及びＸ^４´は、それぞれ式（１０）のＸ^３及びＸ^４と同様の基、２価の基、３価の基、又は、直接結合を表す。）で表される繰り返し単位の構造を有するホウ素含有重合体もまた本発明のホウ素含有重合体に含まれる。
上記式（１６）は、Ｘ^１´、Ｘ^２´、Ｒ^１´及びＲ^２´のうち、いずれか１つ以上、かつ、Ｘ^３´及びＸ^４´のうち、いずれか１つ以上が、重合体の主鎖の一部として結合を形成することを意味する。
上記式（１６）で表される繰り返し単位を有するホウ素含有重合体において、上記式（１）由来の繰り返し単位、上記式（１０）由来の繰り返し単位は、ランダム重合体であっても、ブロック重合体でも、グラフト重合体あってもよい。また、高分子主鎖に枝分かれがあり末端部が３つ以上ある場合やデンドリマーでも良い
また、上記式（１６）で表される繰り返し単位を有するホウ素含有重合体は、上記式（１）由来の繰り返し単位、上記式（１０）由来の繰り返し単位をそれぞれ１種含むものであってもよく、２種以上含むものであってもよい。繰り返し単位を２種以上含むものである場合、当該２種以上の構造は、ランダム重合体であっても、ブロック重合体でも、グラフト重合体あってもよい。また、高分子主鎖に枝分かれがあり末端部が３つ以上ある場合やデンドリマーでも良い

上記式（１６）で表されるホウ素含有重合体としては、（ｉ）上記式（１）中のＸ^１、Ｘ^２、Ｒ^１及びＲ^２のうち、いずれか２つと、上記式（１０）中のＸ^３及びＸ^４とが、重合体の主鎖の一部として結合を形成する場合、（ｉｉ）上記式（１）中のＸ^１、Ｘ^２、Ｒ^１及びＲ^２のうち、いずれか１つと、上記式（１０）中のＸ^３及びＸ^４のいずれか１つの基とが、重合体の主鎖の一部として結合を形成する場合がある。これらの場合の繰り返し単位の構造の具体例として、例えば、下記式（１７）、（１８）のような構造がある。

上記（ｉ）の構造の場合、上記式（１６）で表される繰り返し単位のうち、上記式（１）由来の構造部分の具体例としては、上記式（８−１）〜（８−６）のような構造がある。これらの中でも、（８−１）、（８−６）の構造であることが好ましい。より好ましくは、（８−１）の構造である。

上記式（１）中のＸ^１、Ｘ^２、Ｒ^１及びＲ^２のいずれかの基と、上記式（１０）中のＸ^３及びＸ^４のいずれかの基とが重縮合する場合の反応性基の組み合わせとしては、上述したものと同様のものが挙げられる。すなわち、上記式（１）中のＸ^１、Ｘ^２、Ｒ^１及びＲ^２のいずれかの基と、上記式（１０）中のＸ^３及びＸ^４のいずれかの基とが重縮合する場合、上記式（１０）中のＸ^３及びＸ^４のうち、当該重縮合する基としては、上述した重縮合し得る反応性基を構造中に有する置換基のいずれかであることが好ましい。
また、上記式（１０）中のＸ^３及びＸ^４のいずれかが、単独で重合し得る反応性基を構造中に有する置換基である場合、当該置換基は、上述した単独で重合し得る反応性基を構造中に有する置換基のいずれかであることが好ましい。

本発明のホウ素含有重合体の両末端に結合している基は、特に制限されず、また、同一であっても良く、異なっていてもよい。上記両末端に結合している基としては、例えば、水素原子、ハロゲン原子、置換基を有していてもよいアリール基、オリゴアリール基、１価の複素環基、１価のオリゴ複素環基、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アルケニル基、アルキニル基、アリル基、アミノ基、アゾ基、カルボキシル基、アシル基、アルコキシカルボニル基、ホルミル基、ニトロ基、シアノ基、シリル基、スタニル基、ボリル基、ホスフィノ基、シリルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基、アルキルスルホニルオキシ基等が挙げられる。

本発明のホウ素含有重合体は、重量平均分子量が１０^３〜１０^８であることが好ましい。重量平均分子量がこのような範囲であると、良好に薄膜化できる。より好ましくは、１０^３〜１０^７であり、更に好ましくは１０^４〜１０^６である。
上記重量平均分子量は、ポリスチレン換算によるゲルパーミエーションクロマトグラフィ（ＧＰＣ装置、展開溶媒；クロロホルム）によって以下の装置、及び、測定条件で測定することができる。
高速ＧＰＣ装置：ＨＬＣ−８２２０ＧＰＣ（東ソー社製）
測定条件：
展開溶媒 クロロホルム
カラム ＴＳＫ−ｇｅｌ ＧＭＨＸＬ ×２本
溶離液流量 １ｍｌ／ｍｉｎ
カラム温度 ４０℃

本発明のホウ素含有重合体においても、本発明におけるホウ素含有化合物と同様、上述した範囲のＬＵＭＯのエネルギー準位を有することが好ましい。ホウ素含有重合体のＬＵＭＯのエネルギー準位がそのような範囲であることにより、有機ＥＬ素子やＮ型半導体の材料として好適に用いることができる。

また本発明におけるホウ素含有化合物同様、上記ホウ素含有重合体についても、上述した範囲の発光量子収率を有することもまた本発明の好適な実施形態の１つである。ホウ素含有重合体の発光量子収率がそのような範囲のものであると、有機ＥＬ素子やＨＯＩＬＥＤ素子等における発光層を構成する発光材料として用いた場合に、充分に安定した発光を得ることが可能となるため、有機ＥＬ素子やＨＯＩＬＥＤ素子等に用いる発光デバイスとして、特に発光層を構成する発光材料として好適に用いることができる。

本発明のホウ素含有重合体を製造する場合、式（１）で表されるホウ素含有化合物を含む単量体成分を重合する方法が挙げられる。該単量体成分は、式（１）で表されるホウ素含有化合物を含む限り、その他の単量体を含んでいてもよいが、単量体成分全体１００質量％に対して、式（１）で表されるホウ素含有化合物を０．１〜９９．９質量％含んでいることが好ましい。より好ましくは、１０〜９０質量％である。
また、重合反応の際には、単量体成分の固形分濃度は、０．０１質量％〜溶解する最大濃度の範囲で適宜設定することができるが、希薄すぎると反応の効率が悪く、濃すぎると反応の制御が難しくなる恐れがあることから、好ましくは、０．１〜２０質量％である。

上記その他の単量体としては、上記式（１０）で表される構造を有するものであることが好ましい。なお、上記単量体成分は、式（１）で表されるホウ素含有化合物、式（１０）で表される化合物とも、１種含んでいてもよく、２種以上含んでいてもよい。

上記式（１０）で表される化合物において、Ｘ^３及びＸ^４は、上述したＸ^１及びＸ^２における反応性基を有する置換基と同様のものを用いることができる。

本発明のホウ素含有重合体が重縮合反応により形成される場合、上記反応性基の組み合わせが、アルデヒド基とホスホニウムメチル基との組み合わせである場合にはＷｉｔｔｉｇ反応により、ビニル基とハロゲン原子との組み合わせである場合にはＨｅｃｋ反応により、アルデヒド基とホスホネートメチル基との組み合わせである場合にはＨｏｒｎｅｒ反応により、ハロアルキル基とハロアルキル基との組み合わせである場合には脱ハロゲン化水素法により、スルホニウムメチル基とスルホニウムメチル基との組み合わせである場合にはスルホニウム塩分解法により重合を行うことができる。また、上記反応性基の組み合わせが、アルデヒド基とアセトニトリル基との組み合わせである場合にはＫｎｏｅｖｅｎａｇｅｌ反応により、アルデヒド基とアルデヒド基との組み合わせである場合にはＭｃＭｕｒｒｙ反応により、ハロゲン原子とボリル基との組み合わせである場合にはＳｕｚｕｋｉカップリング反応により、ハロゲン原子とハロゲン化マグネシウムとの組み合わせである場合にはＧｒｉｇｎａｒｄ反応により、ハロゲン原子とハロゲン原子との組み合わせである場合には０価のニッケル触媒を用いた山本重合反応により重合することができる。その他、重合方法としては、塩化鉄（ＩＩＩ）等の酸化剤により重合する方法、電気化学的に酸化重合する方法等が挙げられる。
これらの重合方法のうちでも、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応、山本重合反応により重合を行うことが好ましい。

上記重合工程において用いる溶媒としては、当該反応が進行するものである限り特に制限されないが、上記式（Ｉ）で表される化合物と上記式（ＩＩ）で表される化合物とを反応させる工程に用いる溶媒に加え、水、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、ジメトキシエタンを用いることができる。これらの中でも、トルエン、テトラヒドロフラン、キシレンが好ましい。溶媒は、１種又は２種以上を用いることができる。
中でも、上記Ｗｉｔｔｉｇ反応、Ｈｏｒｎｅｒ反応、Ｋｎｏｅｖｅｎａｇｅｌ反応の場合には、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド、テトラヒドロフラン、ジオキサン、トルエンが好適に用いられる。また、上記Ｈｅｃｋ反応の場合には、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン等の比較的沸点の高い溶媒が好適に用いられる。上記Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応の場合には、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド、トルエン、ジメトキシエタン、テトラヒドロフランが好適に用いられる。上記Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応の場合には、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、ジメトキシエタン等のエーテル系溶媒が好適に用いられ、該溶媒中でハロゲン化物と金属マグネシウムとを反応させてＧｒｉｇｎａｒｄ試薬溶液とし、該試薬溶液とは別に用意した単量体成分を含む溶液とを混合して後述する触媒を用いて重合反応を行うこととなる。なお、この際には、触媒を過剰反応に注意しながら添加した後、昇温して還流させながら反応させることが好ましい。
また、上記溶媒を用いる際には、副反応を抑制するために、充分に脱酸素処理を行い、不活性雰囲気下で反応が進行するようにすることが好ましい。また、同様の理由から、脱水処理を行うことが好ましい場合もある。ただし、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応のように、水との二相系で反応を行う場合にはその限りではない。

上記重合工程においては、触媒を用いてもよく、特に、上記Ｈｅｃｋ反応、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応、上記重縮合し得る反応性基の組み合わせがスタニル基とハロゲン原子のようなＳｔｉｌｌｅ重合反応、Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応、山本重合反応により重合を行う場合には、触媒が用いられる。
Ｈｅｃｋ反応、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応、Ｓｔｉｌｌｅ重合する際の触媒としては、０価のパラジウム触媒、２価のパラジウム塩触媒等が挙げられ、具体的には、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム、ビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン）パラジウム、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、ジクロロビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン）パラジウム、［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）クロライド、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）、ビス（トリ−ｏ−トリルホスフィン）パラジウム、ビス（１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン）パラジウム、ビス（１，１’−（ジフェニルホスフィノ）フェロセン）パラジウム、テトラキス（トリエチルホスファイト）パラジウム、パラジウム（ＩＩ）アセテート類等を挙げることができる。これらの触媒は１種を用いてもよく、２種以上を用いてもよい。これらの中でも、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム，トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）が好ましい。
Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応をする際の触媒としては、上記０価のパラジウム触媒、２価のパラジウム塩触媒やニッケル触媒が好適に挙げられる。
また、上記触媒を用いる際には、トリフェニルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、トリフリルホスフィン等の配位子を添加剤として加えてもよい。
なお、触媒を反応液に混合する方法としては、反応液をアルゴンや窒素等の不活性雰囲気下で攪拌しながら、ゆっくりと触媒を含む溶液を添加する方法、触媒を含む溶液に反応液をゆっくりと添加する方法等が挙げられる。

上記触媒を用いる場合、触媒の使用量としては、上記式（１）で表されるホウ素含有化合物１モルに対して、０．００１〜０．２モルであることが好ましい。触媒の使用量が０．００１モルより少ないと、触媒の機能が充分に発揮されず、０．２モルより多くしても、それ以上の効果の向上は期待できないため、製造コストの点から好ましくない。より好ましくは、０．００５〜０．１５モルであり、更に好ましくは、０．０１〜０．１モルである。

上記重合工程においては、重合開始剤を用いてもよい。重合開始剤としては、過硫酸アンモニウム、過硫酸ナトリウム、過硫酸カリウム等の過硫酸塩；過酸化水素；アゾビス−２メチルプロピオンアミジン塩酸塩、アゾイソブチロニトリル等のアゾ化合物；ベンゾイルパーオキシド、ラウロイルパーオキシド、クメンハイドロパーオキシド等のパーオキシド等を用いることができる。
また、促進剤として、亜硫酸水素ナトリウム、亜硫酸ナトリウム、モール塩、ピロ重亜硫酸ナトリウム、ホルムアルデヒドナトリウムスルホキシレート、アスコルビン酸等の還元剤；エチレンジアミン、エチレンジアミン四酢酸ナトリウム、グリシン等のアミン化合物を併用することもできる。
これらの重合開始剤や促進剤は、それぞれ１種を用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

上記重合開始剤を用いる場合、重合開始剤の使用量としては、単量体成分１００質量％に対して、０．０５質量％以上であることが好ましく、５質量％以下であることが好ましい。０．１質量％以上であることがより好ましく、１質量％以下であることがより好ましい。
上記促進剤を使用する場合の使用量としては、単量体成分１００質量％に対して、例えば０．０５質量％以上であることが好ましく、５質量％以下であることが好ましい。０．１質量％以上であることがより好ましく、１質量％以下であることがより好ましい。

重合に際し、安定した分子量の制御には連鎖移動剤の使用が好ましく、モノマーとの相溶性、溶媒への溶解性から、必要に応じて１種又は２種以上の連鎖移動剤を使用することができる。このような連鎖移動剤としては、炭素数３以上の炭化水素基をもつチオール化合物又は２５℃の水に対する溶解度が１０％以下の化合物が好適であり、上述した連鎖移動剤や、ブタンチオール、オクタンチオール、デカンチオール、ドデカンチオール、チオフェノール、チオグリコール酸オクチル、２−メルカプトプロピオン酸オクチル、３−メルカプトプロピオン酸オクチル、ドデシルメルカプタン、メルカプトエタノール、チオグリセロール、チオグリコール酸、メルカプトプロピオン酸、２−メルカプトプロピオン酸、３−メルカプトプロピオン酸、チオリンゴ酸、２−メルカプトエタンスルホン酸等のチオール系連鎖移動剤；イソプロパノール等の２級アルコール；亜リン酸、次亜リン酸及びその塩（次亜リン酸ナトリウム、次亜リン酸カリウムなど）や亜硫酸が好適である。

上記連鎖移動剤の使用量は、単量体成分１００質量％に対して、０．１質量％以上であることが好ましく、１０質量％以下であることが好ましい。０．５質量％以上であることがより好ましく、５質量％以下であることがより好ましい。

上記重合工程においては、アルカリ成分を添加し、アルカリ存在下に反応を行ってもよい。特に、上記Ｗｉｔｔｉｇ反応、Ｈｅｃｋ反応、Ｈｏｒｎｅｒ反応、脱ハロゲン化水素法、Ｋｎｏｅｖｅｎａｇｅｌ反応、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応の場合には、アルカリ存在下に反応を行うことが好ましい。上記アルカリ成分としては、特に制限されないが、例えば、Ｗｉｔｔｉｇ反応、Ｈｏｒｎｅｒ反応、Ｋｎｏｅｖｅｎａｇｅｌ反応の場合には、カリウム−ｔ−ブトキシド、ナトリウム−ｔ−ブトキシド、ナトリウムエチラート、リチウムメチラート等の金属アルコラート；水素化ナトリウム等のハイドライド試薬；ナトリウムアミド等のアミド類等を用いることができる。Ｈｅｃｋ反応の場合には、トリエチルアミン等を用いることができる。Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応の場合には、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸セシウム、水酸化バリウム等の無機塩基；炭酸テトラエチルアンモニウム等の炭酸アンモニウム塩、トリエチルアミン、トリオクチルメチルアンモニウムクロリド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド等の有機塩基；フッ化セシウム等の無機塩等を用いることができ、無機塩を用いる場合には、無機塩を水溶液として、二相系で反応させてもよい。
なお、アルカリ成分を反応液に混合する方法としては、反応液をアルゴンや窒素等の不活性雰囲気下で攪拌しながら、ゆっくりとアルカリ成分を含む溶液を添加する方法、アルカリ成分を含む溶液に反応液をゆっくりと添加する方法等が挙げられる。

上記アルカリ成分の使用量としては、単量体成分の有する官能基に対して当量以上であることが好ましい。特に、Ｗｉｔｔｉｇ反応、Ｈｏｒｎｅｒ反応、Ｋｎｏｅｖｅｎａｇｅｌ反応の場合には、１〜３当量であることがより好ましく、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応の場合には、１〜１０当量であることがより好ましい。

上記重合工程は、不活性ガス雰囲気下で行われることが好ましい。不活性ガスとしては、特に制限されず、窒素、アルゴン、ヘリウム等のいずれを用いてもよいが、窒素、アルゴンが好ましい。不活性ガスは、１種又は２種以上を用いることができる。

上記重合工程の反応温度は、５０℃〜２００℃であることが好ましい。特に、上記Ｗｉｔｔｉｇ反応、Ｈｏｒｎｅｒ反応、Ｋｎｏｅｖｅｎａｇｅｌ反応の場合には、通常室温から１５０℃程度で反応を進行させることができる。Ｈｅｃｋ反応の場合には、８０℃から１６０℃程度で反応を進行させることができる。また、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応の場合には、溶媒に応じて設定することができるが、５０〜１６０℃で反応を行うことが好適である。
反応圧力は、加圧、常圧、減圧のいずれであってもよいが、常圧であることが好ましい。
また、反応時間は、５時間以上であることが好ましい。
特に、上記Ｗｉｔｔｉｇ反応、Ｈｏｒｎｅｒ反応、Ｋｎｏｅｖｅｎａｇｅｌ反応の場合には、通常５分〜４０時間であればよいが、好ましくは、１０分〜２４時間である。Ｈｅｃｋ反応の場合には、１〜１００時間程度であればよい。また、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応の場合には、１〜２００時間程度であればよい。
上記重合反応は、回分式でも連続式でも行うことができる。

上記Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応の場合における、上記Ｇｒｉｇｎａｒｄ試薬の使用量としては、単量体成分に対して当量以上であることが好ましい。より好ましくは、１〜１．５当量であり、更に好ましくは、１〜１．２当量である。

本発明におけるホウ素含有化合物及び本発明のホウ素含有重合体は、有機ＥＬ素子やＮ型半導体の材料として好適に用いることができるものである。有機ＥＬ素子は、陽極、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、陰極を順に積層させた構造のもの、又は、更にホール注入層、電子注入層を有する構造のもの等がある。これらの素子においては、陰極から注入された電子が電子輸送層を通過して発光層に到達することになるが、エネルギー効率の点から、発光層や電子輸送層の材料の最低空軌道（ＬＵＭＯ）のエネルギー準位は、電子注入層の材料の有するＬＵＭＯのエネルギー準位及び陰極の価電子帯との間でエネルギーギャップが小さいことが好ましい。陰極としては、アルミニウム、マグネシウム、カルシウム等の金属やこれらの合金等が用いられるが、これらのうち価電子帯のエネルギーが高いものは、酸化されやすい性質を有するため、エネルギーの低いものを用いることが好ましい。最低空軌道（ＬＵＭＯ）のエネルギー準位の低いホウ素含有化合物を用いることで、陰極として価電子帯のエネルギーが低く、酸化されにくい物質を陰極に用いることが可能となるため、陰極の選択の自由度を広げることができる。
したがって、このような点から、本発明におけるホウ素含有化合物及び／又は本発明のホウ素含有重合体は、有機ＥＬ素子やＮ型半導体の材料として好適に用いることができるものである。このように、上記式（１）で表されるホウ素含有化合物を含む本発明の発光材料及び／又は本発明のホウ素含有重合体が発光デバイス形成に用いられることもまた、本発明の１つである。このような、上記式（１）で表されるホウ素含有化合物を含む本発明の発光材料又は本発明のホウ素含有重合体を用いて形成される発光デバイスもまた、本発明の１つである。
更に本発明におけるホウ素含有化合物及び本発明のホウ素含有重合体のうち、発光量子収率が２０〜１００％であるものは、その発光量子収率の高さから、安定した発光を得ることができるため、発光デバイスの中でも特に、有機ＥＬ素子やＨＯＩＬＥＤ素子の発光層形成に用いられることが好ましい。

本発明におけるホウ素含有化合物は、上述の構成よりなり、ＬＵＭＯのエネルギー準位が低く、発光量子収率が高い化合物であるために、有機ＥＬ素子、Ｎ型半導体やＨＯＩＬＥＤ素子の発光材料として好適に用いることができるものである。

実施例１−１の反応を表した反応式である。 実施例２−１の反応を表した反応式である。 実施例２−３４の反応を表した反応式である。 実施例３の反応を表した反応式である。

以下に実施例を掲げて本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるものではない。なお、特に断りのない限り、「部」は「重量部」を、「％」は「質量％」を意味するものとする。

以下の実施例及び比較例において、各種物性は以下のようにして測定した。
＜^１Ｈ−ＮＭＲ＞
得られたホウ素含有化合物を、重水素化クロロホルムの溶液とし、高分解能核磁気共鳴装置（製品名「Ｇｅｍｉｎｉ ２０００」；３００ＭＨｚ、Ｖａｒｉａｎ，Ｉｎｃ．社製）を用いて測定した。化学シフトは、テトラメチルシランから低磁場側における１００万分の１（ｐｐｍ；δスケール）として記録し、テトラメチルシランの水素核（δ０．００）を参照とした。
＜^１３Ｃ−ＮＭＲ＞
得られたホウ素含有化合物を、重水素化クロロホルムの溶液とし、高分解能核磁気共鳴装置（製品名「Ｇｅｍｉｎｉ ２０００」；７５ＭＨｚ、Ｖａｒｉａｎ，Ｉｎｃ．社製）を用いて測定した。化学シフトは、テトラメチルシランから低磁場側における１００万分の１（ｐｐｍ；δスケール）として記録し、ＮＭＲ溶媒中の炭素核（ＣＤＣｌ_３：δ＝７７．０、ＣＤ_２Ｃｌ_２：δ＝５３．１、ＣＤ_３ＣＮ：δ＝１．３２、ＤＭＳＯ−ｄ_６：δ＝３９．５２）を参照とした。
＜^１１Ｂ−ＮＭＲ＞
得られたホウ素含有化合物を、重水素化クロロホルムの溶液とし、高分解能核磁気共鳴装置（製品名「Ｍｅｒｃｕｒｙ−４００」；１２８ＭＨｚ、Ｖａｒｉａｎ，Ｉｎｃ．社製）を用いて測定した。化学シフトは、三フッ化ホウ素・ジエチルエーテル錯体のホウ素核（δ＝０．００）を基準とする１００万分の１（ｐｐｍ；δスケール）として記録した。
＜高分解能質量分析スペクトル＞
高分解能質量分析計（製品名「ＪＭＳ−ＳＸ１０１Ａ」、「ＪＭＳ−ＭＳ７００」、「ＪＭＳ−ＢＵ２５０」、日本電子社製）を用いて、電子イオン化法（ＥＩ）又は高速電子衝撃法（ＦＡＢ）により測定した。

＜重量平均分子量＞
重量平均分子量は、ポリスチレン換算によるゲルパーミエーションクロマトグラフィ（ＧＰＣ装置、展開溶媒；クロロホルム）によって以下の装置、及び、測定条件で測定した。
高速ＧＰＣ装置：ＨＬＣ−８２２０ＧＰＣ（東ソー社製）
測定条件：
展開溶媒 クロロホルム
カラム ＴＳＫ−ｇｅｌ ＧＭＨＸＬ ×２本
溶離液流量 １ｍｌ／ｍｉｎ
カラム温度 ４０℃

＜ＬＵＭＯのエネルギー準位＞
ｐドープシリコン基板（フルウチ化学社製）を２５ｍｍ角に切断し、アセトン中、及び、イソプロピルアルコール中でそれぞれ１０分間超音波洗浄した後、ＵＶオゾン処理を２０分間施した。試料が低分子化合物の場合は、この基板をアルゴン雰囲気のグローブボックスに連結された真空蒸着装置（アルバック社製）の基板ホルダーに固定した。測定する試料を石英製のルツボに入れ、約１×１０^−３Ｐａまで減圧し、膜厚１０ｎｍになるように蒸着し、測定サンプルとした。試料が高分子化合物の場合は、この基板に０．５〜２重量％の濃度に調整した試料溶液を垂らし、毎分１０００〜３０００回転の速度でスピンコートして測定サンプルとした。作成した測定サンプルについて、紫外光電子分光装置（コベルコ科研社製）を用いて、イオン化ポテンシャルを測定した。測定値を試料の最高被占軌道（ＨＯＭＯ）のエネルギー準位とした。
同時に、上記同様に作成した別の試料薄膜について、紫外可視分光光度計（製品名「Ａｇｉｌｅｎｔ ８４５３」、アジレント・テクノロジー社製）を用いて、吸収スペクトルを測定した。得られたスペクトルから吸収ピークの長波長側吸収端λ（単位：ｎｍ）を読み取り、下記数式（１）により、ＨＯＭＯ−ＬＵＭＯギャップ（Ｂ．Ｇ．）を求めた。

更に、上記のように複合電子分光分析装置を用いて求めたＨＯＭＯのエネルギー準位と、上記数式（１）から求めたＨＯＭＯ−ＬＵＭＯギャップ（Ｂ．Ｇ．）とから、下記数式（２）により、ＬＵＭＯのエネルギー準位を求めた。

＜蛍光スペクトル＞
ホウ素含有化合物のジクロロメタン希薄溶液を調製し、蛍光分光光度計（製品名「ＦＰ−７７７」、日本分光社製）を用いて、以下の測定条件により蛍光スペクトルを測定した。
測定条件
測定温度：常温
励起光の波長：３２０ｎｍ又は３７０ｎｍ（ただし、サンプルの吸収スペクトルの吸収ピーク位置によって適切な波長を選択するものとする。）
測定波長の範囲：３３０〜６００ｎｍ
＜発光量子収率＞
ホウ素含有化合物について、濃度の異なる数種類のジクロロメタン溶液を調製し、紫外可視分光光度計（製品名「Ａｇｉｌｅｎｔ ８４５３」、アジレント・テクノロジー社製）を用いて、各溶液の吸光度を測定した。また、各溶液の蛍光スペクトルを測定し、蛍光強度（波数積分値）を求めた。得られた吸光度及び蛍光強度から、横軸が吸光度、縦軸が蛍光強度のグラフを作成した。また、標準物質として、キニーネ硫酸塩の０．１Ｍ硫酸溶液について、同様に測定を行い、それぞれのグラフを同様に作成した。ホウ素含有化合物についてのグラフ（正の相関を有する直線となる）の傾きをＧ_Ｓ、キニーネ硫酸塩についてのグラフの傾きをＧ_Ｒ、ジクロロメタンの屈折率をｎ_Ｓ、０．１Ｍ硫酸の屈折率をｎ_Ｒ、キニーネ硫酸塩（文献値）をＹ_Ｒとして、ホウ素含有化合物の発光量子収率Ｙ_Ｓを下記数式（３）により求めた。なお、ｎ_Ｓ、ｎ_Ｒ、Ｙ_Ｒについては、文献値として、ｎ_Ｓ＝１．４２４２、ｎ_Ｒ＝１．３３３、Ｙ_Ｒ＝０．５４の各値を用いた。

（実施例１−１）
アルゴン雰囲気下、三ヨウ化ホウ素（２１５．３４ｍｇ、０．５ｍｍｏｌ）にジクロロメタン ０・５ｍｌを加え、０℃に冷却し２−フェニルピリジン（７７．６ｍｇ、０．５ｍｍｏｌ）を加え、室温で１時間攪拌した。０℃に冷却してから水でクエンチし、クロロホルムで抽出し、有機層を飽和塩化ナトリウム水溶液で洗浄し、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた。濾過した後に溶媒を減圧留去し、得られた固体をヘキサンで洗浄することによりホウ素錯体１を１６０ｍｇ、４８％の収率で得た。
この反応の反応式を図１に示す。

（実施例１−２）
実施例１−１の三ヨウ素化ホウ素を三臭素化ホウ素に変更した以外は、実施例１−１と同様に反応を行い、ホウ素錯体２を７３％の収率で得た。

（参考例１−１〜１−４）
実施例１−１の三ヨウ素化ホウ素を表１に記載のルイス酸に変更した以外は、実施例１−１と同様に反応を行った。反応条件及び反応結果を表１に示す。なお、表１中において、「ｎｏ ｒｅａｃｔｉｏｎ」は、反応が進行しなかったことを表している。

（実施例１−３）
アルゴン雰囲気下、２−フェニルピリジン（７８ｍｇ、０．５０ｍｍｏｌ）を含むジクロロメタン溶液（０．５ｍｌ）に、エチルジイソプロピルアミン（６５ｍｇ、０．５０ｍｍｏｌ）を加えた後、０℃で三臭化ホウ素（１．０Ｍ、１．５ｍｌ、１．５ｍｍｏｌ）を加え、室温で９時間攪拌した。反応溶液を０℃まで冷却した後、飽和炭酸カリウム水溶液を加え、クロロホルムで抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させ濾過した。濾液をロータリーエバポレーターで濃縮した後、生成した白色固体を濾取し、ヘキサンで洗浄することにより、下記式（１９）；

で表されるホウ素錯体３（１４５ｍｇ、０．４５ｍｍｏｌ）を収率８９％で得た。
その物性値は以下の通りであった。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３） ： δ７．４２（ｔ， Ｊ＝７．５Ｈｚ， １Ｈ）， ７．５５−７．６０（ｍ， ２Ｈ）， ７．７５（ｄ， Ｊ＝７．８Ｈｚ， １Ｈ）， ７．８７（ｄ， Ｊ＝７．５Ｈｚ， １Ｈ）， ７．９３（ｄ， Ｊ＝７．８Ｈｚ， １Ｈ）， ８．１６（ｔ， Ｊ＝７．８Ｈｚ， １Ｈ）， ８．９５（ｄ， Ｊ＝５．４Ｈｚ， １Ｈ） ； ^１１Ｂ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３） ： δ−１．１ ；

（実施例１−４）
アルゴン雰囲気下、２−（４−メチルフェニル）ピリジン（８５ｍｇ、０．５０ｍｍｏｌ）を含むジクロロメタン溶液（０．５ｍｌ）に、エチルジイソプロピルアミン（６５ｍｇ、０．５０ｍｍｏｌ）を加えた後、０℃で三臭化ホウ素（１．０Ｍ、１．５ｍｌ、１．５ｍｍｏｌ）を加え、室温で９時間攪拌した。反応溶液を０℃まで冷却した後、飽和炭酸カリウム水溶液を加え、クロロホルムで抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させ濾過した。濾液をロータリーエバポレーターで濃縮した後、生成した白色固体を濾取し、ヘキサンで洗浄することにより、下記式（２０）；

で表されるホウ素錯体４（１５０ｍｇ、０．４４ｍｍｏｌ）を収率８９％で得た。
その物性値は以下の通りであった。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３） ： δ２．４７（ｓ， ３Ｈ）， ７．２０−７．２７（ｍ， １Ｈ）， ７．４８−７．５３（ｍ， １Ｈ）， ７．６３（ｄ， Ｊ＝８．１Ｈｚ， １Ｈ）， ７．６８（ｓ， １Ｈ）， ７．８４−７．８７（ｍ， １Ｈ）， ８．０９−８．１５（ｍ， １Ｈ）， ８．９０（ｄ， Ｊ＝６．０Ｈｚ， １Ｈ） ； ^１３Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３） ： δ２２．１， １１８．１， １２１．９， １２３．１， １２９．７， １３０．８， １３１．２， １４３．６， １４４．０， １４４．１， １５６．０ ； ^１１Ｂ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３） ： δ−１．１ ；

（実施例１−５）
アルゴン雰囲気下、５−ブロモ−２−（４−ブロモフェニル）ピリジン（９４ｍｇ、０．３０ｍｍｏｌ）を含むジクロロメタン溶液（０．３ｍｌ）に、エチルジイソプロピルアミン（３９ｍｇ、０．３０ｍｍｏｌ）を加えた後、０℃で三臭化ホウ素（１．０Ｍ、０．９ｍｌ、０．９ｍｍｏｌ）を加え、室温で９時間攪拌した。反応溶液を０℃まで冷却した後、飽和炭酸カリウム水溶液を加え、クロロホルムで抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させ濾過した。濾液をロータリーエバポレーターで濃縮した後、生成した白色固体を濾取し、ヘキサンで洗浄することにより、下記式（２１）；

で表されるホウ素錯体５（４０ｍｇ、０．０８２ｍｍｏｌ）を収率２８％で得た。
その物性値は以下の通りであった。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３） ： ７．５７−７．５９（ｍ， ２Ｈ）， ７．８０（ｄｄ， Ｊ＝８．４， ０．６Ｈｚ， １Ｈ）， ７．９９（ｓ， １Ｈ）， ８．２７（ｄｄ， Ｊ＝８．４， ２．１Ｈｚ， １Ｈ）， ９．０１（ｄ， Ｊ＝１．５Ｈｚ， １Ｈ） ；

（実施例１−６）
アルゴン雰囲気下、２−フェニルキノリン（６２ｍｇ、０．３０ｍｍｏｌ）を含むジクロロメタン溶液（０．３ｍｌ）に、エチルジイソプロピルアミン（３９ｍｇ、０．３０ｍｍｏｌ）を加えた後、０℃で三臭化ホウ素（１．０Ｍ、０．９ｍｌ、０．９ｍｍｏｌ）を加え、室温で９時間攪拌した。反応溶液を０℃まで冷却した後、飽和炭酸カリウム水溶液を加え、クロロホルムで抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させ濾過した。濾液をロータリーエバポレーターで濃縮した後、生成した白色固体を濾取し、ヘキサンで洗浄することにより、下記式（２２）；

で表されるホウ素錯体６（８５ｍｇ、０．２３ｍｍｏｌ）を収率７５％で得た。
その物性値は以下の通りであった。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３） ： δ７．４４（ｔｄ， Ｊ＝７．５， １．０Ｈｚ， １Ｈ）， ７．６５（ｔｄ， Ｊ＝７．５， ０．９Ｈｚ， １Ｈ）， ７．７３（ｄｄｄ， Ｊ＝８．１， ７．２， １．１Ｈｚ， １Ｈ）， ７．８７（ｄ， Ｊ＝７．５Ｈｚ， １Ｈ）， ７．９６−８．０９（ｍ， ４Ｈ）， ８．６０（ｄ， Ｊ＝９．０Ｈｚ， １Ｈ）， ９．２９（ｄ， Ｊ＝８．７Ｈｚ， １Ｈ） ； ^１３Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３） ： δ１１５．１， １２２．６， １２４．５， １２８．１， １２８．５， １２８．６， １２８．９， １３０．５， １３２．９， １３３．４， １３３．８， １４０．６， １４５．０， １５７．６ ； ^１１Ｂ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３） ： δ−１．８ ；

（実施例１−７）
アルゴン雰囲気下、２−フェニルピリミジン（７８ｍｇ、０．５０ｍｍｏｌ）を含むジクロロメタン溶液（０．５ｍｌ）に、０℃で三臭化ホウ素（１．０Ｍ、２．０ｍｌ、２．０ｍｍｏｌ）を加え、室温で１時間攪拌した。反応溶液を０℃まで冷却した後、飽和炭酸ナトリウム水溶液を加え、クロロホルムで抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させ濾過した。濾液をロータリーエバポレーターで濃縮した後、生成した白色固体を濾取し、ヘキサンで洗浄することにより、下記式（２３）；

で表されるホウ素錯体７（１４８ｍｇ、０．４５ｍｍｏｌ）を収率９１％で得た。
その物性値は以下の通りであった。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３） ： δ７．４９（ｔｄ， Ｊ＝７．６， １．１Ｈｚ， １Ｈ）， ７．５６（ｄｄ， Ｊ＝５．７， ４．８Ｈｚ， １Ｈ）， ７．６７（ｔｄ， Ｊ＝７．４， １．１Ｈｚ， １Ｈ）， ７．８９（ｄ， Ｊ＝７．５Ｈｚ， １Ｈ）， ８．１０（ｄｔ， Ｊ＝７．５， ０．９Ｈｚ， １Ｈ）， ９．１０−９．１４（ｍ， ２Ｈ） ； ^１３Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３） ： δ１１９．１， １２４．３， １２９．１， １３０．３， １３２．４， １３４．９， １５１．２， １６３．６， １６４．１； ^１１Ｂ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３） ： δ−２．４ ； ＨＲＭＳ（ＦＡＢ）Ｃ_１０Ｈ_７ＢＢｒ_２Ｎ_２（Ｍ^＋） ： 理論値 ３２３．９０６９、実測値 ３２３．９０７３

（実施例１−８）
アルゴン雰囲気下、２−（２−ピリジル）ベンゾチオフェン（１０５ｍｇ、０．５０ｍｍｏｌ）を含むジクロロメタン溶液（０．５ｍｌ）に、０℃で三臭化ホウ素（１．０Ｍ、０．６０ｍｌ、０．６０ｍｍｏｌ）を加え、室温で１時間攪拌した。反応溶液を０℃まで冷却した後、飽和炭酸ナトリウム水溶液を加え、クロロホルムで抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させ濾過した。濾液をロータリーエバポレーターで濃縮した後、生成した白色固体を濾取し、ヘキサンで洗浄することにより、下記式（２４）；

で表されるホウ素錯体８（９３ｍｇ、０．２４ｍｍｏｌ）を収率４９％で得た。
その物性値は以下の通りであった。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３） ： δ７．４１−７．５２（ｍ， ３Ｈ）， ７．５９（ｄ， Ｊ＝８．１Ｈｚ， １Ｈ）， ７．８９（ｄｄ， Ｊ＝７．４， １．４Ｈｚ， １Ｈ）， ８．０９（ｔｄ， Ｊ＝７．８， １．５Ｈｚ， １Ｈ）， ８．２０−８．２２（ｍ， １Ｈ）， ８．９０（ｄ， Ｊ＝５．７Ｈｚ， １Ｈ） ； ^１１Ｂ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３） ： δ−３．９ ； ＨＲＭＳ（ＦＡＢ）Ｃ_１３Ｈ_８ＢＢｒ_２ＮＳ（Ｍ^＋） ： 理論値 ３７８．８８３７、実測値 ３７８．８８３８

（実施例１−９）
アルゴン雰囲気下、１，４−ジ（２−ピリジニル）ベンゼン（１１６ｍｇ、０．５０ｍｍｏｌ）を含むジクロロメタン溶液（０．５ｍｌ）に、エチルジイソプロピルアミン（１２９ｍｇ， １．０ｍｍｏｌ）０℃で三臭化ホウ素（１．０Ｍ、３．０ｍｌ、３．０ｍｍｏｌ）を加え、室温で４８時間攪拌した。反応溶液を０℃まで冷却した後、飽和炭酸カリウム水溶液を加え、クロロホルムで抽出した。有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させ濾過した。濾液をロータリーエバポレーターで濃縮した後、生成した白色固体を濾取し、水とクロロホルムで洗浄することにより、下記式（２５）；

で表されるホウ素錯体９（２１０ｍｇ、０．３７ｍｍｏｌ）を収率７３％で得た。

（実施例２−１）
アルゴン雰囲気下、２−（２−ジブロモボリルフェニル）ピリジン（３２ｍｇ、０．１０ｍｍｏｌ）を含むトルエン溶液（１．０ｍｌ）に、トリメチルアルミニウム（１．１Ｍ、０．２０ｍｌ、０．２２ｍｍｏｌ）を加え、室温で５分間攪拌した。反応溶液を０℃まで冷却した後、水を加え、酢酸エチルで抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させ濾過した。濾液をロータリーエバポレーターで濃縮した後、分取薄層クロマトグラフィー（ヘキサン：ジクロロメタン＝２：１）で精製することにより、下記式（２６）；

（式中、Ｍｅは、メチル基を表す。）で表されるホウ素錯体１０（１８ｍｇ、０．０９１ｍｍｏｌ）を収率９１％で得た。
その物性値は以下の通りであった。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３） ： δ０．０５（ｓ， ６Ｈ）， ７．２６−７．３８（ｍ， ２Ｈ）， ７．４３（ｔｄ， Ｊ＝７．５， ０．９Ｈｚ， １Ｈ）， ７．６５（ｄ， Ｊ＝７．２Ｈｚ， １Ｈ）， ７．８４（ｄ， Ｊ＝７．５Ｈｚ， １Ｈ）， ７．９３−７．９９（ｍ， ２Ｈ）， ８．４４（ｄｔ， Ｊ＝５．７， １．２Ｈｚ， １Ｈ） ； ^１３Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３） ： δ８．８， １１７．７， １２１．３， １２１．５， １２５．１， １２９．１， １３０．２， １３５．０， １３９．２， １４２．１， １５６．８ ； ^１１Ｂ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３） ： δ１．１ ； ＨＲＭＳ（ＥＩ）Ｃ_１３Ｈ_１３ＢＮ（［Ｍ−Ｈ］^＋） ： 理論値 １９４．１１４１、実測値 １９４．１１３６
この反応の反応式を図２に示す。

（実施例２−２〜２−９）
表２に記載のように、有機金属試薬、溶媒、反応条件を変更した以外は、実施例２−１と同様に反応を行い、ホウ素錯体１１〜１８を得た。反応条件及び反応結果を表２に示す。
なお、表２中、有機金属試薬使用量は、基質として用いた２−（２−ジブロモボリルフェニル）ピリジンの量を１モルとした時のモル数を表している。「ｆｕｌｌ ｃｏｎｖｅｒｓｉｏｎ」は、反応自体は完全に終了していることを表している。「ｓ．ｍ．ｒｅｍａｉｎｅｄ」は、原料基質が残存していることを表している。「ｃｏｍｐｌｅｘ ｍｉｘｔｕｒｅ」は、目的物は生成しているが、精製不可能な複雑な混合系となっていることを表している。

（実施例２−１０）
アルゴン雰囲気下、２−（２−ジブロモボリルフェニル）ピリジン（３２ｍｇ、０．１０ｍｍｏｌ）を含むジエチルエーテル溶液（１．０ｍｌ）に、リチウムアルミニウムヒドリド（８．０ｍｇ、０．２１ｍｍｏｌ）を加え、室温で１時間攪拌した。反応溶液を０℃まで冷却した後、水を加え、酢酸エチルで抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させ濾過した。濾液をロータリーエバポレーターで濃縮した後、分取薄層クロマトグラフィー（ヘキサン：ジクロロメタン＝１：１）で精製することにより、下記式（２７）；

で表されるホウ素錯体１９（１３ｍｇ、０．０８０ｍｍｏｌ）を収率８０％で得た。また、その溶液中での発光量子収率は、３５％であった。
その物性値は以下の通りであった。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３） ： δ２．８−４．０（ｂｒ， ２Ｈ）， ７．３０−７．３５（ｍ， ２Ｈ）， ７．４６（ｔ， Ｊ＝７．４Ｈｚ， １Ｈ）， ７．８０（ｄ， Ｊ＝７．２Ｈｚ， １Ｈ）， ７．８７（ｄ， Ｊ＝７．８Ｈｚ， １Ｈ）， ７．９３−８．００（ｍ， ２Ｈ）， ８．６４（ｄ， Ｊ＝５．７Ｈｚ， １Ｈ） ； ^１３Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３） ： δ１１７．９， １２０．７， １２１．５， １２５．２， １３０．１， １３０．２， １３６．６， １３９．１， １４３．８， １５８．４ ； ^１１Ｂ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３） ： δ−８．１ ； ＨＲＭＳ（ＥＩ）Ｃ_１０Ｈ_９ＢＮ（［Ｍ−Ｈ］^＋） ： 理論値 １６６．０８２８、実測値 １６６．０８２７

（実施例２−１１）
アルゴン雰囲気下、２−（２−ジブロモボリルフェニル）ピリジン（３２ｍｇ、０．１０ｍｍｏｌ）を含むトルエン溶液（１．０ｍｌ）に、トリエチルアルミニウム（０．９４Ｍ、０．２２ｍｌ、０．２０ｍｍｏｌ）を加え、室温で５分間攪拌した。反応溶液を０℃まで冷却した後、水を加え、酢酸エチルで抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させ濾過した。濾液をロータリーエバポレーターで濃縮した後、分取薄層クロマトグラフィー（ヘキサン：ジクロロメタン＝３：２）で精製することにより、下記式（２８）；

（式中、Ｅｔは、エチル基を表す。）で表されるホウ素錯体２０（１８ｍｇ、０．０８２ｍｍｏｌ）を収率８２％で得た。
その物性値は以下の通りであった。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３） ： δ０．４１−０．６１（ｍ， ８Ｈ）， ０．６９−０．８５（ｍ， ２Ｈ）， ７．２７−７．３７（ｍ， ２Ｈ）， ７．４２（ｔｄ， Ｊ＝７．３， ０．７Ｈｚ， １Ｈ）， ７．６５（ｄ， Ｊ＝７．２Ｈｚ， １Ｈ）， ７．８４（ｄ， Ｊ＝７．５Ｈｚ， １Ｈ）， ７．９３−７．９９（ｍ， ２Ｈ）， ８．３６（ｄｔ， Ｊ＝６．０， １．２Ｈｚ， １Ｈ） ； ^１３Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３） ： δ９．９， １６．７， １１７．５， １２１．１， １２１．２， １２５．０， １２９．６， １２９．８， １３６．１， １３９．０， １４１．９， １５７．７； ^１１Ｂ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３） ： δ３．６ ； ＨＲＭＳ（ＥＩ）Ｃ_１５Ｈ_１７ＢＮ（［Ｍ−Ｈ］^＋） ： 理論値 ２２２．１４５４、実測値 ２２２．１４５０

（実施例２−１２）
アルゴン雰囲気下、２−（２−ジブロモボリルフェニル）ピリジン（３２ｍｇ、０．１０ｍｍｏｌ）を含むトルエン溶液（１．０ｍｌ）に、ジイソプロピル亜鉛（１．０Ｍ、０．１１ｍｌ、０．１１ｍｍｏｌ）を加え、７０℃で１２時間攪拌した。反応溶液を０℃まで冷却した後、水を加え、酢酸エチルで抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させ濾過した。濾液をロータリーエバポレーターで濃縮した後、分取薄層クロマトグラフィー（ヘキサン：ジクロロメタン＝１：１）で精製することにより、下記式（２９）；

（式中、^ｉＰｒは、イソプロピル基を表す。）で表されるホウ素錯体２１（１９ｍｇ、０．０７７ｍｍｏｌ）を収率７７％で得た。
その物性値は以下の通りであった。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３） ： δ０．５１（ｄ， Ｊ＝７．５Ｈｚ， ６Ｈ）， ０．６２（ｄ， Ｊ＝７．２Ｈｚ， ６Ｈ）， １．１８（ｓｅｐｔ， Ｊ＝７．２Ｈｚ， ２Ｈ）， ７．２５−７．４１（ｍ， ３Ｈ）， ７．６３（ｄｔ， Ｊ＝７．２， ０．９Ｈｚ， １Ｈ）， ７．８２（ｄｔ， Ｊ＝７．８， ０．９Ｈｚ， １Ｈ）， ７．９４−８．００（ｍ， ２Ｈ）， ８．３６（ｄｔ， Ｊ＝５．７， １．６Ｈｚ， １Ｈ） ； ^１３Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３） ： δ１９．３， １９．８， １１７．４， １２０．７， １２１．０， １２４．９， １２９．７， １２９．９， １３６．６， １３８．９， １４２．３， １５８．０ ； ^１１Ｂ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３） ： δ４．６ ； ＨＲＭＳ（ＦＡＢ）Ｃ_１７Ｈ_２３ＢＮ（［Ｍ＋Ｈ］^＋） ： 理論値 ２５２．１９２４、実測値 ２５２．１９３３

（実施例２−１３）
アルゴン雰囲気下、２−（２−ジブロモボリルフェニル）ピリジン（３２ｍｇ、０．１０ｍｍｏｌ）を含むトルエン溶液（１．０ｍｌ）に、ジフェニル亜鉛（０．２８Ｍ、０．７５ｍｌ、０．２１ｍｍｏｌ）を加え、室温で１２時間攪拌した。反応溶液を０℃まで冷却した後、水を加え、酢酸エチルで抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させ濾過した。濾液をロータリーエバポレーターで濃縮した後、分取薄層クロマトグラフィー（ヘキサン：ジクロロメタン＝１：１）で精製することにより、下記式（３０）；

（式中、Ｐｈは、フェニル基を表す。）で表されるホウ素錯体２２（３１ｍｇ、０．０９８ｍｍｏｌ）を収率９８％で得た。また、その溶液中での発光量子収率は、２８％であった。
その物性値は以下の通りであった。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３） ： δ７．１４−７．２４（ｍ， １０Ｈ）， ７．３１−７．３８（ｍ， ２Ｈ）， ７．４４（ｔ， Ｊ＝７．４Ｈｚ， １Ｈ）， ７．７４（ｄ， Ｊ＝６．９Ｈｚ， １Ｈ）， ７．８７（ｄ， Ｊ＝７．５Ｈｚ， １Ｈ）， ８．０２−８．０４（ｍ， ２Ｈ）， ８．５１（ｄ， Ｊ＝５．７Ｈｚ， １Ｈ） ； ^１３Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３） ： δ１１８．１， １２１．６， １２１．８， １２５．６， １２５．９， １２７．４， １３０．７， １３１．２， １３３．０， １３５．８， １４０．４， １４４．０， １５８．３ ； ^１１Ｂ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３） ： δ３．４ ； ＨＲＭＳ（ＥＩ）Ｃ_２３Ｈ_１８ＢＮ（Ｍ^＋） ： 理論値 ３１９．１５３２、実測値 ３１９．１５３２

（実施例２−１４）
アルゴン雰囲気下、２−（２−ジブロモボリルフェニル）ピリジン（３２ｍｇ、０．１０ｍｍｏｌ）を含むトルエン溶液（１．０ｍｌ）に、ジ（４−メトキシフェニル）亜鉛（０．１３Ｍ、１．６ｍｌ、０．２１ｍｍｏｌ）を加え、７０℃で１２時間攪拌した。反応溶液を０℃まで冷却した後、水を加え、酢酸エチルで抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させ濾過した。濾液をロータリーエバポレーターで濃縮した後、分取薄層クロマトグラフィー（ヘキサン：ジクロロメタン＝１：２）で精製することにより、下記式（３１）；

（式中、Ｍｅは、メチル基を表す。）で表されるホウ素錯体２３（３４ｍｇ、０．０９０ｍｍｏｌ）を収率９０％で得た。
その物性値は以下の通りであった。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３） ： δ３．７６（ｓ， ６Ｈ）， ６．７６−６．８０（ｍ， ４Ｈ）， ７．１３−７．１７（ｍ， ４Ｈ）， ７．３０−７．３６（ｍ， ２Ｈ）， ７．４４（ｔｄ， Ｊ＝７．２， ０．９Ｈｚ， １Ｈ）， ７．７１（ｄ， Ｊ＝７．５Ｈｚ， １Ｈ）， ７．８７（ｄ， Ｊ＝７．５Ｈｚ， １Ｈ）， ８．００−８．０２（ｍ， ２Ｈ）， ８．４７−８．５０（ｍ， １Ｈ） ； ^１３Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３） ： δ５４．９， １１３．０， １１８．０， １２１．６， １２１．８， １２５．８， １３０．７， １３１．２， １３４．１， １３５．７， １４０．３， １４４．０， １５７．９， １５８．２ ； ^１１Ｂ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３） ： δ３．８ ； ＨＲＭＳ（ＥＩ）Ｃ_２５Ｈ_２２ＢＮＯ_２（Ｍ^＋） ： 理論値 ３７９．１７４４、実測値 ３７９．１７３４

（実施例２−１５）
アルゴン雰囲気下、２−（２−ジブロモボリルフェニル）ピリジン（３２ｍｇ、０．１０ｍｍｏｌ）を含むトルエン溶液（１．０ｍｌ）に、ビス（４−トリフルオロメチルフェニル）亜鉛（０．２６Ｍ、０．８０ｍｌ、０．２１ｍｍｏｌ）を加え、室温で３０分間攪拌した。反応溶液を０℃まで冷却した後、水を加え、酢酸エチルで抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させ濾過した。濾液をロータリーエバポレーターで濃縮した後、分取薄層クロマトグラフィー（ヘキサン：ジクロロメタン＝１：１）で精製することにより、下記式（３２）；

で表されるホウ素錯体２４（４１ｍｇ、０．０９０ｍｍｏｌ）を収率９０％で得た。また、その溶液中での発光量子収率は、３６％であった。
その物性値は以下の通りであった。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３） ： δ７．２６−７．２９（ｍ， ４Ｈ）， ７．３６−７．５０（ｍ， ７Ｈ）， ７．６８（ｄ， Ｊ＝６．６Ｈｚ， １Ｈ）， ７．９１（ｄ， Ｊ＝７．８Ｈｚ， １Ｈ）， ８．０８−８．１６（ｍ， ２Ｈ）， ８．４３（ｄ， Ｊ＝６．０Ｈｚ， １Ｈ） ； ^１１Ｂ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３） ： δ２．７ ； ＨＲＭＳ（ＥＩ）Ｃ_２５Ｈ_１６ＢＦ_６Ｎ（［Ｍ−Ｈ］^＋） ： 理論値 ４５４．１２０２、実測値 ４５４．１２０５

（実施例２−１６）
アルゴン雰囲気下、２−（２−ジブロモボリルフェニル）ピリジン（６５ｍｇ、０．２０ｍｍｏｌ）を含むトルエン溶液（１．５ｍｌ）に、ビス（ペンタフルオロフェニル）亜鉛（８８ｍｇ、０．２２ｍｍｏｌ）を加え、７０℃で１５時間攪拌した。反応溶液を０℃まで冷却した後、水を加え、酢酸エチルで抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させ濾過した。濾液をロータリーエバポレーターで濃縮した後、分取薄層クロマトグラフィー（ヘキサン：ジクロロメタン＝１：１）で精製することにより、下記式（３３）；

で表されるホウ素錯体２５（８９ｍｇ、０．０８９ｍｍｏｌ）を収率８９％で得た。また、その溶液中での発光量子収率は、５８％であった。
その物性値は以下の通りであった。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３） ： δ７．３７−７．４９（ｍ， ３Ｈ）， ７．７６（ｄ， Ｊ＝７．５Ｈｚ， １Ｈ）， ７．８７（ｄ， Ｊ＝７．５Ｈｚ， １Ｈ）， ８．０５（ｄ， Ｊ＝８．１Ｈｚ， １Ｈ）， ８．１５（ｔｄ， Ｊ＝７．７， １．３Ｈｚ， １Ｈ）， ８．５９（ｄ， Ｊ＝５．７Ｈｚ， １Ｈ） ； ^１３Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３） ： δ１１８．５， １２１．８， １２２．４， １２７．２， １３０．３， １３２．０， １３５．１， １３５．２−１４９．５（ｍ）， １４２．３， １４４．６， １５９．０ ； ^１１Ｂ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３） ： δ−２．３ ； ＨＲＭＳ（ＥＩ）Ｃ_２３Ｈ_８ＢＦ_１０Ｎ（Ｍ^＋） ： 理論値 ４９９．０５９０、実測値 ４９９．０５８３

（実施例２−１７）
アルゴン雰囲気下、２−（２−ジブロモボリル−４−メチルフェニル）ピリジン（１３６ｍｇ、０．４０ｍｍｏｌ）を含むトルエン溶液（４．０ｍｌ）に、トリメチルアルミニウム（１．４Ｍ、０．５９ｍｌ、０．８２ｍｍｏｌ）を加え、室温で１０分間攪拌した。反応溶液を０℃まで冷却した後、水を加え、酢酸エチルで抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させ濾過した。濾液をロータリーエバポレーターで濃縮した後、分取薄層クロマトグラフィー（ヘキサン：ジクロロメタン＝１：１）で精製することにより、下記式（３４）；

（式中、Ｍｅは、メチル基を表す。）で表されるホウ素錯体２６（８３ｍｇ、０．４０ｍｍｏｌ）を収率９９％で得た。また、その溶液中での発光量子収率は、４９％であった。
その物性値は以下の通りであった。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３） ： δ０．０４（ｓ， ６Ｈ）， ２．４５（ｓ， ３Ｈ）， ７．１０−７．１２（ｍ， １Ｈ）， ７．２８−７．３３（ｍ， １Ｈ）， ７．４６（ｓ， １Ｈ）， ７．７３（ｄ， Ｊ＝７．５Ｈｚ， １Ｈ）， ７．８７−７．９５（ｍ， ２Ｈ）， ８．４０（ｄ， Ｊ＝５．７Ｈｚ， １Ｈ） ； ^１３Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３） ： δ９．０， ２２．１， １１７．４， １２０．８， １２１．４， １２６．３， １２９．８， １３２．７， １３９．１， １４０．５， １４２．１， １５７．０ ； ^１１Ｂ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３） ： δ１．０ ； ＨＲＭＳ（ＥＩ）Ｃ_１４Ｈ_１５ＢＮ（［Ｍ−Ｈ］^＋） ： 理論値 ２０８．１２９８、実測値 ２０８．１２９０

（実施例２−１８）
アルゴン雰囲気下、５−ブロモ−２−（４−ブロモ−２−ジブロモボリルフェニル）ピリジン（１７０ｍｇ、０．３５ｍｍｏｌ）を含むトルエン溶液（１．０ｍｌ）とジクロロメタン（１．０ｍｌ）の混合溶媒に、トリメチルアルミニウム（１．４Ｍ， ０．５３ｍｌ、０．７４ｍｍｏｌ）を加え、室温で１時間攪拌した。反応溶液を０℃まで冷却した後、水を加え、酢酸エチルで抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させ濾過した。濾液をロータリーエバポレーターで濃縮した後、分取薄層クロマトグラフィー（ヘキサン：ジクロロメタン＝１：１）で精製することにより、下記式（３５）；

（式中、Ｍｅは、メチル基を表す。）で表されるホウ素錯体２７（１１２ｍｇ、０．３２ｍｍｏｌ）を収率９１％で得た。
その物性値は以下の通りであった。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３） ： δ０．０３（ｓ， ６Ｈ）， ７．４１（ｄｄ， Ｊ＝８．１， １．５Ｈｚ， １Ｈ）， ７．６６（ｄ， Ｊ＝８．４Ｈｚ， １Ｈ）， ７．７３（ｄ， Ｊ＝２．１Ｈｚ， １Ｈ）， ７．８０（ｄ， Ｊ＝８．４Ｈｚ， １Ｈ）， ８．０８（ｄｄ， Ｊ＝８．７， ２．１Ｈｚ， １Ｈ）， ８．４９（ｄ， Ｊ＝２．１Ｈｚ， １Ｈ） ； ^１３Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３） ： δ８．７， １１６．９， １１８．７， １２３．０， １２６．７， １２８．６， １３２．３， １３２．９， １４２．４， １４３．８， １５４．９ ； ^１１Ｂ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３） ： δ１．９ ； ＨＲＭＳ（ＥＩ）Ｃ_１３Ｈ_１１ＢＢｒ_２Ｎ（［Ｍ−Ｈ］^＋） ： 理論値 ３４９．９３５１、実測値 ３４９．９３３４

（実施例２−１９）
アルゴン雰囲気下、５−ブロモ−２−（４−ブロモ−２−ジブロモボリルフェニル）ピリジン（４００ｍｇ、０．８３ｍｍｏｌ）を含むトルエン溶液（５．０ｍｌ）とジクロロメタン（５．０ｍｌ）の混合溶媒に、トリオクチルアルミニウム（１．４Ｍ、３．６ｍｌ、１．７ｍｍｏｌ）を加え、室温で１０分間攪拌した。反応溶液を０℃まで冷却した後、水を加え、酢酸エチルで抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させ濾過した。濾液をロータリーエバポレーターで濃縮した後、分取薄層クロマトグラフィー（ヘキサン：酢酸エチル＝１０：１）で精製することにより、下記式（３６）；

（式中、^ｎＯｃｔは、オクチル基を表す。）で表されるホウ素錯体２８（４００ｍｇ、０．７３ｍｍｏｌ）を収率８８％で得た。
その物性値は以下の通りであった。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３） ： δ０．４５−１．２４（ｍ， ３４Ｈ）， ７．４１（ｄｄ， Ｊ＝８．４， １．８Ｈｚ， １Ｈ）， ７．６５（ｄ， Ｊ＝８．１Ｈｚ， １Ｈ）， ７．７３（ｄ， Ｊ＝１．８Ｈｚ， １Ｈ）， ７．８０（ｄ， Ｊ＝８．７Ｈｚ， １Ｈ）， ８．０７（ｄｄ， Ｊ＝８．７， ２．１Ｈｚ， １Ｈ）， ８．４３（ｄ， Ｊ＝１．８Ｈｚ， １Ｈ） ； ^１３Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３） ： δ１４．２， ２２．７， ２５．３， ２６．２， ２９．４， ２９．６， ３１．９， ３３．６， １１６．７， １１８．５， １２２．９， １２６．４， １２８．４， １３２．６， １３３．７， １４２．１， １４３．４， １５５．５ ； ^１１Ｂ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３） ： δ３．８ ； ＨＲＭＳ（ＦＡＢ）Ｃ_２７Ｈ_４１ＢＢｒ_２Ｎ（［Ｍ＋Ｈ］^＋） ： 理論値 ５４８．１６９９、実測値 ５４８．１６９４

（実施例２−２０）
アルゴン雰囲気下、２−（２−ジブロモボリルフェニル）キノリン（１２０ｍｇ、０．３２ｍｍｏｌ）を含むトルエン溶液（２．０ｍｌ）に、トリメチルアルミニウム（１．４Ｍ、０．４８ｍｌ、０．６７ｍｍｏｌ）を加え、室温で５分間攪拌した。反応溶液を０℃まで冷却した後、水を加え、酢酸エチルで抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させ濾過した。濾液をロータリーエバポレーターで濃縮した後、分取薄層クロマトグラフィー（ヘキサン：ジクロロメタン＝１：１）で精製することにより、下記式（３７）；

（式中、Ｍｅは、メチル基を表す。）で表されるホウ素錯体２９（６４ｍｇ、０．２６ｍｍｏｌ）を収率８２％で得た。
その物性値は以下の通りであった。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３） ： δ０．３２（ｓ， ６Ｈ）， ７．３５（ｔｄ， Ｊ＝７．２， ０．９Ｈｚ， １Ｈ）， ７．５１（ｔｄ， Ｊ＝７．２， ０．９Ｈｚ， １Ｈ）， ７．６１（ｔ， Ｊ＝７．４Ｈｚ， １Ｈ）， ７．７４（ｄｄ， Ｊ＝７．２， ０．９Ｈｚ， １Ｈ）， ７．８６（ｄｄｄ， Ｊ＝８．４， ６．９， １．５Ｈｚ， １Ｈ）， ７．９２−７．９８（ｍ， ２Ｈ）， ８．０６（ｄ， Ｊ＝８．７Ｈｚ， １Ｈ）， ８．３８（ｄ， Ｊ＝８．７Ｈｚ， １Ｈ）， ８．６６（ｄ， Ｊ＝９．０Ｈｚ， １Ｈ） ； ^１３Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３） ： δ９．３， １１５．６， １２２．３， １２３．４， １２５．２， １２６．３， １２７．６， １２８．７， １２８．８， １３０．８， １３１．３， １３５．３， １４０．３， １４２．０， １５７．７ ； ^１１Ｂ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３） ： δ２．５ ； ＨＲＭＳ（ＥＩ）Ｃ_１７Ｈ_１５ＢＮ（［Ｍ−Ｈ］^＋） ： 理論値 ２４４．１２９８、実測値 ２４４．１２８９

（実施例２−２１）
アルゴン雰囲気下、２−（２−ジブロモボリルフェニル）ピリミジン（３３ｍｇ、０．１０ｍｍｏｌ）を含むトルエン溶液（１．０ｍｌ）に、トリメチルアルミニウム（１．１Ｍ、０．２０ｍｌ、０．２１ｍｍｏｌ）を加え、室温で１０分間攪拌した。反応溶液を０℃まで冷却した後、水を加え、酢酸エチルで抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させ濾過した。濾液をロータリーエバポレーターで濃縮した後、分取薄層クロマトグラフィー（ヘキサン：ジクロロメタン＝１：１）で精製することにより、下記式（３８）；

（式中、Ｍｅは、メチル基を表す。）で表されるホウ素錯体３０（１７ｍｇ、０．０８５ｍｍｏｌ）を収率８５％で得た。
その物性値は以下の通りであった。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３） ： δ０．０６（ｓ， ６Ｈ）， ７．３１−７．３８（ｍ， ２Ｈ）， ７．５２（ｔｄ， Ｊ＝７．２， １．２Ｈｚ， １Ｈ）， ７．６５（ｄ， Ｊ＝７．５Ｈｚ， １Ｈ）， ８．１７（ｄｔ， Ｊ＝７．８， ０．９Ｈｚ， １Ｈ）， ８．６３（ｄｄ， Ｊ＝５．７， ２．１Ｈｚ， １Ｈ）， ８．９８−９．００（ｍ， １Ｈ） ； ^１３Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３） ： δ８．２， １１７．０， １２３．８， １２５．７， １２９．０， １３２．１， １３４．１， １４９．５， １６０．３， １６５．１ ； ^１１Ｂ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３） ： δ０．８ ； ＨＲＭＳ（ＥＩ）Ｃ_１２Ｈ_１２ＢＮ_２（［Ｍ−Ｈ］^＋） ： 理論値 １９５．１０９４、実測値 １９５．１１０３

（実施例２−２２）
アルゴン雰囲気下、２−（３−ジブロモボリルベンゾチオフェニル）ピリジン（２００ｍｇ、０．５３ｍｍｏｌ）を含むトルエン溶液（２．０ｍｌ）に、トリメチルアルミニウム（１．４Ｍ、０．７９ｍｌ、０．２１ｍｍｏｌ）を加え、室温で５分間攪拌した。反応溶液を０℃まで冷却した後、水を加え、酢酸エチルで抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させ濾過した。濾液をロータリーエバポレーターで濃縮した後、分取薄層クロマトグラフィー（ヘキサン：ジクロロメタン＝１：１）で精製することにより、下記式（３９）；

（式中、Ｍｅは、メチル基を表す。）で表されるホウ素錯体３１（９９ｍｇ、０．４７ｍｍｏｌ）を収率８９％で得た。また、その溶液中での発光量子収率は、５７％であった。
その物性値は以下の通りであった。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３） ： δ０．１５（ｓ， ６Ｈ）， ７．２３−７．２７（ｍ， １Ｈ）， ７．３４−７．４３（ｍ， ２Ｈ）， ７．５８−７．６１（ｍ， １Ｈ）， ７．８８−７．９４（ｍ， ２Ｈ）， ７．９９−８．０２（ｍ， １Ｈ）， ８．４０−８．４２（ｍ， １Ｈ） ； ^１３Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３） ： δ８．２， １１７．６， １１９．３， １２３．３， １２４．３， １２５．６， １２６．２， １３２．７， １３９．５， １４０．５， １４２．４， １４６．０， １５３．５ ； ^１１Ｂ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３） ： δ１．０ ； ＨＲＭＳ（ＥＩ）Ｃ_１５Ｈ_１４ＢＮＳ（Ｍ^＋） ： 理論値 ２５１．０９４０、実測値 ２５１．０９３６

（実施例２−２３）
アルゴン雰囲気下、２，２’−（２，５−ビスジブロモボリル−１，４−フェニレン）ジピリジン（５７ｍｇ、０．１０ｍｍｏｌ）を含むトルエン溶液（１．０ｍｌ）とジクロロメタン（１．０ｍｌ）の混合溶液に、トリメチルアルミニウム（１．４Ｍ、０．２９ｍｌ、０．４２ｍｍｏｌ）を加え、室温で５分間攪拌した。反応溶液を０℃まで冷却した後、水を加え、酢酸エチルで抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させ濾過した。濾液をロータリーエバポレーターで濃縮した後、生成した白色固体を濾取し、ヘキサンで洗浄することにより、下記式（４０）；

（式中、Ｍｅは、メチル基を表す。）で表されるホウ素錯体３２（２２ｍｇ、０．７１ｍｍｏｌ）を収率７１％で得た。また、その溶液中での発光量子収率は、４６％であった。
その物性値は以下の通りであった。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３） ： δ０．０９（ｓ， １２Ｈ）， ７．３６（ｄｄｄ， Ｊ＝７．８， ６．０， １．２Ｈｚ， ２Ｈ）， ７．９５−８．００（ｍ， ２Ｈ）， ８．０９−８．１１（ｍ， ４Ｈ）， ８．４５（ｄ， Ｊ＝５．７Ｈｚ， ２Ｈ） ； ^１３Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３） ： δ９．４， １１８．４， １２１．３， １２１．９， １３７．７， １３９．１， １４２．２， １５７．３ ； ＨＲＭＳ（ＥＩ）Ｃ_２０Ｈ_２１Ｂ_２Ｎ_２（［Ｍ−Ｈ］^＋） ： 理論値 ３１１．１８９１、実測値 ３１１．１８８１

（実施例２−２４）
窒素雰囲気下、５−ブロモ−２−（４−ブロモ−２−ジブロモボリルフェニル）ピリジン(５．８ｇ、１２ｍｍｏｌ)を含むトルエン溶液（２５ｍｌ）とジクロロメタン（２５ｍｌ）の混合溶媒に、トリエチルアルミニウムのヘキサン溶液（１Ｍ、２５ｍｌ、２５．２ｍｍｏｌ）を加え、室温で１時間攪拌した。反応溶液を氷水に加え、クロロホルムで抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥させ濾過した。濾液をロータリーエバポレーターで濃縮した後、シリカゲルクロマトグラフィー（ヘキサン：ジクロロメタン＝１：１）で精製することにより、下記式（４１）；

で表されるホウ素錯体３３（３．２ｇ、８．４ｍｍｏｌ）を収率７０％で得た。
その物性値は以下の通りであった。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３） ： δ０．４２（ｔ， ６Ｈ）， ０．４９−０．５６（ｍ， ２Ｈ）， ０．７２−０．８０（ｍ， ２Ｈ）， ７．４０−７．４３（ｍ， １Ｈ）， ７．６６（ｄ， Ｊ＝８．０Ｈｚ， １Ｈ）， ７．７４−７．７５（ｍ， １Ｈ）， ７．８１（ｄ， Ｊ＝８．０Ｈｚ， １Ｈ）， ８．０６−８．０９（ｍ， １Ｈ）， ８．４１−８．４２（ｍ， １Ｈ）

（実施例２−２５）
窒素雰囲気下、５−ブロモ−２−（４−ブロモ−２−ジブロモボリルフェニル）ピリジン(５．８ｇ、１２ｍｍｏｌ)を含むトルエン溶液（２５ｍｌ）とジクロロメタン（２５ｍｌ）の混合溶媒に、トリイソブチルアルミニウムのヘキサン溶液（１Ｍ、２５ｍｌ、２５．２ｍｍｏｌ）を加え、室温で１時間攪拌した。反応溶液を氷水に加え、クロロホルムで抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥させ濾過した。濾液をロータリーエバポレーターで濃縮した後、シリカゲルクロマトグラフィー（ヘキサン：ジクロロメタン＝１：１）で精製することにより、下記式（４２）；

で表されるホウ素錯体３４（３．５ｇ、８．０ｍｍｏｌ）を収率６７％で得た。
その物性値は以下の通りであった。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３） ： δ０．３４−０．３６（ｍ， ６Ｈ）， ０．５０−０．５４（ｍ， ８Ｈ）， ０．５４−０．９７（ｍ， ４Ｈ）， ７．４１−７．４３（ｍ， １Ｈ）， ７．６６（ｄ， Ｊ＝８．０Ｈｚ， １Ｈ）， ７．７６−７．８１（ｍ， ２Ｈ）， ８．０６−８．０９（ｍ， １Ｈ）， ８．４８−８．４９（ｍ， １Ｈ）

（実施例２−２６）
窒素雰囲気下、フェニルリチウムのジエチルエーテル溶液（１Ｍ、３１ｍｌ、３５．２ｍｍｏｌ）を０℃まで冷却し、ここへ塩化亜鉛のジエチルエーテル溶液（１Ｍ、１７ｍｌ、１７ｍｍｏｌ）を攪拌しながら滴下していく。滴下終了後、室温で１時間攪拌する。そこへ５−ブロモ−２−（４−ブロモ−２−ジブロモボリルフェニル）ピリジン(３．８ｇ、８ｍｍｏｌ)を含むトルエン溶液（８０ｍｌ）を加え、８０℃で１５時間加熱攪拌した。室温まで冷却し、反応溶液を氷水に加え、クロロホルムで抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥させ濾過した。濾液をロータリーエバポレーターで濃縮した後、シリカゲルクロマトグラフィー（ヘキサン：ジクロロメタン＝１：１）で精製することにより、下記式（４３）；

で表されるホウ素錯体３５（２．２ｇ、４．６１ｍｍｏｌ）を収率５８％で得た。
その物性値は以下の通りであった。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３） ： δ７．１６−７．２６（ｍ， １０Ｈ）， ７．４５−７．４８（ｍ， １Ｈ）， ７．６９−７．７１（ｍ， １Ｈ）， ７．８１（ｄ， Ｊ＝２．０Ｈｚ， １Ｈ）， ７．９０（ｄ， Ｊ＝８．０Ｈｚ， １Ｈ）， ８．１５−８．１８（ｍ， １Ｈ）， ８．５６（ｄ， Ｊ＝２．０Ｈｚ， １Ｈ）

（実施例２−２７）
窒素雰囲気下、ペンタフルオロフェニルマグネシウムブロミドのジエチルエーテル溶液（１Ｍ、６１．２ｍｌ、７０．４ｍｍｏｌ）を０℃まで冷却し、ここへ塩化亜鉛のジエチルエーテル溶液（１Ｍ、１７ｍｌ、１７ｍｍｏｌ）を攪拌しながら滴下していく。滴下終了後、室温で１時間攪拌する。そこへ５−ブロモ−２−（４−ブロモ−２−ジブロモボリルフェニル）ピリジン(３．８ｇ、８ｍｍｏｌ)を含むトルエン溶液（８０ｍｌ）を加え、８０℃で１５時間加熱攪拌した。室温まで冷却し、反応溶液を氷水に加え、クロロホルムで抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥させ濾過した。濾液をロータリーエバポレーターで濃縮した後、シリカゲルクロマトグラフィー（ヘキサン：ジクロロメタン＝１：１）で精製することにより、下記式（４４）；

で表されるホウ素錯体３６（２．２ｇ、４．６１ｍｍｏｌ）を収率５８％で得た。
その物性値は以下の通りであった。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３） ： δ７．１６−７．２６（ｍ， １０Ｈ）， ７．４５−７．４８（ｍ， １Ｈ）， ７．６９−７．７１（ｍ， １Ｈ）， ７．８１（ｄ， Ｊ＝２．０Ｈｚ， １Ｈ）， ７．９０（ｄ， Ｊ＝８．０Ｈｚ， １Ｈ）， ８．１５−８．１８（ｍ， １Ｈ）， ８．５６（ｄ， Ｊ＝２．０Ｈｚ， １Ｈ）

（実施例２−２８）
窒素雰囲気下、ビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン）パラジウム（１５９ｍｇ、０．３ｍｍｏｌ）、ｔｒａｎｓ−２−フェニルビニルボロン酸（９４５ｍｇ、６．４ｍｍｏｌ）、ホウ素錯体２７（１．１ｇ、３．１ｍｍｏｌ）にテトラヒドロフランを５０ｍｌ加え、さらに水酸化ナトリウム７５０ｍｇを１３ｍｌの蒸留水に溶解させた水溶液を加え、７０℃で３時間加熱攪拌した。室温まで冷却してから溶媒を濃縮し、シリカゲルクロマトグラフィー（トルエン）で精製し、トルエンで再結晶することにより、下記式（４５）；

で表されるホウ素錯体３７（１．１ｇ、２．８ｍｍｏｌ）を収率８８％で得た。また、その溶液中での発光量子収率は、９０％であった。
その物性値は以下の通りであった。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３） ： δ７．１０−７．７６（ｍ， １５Ｈ）， ７．７８−７．８２（ｍ， ２Ｈ）， ７．９０（ｄ， Ｊ＝８．０Ｈｚ， １Ｈ）， ８．０９−８．１２（ｍ， １Ｈ）， ８．４７−８．４８（ｍ， １Ｈ）

（実施例２−２９）
窒素雰囲気下、ビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン）パラジウム（２０４ｍｇ、０．４ｍｍｏｌ）、ｔｒａｎｓ−２−フェニルビニルボロン酸（１２１３ｍｇ、８．２ｍｍｏｌ）、ホウ素錯体３３（１．１ｇ、４ｍｍｏｌ）にテトラヒドロフランを６０ｍｌ加え、さらに水酸化ナトリウム９６０ｍｇを１８ｍｌの蒸留水に溶解させた水溶液を加え、７０℃で３時間加熱攪拌した。室温まで冷却してから溶媒を濃縮し、シリカゲルクロマトグラフィー（トルエン）で精製し、トルエンで再結晶することにより、下記式（４６）；

で表されるホウ素錯体３８（１．５ｇ、３．５ｍｍｏｌ）を収率８８％で得た。また、その溶液中での発光量子収率は、９０％であった。
その物性値は以下の通りであった。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３） ： δ０．５０（ｔ， Ｊ＝８．０Ｈｚ， ６Ｈ）， ０．５９−０．６４（ｍ， ２Ｈ）， ０．８２−０．８８（ｍ， ２Ｈ）， ７．１０−７．５８（ｍ， １５Ｈ）， ７．７８−７．８２（ｍ， ２Ｈ）， ７．９１（ｄ， Ｊ＝８．０Ｈｚ， １Ｈ）， ８．１０−８．１３（ｍ， １Ｈ）， ８．３８−８．３９（ｍ， １Ｈ）

（実施例２−３０）
窒素雰囲気下、ビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン）パラジウム（１６３ｍｇ、０．３２ｍｍｏｌ）、ｔｒａｎｓ−２−フェニルビニルボロン酸（９７０ｍｇ、６．５６ｍｍｏｌ）、ホウ素錯体３４（１．４ｇ、３．２ｍｍｏｌ）にテトラヒドロフランを５０ｍｌ加え、さらに水酸化ナトリウム７７０ｍｇを１５ｍｌの蒸留水に溶解させた水溶液を加え、７０℃で３時間加熱攪拌した。室温まで冷却してから溶媒を濃縮し、シリカゲルクロマトグラフィー（トルエン）で精製し、トルエンで再結晶することにより、下記式（４７）；

で表されるホウ素錯体３９（１．３ｇ、２．７ｍｍｏｌ）を収率８４％で得た。また、その溶液中での発光量子収率は、８９％であった。
その物性値は以下の通りであった。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３） ： δ０．３８（ｄ， Ｊ＝８．０Ｈｚ， ６Ｈ）， ０．５６−０．６４（ｍ， ８Ｈ）， ０．９０−０．９５（ｍ， ２Ｈ）， １．０４−１．５５（ｍ， ２Ｈ）， ７．１６−７．５９（ｍ， １５Ｈ）， ７．７７−７．８２（ｍ， ２Ｈ）， ７．９０（ｄ， Ｊ＝８．０Ｈｚ， １Ｈ）， ８．１０−８．１１（ｍ， １Ｈ）， ８．４４−８．４５（ｍ， １Ｈ）

（実施例２−３１）
窒素雰囲気下、ビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン）パラジウム（１０２ｍｇ、０．２ｍｍｏｌ）、ｔｒａｎｓ−２−フェニルビニルボロン酸（６０７ｍｇ、４．１ｍｍｏｌ）、ホウ素錯体３５（９５４ｍｇ、２ｍｍｏｌ）にテトラヒドロフランを３０ｍｌ加え、さらに水酸化ナトリウム４８０ｍｇを８ｍｌの蒸留水に溶解させた水溶液を加え、７０℃で３時間加熱攪拌した。室温まで冷却してから溶媒を濃縮し、シリカゲルクロマトグラフィー（トルエン）で精製し、トルエンで再結晶することにより、下記式（４８）；

で表されるホウ素錯体４０（８００ｍｇ、１．５３ｍｍｏｌ）を収率７７％で得た。
また、その溶液中での発光量子収率は、７９％であった。
その物性値は以下の通りであった。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３） ： δ６．９９−７．５２（ｍ， ２０Ｈ）， ７．８３−７．８５（ｍ， ２Ｈ）， ７．９８（ｄ， Ｊ＝８．０Ｈｚ， １Ｈ）， ８．１８−８．２０（ｍ， １Ｈ）， ８．５０−８．５１（ｍ， １Ｈ）

（実施例２−３２）
窒素雰囲気下、ビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン）パラジウム（２０４ｍｇ、０．４ｍｍｏｌ）、下記式（４９）；

で表されるボロン酸エステル（３ｇ、８．２ｍｍｏｌ）、ホウ素錯体２７（１．４ｇ、４ｍｍｏｌ）にテトラヒドロフランを６０ｍｌ加え、さらに水酸化ナトリウム９６０ｍｇを１６ｍｌの蒸留水に溶解させた水溶液を加え、７０℃で３時間加熱攪拌した。室温まで冷却してから溶媒を濃縮し、シリカゲルクロマトグラフィー（トルエン）で精製し、トルエンで再結晶することにより、下記式（５０）；

で表されるホウ素錯体４１（２．３ｇ、３．４ｍｍｏｌ）を収率８５％で得た。また、その溶液中での発光量子収率は、９２％であった。
その物性値は以下の通りであった。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３） ： δ７．３０−７．３６（ｍ， ４Ｈ）， ７．４３−７．５３（ｍ， ８Ｈ）， ７．６６−７．６９（ｍ， ３Ｈ）， ７．７８−７．８０（ｍ， ２Ｈ）， ７．９０−７．９２（ｍ， ２Ｈ）， ７．９６−８．０３（ｍ， ４Ｈ）， ８．１１−８．２０（ｍ， ５Ｈ）， ８．２８−８．３１（ｍ， １Ｈ）， ８．７７−８．７８（ｍ， １Ｈ）

（実施例２−３３）
窒素雰囲気下、塩化亜鉛のジエチルエーテル溶液（１Ｍ、１１．９ｍｌ、１１．９ｍｍｏｌ）を０℃まで冷却し、ここへ４−プロピルフェニルマグネシウムブロミドのテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）溶液（０．５Ｍ、４９．９ｍｌ、２４．９ｍｍｏｌ）を攪拌しながら滴下していく。室温で１時間攪拌後、トルエン（３０ｍｌ）で希釈し、そこへ５−ブロモ−２−（４−ブロモ−２−ジブロモボリルフェニル）ピリジン（３．３ｇ、６．９ｍｍｏｌ）を一度に加えた。８０℃で１５時間加熱攪拌後、室温まで冷却し、水を加え、クロロホルムで抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させ濾過した。濾液をロータリーエバポレーターで濃縮した後、シリカゲルクロマトグラフィー（ヘキサン：ジクロロメタン＝１：１）で精製することにより、下記式（５１）；

で表されるホウ素錯体４２（３５０ｍｇ、０．６２ｍｍｏｌ）を収率９％で得た。
その物性値は以下の通りであった。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３） ： δ０．９４（ｔ， Ｊ＝７．２Ｈｚ， ６Ｈ），１．６２（ｓｅｃ， Ｊ＝７．６Ｈｚ， ４Ｈ），２．５３（ｔ、 Ｊ＝７．８Ｈｚ， ４Ｈ），７．０３−７．０９（ｍ， ８Ｈ），７．４５（ｄｄ， Ｊ＝８．２， １．８Ｈｚ， １Ｈ），７．６９（ｄ、 Ｊ＝７．８Ｈｚ， １Ｈ），７．８６（ｄ， Ｊ＝２．０Ｈｚ， １Ｈ），７．８７（ｄｄ， Ｊ＝８．８， ０．８Ｈｚ），８．１３（ｄｄ， Ｊ＝８．８， ２．０Ｈｚ， １Ｈ）

（実施例２−３４）
４−ヨード−２−フルオロブロモベンゼン（８．０ｇ、２６．６ｍｍｏｌ）、ビスピナコラトジボロン（５．１ｇ、３９．９ｍｍｏｌ）、ヨウ化銅（０．５１ｇ、２．７ｍｍｏｌ）を含むＴＨＦ（１０６ｍｌ）溶液に窒素をフローしながら水素化ナトリウム（０．９６ｇ、３９．９ｍｍｏｌ）を室温で一度に加えた。この反応溶液を窒素雰囲気下、室温で１２時間攪拌した後、氷冷しながら飽和塩化アンモニウム水溶液で反応を停止させた。酢酸エチルで抽出、有機層を飽和食塩水で洗浄、硫酸マグネシウムで乾燥したものを濾過しロータリーエバポレーターで濃縮した。残渣をカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル：ヘキサン＝１：１０）で精製し、５．１ｇの２−フルオロ−４−ブロモフェニルピナコラトボランを得た。これと、２−ブロモピリジン（５．１ｇ、２１．４ｍｍｏｌ）、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（７４０ｍｇ、０．６４ｍｍｏｌ）をトルエン（９３ｍｌ）、エタノール（２３ｍｌ）に溶解させ、炭酸ナトリウム（４．８ｇ、４４．９ｍｍｏｌ）をＨ_２Ｏ（２３ｍｌ）に溶解させた水溶液を加えて１００℃で２４時間加熱しながら攪拌した。反応溶液を酢酸エチルで希釈し、飽和食塩水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥、濾過した。濾液をロータリーエバポレーターで濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー精製することにより２−（２−フルオロ−４−ブロモフェニル）−５−ブロモピリジン（４．３ｇ、１２．８ｍｍｏｌ）を収率８５％で得た。
次に２−（２−フルオロ−４−ブロモフェニル）−５−ブロモピリジン（１．０ｇ、４．３ｍｍｏｌ）、ジイソプロピルエチルアミン（０．７４ｍｌ、４．３ｍｍｏｌ）を１，２−ジクロロエタン（４３ｍｌ）に溶解させ、−２０℃に冷却しながら三臭化ホウ素のジクロロメタン溶液（１．０Ｍ、１２．８ｍｌ、１２．８ｍｍｏｌ）をゆっくり滴下した。この反応溶液を１時間室温で攪拌した後、７０℃で１２時間加熱攪拌した。水を加えて反応を停止させた後、ジクロロメタンで抽出し、有機層を飽和食塩水で洗浄、硫酸マグネシウムで乾燥し濾過した。濾液をロータリーエバポレーターで濃縮し、得られた固体をヘキサンで洗浄することにより１．１ｇの２−（２−ジブロモボリル−４−ブロモ−６−フルオロフェニル）−５−ブロモピリジン（２．２ｍｍｏｌ）を得た。これをトルエンに溶解させ、２５質量％トリオクチルアルミニウムのヘキサン溶液（１０．１ｍｌ、４．８ｍｍｏｌ）を室温で加え３時間攪拌した。水を加えて反応を停止させた後、ジクロロメタンで抽出、飽和食塩水で洗浄、硫酸マグネシウムで乾燥後、濾過した。濾液を濃縮し得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン：クロロホルム＝２：１）で精製することにより、下記式（５２）；

（式中、^ｎＣ_８Ｈ_１７は、ｎ−オクチル基を表す。）で表される２−（２−オクチルボリル−４−ブロモ−６−フルオロフェニル）−５−ブロモピリジン（ホウ素錯体４３；０．５０ｇ、８．８ｍｍｏｌ）を収率４０％で得た。
この反応の反応式を図３に示す。
また、得られたホウ素錯体４３の物性値は以下の通りであった。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３） ： δ０．４７−０．６２（ｍ， ４Ｈ），０．７１−０．７７（ｍ， ４Ｈ），０．８４（ｔ、 Ｊ＝７．０Ｈｚ， ６Ｈ），１．１０−１．２５（ｍ， ２０Ｈ），７．１２（ｄｄ、 Ｊ＝１０．２， ０．９Ｈｚ， １Ｈ），７．４９（ｄ， Ｊ＝１．２Ｈｚ， １Ｈ），８．０４（ｄ， Ｊ＝８．４Ｈｚ），８．１０（ｄｄ， Ｊ＝８．８， ２．０Ｈｚ， １Ｈ），８．４４（ｄ， Ｊ＝２．０Ｈｚ， １Ｈ）

（実施例２−３５）
窒素雰囲気下、ホウ素錯体２８（５４．９ｍｇ、０．１０ｍｍｏｌ）、フェニルボロン酸（２４．４ｍｇ、０．２０ｍｍｏｌ）、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（０）（５．８ｍｇ、０．００５ｍｍｏｌ）、炭酸ナトリウム（２１．２ｍｇ、０．２０ｍｍｏｌ）、トルエン１．０ｍｌ、水０．２ｍｌの混合物を９０℃で２４時間加熱攪拌した。水を加え、分液漏斗を用い有機層を分け、水層も酢酸エチルにより２度抽出した。有機層を合わせて、水で１度洗浄し、飽和塩化ナトリウム水溶液で１度洗浄した。硫酸マグネシウムで有機層を乾燥させ、溶媒を減圧留去した。粗生成物を、シリカゲルクロマトグラフィーを用い単離精製し、下記式（５３）；

（式中、^ｎＯｃｔは、オクチル基を表す。）で表されるホウ素錯体４４（４４．８ｍｇ、０．０８２ｍｍｏｌ）を収率８２％で得た。
その物性値は以下のとおりであった。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３） ： δ０．５８−１．２２（ｍ， ３４Ｈ），７．３５−７．４０（ｍ， １Ｈ），７．４６−７．５８（ｍ， ６Ｈ），７．６３−７．６７（ｍ， ２Ｈ），７．７２−７．７５（ｍ，２Ｈ），７．８７−７．９３（ｍ， ２Ｈ），８．０１（ｄ， Ｊ＝８．４Ｈｚ， １Ｈ），８．１６（ｄｄ， Ｊ＝８．３， ２．０Ｈｚ， １Ｈ），８．５９（ｄ， Ｊ＝２．１Ｈｚ， １Ｈ）

（実施例２−３６）
窒素雰囲気下、ホウ素錯体２８（２７．５ｍｇ、０．０５０ｍｍｏｌ）、ジフェニルアミン（２５．４ｍｇ、０．１５ｍｍｏｌ）、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム（０）−クロロホルム付加体（２．６ｍｇ、０．００２５ｍｍｏｌ）、ビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン）パラジウム（４．１ｍｇ、０．０２ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（４８．１ｍｇ、０．５０ｍｍｏｌ）、トルエン１．５ｍｌの混合物を１００℃で２４時間加熱攪拌した。水を加え、分液漏斗を用い有機層を分け、水層も酢酸エチルにより２度抽出した。有機層を合わせて、水で１度洗浄し、飽和塩化ナトリウム水溶液で１度洗浄した。硫酸マグネシウムで有機層を乾燥させ、溶媒を減圧留去した。粗生成物を、シリカゲルクロマトグラフィーを用い単離精製し、下記式（５４）；

（式中、^ｎＯｃｔは、オクチル基を表す。）で表されるホウ素錯体４５（２７．０ｍｇ、０．０３７ｍｍｏｌ）を収率７４％で得た。
その物性値は以下のとおりであった。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３） ： δ０．３１−１．３２（ｍ， ３４Ｈ），６．９１（ｄｄ， Ｊ＝８．１， ２．１Ｈｚ， １Ｈ），７．０１−７．０６（ｍ， ２Ｈ），７．１２−７．２０（ｍ， １１Ｈ），７．２５−７．３７（ｍ， １０Ｈｚ），７．５６−７．６４（ｍ， １Ｈ），８．０５（ｄ， Ｊ＝１．５Ｈｚ， １Ｈ）

（実施例２−３７）
窒素雰囲気下、ホウ素錯体２８（５４．９ｍｇ、０．１ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン０．５ｍｌへ溶解させ−７８℃に冷却する。ここへノルマルブチルリチウムヘキサン溶液（１．６Ｍ、１３５μl、０．２１ｍｍｏｌ）を滴下し１時間攪拌した。イソプロポキシピナコールボラン（７４．４ｍｇ、０．４０ｍｍｏｌ）を加え、室温で１２時間攪拌した。水を加え、分液漏斗を用い有機層を分け、水層も酢酸エチルにより２度抽出した。有機層を合わせて、水で１度洗浄し、飽和塩化ナトリウム水溶液で１度洗浄した。硫酸マグネシウムで有機層を乾燥させ、溶媒を減圧留去した。粗生成物を、リサイクル分取ＧＰＣを用い単離精製し、下記式（５５）；

（式中、^ｎＯｃｔは、オクチル基を表す。）で表されるホウ素錯体４６（３５．０ｍｇ、０．０５４ｍｍｏｌ）を収率５４％で得た。
その物性値は以下のとおりであった。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３） ： δ０．５４−１．２２（ｍ， ３４Ｈ），１．３８−１．３９（ｍ， ２４Ｈ），７．７４（ｄｄ， Ｊ＝７．５， １．２Ｈｚ， １Ｈ），７．８４（ｄ， Ｊ＝８．１Ｈｚ， １Ｈ），７．９４（ｄ， Ｊ＝８．１Ｈｚ， １Ｈ），８．０９（ｓ， １Ｈ），８．２８（ｄｄ， Ｊ＝７．８， １．２Ｈｚ， １Ｈ），８．６７（ｓ， １Ｈ）

（実施例２−３８）
窒素雰囲気下、ホウ素錯体２８（５４．９ｍｇ、０．１ｍｍｏｌ）をジエチルエーテル０．５ｍｌへ溶解させ−７８℃に冷却する。ここへノルマルブチルリチウムヘキサン溶液（１．６Ｍ、７１μｌ、０．１１ｍｍｏｌ）を滴下し１時間攪拌した。イソプロポキシピナコールボラン（３７．２ｍｇ、０．２０ｍｍｏｌ）を加え、室温で１２時間攪拌した。水を加え、分液漏斗を用い有機層を分け、水層も酢酸エチルにより２度抽出した。有機層を合わせて、水で１度洗浄し、飽和塩化ナトリウム水溶液で１度洗浄した。硫酸マグネシウムで有機層を乾燥させ、溶媒を減圧留去した。粗生成物を、リサイクル分取ＧＰＣを用い単離精製し、下記式（５６）；

（式中、^ｎＯｃｔは、オクチル基を表す。）で表されるホウ素錯体４７（３８．４ｍｇ、０．０６４ｍｍｏｌ）を収率６４％で得た。
その物性値は以下のとおりであった。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３） ： δ０．４８−１．３３（ｍ， ３４Ｈ），１．３９（ｓ， １２Ｈ），７．４０（ｄｄ， Ｊ＝８．４， １．５Ｈｚ， １Ｈ），７．６９（ｄ， Ｊ＝８．１Ｈｚ， １Ｈ），７．７６（ｄ， Ｊ＝１．５Ｈｚ， １Ｈ），７．８７（ｄ， Ｊ＝７．８Ｈｚ， １Ｈ），８．２９（ｄ， Ｊ＝７．８Ｈｚ， １Ｈ），８．６４（ｓ， １Ｈ）

（実施例２−３９）
窒素雰囲気下、ビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン）パラジウム（４６．０ｍｇ、０．０９ｍｍｏｌ）、フェニルボロン酸（２２５ｍｇ、１．８５ｍｍｏｌ）、ホウ素錯体３６（５９１．２ｍｇ、０．９ｍｍｏｌ）にテトラヒドロフランを１５ｍｌ加え、さらに水酸化ナトリウム２１６ｍｇを４ｍｌの蒸留水に溶解させた水溶液を加え、７０℃で３時間加熱攪拌した。室温まで冷却してから溶媒を濃縮し、シリカゲルクロマトグラフィー（トルエン）で精製し、トルエンで再結晶することにより、下記式（５７）；

で表されるホウ素錯体４８（４７０ｍｇ、０．７２ｍｍｏｌ）を収率８０％で得た。また、その溶液中での発光量子収率は、９６％であった。
その物性値は以下の通りであった。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３） ： δ７．３６−７．５５（ｍ， ８Ｈ）， ７．６３−７．６６（ｍ， ３Ｈ）， ７．９４−７．９６（ｍ， ２Ｈ）， ８．１０−８．１３（ｍ， １Ｈ）， ８．３２−８．３５（ｍ， １Ｈ）， ８．７３（ｓ， １Ｈ）

（実施例２−４０）
窒素雰囲気下、ビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン）パラジウム（４６．０ｍｇ、０．０９ｍｍｏｌ）、ｔｒａｎｓ−２−フェニルビニルボロン酸（２７３ｍｇ、１．８５ｍｍｏｌ）、ホウ素錯体３６（５９１．２ｍｇ、０．９ｍｍｏｌ）にテトラヒドロフランを１５ｍｌ加え、さらに水酸化ナトリウム２１６ｍｇを４ｍｌの蒸留水に溶解させた水溶液を加え、７０℃で３時間加熱攪拌した。室温まで冷却してから溶媒を濃縮し、シリカゲルクロマトグラフィー（トルエン）で精製し、トルエンで再結晶することにより、下記式（５８）；

で表されるホウ素錯体４９（５５２ｍｇ、０．７８ｍｍｏｌ）を収率８７％で得た。また、その溶液中での発光量子収率は、７０％であった。
その物性値は以下の通りであった。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３） ： δ７．０３−７．２９（ｍ， ５Ｈ）， ７．３４−７．４３（ｍ， ５Ｈ）， ７．５３−７．５９（ｍ， ５Ｈ）， ７．８２（ｓ， １Ｈ）， ７．８４（ｓ， １Ｈ）， ８．００（ｄ，Ｊ＝８.０ Ｈｚ， １Ｈ）， ８．２９−８．３１（ｍ， １Ｈ）， ８．５１（ｓ， １Ｈ）

（実施例２−４１）
窒素雰囲気下、２−ブロモビフェニル（１２．１ｇ、５２．２ｍｍｏｌ）にジエチルエーテル２５０ｍｌを加え、−７８℃まで冷却する。ここへ、ノルマルブチルリチウムのヘキサン溶液（１．６５Ｍ、３２ｍｌ、５２．８ｍｍｏｌ）を滴下し１時間攪拌する。ここへ塩化亜鉛のジエチルエーテル溶液（１Ｍ、２５．２ｍｌ、２５．２ｍｍｏｌ）を攪拌しながら滴下していく。ここへトルエン２００ｍｌを加え８５℃に加熱し、ジエチルエーテルを完全に留去する。１１０℃に加熱し２時間攪拌し、そこへ５−ブロモ−２−（４−ブロモ−２−ジブロモボリルフェニル）ピリジン(５．８ｇ、１２ｍｍｏｌ)を加え、１１０℃で９６時間加熱攪拌した。室温まで冷却し、反応溶液を氷水に加え、クロロホルムで抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥させ濾過した。濾液をロータリーエバポレーターで濃縮した後、シリカゲルクロマトグラフィーで精製することにより、下記式（５９）；

で表されるホウ素錯体５０（２．５ｇ、３．９７ｍｍｏｌ）を収率３３％で得た。
その物性値は以下の通りであった。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３） ： δ６．４１（ｂｒ， ４Ｈ），６．８１−６．９１（ｍ， ８Ｈ）， ７．１６−７．２４（ｍ， ４Ｈ）， ７．２６−７．３０（ｍ， ３Ｈ）， ７．４４（ｄ， Ｊ＝１．２Ｈｚ， １Ｈ）， ７．５５−７．５７（ｍ， １Ｈ）， ７．６１−７．６２（ｍ， １Ｈ）， ７．６５−７．６８（ｍ， １Ｈ）

（実施例２−４２）
窒素雰囲気下、ビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン）パラジウム（４６．０ｍｇ、０．０９ｍｍｏｌ）、ｔｒａｎｓ−２−フェニルビニルボロン酸（２７３．０ｍｇ、１．８５ｍｍｏｌ）、ホウ素錯体５０（５６６．３ｍｇ、０．９ｍｍｏｌ）にテトラヒドロフランを１５ｍｌ加え、さらに水酸化ナトリウム２１６ｍｇを４ｍｌの蒸留水に溶解させた水溶液を加え、７０℃で３時間加熱攪拌した。室温まで冷却してから溶媒を濃縮し、シリカゲルクロマトグラフィー（トルエン）で精製し、トルエンで再結晶することにより、下記式（６０）；

で表されるホウ素錯体５１（５００ｍｇ、０．７４ｍｍｏｌ）を収率８２％で得た。また、その溶液中での発光量子収率は、７８％であった。
その物性値は以下の通りであった。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３） ： δ６．４４−６．５４（ｍ， ４Ｈ）， ６．７４−６．９３（ｍ， ８Ｈ）， ７．０７（ｓ， ２Ｈ）， ７．１６−７．２０（ｍ， ２Ｈ）， ７．２６−７．５０（ｍ， １７Ｈ）， ７．５４−７．５６（ｍ， ２Ｈ）， ７．６５−７．６７（ｍ， ２Ｈ）， ７．７４−７．７７（ｍ， １Ｈ）

（実施例３）
アルゴン雰囲気下、２−フェニルピリジン（７７．６ｍｇ，０．５ｍｍｏｌ）にジクロロメタン０．５ｍｌを加え溶解させ、ここへ０℃で三臭化ホウ素の１．０Ｍジクロロメタン溶液を０．５ｍｌ加え、室温で１時間攪拌した。ここへ１．０７Ｍトリメチルアルミニウム溶液を９３５μｌ加えさらに室温で１時間攪拌した。０℃で水を加えクエンチし、酢酸エチルで抽出した。有機層を飽和塩化ナトリウム水溶液で洗浄し、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させ、濾過した後に溶媒を減圧留去し、得られた混合物を分取薄層クロマトグラフィー（ヘキサン：ジクロロメタン＝１：１）で精製することにより、下記式（６１）；

（式中、Ｍｅは、メチル基を表す。）で表されるホウ素錯体５２を収率６５％で得た。
この反応の反応式を図４に示す。

（実施例４−１）
下記式（６２）；

で表されるＢ８ジブロミド（１３７．３ｍｇ、０．２５ｍｍｏｌ）、下記式（６３）；

で表されるＦ８ボロン酸ジエステル（１４０．３ｍｇ、０．２５１ｍｍｏｌ）、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（２．９ｍｇ、０．００２５ｍｍｏｌ）をトルエン３ｍｌに溶解させ、窒素フロー下、室温で１０分間撹拌した。ここへ、炭酸アンモニウム塩（２４０．４ｍｇ、０．８ｍｍｏｌ）を蒸留水０．７５ｍｌに溶解させて調製した水溶液を加え、窒素フロー下、室温でさらに２０分間撹拌し、脱気を完了させた。これを１１５℃で１７時間還流加熱撹拌し、末端封止のため、ブロモベンゼン（３９．３ｍｇ、０．２５ｍｍｏｌ）を加え１時間撹拌し、さらにフェニルボロン酸（３０．５ｍｇ、０．２５ｍｍｏｌ）を加えた。室温まで放冷し、トルエン溶液を塩酸で１回、純水で２回分液洗浄し、有機層を数ｍｌ程度まで濃縮した。濃縮液を３００ｍｌのメタノール中へ滴下させそのまま１０分撹拌し、得られた沈殿を濾取した。同様の精製過程を合計３回繰り返し、固体を減圧乾燥させることで、下記式（６４）；

で表されるホウ素含有重合体Ｆ８Ｂ８を得た。ホウ素含有重合体Ｆ８Ｂ８の重量平均分子量は、８００００であった。また、溶液中での発光量子収率は、８７％であった。

（実施例４−２）
式（６２）で表されるＢ８ジブロミド（１３７．３ｍｇ、０．２５ｍｍｏｌ）、下記式（６５）；

で表されるビチオフェンボロン酸ジエステル（１４７．４ｍｇ、０．２５１ｍｍｏｌ）、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（２．９ｍｇ、０．００２５ｍｍｏｌ）をトルエン３ｍｌに溶解させ、窒素フロー下、室温で１０分間攪拌した。ここへ、炭酸アンモニウム塩（２４０．４ｍｇ、０．８ｍｍｏｌ）を蒸留水０．７５ｍｌに溶解させて調製した水溶液を加え、窒素フロー下、室温でさらに２０分間攪拌し脱気を完了させた。これを１１５℃で１７時間還流加熱攪拌し、末端封止のため、ブロモベンゼン（３９．３ｍｇ、０．２５ｍｍｏｌ）を加え１時間攪拌し、さらにフェニルボロン酸（３０．５ｍｇ、０．２５ｍｍｏｌ）を加えた。室温まで放冷し、トルエン溶液を塩酸で１回、純水で２回分液洗浄し、有機層を数ｍｌ程度まで濃縮した。濃縮液を３００ｍｌのメタノール中へ滴下させそのまま１０分攪拌し、得られた沈殿を濾取した。同様の精製過程を合計３回繰り返し、固体を減圧乾燥させることで、下記式（６６）；

で表されるホウ素含有重合体Ｂ８Ｔ２を得た。ホウ素含有重合体Ｂ８Ｔ２の重量平均分子量は、４００００であった。また、溶液中での発光量子収率は、２９％であった。

（実施例４−３）
式（６２）で表されるＢ８ジブロミド（１３７．３ｍｇ、０．２５ｍｍｏｌ）、下記式（６７）；

で表されるボロン酸ジエステル（１１２．１ｍｇ、０．２５１ｍｍｏｌ）、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（２．９ｍｇ、０．００２５ｍｍｏｌ）をトルエン３ｍｌに溶解させ、窒素フロー下、室温で１０分間攪拌した。ここへ、炭酸アンモニウム塩（２４０．４ｍｇ、０．８ｍｍｏｌ）を蒸留水０．７５ｍｌに溶解させて調製した水溶液を加え、窒素フロー下、室温でさらに２０分間攪拌し脱気を完了させた。これを１１５℃で１７時間還流加熱攪拌し、末端封止のため、ブロモベンゼン（３９．３ｍｇ、０．２５ｍｍｏｌ）を加え１時間攪拌し、さらにフェニルボロン酸（３０．５ｍｇ、０．２５ｍｍｏｌ）を加えた。室温まで放冷し、トルエン溶液を塩酸で１回、純水で２回分液洗浄し、有機層を数ｍｌ程度まで濃縮した。濃縮液を３００ｍｌのメタノール中へ滴下させそのまま１０分攪拌し、得られた沈殿を濾取した。同様の精製過程を合計３回繰り返し、固体を減圧乾燥させることで、下記式（６８）；

で表されるホウ素含有重合体Ｂ８Ｐ６を得た。ホウ素含有重合体Ｂ８Ｐ６の重量平均分子量は、６００００であった。また、溶液中での発光量子収率は、６６％であった。

（実施例４−４）
式（６２）で表されるＢ８ジブロミド（１３７．３ｍｇ、０．２５ｍｍｏｌ）、下記式（６９）；

で表されるボロン酸ジエステル（１２４．４ｍｇ、０．２５１ｍｍｏｌ）、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（２．９ｍｇ、０．００２５ｍｍｏｌ）をトルエン３ｍｌに溶解させ、窒素フロー下、室温で１０分間攪拌した。ここへ、炭酸アンモニウム塩（２４０．４ｍｇ、０．８ｍｍｏｌ）を蒸留水０．７５ｍｌに溶解させて調製した水溶液を加え、窒素フロー下、室温でさらに２０分間攪拌し脱気を完了させた。これを１１５℃で１７時間還流加熱攪拌し、末端封止のため、ブロモベンゼン（３９．３ｍｇ、０．２５ｍｍｏｌ）を加え１時間攪拌し、さらにフェニルボロン酸（３０．５ｍｇ、０．２５ｍｍｏｌ）を加えた。室温まで放冷し、トルエン溶液を塩酸で１回、純水で２回分液洗浄し、有機層を数ｍｌ程度まで濃縮した。濃縮液を３００ｍｌのメタノール中へ滴下させそのまま１０分攪拌し、得られた沈殿を濾取した。同様の精製過程を合計３回繰り返し、固体を減圧乾燥させることで、下記式（７０）；

で表されるホウ素含有重合体Ｂ８Ｃｚを得た。ホウ素含有重合体Ｂ８Ｃｚの重量平均分子量は、２２０００であった。また、溶液中での発光量子収率は、７４％であった。

（実施例４−５）
式（６２）で表されるＢ８ジブロミド（１３７．３ｍｇ、０．２５ｍｍｏｌ）、下記式（７１）；

で表されるボロン酸ジエステル（１３９．０ｍｇ、０．２５１ｍｍｏｌ）、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（２．９ｍｇ、０．００２５ｍｍｏｌ）をトルエン３ｍｌに溶解させ、窒素フロー下、室温で１０分間攪拌した。ここへ、炭酸アンモニウム塩（２４０．４ｍｇ、０．８ｍｍｏｌ）を蒸留水０．７５ｍｌに溶解させて調製した水溶液を加え、窒素フロー下、室温でさらに２０分間攪拌し脱気を完了させた。これを１１５℃で１７時間還流加熱攪拌し、末端封止のため、ブロモベンゼン（３９．３ｍｇ、０．２５ｍｍｏｌ）を加え１時間攪拌し、さらにフェニルボロン酸（３０．５ｍｇ、０．２５ｍｍｏｌ）を加えた。室温まで放冷し、トルエン溶液を塩酸で１回、純水で２回分液洗浄し、有機層を数ｍｌ程度まで濃縮した。濃縮液を３００ｍｌのメタノール中へ滴下させそのまま１０分攪拌し、得られた沈殿を濾取した。同様の精製過程を合計３回繰り返し、固体を減圧乾燥させることで、下記式（７２）；

で表されるホウ素含有重合体Ｂ８ＴＰＡを得た。ホウ素含有重合体Ｂ８ＴＰＡの重量平均分子量は、１８０００であった。また、溶液中での発光量子収率は、６０％であった。

（実施例４−６）
式（６２）で表されるＢ８ジブロミド（１３７．３ｍｇ、０．２５ｍｍｏｌ）、下記式（７３）；

で表されるボロン酸ジエステル（２２７．３ｍｇ、０．２５１ｍｍｏｌ）、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（２．９ｍｇ、０．００２５ｍｍｏｌ）をトルエン３ｍｌに溶解させ、窒素フロー下、室温で１０分間攪拌した。ここへ、炭酸アンモニウム塩（２４０．４ｍｇ、０．８ｍｍｏｌ）を蒸留水０．７５ｍｌに溶解させて調製した水溶液を加え、窒素フロー下、室温でさらに２０分間攪拌し脱気を完了させた。これを１１５℃で１７時間還流加熱攪拌し、末端封止のため、ブロモベンゼン（３９．３ｍｇ、０．２５ｍｍｏｌ）を加え１時間攪拌し、さらにフェニルボロン酸（３０．５ｍｇ、０．２５ｍｍｏｌ）を加えた。室温まで放冷し、トルエン溶液を塩酸で１回、純水で２回分液洗浄し、有機層を数ｍｌ程度まで濃縮した。濃縮液を３００ｍｌのメタノール中へ滴下させそのまま１０分攪拌し、得られた沈殿を濾取した。同様の精製過程を合計３回繰り返し、固体を減圧乾燥させることで、下記式（７４）；

で表されるホウ素含有重合体Ｂ８ＦｓｐｉｒｏＴＰＡを得た。ホウ素含有重合体Ｂ８ＦｓｐｉｒｏＴＰＡの重量平均分子量は、５５００であった。

（実施例４−７）
式（６２）で表されるＢ８ジブロミド（１３７．３ｍｇ、０．２５ｍｍｏｌ）、下記式（７５）；

で表されるＢ８ジエステル（１４０．５ｍｇ、０．２５１ｍｍｏｌ）、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（２．９ｍｇ、０．００２５ｍｍｏｌ）をトルエン３ｍｌに溶解させ、窒素フロー下、室温で１０分間撹拌した。ここへ、炭酸アンモニウム塩（２４０．４ｍｇ、０．８ｍｍｏｌ）を蒸留水０．７５ｍｌに溶解させて調製した水溶液を加え、窒素フロー下、室温でさらに２０分間撹拌し、脱気を完了させた。これを１１５℃で１７時間還流加熱撹拌し、末端封止のため、ブロモベンゼン（３９．３ｍｇ、０．２５ｍｍｏｌ）を加え１時間撹拌し、さらにフェニルボロン酸（３０．５ｍｇ、０．２５ｍｍｏｌ）を加えた。室温まで放冷し、トルエン溶液を塩酸で１回、純水で２回分液洗浄し、有機層を数ｍｌ程度まで濃縮した。濃縮液を３００ｍｌのメタノール中へ滴下させそのまま１０分撹拌し、得られた沈殿を濾取した。同様の精製過程を合計３回繰り返し、固体を減圧乾燥させることで、下記式（７６）；

で表されるホウ素含有重合体ＰＢ８を得た。ホウ素含有重合体ＰＢ８の重量平均分子量は、１１０００であった。また、溶液中での発光量子収率は、４９％であった。

（実施例４−８）
下記式（７７）；

で表されるＢＰｈＰｒジブロミド（３５０ｍｇ、０．６２ｍｍｏｌ）、式（６３）で表されるＦ８ボロン酸ジエステル（３４８ｍｇ、０．６２ｍｍｏｌ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）（Ｐｄ_２ｄｂａ_３；１４．３ｍｇ、０．０１６ｍｍｏｌ）、トリシクロヘキシルホスフィン（１７．５ｍｇ、０．０６２ｍｍｏｌ）、炭酸セシウム（１．２２ｇ、３．７４ｍｍｏｌ）、純水（０．０９ｍｌ）をＴＨＦ（９．３ｍｌ）に溶解させ、窒素雰囲気下６５℃で４８時間加熱攪拌した。末端封止のため、ブロモベンゼン（１２７ｍｇ、０．８１ｍｍｏｌ）を加え５時間攪拌し、さらにフェニルボロン酸（３５７ｍｇ、２．９３ｍｍｏｌ）を加え５時間攪拌した。室温まで放冷し、トルエンで希釈した反応溶液を塩酸で１回、純水で２回分液洗浄し、有機層を数ｍｌ程度まで濃縮した。濃縮液を３００ｍｌのメタノール中へ滴下させそのまま１０分攪拌し、得られた沈殿を濾取した。同様の精製過程を合計３回繰り返し、固体を減圧乾燥させることで、下記式（７８）；

で表されるホウ素含有重合体Ｆ８ＢＰｈＰｒを得た。ホウ素含有重合体Ｆ８ＢＰｈＰｒの重量平均分子量は、１０７００であった。

（実施例４−９）
下記式（７９）；

で表されるＢ８Ｆジブロミド（２８０ｍｇ、０．４９ｍｍｏｌ）、式（６３）で表されるＦ８ボロン酸ジエステル（２８１ｍｇ、０．５０ｍｍｏｌ）をトルエン（３ｍｌ）とＴＨＦ（３ｍｌ）に溶解させ、アルゴン雰囲気下、室温で１０分間攪拌した。ここへ、トリオクチルメチルアンモニウムクロリド（商品名：Ａｌｉｑｕａｔ３３６、Ａｌｄｒｉｃｈ社製；２０ｍｇ）、２５質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド（Ｅｔ_４ＮＯＨ）水溶液（０．８３ｍｌ）と蒸留水（０．７５ｍｌ）との混合水溶液を加え、アルゴン雰囲気下、室温でさらに２０分間攪拌し脱気を完了させた。ここにテトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（８．６ｍｇ、０．００７ｍｍｏｌ）を加えた後、１１５℃で還流させながら４８時間加熱攪拌した。末端封止のため、ブロモベンゼン（１０１ｍｇ、０．６４ｍｍｏｌ）を加え５時間攪拌し、さらにフェニルボロン酸（２８３ｍｇ、２．３２ｍｍｏｌ）を加え５時間攪拌した。室温まで放冷し、トルエンで希釈した反応溶液を塩酸で１回、純水で２回分液洗浄し、有機層を数ｍｌ程度まで濃縮した。濃縮液を３００ｍｌのメタノール中へ滴下させそのまま１０分攪拌し、得られた沈殿を濾取した。同様の精製過程を合計３回繰り返し、固体を減圧乾燥させることで、下記式（８０）；

で表されるホウ素含有重合体Ｆ８Ｂ８Ｆを得た。ホウ素含有重合体Ｆ８Ｂ８Ｆの重量平均分子量は、１２６０００であった。

（実施例４−１０）
下記式（８１）；

で表されるＢＣ６Ｆ５ジブロミド（３３７ｍｇ、０．５１ｍｍｏｌ）、式（６３）で表されるＦ８ボロン酸ジエステル（２９２ｍｇ、０．５２ｍｍｏｌ）をトルエン（３ｍｌ）とＴＨＦ（３ｍｌ）に溶解させ、アルゴン雰囲気下、室温で１０分間攪拌した。ここへ、Ａｌｉｑｕａｔ３３６（２１ｍｇ）、２５質量％Ｅｔ_４ＮＯＨ水溶液（０．８６ｍｌ）と蒸留水（０．７５ｍｌ）との混合水溶液を加え、アルゴン雰囲気下、室温でさらに２０分間攪拌し脱気を完了させた。ここにテトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（８．９ｍｇ、０．００７ｍｍｏｌ）を加えた後、１１５℃で還流させながら４８時間加熱攪拌した。末端封止のため、ブロモベンゼン（１０５ｍｇ、０．６７ｍｍｏｌ）を加え５時間攪拌し、さらにフェニルボロン酸（２９４ｍｇ、２．４１ｍｍｏｌ）を加え５時間攪拌した。室温まで放冷し、トルエンで希釈した反応溶液を塩酸で１回、純水で２回分液洗浄し、有機層を数ｍｌ程度まで濃縮した。濃縮液を３００ｍｌのメタノール中へ滴下させそのまま１０分攪拌し、得られた沈殿を濾取した。同様の精製過程を合計３回繰り返し、固体を減圧乾燥させることで、下記式（８２）；

で表されるホウ素含有重合体Ｆ８ＢＣ６Ｆ５を得た。ホウ素含有重合体Ｆ８ＢＣ６Ｆ５の重量平均分子量は、１２６０００であった。

（実施例４−１１）
式（６２）で表されるＢ８ジブロミド（２４１ｍｇ、０．４４ｍｍｏｌ）、式（６３）で表されるＦ８ボロン酸ジエステル（５００ｍｇ、０．９０ｍｍｏｌ）、下記式（８３）；

で表される４，７−ジブロモベンゾチアジアゾール（１２９ｍｇ、０．４４ｍｍｏｌ）をトルエン１１ｍｌに溶解させ、窒素雰囲気下、室温で１０分間攪拌した。ここへ、炭酸テトラエチルアンモニウム（１．０２ｇ、５．３７ｍｍｏｌ）を蒸留水３ｍｌに溶解させて調製した水溶液を加え、窒素雰囲気下、室温でさらに２０分間攪拌し脱気を完了させた。ここにテトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（１０．３ｍｇ、０．００９ｍｍｏｌ）を加えた後、１１５℃で還流させながら４８時間加熱攪拌した。末端封止のため、ブロモベンゼン（１８３ｍｇ、１．１６ｍｍｏｌ）を加え５時間攪拌し、さらにフェニルボロン酸（５１３ｍｇ、４．２１ｍｍｏｌ）を加え５時間攪拌した。室温まで放冷し、トルエンで希釈した反応溶液を塩酸で１回、純水で２回分液洗浄し、有機層を数ｍｌ程度まで濃縮した。濃縮液を３００ｍｌのメタノール中へ滴下させそのまま１０分攪拌し、得られた沈殿を濾取した。同様の精製過程を合計３回繰り返し、固体を減圧乾燥させることで、下記式（８４）；

で表されるホウ素含有重合体Ｆ８Ｂ８ＢＴを得た。ホウ素含有重合体Ｆ８Ｂ８ＢＴの重量平均分子量は、１０８００であった。

（実施例４−１２）
式（６２）で表されるＢ８ジブロミド（２９０ｍｇ、０．７１ｍｍｏｌ）、式（６３）で表されるＦ８ボロン酸ジエステル（５００ｍｇ、０．９０ｍｍｏｌ）、下記式（８５）；

で表される２，７−ジブロモジベンゾチオフェンジオキシド（１３１ｍｇ、０．３５ｍｍｏｌ）をトルエン１１ｍｌに溶解させ、窒素雰囲気下、室温で１０分間攪拌した。ここへ、炭酸テトラエチルアンモニウム（１．０２ｇ、５．３７ｍｍｏｌ）を蒸留水３ｍｌに溶解させて調製した水溶液を加え、窒素雰囲気下、室温でさらに２０分間攪拌し脱気を完了させた。ここにテトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（１５．５ｍｇ、０．０１３ｍｍｏｌ）を加えた後、１１５℃で還流させながら４８時間加熱攪拌した。末端封止のため、ブロモベンゼン（１８３ｍｇ、１．１６ｍｍｏｌ）を加え５時間攪拌し、さらにフェニルボロン酸（５１３ｍｇ、４．２１ｍｍｏｌ）を加え５時間攪拌した。室温まで放冷し、トルエンで希釈した反応溶液を塩酸で１回、純水で２回分液洗浄し、有機層を数ｍｌ程度まで濃縮した。濃縮液を３００ｍｌのメタノール中へ滴下させそのまま１０分攪拌し、得られた沈殿を濾取した。同様の精製過程を合計３回繰り返し、固体を減圧乾燥させることで、下記式（８６）；

で表されるホウ素含有重合体Ｆ８Ｂ８ＤＢＴｈＯ２を得た。ホウ素含有重合体Ｆ８Ｂ８ＤＢＴｈＯ２の重量平均分子量は、８９００であった。

（実施例４−１３）
式（６２）で表されるＢ８ジブロミド（３８９ｍｇ、０．７１ｍｍｏｌ）、式（６３）で表されるＦ８ボロン酸ジエステル（５００ｍｇ、０．９０ｍｍｏｌ）、下記式（８７）；

で表されるＮ，Ｎ−ビス（４−ジブロモフェニル）−４−イソブチルアニリン（６５ｍｇ、０．１４ｍｍｏｌ）をトルエン１１ｍｌに溶解させ、窒素雰囲気下、室温で１０分間攪拌した。ここへ、炭酸テトラエチルアンモニウム（１．０２ｇ、５．３７ｍｍｏｌ）を蒸留水３ｍｌに溶解させて調製した水溶液を加え、窒素雰囲気下、室温でさらに２０分間攪拌し脱気を完了させた。ここにテトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（１５．５ｍｇ、０．０１３ｍｍｏｌ）を加えた後、１１５℃で還流させながら４８時間加熱攪拌した。末端封止のため、ブロモベンゼン（１８３ｍｇ、１．１６ｍｍｏｌ）を加え５時間攪拌し、さらにフェニルボロン酸（５１３ｍｇ、４．２１ｍｍｏｌ）を加え５時間攪拌した。室温まで放冷し、トルエンで希釈した反応溶液を塩酸で１回、純水で２回分液洗浄し、有機層を数ｍｌ程度まで濃縮した。濃縮液を３００ｍｌのメタノール中へ滴下させそのまま１０分攪拌し、得られた沈殿を濾取した。同様の精製過程を合計３回繰り返し、固体を減圧乾燥させることで、下記式（８８）；

で表されるホウ素含有重合体Ｆ８Ｂ８ＢＴを得た。ホウ素含有重合体Ｆ８Ｂ８ＢＴの重量平均分子量は、２５４００であった。

（実施例４−１４）
下記式（８９）；

で表されるＢ８ボロン酸ジエステル（１６１．６ｍｇ、０．２５１ｍｍｏｌ）、下記式（９０）；

で表されるＢＴジブロミド（７３．５ｍｇ、０．２５ｍｍｏｌ）をトルエン３ｍｌに溶解させ、窒素雰囲気下、室温で１０分間攪拌した。ここへ、炭酸テトラエチルアンモニウム（２４０．４ｍｇ、０．７５ｍｍｏｌ）を蒸留水０．７５ｍｌに溶解させて調製した水溶液を加え、窒素雰囲気下、室温でさらに２０分間攪拌し脱気を完了させた。ここにテトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（２．９ｍｇ、０．００２５ｍｍｏｌ）を加えた後、１１５℃で還流させながら１８時間加熱攪拌した。末端封止のため、ブロモベンゼン（９２ｍｇ、０．５８ｍｍｏｌ）を加え１時間攪拌し、さらにフェニルボロン酸（２５６ｍｇ、２．１１ｍｍｏｌ）を加え１時間攪拌した。室温まで放冷し、トルエンで希釈した反応溶液を塩酸で１回、純水で２回分液洗浄し、有機層を数ｍｌ程度まで濃縮した。濃縮液を３００ｍｌのメタノール中へ滴下させそのまま１０分攪拌し、得られた沈殿を濾取した。同様の精製過程を合計３回繰り返し、固体を減圧乾燥させることで、下記式（９１）；

で表されるホウ素含有重合体Ｂ８ＢＴを得た。ホウ素含有重合体Ｂ８ＢＴの重量平均分子量は、１１８０００であった。

（実施例４−１５）
式（５９）で表されるホウ素錯体５０（４４０．４ｍｇ、０．７ｍｍｏｌ）、式（６３）で表されるＦ８ボロン酸ジエステル（３９２．８ｍｇ、０．７０４ｍｍｏｌ）、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（８．１ｍｇ、０．００７ｍｍｏｌ）をトルエン３ｍｌに溶解させ、窒素フロー下、室温で１０分間撹拌した。ここへ、炭酸アンモニウム塩（６７３．１ｍｇ、２．１ｍｍｏｌ）を蒸留水２．１ｍｌに溶解させて調製した水溶液を加え、窒素フロー下、室温でさらに２０分間撹拌し、脱気を完了させた。これを１１５℃で１７時間還流加熱撹拌し、末端封止のため、ブロモベンゼン（１１７．９ｍｇ、０．７５ｍｍｏｌ）を加え４時間撹拌し、さらにフェニルボロン酸（９１．５ｍｇ、０．７５ｍｍｏｌ）を加え４時間攪拌した。室温まで放冷し、トルエン溶液を塩酸で１回、純水で２回分液洗浄し、有機層を数ｍｌ程度まで濃縮した。濃縮液を３００ｍｌのメタノール中へ滴下させそのまま１０分撹拌し、得られた沈殿を濾取した。同様の精製過程を合計３回繰り返し、固体を減圧乾燥させることで、下記式（９２）；

で表されるホウ素含有重合体Ｆ８ＢＢＰｈを得た。ホウ素含有重合体Ｆ８ＢＢＰｈの重量平均分子量は、１２００００であった。

（実施例５）
［１］ まず、市販されている平均厚さ２．３ｍｍのＦＴＯ付き透明ガラス基板を用意した。
［２］ 次に、ＦＴＯ電極（陰極）を亜鉛粉末と４Ｎ塩酸によりエッチングし、パターン形成を行った。
［３］ 次に、該ＦＴＯ電極上に、スプレイ熱分解法により、平均厚さ１００ｎｍの酸化チタン（ＴｉＯ_２）層（電子注入性金属酸化物層）を形成した。具体的には、ジャーナル・オブ・ヨーロピアン・セラミック・ソサイエティ（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｅｕｒｏｐｅａｎ Ｃｅｒａｍｉｃ Ｓｏｃｉｅｔｙ）、１９９９年、第１９巻、ｐ．９０３又はセラミック・トランスアクションズ（Ｃｅｒａｍｉｃ Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ）、２０００年、第１０９巻、ｐ．４７３等を参照して、ジイソプロポキシ・ビスアセチルアセトナトチタニウム溶液とエタノールを質量比１：１０で混合し、４５０℃で加熱された上記［２］記載のＦＴＯ基板上にスプレイ塗布した。
［４］ 次に、実施例４−１で得られたホウ素含有重合体Ｆ８Ｂ８を０．５質量％でキシレンに溶解させ、上記ＴｉＯ_２層（電子注入性金属酸化物層）上に、スピンコート法（２０００ｒｐｍ）により塗布した後、乾燥させた。なお、液状材料の乾燥条件は、大気下、室温とした。これにより発光層が得られた。
［５］ 上記発光層上に、真空蒸着装置を用いて、平均厚さ１０ｎｍで酸化モリブテン（ＭｏＯ_３）を蒸着し、正孔注入性金属酸化物層を作製した。
［６］ 上記［５］の連続工程で、平均厚さ３０ｎｍで金（Ａｕ）（陽極）を蒸着し、素子を得た。該素子は、１０Ｖ付近から青白い発光を確認することができた。

Claims (5)

1. 下記式（１）；
   

   

   （式中、点線の円弧は、ホウ素原子と窒素原子とを繋ぐ骨格部分の一部と共に環構造が形成されていることを表す。ホウ素原子と窒素原子とを繋ぐ骨格部分における点線部分は、少なくとも１対の原子が二重結合で結ばれることを表し、該二重結合が環構造と共役していてもよい。窒素原子からホウ素原子への矢印は、窒素原子がホウ素原子へ配位していることを表す。Ｘ ^１ が結合している環は、ベンゼン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、チアゾール環、オキサゾール環、ナフタレン環、アントラセン環、テトラセン環、ペンタセン環、イミダゾール環、ピラゾール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピラジン環、ピリミジン環、キノリン環、又は、イソキノリン環を表し、Ｘ ^２ が結合している環は、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピラジン環、ピリミジン環、インドール環、イソインドール環、キノリン環、イソキノリン環、フェナントリジン環、チアゾール環、又は、オキサゾール環を表す。Ｘ^１及びＸ^２は、同一若しくは異なって、ハロゲン原子、カルボキシル基、ヒドロキシル基、アミノ基、アシル基、ホルミル基、シアノ基、シリル基、スタニル基、ボリル基、ホスフィノ基、アリールスルホニルオキシ基、又は、アルキルスルホニルオキシ基を反応性基とすると、水素原子；反応性基；炭素数１〜４の直鎖状若しくは分岐鎖状アルキル基又は該反応性基で置換された炭素数１〜４の直鎖状若しくは分岐鎖状アルキル基、炭素数１〜８の直鎖状若しくは分岐鎖状アルコキシ基又は該反応性基で置換された炭素数１〜８の直鎖状若しくは分岐鎖状アルコキシ基、アリール基又は該反応性基で置換されたアリール基；オリゴアリール基又は該反応性基で置換されたオリゴアリール基、１価の複素環基又は該反応性基で置換された１価の複素環基、１価のオリゴ複素環基又は該反応性基で置換された１価のオリゴ複素環基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アルケニル基又は該反応性基で置換されたアルケニル基、アルキニル基又は該反応性基で置換されたアルキニル基を表し、点線の円弧部分を形成する環構造に複数個結合していてもよい。Ｒ^１及びＲ^２は、同一若しくは異なって、水素原子、置換基を有していてもよいアリール基、複素環基、アルキル基、アルコキシ基、アリールアルコキシ基、ヒドロキシ基、アミノ基、ハロゲン原子、置換基を有していてもよいオリゴアリール基、１価のオリゴ複素環基、アリールアルキル基、若しくは、アリールアルコキシ基を表すか、又は、Ｒ ^１ とＲ ^２ とが結合して２，２’−ビフェニル基となっている。）で表されるホウ素含有化合物の製造方法であって、
   該製造方法は、下記式（Ｉ）；
   

   

   （式中、点線の円弧は、表記の水素原子と窒素原子とを繋ぐ骨格部分の一部と共に環構造が形成されていることを表す。表記の水素原子と窒素原子とを繋ぐ骨格部分における点線部分は、少なくとも１対の原子が二重結合で結ばれることを表し、該二重結合が環構造と共役していてもよい。Ｘ ^１ が結合している環、Ｘ ^２ が結合している環、Ｘ ^１ 及びＸ ^２ は、式（１）中のＸ ^１ が結合している環、Ｘ ^２ が結合している環、Ｘ ^１ 及びＸ ^２ とそれぞれ同じである。）で表される化合物と、下記式（ＩＩ）；
   

   

   （式中、Ｑは、同一若しくは異なって、臭素原子又はヨウ素原子を表す。）で表される化合物とを反応させる工程を必須とすることを特徴とするホウ素含有化合物の製造方法。
2. 前記式（Ｉ）で表される化合物と前記式（ＩＩ）で表される化合物とを反応させる工程により得られたホウ素含有化合物、及び、下記式（ＩＩＩ）で表される金属元素含有化合物を反応させる工程を含むことを特徴とする請求項１に記載のホウ素含有化合物の製造方法。
   

   

   式中、Ｒ ^１ 及びＲ ^２ は、前記式（１）中のＲ ^１ 及びＲ ^２ とそれぞれ同じであり、Ｍは、同一若しくは異なって、金属元素を表し、ｎは、金属元素の価数に対応するＲ ^１ 及び／又はＲ ^２ の結合数を表す。
3. 前記式（Ｉ）で表される化合物１モルに対して、前記式（ＩＩ）で表される化合物を１モル〜１０モル用いることを特徴とする請求項１又は２に記載のホウ素含有化合物の製造方法。
4. 前記式（Ｉ）で表される化合物と、前記式（ＩＩ）で表される化合物とを反応させる工程において、反応促進剤としてアミン系化合物を使用することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のホウ素含有化合物の製造方法。
5. 前記式（Ｉ）で表される化合物と前記式（ＩＩ）で表される化合物とを反応させる工程により得られたホウ素含有化合物１モルに対して、前記式（ＩＩＩ）で表される金属元素含有化合物を０．３３モル〜５モル用いることを特徴とする請求項２に記載のホウ素含有化合物の製造方法。

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