JP5660137B2 - 配線基板及び電子装置 - Google Patents

Description

本発明は、配線基板及び電子装置に関する。

電子素子を搭載した配線基板において、電子素子から発生したノイズが、電子素子と電気的に接続され、島状分離されたプレーンに流れ、それを励震源とし、パッチアンテナと同種の働きをして電磁漏洩を増加するという問題がある。

また、同様に、電子素子を搭載した配線基板において、電子素子と電気的に接続され、島状分離されたプレーンと、それに隣接するプレーンとの間にできるスリットが、電子素子において発生し上記島状分離されたプレーンに流れたノイズを励震源として、スロットアンテナと同種の働きをして電磁漏洩を増加するという問題がある。

特許文献１に記載の技術は、共振時に島状電源プレーンの端部で高周波電流が節、電圧が腹になることを、互いに隣接する島状電源プレーンどうしを容量性部材によって接続し、容量性部材に高周波電流が通過させることで端部からの漏洩を抑制させている。

特許文献２に記載の技術は、島状電源プレーンとそれに隣接する電源プレーン間を長さ又は比誘電率の異なる複数の線路素子で接続し、ノイズ漏洩の原因である電源電圧変動を、孤立電源プレーンから位相をシフトさせて孤立していないプレーンに印加することで、電磁漏洩を抑制している。

特許３６９７３８２号明細書 特開２００８−２２７３６６号公報

しかし、特許文献１に記載の技術では、バイパスコンデンサ、特許文献２に記載の技術では、線路素子（ＬＩＬＣ）を部品として使うことを前提としているが、これらは部品を実装する必要があるために専用のパッドを設ける必要がある。このため、特許文献１および２に記載の技術の場合、回路設計に制約が生じる。また、上述のような部品を使う特許文献１および２に記載の技術の場合、１ＧＨｚ以上の高周波ノイズに対しては効果が薄い。

そこで、本発明では、島状分離されたプレーンもしくはそのプレーンに隣接するスリットからの電磁漏洩を抑制する手段であって、専用のパッドを設ける必要がなく、かつ、１ＧＨｚ以上の高周波ノイズに対しても有効である手段を提供することを課題とする。

本発明によれば導電体及び絶縁体を含み、上方に電子素子を配置される積層体を有し、前記積層体は、島状分離された少なくとも１つの第１導体を有する第１の層と、前記電子素子と前記第１導体とを電気的に接続するために前記積層体に埋め込まれた第１接続部材と、前記第１導体の少なくとも一部領域と対向して設けられた第３導体を有する第２の層と、前記絶縁体の層を挟んで、前記第１導体及び前記第３導体の少なくとも一方に対向して設けられた第２導体と、を有し、前記積層体を平面視した状態において、前記第２導体は、前記第１導体の端部から、前記電子素子から前記第１導体に伝播するノイズの周波数における波長の４分の１未満の領域に位置する配線基板が提供される。
また、本発明によれば、前記配線基板と、前記配線基板の前記積層体の上に配置され、前記第１接続部材を介して前記第１導体と電気的に接続される電子素子と、を含む電子装置が提供される。

本発明によれば、島状分離されたプレーンもしくはそのプレーンに隣接するスリットからの電磁漏洩を抑制する手段であって、専用のパッドを設ける必要がなく、かつ、１ＧＨｚ以上の高周波ノイズに対しても有効である手段が実現される。

上述した目的、および、その他の目的、特徴および利点は、以下に述べる好適な実施の形態、および、それに付随する以下の図面によって、さらに明らかになる。
本発明の第１の実施形態に係る配線基板の上面図と断面図の一例である。 第１の実施形態のＣ層の一例を示す図である。 第１の実施形態のＢ層の一例を示す図である。 第１の実施形態のＡ層の一例を示す図である。 第１の実施形態に用いられる導体エレメント、第１導体、第２導体及び接続部材の形状や位置について例示する図である。 第１の実施形態に用いられる導体エレメント、第１導体、第２導体及び接続部材の形状や位置について例示する図である。 第１の実施形態に用いられる導体エレメント、第１導体、第２導体及び接続部材の形状や位置について例示する図である。 第１の実施形態に用いられる導体エレメント、第１導体、第２導体及び接続部材の形状や位置について例示する図である。 第１の実施形態に用いられる導体エレメント、第１導体及び第２導体の形状や位置について例示する図である。 第１の実施形態に用いられる導体エレメント、第１導体及び第２導体の形状や位置について例示する図である。 第１の実施形態に用いられる導体エレメント、第１導体及び第２導体の形状や位置について例示する図である。 第１の実施形態に係る配線基板の変形の一例の上面図と断面図である。 第２の実施形態に係る配線基板の上面図と断面図の一例である。 第２の実施形態のＣ層の一例を示す図である。 第２の実施形態のＢ層の一例を示す図である。 第２の実施形態のＡ層の一例を示す図である。 第３の実施形態に係る配線基板の上面図と断面図の一例である。 第３の実施形態のＣ層の一例を示す図である。 第３の実施形態のＢ層とＤ層の一例を示す図である。 第３の実施形態のＡ層とＥ層の一例を示す図である。 第３の実施形態に用いられる導体エレメント、第１導体、第２導体及び接続部材の形状や位置について例示する図である。 第３の実施形態に用いられる導体エレメント、第１導体、第２導体及び接続部材の形状や位置について例示する図である。 第３の実施形態に用いられる導体エレメント、第１導体、第２導体及び接続部材の形状や位置について例示する図である。 第３の実施形態に用いられる導体エレメント、第１導体、第２導体及び接続部材の形状や位置について例示する図である。 第３の実施形態に用いられる導体エレメント、第１導体及び第２導体の形状や位置について例示する図である。 第３の実施形態に用いられる導体エレメント、第１導体及び第２導体の形状や位置について例示する図である。 第３の実施形態に用いられる導体エレメント、第１導体及び第２導体の形状や位置について例示する図である。 第３の実施形態に用いられる導体エレメント、第１導体、第２導体及び接続部材の形状や位置について例示する図である。 第４の実施形態に係る配線基板の上面図と断面図の一例である。 第４の実施形態のＣ層を示す図である。 第４の実施形態のＢ層を示す図である。 第４の実施形態のＡ層を示す図である。 第５の実施形態に係る配線基板の上面図と断面図の一例である。

以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。

〔第１の実施形態〕
図１（Ａ）及び（Ｂ）は、本発明の第１の実施形態に係る配線基板１００の上面図と断面図の一例である。より詳細には、図１（Ａ）は配線基板１００の上面図であり、図１（Ｂ）は図１（Ａ）で示す一点鎖線における配線基板１００の断面図である。

図１（Ａ）及び（Ｂ）に示す配線基板１００は、互いに対向するＡ層１１０、Ｂ層１２０、及びＣ層１３０を少なくとも備える多層基板である。Ａ層１１０は、第２のプレーン１１１を有する。Ｂ層１２０は、導体エレメント１２２を有する。Ｃ層１３０は、第１のプレーン１３１を有する。そして、導体エレメント１２２と第１のプレーン１３１とは、接続部材１２３を介して電気的に接続されている。なお、配線基板１００は、上述の３つの層以外の層を備えても構わない。例えば、各層の間には、絶縁層が位置してもよい。その他、各層の間には、絶縁層に信号線のみが埋め込まれた信号線層が位置してもよい。

また、配線基板１００は、本発明の構成に矛盾しない範囲で、図示しない孔やビア等を備えてもよい。さらに、Ａ層１１０、Ｂ層１２０、及びＣ層１３０の中のいずれか１つ以上の層において、本発明の構成に矛盾しない範囲で、信号線が配列されてもよい。

なお、図１（Ａ）及び（Ｂ）において、電子素子１４１は破線で示される。これは、電子素子１４１が未実装であることを意味している。すなわち、配線基板１００の表面には、電子素子１４１を実装する予定領域が定められている。そして、配線基板１００は、電子素子１４１と、Ｃ層１３０に位置する第１のプレーン１３１とを電気的に接続する接続部材１４２を備える。さらに、配線基板１００は、電子素子１４１と、Ａ層１１０に位置する第２のプレーン１１１とを電気的に接続する接続部材１４３を備える。

配線基板１００は、これ以外にも電子素子１４１とプレーンもしくは線路とを電気的に接続する接続部材を備えてもよい。例えば、信号線などと電気的に接続されるような接続部材などである。ここで、電子素子１４１はＬＳＩ等の素子を想定している。配線基板１００に実装される電子素子１４１の数は単一であっても、複数であってもよい。

図２は、図１（Ａ）及び（Ｂ）に示す配線基板１００のＣ層１３０の平面図である。Ｃ層１３０（第１の層）は、島状分離された導電材料からなる第１のプレーン１３１（第１導体）を有する。

第１のプレーン１３１は、接続部材１４２及び接続部材１２３と電気的に接続される接続点を有する。第１のプレーン１３１は、電源プレーン、又は、グラウンドプレーンである。なお、第１のプレーン１３１の形状、大きさ等は特段制限されず、従来技術に準じてあらゆる構成とすることができる。Ｃ層１３０において第１のプレーン１３１が形成されていない領域は、絶縁体であってもよいし、導体であってもよいし、それらが混合していてもよい。

図３は、図１（Ａ）及び（Ｂ）に示す配線基板１００のＢ層１２０の平面図である。Ｂ層１２０は、Ｃ層１３０とＡ層１１０との間に位置する。このようなＢ層１２０には、少なくとも１つ以上の導体エレメント１２２（第２導体）が、第１のプレーン１３１の端部に対向する位置から、抑制したいノイズの周波数における波長の４分の１未満の領域である導体エレメント配置領域１２１（第１の領域：図中斜線で示す領域）に配置される。導体エレメント配置領域１２１は、上記条件を満たす領域であって、第１のプレーン１３１と対向する領域であってもよい。「抑制したいノイズ」とは、例えば、電子素子１４１から接続部材１４２を介して第１のプレーン１３１に伝播するノイズである。

なお、「導体エレメント１２２が導体エレメント配置領域１２１に配置される」とは、導体エレメント１２２の少なくとも一部が導体エレメント配置領域１２１に位置することを意味するが、導体エレメント１２２のすべてが導体エレメント配置領域１２１に位置することが望ましい。当該前提は以下のすべての実施形態において同様である。

ここで、図１（Ｂ）には、二点鎖線で囲んだ領域Ａを示してある。領域Ａは、配線基板１００を平面視した状態で、第１のプレーン１３１の端部に対向する位置から、抑制したいノイズの周波数における波長の４分の１未満の領域であって、第１のプレーン１３１と対向する領域を示してある。当該前提は、以下のすべての実施形態において同様である。図１（Ｂ）において導体エレメント１２２は、領域Ａに配置されている。

ここで、導体エレメント１２２は島状の導体である。導体エレメント１２２の平面形状は特段制限されず、図示する四角形の他、三角形、五角形、その他の多角形であってもよいし、円形、楕円形等の形状であってもよい。また、導体エレメント１２２の数は特段制限されず、複数設けられてもよい。なお、複数設ける場合には、導体エレメント１２２は繰り返し、例えば所定間隔おきに周期的に配列されてもよい。Ｂ層１２０における導体エレメント１２２が配列されていない領域は絶縁体となっており、接続部材１４２と絶縁されている。

導体エレメント１２２は、接続部材１２３を介して、第１のプレーン１３１と電気的に接続されている。接続部材１２３は、配線基板１００を平面視した状態で、第１のプレーン１３１の端部に対向する位置から、抑制したいノイズの周波数における波長の４分の１未満の領域、例えば、当該条件を満たす領域であって、第１のプレーン１３１と対向する領域に配置される。図１（Ｂ）において、接続部材１２３は、領域Ａ内に配置されている。ここで、「配線基板１００を平面視した状態で、接続部材１２３が、第１のプレーン１３１の端部に対向する位置から、抑制したいノイズの周波数における波長の４分の１未満の領域領域に配置される」とは、接続部材１２３のすべてが上記領域に位置することを意味する。当該前提は以下のすべての実施形態において同様である。

なお、ここでは接続部材１２３は、第１のプレーン１３１と導体エレメント１２２とを電気的に接続している形態を説明するが、接続部材１２３は、第１のプレーン１３１と導体エレメント１２２とを電気的に接続せず、第２のプレーン１１１と導体エレメント１２２とを電気的に接続する形態も存在する。また、接続部材１２３を設けない形態も存在する。このような形態については後述する。

図４は、図１（Ａ）及び（Ｂ）に示す配線基板１００のＡ層１１０の平面図である。第２のプレーン１１１（第３導体）は、シート状の導体であって、Ｃ層１３０より上位層であるＡ層１１０（第２の層）に位置し、導体エレメント配置領域１２１に対向する領域に延在している。すなわち、第２のプレーン１１１と導体エレメント１２２は、絶縁体の層を介して対向している。

第２のプレーン１１１は、電源プレーン、又は、グラウンドプレーンである。すなわち、第１のプレーン１３１が電源プレーンの場合、第２のプレーン１１１はグラウンドプレーンであり、第１のプレーン１３１がグラウンドプレーンの場合、第２のプレーン１１１は電源プレーンである。

接続部材１４２は、第２のプレーン１１１に設けられた開口を第２のプレーン１１１とは非接触な状態で通過し、電子素子１４１と第１のプレーン１３１とを電気的に接続している。すなわち、接続部材１４２は、第２のプレーン１１１とは絶縁されている。

なお、Ａ層１１０において第２のプレーン１１１が形成されていない領域は、絶縁体であってもよいし、導体であってもよいし、それらが混合していてもよい。

ここで、本実施形態の配線基板１００の場合、電子素子１４１から接続部材１４２を介して第１のプレーン１３１に伝播するノイズが、第１のプレーン１３１がパッチアンテナと同種の働きをすることによって、空間に漏洩するという問題が発生し得る。

しかし、本実施形態の配線基板１００は、上記問題を解決可能に構成している。

すなわち、本実施形態の配線基板１００は、上記のように構成することによって、導体エレメント１２２と、第１のプレーン１３１と、第２のプレーン１１１と、接続部材１２３とにより、ＥＢＧ構造の単位セルを構成している。当該単位セルが少なくとも１つは存在するＥＢＧ構造によって、上記の第１のプレーン１３１がパッチアンテナと同種の働きをして伝播されるノイズを抑制することができる。

なお、上記のＥＢＧ構造の各々は、電子素子１４１によって発生するノイズの周波数をバンドギャップ帯域に含むことが望ましい。また、本実施形態の配線基板１００によって構成されるＥＢＧ構造の単位セルは、接続部材１２３を含む構造であるが、必ずしもこれに限らない。すなわち、配線基板１００は、第１のプレーン１３１と第２のプレーン１１１との中間層に必ずしも接続部材を形成しなくてもよい。配線基板１００に適用可能な種々のＥＢＧ構造の単位セルについては、後述する。

ここで、単位セルとはＥＢＧ構造を構成する最小単位のことであって、配線基板１００は、導体エレメント配置領域１２１に少なくとも一つの単位セルを備えることによって、第１のプレーン１３１の端部が高周波電流の節、電圧の腹になることを阻止し、パッチアンテナと同種の働きをするのを防ぐことでノイズ漏洩を抑制している。

なお、導体エレメント１２２と第１のプレーン１３１の間隔、導体エレメント１２２と第２のプレーン１１１の間隔、接続部材１２３の太さ、導体エレメント１２２の相互間隔などを調節することにより、所望のバンドギャップ帯域に設定することができる。

ここで、図１乃至４で図示した導体エレメント１２２、接続部材１２３、第１のプレーン１３１、第２のプレーン１１１の形状や位置は一例であり、ＥＢＧ構造を構成可能な範囲で多様な形態を採りうる。

図５乃至１１は、導体エレメント１２２、接続部材１２３、第１のプレーン１３１、第２のプレーン１１１の形状や位置について例示する図である。なお、図５乃至１１は、単一の導体エレメント１２２に着目し、その周囲を拡大して図示している。図５乃至１１で例示する構造は、それぞれ単一又は複数の単位セルを構成しており、配線基板１００は、これらの単位セルのいずれか、又は複数の組み合わせを備えるものとする。

図５（Ａ）は、導体エレメント１２２の一例の上面図である。ここで図示する導体エレメント１２２は四角形であって、接続部材１２３と電気的に接続されている。図５（Ｂ）乃至（Ｉ）は、図５（Ａ）で図示した導体エレメント１２２を含む配線基板１００の要部を抽出した断面図である。

図５（Ｂ）では、導体エレメント１２２と電気的に接続されている接続部材１２３が第１のプレーン１３１と電気的に接続されており、図１乃至４を用いて説明した構成と同等である。図５（Ｃ）では、導体エレメント１２２と電気的に接続されている接続部材１２３が第２のプレーン１１１と電気的に接続されている。

図５（Ｄ）では、導体エレメント１２２が形成されるＢ層１２０は、第２のプレーン１１１が形成されるＡ層１１０（第２の層）を介して、第１のプレーン１３１が形成されるＣ層１３０（第１の層）と対向している。そして、接続部材１２３は第１のプレーン１３１と電気的に接続され、かつ第２のプレーン１１１に設けられた開口を第２のプレーン１１１とは非接触な状態で通過している。導体エレメント１２２は、第２のプレーン１１１に対向し、第２のプレーン１１１に設けられた開口を通過した接続部材１２３と電気的に接続されている。ここで説明した第２のプレーン１１１に設けられている開口は、その中を接続部材１２３が通過し、また当該開口に対向するように導体エレメント１２２が配されている。従って、当該開口からのノイズ漏洩を、実質的に防ぐことができる。

図５（Ｅ）では、導体エレメント１２２が形成されるＢ層１２０は、第１のプレーン１３１が形成されるＣ層１３０（第１の層）を介して、第２のプレーン１１１が形成されるＡ層１１０（第２の層）と対向している。そして、接続部材１２３は第２のプレーン１１１と電気的に接続され、かつ第１のプレーン１３１に設けられた開口を第１のプレーン１３１とは非接触な状態で通過している。導体エレメント１２２は、第１のプレーン１３１に対向し、第１のプレーン１３１に設けられた開口を通過した接続部材１２３と電気的に接続されている。ここで説明した第１のプレーン１３１に設けられている開口は、その中を接続部材１２３が通過し、また当該開口に対向するように導体エレメント１２２が配されている。従って、当該開口からのノイズ漏洩を、実質的に防ぐことができる。

上述した図５（Ｂ）乃至（Ｅ）の構造は、いわゆるマッシュルーム型のＥＢＧ構造である。詳細には、接続部材１２３はマッシュルームの軸部分に相当し、インダクタンスを形成している。一方、図５（Ｂ）及び（Ｄ）においては導体エレメント１２２がマッシュルームのヘッド部分に相当し、それぞれ対向する第２のプレーン１１１との間でキャパシタンスを形成する。また図５（Ｃ）及び（Ｅ）においては、導体エレメント１２２がマッシュルームのヘッド部分に相当し、対向する第１のプレーン１３１との間でキャパシタンスを形成する。

マッシュルーム型ＥＢＧ構造は、平行平板を上記キャパシタンスと上記インダクタンスからなる直列共振回路でシャントした等価回路で表現することができ、上記直列共振回路の共振周波数がバンドギャップの中心周波数を与える。したがって、上記導体エレメント１２２を、キャパシタンスを形成するそれぞれの対向プレーンに接近させて、キャパシタンスを大きくすることでバンドギャップ帯域を低周波化することができる。ただし、上記導体エレメント１２２を対向するプレーンに近接させない場合でも、本発明の本質的な効果には何ら影響を与えない。

図５（Ｆ）乃至（Ｉ）は、接続部材１２３が貫通ビアである例である。

図５（Ｆ）では、導体エレメント１２２と電気的に接続されている貫通ビア（接続部材１２３）が第１のプレーン１３１と電気的に接続され、第２のプレーン１１１の開口を第２のプレーン１１１とは非接触な状態で通過している。すなわち、貫通ビア（接続部材１２３）と第２のプレーン１１１とは絶縁されている。図５（Ｇ）では、導体エレメント１２２と電気的に接続されている貫通ビア（接続部材１２３）が第２のプレーン１１１と電気的に接続され、第１のプレーン１３１の開口を第１のプレーン１３１とは非接触な状態で通過している。すなわち、貫通ビア（接続部材１２３）と第１のプレーン１３１とは絶縁されている。

図５（Ｈ）では、導体エレメント１２２が形成されるＢ層１２０は、第２のプレーン１１１が形成されるＡ層１１０（第２の層）を介して、第１のプレーン１３１が形成されるＣ層１３０（第１の層）と対向している。そして、貫通ビア（接続部材１２３）は第１のプレーン１３１と電気的に接続され、かつ第２のプレーン１１１に設けられた開口を第２のプレーン１１１とは非接触な状態で通過している。導体エレメント１２２は、第２のプレーン１１１に対向し、第２のプレーン１１１に設けられた開口を通過した貫通ビア（接続部材１２３）と電気的に接続されている。

図５（Ｉ）では、導体エレメント１２２が形成されるＢ層１２０は、第１のプレーン１３１が形成されるＣ層１３０（第１の層）を介して、第２のプレーン１１１が形成されるＡ層１１０（第２の層）と対向している。そして、貫通ビア（接続部材１２３）は第２のプレーン１１１と電気的に接続され、かつ第１のプレーン１３１に設けられた開口を第１のプレーン１３１とは非接触な状態で通過している。導体エレメント１２２は、第１のプレーン１３１に対向し、第１のプレーン１３１に設けられた開口を通過した貫通ビア（接続部材１２３）と電気的に接続されている。

上述した図５（Ｆ）乃至（Ｉ）の構造は、マッシュルーム型ＥＢＧ構造を変形させた例である。詳細には、接続部材１２３はマッシュルームの軸部分に相当し、インダクタンスを形成している。一方、図５（Ｆ）及び（Ｈ）においては導体エレメント１２２がマッシュルームのヘッド部分に相当し、それぞれ対向する第２のプレーン１１１との間でキャパシタンスを形成する。また図５（Ｇ）及び（Ｉ）においては導体エレメント１２２がマッシュルームのヘッド部分に相当し、対向する第１のプレーン１３１との間でキャパシタンスを形成する。

図５（Ｆ）乃至（Ｉ）の構造も、マッシュルーム型ＥＢＧ構造と同様に、平行平板を上記キャパシタンスと上記インダクタンスからなる直列共振回路でシャントした等価回路で表現することができ、上記直列共振回路の共振周波数がバンドギャップの中心周波数を与える。したがって、上記導体エレメント１２２を、キャパシタンスを形成するそれぞれの対向プレーンに接近させて、キャパシタンスを大きくすることでバンドギャップ帯域を低周波化することができる。ただし、導体エレメント１２２を対向するプレーンに近接させない場合でも、本発明の本質的な効果には何ら影響を与えない。

図５（Ｆ）乃至（Ｉ）で示した構成を採用することにより、貫通ビアを用いて導体エレメント配置領域１２１にＥＢＧ構造を製造することが可能となる。通常、非貫通ビアは層ごとにビアを加工してから積層するのに対して、貫通ビアは、全ての層を積層した後、ドリルで貫通スルーホールを形成し、スルーホール内面をめっきすることによって製造されるため、非貫通ビアを用いる場合と比べて、製造コストを低減することができる。

図６（Ａ）は、導体エレメント１２２の一例の上面図である。ここで図示する導体エレメント１２２は平面方向に形成される螺旋状の伝送線路であって、一端は接続部材１２３に接続され、他端はオープン端となっている。図６（Ｂ）乃至（Ｉ）は、図６（Ａ）で図示した導体エレメント１２２を含む配線基板１００の要部を抽出した断面図である。

図６（Ｂ）では、導体エレメント１２２と電気的に接続されている接続部材１２３が第１のプレーン１３１と電気的に接続されている。図６（Ｃ）では、導体エレメント１２２と電気的に接続されている接続部材１２３が第２のプレーン１１１と電気的に接続されている。

図６（Ｄ）では、導体エレメント１２２が形成されるＢ層１２０は、第２のプレーン１１１が形成されるＡ層１１０（第２の層）を介して、第１のプレーン１３１が形成されるＣ層１３０（第１の層）と対向している。そして、接続部材１２３は第１のプレーン１３１と電気的に接続され、かつ第２のプレーン１１１に設けられた開口を第２のプレーン１１１とは非接触な状態で通過している。導体エレメント１２２は、第２のプレーン１１１に対向し、第２のプレーン１１１に設けられた開口を通過した接続部材１２３と電気的に接続されている。ここで説明した第２のプレーン１１１に設けられている開口は、その中を接続部材１２３が通過し、また当該開口に対向するように導体エレメント１２２が配されている。従って、当該開口からのノイズ漏洩を、実質的に防ぐことができる。

図６（Ｅ）では、導体エレメント１２２が形成されるＢ層１２０は、第１のプレーン１３１が形成されるＣ層１３０（第１の層）を介して、第２のプレーン１１１が形成されるＡ層１１０（第２の層）と対向している。そして、接続部材１２３は第２のプレーン１１１と電気的に接続され、かつ第１のプレーン１３１に設けられた開口を第１のプレーン１３１とは非接触な状態で通過している。導体エレメント１２２は、第１のプレーン１３１に対向し、第１のプレーン１３１に設けられた開口を通過した接続部材１２３と電気的に接続されている。ここで説明した第１のプレーン１３１に設けられている開口は、その中を接続部材１２３が通過し、また当該開口に対向するように導体エレメント１２２が配されている。従って、当該開口からのノイズ漏洩を、実質的に防ぐことができる。

図６（Ｂ）乃至（Ｅ）に示した構造は、導体エレメント１２２を含んで形成されるマイクロストリップ線路がオープンスタブとして機能するオープンスタブ型のＥＢＧ構造である。詳細には、接続部材１２３はインダクタンスを形成している。そして、図６（Ｂ）及び（Ｄ）においては、導体エレメント１２２が、対向する第２のプレーン１１１と電気的に結合することで第２のプレーン１１１をリターンパスとするマイクロストリップ線路を形成している。また、図６（Ｃ）及び（Ｅ）においては、導体エレメント１２２が、対向する第１のプレーン１３１と電気的に結合することで第１のプレーン１３１をリターンパスとするマイクロストリップ線路を形成している。

オープンスタブ型ＥＢＧ構造は、平行平板を、上記オープンスタブと、上記インダクタンスからなる、直列共振回路でシャントした等価回路で表現することができ、上記直列共振回路の共振周波数がバンドギャップの中心周波数を与える。したがって、上記導体エレメント１２２を含んで形成されるオープンスタブのスタブ長を長くすることでバンドギャップ帯域を低周波化することができる。

また、マイクロストリップ線路を形成する導体エレメント１２２と対向するプレーン（１１１又は１２２）は近接していることが好ましい。なぜならば、導体エレメント１２２と対向プレーンの距離が近いほど、上記マイクロストリップ線路の特性インピーダンスが低くなり、バンドギャップ帯域を広帯域化することができるためである。ただし、導体エレメント１２２を対向するプレーンに近接させない場合でも、本発明の本質的な効果には何ら影響を与えない。

図６（Ｆ）乃至（Ｉ）は、接続部材１２３が貫通ビアである例である。

図６（Ｆ）では、導体エレメント１２２と電気的に接続されている貫通ビア（接続部材１２３）が第１のプレーン１３１と電気的に接続され、第２のプレーン１１１の開口を第２のプレーン１１１とは非接触な状態で通過している。すなわち、貫通ビア（接続部材１２３）と第２のプレーン１１１とは絶縁されている。図６（Ｇ）では、導体エレメント１２２と電気的に接続されている貫通ビア（接続部材１２３）が第２のプレーン１１１と電気的に接続され、第１のプレーン１３１の開口を第１のプレーン１３１とは非接触な状態で通過している。すなわち、貫通ビア（接続部材１２３）と第１のプレーン１３１とは絶縁されている。

図６（Ｈ）では、導体エレメント１２２が形成されるＢ層１２０は、第２のプレーン１１１が形成されるＡ層１１０（第２の層）を介して、第１のプレーン１３１が形成されるＣ層１３０（第１の層）と対向している。そして、貫通ビア（接続部材１２３）は第１のプレーン１３１と電気的に接続され、かつ第２のプレーン１１１に設けられた開口を第２のプレーン１１１とは非接触な状態で通過している。導体エレメント１２２は、第２のプレーン１１１に対向し、第２のプレーン１１１に設けられた開口を通過した貫通ビア（接続部材１２３）と電気的に接続されている。

図６（Ｉ）では、導体エレメント１２２が形成されるＢ層１２０は、第１のプレーン１３１が形成されるＣ層１３０（第１の層）を介して、第２のプレーン１１１が形成されるＡ層１１０（第２の層）と対向している。そして、貫通ビア（接続部材１２３）は第２のプレーン１１１と電気的に接続され、かつ第１のプレーン１３１に設けられた開口を第１のプレーン１３１とは非接触な状態で通過している。導体エレメント１２２は、第１のプレーン１３１に対向し、第１のプレーン１３１に設けられた開口を通過した貫通ビア（接続部材１２３）と電気的に接続されている。

図６（Ｆ）乃至（Ｉ）に示した構造は、導体エレメント１２２を含んで形成されるマイクロストリップ線路がオープンスタブとして機能するオープンスタブ型のＥＢＧ構造の変形例である。詳細には、接続部材１２３はインダクタンスを形成している。そして、図６（Ｆ）及び（Ｈ）においては、導体エレメント１２２が、対向する第２のプレーン１１１と電気的に結合することで第２のプレーン１１１をリターンパスとするマイクロストリップ線路を形成している。また、図６（Ｇ）及び（Ｉ）においては、導体エレメント１２２が、対向する第１のプレーン１３１と電気的に結合することで第１のプレーン１３１をリターンパスとするマイクロストリップ線路を形成している。上記マイクロストリップ線路の一端はオープン端となっており、オープンスタブとして機能するように構成されている。

図６（Ｆ）乃至（Ｉ）に示した構造も、オープンスタブ型ＥＢＧ構造と同様に、平行平板を、上記オープンスタブと、上記インダクタンスからなる、直列共振回路でシャントした等価回路で表現することができ、上記直列共振回路の共振周波数がバンドギャップの中心周波数を与える。したがって、上記導体エレメント１２２を含んで形成されるオープンスタブのスタブ長を長くすることでバンドギャップ帯域を低周波化することができる。

また、マイクロストリップ線路を形成する導体エレメント１２２と対向するプレーン（１１１又は１３１）は近接していることが好ましい。なぜならば、導体エレメント１２２と対向プレーンの距離が近いほど、上記マイクロストリップ線路の特性インピーダンスが低くなり、バンドギャップ帯域を広帯域化することができるためである。ただし、導体エレメント１２２を対向するプレーンに近接させない場合でも、本発明の本質的な効果には何ら影響を与えない。

図６（Ｆ）乃至（Ｉ）で示した構成を採用することにより、接続部材１２３として貫通ビアを用いて、第１、第２の平行平板にＥＢＧ構造を製造することが可能となる。通常、非貫通ビアは層ごとにビアを加工してから積層するのに対して、貫通ビアは、全ての層を積層した後、ドリルで貫通スルーホールを形成し、スルーホール内面をめっきすることによって製造されるため、非貫通ビアを用いる場合と比べて、製造コストを低減することができる。

なお、図６では上記伝送線路の形状が螺旋状の場合を図示しているが、その形状はこれに限らなくてもよい。例えば、直線状であってもよいし、ミアンダ状であってもよい。

図７（Ａ）は、導体エレメント１２２の一例の上面図である。ここで図示する導体エレメント１２２は四角形の導体であって、開口を有している。その開口の中には、一端が当該開口の淵において導体エレメント１２２と電気的に接続され、他端は接続部材１２３に接続される螺旋状のインダクタが形成されている。図７（Ｂ）乃至（Ｉ）は、図７（Ａ）で図示した導体エレメント１２２を含む配線基板１００の要部を抽出した断面図である。

図７（Ｂ）では、導体エレメント１２２と電気的に接続されている接続部材１２３が第１のプレーン１３１と電気的に接続されている。図７（Ｃ）では、導体エレメント１２２と電気的に接続されている接続部材１２３が第２のプレーン１１１と電気的に接続されている。

図７（Ｄ）では、導体エレメント１２２が形成されるＢ層１２０は、第２のプレーン１１１が形成されるＡ層１１０（第２の層）を介して、第１のプレーン１３１が形成されるＣ層１３０（第１の層）と対向している。そして、接続部材１２３は第１のプレーン１３１と電気的に接続され、かつ第２のプレーン１１１に設けられた開口を第２のプレーン１１１とは非接触な状態で通過している。導体エレメント１２２は、第２のプレーン１１１に対向し、第２のプレーン１１１に設けられた開口を通過した接続部材１２３と電気的に接続されている。ここで説明した第２のプレーン１１１に設けられている開口は、その中を接続部材１２３が通過し、また当該開口に対向するように導体エレメント１２２が配されている。従って、当該開口からのノイズ漏洩を、実質的に防ぐことができる。

図７（Ｅ）では、導体エレメント１２２が形成されるＢ層１２０は、第１のプレーン１３１が形成されるＣ層１３０（第１の層）を介して、第２のプレーン１１１が形成されるＡ層１１０（第２の層）と対向している。そして、接続部材１２３は第２のプレーン１１１と電気的に接続され、かつ第１のプレーン１３１に設けられた開口を第１のプレーン１３１とは非接触な状態で通過している。導体エレメント１２２は、第１のプレーン１３１に対向し、第１のプレーン１３１に設けられた開口を通過した接続部材１２３と電気的に接続されている。ここで説明した第１のプレーン１３１に設けられている開口は、その中を接続部材１２３が通過し、また当該開口に対向するように導体エレメント１２２が配されている。従って、当該開口からのノイズ漏洩を、実質的に防ぐことができる。

上述した図７（Ｂ）乃至（Ｅ）の構造は、マッシュルーム型ＥＢＧ構造を基本として、マッシュルームのヘッド部分にインダクタを設けることでインダクタンスを増加させた、インダクタンス増加型のＥＢＧ構造である。詳細には、図７（Ｂ）及び（Ｄ）においては導体エレメント１２２がマッシュルームのヘッド部分に相当し、対向する第２のプレーン１１１との間でキャパシタンスを形成する。図７（Ｃ）及び（Ｅ）においては導体エレメント１２２がマッシュルームのヘッド部分に相当し、対向する第１のプレーン１３１との間でキャパシタンスを形成する。そして、接続部材１２３はマッシュルームの軸部分に相当し、導体エレメント１２２に設けられたインダクタと共にインダクタンスを形成している。

インダクタンス増加型ＥＢＧ構造は、平行平板を上記キャパシタンスと上記インダクタンスからなる直列共振回路でシャントした等価回路で表現することができ、上記直列共振回路の共振周波数がバンドギャップの中心周波数を与える。したがって、導体エレメント１２２を、キャパシタンスを形成するそれぞれの対向プレーンに接近させて、キャパシタンスを大きくする、又は、上記インダクタの長さを長くしてインダクタンスを大きくすることでバンドギャップ帯域を低周波化することができる。ただし、導体エレメント１２２を対向するプレーンに近接させない場合でも、本発明の本質的な効果には何ら影響を与えない。

図７（Ｆ）乃至（Ｉ）は、接続部材１２３が貫通ビアである例である。

図７（Ｆ）では、導体エレメント１２２と電気的に接続されている貫通ビア（接続部材１２３）が第１のプレーン１３１と電気的に接続され、第２のプレーン１１１の開口を第２のプレーン１１１とは非接触な状態で通過している。すなわち、貫通ビア（接続部材１２３）と第２のプレーン１１１とは絶縁されている。図７（Ｇ）では、導体エレメント１２２と電気的に接続されている貫通ビア（接続部材１２３）が第２のプレーン１１１と電気的に接続され、第１のプレーン１３１の開口を第１のプレーン１３１とは非接触な状態で通過している。すなわち、貫通ビア（接続部材１２３）と第１のプレーン１３１とは絶縁されている。

図７（Ｈ）では、導体エレメント１２２が形成されるＢ層１２０は、第２のプレーン１１１が形成されるＡ層１１０（第２の層）を介して、第１のプレーン１３１が形成されるＣ層１３０（第１の層）と対向している。そして、貫通ビア（接続部材１２３）は第１のプレーン１３１と電気的に接続され、かつ第２のプレーン１１１に設けられた開口を第２のプレーン１１１とは非接触な状態で通過している。導体エレメント１２２は、第２のプレーン１１１に対向し、第２のプレーン１１１に設けられた開口を通過した貫通ビア（接続部材１２３）と電気的に接続されている。

図７（Ｉ）では、導体エレメント１２２が形成されるＢ層１２０は、第１のプレーン１３１が形成されるＣ層１３０（第１の層）を介して、第２のプレーン１１１が形成されるＡ層１１０（第２の層）と対向している。そして、貫通ビア（接続部材１２３）は第２のプレーン１１１と電気的に接続され、かつ第１のプレーン１３１に設けられた開口を第１のプレーン１３１とは非接触な状態で通過している。導体エレメント１２２は、第１のプレーン１３１に対向し、第１のプレーン１３１に設けられた開口を通過した貫通ビア（接続部材１２３）と電気的に接続されている。

上述した図７（Ｆ）乃至（Ｉ）の構造は、マッシュルームのヘッド部分にインダクタを設けることでインダクタンスを増加させた、インダクタンス増加型のＥＢＧ構造の変形例である。詳細には、接続部材１２３はマッシュルームの軸部分に相当し、インダクタンスを形成している。そして、図７（Ｆ）及び（Ｈ）においては導体エレメント１２２がマッシュルームのヘッド部分に相当し、対向する第２のプレーン１１１との間でキャパシタンスを形成する。図７（Ｇ）および（Ｉ）においては導体エレメント１２２がマッシュルームのヘッド部分に相当し、対向する第１のプレーン１３１との間でキャパシタンスを形成する。

図７（Ｆ）乃至（Ｉ）の構造も、マッシュルーム型ＥＢＧ構造と同様に、平行平板を上記キャパシタンスと上記インダクタンスからなる直列共振回路でシャントした等価回路で表現することができ、上記直列共振回路の共振周波数がバンドギャップの中心周波数を与える。したがって、導体エレメント１２２を、キャパシタンスを形成するそれぞれの対向プレーンに接近させて、キャパシタンスを大きくする、又は上記インダクタの長さを長くしてインダクタンスを大きくすることでバンドギャップ帯域を低周波化することができる。ただし、導体エレメント１２２を対向するプレーンに近接させない場合でも、本発明の本質的な効果には何ら影響を与えない。

図７（Ｆ）乃至（Ｉ）で示した構成を採用することにより、貫通ビアを用いて第１、第２の平行平板にＥＢＧ構造を製造することが可能となる。通常、非貫通ビアは層ごとにビアを加工してから積層するのに対して、貫通ビアは、全ての層を積層した後、ドリルで貫通スルーホールを形成し、スルーホール内面をめっきすることによって製造されるため、非貫通ビアを用いる場合と比べて、製造コストを低減することができる。

なお、図７では上記インダクタの形状が螺旋状の場合を図示しているが、その形状はこれに限らなくてもよい。例えば、直線状であってもよいし、ミアンダ状であってもよい。

図５（Ｂ）及び（Ｃ）、図６（Ｂ）及び（Ｃ）、図７（Ｂ）及び（Ｃ）に示す例を用いる場合、第２のプレーン１１１及び第１のプレーン１３１に、接続部材１２３が通過する開口を設ける必要がない。なお、第２のプレーン１１１及び第１のプレーン１３１において、導体エレメント１２２と対向する領域を無孔とすると、当該領域からノイズが漏洩しないので好ましい。ここで、導体エレメント１２２と対向する領域に、抑制対象の周波数帯域のノイズ波長より十分に小さい直径の孔（開口）が空いている場合でも、無孔と見なしてよい。

また、図５（Ｄ）乃至（Ｉ）、図６（Ｄ）乃至（Ｉ）、図７（Ｄ）乃至（Ｉ）に示す例を用いる場合、第１のプレーン１３１もしくは第２のプレーン１１１は、接続部材１２３が通過する開口を有する。しかし、当該開口が、抑制対象の周波数帯域のノイズ波長より十分に小さい直径であれば、抑制対象のノイズが漏洩しないので、当該開口をこのように構成するのが望ましい。

図８（Ａ）は、導体エレメント１２２の一例の上面図である。ここで図示する導体エレメント１２２は四角形であって、接続部材１２３と電気的に接続されている。また、図８（Ｂ）は、接続部材１２３を介して導体エレメント１２２と電気的に接続されている第１のプレーン１３１又は第２のプレーン１１１の一例の一部（導体エレメント１２２と対向する領域）を抽出した上面図である。図８（Ｂ）に示す第１のプレーン１３１又は第２のプレーン１１１は開口を有し、当該開口の中に、一端は当該開口の淵において第１のプレーン１３１又は第２のプレーン１１１と電気的に接続され、他端は接続部材１２３と電気的に接続されている螺旋状のインダクタが形成されている。図８（Ｃ）乃至（Ｊ）は、図８（Ａ）及び（Ｂ）で図示した導体エレメント１２２と、第１のプレーン１３１又は第２のプレーン１１１とを含む配線基板１００の要部を抽出した断面図である。

図８（Ｃ）及び（Ｅ）では、導体エレメント１２２と電気的に接続されている接続部材１２３が、第１のプレーン１３１の開口に形成されるインダクタと電気的に接続されている。一方、図８（Ｄ）及び（Ｆ）では、導体エレメント１２２と電気的に接続されている接続部材１２３が、第２のプレーン１１１の開口に形成されるインダクタと電気的に接続されている。なお、図８（Ｅ）では、接続部材１２３は、第２のプレーン１１１の開口を第２のプレーン１１１とは非接触な状態で通過している。すなわち、接続部材１２３と第２のプレーン１１１とは絶縁されている。また、図８（Ｆ）では、接続部材１２３は、第１のプレーン１３１の開口を第１のプレーン１３１とは非接触な状態で通過している。すなわち、接続部材１２３と第１のプレーン１３１とは絶縁されている。

上述した図８（Ｃ）乃至（Ｆ）の構造は、マッシュルーム型ＥＢＧ構造を基本として、第１のプレーン１３１又は第２のプレーン１１１のどちらか一方にインダクタを設けることでインダクタンスを増加させた、インダクタンス増加型のＥＢＧ構造である。詳細には、図８（Ｃ）及び（Ｅ）においては導体エレメント１２２がマッシュルームのヘッド部分に相当し、対向する第２のプレーン１１１との間でキャパシタンスを形成する。そして、接続部材１２３はマッシュルームの軸部分に相当し、第１のプレーン１３１に設けられたインダクタと共にインダクタンスを形成している。一方、図８（Ｄ）及び（Ｆ）においては導体エレメント１２２がマッシュルームのヘッド部分に相当し、対向する第１のプレーン１３１との間でキャパシタンスを形成する。そして、接続部材１２３はマッシュルームの軸部分に相当し、第２のプレーン１１１に設けられたインダクタと共にインダクタンスを形成している。

インダクタンス増加型ＥＢＧ構造は、平行平板を上記キャパシタンスと上記インダクタンスからなる直列共振回路でシャントした等価回路で表現することができ、上記直列共振回路の共振周波数がバンドギャップの中心周波数を与える。したがって、導体エレメント１２２を、キャパシタンスを形成するそれぞれの対向プレーンに接近させて、キャパシタンスを大きくする、又は上記インダクタの長さを長くしてインダクタンスを大きくすることでバンドギャップ帯域を低周波化することができる。ただし、導体エレメント１２２を対向するプレーンに近接させない場合でも、本発明の本質的な効果には何ら影響を与えない。

図８（Ｇ）乃至（Ｊ）は、接続部材１２３が貫通ビアである例である。

図８（Ｇ）では、導体エレメント１２２と電気的に接続されている貫通ビア（接続部材１２３）が、第１のプレーン１３１の開口に形成されるインダクタを介して第１のプレーン１３１と電気的に接続されている。そして、貫通ビア（接続部材１２３）は、第２のプレーン１１１の開口を第２のプレーン１１１とは非接触な状態で通過している。すなわち、貫通ビア（接続部材１２３）と第２のプレーン１１１とは絶縁されている。

図８（Ｈ）では、導体エレメント１２２と電気的に接続されている貫通ビア（接続部材１２３）が、第２のプレーン１１１の開口に形成されるインダクタを介して第２のプレーン１１１と電気的に接続されている。そして、貫通ビア（接続部材１２３）は、第１のプレーン１３１の開口を第１のプレーン１３１とは非接触な状態で通過している。すなわち、貫通ビア（接続部材１２３）と第１のプレーン１３１とは絶縁されている。

図８（Ｉ）では、導体エレメント１２２が形成されるＢ層１２０は、第２のプレーン１１１が形成されるＡ層１１０（第２の層）を介して、第１のプレーン１３１が形成されるＣ層１３０（第１の層）と対向している。そして、貫通ビア（接続部材１２３）は、第１のプレーン１３１の開口に形成されるインダクタを介して第１のプレーン１３１と電気的に接続され、かつ第２のプレーン１１１に設けられた開口を第２のプレーン１１１とは非接触な状態で通過している。導体エレメント１２２は、第２のプレーン１１１に対向し、第２のプレーン１１１に設けられた開口を通過した貫通ビア（接続部材１２３）と電気的に接続されている。

図８（Ｊ）では、導体エレメント１２２が形成されるＢ層１２０は、第１のプレーン１３１が形成されるＣ層１３０（第１の層）を介して、第２のプレーン１１１が形成されるＡ層１１０（第２の層）と対向している。そして、貫通ビア（接続部材１２３）は、第２のプレーン１１１の開口に形成されるインダクタを介して第２のプレーン１１１と電気的に接続され、かつ第１のプレーン１３１に設けられた開口を第１のプレーン１３１とは非接触な状態で通過している。導体エレメント１２２は、第１のプレーン１３１に対向し、第１のプレーン１３１に設けられた開口を通過した貫通ビア（接続部材１２３）と電気的に接続されている。

上述した図８（Ｇ）乃至（Ｊ）の構造は、マッシュルーム型ＥＢＧ構造を基本として、第１のプレーン１３１又は第２のプレーン１１１のどちらか一方にインダクタを形成することでインダクタンスを増加させた、インダクタンス増加型のＥＢＧ構造の変形例である。詳細には、図８（Ｇ）及び（Ｉ）においては導体エレメント１２２がマッシュルームのヘッド部分に相当し、対向する第２のプレーン１１１との間でキャパシタンスを形成する。そして、接続部材１２３はマッシュルームの軸部分に相当し、第１のプレーン１３１に設けられたインダクタと共にインダクタンスを形成している。一方、図８（Ｈ）及び（Ｊ）においては導体エレメント１２２がマッシュルームのヘッド部分に相当し、対向する第１のプレーン１３１との間でキャパシタンスを形成する。そして、接続部材１２３はマッシュルームの軸部分に相当し、第２のプレーン１１１に設けられたインダクタと共にインダクタンスを形成している。

インダクタンス増加型ＥＢＧ構造は、平行平板を上記キャパシタンスと上記インダクタンスからなる直列共振回路でシャントした等価回路で表現することができ、上記直列共振回路の共振周波数がバンドギャップの中心周波数を与える。したがって、導体エレメント１２２を、キャパシタンスを形成するそれぞれの対向プレーンに接近させて、キャパシタンスを大きくする、又は上記インダクタの長さを長くしてインダクタンスを大きくすることでバンドギャップ帯域を低周波化することができる。ただし、導体エレメント１２２を対向するプレーンに近接させない場合でも、本発明の本質的な効果には何ら影響を与えない。なお、図８では上記インダクタの形状が螺旋状の場合を図示しているが、その形状はこれに限らなくてもよい。例えば、直線状であってもよいし、ミアンダ状であってもよい。

続いて説明する図９乃至１１は、導体エレメント１２２が、第１のプレーン１３１を有するＣ層１３０（第１の層）又は第２のプレーン１１１を有するＡ層１１０（第２の層）に配列される例である。すなわち、導体エレメント１２２と、第１のプレーン１３１または第２のプレーン１１１とが、同一の層に形成される例である。かかる例の場合、配線基板１００は上述した例より薄くすることができる。なお、図９乃至１１のいずれも、接続部材１２３を必要としない構成である。

図９（Ａ）は、第２のプレーン１１１の中に形成された導体エレメント１２２の一例の上面図である。第２のプレーン１１１は開口を有している。そして、導体エレメント１２２は、当該開口の中に形成される島状の導体（図９（Ａ）中、第２のプレーン１１１の中心に位置する四角形の導体）と、当該島状の導体と第２のプレーン１１１とを接続するインダクタと、から構成される。なお、図９（Ａ）において、当該インダクタは、当該島状の導体を螺旋状に囲うように図示しているが、その形状はこれに限らなくてもよい。例えば、当該インダクタは、直線状であってもよいし、ミアンダ状であってもよい。また、開口の中に形成される島状の導体（図９（Ａ）中、第２のプレーン１１１の中心に位置する四角形の導体）の形状、大きさ等は特段制限されず、あらゆる態様とすることができる。

図９（Ｂ）及び（Ｃ）は、図９（Ａ）で図示した導体エレメント１２２と、第２のプレーン１１１とを含む配線基板１００の要部を抽出した断面図である。図９（Ｂ）では、第２のプレーン１１１の中に形成された導体エレメント１２２が、第１のプレーン１３１と対向している。図９（Ｃ）は、第２のプレーン１１１を有するＡ層１１０（第２の層）と、第１のプレーン１３１を有するＣ層１３０（第１の層）との上下関係を逆にした態様である。なお、図９（Ｂ）及び（Ｃ）の構成における第１のプレーン１３１と第２のプレーン１１１とを逆にし、第１のプレーン１３１の中に形成された導体エレメント１２２が、第２のプレーン１１１と対向した構成とすることもできる。

上述した図９の構造は、マッシュルーム型ＥＢＧ構造の変形例であり、マッシュルームのヘッド部分と軸部分が、第１のプレーン１３１又は第２のプレーン１１１の開口に設けられることによって、ＥＢＧ構造を構成するために必要な層数を削減し、接続部材１２３を不要としている。詳細には、図９（Ｂ）及び（Ｃ）は第２のプレーン１１１の中に形成された導体エレメント１２２を構成する島状の導体（図９（Ａ）中、第２のプレーン１１１の中心に位置する四角形の導体）がマッシュルームのヘッド部分に相当し、対向する第１のプレーン１３１との間でキャパシタンスを形成する。また、導体エレメント１２２を構成するインダクタがマッシュルームの軸部分に相当し、インダクタンスを形成している。一方、図９（Ｂ）及び（Ｃ）の構成における第１のプレーン１３１と第２のプレーン１１１とを逆にし、第１のプレーン１３１の中に形成された導体エレメント１２２が、第２のプレーン１１１と対向した構成とした場合には、第１のプレーン１３１の中に形成された導体エレメント１２２を構成する島状の導体がマッシュルームのヘッド部分に相当し、対向する第２のプレーン１１１との間でキャパシタンスを形成する。また、導体エレメント１２２を構成するインダクタがマッシュルームの軸部分に相当し、インダクタンスを形成している。

図９の構造は、マッシュルーム型ＥＢＧ構造と同様に、平行平板を上記キャパシタンスと上記インダクタンスからなる直列共振回路でシャントした等価回路で表現することができ、上記直列共振回路の共振周波数がバンドギャップの中心周波数を与える。したがって、上記島状の導体（図９（Ａ）中、第２のプレーン１１１の中心に位置する四角形の導体）が配置された層を、キャパシタンスを形成する対向するプレーンに接近させて、キャパシタンスを大きくすることでバンドギャップ帯域を低周波化することができる。ただし、上記島状の導体が配置された層を対向する電源プレーンに近接させない場合でも、本発明の本質的な効果には何ら影響を与えない。

図１０（Ａ）は、第２のプレーン１１１の中に形成された導体エレメント１２２の一例の上面図である。第２のプレーン１１１は開口を有している。そして、導体エレメント１２２は、一端は当該開口の淵において第２のプレーン１１１と電気的に接続し、他端は第２のプレーン１１１と電気的に非接続であるオープン端である伝送線路である。なお、図１０（Ａ）において、当該伝送線路の形状は螺旋状として図示しているが、その形状はこれに限らなくてもよい。例えば、当該伝送線路は、直線状であってもよいし、ミアンダ状であってもよい。

図１０（Ｂ）及び（Ｃ）は、図１０（Ａ）で図示した導体エレメント１２２と、第２のプレーン１１１とを含む配線基板１００の要部を抽出した断面図である。図１０（Ｂ）では、第２のプレーン１１１の中に形成された導体エレメント１２２が、第１のプレーン１３１と対向している。図１０（Ｃ）は、第２のプレーン１１１を有するＡ層１１０（第２の層）と、第１のプレーン１３１を有するＣ層１３０（第１の層）との上下関係を逆にした態様である。なお、図１０（Ｂ）及び（Ｃ）の構成における第１のプレーン１３１と第２のプレーン１１１とを逆にし、第１のプレーン１３１の中に形成された導体エレメント１２２が、第２のプレーン１１１と対向した構成とすることもできる。

上述した図１０の構造は、オープンスタブ型のＥＢＧ構造の変形例であり、オープンスタブとして機能する伝送線路が第１のプレーン１３１又は第２のプレーン１１１の一方の開口に設けられることによってＥＢＧ構造を構成するために必要な層数を削減し、接続部材１２３を不要としている。詳細には、図１０（Ｂ）及び（Ｃ）は第２のプレーン１１１の中に形成された導体エレメント１２２が、対向する第１のプレーン１３１と電気的に結合することで第１のプレーン１３１をリターンパスとするマイクロストリップ線路を形成している。上記マイクロストリップ線路の一端はオープン端となっており、オープンスタブとして機能するように構成されている。一方、図１０（Ｂ）及び（Ｃ）の構成における第１のプレーン１３１と第２のプレーン１１１とを逆にし、第１のプレーン１３１の中に形成された導体エレメント１２２が、第２のプレーン１１１と対向した構成とした場合には、第１のプレーン１３１の中に形成された導体エレメント１２２が、対向する第２のプレーン１１１と電気的に結合することで第２のプレーン１１１をリターンパスとするマイクロストリップ線路を形成する。そして、上記マイクロストリップ線路の一端はオープン端となっており、オープンスタブとして機能するように構成されている。

オープンスタブ型ＥＢＧ構造は、平行平板を、上記オープンスタブと、上記インダクタンスからなる、直列共振回路でシャントした等価回路で表現することができ、上記直列共振回路の共振周波数がバンドギャップの中心周波数を与える。したがって、導体エレメント１２２を含んで形成されるオープンスタブのスタブ長を長くすることでバンドギャップ帯域を低周波化することができる。また、マイクロストリップ線路を形成する導体エレメント１２２と対向する電源プレーンは近接していることが好ましい。なぜならば、導体エレメントと電源プレーンの距離が近いほど、上記マイクロストリップ線路の特性インピーダンスが低くなり、バンドギャップ帯域を広帯域化することができるためである。ただし、導体エレメント１２２を対向する電源プレーンに近接させない場合でも、本発明の本質的な効果には何ら影響を与えない。

図１１（Ａ）は、第２のプレーン１１１の中に形成された導体エレメント１２２の一例の上面図である。導体エレメント１２２は、第２のプレーン１１１に形成される複数の島状の導体であって、隣接している島状の導体同士が電気的に接続されている。

図１１（Ｂ）及び（Ｃ）は、図１１（Ａ）で図示した導体エレメント１２２と、第２のプレーン１１１とを含む配線基板１００の要部を抽出した断面図である。

図１１（Ｂ）及び（Ｃ）では、第２のプレーン１１１（図示せず）の中に形成された導体エレメント１２２が、第１のプレーン１３１と対向している。図１１（Ｃ）は、第２のプレーン１１１を有するＡ層１１０（第２の層）と、第１のプレーン１３１を有するＣ層１３０（第１の層）との上下関係を逆にした態様である。なお、図１１（Ｂ）及び（Ｃ）の構成における第１のプレーン１３１と第２のプレーン１１１（図示せず）とを逆にし、第１のプレーン１３１の中に形成された導体エレメント１２２が、第２のプレーン１１１と対向した構成とすることもできる。

上述の図１１の構造は、隣接する島状の導体（導体エレメント１２２）間が電気的に結合することによりキャパシタンスを形成し、それら島状の導体（導体エレメント１２２）を電気的に接続している接続部がインダクタンスを形成することでＥＢＧ構造として機能する。図１１に示すＥＢＧ構造は、上記キャパシタンスと上記インダクタンスからなる並列共振回路の共振周波数がバンドギャップ帯域の中心周波数を与える。したがって、上記島状の導体（導体エレメント１２２）間の間隔を小さくして、キャパシタンスを大きくする、又は上記接続部の長さを長くしてインダクタンスを大きくすることでバンドギャップ帯域を低周波化することができる。

次に、本実施形態の効果について、図１を用いて説明する。

図１に示すように、電子素子１４１と島状分離された第１のプレーン１３１とが、接続部材１４２を介して電気的に接続されている配線基板１００の場合、接続部材１４２を介して電子素子１４１から第１のプレーン１３１に伝播されるノイズが、第１のプレーン１３１と第２のプレーン１１１で挟まれた領域で共振状態となる。そして、第１のプレーン１３１の端部において電圧の腹になることにより、端部において電界が最大となり、パッチアンテナと同種の働きをして空間にノイズが漏洩される恐れがある。

本実施形態の配線基板は、上記問題を解決可能に構成している。すなわち、本実施形態では、第１のプレーン１３１の端部より抑制したいノイズの周波数における波長の４分の１未満の領域にある導体エレメント配置領域１２１に少なくとも１つ以上の導体エレメント１２２が配置されている。また、接続部材１２３を有する形態の場合、配線基板を平面視した状態で、第１のプレーン１３１の端部より抑制したいノイズの周波数における波長の４分の１未満の領域に接続部材１２３が配置されている。すなわち、本実施形態の配線基板は、配線基板を平面視した状態で、第１のプレーン１３１の端部より抑制したいノイズの周波数における波長の４分の１未満の領域に、単位セルからなるＥＢＧ構造を配置している。かかる場合、抑制したいノイズの周波数においてＥＢＧ構造が直列共振を起こすこととなり、ＥＢＧ構造を配置した場所で第１のプレーン１３１と、第２のプレーン１１１とが短絡する。上記ＥＢＧ構造の作用により、接続部材１４２を介して電子素子１４１から第１のプレーン１３１に伝播されたノイズは、ＥＢＧ構造を配置した場所において電圧の節となる。電圧の節となったＥＢＧ構造を配置した場所は導体エレメント配置領域１２１にある。すなわち、電圧の節となったＥＢＧ構造を配置した場所は、第１のプレーン１３１の端部より波長の４分の１未満の場所に存在する。このため、第１のプレーン１３１の端部が電圧の腹にはならないので、ノイズが空間に漏洩するのを抑制できる。

また、本実施形態で構成されるＥＢＧ構造のバンドギャップ帯域に、電子素子１４１から発生するノイズの周波数を含めることによって、より高いノイズ抑制効果を得ることができる。

また、図１２の配線基板１５０のように電子素子１４１が複数の異なる互いに分離した第１のプレーン１３１、１３２、１３３と接続部材１４２、１４４、１４５と接続している場合でも、それぞれの第１のプレーン１３１、１３２、１３３の端部より抑制したいノイズの周波数の波長の４分の１未満に存在する導体エレメント配置領域１２１にそれぞれのプレーンで少なくとも１つの単位セルからなるＥＢＧ構造を配置することで、配線基板１００と同様の効果でノイズが空間に漏洩するのを抑制できる。なお、図１２は、図１の配線基板１００と同様の手法により配線基板１５０を示した図である。

このような本実施形態の配線基板１００によれば、回路設計の自由度を損なうことなく、任意の周波数近傍において電子素子が接続される島状分離されたプレーンがパッチアンテナと同種の働きをし、電磁漏洩が増加するのを抑制することができる。

また、本実施形態の配線基板１００によれば、回路設計の自由度を損なうことなく、任意の周波数近傍において電子素子が接続される島状分離されたプレーンとそれに隣接するプレーンとの間にできるスリットが、スロットアンテナと同種の働きをし、電磁漏洩が増加するのを抑制することができる。

なお、本実施形態の配線基板１００の所定位置に電子素子１４１を搭載した電子装置においても、同様の作用効果を実現することができる。本実施形態の配線基板１００の所定位置に電子素子１４１を搭載する手段は、従来技術に準じて実現することができる。

〔第２の実施形態〕
図１３（Ａ）及び（Ｂ）は、本発明の第２の実施形態に係る配線基板２００の上面図と断面図の一例である。より詳細には、図１３（Ａ）は配線基板２００の上面図であり、図１３（Ｂ）は図１３（Ａ）で示す一点鎖線における配線基板２００の断面図である。本実施形態の配線基板２００は、第１のプレーン２３１及び第２のプレーン２１１の上下の位置関係が異なる以外は、第１の実施形態に係る配線基板１００と同様の構成とすることができる。

図１３（Ａ）及び（Ｂ）に示す配線基板２００は、互いに対向するＡ層２１０、Ｂ層２２０及びＣ層２３０を少なくとも備える多層基板である。Ａ層２１０は、第２のプレーン２１１を有する。Ｂ層２２０は、導体エレメント２２２を有する。Ｃ層２３０は、第１のプレーン２３１を有する。そして、導体エレメント２２２と第１のプレーン２３１とは、接続部材２２３を介して電気的に接続されている。なお、配線基板２００は、上述の３つの層以外の層を備えても構わない。例えば、各層の間には絶縁層が位置してもよい。その他、各層の間には、絶縁層に信号線のみが埋め込まれた信号線層が位置してもよい。

また、配線基板２００は、本発明の構成に矛盾しない範囲で、図示しない孔やビア等を備えてもよい。さらに、Ａ層２１０、Ｂ層２２０、及びＣ層２３０の中のいずれか１つ以上の層において、本発明の構成に矛盾しない範囲で、信号線が配列されてもよい。

なお、図１３（Ａ）及び（Ｂ）において、電子素子２４１は破線で示される。これは、電子素子２４１が未実装であることを意味している。すなわち、配線基板２００の表面には、電子素子２４１を実装する予定領域が定められている。そして、配線基板２００は、電子素子２４１と、Ｃ層２３０に位置する第１のプレーン２３１とを電気的に接続する接続部材２４２を備える。さらに、配線基板２００は、電子素子２４１と、Ａ層２１０に位置する第２のプレーン２１１とを電気的に接続する接続部材２４３を備える。

配線基板２００は、これ以外にも電子素子２４１とプレーンもしくは線路と電気的に接続する接続部材を備えてもよい。例えば、信号線などと電気的に接続するような接続部材などである。ここで、電子素子２４１はＬＳＩ等の素子を想定している。配線基板２００に実装される電子素子２４１の数は単一であっても、複数であってもよい。

図１４は、図１３（Ａ）及び（Ｂ）に示す配線基板２００のＣ層２３０の平面図である。Ｃ層２３０（第１の層）は、島状分離している導電材料からなる第１のプレーン２３１（第１導体）を有する。

第１のプレーン２３１は、電子素子２４１と電気的に接続されている接続部材２４２、及び、導体エレメント２２２と電気的に接続されている接続部材２２３と電気的に接続される接続点を有する。また、第１のプレーン２３１は、接続部材２４３が非接触な状態で通過するための開口を有する。すなわち、第１のプレーン２３１と接続部材２４３とは絶縁されている。第１のプレーン２３１は、電源プレーン、又は、グラウンドプレーンである。なお、第１のプレーン２３１の形状、大きさ等は特段制限されず、従来技術に準じてあらゆる構成とすることができる。Ｃ層２３０において第１のプレーン２３１が形成されていない領域は、絶縁体であってもよいし、導体であってもよいし、それらが混合していてもよい。

図１５は、図１３（Ａ）及び（Ｂ）に示す配線基板２００のＢ層２２０の平面図である。Ｂ層２２０は、Ｃ層２３０とＡ層２１０との間に位置する。このようなＢ層２２０には、少なくとも１つ以上の導体エレメント２２２（第２導体）が、第１のプレーン２３１の端部に対向する位置から、抑制したいノイズの周波数における波長の４分の１未満の領域である導体エレメント配置領域２２１（第１の領域：図中斜線で示す領域）に配置される。なお、導体エレメント配置領域２２１は、上記条件を満たす領域であって、第１のプレーン２３１と対向する領域であってもよい。「抑制したいノイズ」とは、例えば、電子素子２４１から接続部材２４２を介して第１のプレーン２３１に伝播するノイズである。

ここで、導体エレメント２２２は島状の導体である。導体エレメント２２２の平面形状は特段制限されず、図示する四角形の他、三角形、五角形、その他の多角形であってもよいし、円形、楕円形等の形状であってもよい。また、導体エレメント２２２の数は特段制限されず、複数設けられてもよい。なお、複数設ける場合には、導体エレメント２２２は繰り返し、例えば所定間隔おきに周期的に配列されてもよい。Ｂ層２２０における導体エレメント２２２が配列されていない領域は絶縁体となっており、接続部材２４２と絶縁されている。

導体エレメント２２２は、接続部材２２３を介して、第１のプレーン２３１と電気的に接続されている。接続部材２２３は、配線基板２００を平面視した状態で、第１のプレーン２３１の端部に対向する位置から、抑制したいノイズの周波数における波長の４分の１未満の領域、例えば、当該条件を満たす領域であって、第１のプレーン２３１と対向する領域に配置される。図１３（Ｂ）において、接続部材２２３は、領域Ａ内に配置されている。

なお、ここでは接続部材２２３は、第１のプレーン２３１と導体エレメント２２２とを電気的に接続している形態を説明するが、接続部材２２３は、第１のプレーン２３１と導体エレメント２２２とを電気的に接続せず、第２のプレーン２１１と導体エレメント２２２とを電気的に接続する形態も存在する。また、接続部材２２３を設けない形態も存在する。このような形態については後述する。

図１６は、図１３（Ａ）及び（Ｂ）に示す配線基板２００のＡ層２１０を示す図である。第２のプレーン２１１（第３導体）は、シート状の導体であって、Ｃ層２３０より下位層であるＡ層２１０（第２の層）に位置し、導体エレメント配置領域２２１に対向する領域に延在している。すなわち、第２のプレーン２１１と導体エレメント２２２は、絶縁体の層を介して対向している。

第２のプレーン２１１は、電源プレーン、又は、グラウンドプレーンである。すなわち、第１のプレーン２３１が電源プレーンの場合、第２のプレーン２１１はグラウンドプレーンであり、第１のプレーン２３１がグラウンドプレーンの場合、第２のプレーン２１１は電源プレーンである。

接続部材２４３は、第１のプレーン２３１に設けられた開口を通過し、電子素子２４１と第２のプレーン２１１とを電気的に接続している。すなわち、接続部材２４３は、第１のプレーン２３１とは絶縁されている。

なお、Ａ層２１０において第２のプレーン２１１が形成されていない領域は、絶縁体であってもよいし、導体であってもよいし、それらが混合していてもよい。

ここで、本実施形態の配線基板２００の場合、電子素子２４１から接続部材２４２を介して第１のプレーン２３１に伝播するノイズが、第１のプレーン２３１がパッチアンテナと同種の働きをすることによって、空間に漏洩するという問題が発生し得る。

しかし、本実施形態の配線基板２００は、上記課題を解決可能に構成している。

すなわち、本実施形態の配線基板２００は、上記のように構成することによって、導体エレメント２２２と、第１のプレーン２３１と、第２のプレーン２１１と、接続部材２２３とにより、ＥＢＧ構造の単位セルを構成している。当該単位セルが少なくとも１つは存在するＥＢＧ構造によって、上記の第１のプレーン２３１がパッチアンテナと同種の働きをして伝播されるノイズを抑制することができる。

なお、上記のＥＢＧ構造の各々は、電子素子２４１によって発生するノイズの周波数をバンドギャップ帯域に含むことが望ましい。また、本実施形態の配線基板２００によって構成されるＥＢＧ構造の単位セルは、接続部材２２３を含む構造であるが、必ずしもこれに限らない。すなわち、配線基板２００は、第１のプレーン２３１と第２のプレーン２１１との中間層に必ずしも接続部材を形成しなくてもよい。配線基板２００に適用可能な種々のＥＢＧ構造の単位セルとしては、図５乃至１１で示した例を適用することができる。

なお、導体エレメント２２２と第１のプレーン２３１の間隔、導体エレメント２２２と第２のプレーン２１１の間隔、接続部材２２３の太さ、導体エレメント２２２の相互間隔などを調節することにより、所望のバンドギャップ帯域に設定することができる。

図１３乃至１６で図示した導体エレメント２２２や接続部材２２３の形状や位置は一例であり、ＥＢＧ構造を構成可能な範囲で多様な形態を採りうる。例えば、図５乃至１１で示した例を組み合わせることによって、構成可能である。

ここで、第２の実施形態の効果について説明する。本実施形態においては、島状分離した第１のプレーン２３１が、第２のプレーン２１１よりも上位層である配線基板２００について説明した。このような本実施形態の配線基板２００は、第１の実施形態の配線基板１００と同様の作用効果を実現することができる。

また、配線基板２００の所定位置に電子素子２４１を搭載した電子装置においても、同様の作用効果を実現することができる。本実施形態の配線基板２００の所定位置に電子素子２４１を搭載する手段は、従来技術に準じて実現することができる。

〔第３の実施形態〕
図１７（Ａ）及び（Ｂ）は、第３の実施形態の配線基板３００の上面図と断面図の一例である。より詳細には、図１７（Ａ）は配線基板３００の上面図であり、図１７（Ｂ）は図１７（Ａ）で示す一点鎖線における配線基板３００の断面図である。

図１７（Ａ）及び（Ｂ）に示す配線基板３００は、互いに対向するＡ層３１０、Ｂ層３２０、Ｃ層３３０、Ｄ層３４０、Ｅ層３５０を少なくとも備える多層基板である。Ａ層３１０は、第２のプレーン３１１を有する。Ｂ層３２０は、導体エレメント３２２を有する。Ｃ層３３０は、第１のプレーン３３１を有する。Ｄ層３４０は、導体エレメント３４２を有する。Ｅ層３５０は、第２のプレーン３５１を有する。そして、導体エレメント３２２と第１のプレーン３３１とは、接続部材３２３を介して電気的に接続している。また、導体エレメント３４２と第１のプレーン３３１とは、接続部材３４３を介して電気的に接続されている。なお、配線基板３００は、上述の５つの層以外の層を備えても構わない。例えば、各層の間には、絶縁層が位置してもよい。その他、各層の間には、絶縁層に信号線のみが埋め込まれた信号線層が位置してもよい。

また、配線基板３００は、本発明の構成に矛盾しない範囲で、図示しない孔やビア等を備えてもよい。さらに、Ａ層３１０、Ｂ層３２０、Ｃ層３３０、Ｄ層３４０、及び、Ｅ層３５０の中のいずれか１つ以上の層において、本発明の構成に矛盾しない範囲で、信号線が配列されてもよい。

なお、図１７（Ａ）及び（Ｂ）において、電子素子３６１は破線で示される。これは、電子素子３６１が未実装であることを意味している。すなわち、配線基板３００の表面には、電子素子３６１を実装する予定領域が定められている。そして、配線基板３００は、電子素子３６１と第１のプレーン３３１とを電気的に接続する接続部材３６２を備える。さらに、配線基板３００は、電子素子３６１とＡ層３１０に位置する第２のプレーン３１１とを電気的に接続する接続部材３６３、及び、電子素子３６１とＥ層３５０に位置する第２のプレーン３５１とを電気的に接続する接続部材３６４を備える。

配線基板３００は、これ以外にも電子素子３６１とプレーンもしくは線路とを電気的に接続する接続部材を備えてもよい。例えば、信号線などと電気的に接続するような接続部材などである。ここで、電子素子３６１はＬＳＩ等の素子を想定している。配線基板３００に実装される電子素子３６１の数は単一であっても、複数であってもよい。

なお、導体エレメント３２２と導体エレメント３４２とは、必ずしも平面視で重なる位置に配列されなくてもよく、平面視で不一致な位置に配列されてもよい。

図１８は、図１７（Ａ）及び（Ｂ）に示す配線基板３００のＣ層３３０の平面図である。Ｃ層３３０（第１の層）は、島状分離している導電材料からなる第１のプレーン３３１（第１導体）を有する。

第１のプレーン３３１は、接続部材３２３、接続部材３４３、及び、接続部材３６２と電気的に接続される接続点を有する。また、第１のプレーン３３１は、接続部材３６４が非接触な状態で通過するための開口を有する。すなわち、第１のプレーン３３１と接続部材３６４とは絶縁されている。第１のプレーン３３１は、電源プレーン、又は、グラウンドプレーンである。なお、第１のプレーン３３１の形状、大きさ等は特段制限されず、従来技術に準じてあらゆる構成とすることができる。Ｃ層３３０において第１のプレーン３３１が形成されていない領域は、絶縁体であってもよいし、導体であってもよいし、それらが混合していてもよい。

図１９（Ａ）は、図１７（Ａ）及び（Ｂ）に示す配線基板３００のＢ層３２０の平面図である。Ｂ層３２０は、Ｃ層３３０とＡ層３１０との間に位置する。このようなＢ層３２０には、少なくとも１つ以上の導体エレメント３２２（第２導体）が、第１のプレーン３３１の端部に対向する位置から、抑制したいノイズの周波数における波長の４分の１未満の位置までの領域である導体エレメント配置領域３２１（第１の領域：図中斜線で示す領域）に配置される。なお、導体エレメント配置領域３２１は、上記条件を満たす領域であって、第１のプレーン３３１と対向する領域であってもよい。「抑制したいノイズ」とは、例えば、電子素子３６１から接続部材３６２を介して第１のプレーン３３１に伝播するノイズである。

ここで、導体エレメント３２２は島状の導体である。導体エレメント３２２の平面形状は特段制限されず、図示する四角形の他、三角形、五角形、その他の多角形であってもよいし、円形、楕円形等の形状であってもよい。また、導体エレメント３２２の数は特段制限されず、複数設けられてもよい。なお、複数設ける場合には、導体エレメント３２２は繰り返し、例えば所定間隔おきに周期的に配列されてもよい。Ｂ層３２０における導体エレメント３２２が配列されていない領域は絶縁体となっており、接続部材３２３と絶縁されている。

導体エレメント３２２は、接続部材３２３を介して、第１のプレーン３３１と電気的に接続されている。接続部材３２３は、配線基板３００を平面視した状態で、第１のプレーン３３１の端部に対向する位置から、抑制したいノイズの周波数における波長の４分の１未満の領域、例えば、当該条件を満たす領域であって、第１のプレーン３３１と対向する領域に配置される。図１７（Ｂ）において、接続部材３２３は、領域Ａ内に配置されている。

なお、ここでは接続部材３２３は、第１のプレーン３３１と導体エレメント３２２とを電気的に接続している形態を説明するが、接続部材３２３は、第１のプレーン３３１と導体エレメント３２２とを電気的に接続せず、第２のプレーン３１１と導体エレメント３２２とを電気的に接続する形態も存在する。また、接続部材３２３を設けない形態も存在する。このような形態については後述する。

図１９（Ｂ）は、図１７（Ａ）及び（Ｂ）に示す配線基板３００のＤ層３４０の平面図である。Ｄ層３４０は、Ｃ層３３０とＥ層３５０との間に位置する。このようなＤ層３４０には、少なくとも１つ以上の導体エレメント３４２（第２導体）が、第１のプレーン３３１の端部に対向する位置から、抑制したいノイズの周波数における波長の４分の１未満の領域である導体エレメント配置領域３４１（第１の領域：図中斜線で示す領域）に配置される。なお、導体エレメント配置領域３４１は、上記条件を満たす領域であって、第１のプレーン３３１と対向する領域であってもよい。「抑制したいノイズ」とは、例えば、電子素子３６１から接続部材３６２を介して第１のプレーン３３１に伝播するノイズである。

ここで、導体エレメント３４２は島状の導体である。導体エレメント３４２の平面形状は特段制限されず、図示する四角形の他、三角形、五角形、その他の多角形であってもよいし、円形、楕円形等の形状であってもよい。また、導体エレメント３４２の数は特段制限されず、複数設けられてもよい。なお、複数設ける場合には、導体エレメント３４２は繰り返し、例えば所定間隔おきに周期的に配列されてもよい。Ｄ層３４０における導体エレメント３４２が配列されていない領域は絶縁体となっており、接続部材３４３と絶縁されている。

導体エレメント３４２は、接続部材３４３を介して、第１のプレーン３３１と電気的に接続されている。接続部材３４３は、配線基板３００を平面視した状態で、第１のプレーン３３１の端部に対向する位置から、抑制したいノイズの周波数における波長の４分の１未満の領域、例えば、当該条件を満たす領域であって、第１のプレーン３３１と対向する領域に配置される。図１７（Ｂ）において、接続部材３４３は、領域Ａ内に配置されている。

なお、ここでは接続部材３４３は、第１のプレーン３３１と導体エレメント３４２とを電気的に接続している形態を説明するが、接続部材３４３は、第１のプレーン３３１と導体エレメント３４２とを電気的に接続せず、第２のプレーン３５１と導体エレメント３４２とを電気的に接続する形態も存在する。また、接続部材３４３を設けない形態も存在する。このような形態については後述する。

図２０（Ａ）は、図１７（Ａ）及び（Ｂ）に示す配線基板３００のＡ層３１０を示す図である。第２のプレーン３１１（第３導体）は、シート状の導体であって、Ｃ層３３０より上位層であるＡ層３１０（第２の層）に位置し、導体エレメント配置領域３２１に対向する領域に延在している。すなわち、第２のプレーン３１１と導体エレメント３２２は、絶縁体の層を介して対向している。

第２のプレーン３１１は、電源プレーン、又は、グラウンドプレーンである。すなわち、第１のプレーン３３１が電源プレーンの場合、第２のプレーン３１１はグラウンドプレーンであり、第１のプレーン３３１がグラウンドプレーンの場合、第２のプレーン３１１は電源プレーンである。

接続部材３６２は、第２のプレーン３１１に設けられた開口を通過し、電子素子３６１と第１のプレーン３３１とを電気的に接続している。すなわち、接続部材３６２は、第２のプレーン３１１とは絶縁されている。また、接続部材３６３は、電子素子３６１と第２のプレーン３１１とを電気的に接続している。なお、Ａ層３１０において第２のプレーン３１１が形成されていない領域は、絶縁体であってもよいし、導体であってもよいし、それらが混合していてもよい。

図２０（Ｂ）は、図１７（Ａ）及び（Ｂ）に示す配線基板３００のＥ層３５０を示す図である。第２のプレーン３５１（第３導体）は、シート状の導体であって、Ｃ層３３０より下位層であるＥ層３５０（第２の層）に位置し、導体エレメント配置領域３４１に対向する領域に延在している。すなわち、第２のプレーン３５１と導体エレメント３２２は、絶縁体の層を介して対向している。

第２のプレーン３５１は、電源プレーン、又は、グラウンドプレーンである。すなわち、第１のプレーン３３１が電源プレーンの場合、第２のプレーン３５１はグラウンドプレーンであり、第１のプレーン３３１がグラウンドプレーンの場合、第２のプレーン３５１は電源プレーンである。

接続部材３６４は、第１のプレーン３３１に設けられた開口を第１のプレーン３３１とは非接触な状態で通過し、電子素子３６１と第２のプレーン３５１とを電気的に接続している。すなわち、接続部材３６４は、第１のプレーン３３１とは絶縁されている。なお、Ｅ層３５０において第２のプレーン３５１が形成されていない領域は、絶縁体であってもよいし、導体であってもよいし、それらが混合していてもよい。

ここで、本実施形態の配線基板３００の場合、電子素子３６１から接続部材３６２を介して第１のプレーン３３１に伝播するノイズが、第１のプレーン３３１がパッチアンテナと同種の働きをすることによって、空間に漏洩するという問題が発生し得る。

しかし、本実施形態の配線基板３００は、上記問題を解決可能に構成している。

すなわち、本実施形態の配線基板３００は、上記のように構成することによって、導体エレメント３２２と、第１のプレーン３３１と、第２のプレーン３１１と、接続部材３２３とにより、ＥＢＧ構造の単位セルを構成している。また、導体エレメント３４２と、第１のプレーン３３１と、第２のプレーン３５１と、接続部材３４３とにより、ＥＢＧ構造の単位セルを構成している。当該単位セルが少なくとも１つは存在するＥＢＧ構造によって、上記の第１のプレーン３３１がパッチアンテナと同種の働きをして伝播されるノイズを抑制することができる。なお、上記のＥＢＧ構造の各々は、電子素子３６１によって発生するノイズの周波数をバンドギャップ帯域に含むことが望ましい。また、本実施形態の配線基板３００によって構成されるＥＢＧ構造の単位セルは、接続部材３２３を含む構造であるが、必ずしもこれに限らない。すなわち、配線基板３００は、第１のプレーン３３１と第２のプレーン３１１との中間層又は第１のプレーン３３１と第２のプレーン３５１との中間層に必ずしも接続部材を形成しなくてもよい。配線基板３００に適用可能な種々のＥＢＧ構造の単位セルについては、後述する。

ここで、単位セルとはＥＢＧ構造を構成する最小単位のことであって、配線基板３００は、導体エレメント配置領域３２１、３４１にそれぞれ少なくとも一つの単位セルを備えることによって、第１のプレーン３３１の端部が高周波電流の節、電圧の腹になることを阻止し、パッチアンテナと同種の働きをするのを防ぐことでノイズ漏洩を抑制している。

なお、導体エレメント３２２と第１のプレーン３３１の間隔、導体エレメント３４２と第１のプレーン３３１の間隔、導体エレメント３２２と第２のプレーン３１１の間隔、導体エレメント３２２と第２のプレーン３５１の間隔、接続部材３２３及び３４３の太さ、導体エレメント３２２の相互間隔及び導体エレメント３４２の相互間隔などを調節することにより、所望のバンドギャップ帯域に設定することができる。

ここで、図１７乃至２０で図示した導体エレメント３２２及び３４２、接続部材３２３及び３４３、第１のプレーン３３１、第２のプレーン３１１及び３５１の形状や位置は一例であり、ＥＢＧ構造を構成可能な範囲で多様な形態を採りうる。

図２１乃至２７は、導体エレメント３２２及び３４２、接続部材３２３及び３４３、第１のプレーン３３１、第２のプレーン３１１及び３５１の形状や位置について例示する図である。なお、図２１乃至２７は、単一の導体エレメント３２２又は単一の導体エレメント３４２に着目し、その周囲を拡大して図示している。図２１乃至２７で例示する構造は、それぞれ単一又は複数の単位セルを構成しており、配線基板３００は、これらの単位セルのいずれか、又は複数の組み合わせを備えるものとする。

図２１（Ａ）は、導体エレメント３２２及び３４２の一例の上面図である。ここで図示する導体エレメント３２２及び３４２は四角形であって、接続部材３２３及び３４３と電気的に接続されている。図２１（Ｂ）〜図２１（Ｈ）は、図２１（Ａ）で図示した導体エレメント３２２及び３４２を含む配線基板３００の要部を抽出した断面図である。

図２１（Ｂ）では、第２のプレーン３１１が形成されるＡ層３１０（第２の層）、導体エレメント３２２が形成されるＢ層３２０、第１のプレーン３３１が形成されるＣ層３３０（第１の層）、導体エレメント３４２が形成されるＤ層３４０、第２のプレーン３５１が形成されるＥ層３５０（第２の層）がこの順に積層されている。そして、導体エレメント３２２と電気的に接続されている接続部材３２３及び導体エレメント３４２と電気的に接続されている接続部材３４３が第１のプレーン３３１と電気的に接続されており、図１７乃至２０を用いて説明した構成と同等である。

図２１（Ｃ）では、第２のプレーン３１１が形成されるＡ層３１０（第２の層）、導体エレメント３２２が形成されるＢ層３２０、第１のプレーン３３１が形成されるＣ層３３０（第１の層）、導体エレメント３４２が形成されるＤ層３４０、第２のプレーン３５１が形成されるＥ層３５０（第２の層）がこの順に積層されている。そして、導体エレメント３２２と電気的に接続されている接続部材３２３が第２のプレーン３１１と電気的に接続され、導体エレメント３４２と電気的に接続されている接続部材３４３が第２のプレーン３５１と電気的に接続されている。

図２１（Ｄ）では、第２のプレーン３１１が形成されるＡ層３１０（第２の層）、導体エレメント３２２が形成されるＢ層３２０、第１のプレーン３３１が形成されるＣ層３３０（第１の層）、導体エレメント３４２が形成されるＤ層３４０、第２のプレーン３５１が形成されるＥ層３５０（第２の層）がこの順に積層されている。そして、導体エレメント３２２と電気的に接続されている接続部材３２３が第１のプレーン３３１と電気的に接続され、導体エレメント３４２と電気的に接続されている接続部材３４３が第２のプレーン３５１と電気的に接続されている。

図２１（Ｅ）では、導体エレメント３２２が形成されるＢ層３２０、第２のプレーン３１１が形成されるＡ層３１０（第２の層）、第１のプレーン３３１が形成されるＣ層３３０（第１の層）、第２のプレーン３５１が形成されるＥ層３５０（第２の層）、導体エレメント３４２が形成されるＤ層３４０がこの順に積層されている。そして、導体エレメント３２２と電気的に接続されている接続部材３２３は、第２のプレーン３１１に設けられた開口を第２のプレーン３１１とは非接触な状態で通過し、第１のプレーン３３１と電気的に接続されている。すなわち、接続部材３２３は、第２のプレーン３１１と絶縁されている。また、導体エレメント３４２と電気的に接続されている接続部材３４３は、第２のプレーン３５１に設けられた開口を第２のプレーン３５１とは非接触な状態で通過し、第１のプレーン３３１と電気的に接続されている。すなわち、接続部材３４３は、第２のプレーン３５１と絶縁されている。

なお、ここで説明した第２のプレーン３１１及び３５１に設けられている開口は、その中を接続部材３２３及び３４３が通過し、また当該開口に対向するように導体エレメント３２２及び３４２が配されている。従って、当該開口からのノイズ漏洩を、実質的に防ぐことができる。

上述した図２１（Ｂ）乃至（Ｅ）の構造は、いわゆるマッシュルーム型のＥＢＧ構造である。詳細には、接続部材３２３及び３４３はマッシュルームの軸部分に相当し、インダクタンスを形成している。そして、図２１（Ｂ）及び（Ｅ）においては導体エレメント３２２及び３４２がマッシュルームのヘッド部分に相当し、それぞれ対向する第２のプレーン３１１及び３５１との間でキャパシタンスを形成する。また図２１（Ｃ）においては導体エレメント３２２及び３４２がマッシュルームのヘッド部分に相当し、それぞれ対向する第１のプレーン３３１との間でキャパシタンスを形成する。また図２１（Ｄ）においては導体エレメント３２２、３４２がマッシュルームのヘッド部分に相当し、それぞれ対向する第２のプレーン３１１及び第１のプレーン３３１との間でキャパシタンスを形成する。

マッシュルーム型ＥＢＧ構造は、平行平板を上記キャパシタンスと上記インダクタンスからなる直列共振回路でシャントした等価回路で表現することができ、上記直列共振回路の共振周波数がバンドギャップの中心周波数を与える。したがって、導体エレメント３２２及び３４２を、キャパシタンスを形成するそれぞれの対向プレーンに接近させて、キャパシタンスを大きくすることでバンドギャップ帯域を低周波化することができる。ただし、導体エレメント３２２及び３４２を対向するプレーンに近接させない場合でも、本発明の本質的な効果には何ら影響を与えない。

図２１（Ｆ）乃至（Ｈ）は、接続部材３２３及び３４３が貫通ビアである例である。

図２１（Ｆ）では、第２のプレーン３１１が形成されるＡ層３１０（第２の層）、導体エレメント３２２が形成されるＢ層３２０、第１のプレーン３３１が形成されるＣ層３３０（第１の層）、導体エレメント３４２が形成されるＤ層３４０、第２のプレーン３５１が形成されるＥ層３５０（第２の層）がこの順に積層されている。そして、貫通ビア（接続部材３２３及び３４３）は、第２のプレーン３１１及び３５１に設けられた開口を第２のプレーン３１１及び３５１とは非接触な状態で通過するとともに、第１のプレーン３３１と電気的に接続されている。すなわち、貫通ビア（接続部材３２３及び３４３）は、第２のプレーン３１１及び３５１とは絶縁されている。

図２１（Ｇ）では、第２のプレーン３１１が形成されるＡ層３１０（第２の層）、導体エレメント３２２が形成されるＢ層３２０、第１のプレーン３３１が形成されるＣ層３３０（第１の層）、導体エレメント３４２が形成されるＤ層３４０、第２のプレーン３５１が形成されるＥ層３５０（第２の層）がこの順に積層されている。そして、貫通ビア（接続部材３２３及び３４３）は、第１のプレーン３３１に設けられた開口を第１のプレーン３３１とは非接触な状態で通過するとともに、第２のプレーン３１１及び３５１と電気的に接続されている。すなわち、貫通ビア（接続部材３２３及び３４３）は、第１のプレーン３３１とは絶縁されている。

図２１（Ｈ）では、導体エレメント３２２が形成されるＢ層３２０、第２のプレーン３１１が形成されるＡ層３１０（第２の層）、第１のプレーン３３１が形成されるＣ層３３０（第１の層）、第２のプレーン３５１が形成されるＥ層３５０（第２の層）、導体エレメント３４２が形成されるＤ層３４０がこの順に積層されている。そして、貫通ビア（接続部材３２３及び３４３）は、第２のプレーン３１１及び３５１に設けられた開口を第２のプレーン３１１及び３５１とは非接触な状態で通過するとともに、第１のプレーン３３１と電気的に接続されている。すなわち、貫通ビア（接続部材３２３及び３４３）は、第２のプレーン３１１及び３５１とは絶縁されている。

上述した図２１（Ｆ）乃至（Ｈ）の構造は、マッシュルーム型ＥＢＧ構造を変形させた例である。詳細には、貫通ビア（接続部材３２３及び３４３）はマッシュルームの軸部分に相当し、インダクタンスを形成している。そして、図２１（Ｆ）及び（Ｈ）においては導体エレメント３２２及び３４２がマッシュルームのヘッド部分に相当し、それぞれ対向する第２のプレーン３１１及び３５１との間でキャパシタンスを形成する。また図２１（Ｇ）においては導体エレメント３２２及び３４２がマッシュルームのヘッド部分に相当し、それぞれ対向する第１のプレーン３１１との間でキャパシタンスを形成する。

図２１（Ｆ）乃至（Ｈ）の構造も、マッシュルーム型ＥＢＧ構造と同様に、平行平板を上記キャパシタンスと上記インダクタンスからなる直列共振回路でシャントした等価回路で表現することができ、上記直列共振回路の共振周波数がバンドギャップの中心周波数を与える。したがって、導体エレメント３２２及び３４２を、キャパシタンスを形成するそれぞれの対向プレーンに接近させて、キャパシタンスを大きくすることでバンドギャップ帯域を低周波化することができる。ただし、導体エレメント３２２及び３４２を対向するプレーンに近接させない場合でも、本発明の本質的な効果には何ら影響を与えない。

図２１（Ｆ）乃至（Ｈ）で示した構成を採用することにより、貫通ビアを用い導体エレメント配置領域３２１及び３４１にＥＢＧ構造を製造することが可能となる。通常、非貫通ビアは層ごとにビアを加工してから積層するのに対して、貫通ビアは、全ての層を積層した後、ドリルで貫通スルーホールを形成し、スルーホール内面をめっきすることによって製造されるため、非貫通ビアを用いる場合と比べて、製造コストを低減することができる。

図２２（Ａ）は、導体エレメント３２２及び３４２の一例の上面図である。ここで図示する導体エレメント３２２及び３４２は平面方向に形成される螺旋状の伝送線路であって、一端は接続部材３２３又は３４３に接続され、他端はオープン端となっている。図２２（Ｂ）乃至（Ｈ）は、図２２（Ａ）で図示した導体エレメント３２２及び３４２を含む配線基板３００の要部を抽出した断面図である。

図２２（Ｂ）では、第２のプレーン３１１が形成されるＡ層３１０（第２の層）、導体エレメント３２２が形成されるＢ層３２０、第１のプレーン３３１が形成されるＣ層３３０（第１の層）、導体エレメント３４２が形成されるＤ層３４０、第２のプレーン３５１が形成されるＥ層３５０（第２の層）がこの順に積層されている。そして、導体エレメント３２２と電気的に接続されている接続部材３２３及び導体エレメント３４２と電気的に接続されている接続部材３４３が第１のプレーン３３１と電気的に接続されている。

図２２（Ｃ）では、第２のプレーン３１１が形成されるＡ層３１０（第２の層）、導体エレメント３２２が形成されるＢ層３２０、第１のプレーン３３１が形成されるＣ層３３０（第１の層）、導体エレメント３４２が形成されるＤ層３４０、第２のプレーン３５１が形成されるＥ層３５０（第２の層）がこの順に積層されている。そして、導体エレメント３２２と電気的に接続されている接続部材３２３が第２のプレーン３１１と電気的に接続され、導体エレメント３４２と電気的に接続されている接続部材３４３が第２のプレーン３５１と電気的に接続されている。

図２２（Ｄ）では、第２のプレーン３１１が形成されるＡ層３１０（第２の層）、導体エレメント３２２が形成されるＢ層３２０、第１のプレーン３３１が形成されるＣ層３３０（第１の層）、導体エレメント３４２が形成されるＤ層３４０、第２のプレーン３５１が形成されるＥ層３５０（第２の層）がこの順に積層されている。そして、導体エレメント３２２と電気的に接続されている接続部材３２３が第１のプレーン３３１と電気的に接続され、導体エレメント３４２と電気的に接続されている接続部材３４３が第２のプレーン３５１と電気的に接続されている。

図２２（Ｅ）では、導体エレメント３２２が形成されるＢ層３２０、第２のプレーン３１１が形成されるＡ層３１０（第２の層）、第１のプレーン３３１が形成されるＣ層３３０（第１の層）、第２のプレーン３５１が形成されるＥ層３５０（第２の層）、導体エレメント３４２が形成されるＤ層３４０がこの順に積層されている。そして、導体エレメント３２２と電気的に接続されている接続部材３２３は、第２のプレーン３１１に設けられた開口を第２のプレーン３１１とは非接触な状態で通過し、第１のプレーン３３１と電気的に接続されている。すなわち、接続部材３２３は、第２のプレーン３１１と絶縁されている。また、導体エレメント３４２と電気的に接続されている接続部材３４３は、第２のプレーン３５１に設けられた開口を第２のプレーン３５１とは非接触な状態で通過し、第１のプレーン３３１と電気的に接続されている。すなわち、接続部材３４３は、第２のプレーン３５１と絶縁されている。

図２２（Ｂ）乃至（Ｅ）に示した構造は、導体エレメント３２２又は３４２を含んで形成されるマイクロストリップ線路がオープンスタブとして機能するオープンスタブ型のＥＢＧ構造である。詳細には、接続部材３２３及び３４３はインダクタンスを形成している。そして、図２２（Ｂ）及び（Ｅ）においては導体エレメント３２２及び３４２が、それぞれ対向する第２のプレーン３１１又は３５１と電気的に結合することで、第２のプレーン３１１又は３５１をリターンパスとするマイクロストリップ線路を形成している。また、図２２（Ｃ）においては導体エレメント３２２及び３４２が、それぞれ対向する第１のプレーン３３１と電気的に結合することで第１のプレーン３３１をリターンパスとするマイクロストリップ線路を形成している。また、図２２（Ｄ）においては導体エレメント３２２が、対向する第２のプレーン３１１と電気的に結合することで、第２のプレーン３１１をリターンパスとするマイクロストリップ線路を形成し、導体エレメント３４２が、対向する第１のプレーン３３１と電気的に結合することで、第１のプレーン３３１をリターンパスとするマイクロストリップ線路を形成している。前記マイクロストリップ線路の一端はオープン端となっており、オープンスタブとして機能するように構成されている。

オープンスタブ型ＥＢＧ構造は、平行平板を、上記オープンスタブと、上記インダクタンスからなる、直列共振回路でシャントした等価回路で表現することができ、上記直列共振回路の共振周波数がバンドギャップの中心周波数を与える。したがって、導体エレメント３２２又は３４２を含んで形成されるオープンスタブのスタブ長を長くすることでバンドギャップ帯域を低周波化することができる。

また、マイクロストリップ線路を形成する導体エレメント３２２又は３４２と対向するプレーンは近接していることが好ましい。なぜならば、導体エレメントと対向プレーンの距離が近いほど、上記マイクロストリップ線路の特性インピーダンスが低くなり、バンドギャップ帯域を広帯域化することができるためである。ただし、導体エレメント３２２及び３４２を対向するプレーンに近接させない場合でも、本発明の本質的な効果には何ら影響を与えない。

図２２（Ｆ）乃至（Ｈ）は、接続部材３２３及び３４３が貫通ビアである例である。

図２２（Ｆ）では、第２のプレーン３１１が形成されるＡ層３１０（第２の層）、導体エレメント３２２が形成されるＢ層３２０、第１のプレーン３３１が形成されるＣ層３３０（第１の層）、導体エレメント３４２が形成されるＤ層３４０、第２のプレーン３５１が形成されるＥ層３５０（第２の層）がこの順に積層されている。そして、貫通ビア（接続部材３２３及び３４３）は、第２のプレーン３１１及び３５１に設けられた開口を第２のプレーン３１１及び３５１とは非接触な状態で通過するとともに、第１のプレーン３３１と電気的に接続されている。すなわち、貫通ビア（接続部材３２３及び３４３）は、第２のプレーン３１１及び３５１とは絶縁されている。

図２２（Ｇ）では、第２のプレーン３１１が形成されるＡ層３１０（第２の層）、導体エレメント３２２が形成されるＢ層３２０、第１のプレーン３３１が形成されるＣ層３３０（第１の層）、導体エレメント３４２が形成されるＤ層３４０、第２のプレーン３５１が形成されるＥ層３５０（第２の層）がこの順に積層されている。そして、貫通ビア（接続部材３２３及び３４３）は、第１のプレーン３３１に設けられた開口を第１のプレーン３３１とは非接触な状態で通過するとともに、第２のプレーン３１１及び３５１と電気的に接続されている。すなわち、貫通ビア（接続部材３２３及び３４３）は、第１のプレーン３３１とは絶縁されている。

図２２（Ｈ）では、導体エレメント３２２が形成されるＢ層３２０、第２のプレーン３１１が形成されるＡ層３１０（第２の層）、第１のプレーン３３１が形成されるＣ層３３０（第１の層）、第２のプレーン３５１が形成されるＥ層３５０（第２の層）、導体エレメント３４２が形成されるＤ層３４０がこの順に積層されている。そして、貫通ビア（接続部材３２３及び３４３）は、第２のプレーン３１１及び３５１に設けられた開口を第２のプレーン３１１及び３５１とは非接触な状態で通過するとともに、第１のプレーン３３１と電気的に接続されている。すなわち、貫通ビア（接続部材３２３及び３４３）は、第２のプレーン３１１及び３５１とは絶縁されている。

図２２（Ｆ）乃至（Ｈ）に示した構造は、導体エレメント３２２又は３４２を含んで形成されるマイクロストリップ線路がオープンスタブとして機能するオープンスタブ型のＥＢＧ構造の変形例である。詳細には、貫通ビア（接続部材３２３及び３４３）は、インダクタンスを形成している。そして、図２２（Ｆ）及び（Ｈ）においては導体エレメント３２２及び３４２が、それぞれ対向する第２のプレーン３１１及び３５１と電気的に結合することで、第２のプレーン３１１及び３５１をリターンパスとするマイクロストリップ線路を形成している。また、図２２（Ｇ）においては導体エレメント３２２及び３４２が、対向する第１のプレーン３３１と電気的に結合することで第１のプレーン３３１をリターンパスとするマイクロストリップ線路を形成している。上記マイクロストリップ線路の一端はオープン端となっており、オープンスタブとして機能するように構成されている。

図２２（Ｆ）乃至（Ｈ）に示した構造も、オープンスタブ型ＥＢＧ構造と同様に、平行平板を、上記オープンスタブと、上記インダクタンスからなる、直列共振回路でシャントした等価回路で表現することができ、上記直列共振回路の共振周波数がバンドギャップの中心周波数を与える。したがって、導体エレメント３２２又は３４２を含んで形成されるオープンスタブのスタブ長を長くすることでバンドギャップ帯域を低周波化することができる。

また、マイクロストリップ線路を形成する導体エレメント３２２及び３４２と対向するプレーンは近接していることが好ましい。なぜならば、導体エレメントと対向プレーンの距離が近いほど、マイクロストリップ線路の特性インピーダンスが低くなり、バンドギャップ帯域を広帯域化することができるためである。ただし、導体エレメント３２２及び３４２を対向するプレーンに近接させない場合でも、本発明の本質的な効果には何ら影響を与えない。

図２２（Ｆ）乃至（Ｈ）で示した構成を採用することにより、貫通ビアを用いて第１、第２の平行平板にＥＢＧ構造を製造することが可能となる。通常、非貫通ビアは層ごとにビアを加工してから積層するのに対して、貫通ビアは、全ての層を積層した後、ドリルで貫通スルーホールを形成し、スルーホール内面をめっきすることによって製造されるため、非貫通ビアを用いる場合と比べて、製造コストを低減することができる。

なお、図２２では上記伝送線路の形状が螺旋状の場合を図示しているが、その形状はこれに限らなくてもよい。例えば、直線状であってもよいし、ミアンダ状であってもよい。

図２３（Ａ）は、導体エレメント３２２及び３４２の一例の上面図である。ここで図示する導体エレメント３２２及び３４２は四角形の導体であって、開口を有している。その開口の中には、一端が当該開口の淵において導体エレメント３２２及び３４２と電気的に接続され、他端は接続部材３２３又は３４３に接続される螺旋状のインダクタが形成されている。図２３（Ｂ）乃至（Ｈ）は、図２３（Ａ）で図示した導体エレメント３２２及び３４２を含む配線基板３００の要部を抽出した断面図である。

図２３（Ｂ）では、第２のプレーン３１１が形成されるＡ層３１０（第２の層）、導体エレメント３２２が形成されるＢ層３２０、第１のプレーン３３１が形成されるＣ層３３０（第１の層）、導体エレメント３４２が形成されるＤ層３４０、第２のプレーン３５１が形成されるＥ層３５０（第２の層）がこの順に積層されている。そして、導体エレメント３２２と電気的に接続されている接続部材３２３及び導体エレメント３４２と電気的に接続されている接続部材３４３が第１のプレーン３３１と電気的に接続されている。

図２３（Ｃ）では、第２のプレーン３１１が形成されるＡ層３１０（第２の層）、導体エレメント３２２が形成されるＢ層３２０、第１のプレーン３３１が形成されるＣ層３３０（第１の層）、導体エレメント３４２が形成されるＤ層３４０、第２のプレーン３５１が形成されるＥ層３５０（第２の層）がこの順に積層されている。そして、導体エレメント３２２と電気的に接続されている接続部材３２３が第２のプレーン３１１と電気的に接続され、導体エレメント３４２と電気的に接続されている接続部材３４３が第２のプレーン３５１と電気的に接続されている。

図２３（Ｄ）では、第２のプレーン３１１が形成されるＡ層３１０（第２の層）、導体エレメント３２２が形成されるＢ層３２０、第１のプレーン３３１が形成されるＣ層３３０（第１の層）、導体エレメント３４２が形成されるＤ層３４０、第２のプレーン３５１が形成されるＥ層３５０（第２の層）がこの順に積層されている。そして、導体エレメント３２２と電気的に接続されている接続部材３２３が第１のプレーン３３１と電気的に接続され、導体エレメント３４２と電気的に接続されている接続部材３４３が第２のプレーン３５１と電気的に接続されている。

図２３（Ｅ）では、導体エレメント３２２が形成されるＢ層３２０、第２のプレーン３１１が形成されるＡ層３１０（第２の層）、第１のプレーン３３１が形成されるＣ層３３０（第１の層）、第２のプレーン３５１が形成されるＥ層３５０（第２の層）、導体エレメント３４２が形成されるＤ層３４０がこの順に積層されている。そして、導体エレメント３２２と電気的に接続されている接続部材３２３は、第２のプレーン３１１に設けられた開口を第２のプレーン３１１とは非接触な状態で通過し、第１のプレーン３３１と電気的に接続されている。すなわち、接続部材３２３は、第２のプレーン３１１と絶縁されている。また、導体エレメント３４２と電気的に接続されている接続部材３４３は、第２のプレーン３５１に設けられた開口を第２のプレーン３５１とは非接触な状態で通過し、第１のプレーン３３１と電気的に接続されている。すなわち、接続部材３４３は、第２のプレーン３５１と絶縁されている。

上述した図２３（Ｂ）乃至（Ｅ）の構造は、マッシュルーム型ＥＢＧ構造を基本として、マッシュルームのヘッド部分にインダクタを設けることでインダクタンスを増加させた、インダクタンス増加型のＥＢＧ構造である。詳細には、図２３（Ｂ）及び（Ｅ）においては導体エレメント３２２及び３４２がマッシュルームのヘッド部分に相当し、それぞれ対向する第２のプレーン３１１及び３５１との間でキャパシタンスを形成する。また図２３（Ｃ）においては導体エレメント３２２及び３４２がマッシュルームのヘッド部分に相当し、対向する第１のプレーン３３１との間でキャパシタンスを形成する。また図２３（Ｄ）においては導体エレメント３２２及び３４２がマッシュルームのヘッド部分に相当し、それぞれ対向する第２のプレーン３１１又は第１のプレーン３３１との間でキャパシタンスを形成する。一方、接続部材３２３及び３４３はマッシュルームの軸部分に相当し、導体エレメント３２２及び３４２に設けられたインダクタと共にインダクタンスを形成している。

インダクタンス増加型ＥＢＧ構造は、平行平板を上記キャパシタンスと上記インダクタンスからなる直列共振回路でシャントした等価回路で表現することができ、上記直列共振回路の共振周波数がバンドギャップの中心周波数を与える。したがって、導体エレメント３２２及び３４２を、キャパシタンスを形成するそれぞれの対向プレーンに接近させて、キャパシタンスを大きくする、又は上記インダクタの長さを長くしてインダクタンスを大きくすることでバンドギャップ帯域を低周波化することができる。ただし、導体エレメント３２２及び３４２を対向するプレーンに近接させない場合でも、本発明の本質的な効果には何ら影響を与えない。

図２３（Ｆ）乃至（Ｈ）は、接続部材３２３及び３４３が貫通ビアである例である。

図２３（Ｆ）では、第２のプレーン３１１が形成されるＡ層３１０（第２の層）、導体エレメント３２２が形成されるＢ層３２０、第１のプレーン３３１が形成されるＣ層３３０（第１の層）、導体エレメント３４２が形成されるＤ層３４０、第２のプレーン３５１が形成されるＥ層３５０（第２の層）がこの順に積層されている。そして、貫通ビア（接続部材３２３及び３４３）は、第２のプレーン３１１及び３５１に設けられた開口を第２のプレーン３１１及び３５１とは非接触な状態で通過するとともに、第１のプレーン３３１と電気的に接続されている。すなわち、貫通ビア（接続部材３２３及び３４３）は、第２のプレーン３１１及び３５１とは絶縁されている。

図２３（Ｇ）では、第２のプレーン３１１が形成されるＡ層３１０（第２の層）、導体エレメント３２２が形成されるＢ層３２０、第１のプレーン３３１が形成されるＣ層３３０（第１の層）、導体エレメント３４２が形成されるＤ層３４０、第２のプレーン３５１が形成されるＥ層３５０（第２の層）がこの順に積層されている。そして、貫通ビア（接続部材３２３及び３４３）は、第１のプレーン３３１に設けられた開口を第１のプレーン３３１とは非接触な状態で通過するとともに、第２のプレーン３１１及び３５１と電気的に接続されている。すなわち、貫通ビア（接続部材３２３及び３４３）は、第１のプレーン３３１とは絶縁されている。

図２３（Ｈ）では、導体エレメント３２２が形成されるＢ層３２０、第２のプレーン３１１が形成されるＡ層３１０（第２の層）、第１のプレーン３３１が形成されるＣ層３３０（第１の層）、第２のプレーン３５１が形成されるＥ層３５０（第２の層）、導体エレメント３４２が形成されるＤ層３４０がこの順に積層されている。そして、貫通ビア（接続部材３２３及び３４３）は、第２のプレーン３１１及び３５１に設けられた開口を第２のプレーン３１１及び３５１とは非接触な状態で通過するとともに、第１のプレーン３３１と電気的に接続されている。すなわち、貫通ビア（接続部材３２３及び３４３）は、第２のプレーン３１１及び３５１とは絶縁されている。

上述した図２３（Ｆ）乃至（Ｈ）の構造は、マッシュルームのヘッド部分にインダクタを設けることでインダクタンスを増加させた、インダクタンス増加型のＥＢＧ構造の変形例である。詳細には、貫通ビア（接続部材３２３及び３４３）はマッシュルームの軸部分に相当し、インダクタンスを形成している。そして、図２３（Ｆ）及び（Ｈ）においては導体エレメント３２２及び３４２がマッシュルームのヘッド部分に相当し、それぞれ対向する第２のプレーン３１１及び３５１との間でキャパシタンスを形成する。また図２３（Ｇ）においては導体エレメント３２２及び３４２がマッシュルームのヘッド部分に相当し、対向する第１のプレーン３３１との間でキャパシタンスを形成する。

図２３（Ｆ）乃至（Ｈ）の構造も、マッシュルーム型ＥＢＧ構造と同様に、平行平板を上記キャパシタンスと上記インダクタンスからなる直列共振回路でシャントした等価回路で表現することができ、上記直列共振回路の共振周波数がバンドギャップの中心周波数を与える。したがって、導体エレメント３２２及び３４２を、キャパシタンスを形成するそれぞれの対向プレーンに接近させて、キャパシタンスを大きくする、又は上記インダクタの長さを長くしてインダクタンスを大きくすることでバンドギャップ帯域を低周波化することができる。ただし、導体エレメント３２２及び３４２を対向するプレーンに近接させない場合でも、本発明の本質的な効果には何ら影響を与えない。

図２３（Ｆ）乃至（Ｈ）で示した構成を採用することにより、貫通ビアを用いて上記第１、第２の平行平板にＥＢＧ構造を製造することが可能となる。通常、非貫通ビアは層ごとにビアを加工してから積層するのに対して、貫通ビアは、全ての層を積層した後、ドリルで貫通スルーホールを形成し、スルーホール内面をめっきすることによって製造されるため、非貫通ビアを用いる場合と比べて、製造コストを低減することができる。なお、図２３では上記インダクタの形状が螺旋状の場合を図示しているが、その形状はこれに限らなくてもよい。例えば、直線状であってもよいし、ミアンダ状であってもよい。

図２２（Ｂ）乃至（Ｄ）、図２３（Ｂ）乃至（Ｄ）に示す例を用いる場合、第１のプレーン３３１、第２のプレーン３１１及び３５１に、接続部材３２３又は３４３が通過する開口を設ける必要がない。なお、第２のプレーン３１１及び３５１、第１のプレーン３３１において、導体エレメント３２２及び３４２と対向する領域を無孔とすると、当該領域からノイズが漏洩しないので好ましい。ここで、導体エレメント３２２及び３４２と対向する領域に、抑制対象の周波数帯域のノイズ波長より十分に小さい直径の孔（開口）が空いている場合でも、無孔と見なしてよい。

また、図２２（Ｅ）乃至（Ｈ）、図２３（Ｅ）乃至（Ｈ）に示す例を用いる場合、第１のプレーン３３１、第２のプレーン３１１及び３５１のいずれかは、接続部材３２３又は３４３が通過する開口を有する。しかし、当該開口が、抑制対象の周波数帯域のノイズ波長より十分に小さい直径であれば、抑制対象のノイズが漏洩しないので、当該開口をこのように構成するのが望ましい。

図２４（Ａ）は、導体エレメント３２２及び３４２の一例の上面図である。ここで図示する導体エレメント３２２及び３４２は四角形であって、接続部材３２３又は３４３と電気的に接続されている。また、図２４（Ｂ）は、接続部材３２３又は３４３を介して導体エレメント３２２又は３４２と電気的に接続されている第１のプレーン３３１、又は、第２のプレーン３１１又は３５１の一例の一部（導体エレメント３２２又は３４２と対向する領域）を抽出した上面図である。図２４（Ｂ）に示す第１のプレーン３３１、又は、第２のプレーン３１１又は３５１は開口を有し、当該開口の中に、一端は当該開口の淵において第１のプレーン３３１、又は、第２のプレーン３１１又は３５１と電気的に接続し、他端は接続部材３２３又は３４３と電気的に接続している螺旋状のインダクタが形成されている。図２４（Ｃ）及び（Ｄ）は、図２４（Ａ）及び（Ｂ）で図示した導体エレメント３２２及び３４２と、第１のプレーン３３１、又は、第２のプレーン３１１又は３５１とを含む配線基板３００の要部を抽出した断面図である。

図２４（Ｃ）では、第２のプレーン３１１が形成されるＡ層３１０（第２の層）、導体エレメント３２２が形成されるＢ層３２０、第１のプレーン３３１が形成されるＣ層３３０（第１の層）、導体エレメント３４２が形成されるＤ層３４０、第２のプレーン３５１が形成されるＥ層３５０（第２の層）がこの順に積層されている。そして、導体エレメント３２２と電気的に接続されている接続部材３２３が第２のプレーン３１１と電気的に接続され、導体エレメント３４２と電気的に接続されている接続部材３４３が第２のプレーン３５１と電気的に接続されている。

図２４（Ｃ）の構造は、マッシュルーム型ＥＢＧ構造を基本として、第２のプレーン３１１及び３５１にインダクタを設けることでインダクタンスを増加させた、インダクタンス増加型のＥＢＧ構造である。詳細には、図２４（Ｃ）においては導体エレメント３２２及び３４２がマッシュルームのヘッド部分に相当し、対向する第１のプレーン３３１及び３５１との間でキャパシタンスを形成する。そして、接続部材３２３及び３４３はマッシュルームの軸部分に相当し、第２のプレーン３１１及び３５１に設けられたインダクタと共にインダクタンスを形成している。

インダクタンス増加型ＥＢＧ構造は、平行平板を上記キャパシタンスと上記インダクタンスからなる直列共振回路でシャントした等価回路で表現することができ、上記直列共振回路の共振周波数がバンドギャップの中心周波数を与える。したがって、導体エレメント３２２及び３４２を、キャパシタンスを形成するそれぞれの対向プレーンに接近させて、キャパシタンスを大きくする、又は上記インダクタの長さを長くしてインダクタンスを大きくすることでバンドギャップ帯域を低周波化することができる。ただし、導体エレメント３２２及び３４２を対向するプレーンに近接させない場合でも、本発明の本質的な効果には何ら影響を与えない。

図２４（Ｄ）は、接続部材３２３及び３４３が貫通ビアである例である。

図２４（Ｄ）では、第２のプレーン３１１が形成されるＡ層３１０（第２の層）、導体エレメント３２２が形成されるＢ層３２０、第１のプレーン３３１が形成されるＣ層３３０（第１の層）、導体エレメント３４２が形成されるＤ層３４０、第２のプレーン３５１が形成されるＥ層３５０（第２の層）がこの順に積層されている。そして、貫通ビア（接続部材３２３及び３４３）は、第１のプレーン３３１に設けられた開口を第１のプレーン３３１とは非接触な状態で通過するとともに、第２のプレーン３１１及び３５１と電気的に接続されている。すなわち、貫通ビア（接続部材３２３及び３４３）は、第１のプレーン３３１とは絶縁されている。

図２４（Ｄ）の構造は、マッシュルーム型ＥＢＧ構造を基本として、第２のプレーン３１１及び３５１にインダクタを設けることでインダクタンスを増加させた、インダクタンス増加型のＥＢＧ構造の変形例である。詳細には、図２４（Ｄ）においては導体エレメント３２２及び３４２がマッシュルームのヘッド部分に相当し、それぞれ対向する第１のプレーン３３１との間でキャパシタンスを形成する。そして、接続部材３２３及び３４３はマッシュルームの軸部分に相当し、第２のプレーン３１１及び３５１に設けられたインダクタと共にインダクタンスを形成している。

インダクタンス増加型ＥＢＧ構造は、平行平板を上記キャパシタンスと上記インダクタンスからなる直列共振回路でシャントした等価回路で表現することができ、上記直列共振回路の共振周波数がバンドギャップの中心周波数を与える。したがって、導体エレメント３２２及び３４２を、キャパシタンスを形成するそれぞれの対向プレーンに接近させて、キャパシタンスを大きくする、又は上記インダクタの長さを長くしてインダクタンスを大きくすることでバンドギャップ帯域を低周波化することができる。ただし、導体エレメント３２２及び３４２を対向するプレーンに近接させない場合でも、本発明の本質的な効果には何ら影響を与えない。なお、図２４ではインダクタの形状が螺旋状の場合を図示しているが、その形状はこれに限らなくてもよい。例えば、直線状であってもよいし、ミアンダ状であってもよい。

続いて説明する図２５乃至２７は、導体エレメント３２２及び３４２が、第１のプレーン３３１を有するＣ層３３０（第１の層）、又は、第２のプレーン３１１を有するＡ層３１０（第２の層）及び第２のプレーン３５１を有するＥ層３５０（第２の層）に配列される例である。すなわち、導体エレメント３２２及び３４２と、第１のプレーン３３１、又は、第２のプレーン３１１及び３５１とが同一の層に形成される例である。かかる例の場合、配線基板３００は上述した例より薄くすることができる。なお、図２５〜図２７のいずれも、接続部材３２３及び３４３を必要としない構成である。また、図２５乃至２７において、第１のプレーン３３１より上層と下層とで対照の構成として図示するが、必ずしも対照である必要はない。

図２５（Ａ）は、第２のプレーン３１１又は３５１の中に形成された導体エレメント３２２又は３４２の一例の上面図である。第２のプレーン３１１及び３５１は開口を有している。そして、導体エレメント３２２及び３４２は、当該開口の中に形成される島状の導体（図２５（Ａ）中、第２のプレーン３１１又は３５１の中心に位置する四角形の導体）と、当該島状の導体と第２のプレーン３１１又は３５１とを接続するインダクタと、から構成される。なお、図２５（Ａ）において、当該インダクタは、当該島状の導体を螺旋状に囲うように図示しているが、その形状はこれに限らなくてもよい。例えば、当該インダクタは、直線状であってもよいし、ミアンダ状であってもよい。また、開口の中に形成される島状の導体（図２５（Ａ）中、第２のプレーン３１１又は３５１の中心に位置する四角形の導体）の形状、大きさ等は特段制限されず、あらゆる態様とすることができる。

図２５（Ｂ）は、図２５（Ａ）で図示した導体エレメント３２２又は３４２と、第２のプレーン３１１又は３５１とを含む配線基板３００の要部を抽出した断面図である。図２５（Ｂ）では、第２のプレーン３１１及び３５１の中に形成された導体エレメント３２２及び３４２が、第１のプレーン３３１と対向している。なお、図２５（Ｂ）の構成における第１のプレーン３３１と第２のプレーン３１１及び３５１とを逆にし、第１のプレーン３３１の中に形成された導体エレメント３２２及び３４２が、第２のプレーン３１１及び３５１と対向した構成とすることもできる。

上述した図２５の構造は、マッシュルーム型ＥＢＧ構造の変形例であり、マッシュルームのヘッド部分と軸部分が、第１のプレーン３３１又は第２のプレーン３１１及び３５１の開口に設けられることによって、ＥＢＧ構造を構成するために必要な層数を削減し、接続部材３２３及び３４３を不要としている。詳細には、図２５（Ｂ）は第２のプレーン３１１及び３５１の中に形成された導体エレメント３２２及び３４２を構成する島状の導体（図２５（Ａ）中、第２のプレーン３１１及び３５１の中心に位置する四角形の導体）がマッシュルームのヘッド部分に相当し、対向する第１のプレーン３３１との間でキャパシタンスを形成する。また、導体エレメント３２２及び３４２を構成するインダクタがマッシュルームの軸部分に相当し、インダクタンスを形成している。一方、図２５（Ｂ）の構成における第１のプレーン３３１と第２のプレーン３１１及び３５１とを逆にし、第１のプレーン３３１の中に形成された導体エレメント３２２及び３４２が、第２のプレーン３１１及び３５１と対向した構成とした場合には、第１のプレーン３３１の中に形成された導体エレメント３２２及び３４２を構成する島状の導体がマッシュルームのヘッド部分に相当し、対向する第２のプレーン３１１及び３５１との間でキャパシタンスを形成する。また、導体エレメント３２２及び３４２を構成するインダクタがマッシュルームの軸部分に相当し、インダクタンスを形成している。

図２５の構造は、マッシュルーム型ＥＢＧ構造と同様に、平行平板を上記キャパシタンスと上記インダクタンスからなる直列共振回路でシャントした等価回路で表現することができ、上記直列共振回路の共振周波数がバンドギャップの中心周波数を与える。したがって、上記島状の導体（図２５（Ａ）中、第２のプレーン３１１及び３５１の中心に位置する四角形の導体）が配置された層を、キャパシタンスを形成する対向するプレーンに接近させて、キャパシタンスを大きくすることでバンドギャップ帯域を低周波化することができる。ただし、上記島状の導体が配置された層を対向する電源プレーンに近接させない場合でも、本発明の本質的な効果には何ら影響を与えない。

図２６（Ａ）は、第２のプレーン３１１又は３５１の中に形成された導体エレメント３２２又は３４２の一例の上面図である。第２のプレーン３１１及び３５１は開口を有している。そして、導体エレメント３２２及び３４２は、一端は当該開口の淵において第２のプレーン３１１又は３５１と電気的に接続し、他端は第２のプレーン３１１又は３５１と電気的に非接続であるオープン端である伝送線路である。なお、図２６（Ａ）において、当該伝送線路の形状は螺旋状として図示しているが、その形状はこれに限らなくてもよい。例えば、当該伝送線路は、直線状であってもよいし、ミアンダ状であってもよい。

図２６（Ｂ）は、図２６（Ａ）で図示した導体エレメント３２２及び３４２と、第２のプレーン３１１及び３５１とを含む配線基板３００の要部を抽出した断面図である。図２６（Ｂ）では、第２のプレーン３１１及び３５１の中に形成された導体エレメント３２２及び３４２が、第１のプレーン３３１と対向している。なお、図２６（Ｂ）の構成における第１のプレーン３３１と、第２のプレーン３１１及び３５１とを逆にし、第１のプレーン３３１の中に形成された導体エレメント３２２及び３４２が、第２のプレーン３１１及び３５１と対向した構成とすることもできる。

上述した図２６の構造は、オープンスタブ型のＥＢＧ構造の変形例であり、オープンスタブとして機能する伝送線路が第１のプレーン３３１又は第２のプレーン３１１及び３５１の一方の開口に設けられることによってＥＢＧ構造を構成するために必要な層数を削減し、接続部材３２３及び３４３を不要としている。詳細には、図２６（Ｂ）は第２のプレーン３１１及び３５１の中に形成された導体エレメント３２２及び３４２が、対向する第１のプレーン３３１と電気的に結合することで第１のプレーン３３１をリターンパスとするマイクロストリップ線路を形成している。上記マイクロストリップ線路の一端はオープン端となっており、オープンスタブとして機能するように構成されている。一方、図２６（Ｂ）の構成における第１のプレーン３３１と第２のプレーン３１１及び３５１とを逆にし、第１のプレーン３３１の中に形成された導体エレメント３２２及び３４２が、第２のプレーン３１１及び３５１と対向した構成とした場合には、第１のプレーン３３１の中に形成された導体エレメント３２２及び３４２が、対向する第２のプレーン３１１及び３５１と電気的に結合することで第２のプレーン３１１及び３５１をリターンパスとするマイクロストリップ線路を形成する。そして、上記マイクロストリップ線路の一端はオープン端となっており、オープンスタブとして機能するように構成されている。

オープンスタブ型ＥＢＧ構造は、平行平板を、上記オープンスタブと、上記インダクタンスからなる、直列共振回路でシャントした等価回路で表現することができ、上記直列共振回路の共振周波数がバンドギャップの中心周波数を与える。したがって、導体エレメント３２２及び３４２を含んで形成されるオープンスタブのスタブ長を長くすることでバンドギャップ帯域を低周波化することができる。また、マイクロストリップ線路を形成する導体エレメント３２２及び３４２と対向する電源プレーンは近接していることが好ましい。なぜならば、導体エレメントと電源プレーンの距離が近いほど、上記マイクロストリップ線路の特性インピーダンスが低くなり、バンドギャップ帯域を広帯域化することができるためである。ただし、導体エレメント３２２及び３４２を対向する電源プレーンに近接させない場合でも、本発明の本質的な効果には何ら影響を与えない。

図２７（Ａ）は、第２のプレーン３１１又は３５１の中に形成された導体エレメント３２２又は３４２の一例の上面図である。導体エレメント３２２及び３４２は、第２のプレーン３１１又は３５１に形成される複数の島状の導体であって、隣接している島状の導体同士が電気的に接続されている。

図２７（Ｂ）は、図２７（Ａ）で図示した導体エレメント３２２及び３４２と、第２のプレーン３１１及び３５１とを含む配線基板３００の要部を抽出した断面図である。

図２７（Ｂ）では、第２のプレーン３１１及び３５１（図示せず）の中に形成された導体エレメント３２２及び３４２が、第１のプレーン３３１と対向している。なお、図２７（Ｂ）の構成における第１のプレーン３３１と第２のプレーン３１１及び３５１（図示せず）とを逆にし、第１のプレーン３３１の中に形成された導体エレメント３２２及び３４２が、第２のプレーン３１１及び３５１と対向した構成とすることもできる。

上述の図２７の構造は、隣接する島状の導体間（導体エレメント３２２間及び３４２間）が電気的に結合することによりキャパシタンスを形成し、それら島状の導体（導体エレメント３２２及び３４２）を電気的に接続している接続部がインダクタンスを形成することでＥＢＧ構造として機能する。図２７に示すＥＢＧ構造は、上記キャパシタンスと上記インダクタンスからなる並列共振回路の共振周波数がバンドギャップ帯域の中心周波数を与える。したがって、上記島状の導体（導体エレメント３２２及び３４２）間の間隔を小さくして、キャパシタンスを大きくする、又は上記接続部の長さを長くしてインダクタンスを大きくすることでバンドギャップ帯域を低周波化することができる。

図２８（Ａ）は、導体エレメント３２２の一例の上面図である。ここで図示する導体エレメント３２２は平面方向に形成される螺旋状の伝送線路であって、第１のプレーン３３１と電気的に結合することで第１のプレーン３３１をリターンパスとするマイクロストリップ線路を形成している。また、導体エレメント３２２の一端は接続部材３２３と電気的に接続され、他端はオープン端となっている。

図２８（Ｂ）は、図２８（Ａ）で図示した導体エレメント３２２を含む配線基板３００の要部を抽出した断面図であって、図２８（Ａ）中、Ｂ−Ｂの断面線における断面図である。

図２８（Ｂ）では、接続部材３２３が貫通ビアとして形成されている。貫通ビア（接続部材３２３）は、導体エレメント３２２、及び、第２のプレーン３１１及び３５１と電気的に接続されるとともに、第１のプレーン３３１に設けられた開口を第１のプレーン３３１とは非接触な状態で通過している。すなわち、第１のプレーン３３１と、接続部材３２３とは絶縁されている。

図２８（Ａ）及び（Ｂ）に示す構成において、導体エレメント３２２と、第１のプレーン３３１と、第２のプレーン３１１及び３５１とは、オープンスタブ型ＥＢＧ構造を構成し、第１のプレーン３３１を伝播するノイズを抑制するとともに、第２のプレーン３１１及び３５１を伝播するノイズを抑制する。かかる場合、図２２（Ｇ）に示す構成における導体エレメント３４２をなくすことができるため、Ｄ層３４０における配線の引き回し自由度が向上する。また、Ｄ層３４０に配線を形成する必要がない場合はＤ層３４０を削減することが可能になるため配線基板３００を薄くすることができる。なお、図２８（Ｂ）では導体エレメントをＢ層３２０に配置した場合を例に示したが、Ｂ層３２０ではなく、Ｄ層３４０に配置するような構成も当然考えることができる。この場合も全く同様の作用効果を実現することができる。

図２８（Ａ）及び（Ｂ）に示す構造においても、他のオープンスタブ型ＥＢＧ構造と全く同様に、導体エレメント３２２を含んで形成されるオープンスタブのスタブ長を長くすることでバンドギャップ帯域を低周波化することができる。また、マイクロストリップ線路を形成する導体エレメント３２２と対向するプレーンは近接していることが好ましい。なぜならば、導体エレメント３２２と対向プレーンの距離が近いほど、上記マイクロストリップ線路の特性インピーダンスが低くなり、バンドギャップ帯域を広帯域化することができるためである。ただし、導体エレメント３２２を対向するプレーンに近接させない場合でも、本発明の本質的な効果には何ら影響を与えない。なお、図２８では伝送線路の形状が螺旋状の場合を図示しているが、その形状はこれに限らなくてもよい。例えば、直線状であってもよいし、ミアンダ状であってもよい。

図２８（Ｃ）は、導体エレメント３２２の一例の上面図である。ここで図示する導体エレメント３２２は四角形であって、接続部材３２３と電気的に接続されている。

図２８（Ｄ）は、図２８（Ｃ）で図示した導体エレメント３２２を含む配線基板３００の要部を抽出した断面図であって、図２８（Ｃ）中、Ｄ−Ｄの断面線における断面図である。

図２８（Ｄ）では、接続部材３２３が貫通ビアとして形成されている。貫通ビア（接続部材３２３）は、導体エレメント３２２、及び、第２のプレーン３１１及び３５１と電気的に接続されるとともに、第１のプレーン３３１に設けられた開口を第１のプレーン３３１とは非接触な状態で通過している。すなわち、第１のプレーン３３１と、接続部材３２３とは絶縁されている。

図２８（Ｃ）及び（Ｄ）に示す構造において、導体エレメント３２２と、第１のプレーン３３１と、第２のプレーン３１１及び３５１とは、マッシュルーム型ＥＢＧ構造を構成し、第１のプレーン３３１を伝播するノイズを抑制するとともに、第２のプレーン３１１及び３５１を伝播するノイズを抑制する。かかる場合、図２１（Ｇ）に示す構成における導体エレメント３４２をなくすことができるため、Ｄ層３４０における配線の引き回し自由度が向上する。また、Ｄ層３４０に配線を形成する必要がない場合はＤ層３４０を削減することが可能になるため配線基板３００を薄くすることができる。なお、図２８（Ｄ）では導体エレメントをＢ層３２０に配置した場合を例に示したが、Ｂ層３２０ではなく、Ｄ層３４０に配置するような構成も当然考えることができる。この場合も全く同様の作用効果を実現することができる。

ここで、第３の実施形態の効果について説明する。本実施形態では、島状分離された第１のプレーン３３１の上位層に第２のプレーン３１１が存在するとともに、下位層にも第２のプレーン３５１が存在し、電源プレーンもしくはグラウンドプレーンになっている構成である。そして、上述の構成によって、配線基板３００は、第１の実施形態の配線基板１００と同様の作用効果を実現している。

また、配線基板３００の所定位置に電子素子３６１を搭載した電子装置においても、同様の作用効果を実現することができる。本実施形態の配線基板３００の所定位置に電子素子３６１を搭載する手段は、従来技術に準じて実現することができる。

〔第４の実施形態〕
図２９（Ａ）及び（Ｂ）は、第４の実施形態の配線基板４００の上面図と断面図の一例である。より詳細には、図２９（Ａ）は配線基板４００の上面図であり、図２９（Ｂ）は図２９（Ａ）で示す一点鎖線における配線基板４００の断面図である。

図２９（Ａ）及び（Ｂ）に示す配線基板４００は、互いに対向するＡ層４１０、Ｂ層４２０、及びＣ層４３０を少なくとも備える多層基板である。Ａ層４１０は、第２のプレーン４１１を有する。Ｂ層４２０は、導体エレメント４２２を有する。Ｃ層４３０は、第１のプレーン４３１を有する。そして、導体エレメント４２２と第１のプレーン４３１とは、接続部材４２３を介して電気的に接続している。なお、配線基板４００は、上述の３つの層以外の層を備えても構わない。例えば、各層の間には、絶縁層が位置してもよい。その他、各層の間には、絶縁層に信号線のみが埋め込まれた信号線層が位置してもよい。

また、配線基板４００は、本発明の構成に矛盾しない範囲で、図示しない孔やビア等を他に備えてもよい。さらに、上述のＡ層４１０、Ｂ層４２０、及びＣ層４３０の中のいずれか１つ以上の層において、本発明の構成に矛盾しない範囲で、信号線が配列されてもよい。

なお、図２９（Ａ）及び（Ｂ）において、電子素子４４１は破線で示される。これは、電子素子４４１が未実装であることを意味している。すなわち、配線基板４００の表面には、電子素子４４１を実装する予定領域が定められている。そして、配線基板４００は、電子素子４４１と、Ｃ層４３０に位置する第１のプレーン４３１とを電気的に接続する接続部材４４２を備える。さらに、配線基板４００は、電子素子４４１と第２のプレーン４１１を接続する接続部材４４３を備える。

配線基板４００は、これ以外にも電子素子４４１とプレーンもしくは線路と接続する接続部材を備えてもよい。例えば、信号線などと電気的に接続するような接続部材などである。ここで、電子素子４４１はＬＳＩ等の素子を想定している。配線基板４００に実装される電子素子４４１の数は単一であっても、複数であってもよい。

図３０は、図２９（Ａ）及び（Ｂ）に示す配線基板４００のＣ層４３０の平面図である。Ｃ層４３０（第１の層）には、導電材料からなる第１のプレーン４３１、４３２及び４３３（第１導体）が間隙４３４を隔てて配される。この内、第１のプレーン４３１は島状分離している。間隙４３４は絶縁体が充填されており、第１のプレーン４３１、４３２及び４３３は互いに絶縁されている。

第１のプレーン４３１は接続部材４４２及び接続部材４２３と電気的に接続される接続点を有する。第１のプレーン４３１、４３２及び４３３は、電源プレーン、又は、グラウンドプレーンである。なお、第１のプレーン４３１、４３２及び４３３の形状、大きさ等は特段制限されず、従来技術に準じてあらゆる構成とすることができる。

図３１は、図２９（Ａ）及び（Ｂ）に示す配線基板４００のＢ層４２０の平面図である。Ｂ層４２０は、Ｃ層４３０とＡ層４１０との間に位置する。このようなＢ層４２０には、少なくとも１つ以上の導体エレメント４２２（第２導体）が、島状分離している第１のプレーン４３１の端部及び、第１のプレーン４３１の端部に対向する第１のプレーン４３２、４３３の端部、それぞれに対向する位置から、抑制したいノイズの周波数における波長の４分の１未満の領域である導体エレメント配置領域４２１（第１の領域：図中斜線で示す領域）に配置される。なお、導体エレメント配置領域４２１は、上記条件を満たす領域であって、第１のプレーン４３１、４３２及び４３３と対向する領域であってもよい。「抑制したいノイズ」とは、例えば、電子素子４４１から接続部材４４２を介して第１のプレーン４３１に伝播するノイズである。

ここで、導体エレメント４２２は島状の導体である。導体エレメント４２２の平面形状は特段制限されず、図示する四角形の他、三角形、五角形、その他の多角形であってもよいし、円形、楕円形等の形状であってもよい。また、導体エレメント４２２の数は特段制限されず、複数設けられてもよい。なお、複数設ける場合には、導体エレメント４２２は繰り返し、例えば所定間隔おきに周期的に配列されてもよい。Ｂ層４２０における導体エレメント４２２が配列されていない領域は絶縁体となっており、接続部材４４２と絶縁されている。

導体エレメント４２２は、接続部材４２３を介して、第１のプレーン４３１、４３２又は４３３と電気的に接続している。接続部材４２３は、配線基板４００を平面視した状態で、第１のプレーン４３１、４３２及び４３３各々の端部に対向する位置から、抑制したいノイズの周波数における波長の４分の１未満の領域、例えば、当該条件を満たす領域であって、第１のプレーン４３１と対向する領域に配置される。図２９（Ｂ）において、接続部材４２３は、領域Ａ内に配置されている。

なお、ここでは接続部材４２３は、第１のプレーン４３１、４３２又は４３３と電気的に接続している形態を説明するが、接続部材４２３は、第１のプレーン４３１、４３２又は４３３と導体エレメント４２２とを電気的に接続せず、第２のプレーン４１１と導体エレメント４２２とを電気的に接続する形態も存在する。また、接続部材４２３を設けない形態も存在する。このような形態については後述する。

図３２は、図２９（Ａ）及び（Ｂ）に示す配線基板４００のＡ層４１０の平面図である。第２のプレーン４１１（第３導体）は、シート状の導体であって、Ｃ層４３０より上位層であるＡ層４１０（第２の層）に位置し、導体エレメント配置領域４２１に対向する領域に延在している。すなわち、第２のプレーン４１１と導体エレメント４２２は、絶縁体の層を介して対向している。

第２のプレーン４１１は、電源プレーン、又は、グラウンドプレーンである。すなわち、第１のプレーン４３１、４３２及び４３３が電源プレーンの場合、第２のプレーン４１１はグラウンドプレーンであり、第１のプレーン４３１、４３２及び４３３がグラウンドプレーンの場合、第２のプレーン４１１は電源プレーンである。

接続部材４４２は、第２のプレーン４１１に設けられた開口を通過し、電子素子４４１と第１のプレーン４３１とを電気的に接続している。すなわち、接続部材４４２は、第２のプレーン４１１とは絶縁されている。

なお、Ａ層４１０において第２のプレーン４１１が形成されていない領域は、絶縁体であってもよいし、導体であってもよいし、それらが混合していてもよい。

ここで、本実施形態の配線基板４００の場合、電子素子４４１から接続部材４４２を介して第１のプレーン４３１に伝播するノイズが、第１のプレーン４３１に面するスリットがパッチアンテナと同種の働きをすることによって、空間に漏洩するという問題が発生し得る。

本実施形態の配線基板４００は、上記問題を解決可能に構成している。

すなわち、本実施形態の配線基板４００は、上記のように構成することによって、導体エレメント４２２と、第１のプレーン４３１、４３２又は４３３と、第２のプレーン４１１と、第１のプレーン４３１、４３２又は４３３と電気的に接続する接続部材４２３とにより、ＥＢＧ構造の単位セルを構成している。当該単位セルが少なくとも１つは存在するＥＢＧ構造によって、上記スリットがスロットアンテナと同種の働きをして伝播されるノイズを抑制することができる。なお、上記のＥＢＧ構造の各々は、電子素子４４１によって発生するノイズの周波数をバンドギャップ帯域に含むことが望ましい。また、本実施形態の配線基板４００によって構成されるＥＢＧ構造の単位セルは、接続部材４２３を含む構造であるが、必ずしもこれに限らない。すなわち、配線基板４００は、第１のプレーン４３１、４３２及び４３３と第２のプレーン４１１との中間層に必ずしも接続部材を形成しなくてもよい。配線基板４００に適用可能な種々のＥＢＧ構造の単位セルについては、第１の実施形態であげた構造と同じである。

ここで、第４の実施形態の効果について説明する。電子素子４４１から接続部材４４２を介して島状分離された第１のプレーン４３１に伝播されるノイズが、第１のプレーン４３１と第２のプレーン４１１で挟まれた領域で共振する。この時、第１のプレーン４３１の端部において電圧の腹になることにより、対向する第１のプレーン４３２又は４３３の端部とのスリットで電界が発生し、上記スリットがスロットアンテナと同種の働きをすることで空間にノイズを漏洩させる。そこで、本実施形態では、上記導体エレメント配置領域４２１に、それぞれのプレーンで少なくとも１つ以上の単位セルからなるＥＢＧ構造を配置している。これにより、電子素子４４１から接続部材４４２を介して島状分離された第１のプレーン４３１に伝播されたノイズが、抑制したいノイズの周波数においてＥＢＧ構造が直列共振を起こすことで、ＥＢＧ構造を配置した場所で第１のプレーン４３１と４３２もしくは４３３と、第２のプレーン４１１とが短絡するので、電圧の節となる。電圧の節となったＥＢＧ構造を配置した場所は導体エレメント配置領域４２１にある。すなわち、第１のプレーン４３１と４３２もしくは４３３の端部より波長の４分の１未満の場所に存在する。このため、第１のプレーン４３１と４３２もしくは４３３の端部が電圧の腹にはならないので、ノイズが空間に漏洩するのを抑制する。

また、本実施形態で構成されるＥＢＧ構造のバンドギャップ帯域に、電子素子４４１から発生するノイズの周波数を含めることによって、より高いノイズ抑制効果を得ることができる。

なお、配線基板４００の所定位置に電子素子４４１を搭載した電子装置においても、同様の作用効果を実現することができる。本実施形態の配線基板４００の所定位置に電子素子４４１を搭載する手段は、従来技術に準じて実現することができる。

〔第５の実施形態〕
図３３（Ａ）及び（Ｂ）は、第５の実施形態の配線基板５００の上面図と断面図の一例である。より詳細には、図３３（Ａ）は配線基板５００の上面図であり、図３３（Ｂ）は図３３（Ａ）で示す一点鎖線における配線基板５００の断面図である。

図３３（Ａ）及び（Ｂ）に示す配線基板５００は、互いに対向するＡ層５１０、Ｂ層５２０、及びＣ層５３０を少なくとも備える多層基板である。Ａ層５１０は、第２のプレーン５１１を有する。Ｂ層５２０は、導体エレメント５２２を有する。Ｃ層５３０は、第１のプレーン５３１を有する。そして、導体エレメント５２２と第２のプレーン５１１とは、接続部材５４３及び５４４である貫通ビアを介して電気的に接続されている。なお、配線基板５００は、上述の３つの層以外の層を備えても構わない。例えば、各層の間には、絶縁層が位置してもよい。その他、各層の間には、絶縁層に信号線のみが埋め込まれた信号線層が位置してもよい。また、接続部材５４３及び５４４は、非貫通ビアであっても構わない。

また、配線基板５００は、本発明の構成に矛盾しない範囲で、図示しない孔やビア等を他に備えてもよい。さらに、上述のＡ層５１０、Ｂ層５２０、及びＣ層５３０の中のいずれか１つ以上の層において、本発明の構成に矛盾しない範囲で、信号線が配列されてもよい。

なお、図３３（Ａ）及び（Ｂ）では、接続部材５４３及び５４４は、第２のプレーン５１１と導体エレメント５２２とを電気的に接続している形態を示しているが、接続部材５４３及び５４４は、第２のプレーン５１１と導体エレメント５２２とを電気的に接続せず、第１のプレーン５３１と導体エレメント５２２とを電気的に接続する形態も存在する。

なお、配線基板５００は、導体エレメント配置領域５２１（第１の領域：図中斜線で示す領域）内に電子素子５４１と第２のプレーン５１１とを接続する接続部材５４３及び５４４を有しており、接続部材５４３及び５４４が導体エレメント５２２と第２のプレーン５３１とを接続する接続部材の役割を兼ねている以外は、第２の実施形態で説明した事例のうち、接続部材２２３で第２のプレーン２１１もしくは第１のプレーン２３１と、導体エレメント２２２が接続される事例、具体的には図５、図６、図７、図８等で説明した構成のいずれかを適用した配線基板２００と同様である。従って、ここでは詳細な説明は割愛する。

本実施形態によれば、上記実施形態と同様の作用効果を実現することができる。

また、配線基板５００の所定位置に電子素子５４１を搭載した電子装置においても、同様の作用効果を実現することができる。本実施形態の配線基板５００の所定位置に電子素子５４１を搭載する手段は、従来技術に準じて実現することができる。

以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。

例えば、第３の実施形態では、配線基板の表面に電子素子が実装されていた。しかし、本発明の配線基板は、第２のプレーン(第３導体)と、第３のプレーン（第３導体）が形成される層（異なる第２の層同士）の中間層に、電子素子が実装されている実装領域を備えてもよい。ただし、この場合、配線基板は、ビルドアッププロセスで製造されるため、接続部材は非貫通のレーザビアであることが望ましい。

上記説明によれば、以下の発明の説明もなされている。
＜第１の発明＞
請求項１から４のいずれか１項に記載の配線基板において、
前記積層体は、前記第２の層を複数有し、
前記第２導体は、前記第２の層の少なくとも１つに配列される配線基板。
＜第２の発明＞
上記第１の発明に係る配線基板において、
前記第２導体は、前記第３導体が有する開口の中に形成される島状の導体であり、かつ、前記第２導体は、インダクタを介して前記第３導体と電気的に接続されている配線基板。
＜第３の発明＞
上記第１の発明に係る配線基板において、
前記第２導体は、前記第３導体が有する開口の中に位置し、一端は前記第３導体と電気的に接続され、他端は前記第３導体と非接続なオープン端である伝送線路であり、かつ、前記第１導体と対向し、
前記第１導体の前記第２導体と対向する領域は無孔である配線基板。
＜第４の発明＞
請求項１から９のいずれか１項に記載の配線基板、または、上記第１の発明から第３の発明のいずれか１つに係る配線基板において、
前記積層体は、前記電子素子と前記第３導体とを電気的に接続するために前記積層体に埋め込まれた第３接続部材をさらに有し、
前記第１接続部材及び前記第３接続部材の少なくとも一方は、前記配線基板を平面視した状態において、前記第１導体の端部から、前記電子素子から前記第１導体に伝播するノイズの周波数における波長の４分の１未満の領域に位置し、当該接続部材が前記第２導体と電気的に接続される配線基板。

なお、当然ながら、上述した実施の形態及び変形例は、その内容が相反しない範囲で組み合わせることができる。

この出願は、２０１０年８月３０日に出願された日本特許出願特願２０１０−１９２２４７号を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。

Claims (10)

1. 導電体及び絶縁体を含み、上方に電子素子を配置される積層体を有し、
   前記積層体は、
   島状分離された少なくとも１つの第１導体を有する第１の層と、
   前記電子素子と前記第１導体とを電気的に接続するために前記積層体に埋め込まれた第１接続部材と、
   前記第１導体の少なくとも一部領域と対向して設けられた第３導体を有する第２の層と、
   前記絶縁体の層を挟んで、前記第１導体及び前記第３導体の少なくとも一方に対向して設けられた第２導体と、を有し、
   前記積層体を平面視した状態において、
   前記第２導体は、前記第１導体の端部から、前記電子素子から前記第１導体に伝播するノイズの周波数における波長の４分の１未満の領域に位置する配線基板。
2. 請求項１に記載の配線基板であって、
   前記第１導体と前記第２導体と前記第３導体とは、電磁バンドギャップ構造の少なくとも一部を構成し、かつ、
   前記電磁バンドギャップ構造は、前記電子素子が発生するノイズの周波数をバンドギャップ帯域に含む配線基板。
3. 請求項１又は２に記載の配線基板において、
   前記第１の層には、前記第１導体が複数存在し、
   前記電子素子と、前記複数の第１導体の中の少なくとも２つの前記第１導体各々とを電気的に接続するために前記第１接続部材が複数存在し、
   前記第２導体は、前記第１接続部材と電気的に接続されている少なくとも２つの前記第１導体各々の端部から、前記電子素子から前記第１導体に伝播するノイズの周波数における波長の４分の１未満の領域各々に位置する配線基板。
4. 請求項１から３のいずれか１項に記載の配線基板において、
   前記第１の層には、前記第１導体が複数存在し、
   前記複数の第１導体の中には、前記第１接続部材と電気的に接続される第１導体である接続第１導体と、前記第１接続部材と電気的に接続されていない非接続第１導体と、が存在し、
   前記第２導体は、前記接続第１導体の端部から、前記電子素子から前記接続第１導体に伝播するノイズの周波数における波長の４分の１未満の領域に位置するとともに、前記接続第１導体の端部に対向する前記非接続第１導体の端部から、前記電子素子から前記接続第１導体に伝播するノイズの周波数における波長の４分の１未満の領域に位置する配線基板。
5. 請求項１から４のいずれか１項に記載の配線基板において、さらに、
   前記積層体に埋め込まれ、前記第２導体と、前記第１導体又は前記第３導体とを電気的に接続する第２接続部材を有する配線基板。
6. 請求項５に記載の配線基板において、
   前記積層体は、前記第１の層及び前記第２の層のいずれか一方を複数有し、
   前記第２導体は、前記第１の層と前記第２の層とに挟まれる少なくとも１つの中間層に位置する配線基板。
7. 請求項５または６に記載の配線基板において、
   前記積層体は、前記第２導体、前記第１の層、及び、前記第２の層を、上又は下からこの順に有し、
   前記第２接続部材は、前記第３導体と電気的に接続されるとともに、前記第１導体に設けられた開口を前記第１導体と非接触な状態で通過し、
   前記第２導体は、前記第１導体に対向し、対向している前記第１導体に設けられた前記開口を通過している前記第２接続部材と電気的に接続され、
   前記第２導体が形成された層の数が、前記第１の層の数と等しい配線基板。
8. 請求項７に記載の配線基板において、
   前記第３導体は、前記第２導体と対向する領域が無孔である配線基板。
9. 請求５または６に記載の配線基板において、
   前記積層体は、前記第２導体、前記第２の層、及び、前記第１の層を、上又は下からこの順に有し、
   前記第２接続部材は、前記第１導体と電気的に接続されるとともに、前記第３導体に設けられた開口を前記第３導体と非接触な状態で通過し、
   前記第２導体は、前記第３導体に対向し、対向している前記第３導体に設けられた前記開口を通過している前記第２接続部材と電気的に接続されている配線基板。
10. 請求項１から９のいずれか１項に記載の配線基板と、
    前記配線基板の前記積層体の上に配置され、前記第１接続部材を介して前記第１導体と電気的に接続される電子素子と、
    を有する電子装置。

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