JP5635975B2 - 照度センサと、それを用いた電子機器および半導体装置 - Google Patents

照度センサと、それを用いた電子機器および半導体装置 Download PDF

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Description

この発明は照度センサと、それを用いた電子機器および半導体装置に関し、特に、光センサの出力電流によって充電されるキャパシタを備えた照度センサと、それを用いた電子機器および半導体装置とに関する。
アナログ/デジタル変換器は多種多様の電子機器に用いられる。たとえば照度センサにも用いられる。照度センサは、消費電力の削減のために、携帯電話およびテレビ等の表示装置の周囲の明るさを検出し、その検出結果に基づき表示装置自体の明るさを調整する。
特開2008−42886号公報(特許文献1)は、本願発明者が既に提案したアナログ/デジタル変換器およびそれを用いた照度センサに関する。光ダイオードは周囲の光を検出し、電流に変換してアナログ/デジタル変換器へ出力する。アナログ/デジタル変換器は入力される電流を積分し、光ダイオードの検出した光のレベルに応じたデジタル値を出力する。
また、特許文献1の照度センサは、光センサとキャパシタを備え、予め定められた充電期間において光センサの出力電流によってキャパシタを充電させながらキャパシタの電荷量が予め定められた電荷量に到達する毎にキャパシタを放電させ、充電期間が終了したことに応じてキャパシタから一定の電流を流出させ、キャパシタの放電回数と、キャパシタの全電荷を流出させるのに掛かった時間とに基づいて光センサの設置場所の照度を求める。また、光センサは、受光特性(分光感度)の異なる2つの光ダイオードを直列接続したものであり、2つの光ダイオードで発生した光電流の差の電流を出力する。
また、特開2009−157349号公報(特許文献2)は、表示装置に関し、その図3には、外光センサ素子と位置センサ素子を配置した様子が示されている。外光センサ素子はその図1に示された液晶パネルの正面側から入射する外光を受光し、たとえば、光ダイオードを含む受光素子から成る。位置センサは、その図1において、バックライトが設置された背面に対して反対側の正面に被検知体の位置を検知するために設置される。位置センサは、たとえば、光ダイオードを含み、たとえばユーザーの指やタッチペンなどの被検知体の位置の検知に用いられる。
特開2008−42886号公報 特開2009−157349号公報
しかし、特許文献1の照度センサでは、光源の種類によっては2つの光ダイオードの光電流の差が負になり、照度を検出できないと言う問題があった。また、光源の種類によっては、人間の目で見た明るさと照度センサの測定結果とが一致しない場合があった。
それゆえに、この発明の主たる目的は、光源の種類に依らず、照度を正確に検出することが可能な照度センサを提供することである。
この発明に係る照度センサは、光強度に応じた電流を出力する第1の光センサと、第1の光センサと受光面積が異なり、光強度に応じた電流を出力する第2の光センサと、第2の光センサの出力電流を受ける第1の端子と、第2および第3の端子とを有し、第1の制御信号に基づいて第1の端子を第2および第3の端子のうちのいずれか1つの端子に接続する第1のスイッチと、第1のスイッチの第2の端子に接続され、入力電流の極性を検出する第1の極性検出回路と、第1の光センサの出力ノードおよび第1のスイッチの第3の端子に接続され、入力電流を積分して電荷量を検出する電荷量検出回路と、第1の極性検出回路の検出結果に基づいて第1の制御信号を出力するとともに、電荷量検出回路の検出結果に基づいて第1および第2の光センサの設置場所の照度を示すデジタル信号を出力する演算制御部とを備えたものである。
この発明に係る照度センサでは、第2の光センサの出力電流の極性を検出し、その検出結果に基づいて第1の光センサの出力電流のみを積分するか、第1および第2の光センサの出力電流の和を積分するかを選択する。したがって、光源の種類に依らず、照度を正確に検出することができる。
この発明の実施の形態1による照度センサの構成を示す回路ブロック図である。 図1に示した光ダイオードPDAの光電流を示す図である。 図1に示した光ダイオードPDBの光電流を示す図である。 図1に示した光ダイオードのレイアウトを示す図である。 図1に示した光センサPS1の光電流を示す図である。 図1に示した光センサPS2の光電流を示す図である。 図1に示した光センサPS3の光電流を示す図である。 図5〜図7に示した光センサの光電流の和を示す図である。 図1に示した極性検出回路4の構成を示す回路図である。 図1に示した極性検出回路5の構成を示す回路図である。 図1に示した電荷量検出回路の構成を示す回路図である。 図11に示した電荷量検出回路の動作を示すタイムチャートである。 図12に示した各動作モードにおけるスイッチの状態を示す図である。 図1〜図13に示した照度センサの動作を例示するタイムチャートである。 図1〜図13に示した照度センサの他の動作を例示するタイムチャートである。 図1〜図15に示した照度センサを備えた携帯電話機を示す図である。 図16に示した携帯電話機の照度センサに関連する部分を示すブロック図である。 この発明の実施の形態2による照度センサの構成を示すブロック図である。 図18に示した照度センサの動作を示すタイムチャートである。 図18に示した照度センサの動作を示すフローチャートを示す図である。 実施の形態3の基礎となる従来の照度センサの構成を示す回路ブロック図である。 この発明の実施の形態3による照度センサの構成を示す回路ブロック図である。 図22に示した照度センサの各動作モードにおけるスイッチの状態を示す図である。 実施の形態4の基礎となる従来の電子機器の構成を示す回路ブロック図である。 この発明の実施の形態4による照度センサの構成を示すブロック図である。 図25に示した照度センサの動作を示すタイムチャートである。 図26に示した各動作モードにおけるスイッチの状態を示す図である。 図25に示した照度センサを備えた電子機器の構成を示す図である。 図28に示した照明装置の構成を示すブロック図である。
[実施の形態1]
図1は、この発明の実施の形態1による照度センサの構成を示す回路ブロック図である。図1において、この照度センサは、光電変換器1、極性検出回路2,3、および演算制御回路5を備え、光電変換器1は光センサPS1〜PS3およびスイッチ2,3を含む。
光センサPS1は光ダイオードPDA1,PDB1を有し、光センサPS2は光ダイオードPDA2,PDB2を有し、光センサPS3は光ダイオードPDA3,PDB3を有する。光ダイオードPDA1〜PDA3のカソードはともに電源電圧VCCを受け、それらのアノードは光センサPS1〜PS3の出力ノードN1〜N3にそれぞれ接続される。光ダイオードPDB1〜PDB3のカソードはそれぞれ出力ノードN1〜N3に接続され、それらのアノードはともに接地電圧GNDを受ける。
光ダイオードPDAは、半導体基板の浅い領域に形成されたPN接合を含み、可視光領域の光(たとえば、波長が600nmの光)に対して感度が最大になるように形成されている。一方、光ダイオードPDBは、半導体基板の深い領域に形成されたPN接合を含み、赤外光領域の光(たとえば、波長が860nmの光)に対して感度が最大になるように形成されている。光センサPSに光が照射されると、光ダイオードPDAで発生した光電流IAと光ダイオードPDBで発生した光電流IBとの差の電流I=IA−IBが出力ノードに出力される。
図2は、単位面積の光ダイオードPDAに蛍光灯、白熱灯、ハロゲンランプ、白LED(Light Emitting Diode)の光を照射したときに発生する光電流IAのレベルを示す図である。図2では、蛍光灯の光に対して光ダイオードPDAで発生する光電流IAのレベルを1とし、各光源の光に対して光ダイオードPDAで発生する光電流IAのレベルを、蛍光灯の光に対して光ダイオードPDAで発生する光電流IAのレベルに対する比率で示している。蛍光灯、白熱灯、ハロゲンランプ、白LEDの発光強度は、光ダイオードPDAの設置場所において同じ照度になるように設定されている。しかし、蛍光灯、白熱灯、ハロゲンランプ、白LEDの光の分光分布が異なるので、光電流IAに差が出ている。
また図3は、単位面積の光ダイオードPDBに蛍光灯、白熱灯、ハロゲンランプ、白LEDの光を照射したときに発生する光電流IBのレベルを示す図である。図3では、蛍光灯の光に対して光ダイオードPDAで発生する光電流IAのレベルを1とし、各光源の光に対して光ダイオードPDBで発生する光電流IBのレベルを、蛍光灯の光に対して光ダイオードPDAで発生する光電流IAに対する比率で示している。蛍光灯、白熱灯、ハロゲンランプ、白LEDの発光強度は、光ダイオードPDBの設置場所において同じ照度になるように設定されている。しかし、蛍光灯、白熱灯、ハロゲンランプ、白LEDの光の分光分布が異なるので、光電流IBに差が出ている。
また、図2と図3を比較すると、白熱灯およびハロゲンランプの光に対する光電流IBが白熱灯およびハロゲンランプの光に対する光電流IAよりもかなり大きくなっていることが分かる。これは、赤外光領域において光ダイオードPDBの感度が光ダイオードPDAよりも高いからである。
また、図4は、光ダイオードPDA1〜PDA3,PDB1〜PDB3のレイアウトを示す図である。図4において、光ダイオードPDA1〜PDA3,PDB1〜PDB3は、半導体基板の表面の矩形領域に配置される。光ダイオードPDA1〜PDA3,PDB3は、それぞれ2つの光ダイオードPDA1a,PDA1b;PDA2a,PDA2b;PDA3a,PDA3b;PDB3a,PDB3bに2分割される。
光ダイオードPDA2a,PDA2bは、矩形領域の図4中の右上および左下の隅にそれぞれ配置される。光ダイオードPDA3a,PDA3bは、矩形領域の図4中の左上および右下の隅にそれぞれ配置される。光ダイオードPDA1aは、光ダイオードPDA3a,PDA2a間に配置される。光ダイオードPDA1bは、光ダイオードPDA2b,PDA3b間に配置される。光ダイオードPDB3aは、光ダイオードPDA3a,PDA2b間に配置される。光ダイオードPDB3bは、光ダイオードPDA2a,PDA3b間に配置される。光ダイオードPDB2,PDB1は、光ダイオードPDB3a,PDA3b間に配置される。このように配置することにより、光センサPS1〜PS3の指向性などの光学特性を同一にすることができる。
光ダイオードPDA1とPDB1の面積比は30.5:1.7に設定されている。光ダイオードPDA2とPDB2の面積比は25.6:4.5に設定されている。光ダイオードPDA3とPDB3の面積比は25.6:11.7に設定されている。
図5は、光ダイオードPDA1,PDB1に蛍光灯、白熱灯、ハロゲンランプ、白LEDの光を照射したときに発生する光電流IA1,IB1,I1のレベルを示す図である。ただし、光電流IA1,IB1は、それぞれ光ダイオードPDA1,PDB1で発生する光電流である。また、I1は、IA1>IB1の場合はI1=IA1−IB1となり、IA1≦IB1の場合は0である。また、図5では、各光源の光に対して発生する光電流IA1,IB1,I1のレベルを、蛍光灯の光に対して単位面積の光ダイオードPDAで発生する光電流IAに対する比率で示している。たとえば、光ダイオードPDA1の面積比は30.5であるので、IA1は30.5になっている。
図5では、光ダイオードPDA1とPDB1の面積比(30.5/1.7)が大きいので、いずれの光源においてもIA1>IB1となり、I1>0となっている。
図6は、光ダイオードPDA2,PDB2に蛍光灯、白熱灯、ハロゲンランプ、白LEDの光を照射したときに発生する光電流IA2,IB2,I2のレベルを示す図である。ただし、光電流IA2,IB2は、それぞれ光ダイオードPDA2,PDB2で発生する光電流である。また、I2は、IA2>IB2の場合はI2=IA2−IB2となり、IA2≦IB2の場合は0である。また、図6では、各光源の光に対して発生する光電流IA2,IB2,I2のレベルを、蛍光灯の光に対して単位面積の光ダイオードPDAで発生する光電流IAに対する比率で示している。たとえば、光ダイオードPDA2の面積比は25.6であるので、IA2は25.6になっている。
図6では、光ダイオードPDA2とPDB2の面積比(25.6/4.5)が光ダイオードPDA1とPDB1の面積比(30.5/1.7)よりも小さいので、IA2とIB2の比がIA1とIB1の比よりも小さくなり、白熱灯の光に対してはIA2<IB2となり、I2=0となっている。
図7は、光ダイオードPDA3,PDB3に蛍光灯、白熱灯、ハロゲンランプ、白LEDの光を照射したときに発生する光電流IA3,IB3,I3のレベルを示す図である。ただし、光電流IA3,IB3は、それぞれ光ダイオードPDA3,PDB3で発生する光電流である。また、I3は、IA3>IB3の場合はI3=IA3−IB3となり、IA3≦IB3の場合は0である。また、図7では、各光源の光に対して発生する光電流IA3,IB3,I3のレベルを、蛍光灯の光に対して単位面積の光ダイオードPDAで発生する光電流IAに対する比率で示している。たとえば、光ダイオードPDA3の面積比は25.6であるので、IA3は25.6になっている。
図7では、光ダイオードPDA3とPDB3の面積比(25.6/11.7)が光ダイオードPDA2とPDB2の面積比(25.6/4.5)よりも小さいので、IA3とIB3の比がIA2とIB2の比よりも小さくなり、白熱灯およびハロゲンランプの光に対してはIA3<IB3となり、I3=0となっている。
図8は、図5〜図7で示した光センサPS1〜PS3の出力電流I1〜I3の和IOを示す図である。図8から分かるように、電流IOは、光源の種類に依らず、一定の照度に対して一定のレベルになっている。なお、光源が蛍光灯の場合はIO=I1+I2+I3であり、白熱灯の場合はIO=I1であり、ハロゲンランプの場合はIO=I1+I2であり、白LEDの場合はIO=I1+I2+I3である。
図1に戻って、光センサPS1の出力ノードN1は電荷量検出回路6の入力ノード6a(光電変換器1の出力ノード)に接続される。光センサPS2の出力ノードN2はスイッチ2の共通端子2cに接続され、スイッチ2の一方切換端子2aは極性検出回路4の入力ノード4aに接続され、スイッチ2の他方切換端子2bは電荷量検出回路6の入力ノード6aに接続される。スイッチ2は、演算制御部7からの信号φ2によって制御される。
信号φ2が「L」レベルである場合は、スイッチ2の端子2a,2c間が導通し、光センサPS2と極性検出回路4が結合される。信号φ2が「H」レベルである場合は、スイッチ2の端子2b,2c間が導通し、光センサPS2と電荷量検出回路6が結合される。
光センサPS3の出力ノードN3はスイッチ3の共通端子3cに接続され、スイッチ3の一方切換端子3aは極性検出回路5の入力ノード5aに接続され、スイッチ3の他方切換端子3bは電荷量検出回路6の入力ノード6aに接続される。スイッチ3は、演算制御部7からの信号φ3によって制御される。
信号φ3が「L」レベルである場合は、スイッチ3の端子3a,3c間が導通し、光センサPS3と極性検出回路5が結合される。信号φ3が「H」レベルである場合は、スイッチ3の端子3b,3c間が導通し、光センサPS3と電荷量検出回路6が結合される。
極性検出回路4は、照度の測定開始時にスイッチ2を介して光センサPS2に接続され、光センサPS2の出力電流が正極性か負極性かを迅速に検出し、検出結果を示す信号φ4を出力する。
すなわち、極性検出回路4は、図9に示すように、演算増幅器(演算増幅器)10、キャパシタ11、スイッチ12、および比較回路13を含む。演算増幅器10の非反転入力端子(+端子)は参照電圧VRを受け、その反転入力端子(−端子)は極性検出回路4の入力ノード4aに接続される。キャパシタ11は、演算増幅器10の反転入力端子と出力端子との間に接続される。キャパシタ11の容量値は、たとえば1pFに設定されている。スイッチ12は、演算制御部7からの信号F2によって制御され、キャパシタ11に並列接続される。比較回路13は、演算増幅器10の出力電圧V2と参照電圧3VR/4とを比較し、V2>3VR/4の場合は信号φ4を「H」レベルにし、V2≦3VR/4の場合は信号φ4を「L」レベルにする。
信号F2が「L」レベルである場合は、スイッチ12がオンし、演算増幅器10の出力電圧V2は非反転入力端子の電圧VRに等しくなり、信号φ4は「H」レベルになる。信号F2が「H」レベルにされると、スイッチ12がオフし、キャパシタ11が光センサPS2の出力電流によって充電される。
光センサPS2の出力電流が正極性である場合は、演算増幅器10の出力電圧V2が下降する。V2が参照電圧3VR/4に到達すると、信号φ4が「H」レベルから「L」レベルに立ち下げられる。信号φ4が「L」レベルに立ち下げられると、信号φ2が「H」レベルに立ち上げられ、図1のスイッチ2の端子2b,2c間が導通する。
光センサPS2の出力電流が負極性である場合は、演算増幅器10の出力電圧V2が参照電圧VRから電源電圧VCCまで上昇する。この場合は、信号φ4が「H」レベルのまま変化せず、信号φ2は「L」レベルのまま変化せず、図1のスイッチ2の端子2a,2c間が導通し続ける。
また、極性検出回路5は、照度の測定開始時にスイッチ3を介して光センサPS3に接続され、光センサPS3の出力電流が正極性か負極性かを迅速に検出し、検出結果を示す信号φ5を出力する。
すなわち、極性検出回路5は、図10に示すように、演算増幅器15、キャパシタ16、スイッチ17、および比較回路18を含む。演算増幅器15の非反転入力端子(+端子)は参照電圧VRを受け、その反転入力端子(−端子)は極性検出回路5の入力ノード5aに接続される。キャパシタ16は演算増幅器15の反転入力端子と出力端子との間に接続される。スイッチ17は、演算制御部7からの信号F3によって制御され、キャパシタ16に並列接続される。比較回路18は、演算増幅器15の出力電圧V3と参照電圧3VR/4とを比較し、V3>3VR/4の場合は信号φ5を「H」レベルにし、V3≦3VR/4の場合は信号φ5を「L」レベルにする。
信号F3が「L」レベルである場合は、スイッチ17がオンし、演算増幅器15の出力電圧V3は非反転入力端子の電圧VRに等しくなり、信号φ5は「H」レベルになる。信号F3が「H」レベルにされると、スイッチ17がオフし、キャパシタ16が光センサPS3の出力電流によって充電される。
光センサPS3の出力電流が正極性である場合は、演算増幅器15の出力電圧V3が下降する。V3が参照電圧3VR/4に到達すると、信号φ5が「H」レベルから「L」レベルに立ち下げられる。信号φ5が「L」レベルに立ち下げられると、信号φ3が「H」レベルに立ち上げられ、図1のスイッチ3の端子3b,3c間が導通する。
光センサPS3の出力電流が負極性である場合は、演算増幅器15の出力電圧V3が参照電圧VRから電源電圧VCCまで上昇する。この場合は、信号φ5が「H」レベルのまま変化せず、信号φ3は「L」レベルのまま変化せず、図1のスイッチ3の端子3a,3c間が導通し続ける。
電荷量検出回路6は、光電変換回路1で所定時間内に発生した電荷量を検出し、検出結果を示す信号φB,φBを出力する。すなわち、電荷量検出回路6は、図11に示すように、積分回路20、放電回路23,25、および比較回路27,28を備える。
積分回路20は、演算増幅器21、キャパシタ22、およびスイッチSW1,SW2を含む。演算増幅器21の非反転入力端子には参照電圧VRが与えられる。キャパシタ22は、演算増幅器21の反転入力端子と出力端子との間に接続される。キャパシタ22の容量値C22は、たとえば64pFに設定されている。スイッチSW1は、電荷量検出回路6の入力ノード6aと演算増幅器21の反転入力端子との間に接続される。スイッチSW2は、キャパシタ22に並列接続される。
スイッチSW1がオフされるとともにスイッチSW2がオンされると、キャパシタ22の端子間が短絡されてキャパシタ22の端子間電圧が0Vにリセットされ、反転入力端子および出力端子の電圧は非反転入力端子の電圧と同じ参照電圧VRとなる(動作モードE)。次に、スイッチSW2がオフされるとともにスイッチSW1がオンされると、光電変換器1の出力電流がキャパシタ22に流入し、キャパシタ22が充電される(動作モードA,B)。キャパシタ22の端子間電圧が上昇すると、演算増幅器21の出力電圧V1は下降する。次いで、スイッチSW1,SW2がともにオフされると、キャパシタ22の充電が停止される(動作モードC,D)。
放電回路23は、キャパシタ24およびスイッチSW3a,SW3b,SW4a,SW4bを含む。キャパシタ24の容量値C24は、キャパシタ22の容量値C22の1/2倍の値、たとえば32pFに設定される。スイッチSW3a、キャパシタ24、およびスイッチSW3bは、接地電圧GNDのラインと演算増幅器21の反転入力端子との間に直列接続される。スイッチSW4aの一方端子は接地電圧GNDを受け、その他方端子はキャパシタ24の一方端子に接続される。スイッチSW4bの一方端子は接地電圧GNDを受け、その他方端子はキャパシタ24の他方端子に接続される。
スイッチSW3a,SW3bがともにオフされるとともにスイッチSW4a,SW4bがともにオンされている場合は、キャパシタ24の一方端子および他方端子の各々は接地され、キャパシタ24の端子間電圧は0Vとなる(動作モードA,C,D,E)。次に、スイッチSW3a,SW3bがともにオンされるとともにスイッチSW4a,SW4bがともにオフされると、キャパシタ22に蓄積された全電荷がキャパシタ24に転送される(動作モードB)。なお、転送前のキャパシタ22の電荷量Q22は、Q22=C22×VR/2である。また、転送後のキャパシタ24の電荷量Q24は、Q24=C24×VR=(C22/2)×VR=Q22である。
放電回路25は、キャパシタ26およびスイッチSW5a,SW5b,SW6a,SW6bを含む。キャパシタ26の容量値C26は、キャパシタ22の容量値C22の1/64倍の値、たとえば1pFに設定される。スイッチSW5a、キャパシタ26、およびスイッチSW5bは、参照電圧VR/2のノードと演算増幅器21の反転入力端子との間に直列接続される。スイッチSW6aの一方端子は参照電圧VR/2を受け、その他方端子はキャパシタ26の一方端子に接続される。スイッチSW6bの一方端子は参照電圧VR/2を受け、その他方端子はキャパシタ26の他方端子に接続される。
スイッチSW5a,SW5bがともにオフされるとともにスイッチSW6a,SW6bがともにオンされている場合は、キャパシタ26の一方端子および他方端子の各々は参照電圧VR/2に充電され、キャパシタ26の端子間電圧は0Vとなる(動作モードA,B,D,E)。次に、スイッチSW5a,SW5bがともにオンされるとともにスイッチSW6a,SW6bがともにオフされると、キャパシタ22に蓄積された電荷の一部がキャパシタ26に転送される(動作モードC)。なお、転送前のキャパシタ22の電荷量Q22は、Q22=C22×VR/2である。また、転送後のキャパシタ26の電荷量Q26は、Q26=C26×VR/2=(C22/64)×VR/2=Q22/64である。
比較回路27は、演算増幅器21の出力電圧V1と参照電圧VRとを比較し、V1≧VRの場合は信号φAを「H」レベルにし、V1<VRの場合は信号φAを「L」レベルにする。したがって、キャパシタ22の端子間電圧が0Vになると、信号φAは「L」レベルから「H」レベルに立ち上げられ、キャパシタ22の充電が開始されると、信号φAは「H」レベルから「L」レベルに立ち下げられる。
比較回路28は、演算増幅器21の出力電圧V1と参照電圧VR/2とを比較し、V1≦VR/2の場合は信号φBを「H」レベルにし、V1>VR/2の場合は信号φBを「L」レベルにする。したがって、キャパシタ22の端子間電圧がVR/2よりも低い場合は、信号φBは「L」レベルになり、キャパシタ22の端子間電圧がVR/2以上になると、信号φBは「L」レベルから「H」レベルに立ち上げられる。
図1に戻って、演算制御部7は、クロック信号CLKに同期して動作し、外部から与えられる測定指令信号φSに応答して、極性検出回路4,5を活性化させ、極性検出回路4,5の出力信号φ4,φ5に基づいてスイッチ2,3を制御する。また、演算制御部7は、電荷量検出回路6を制御し、電荷量検出回路6の出力信号φA,φBに基づいて照度を求め、求めた照度を示すデジタル信号DOを出力する。
図12は、電荷量検出回路6および演算制御部7の動作を示すタイムチャートであり、図13は、動作モードA〜EにおけるスイッチSWの状態を示す図である。
まず、照度センサの停止期間には、スイッチSWは演算制御部7によって動作モードE(停止モード)に設定される。動作モードEでは、図13に示すように、スイッチSW2,SW4a,SW4b,SW6a,SW6bがオンされ、残りのスイッチSW1,SW3a,SW3b,SW5a,SW5bがオフされる。これにより、キャパシタ22,24,26の各々の端子間電圧が0Vにリセットされ、演算増幅器21の出力電圧V1は参照電圧VRとなる。
次に、外部から測定指令信号φSが与えられると、スイッチSWは動作モードA(キャパシタ22の充電モード)に設定される(時刻t1)。動作モードAでは、図13に示すように、スイッチSW1,SW4a,SW4b,SW6a,SW6bがオンされ、残りのスイッチSW2,SW3a,SW3b,SW5a,SW5bがオフされる。これにより、光電変換器1の出力電流がキャパシタ22に流入し、キャパシタ22の充電が開始される。また、演算増幅器21の出力電圧V1が徐々に下降し、比較回路27の出力信号φAが「L」レベルに立ち下げられる。
キャパシタ22の充電が進んで演算増幅器21の出力電圧V1が参照電圧VR/2に到達すると、比較回路28の出力信号φBが「L」レベルから「H」レベルに立ち上げられる(時刻t2)。演算制御部7は、信号φBの立ち上がりエッジに応答してスイッチSWを動作モードB(キャパシタ22の大放電モード)に設定する。動作モードBでは、図13に示すように、スイッチSW1,SW3a,SW3b,SW6a,SW6bがオンされ、残りのスイッチSW2,SW4a,SW4b,SW5a,SW5bがオフされる。
これにより、キャパシタ22に蓄積されていた全電荷がキャパシタ24に転送され、キャパシタ22の端子間電圧は0Vになり、演算増幅器21の出力電圧V1が参照電圧VRに上昇する。また、比較回路28の出力信号φBが「H」レベルから「L」レベルに立ち下げられ、比較回路27の出力信号φAが「L」レベルから「H」レベルに立ち上げられる。また、演算制御部7は、信号φBが「L」レベルから「H」レベルに立ち上げられる毎に、信号φBの立ち上がりエッジの回数をカウントする。
キャパシタ22の大放電が開始された後、次のクロック信号CLKの立ち上がりエッジに応答して、演算制御部7はスイッチSWを再び動作モードAに設定する(時刻t3)。これにより、演算増幅器21の出力電圧V1は、上昇から再び低下に転じる。また、動作モードAでは、キャパシタ22の充電と並行して、キャパシタ24の放電が行なわれる。これ以降も、演算増幅器21の出力電圧V1が参照電圧VR/2に到達する毎に、キャパシタ22に蓄えられた電荷が放電回路23を用いて放電される。
演算制御部7は、キャパシタ22の充電開始から所定時間を経過した場合、スイッチSWを動作モードC(キャパシタ22の小放電モード)に設定する(時刻t8)。動作モードCでは、図13に示すように、スイッチSW4a,SW4b,SW5a,SW5bがオンされ、残りのスイッチSW1,SW2,SW3a,SW3b,SW6a,SW6bがオフされる。これにより、キャパシタ22の充電が停止され、キャパシタ22に蓄積された電荷の一部がキャパシタ26に転送される。このときキャパシタ22からキャパシタ26に転送される電荷量は、キャパシタ26が参照電圧VR/2に充電されたときのキャパシタ22の電荷量の1/64倍となる。
キャパシタ22の小放電が開始された後、次のクロック信号CLKの立ち上がりエッジに応答して、演算制御部7は、スイッチSWを動作モードD(キャパシタ26の放電モード)に設定する(時刻t9)。動作モードDでは、図13に示すように、スイッチSW4a,SW4b,SW6a,SW6bがオンされ、残りのスイッチSW1,SW2,SW3a,SW3b,SW5a,SW5bがオフされる。これにより、キャパシタ22からキャパシタ26への電荷転送経路が遮断され、キャパシタ26の放電が行なわれる。これ以降も、放電回路25を用いて、キャパシタ22に残存する電荷が無くなるまで、所定量ずつ段階的な小放電が繰り返し行なわれる。
なお、キャパシタ22からキャパシタ26への電荷の転送に1クロック期間を要し、キャパシタ26の電荷を無くすのに1クロック期間を要するので、キャパシタ22の小放電期間は最長で128クロック期間となる。
キャパシタ22の小放電が進んで演算増幅器21の出力電圧V1が参照電圧VRに到達すると、比較回路27の出力信号φAが「L」レベルから「H」レベルに立ち上げられる。演算制御部7は、信号φAの立ち上がりエッジに応答してスイッチSWを動作モードEに設定する。これにより、一連の充放電動作が完了される。
また、演算制御部7は、放電回路25を用いた小放電回数(動作モードCへの移行回数)Nをカウントする。また、演算制御部7は、信号φBの立ち上がりエッジの回数Mと、放電回路25を用いた小放電回数Nとに基づいて、光センサ42の設置場所の照度を求め、求めた照度を示すデジタル信号DOを出力する。
図14は、光源が蛍光灯である場合における照度センサの動作を示すタイムチャートである。時刻t1においてキャパシタ22,11,16の充電が開始され、演算増幅器21,10,15の出力電圧V1,V2,V3が参照電圧VRから下降し始め、比較回路27の出力信号φAが「H」レベルから「L」レベルに立ち下げられる。
時刻t2において、演算増幅器10の出力電圧V2が参照電圧3VR/4に到達し、比較回路13の出力信号φ4が「L」レベルになって、信号F2が「L」レベルから「H」レベルに立ち上げられる。信号F2が「H」レベルになると、スイッチ12がオンし、演算増幅器10の出力電圧V2が参照電圧VRになる。また、信号φ4の立ち上がりエッジに応答して信号φ2が「H」レベルになり、スイッチ2の端子2b,2c間が導通して光センサPS2の出力ノードN2が電荷量検出回路6の入力ノード6aに接続される。これにより、電圧V1の下降速度が速くなる。
次に、時刻t3において、演算増幅器15の出力電圧V3が参照電圧3VR/4に到達し、比較回路18の出力信号φ5が「L」レベルになって、信号F3が「L」レベルから「H」レベルに立ち上げられる。信号F3が「H」レベルになると、スイッチ17がオンし、演算増幅器15の出力電圧V3が参照電圧VRになる。また、信号φ5の立ち上がりエッジに応答して信号φ3が「H」レベルになり、スイッチ3の端子3b,3c間が導通して光センサPS3の出力ノードN3が電荷量検出回路6の入力ノード6aに接続される。これにより、電圧V1の下降速度がさらに速くなる。
次いで時刻t4において、演算増幅器21の出力電圧V1が参照電圧VR/2に到達すると、比較回路28の出力信号φBが「L」レベルから「H」レベルに立ち上げられる。信号φBの立ち上がりエッジに応答してスイッチSWが動作モードBに設定され、キャパシタ22に蓄積されていた全電荷がキャパシタ24に転送され、キャパシタ22の端子間電圧は0Vになり、演算増幅器21の出力電圧V1が参照電圧VRに上昇する。また、比較回路28の出力信号φBが「H」レベルから「L」レベルに立ち下げられ、比較回路27の出力信号φAが「L」レベルから「H」レベルに立ち上げられる。また、演算制御部7は、信号φBが「L」レベルから「H」レベルに立ち上げられる毎に、信号φBの立ち上がりエッジの回数をカウントする。信号φBの1つの立ち上がりエッジは、30Lxに相当する。
比較回路27の出力信号φAの立ち上がりエッジに応答して、スイッチSWは再び動作モードAに設定され、演算増幅器21の出力電圧V1は再び下降し始め、信号φAが「L」レベルに立ち下げられる。これ以降も、演算増幅器21の出力電圧V1が参照電圧VR/2に到達する毎に、キャパシタ22に蓄えられた電荷が放電回路23を用いて放電される(時刻t5,t6)。
次に、時刻t7において、充電期間が終了すると、スイッチSWが動作モードCに設定され、キャパシタ22の充電が停止され、キャパシタ22に蓄積された電荷の一部がキャパシタ26に転送される。このときキャパシタ22からキャパシタ26に転送される電荷量は、キャパシタ26が参照電圧VR/2に充電されたときのキャパシタ22の電荷量の1/64倍となる。
キャパシタ22の小放電が開始された後、次のクロック信号CLKの立ち上がりエッジに応答して、スイッチSWは動作モードDに設定され、キャパシタ22からキャパシタ26への電荷転送経路が遮断され、キャパシタ26の放電が行なわれる。これ以降も、放電回路25を用いて、キャパシタ22に残存する電荷が無くなるまで、所定量ずつ段階的な小放電が繰り返し行なわれる。
次いで時刻t8において演算増幅器21の出力電圧V1が参照電圧VRに到達すると、比較回路27の出力信号φAが「L」レベルから「H」レベルに立ち上げられ、スイッチSWが動作モードEに設定されて、一連の充放電動作が完了される。
また、演算制御部7は、放電回路25を用いた小放電回数Nをカウントし、信号φBの立ち上がりエッジの回数Mと、放電回路25を用いた小放電回数Nとに基づいて、光電変換器1の設置場所の照度を求め、求めた照度を示すデジタル信号DOを出力する。
また、図15は、光源が白熱灯である場合における照度センサの動作を示すタイムチャートであって、図14と対比される図である。図6および図7で示したように、光源が白熱灯の場合、光センサPS2,PS3の出力電流は負極性になるので、演算増幅器10,15の出力電圧V2,V3は参照電圧VRから電源電圧VCCまで上昇する。したがって、比較回路13,14の出力信号φ4,φ5は「H」レベルのまま変化せず、信号F2,F3は「L」レベルのまま変化せず、光センサPS2,PS3は電荷量検出回路6に接続されず、光センサPS1のみが電荷量検出回路6に接続される。他の動作は、光源が蛍光灯の場合と同じであるので、その説明は繰り返さない。
なお、光源が白LEDの場合は、図5〜図7で示したように、3つの光センサPS1〜PS3の出力電流が正極性となるので、3つの光センサPS1〜PS3が電荷量検出回路6に接続される。また、光源がハロゲンランプの場合は、図5〜図7で示したように、2つの光センサPS1,PS2の出力電流だけが正極性になるので、2つの光センサPS1,PS2だけが電荷量検出回路6に接続される。
この実施の形態1では、光電変換器1を3つの光センサPS1〜PS3で構成し、3つの光センサPS1〜PS3の出力電流のうちの正の電流の和は光源の種類に依らず一定の照度に対して一定になるように設定されている。したがって、光源の種類に依らず、照度を正確に検出することができる。
また、3つの光センサPS1〜PS3に共通の電荷量検出回路6を設けたので、3つの光センサPS1〜PS3の各々に電荷量検出回路6を設ける場合に比べ、回路規模が小さくて済む。
なお、この実施の形態1では、充電期間の終了後にキャパシタ22の電荷をキャパシタ26に少しずつ転送したが、充電期間の終了後にキャパシタ22の電荷を定電流回路を介して放電させてもよい。この場合は、定電流回路に流れる定電流と、キャパシタ22の全電荷を放電させるのに掛かった時間とに基づいて、キャパシタ22の電荷量を求めることができる。
また、図16は、図1〜図15に示した照度センサを備えた携帯電話機31を示す図である。図16において、この携帯電話機30の表面には、画像を表示する液晶パネル31と、数字などを入力するための複数のキーパッド32と、IC化された照度センサ33とが設けられている。照度センサ33は、図1〜図15で示したものである。また、この携帯電話機30には、図17に示すように、液晶パネル31に透過光を与えるためのバックライト34と、複数のキーパッド32に透過光を与えるためのバックライト35と、照度センサ33の検出結果に基づいてバックライト34,35の各々の明るさを制御する制御装置36とが内蔵されている。
制御装置36は、照度が大きくなるに従って液晶パネル31用のバックライト34を明るくする。また、制御装置36は、照度が小さい場合はキーパッド32用のバックライト35を点灯し、照度が大きい場合はキーパッド32用のバックライト35を消灯する。これにより、液晶パネル31およびキーパッド32の視認性を良くするとともに、消費電力の低減化を図ることができる。
なお、この照度センサ33は、携帯電話機31に限らず、液晶パネルとバックライトを備えた種々の電気機器(液晶テレビ、パーソナルコンピュータなど)に適用可能である。また、この照度センサ33をデジタルスチルカメラやデジタルビデオカメラに搭載し、撮影場所の照度の測定に使用することも可能である。
[実施の形態2]
特許文献1の照度センサでは、キャパシタの充電期間が一定時間に固定されていたので、明状態から暗状態まで広範囲の照度を高い分解能で検出することはできなかった。
それゆえに、この実施の形態2の主たる目的は、広範囲の照度を高い分解能で検出することが可能な照度センサを提供することである。
図18は、この実施の形態2による照度センサ41の構成を示すブロック図である。図18において、この照度センサ41は、光センサ42、積分回路20、放電回路45,46、比較回路27,28、演算部47、および制御部48を備える。光センサ42は、光ダイオード43,44を含む。光ダイオード43のカソードは電源電圧VDDを受け、そのアノードは出力ノード42aに接続される。光ダイオード44のカソードは出力ノード42aに接続され、そのアノードは接地電圧GNDを受ける。
光ダイオード43は、可視光および赤外線に対して光感度を有し、入射光の光強度に応じたレベルの電流を流す。光ダイオード44は、赤外線に対して光感度を有し、入射光の光強度に応じたレベルの電流を流す。したがって、可視光と赤外線を含む光が光ダイオード43,44に入射すると、光ダイオード43に流れる電流と光ダイオード44に流れる電流との差の電流が出力ノード42aから流出する。したがって、光センサ42は、人間の目と同様の感度を有し、入射した可視光の光強度に応じたレベルの電流を出力する。
積分回路20および比較回路27,28の構成および動作は、図11に示したものと同じであるので、その説明は繰り返さない。積分回路20のスイッチSW1は、光センサ42の出力ノード42aと演算増幅器21の反転入力端子との間に接続される。
図11の放電回路23では、スイッチSW4a,SW4bの一方端子が接地電圧GNDを受けているのに対し、図18の放電回路45では、スイッチSW4a,SW4bの一方端子が参照電圧VRを受けている点で、両者は異なる。しかし、スイッチSW4a,SW4bがオンするとキャパシタ24の端子間電圧が0Vにリセットされる点では同じであり、放電回路23と45の動作は同じである。
また、図11の放電回路25では、スイッチSW6a,SW6bの一方端子が参照電圧VR/2を受けているのに対し、図18の放電回路46では、スイッチSW6a,SW6bの一方端子が参照電圧VRを受けている点で、両者は異なる。しかし、スイッチSW6a,SW6bがオンするとキャパシタ26の端子間電圧が0Vにリセットされる点では同じであり、放電回路25と46の動作は同じである。
演算部47は、クロック信号CLKに同期して動作し、キャパシタ22の充電期間を示す充電信号φCと、比較回路27,28の出力信号φA,φBとに基づいて、照度のモニタ値を示すデジタル信号DOMと、照度を示すデジタル信号DOを出力する。また、演算部47は、クロック信号CLKのパルス数をカウントして時間を測定する。
すなわち、演算部47は、信号φBが「L」レベルから「H」レベルに立ち上げられる毎に、信号φBの立ち上がりエッジの回数をカウントし、そのカウント値に基づいて照度のモニタ値を求め、求めたモニタ値を示すデジタル信号DOMを出力する。信号φBの立ち上がりエッジの回数がm回(ただし、mは自然数である)である場合、照度のモニタ値はm×64(Lx)にされる。
また、演算部47は、キャパシタ22の充電が終了した後に、キャパシタ22の充電時間TCと、その充電時間TC内における信号φBの立ち上がりエッジの回数M(ただし、Mは自然数である)とを求める。充電時間TCにおけるキャパシタ22の電荷量から求めた照度は、M×64(Lx)となる。また、演算部47は、キャパシタ22の充電が終了してから放電回路46によるキャパシタ22の放電が終了するまで、クロック信号CLKのパルス数をカウントする。クロック信号CLKのパルス数のカウント値がN回(ただし、Nは自然数である)である場合、充電時間TC終了後におけるキャパシタ22の電荷量から求めた照度は、N/2(Lx)となる。さらに、演算部47は、充電時間TCにおけるキャパシタ22の電荷量から求めた照度M×64(Lx)と、充電時間TC終了後におけるキャパシタ22の電荷量から求めた照度N/2(Lx)とを加算して光センサ42の設置場所の照度を求め、求めた照度を示すデジタル信号DOを出力する。
制御部48は、クロック信号CLKに同期して動作し、外部から与えられる測定指令信号φSに応答して充電信号φCを「H」レベルに立ち上げた後、比較回路27,28の出力信号に基づき、スイッチSW1,SW2,SW3a,SW3b,SW4a,SW4bを制御してキャパシタ22の充放電を行なう。また、制御部48は、クロック信号CLKのパルス数をカウントして時間を測定する。
また、制御部48は、充電信号φCを「H」レベルに立ち上げてから所定時間T1経過後にデジタル信号DOMで示される照度のモニタ値m×64(Lx)が予め定めれた値L1を越えているか否かを判別する。制御部48は、照度のモニタ値m×64(Lx)が予め定めれた値L1を越えている場合は、充電信号φCを「L」レベルに立ち下げ、キャパシタ22の充電を停止し、スイッチSW5a,SW5b,SW6a,SW6bを制御してキャパシタ22の電荷を少しずつ放電させる。制御部48は、信号φAが「H」レベルに立ち上げられたことに応じてキャパシタ22の放電を終了する。
また、制御部48は、照度のモニタ値m×64(Lx)が予め定めれた値L1を越えていない場合は、キャパシタ22の充電開始から所定時間T2(>T1)経過後に照度のモニタ値m×64(Lx)が予め定めれた値L2を越えているか否かを判別する。制御部48は、照度のモニタ値m×64(Lx)が予め定めれた値L2を越えている場合は、充電信号φCを「L」レベルに立ち下げ、キャパシタ22の充電を停止し、スイッチSW5a,SW5b,SW6a,SW6bを制御してキャパシタ22の電荷を少しずつ放電させる。制御部48は、信号φAが「H」レベルに立ち上げられたことに応じてキャパシタ22の放電を終了する。
また、制御部48は、照度のモニタ値m×64(Lx)が予め定めれた値L2を越えていない場合は、キャパシタ22の充電開始から所定時間T3(>T2)経過後に充電信号φCを「L」レベルに立ち下げ、キャパシタ22の充電を停止し、スイッチSW5a,SW5b,SW6a,SW6bを制御してキャパシタ22の電荷を少しずつ放電させる。制御部48は、信号φAが「H」レベルに立ち上げられたことに応じてキャパシタ22の放電を終了する。
図19は、図18に示した照度センサ41の動作を示すタイムチャートである。まず、照度センサ41の停止期間には、スイッチSWは制御部48によって動作モードE(停止モード)に設定される。動作モードEでは、キャパシタ21,24,26の各々の端子間電圧が0Vにリセットされ、演算増幅器21の出力電圧V1は参照電圧VRとなる。
次に、外部から測定指令信号φSが与えられると、充電信号φCが「H」レベルに立ち上げられ、スイッチSWは動作モードA(キャパシタ22の充電モード)に設定される(時刻t1)。動作モードAでは、光センサ42の出力電流がキャパシタ22に流入し、キャパシタ22の充電が開始される。また、演算増幅器21の出力電圧V1が徐々に下降し、比較回路27の出力信号φAが「L」レベルに立ち下げられる。
キャパシタ22の充電が進んで演算増幅器21の出力電圧V1が参照電圧VR/2に到達すると、比較回路28の出力信号φBが「L」レベルから「H」レベルに立ち上げられる(時刻t2)。制御部48は、信号φBの立ち上がりエッジに応答してスイッチSWを動作モードB(キャパシタ22の大放電モード)に設定する。
動作モードBでは、キャパシタ22に蓄積されていた全電荷がキャパシタ24に転送され、キャパシタ22の端子間電圧は0Vになり、演算増幅器21の出力電圧V1が参照電圧VRに上昇する。また、比較回路28の出力信号φBが「H」レベルから「L」レベルに立ち下げられ、比較回路27の出力信号φAが「L」レベルから「H」レベルに立ち上げられる。また、演算部47は、信号φBが「L」レベルから「H」レベルに立ち上げられる毎に、信号φBの立ち上がりエッジの回数をカウントし、そのカウント値mに基づいて照度のモニタ値m×64(Lx)を求め、求めたモニタ値m×64(Lx)を示すデジタル信号DOMを出力する。
キャパシタ22の大放電が開始された後、次のクロック信号CLKの立ち上がりエッジに応答して、制御部48はスイッチSWを再び動作モードAに設定する(時刻t3)。これにより、演算増幅器21の出力電圧V1は、上昇から再び低下に転じる。また、動作モードAでは、キャパシタ22の充電と並行して、キャパシタ24の放電が行なわれる。これ以降も、演算増幅器21の出力電圧V1が参照電圧VR/2に到達する毎に、キャパシタ22に蓄えられた電荷が放電回路45を用いて放電される。
制御部48は、キャパシタ22の充電開始から所定時間T1経過時にデジタル信号DOMで示される照度のモニタ値m×64(Lx)が予め定めれた値L1を越えている場合、キャパシタ22の充電開始から所定時間T2(>T1)経過時に照度のモニタ値m×64(Lx)が予め定めれた値L2を越えている場合、またはキャパシタ22の充電開始から所定時間T3(>T2)を経過した場合、充電信号φCを「L」レベルに立ち下げ、スイッチSWを動作モードC(キャパシタ22の小放電モード)に設定する(時刻t8)。
動作モードCでは、キャパシタ22の充電が停止され、キャパシタ22に蓄積された電荷の一部がキャパシタ26に転送される。このときキャパシタ22からキャパシタ26に転送される電荷量は、キャパシタ22が参照電圧VR/2に充電されたときのキャパシタ22の電荷量の1/64倍となる。
キャパシタ22の小放電が開始された後、次のクロック信号CLKの立ち上がりエッジに応答して、制御部48は、スイッチSWを動作モードD(キャパシタ11の放電モード)に設定する(時刻t9)。動作モードDでは、キャパシタ22からキャパシタ26への電荷転送経路が遮断され、キャパシタ26の放電が行なわれる。これ以降も、放電回路46を用いて、キャパシタ22に残存する電荷が無くなるまで、所定量ずつ段階的な小放電が繰り返し行なわれる。
なお、キャパシタ22からキャパシタ26への電荷の転送に1クロック期間を要し、キャパシタ26の電荷を無くすのに1クロック期間を要するので、キャパシタ22の小放電期間は最長で128クロック期間となる。
キャパシタ22の小放電が進んで演算増幅器21の出力電圧V1が参照電圧VRに到達すると、比較回路27の出力信号φAが「L」レベルから「H」レベルに立ち上げられる。制御部48は、信号φAの立ち上がりエッジに応答してスイッチSWを動作モードEに設定する。これにより、一連の充放電動作が完了される。
一方、演算部47は、放電回路46を用いた小放電回数(動作モードCへの移行回数)Nをカウントする。また、演算部47は、キャパシタ22の充電時間TCと、その充電時間TC内における信号φBの立ち上がりエッジの回数Mとを求める。また、演算部47は、キャパシタ22の充電時間TCと、その充電時間TC内における信号φBの立ち上がりエッジの回数Mと、放電回路10を用いた小放電回数Nとに基づいて、光センサ42の設置場所の照度を求め、求めた照度を示すデジタル信号DOを出力する。
たとえば、キャパシタ22の充電時間TCが予め定められた時間Taである場合は、照度はM×64+N/2(Lx)となる。照度のモニタ値m×64(Lx)が予め定められた値よりも大きかったためにキャパシタ22の充電が予め定められた時間Taよりも短い時間Tbで終了した場合は、(M×64+N/2)×Ta/Tb(Lx)となる。
なお、従来は、キャパシタ22の充電時間TCを予め定められた時間Taに固定されていたので、照度が大きい場合はM×64がN/2よりも非常に大きくなり、照度は約M×64となり、測定値の分解能が悪かった。これに対して本願発明では、照度が大きい場合は、短時間Tbでキャパシタ22の充電を終了するので、M×64がN/2よりも非常に大きくなるのを防止することができ、測定値の分解能を高くすることができる。また、照度が大きい場合はキャパシタ22の充電時間を短くし、照度が小さい場合はキャパシタ22の充電時間を短くするので、広範囲の照度を測定することができる。
図20は、演算部47および制御部48の動作を示すフローチャートである。制御部48は、測定指令信号φSに応答してステップS1においてキャパシタ22の充電を開始する。キャパシタ22の端子間電圧が参照電圧VR/2に到達する毎に、キャパシタ22は放電され、演算部47によって照度のモニタ値m×64(Lx)が求められる。制御部48は、演算部47からのデジタル信号DOMに基づいて照度のモニタ値m×64(Lx)をモニタする。
制御部48は、ステップS2において、キャパシタ22の充電を開始してから所定時間T1(たとえば、10ms)が経過するのを待ち、ステップS3において、照度のモニタ値m×64(Lx)が所定値L1(たとえば、65335Lx)以上か否かを判別する。照度のモニタ値m×64(Lx)が所定値L1以上である場合は、ステップS4においてキャパシタ22の充電を終了し、キャパシタ22の小放電を行なう。演算部47は、ステップS5において、キャパシタ22の充電時間TCと、その充電時間TC内における信号φBの立ち上がりエッジの回数Mと、放電回路10を用いた小放電回数(動作モードCへの移行回数)Nとに基づいて、光センサ42の設置場所の照度を求め、求めた照度を示すデジタル信号DOを出力する。照度のモニタ値m×64(Lx)が所定値L1よりも小さい場合はステップS6に進む。
制御部48は、ステップS6において、キャパシタ22の充電を開始してから所定時間T2(たとえば、80ms)が経過するのを待ち、ステップS3において、照度のモニタ値が所定値L2(たとえば、8191Lx)以上か否かを判別する。照度のモニタ値が所定値L2以上である場合は、ステップS8においてキャパシタ22の充電を終了し、キャパシタ22の小放電を行なう。演算部47は、ステップS9において、キャパシタ22の充電時間TCと、その充電時間TC内における信号φBの立ち上がりエッジの回数Mと、放電回路10を用いた小放電回数(動作モードCへの移行回数)Nとに基づいて、光センサ42の設置場所の照度を求め、求めた照度を示すデジタル信号DOを出力する。照度のモニタ値が所定値L2よりも小さい場合はステップS10に進む。
制御部48は、ステップS10において、キャパシタ22の充電を開始してから所定時間T3(たとえば、640ms)が経過するのを待ち、ステップS11においてキャパシタ22の充電を終了し、キャパシタ22の小放電を行なう。演算部47は、ステップS12において、キャパシタ22の充電時間TCと、その充電時間TC内における信号φBの立ち上がりエッジの回数Mと、放電回路10を用いた小放電回数(動作モードCへの移行回数)Nとに基づいて、光センサ42の設置場所の照度を求め、求めた照度を示すデジタル信号DOを出力する。
この実施の形態2では、充電期間を3つの期間に分割し、1番目と2番目の期間が終了する毎にキャパシタ22の放電回数mに基づいて照度のモニタ値m×64(Lx)を求め、求めたモニタ値m×64(Lx)が当該期間に対して予め定められた値を越えている場合はキャパシタ22の充電を終了し、越えていない場合はキャパシタ22の充電を継続する。したがって、光センサ42の設置場所の照度に応じてキャパシタ22の充電時間を変えるので、キャパシタ22の充電時間が固定されていた従来に比べ、広範囲の照度を高い分解能で検出することができる。
なお、この実施の形態2では、充電期間の終了後にキャパシタ22の電荷をキャパシタ26に少しずつ転送したが、充電期間の終了後にキャパシタ22の電荷を定電流回路を介して放電させてもよい。この場合は、定電流回路に流れる定電流と、キャパシタ22の全電荷を放電させるのに掛かった時間とに基づいて、キャパシタ22の電荷量を求めることができる。
[実施の形態3]
従来の照度センサは、図21に示すように、光電変換器51、積分回路20、放電回路45,46、比較回路27,28、および演算制御部52を備える。光電変換器51は、電源電圧VCCのノードと積分回路20の入力ノード20aに接続され、照度に応じたレベルの電流を流す。光電変換器51は、たとえば光ダイオードを含む。
積分回路20、放電回路45,46、および比較回路27,28の構成および動作は、図11、図18などで説明した通りである。また、演算制御部52は、クロック信号CLKに同期して動作し、外部から与えられる測定指令信号φSに応答して、照度センサ全体を制御し、比較回路27,28の出力信号φA,φBに基づいて照度を求め、求めた照度を示すデジタル信号DOを出力する。
しかし、従来の照度センサの光感度は、まだ十分に満足できるものではなかった。照度センサの光感度を高くする方法としては、光電変換器51の受光面積を大きくすることが考えられるが、装置寸法が大きくなってしまう。また、キャパシタ22の充電期間を長くすることも考えられるが、測定時間が長くなる。また、キャパシタ22の容量値を小さくすれば、上記充電期間における電荷量の分解能は高くなるが、充電期間後における電荷量の分解能は低下する。また、キャパシタ26の容量値を小さくして、充電期間後にキャパシタ22から流出させる電流値を小さくすると、測定時間が長くなるし、測定結果のばらつきが大きくなる。
それゆえに、この実施の形態3の主たる目的は、測定時間が短く、高感度で、小型の照度センサを提供することである。
図22は、本願発明の実施の形態3による照度センサの構成を示す回路ブロック図であって、図21と対比される図である。図22において、この照度センサが図21の照度センサと異なる点は、積分回路20が積分回路60で置換され、放電回路45が除去され、演算制御部52が演算制御部63で置換されている点である。
積分回路60が積分回路20と異なる点は、キャパシタ22がキャパシタ61,62で置換され、スイッチSW7,SW8が追加されている点である。キャパシタ61は、演算増幅器21の反転入力端子と出力端子との間に接続される。キャパシタ61の容量値C61は、たとえば1pFに設定されている。スイッチSW8およびキャパシタ62は、演算増幅器21の反転入力端子と出力端子との間に直列接続される。キャパシタ62の容量値C62は、キャパシタ61の容量値C61よりも大きな値(たとえば63pF)に設定されている。キャパシタ61,62の容量値の和(C61+C62)は、たとえばキャパシタ22の容量値C22と同じ値に設定される。スイッチSW7は、参照電圧VRのノードと、スイッチSW8およびキャパシタ62間のノードとの間に接続される。
スイッチSW1,SW7がオフされるとともにスイッチSW2,SW8がオンされると、キャパシタ61,62の各々の端子間が短絡されてキャパシタ61,62の各々の端子間電圧が0Vにリセットされ、演算増幅器21の反転入力端子および出力端子の電圧は非反転入力端子の電圧と同じ参照電圧VRとなる(動作モードE)。次に、スイッチSW2,SW8がオフされるとともにスイッチSW1,SW7がオンされると、光電変換器51の出力電流がキャパシタ61に流入し、キャパシタ61が充電される(動作モードA,B)。
キャパシタ61の容量値(1pF)は図20のキャパシタ22の容量値(64pF)の1/64倍に設定されているので、光電変換器51の出力電流(すなわち照度)が従来と同じであれば、キャパシタ61の端子間電圧は図20のキャパシタ22の64倍の速さで上昇する。換言すると、光電変換器51の出力電流(すなわち照度)が従来の1/64倍であっても、キャパシタ61の端子間電圧は図21のキャパシタ22と同じ速さで上昇する。したがって、この照度センサの光感度は従来の照度センサの光感度よりも高くなる。
キャパシタ61の端子間電圧が上昇すると、演算増幅器21の出力電圧V1は下降する。このとき、キャパシタ62の一方端子は参照電圧VRを受け、その他方端子は演算増幅器21の出力電圧V1を受けているので、キャパシタ62の端子間電圧はキャパシタ61の端子間電圧と同じ値になる。次いで、スイッチSW1,SW2,SW7がともにオフされるとともにスイッチ8がオンされると、キャパシタ61,62の充電が停止される(動作モードC,D)。
放電回路46は、キャパシタ26およびスイッチSW5a,SW5b,SW6a,SW6bを含む。キャパシタ26の容量値C26は、キャパシタ61,62の容量値の和(C61+C62)の1/64倍の値、たとえば1pFに設定される。スイッチSW5a、キャパシタ26、およびスイッチSW5bは、参照電圧VR/2のノードと演算増幅器21の反転入力端子との間に直列接続される。スイッチSW6aの一方端子は参照電圧VRを受け、その他方端子はキャパシタ26の一方端子に接続される。スイッチSW6bの一方端子は参照電圧VRを受け、その他方端子はキャパシタ26の他方端子に接続される。
スイッチSW5a,SW5bがともにオフされるとともにスイッチSW6a,SW6bがともにオンされている場合は、キャパシタ26の一方端子および他方端子の各々は参照電圧VRに充電され、キャパシタ26の端子間電圧は0Vとなる(動作モードA,D,E)。次に、スイッチSW5a,SW5bがともにオンされるとともにスイッチSW6a,SW6bがともにオフされると、キャパシタ61,62に蓄積された電荷の一部がキャパシタ26に転送される(動作モードB,C)。
なお、転送前のキャパシタ61,62の電荷量(Q61+Q62)は、Q61+Q62=(C61+C62)×VR/2である。また、転送後のキャパシタ26の電荷量Q26は、Q26=C26×VR/2=[(C61+C62)/64)×VR/2=(Q61+Q62)/64である。
比較回路27,28の動作は、図11で説明した通りである。演算制御部63は、クロック信号CLKに同期して動作し、外部から与えられる測定指令信号φSに応答して、照度センサ全体を制御し、比較回路27,28の出力信号φA,φBに基づいて照度を求め、求めた照度を示すデジタル信号DOを出力する。
光電変換器51の出力電流(すなわち照度)が従来の1/64倍である場合、この照度センサの動作は図12で示した照度センサの動作と同じになる。すなわち、照度センサの停止期間には、スイッチSWは演算制御部63によって動作モードE(停止モード)に設定される。動作モードEでは、図23に示すように、スイッチSW2,SW6a,SW6b,SW8がオンされ、残りのスイッチSW1,SW5a,SW5b,SW7がオフされる。これにより、キャパシタ26,61,62の各々の端子間電圧が0Vにリセットされ、演算増幅器21の出力電圧V1は参照電圧VRとなる。
次に、外部から測定指令信号φSが与えられると、スイッチSWは動作モードA(キャパシタ61,62の充電モード)に設定される(時刻t1)。動作モードAでは、図23に示すように、スイッチSW1,SW6a,SW6b,SW7がオンされ、残りのスイッチSW2,SW5a,SW5b,SW8がオフされる。これにより、光電変換器51の出力電流がキャパシタ61に流入し、キャパシタ61の充電が開始される。また、キャパシタ62の端子間電圧は、キャパシタ61の端子間電圧と同じ値になる。また、演算増幅器21の出力電圧V1が徐々に下降し、比較回路27の出力信号φAが「L」レベルに立ち下げられる。
キャパシタ61の充電が進んで演算増幅器21の出力電圧V1が参照電圧VR/2に到達すると、比較回路28の出力信号φBが「L」レベルから「H」レベルに立ち上げられる(時刻t2)。演算制御部63は、信号φBの立ち上がりエッジに応答してスイッチSWを動作モードB(キャパシタ61の大放電モード)に設定する。動作モードBでは、図23に示すように、スイッチSW1,SW5a,SW5b,SW7がオンされ、残りのスイッチSW2,SW6a,SW6b,SW8がオフされる。
これにより、キャパシタ61に蓄積されていた全電荷がキャパシタ26に転送され、キャパシタ61,62の各々の端子間電圧は0Vになり、演算増幅器21の出力電圧V1が参照電圧VRに上昇する。また、比較回路28の出力信号φBが「H」レベルから「L」レベルに立ち下げられ、比較回路27の出力信号φAが「L」レベルから「H」レベルに立ち上げられる。また、演算制御部63は、信号φBが「L」レベルから「H」レベルに立ち上げられる毎に、信号φBの立ち上がりエッジの回数をカウントする。
キャパシタ61の大放電が開始された後、次のクロック信号CLKの立ち上がりエッジに応答して、演算制御部63はスイッチSWを再び動作モードAに設定する(時刻t3)。これにより、演算増幅器21の出力電圧V1は、上昇から再び低下に転じる。また、動作モードAでは、キャパシタ61の充電と並行して、キャパシタ26の放電が行なわれる。これ以降も、演算増幅器21の出力電圧V1が参照電圧VR/2に到達する毎に、キャパシタ61に蓄えられた電荷が放電回路46を用いて放電される。
演算制御部63は、キャパシタ61の充電開始から所定時間を経過した場合、スイッチSWを動作モードC(キャパシタ61,62の小放電モード)に設定する(時刻t8)。動作モードCでは、図23に示すように、スイッチSW5a,SW5b,SW8がオンされ、残りのスイッチSW1,SW2,SW6a,SW6b,SW7がオフされる。これにより、キャパシタ61の充電が停止され、キャパシタ61,62に蓄積された電荷の一部がキャパシタ26に転送される。このときキャパシタ61,62からキャパシタ26に転送される電荷量は、キャパシタ61,62が参照電圧VR/2に充電されたときのキャパシタ61,62の電荷量の1/64倍となる。
キャパシタ61,62の小放電が開始された後、次のクロック信号CLKの立ち上がりエッジに応答して、演算制御部63は、スイッチSWを動作モードD(キャパシタ26の放電モード)に設定する(時刻t9)。動作モードDでは、図23に示すように、スイッチSW6a,SW6b,SW8がオンされ、残りのスイッチSW1,SW2,SW5a,SW5b,SW7がオフされる。これにより、キャパシタ61,62からキャパシタ26への電荷転送経路が遮断され、キャパシタ26の放電が行なわれる。これ以降も、放電回路46を用いて、キャパシタ61,62に残存する電荷が無くなるまで、所定量ずつ段階的な小放電が繰り返し行なわれる。
キャパシタ61,62の小放電が進んで演算増幅器21の出力電圧V1が参照電圧VRに到達すると、比較回路27の出力信号φAが「L」レベルから「H」レベルに立ち上げられる。演算制御部63は、信号φAの立ち上がりエッジに応答してスイッチSWを動作モードEに設定する。これにより、一連の充放電動作が完了される。
また、演算制御部63は、放電回路46を用いた小放電回数(動作モードCへの移行回数)Nをカウントする。また、演算制御部63は、信号φBの立ち上がりエッジの回数Mと、放電回路46を用いた小放電回数Nとに基づいて、光電変換器51の設置場所の照度を求め、求めた照度を示すデジタル信号DOを出力する。
この実施の形態3では、充電期間は、光電変換器51の出力電流によってキャパシタ61を充電させるとともに、キャパシタ61の端子間電圧が参照電圧VR/2に到達する毎にキャパシタ61を放電させる。また、キャパシタ61よりも大きな容量値を有するキャパシタ62をキャパシタ61と同じ電圧に充電させ、充電期間の終了後は、キャパシタ61,62からキャパシタ26に一定周期で電荷を転送し、充電期間内にキャパシタ61が放電された回数Mと、充電期間の終了後にキャパシタ61,62の全電荷をキャパシタ26に転送した回数Nとに基づいて照度を求める。したがって、充電期間後における電荷量の分解能を下げることなく、充電期間における電荷量の分解能を高めることができる。よって、測定時間が短く、高感度で、小型の照度センサを実現できる。
なお、この実施の形態3では、充電期間の終了後にキャパシタ61,62の電荷をキャパシタ26に少しずつ転送したが、充電期間の終了後にキャパシタ61,62の電荷を定電流回路を介して放電させてもよい。この場合は、定電流回路に流れる定電流と、キャパシタ61,62の全電荷を放電させるのに掛かった時間とに基づいて、キャパシタ61,62の電荷量を求めることができる。
また、この実施の形態3では、上記回数M,Nに基づいて光電変換器51が設置された場所の照度を求めたが、上記回数M,Nに基づいて光電変換器51の出力電流を積分した電荷量を求めてもよい。この場合、照度センサは、充電期間内で光電変換器51で発生した電荷量を検出する電荷量検出回路として動作する。
[実施の形態4]
実施の形態4の理解を容易にするために、まず実施の形態4の基礎となる従来の電子機器71について説明する。図24に示すように、従来の電子機器71は、互いに隣接して配置された近接センサ72と照度センサ73を備える。近接センサ72は、赤外線ダイオード74と光ダイオード75を含む。照度センサ73は、光ダイオード76を含む。
赤外線ダイオード74から出射された光αが物体77によって反射され、その反射光が光ダイオード75に入射することにより、近接センサ72は物体77の存在を検出する。また、照度センサ73は、周囲光ALを光ダイオード76が検出することで周囲の明るさを測定する。たとえば、照度センサ73の測定時に、赤外線ダイオード74から発する光βが物体77によって反射され、その反射光が光ダイオード76に入射すると、光ダイオード76は周囲光ALと光βを検出する。
照度センサ73は光ダイオード76が出力する電流を積分型のアナログ/デジタル変換器に入力する構成である場合、照度センサ73に隣接して配置された近接センサ72の赤外線ダイオード74が発光することにより、光ダイオード76に入射する光が光βの分だけ増加すると、それに伴い、光ダイオード76が出力する電流が増加し、積分対象の電流が増加する。照度センサ73はこのまま積分動作を行うと、周囲光ALの明るさではなく、周囲光ALと光βを合わせた光の明るさを測定した結果を出力する。
照度センサ73が周囲光ALの明るさを正確に測定するには、光ダイオード76に光βが入射中は、照度センサ73は光ダイオード76が出力する電流を積分する動作を中断し、赤外線ダイオード74の発光終了後に積分動作を再開するといった動作が必要となる。また、光学フィルタを用いて可視光のみを光ダイオード76に受光させても周囲光ALの明るさを測定することができる。
特許文献1は、アナログ/デジタル変換器およびそれを用いた照度センサ等に関するものであり、照度センサと赤外線反射型の近接センサを互いに隣接して用いることは示唆していない。なお、照度センサは、内部のアナログ/デジタル変換器に入力される電流を入力部に設けられたスイッチにより遮断するならば、アナログ/デジタル変換器に入力される電流を積分する動作を中断することはできる。
しかし、スイッチがトランジスタで構成されている場合、スイッチをオフにすると、スイッチ自体が所有する寄生容量にアナログ/デジタル変換器に入力される電荷が溜まるため、その後にスイッチをオンにすると、スイッチ自体が所有する寄生容量に溜まった電荷がアナログ/デジタル変換器に入力され、積分動作に影響がでるので、アナログ/デジタル変換器へ入力される電流を積分する動作を中断した後に再開をすることができないという問題が生じる。
特許文献2においては、照度センサに入射する光を光学フィルタによってフィルタリングすれば、照度センサで周囲の明るさをある程度正確に計測することは推測できる。しかし、光学フィルタを作製するための製造コストがかかり、さらに光学フィルタを用いなければならないので照度センサ全体の小型化には不向きである。
本発明者は、上記問題点に鑑み、光学フィルタを用いることなく、照度センサと赤外線反射型の近接センサを互いに隣接させるには、入力される電流を積分する動作の一時中断・再開が可能なアナログ/デジタル変換器を照度センサに用いることが有効であることを知見した。
すなわち実施の形態4は、入力される電流を積分する動作を一時中断・再開することが可能であり、かつ、光学フィルタを用いなくとも周囲の明るさを正確に測定することができる照度センサを提供するものである。
図25は、本発明の実施の形態4に係るアナログ/デジタル変換器を用いた照度センサ100の構成を示す回路図である。以下、本発明の実施の形態4を説明する。
照度センサ100は、光センサ部102、充放電部104、およびアナログ/デジタル変換部106を備える。光センサ部102の出力電流Iは充放電部104に入力され、充放電部104から出力されるアナログ信号がアナログ/デジタル変換部106に入力され、アナログ/デジタル変換部106はデジタル信号DOと充放電部104を制御する制御信号φS1〜φS10を出力する。充放電部104とアナログ/デジタル変換部106によって積分型のアナログ/デジタル変換器が構成される。
光センサ部102は、光ダイオードPDを含み、光ダイオードPDによって光を検出し、光強度に応じた電流Iを出力する。光ダイオードPDのカソードは電源電圧VDDを受け、そのアノードは充放電部104に接続される。
充放電部104は、充電回路108,110と、放電部112と、スイッチSW1とを含む。スイッチSW1の一方端子は充電回路108の出力端子に接続され、スイッチSW1の他方端子は充電回路110の出力端子に接続され、スイッチSW1は制御信号φS1に基づいて開閉する。スイッチSW1がオンすると、充電回路108の出力端子の電圧Vaと充電回路110の出力端子の電圧Va2は等しくなる。
アナログ/デジタル変換部106は、充電回路108の出力電圧Vaであるアナログ信号をデジタル信号DOに変換し、そのデジタル信号DOを出力する。アナログ/デジタル変換部106は、比較部118と、制御計算部120とを含む。
充電回路108は、入力される電流すなわち光ダイオードPDが出力する電流Iに応じた電荷を蓄える回路であり、演算増幅器AMP1と、一方端子が演算増幅器AMP1の反転入力端子に接続され、他方端子が演算増幅器AMP1の出力端子に接続された充電用キャパシタ109と、演算増幅器AMP1の非反転入力端子に参照電圧V11を印加する定電圧源E1を有する。さらに充電回路108は、制御信号φS2に基づいて、電流Iが入力される入力端子すなわち光ダイオードPDのアノードと演算増幅器AMP1の反転入力端子との間を開閉するスイッチSW2と、制御信号φS3に基づいて、充電用キャパシタ109の端子間を開閉するスイッチSW3とを含む。
充電回路110は、充電用キャパシタ109に蓄えられている電荷に応じて充電用キャパシタ111に電荷を蓄える回路である。充電回路110は、一方端子が充電回路110の出力端子に接続された充電用キャパシタ111と、制御信号φS4に基づいて、演算増幅器AMP1の反転入力端子と充電用キャパシタ111の他方端子との間を開閉するスイッチSW4と、出力端子が反転入力端子に接続された演算増幅器AMP2とを含む。さらに充電回路110は、演算増幅器AMP2の非反転入力端子に参照電圧V12を印加する定電圧源E2と、制御信号φS5に基づいて開閉し一方端子が充電回路110の出力端子に接続され他方端子が演算増幅器AMP2の出力端子に接続されたスイッチSW5と、制御信号φS6に基づいて開閉し一方端子がスイッチSW4と充電用キャパシタ111との接続点に接続され他方端子が演算増幅器AMP2の出力端子に接続されたスイッチSW6とを含む。
放電部112は、放電回路114と放電回路116を含む。これら2つの放電回路114,116は、充電回路108,110と接続される。このため、放電部112は、充電回路108,110が蓄えている電荷の放電を行なうことができる。ただし、本実施の形態4では、放電部112は、充電回路108が蓄えた電荷を放電するように構成している。
放電回路114は、充電回路108の充電量が所定の閾値に達する毎に、充電回路108に蓄えられた電荷を放電する回路である。放電回路114は、充電用キャパシタ109の容量値の1/m(m>1)の容量値を持つ放電用キャパシタ115と、スイッチSW7a,SW7b,SW8a,SW8bとを含む。スイッチSW7aは、制御信号φS7に基づいて、放電用キャパシタ115の一方端子と接地電圧のノードとの間を開閉する。スイッチSWbは、制御信号φS7に基づいて、放電用キャパシタ115の他方端子と演算増幅器AMP1の反転入力端子との間を開閉する。スイッチSW8aは、制御信号φS8に基づいて、放電用キャパシタ115の一方端子と参照電圧V11のノードとの間を開閉する。スイッチSW8bは、制御信号φS8に基づいて、放電用キャパシタ115の他方端子と参照電圧V11のノードとの間を開閉する。
放電回路116は、放電回路114の放電用キャパシタ115の容量よりも小さい容量の放電用キャパシタ117を用いて、充電回路108に残存する電荷が所定値になるまで、これを所定量ずつ段階的に放電する手段である。さらに放電回路116は、充電用キャパシタ109の1/n(n>m)の容量を持つ放電用キャパシタ117と、参照電圧V11の1/k(k>1)の電圧である参照電圧V13を生成する定電圧源E3を有する。
さらに放電回路116は、スイッチSW9a,SW9b,SW10a,SW10bとを含む。スイッチSW9aは、制御信号φS9に基づいて、放電用キャパシタ117の一方端子と定電圧源E3の正極端子との間を開閉する。スイッチSW9bは、制御信号φS9に基づいて、放電用キャパシタ117の他方端子と演算増幅器AMP1の反転入力端子との間を開閉する。スイッチSW10aは、制御信号φS10に基づいて、放電用キャパシタ117の一方端子と参照電圧V11のノードとの間を開閉する。スイッチSW10bは、制御信号φS10に基づいて、放電用キャパシタ117の他方端子と参照電圧V11のノードとの間を開閉する。
比較部118は、充電回路108の出力電圧Vaと参照電圧V14,V15の各々とを比較する。比較部118は、参照電圧V14を生成する定電圧源E4と、参照電圧V15を生成する定電圧源E5と、非反転入力端子が充電回路108の出力電圧Vaを受け、反転入力端子が定電圧源E4の出力電圧V14を受けるコンパレータCMP1と、反転入力端子が充電回路108の出力電圧Vaを受け、非反転入力端子が定電圧源E5の出力電圧V15を受けるコンパレータCMP2とを含む。
制御計算部120は、クロック信号CLKと命令信号ISとコンパレータCMP1,CMP2の出力信号φA,φBを受け、これらの信号に基づいて制御信号φS1〜φS10を生成し、充電回路108,110および放電回路114,116の充放電動作を制御する。
また、制御計算部120は、充電用キャパシタ109が放電回路114,116によって放電された回数から充電回路108の総充電量を算出し、算出結果を示すデジタル信号DOを出力する。クロック信号CLKおよび命令信号ISは、たとえば図示しないマイクロコンピュータから入力される。説明の便宜上、制御計算部120と図示しないマイクロコンピュータは別個であるものとしたが、マイクロコンピュータに制御計算部120を内蔵してもよい。
スイッチSW1〜SW10の各々は、Nチャネル型またはPチャネル型のMOSトランジスタで構成される。スイッチSW1〜SW10のゲート電極には、それぞれ制御信号φS1〜φS10が与えられる。なお、スイッチSW1〜SW10の各々をNPN型またはPNP型のバイポーラトランジスタで構成し、それらのベース電極にそれぞれ制御信号φS1〜S10を与えてもよい。
本実施の形態4では、参照電圧V11とV12とV14は同じ電圧VRに設定される。また、参照電圧V13とV5は、同じ電圧VR/2に設定される。また、充電用キャパシタ109と111の容量値は同じ値に設定される。たとえば、充電用キャパシタ109と111の容量値はともに64pFに設定され、放電用キャパシタ115の容量値は32pFに設定され、放電用キャパシタ117の容量値は1pFに設定される。充電用キャパシタ109と111の容量値が等しいので、スイッチSW1がオンすると、充電用キャパシタ111に充電用キャパシタ109に蓄えられている電荷と等しい電荷が蓄えられる。
このように2つの放電経路(放電回路114,116)を設け、放電回路114の放電用キャパシタ115の容量値をたとえば32pFに設定し、放電回路116の放電用キャパシタ117の容量値をたとえば1pFに設定し、放電用キャパシタ114と117の容量値を1桁程度変えてやるならば、充電用キャパシタ109が蓄えている電荷を一度に多く放電させる放電回路114と、一度に少なく放電させる放電回路116とを目的に応じて使い分けることができる。
充電回路108の総充電量を測定するために、まず放電回路114によって放電させることで電荷量を大まかに測定していき、充電回路108への電流Iの入力を終了した後に、充電用キャパシタ109に残っている電荷を放電回路116によって放電させて電荷量を細かく測定することで、放電回路を1つだけ設けた場合に比べ、複雑な外部制御を要することなく、照度センサ100の精度の向上と測定時間の短縮が可能となる。
ここで照度センサ100の動作、特に、充放電部104における充放電動作について、図25〜図27を参照しながら説明する。
図26は、充放電部104における充放電動作の一例を示すタイムチャートである。なお、図26の上段には、時間tの経過に対する充電回路108の出力電圧Vaと充電回路110の出力電圧Va2の変遷が示されており、図26の下段には、時間tの経過に対するクロック信号CLK、コンパレータCMP1,CMP2の出力信号φA,φB、命令信号IS、および動作モードの変遷が示されている。
ここで、命令信号ISは、図示しないマイクロコンピュータから制御計算部120に入力される信号であって、照度センサ100の積分動作を制御するために用いられる。命令信号ISがたとえば「H」レベルになると、照度センサ100は積分動作を中断し、命令信号ISが「H」レベルから「L」レベルに変化すると、照度センサ100は積分動作を再開する。
期間Tm1は、充電回路108への電流Iの入力期間を示す。照度センサ100は充電回路108へ電流Iを入力し、充電用キャパシタ109に電荷を充電する。照度センサ100は充電用キャパシタ109に一定量電荷が蓄えられると、放電回路114を用いて充電用キャパシタ109に蓄えられている電荷を放電し、充電を再開する。また、命令信号ISによって照度センサ100の積分動作が制御される。
期間Tm1および充電回路108への電流Iの入力は、図示しないマイクロコンピュータからのクロック信号CLKのパルス数が所定のカウント数に達することにより終了される。ただし、照度センサ100が積分動作を中断している場合は、クロック信号CLKのパルスのカウントを中断する。期間Tm1の終了後、照度センサ100は期間Tm2に移行する。
期間Tm2は、期間Tm1終了時に充電回路108が蓄えている電荷の測定を行なう期間である。照度センサ100は充電回路108への電流Iの入力を終了し、充電用キャパシタ109に蓄えられている電荷を放電回路116によって、小刻みに放電する。放電回路116による放電を繰り返すことにより、充電回路108への電流Iの入力を終了したときの充電用キャパシタ109に蓄えられていた電荷の量を測定する。充電用キャパシタ109に残存している電荷が全て放電されると、期間Tm2は終了する。
図27は、動作モードA〜GにおけるスイッチSWの状態を示す表である。図27の動作内容欄の「キャパシタ109の充電モード」では、光ダイオードPDが出力する電流Iに応じて充電用キャパシタ109に電荷を蓄える。「キャパシタ109の大放電モード」では、充電用キャパシタ109に蓄えられている電荷をクロック信号CLKの1クロック以内に放電用キャパシタ115に移動させる。
「キャパシタ109の小放電モード」では、充電用キャパシタ109に蓄えられている電荷を放電用キャパシタ117が蓄えることができる電荷の分だけ、クロック信号CLKの1クロック以内に放電用キャパシタ117に移動させる。「キャパシタ117の放電モード」では、「キャパシタ109の小放電モード」によって放電用キャパシタ117に移動された電荷をクロック信号CLKの1クロック以内に放電させる。
「待機モード」では、照度センサ100に電源が投入された状態で、図示しないマイクロコンピュータから各種の指示を待つ。「積分中断モード」では、光ダイオードPDが出力する電流Iを積分する動作を一時的に中断する。「積分再開モード」では、「積分中断モード」によって照度センサ100が積分動作を一時中断した後、再度積分動作を行なう。
時刻t0において照度センサ100に電源が投入されると、照度センサ100は動作モードE(待機モード)に入る。動作モードEは時刻t0からt1まで続く。制御計算部120は、充放電部104に対して制御信号φS1〜φS10を送出する。
動作モードEでは、図27に示すように、スイッチSW1,SW2,SW4,SW7a,SW7b,SW9a,SW9bがオフする。また、スイッチSW3,SW5,SW6,SW8a,SW8b,SW10a,SW10bがオンする。なお、このときスイッチSW1,SW4がオンし、スイッチSW5,SW6がオフしてもよい。
動作モードEでは、光ダイオードPDが出力する電流Iが充電回路108へ入力される経路が遮断され、充電用キャパシタ109,111および放電用キャパシタ115,117の電荷はいずれも放電される。このとき、充電回路108の出力電圧Vaは、参照電圧V11(参照電圧V14)に等しくなる。充電回路108の出力電圧Vaと参照電圧V14が等しいので、コンパレータCMP1の出力信号φAは「H」レベルとなる。
時刻t1において照度センサ100に接続された図示しないマイクロコンピュータから照度センサ100へ測定命令が与えられると、制御計算部120は、照度センサ100に周囲の明るさを測定させるべく、動作モードAすなわち充電用キャパシタ109の充電モードを指示する制御信号φS1〜φS10を送出する。
これにより、照度センサ100は周囲の明るさの測定を開始する。照度センサ100は、スイッチSW2をオンさせ、光ダイオードPDが出力する電流Iを充電回路108に入力し、期間Tm1に移行する。
動作モードAでは、図27に示すように、スイッチSW1,SW2,SW6,SW8a,SW8b,SW10a,SW10bがオンする。また、スイッチSW3,SW4,SW5,SW7a,SW7b,SW9a,SW9bがオフする。なお、動作モードAでは、動作モードEのときからスイッチSW1,SW2,SW3,SW5の状態が変わっている。
動作モードAでは、光ダイオードPDが出力する電流Iが充電回路108へ入力される経路が導通され、充電用キャパシタ109の充電が開始される。その結果、充電回路108の出力電圧Vaは、充電用キャパシタ109の充電が進むにつれて、低下していく。
また、スイッチSW1がオンしているので、充電回路108の出力電圧Vaと充電回路110の出力電圧Va2とは等しくなる。本実施の形態4では、充電用キャパシタ109と充電用キャパシタ111の容量が64pFと等しいので、両キャパシタは等しい電荷を保持する。充電回路108の充電が開始され、充電回路108の出力電圧Vaが参照電圧V14より小さくなると、コンパレータCMP1の出力信号φAは「L」レベルとなる。
また、動作モードAでは、充電用キャパシタ109が充電されるとともに、放電用キャパシタ115,117が放電される。
時刻t2において充電用キャパシタ109の充電が進み、充電回路108の出力電圧Vaが参照電圧V15まで低下し、コンパレータCMP2の出力信号φBがそれまでの「L」レベルから「H」レベルに遷移する。このとき制御計算部120は、動作モードBすなわち充電用キャパシタ109の大放電モードを指示する制御信号φS1〜φS10を送出し、さらに動作モードBへの移行回数をカウントする。
動作モードBでは、図27に示すように、スイッチSW1,SW2,SW6,SW7a,SW7b,SW10a,SW10bがオンする。また、スイッチSW3,SW4,SW5,SW8a,SW8b,SW9a,SW9bがオフする。なお、動作モードBでは、動作モードAのときからスイッチSW7a,SW7b,SW8a,SW8bの状態が変わっている。
動作モードBでは、充電用キャパシタ109から放電用キャパシタ115への電荷転送経路が導通され、充電用キャパシタ109の蓄積電荷が放電用キャパシタ115に移される。スイッチSW1がオンしているので、充電回路110の出力電圧Va2は充電回路108の出力電圧Vaに従って変化する。なお、コンパレータCMP2の出力信号φBは、充電回路108の出力電圧Vaが参照電圧V15以上となると「L」レベルとなる。
動作モードBの開始時に充電用キャパシタ109が保持している電荷量Q1は、充電用キャパシタ109の容量が64pFであり、参照電圧V11がVRであるので、Q1=64pF×(VR−Va)と表わされる。また、放電用キャパシタ115が保持することができる電荷量Q3は、放電用キャパシタ115の容量が32pFであるので、Q3=32pF×VRと表わされる。
このように、放電用キャパシタ115の容量値が充電用キャパシタ109の容量値の1/2の大きさであっても、動作モードBの開始時に、放電用キャパシタ115の端子間電圧が充電用キャパシタ109の端子間電圧の2倍であるときには、放電用キャパシタ115は充電用キャパシタ109と同等量の電荷を蓄えることができる。
したがって、動作モードBでは、充電用キャパシタ109に蓄積された電荷が32pF×VRの分だけ放電用キャパシタ115に移されるので、時刻t2より始まる動作モードBでは、充電回路108の出力電圧Vaは、一定値だけ上昇する。なお、充電用キャパシタ109から放電用キャパシタ115への電荷の移動は、動作モードAでの充電用キャパシタ109への充電時間に比べ非常に短時間で終了する。
動作モードBの間も光センサ部102が出力する電流Iの入力、すなわち、充電用キャパシタ109の充電は継続されている。クロック信号CLKに同期して動作モードを変遷させると、動作モードBの開始時に充電回路108の出力電圧Vaは参照電圧V15すなわちVR/2以下となる。このため、コンパレータCMP1の出力信号φAは引き続き「L」レベルに維持される。本実施の形態4ではクロック信号CLKの1クロックで動作モードBを終了する。
時刻t3において動作モードBが開始してから次のクロック信号CLKが立ち上がると、制御計算部120は、動作モードBを終了し、再び動作モードAを指示する制御信号φS1〜φS10を充放電部104へ送出する。
時刻t3以降も、充電回路108の電荷量が所定値に到達して、充電回路108の出力電圧Vaが所定の閾値電圧に到達する毎に、充電回路108に蓄えられている電荷が放電回路114を用いて放電される。
時刻t4において、動作モードAが実行されるときに命令信号ISがたとえば「H」レベルになると、制御計算部120は、動作モードFすなわち積分中断モードを指示する制御信号φS1〜S10を送出する。
動作モードFでは、図27に示すように、スイッチSW1,SW4,SW5,SW7a,SW7b,SW9a,SW9bがオフする。また、スイッチSW2,SW3,SW6,SW8a,SW8b,SW10a,SW10bがオンする。なお、動作モードFでは、動作モードAのときからスイッチSW1,SW3の状態が変わっている。
動作モードFでは、充電回路108の出力端子と充電回路110の出力端子がスイッチSW1によって切り離され、さらに充電回路110がスイッチSW1,SW4によって他の回路と切り離される。そのため充電回路110の出力電圧Va2は動作モードFの開始時の電圧に維持される。充電回路110の出力電圧Va2は、動作モードFの開始時の充電回路108の出力電圧Vaの電圧でもある。
動作モードFでは、また、充電回路108の出力電圧VaはスイッチSW3がオンするので参照電圧V11(参照電圧V14)と等しくなり、さらにコンパレータCMP1の出力信号φAが「H」レベルとなる。
これらの動作により照度センサ100は光センサ部102が出力する電流Iを積分する動作を中断する。さらに、スイッチSW2,SW3がオンするので、スイッチ自体が所有する寄生容量に電荷が溜まることを防ぐことができる。
時刻t5において動作モードF、すなわち積分中断モードを終え、次の積分再開モードに入るときには、命令信号ISを「H」レベルから「L」レベルに遷移させる。これにより照度センサ100の積分動作を再開させるときには、制御計算部120は、中断した積分動作を再開させるため、動作モードGすなわち積分再開モードを指示する制御信号φS1〜φS10を送出する。
動作モードGでは図27に示すように、スイッチSW1,SW3,SW6,SW7a,SW7b,SW9a,SW9bがオフする。また、スイッチSW2,SW4,SW5,SW8a,SW8b,SW10a,SW10bがオンする。なお、動作モードGでは、動作モードFのときからスイッチSW3,SW4,SW5,SW6の状態が変わっている。
動作モードGでは、充電用キャパシタ111に蓄えられている電荷が充電用キャパシタ109に移される。動作モードFにおいて充電回路110の出力電圧Va2は動作モードF開始時の充電回路108の出力電圧Vaに維持されるので、充電用キャパシタ111の保持している電荷を充電用キャパシタ109に移すことができる。これによって充電回路108の出力電圧Vaを照度センサ100が積分動作を中断する直前の充電回路108の出力電圧Vaに戻すことが可能となる。
なお、動作モードGにおいてはスイッチSW5がオンしているので、充電回路110の出力電圧Va2は参照電圧V11(参照電圧V14)と等しくなる。また、スイッチSW2がオンし、スイッチSW3がオフするので、充電用キャパシタ109への充電が再開される。
動作モードGにおける充電用キャパシタ111から充電用キャパシタ109への電荷の移動は、動作モードAにおける充電時間に比べ非常に短時間で終了する。本実施の形態4では、クロック信号CLKの1クロック期間で動作モードGを終了する。
動作モードGの終了後は、コンパレータCMP2の出力信号φBが「H」レベルであるなら動作モードBに移行し、照度センサ100へのクロック信号CLKのパルスのカウント値が所定値に達することにより期間Tm1を終了する場合は動作モードCに移行し、それ以外の場合は動作モードAに移行する。
時刻t6において動作モードG終了後、動作モードAに入ると、スイッチSW1がオンするため、充電回路110の出力電圧Va2は充電回路108の出力電圧Vaと等しくなる。動作モードGの終了後、動作モードBまたは動作モードCになる場合も、スイッチSW1はオンするため、充電回路110の出力電圧Va2は、充電回路108の出力電圧Vaと等しくなる。
時刻t7において照度センサ100が期間Tm1に移行された後、動作モードA、動作モードB、および動作モードGにおいてのクロック信号CLKのパルスのカウント値が所定値に達すると、照度センサ100は期間Tm1から期間Tm2に移行する。
期間Tm2に入ると、制御計算部120は、動作モードCすなわち充電用キャパシタ109の小放電モードを指示する制御信号φS1〜φS10を充放電部104へ送出し、さらに動作モードCへの移行回数をカウントする。
動作モードCでは、図27に示すように、スイッチSW1,SW6,SW8a,SW8b,SW9a,SW9bがオンする。また、スイッチSW2,SW3,SW4,SW5,SW7a,SW7b,SW10a,SW10bがオフする。なお、動作モードCでは、動作モードAのときからスイッチSW2,SW9a,SW9b,SW10a,SW10bの状態が変わっている。
動作モードCでは、光ダイオードPDが出力する電流Iが充電回路108に入力される経路が遮断されるとともに、充電用キャパシタ109から放電用キャパシタ117への電荷転送経路が導通され、充電用キャパシタ109の蓄積電荷が一定量だけ放電用キャパシタ117に移される。
動作モードC開始時に充電用キャパシタ109が保持している電荷量Q1は、充電用キャパシタ109の容量が64pFであり、参照電圧V11がVRであるので、Q1=64pF×(VR−Va)で表わされる。また、放電用キャパシタ117が保持することができる電荷Q4は、放電用キャパシタ117の容量が1pFであり、参照電圧V15がVR/2であるので、Q4=1pF×VR/2と表わされる。
つまり、動作モードCでは、充電用キャパシタ109が保持している電荷が、1pF×VR/2の分だけ放電用キャパシタ117に移動するので、その分だけ充電回路108の出力電圧Vaが上昇する。なお、充電用キャパシタ109から放電用キャパシタ117への電荷の移動は、動作モードAでの充電用キャパシタ109への充電時間に比べ非常に短時間で終了する。
時刻t8において動作モードCが開始された後、次のクロック信号CLKが立ち上がると、制御計算部120は、充電用キャパシタ109から放電用キャパシタ117に移された電荷を放電すべく、動作モードDすなわち放電用キャパシタ117の放電モードを指示する制御信号φS1〜φS10を充放電部104へ送出する。
動作モードDでは、図27に示すように、スイッチSW1,SW6,SW8a,SW8b,SW10a,SW10bがオンする。また、スイッチSW2,SW3,SW4,SW5,SW7a,SW7b,SW9a,SW9bがオフする。なお、動作モードDでは、動作モードCのときからスイッチSW9a,SW9b,SW10a,SW10bの状態が変わっている。
動作モードDでは、充電用キャパシタ109から放電用キャパシタ117への電荷転送経路が遮断され、放電用キャパシタ117の放電が行われる。期間Tm2では、放電回路116を用いて、充電回路108に残存する電荷が所定値になるまで、動作モードCおよび動作モードDを繰り返し所定量ずつ小刻みに放電が行われる。
なお、期間Tm2は、充電用キャパシタ109から放電用キャパシタ117への電荷移動にクロック信号CLKの1クロック期間を要し、放電用キャパシタ117の電荷を放電するのにクロック信号CLKの1クロック期間を要する。放電用キャパシタ117の容量値は充電用キャパシタ109の容量値の1/64であるため、期間Tm2は最長で128クロック期間となる。
時刻t9において充電回路108の出力電圧Vaが参照電圧V14に達すると、コンパレータCMP1の出力信号φAが「L」レベルから「H」レベルに遷移される。このとき、制御計算部120は、期間Tm2においてコンパレータCMP1の出力信号φAが「H」レベルになったことから、期間Tm2を終了させるべく、動作モードEを指示する制御信号φS1〜φS10を送出する。これにより、上記一連の充放電動作が完了される。
また、時刻t9において制御計算部120は、動作モードBへの移行回数と、動作モードCへの移行回数のカウント結果から、放電回路114および放電回路116を用いた充電用キャパシタ109の放電回数を求め、充電回路108の総充電量を算出する。制御計算部120は、充電回路108の総充電量から照度センサ100の周囲の明るさを算出し、デジタル信号DOを出力する。
期間Tm2が終了し、周囲の明るさをデジタル信号DOとして出力した後、照度センサ100は、照度センサ100に接続された図示しないマイクロコンピュータからの各種の指示が与えられるまで待機し、測定命令が与えられると期間Tm1に移行し、以下前述の動作を行なう。
以上の時刻t1から時刻t9までの動作を繰り返すことにより、照度センサ100は光ダイオードPDが出力する電流Iの積分動作を中断しても、充電回路108は積分動作の再開時に、積分動作を中断する直前の状態に戻ることができ、充電回路108が積分動作を中断する直前の状態から積分動作を再開するため、照度センサ100は積分動作の一時中断・再開が可能となる。そのため、照度センサ100は周囲の明るさを正確に測定することができる。
なお、上記の実施の形態4では、充電回路110を単独で用いたが、充電回路110を複数個並列接続し、複数の充電用キャパシタ111の容量値の和が充電用キャパシタ109の容量値に等しくなるようにしてもよい。
図28は、本発明に係る電子機器200の構成の一例を示す図である。図28を用いて電子機器200の構成について説明する。電子機器200は、入力装置202および照明装置204を備える。
入力装置202は、電子機器200を操作するために用いられる。入力装置202は、たとえば、複数のボタンを含む。ボタンを押すとスイッチがオン状態となり、ボタンを離すとスイッチがオフ状態となる。また、入力装置202は、タッチパネル、あるいは音声入力装置等であってもよい。
照明装置204は、電子機器200の表示装置としての役割を持つ。たとえば、照明装置204は、入力装置202が操作されて信号が入力されると、入力結果を表示する。
図29は、照明装置204の構成を示すブロック図である。図29に示すように、照明装置204は、照明部206、受光部208、およびマイクロコンピュータ211を備える。照明部206は、たとえば、LED、有機EL等の光源素子を含む。これらの光源素子の点灯/消灯は、マイクロコンピュータ211によって制御される。
受光部208は、1つの半導体基板上に照度センサ100および赤外線反射型の近接センサ212を形成した半導体装置を備える。受光部208は、周囲光を受光するとともに、近接センサ212の赤外線ダイオードから出射された光が物体で反射された光を受光する。照度センサ100は、周囲の明るさを測定し、その測定結果を示す信号をマイクロコンピュータ211に送出する。また、近接センサ212は、照明装置204に物体が近接しているか否かを検出し、検出結果を示す信号をマイクロコンピュータ211に送出する。
マイクロコンピュータ211は、照度センサ100の測定結果および近接センサ212の検出結果に基づいて、照明部206の点灯制御を行なう。また、マイクロコンピュータ211は、照度センサ100および近接センサ212を制御する。
マイクロコンピュータ211による照度センサ100、照明部206、および近接センサ212の制御について説明する。マイクロコンピュータ211は照明部206の点灯制御を行なうために、照度センサ100に測定命令を送出し、周囲の明るさの測定を開始させる。また、照度センサ100に、命令信号ISをたとえば「L」レベルで送出する。
照度センサ100による周囲の明るさの測定中に、マイクロコンピュータ211は照明装置204の近くの物体を検出するために近接センサ212に検出命令DSを送出する。このとき、近接センサ212の赤外線ダイオードが発光することにより、照度センサ100が周囲の明るさを正確に測定することができなくなるという不具合を防ぐために、近接センサ212に検出命令DSを送出するのと同時に、命令信号ISをたとえば「L」レベルから「H」レベルに遷移させる。また、マイクロコンピュータ211が命令信号ISを「L」レベルから「H」レベルに遷移させた後に、照度センサ100が近接センサ212に検出命令DSを送出するようにしてもよい。
照度センサ100は、命令信号ISが「L」レベルから「H」レベルに遷移したことに応じて、前述した積分中断の動作を行なう。また、近接センサ212は、検出命令DSが与えられたことに応じて、照明装置204の近くの物体の有無を検出し、検出結果を示す信号をマイクロコンピュータ211へ送出する。
マイクロコンピュータ211は、近接センサ212による照明装置204の近くの物体の検出は一定時間で終了させる。マイクロコンピュータ211は、近接センサ212が検出を終了すると、照度センサ100へ送出する命令信号ISを「H」レベルから「L」レベルに遷移させる。したがって、近接センサ212は、照度センサ100が積分動作を行なっていないときのみ動作し、照度センサ100は近接センサ212が動作中は積分動作を行なわない。
照度センサ100は、命令信号ISがたとえば「L」レベルから「H」レベルに遷移したことに応じて、前述した積分動作を再開する。そして照度センサ100は、周囲の明るさの測定が終わると、測定結果をデジタル信号DOとしてマイクロコンピュータ211へ送出する。
マイクロコンピュータ211は、照度センサ100の測定結果と近接センサ212の検出結果に基づいて、照明部206の点灯制御を行なう。マイクロコンピュータ211は、たとえば、周囲の明るさに応じて照明部206の明るさを調整するとともに、近接センサ212によって照明装置204の近くに物体の存在を検出したときには、照明部206を暗くする。上記の動作を繰り返すことにより、照明部206は常に最適な明るさに保たれる。
この実施の形態4では、電子機器200は、照度センサ100と近接センサ212を互いに隣接して配置しても周囲の明るさを正確に測定し、照明部206の明るさを照度センサ100の測定結果と近接センサ212の検出結果から常に最適な明るさに調整することができる。
また、照度センサ100および近接センサ212を1つの半導体基板上に形成することにより、1チップで近接センサと照度センサの機能を持つ半導体装置を提供することができる。本発明の照度センサ100は光学フィルタを用いないため小型化に適し、容易に赤外線反射型の近接センサ212と同じ半導体チップ上に組み込むことができる。赤外線反射型の近接センサ212と、本発明に係る照度センサ100を1チップに組み込んだ半導体装置を用いることにより電子機器全体の小型化に貢献することができる。
また、本発明に係る照度センサ100は赤外線反射型の近接センサ212と互いに隣接して用いることができるばかりでなく、種々の発光素子と互いに隣接して用いても、発光素子の点灯時に積分動作を中断し、消灯時に積分動作を再開させることにより、周囲の明るさを正確に測定することができる。
また、本発明に係る照度センサ100および半導体装置はたとえば、表示装置やキーパッドのバックライトの等の照明装置に組み込まれ、本発明に係る照明装置204はたとえば、携帯電話や携帯ゲーム機等の電子機器に組み込まれることにより消費電力削減に大きく貢献することができる。
特に表示装置にタッチパネルを搭載する電子機器に赤外線反射型の近接センサと照度センサを1つの半導体基板上に構成した本発明に係る半導体装置を搭載すると電子機器の小型化に大きく貢献することができる。
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
本発明のアナログ/デジタル変換器は、アナログ/デジタル変換器に入力される電流の積分動作の一時中断・再開が可能である。これを用いた照度センサを赤外線反射型の近接センサと互いに隣接して配置する場合、光学フィルタを配置しなくとも周囲の明るさを正確に計測することができる。さらに光学フィルタを用いないため、製造コストを抑えることができ、また小型化に有利であるため、産業上の利用可能性は極めて高い。
また、本発明に係る照度センサと、赤外線反射型の近接センサと、を1つの半導体基板上に組み込んだ半導体装置を用いることにより、電子機器全体の小型化に貢献できるため、産業上の利用可能性は極めて高い。
1,51 光電変換器、PS,42 光センサ、PDA,PDB,43,44,75,76 光ダイオード、2,3,12,17,SW スイッチ、4,5 極性検出回路、6 電荷量検出回路、7,52 演算制御部、10,15,21,AMP 演算増幅器、11,16,22,24,26,61,62,109,111,115,117 キャパシタ、13,18,27,28 比較回路、20,60 積分回路、23,25,45,46,114,116 放電回路、30 携帯電話機、31 液晶パネル、32 キーパッド、33,41,73,100 照度センサ、34,35 バックライト、36 制御装置、47 演算部、48 制御部、71,200 電子機器、72,212 近接センサ、74 赤外線ダイオード、77 物体、AL 周囲光、α,β 光、102 光センサ部、104 充放電部、106 アナログ/デジタル変換部、108,110 充電回路、112 放電部、118 比較部、120 制御計算部、202 入力装置、204 照明装置、206 照明部、208 受光部、211 マイクロコンピュータ、CMP コンパレータ、E1〜E5 定電圧源。

Claims (22)

  1. 光強度に応じた電流を出力する第1の光センサと、
    前記第1の光センサと受光面積が異なり、光強度に応じた電流を出力する第2の光センサと、
    前記第2の光センサの出力電流を受ける第1の端子と、第2および第3の端子とを有し、第1の制御信号に基づいて第1の端子を第2および第3の端子のうちのいずれか1つの端子に接続する第1のスイッチと、
    前記第1のスイッチの第2の端子に接続され、入力電流の極性を検出する第1の極性検出回路と、
    前記第1の光センサの出力ノードおよび前記第1のスイッチの第3の端子に接続され、入力電流を積分して電荷量を検出する電荷量検出回路と、
    前記第1の極性検出回路の検出結果に基づいて前記第1の制御信号を出力するとともに、前記電荷量検出回路の検出結果に基づいて前記第1および第2の光センサの設置場所の照度を示すデジタル信号を出力する演算制御部とを備える、照度センサ。
  2. さらに、前記第1および第2の光センサの各々と受光面積が異なり、光強度に応じた電流を出力する第3の光センサと、
    前記第3の光センサの出力電流を受ける第1の端子と、第2および第3の端子とを有し、第2の制御信号に基づいて第1の端子を第2および第3の端子のうちのいずれか1つの端子に接続する第2のスイッチと、
    前記第2のスイッチの第2の端子に接続され、入力電流の極性を検出する第2の極性検出回路とを備え、
    前記電荷量検出回路は、さらに、前記第2のスイッチの第3の端子に接続され、
    前記演算制御部は、さらに、前記第2の極性検出回路の検出結果に基づいて前記第2の制御信号を出力するとともに、前記電荷量検出回路の検出結果に基づいて前記第1、第2および第3の光センサの設置場所の照度を示すデジタル信号を出力する、請求項1に記載の照度センサ。
  3. 前記第1、第2および第3の光センサの各々は、
    可視光領域で光感度が最大になる第1の光ダイオードと、
    赤外光領域で光感度が最大になる第2の光ダイオードとを含み、
    前記第1および第2の光ダイオードで発生した光電流の差の電流を出力する、請求項2に記載の照度センサ。
  4. 前記第1の光ダイオードのカソードが第1の電源電圧を受け、前記第1の光ダイオードのアノードが出力ノードに接続され、
    前記第2の光ダイオードのカソードが前記出力ノードに接続され、前記第2の光ダイオードのアノードが前記第1の電源電圧よりも低い第2の電源電圧を受ける、請求項3に記載の照度センサ。
  5. 前記電荷量検出回路は、
    第1のキャパシタと、
    予め定められた充電期間だけ入力電流によって前記第1のキャパシタを充電させる第1の充電回路と、
    前記第1のキャパシタの電荷量が予め定められた電荷量に到達する毎に前記第1のキャパシタを放電させる第1の放電回路と、
    前記第1の充電回路による前記第1のキャパシタの充電が終了したことに応じて前記第1のキャパシタから一定の電流を流出させる第2の放電回路とを含み、
    前記演算制御部は、前記第1の放電回路によって前記第1のキャパシタが放電された回数と前記第2の放電回路によって前記第1のキャパシタの全電荷を流出させるのに掛かった時間とに基づいて前記第1および第2の光センサの設置場所の照度を求める、請求項1から請求項4までのいずれか1項に記載の照度センサ。
  6. 前記第1の極性検出回路は、
    前記第1のキャパシタよりも小さな電荷蓄積能力を有する第2のキャパシタと、
    前記第の光センサの出力電流によって前記第2のキャパシタを充電する第2の充電回路とを含み、
    前記第2の充電回路は、前記第2のキャパシタの電荷量に応じたレベルの電圧を出力する演算増幅器を有し、
    前記第1の極性検出回路は、さらに、前記演算増幅器の出力電圧が参照電圧に到達したことに応じて、対応の光センサの出力電流の極性が正であることを示す信号を出力する比較回路を含み、
    前記第2の充電回路は、前記比較回路の出力信号に応答して前記第2のキャパシタの充電を停止する、請求項5に記載の照度センサ。
  7. 前記第1の充電回路は、前記第1のキャパシタの電荷量に応じたレベルの電圧を出力する演算増幅器を含み、
    前記第1の放電回路は、
    前記第1のキャパシタと同じ電荷蓄積能力を有する第2のキャパシタと、
    前記演算増幅器の出力電圧が第1の参照電圧に到達したことに応じて前記第1のキャパシタの電荷を前記第2のキャパシタに転送させる第1の転送回路とを含み、
    前記第2の放電回路は、
    前記第1のキャパシタよりも小さな電荷蓄積能力を有する第3のキャパシタと、
    所定の周期で前記第1のキャパシタの電荷を前記第3のキャパシタに転送させ、前記演算増幅器の出力電圧が第2の参照電圧に到達したことに応じて電荷の転送を停止する第2の転送回路とを含む、請求項5に記載の照度センサ。
  8. 前記演算制御部は、
    前記電荷量検出回路の前記第1の充電回路、前記第1の放電回路、および前記第2の放電回路の各々を制御し、
    前記予め定められた充電期間を複数の期間に分割し、最後の期間以外の各期間が終了する毎に前記第1の放電回路によって前記第1のキャパシタが放電された回数に基づいて前記照度のモニタ値を求め、求めたモニタ値が当該期間に対して予め定められた値を越えているか否かを判別し、
    前記モニタ値が前記予め定められた値を越えている場合は前記第1のキャパシタの充電を終了し、前記第2の放電回路によって前記第1のキャパシタから一定の電流を流出させ、前記第1のキャパシタの充電時間と、前記第1のキャパシタの放電回数と、前記第2の放電回路によって前記第1のキャパシタの全電荷を流出させるのに掛かった時間とに基づいて前記照度を求め、
    前記モニタ値が前記予め定められた値を越えていない場合は前記第1のキャパシタの充電を継続する、請求項5から請求項7までのいずれか1項に記載の照度センサ。
  9. 前記電荷量検出回路は、
    第1の容量値を有する第1のキャパシタと、
    前記第1の容量値よりも大きな第2の容量値を有する第2のキャパシタと、
    予め定められた充電期間だけ入力電流によって前記第1のキャパシタを充電させる第1の充電回路と、
    前記充電期間だけ前記第2のキャパシタを前記第1のキャパシタと同じ電圧に充電させる第2の充電回路と、
    前記充電期間は、前記第1のキャパシタの電荷量が予め定められた電荷量に到達する毎に前記第1のキャパシタを放電させ、前記充電期間の終了後は、前記第1および第2のキャパシタから一定の電流を流出させる放電回路とを含み、
    前記演算制御部は、前記充電期間内に前記第1のキャパシタが放電された回数と前記充電期間の終了後に前記第1および第2のキャパシタの全電荷を流出させるのに掛かった時間とに基づいて前記第1および第2の光センサの設置場所の照度を求める、請求項1から請求項4までのいずれか1項に記載の照度センサ。
  10. 前記第1の充電回路は、
    一方端子が前記入力電流を受け、他方端子が前記第1のキャパシタの一方端子に接続され、前記充電期間だけ導通する第2のスイッチと、
    反転入力端子が前記第1のキャパシタの一方端子に接続され、出力端子が前記第1のキャパシタの他方端子および前記第2のキャパシタの一方端子に接続され、非反転入力端子が第1の参照電圧を受ける演算増幅器とを含み、
    前記第2の充電回路は、一方端子が前記第1の参照電圧を受け、他方端子が前記第2のキャパシタの他方端子に接続され、前記充電期間だけ導通する第3のスイッチと、
    前記第2のキャパシタの他方端子と前記第1のキャパシタの一方端子との間に接続され、前記充電期間の終了後に導通する第4のスイッチとを含む、請求項9に記載の照度センサ。
  11. 前記放電回路は、
    前記第2の容量値よりも小さな第3の容量値を有する第3のキャパシタと、
    前記演算増幅器の反転入力端子と第2の参照電圧のノードとの間に前記第3のキャパシタと直列接続された第5のスイッチと、
    前記第3のキャパシタの端子間に接続された第6のスイッチとを含み、
    前記第5および第6のスイッチのうちの一方が導通する場合は他方が非導通になり、
    前記充電期間は、前記第1のキャパシタの電荷量が前記予め定められた電荷量に到達する毎に、前記第5のスイッチが導通して前記第1のキャパシタの全電荷が前記第3のキャパシタに1度に転送され、
    前記充電期間の終了後は、前記第1および第2のキャパシタの電荷が無くなるまで、一定周期で前記第5のスイッチが導通して前記第1および第2のキャパシタの電荷が前記第3のキャパシタに転送され、
    前記演算制御部は、前記充電期間内に前記第1のキャパシタが放電された回数と前記充電期間の終了後に前記第1および第2のキャパシタの電荷が前記第3のキャパシタに転送された回数とに基づいて前記第1および第2の光センサの設置場所の照度を求める、請求項10に記載の照度センサ。
  12. 前記電荷量検出回路は、
    入力電流に応じた電荷を蓄える第1の充電回路と、
    前記第1の充電回路が蓄えている電荷に応じた電荷を蓄える第2の充電回路と、
    一方端子が前記第1の充電回路の出力端子に接続され、他方端子が前記第2の充電回路の出力端子に接続された第2のスイッチとを含む、請求項1から請求項4までのいずれか1項に記載の照度センサ。
  13. 前記電荷量検出回路は、さらに、前記第1の充電回路に蓄えられた電荷を放電させる放電部を含む、請求項12に記載の照度センサ。
  14. 前記第1の充電回路は、
    出力端子が前記第2のスイッチの一方端子に接続され、非反転入力端子が第1の参照電圧を受ける第1の演算増幅器と、
    前記第1の演算増幅器の反転入力端子および出力端子間に接続された第1の充電用キャパシタと、
    前記入力電流を受ける前記第1の充電回路の入力端子と前記第1の演算増幅器の反転入力端子との間を開閉する第3のスイッチと、
    前記第1の充電用キャパシタの端子間を開閉する第4のスイッチとを含む、請求項13に記載の照度センサ。
  15. 前記第2の充電回路は、
    一方端子が前記第1の演算増幅器の反転入力端子に接続される第5のスイッチと、
    前記第5のスイッチの他方端子と前記第のスイッチの他方端子との間に接続された第2の充電用キャパシタと、
    出力端子が反転入力端子に接続され、非反転入力端子が第2の参照電圧を受ける第2の演算増幅器と、
    前記第2のスイッチの他方端子と前記第2の演算増幅器の出力端子との間を開閉する第6のスイッチと、
    前記第5のスイッチの他方端子と前記第2の演算増幅器の出力端子との間を開閉する第7のスイッチとを含む、請求項14に記載の照度センサ。
  16. 前記放電部は第1および第2の放電回路を含み、
    前記第1の放電回路は、
    前記第1の充電用キャパシタの容量値の1/m(ただし、m≧1である)の容量値を有する第1の放電用キャパシタと、
    前記第1の放電用キャパシタの一方端子と接地電圧のノードとの間を開閉するとともに、前記第1の放電用キャパシタの他方端子と前記第1の演算増幅器の反転入力端子との間を開閉する第8のスイッチと、
    前記第1の放電用キャパシタの一方端子および他方端子の各々と前記第1の参照電圧のノードとの間を開閉する第9のスイッチとを有し、
    前記第2の放電回路は、
    前記第1の充電用キャパシタの1/n(ただし、n>mである)の容量値を有する第2の放電用キャパシタと、
    前記第2の放電用キャパシタの一方端子と前記第1の演算増幅器の反転入力端子との間を開閉するとともに、前記第2の放電用キャパシタの他方端子と前記第1の参照電圧の1/k(ただし、k>1である)の電圧値を有する第3の参照電圧のノードとの間を開閉する第10のスイッチと、
    前記第2の放電用キャパシタの一方端子および他方端子の各々と前記第1の参照電圧のノードとの間を開閉する第11のスイッチとを有する、請求項15に記載の照度センサ。
  17. 前記電荷量検出回路は、
    さらに、非反転入力端子が前記第1の演算増幅器の出力端子に接続され、反転入力端子が第4の参照電圧を受ける第1のコンパレータと、
    転入力端子が前記第1の演算増幅器の出力端子に接続され、反転入力端子が第5の参照電圧を受ける第2のコンパレータとを含み、
    前記演算制御部は、前記第1および第2のコンパレータの出力信号に基づいて前記デジタル信号を出力する、請求項16に記載の照度センサ。
  18. 前記第1の充電用キャパシタの容量値と前記第2の充電用キャパシタの容量値が等しく、前記第1の充電用キャパシタに蓄えられている電荷と等しい量の電荷を前記第2の充電用キャパシタに蓄える、請求項15から請求項17までのいずれか1項に記載の照度センサ。
  19. 前記電荷量検出回路は、並列接続された複数の前記第2の充電回路を含み、
    複数の前記第2の充電回路の複数の前記第2の充電用キャパシタの容量値の和が前記第1の充電用キャパシタの容量値に等しい、請求項15から請求項17までのいずれか1項に記載の照度センサ。
  20. 前記電荷量検出回路が入力電流を積分する動作は、一時的に中断した後に再開することが可能になっている、請求項15から請求項19までのいずれか1項に記載の照度センサ。
  21. 請求項5から請求項8までのいずれか1項に記載の照度センサと、
    画像を表示する液晶パネルと、
    前記液晶パネルに透過光を与えるバックライトと、
    前記照度センサの検出結果に基づいて前記バックライトの明るさを制御する制御装置とを備えた、電子機器。
  22. 請求項13から請求項20までのいずれか1項に記載の照度センサと、
    赤外線反射型の近接センサと、
    前記照度センサおよび前記近接センサを搭載した1枚の半導体基板とを備える、半導体装置。
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