JP5635589B2 - 溶射によってターゲットを製造するための方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 28
- 238000007751 thermal spraying Methods 0.000 title claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 61
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 43
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 36
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 30
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 30
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 27
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 27
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 238000007750 plasma spraying Methods 0.000 claims description 27
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 claims description 27
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 23
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 18
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 17
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 16
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 14
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 12
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 11
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 claims description 11
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 10
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 9
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 7
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 7
- 241000446313 Lamella Species 0.000 claims description 6
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 6
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 6
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000010276 construction Methods 0.000 claims description 4
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910021193 La 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000004320 controlled atmosphere Methods 0.000 claims description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910000753 refractory alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 3
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N cadmium oxide Inorganic materials [Cd]=O CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- CFEAAQFZALKQPA-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Cd+2] CFEAAQFZALKQPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 claims description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 29
- 239000010408 film Substances 0.000 description 16
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 12
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 11
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 8
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 7
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N ZrO2 Inorganic materials O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 229910000963 austenitic stainless steel Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 5
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 5
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N Beryllium oxide Chemical compound O=[Be] LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 4
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 4
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 4
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910018565 CuAl Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000943 NiAl Inorganic materials 0.000 description 3
- -1 YAG Chemical class 0.000 description 3
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010431 corundum Substances 0.000 description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 3
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- NPXOKRUENSOPAO-UHFFFAOYSA-N Raney nickel Chemical compound [Al].[Ni] NPXOKRUENSOPAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003570 air Substances 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 2
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 2
- 229910052729 chemical element Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 2
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000001659 ion-beam spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011819 refractory material Substances 0.000 description 2
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 2
- SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N stibanylidynetin;hydrate Chemical compound O.[Sn].[Sb] SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003856 thermoforming Methods 0.000 description 2
- 238000002411 thermogravimetry Methods 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001018 Cast iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002535 CuZn Inorganic materials 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CWYNVVGOOAEACU-UHFFFAOYSA-N Fe2+ Chemical compound [Fe+2] CWYNVVGOOAEACU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910015269 MoCu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 description 1
- QBJPPLLMLNMYAF-UHFFFAOYSA-N [Mo+4].[O-2].[Zn+2].[O-2].[O-2] Chemical compound [Mo+4].[O-2].[Zn+2].[O-2].[O-2] QBJPPLLMLNMYAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 239000012080 ambient air Substances 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 239000004568 cement Substances 0.000 description 1
- 238000007385 chemical modification Methods 0.000 description 1
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000010288 cold spraying Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 1
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 239000002360 explosive Substances 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 230000009970 fire resistant effect Effects 0.000 description 1
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 1
- 238000005242 forging Methods 0.000 description 1
- 238000013467 fragmentation Methods 0.000 description 1
- 238000006062 fragmentation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 1
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 1
- 238000010289 gas flame spraying Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 1
- 239000002893 slag Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- BNEMLSQAJOPTGK-UHFFFAOYSA-N zinc;dioxido(oxo)tin Chemical compound [Zn+2].[O-][Sn]([O-])=O BNEMLSQAJOPTGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C4/00—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge
- C23C4/04—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge characterised by the coating material
- C23C4/06—Metallic material
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- C23C4/00—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge
- C23C4/04—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge characterised by the coating material
- C23C4/10—Oxides, borides, carbides, nitrides or silicides; Mixtures thereof
- C23C4/11—Oxides
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C4/00—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge
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- C23C4/134—Plasma spraying
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Description
−このプロセスはより安定である(酸素圧のヒステリシスがなく、最初に導電するターゲットの表面に抵抗性の膜が形成することによる不安定な性質がなく、寄生アークの供給源がない)。
−より高いスパッタリング速度(場合によっては典型的に1.3〜3倍向上)が非反応性DCマグネトロンモードにおいて可能である。
−大きなモノリシック(一体)の円筒形ターゲットを製造することができる。
−これらのターゲットの端部に局所的な追加の厚みを生成することができる(「ドッグボーン」ターゲット)。
−溶融可能な中間相なしでの支持体チューブの優れた結合により、ターゲットを非常により高い電力レベルで使用することができ、それゆえ薄膜をより高い速度で堆積させることができる。
−これらの損失を最小限に抑えそしてこのような組成物に対して本発明の方法を実施可能なものにする。
−多孔性を増す必要なしに、当該方法によって製造されるターゲットの内部応力を低減し、それによってプラズマ溶射を用いた従来技術のターゲットよりも大きな厚さ(例えばAZOの場合には6mmの厚さ)を有するターゲットの製造を可能にする。
式中、A及びBは、Aを構成する元素の原子価とBを構成する元素の原子価の合計が6に等しいような元素又は元素の組み合わせである。A及びBを構成する以下の元素群を列挙することができる。
・原子価1の元素(K、Rbなど)と原子価5の元素(Nb、Ta、Vなど)の組み合わせ
・原子価2の元素(Sr、Ba、Pbなど)と原子価4の元素(Ti、Zr、Hf、Sn、Ge、Ceなど)の組み合わせ
・原子価3の元素(La、Y、Sc、Biなど)
−チタン酸塩、例えば、BaTiO3、SrTiO3及びPb(Zr53Ti47)O3。BaTiO3は室温で約109Ω・cmの体積抵抗率を有する。
−ニオブ酸塩、例えば、PMN(Pb(Mg1/3Nb2/3)O3)。
式中、BはNb又はTaであり、Aは原子価2の元素(Sr、Ba、Pbなど)であるか又はこれらの元素の組み合わせである。例えば、ニオブ酸塩SBN(Sr,Ba)NbO6を挙げることができる。
他の酸化物、例えば、Ta2O5、Nb2O5、V2O5、ZrO2、HfO2、CeO2、Y2O3、Al2O3、La2O3、MgO、BeOなどもまた、室温で高い体積抵抗率、25℃で105Ω・cm超の体積抵抗率を有する。これらの酸化物の混合化合物、例えば、以下のものも重要である。
−(Ta2O5−Nb2O5)固溶体
−(Al2O3−Y2O3)化合物、例えば、YAG、LaAlO3(アルミン酸ランタン)など
−DxTyOzタイプの化合物(式中、D=Zr、Hf、Ce、Ti、及びT=Al、Y、La)、例えば、チタン酸ランタン(LaTiOx)
−DxTyVvOz化合物(式中、D=Zr、Hf、Ce、T=Al、Y、及びV=Ta、Nb又はV)、例えば、(ZrAlNb)Ox
Tvap<Tm+400℃
を満たす酸化物の群を意味すると解される。
−AZO(アルミニウムをドープした酸化亜鉛)、
−MZO(モリブデン酸化亜鉛)、
−GZO(ガリウムをドープした酸化亜鉛)、
−ATO(アンチモン酸化スズ)、
−FTO(フッ素をドープした酸化スズ)及び
これらの酸化物の混合物、例えば、混合スズ酸化亜鉛を挙げることもできる。
−スプレー領域の即時の冷却を提供し、それによってスプレーされる材料が耐火性化合物及び抵抗性酸化物の場合に化学修飾の如何なる可能性も排除される。
−粒子間の優れた清浄な凝集及び連続パスを提供するようにスプレー表面の強力な洗浄を提供する。
−内部応力を低減し、一方で原料歩留まりを向上させる。
−プラズマトーチとターゲットの間の相対運動が確立される。
−ターゲットの表面が化合物の堆積前に準備される。
−表面の準備としては、当該ターゲットの表面部分を研磨粒子のジェットでブラストする工程(サンドブラストと称される)又は副層の定着に適した筋を機械加工する工程が含まれる。
−表面の準備としては、当該ターゲットの表面部分に定着材料の膜(副層)をスプレーする工程が含まれる。
−耐火性又は抵抗性化合物が、50mbar〜1100mbarの範囲であることができる圧力で、不活性ガスでパージ又はリンスされ、次いで不活性ガスで満たされたチャンバーにスプレーされ、酸素欠乏雰囲気をチャンバー内に作り出すようにされる。
−冷却ジェットのすべて又は一部は酸化特性を有する。
−定着副層が用いられ、それは当該ターゲットの表面部分に前記化合物を溶射する前に堆積される。
−ターゲットはプラズマ溶射の際に熱的に調節される。
−5μm<D10<50μm、25μm<D50<100μm、及び40μm<D90<200μmで表される粒度分布を有する粉末粒子を含むスプレーされた化合物の粉末組成物が用いられる。
−溶射工程の後、それに続く熱処理工程を、ターゲット中に存在する酸素の含有量を低減させるために還元性雰囲気において含む。
−熱ジェット中の異なるポイントで、注入パラメータが各注入器に注入される材料に従って独立して調整される異なる材料を注入するために複数の化合物注入器が用いられる。
−1000ppm未満、好ましくは600ppm未満、より好ましくは450ppm未満の酸素含有量、及び
−化合物の理論電気抵抗率の5倍未満、好ましくは3倍未満、より好ましくは2倍未満の電気抵抗率
を有する。
−3mm超、好ましくは6mm超の公称厚さ、及び
−公称密度の85%超、好ましくは90%超の密度
を有する。
−ターゲットを形成する抵抗性酸化物は、式ABO3のペロブスカイト構造を有する酸化物(式中、A及びBは、Aを構成する1つ又は複数の元素の原子価とBを構成する1つ又は複数の元素の原子価の合計が6に等しいような元素又は元素の組み合わせである)の少なくとも1つから選択されるか、式AB2O6タイプのコロンバイト/トリルチル構造を有する酸化物(式中、BはNb又はTaであり、Aは原子価2の元素、例えば、Sr、Ba、Pbなどである)から選択されるか、又は以下のリスト、すなわち、Ta2O5、Nb2O5、V2O5、ZrO2、HfO2、CeO2、Y2O3、Al2O3、La2O3、MgO、BeOから選択される。
−抵抗性酸化物に基づくターゲットは、上記リストからの2つ以上の抵抗性酸化物の混合物若しくは組み合わせからなる組成物を含むか、又は主として1つの抵抗性酸化物を含む。
−ターゲットを形成する耐火金属は、タングステン、タンタル、ニオブ、チタン、バナジウム、ハフニウム、ジルコニウム、レニウム、ロジウム、並びにAB合金(式中、A及びBは、以下のリストの元素、すなわち、Mo、W、Ta、Nb、Ti、V、Hf、Zr、Re、Rhに属する)及びAMタイプの合金(式中、Aは、以下のリスト、すなわち、Mo、W、Ta、Nb、Ti、V、Hf、Zr、Reに属し、Mは、以下のリスト、すなわち、Co、Ni、Rh、Pd、Pt、Cu、Ag、Auに属する)からなると規定される耐火合金から選択される。
−耐火金属のターゲットはまた、耐火性化合物、揮発性酸化物の化合物、又は抵抗性酸化物の化合物から選択される少なくとも1つの追加の成分を含み、0.5〜30wt%の1つ又は複数の追加の成分を有する。
−ターゲットを形成する揮発性酸化物は、上記の基準、すなわち、Tvap<Tm+400℃を満たし、この酸化物は、特にはアルミニウム、モリブデン、ガリウム、スズ、フッ素若しくはインジウムをドープした酸化亜鉛、酸化スズ、酸化バリウム、酸化カドミウム、酸化インジウム、酸化モリブデン、酸化亜鉛であることができるか、又は混合インジウムスズ酸化物であることができ、揮発性酸化物に基づくターゲットは、上記基準を満たす2つ以上の揮発性酸化物の混合物若しくは組み合わせからなる組成物を含むか、又は主として上記の1つの揮発性酸化物を含む。
−各粉末粒子がターゲットの所望の組成(粉末の溶射の際に揮発による一様でない損失を考慮するために僅かに異なる可能性がある)を有する予め合金にした粉末を使用する。
−それぞれが溶射工程の際に熱ジェット中に異なる流路によって注入される2つ以上の粉末を使用する。
−ターゲットは平面形状である。
−ターゲットは管状形状である。
−ターゲットは、その端部のそれぞれに追加の厚さの材料を有する。
−ターゲットは、化合物が堆積される1つ又は複数の部分を備え、この1つ又は複数の部分はスパッタリング機に取り付けることができる平面の支持体であるか又は次いでこの支持体に結合される中間部分である。
−追加の厚さは、化合物層の公称厚さの約25〜50%である。
−ターゲットは、85%超、好ましくは90%超の密度を有する。
−公称厚さ(e)は1〜25mm、好ましくは6〜14mmである。
−ターゲットは、少なくとも99.5%の純度を有する。
−ターゲットは、使用中のマグネトロンターゲットの予想される特性(十分な機械強度、十分な熱伝導率、使用中のターゲットの冷却用水に対する耐食性など)に対応する特性を提供する支持材料、例えば銅若しくは銅合金又はオーステナイト系ステンレス鋼、例えばX2CrNi18−9若しくはX2CrNiMo17−12−2の上に構成される。
脱脂の後、支持体の表面は、砥粒のジェットでブラストすることにより調製される。これらの砥粒としては、種々のもの、すなわちコランダム(溶融白色アルミナ)粒子、褐色コランダム粒子、アルミナ−ジルコニア砥粒、ヒューズ−キャストスラグ粒子から製造された砥粒(バシルグリット(Vasilgrit)タイプ)、アルマンディンガーネット粒子若しくは角形鋼又は鋳鉄のショットであることができる(このリストは網羅的なものではない)。
ターゲットの機能層の機械的接着を最適化するために、結合副層を溶射によって製造することができる。この操作は、プラズマ粉末溶射、電気アークワイヤ溶射、酸素ガスフレーム溶射(設備によってはワイヤ又は粉末)、HVOF(高速酸素燃料)プロセスを用いた溶射、爆裂溶射プロセス、及び粉末が注入される任意選択で予備加熱されたガスを用いたコールドスプレープロセスから選択される通常の溶射プロセスを用いることができる。この操作は、周囲空気中で本発明を損なうことなく実施することができる。
−ニッケル又はニッケル系合金、すなわちNiAl、NiCr又はNiCrAl;鉄又は第一鉄の合金、すなわちFeCrAl鋼、FeCrC鋼又はFeMnC鋼;X2CrNi18−9又はX2CrNiMo17−12−2のオーステナイト系ステンレス鋼など
−銅又は銅合金、例えばCuAl、CuAlFe、CuZnなど
−モリブデン又はモリブデン合金、すなわちMoCuなど
ターゲットの機能膜は、1及び2に関する以下の特定の条件下で、溶射、好ましくはプラズマ溶射によって形成される。
−制御された雰囲気、すなわち、例えば酸素及び窒素の含有量が低く、主として不活性ガスからなる雰囲気を有し、圧力が50mbar〜1100mbarであるチャンバーにおいて実施されるプラズマ溶射
−不活性ガス又は比較的還元性のプラズマガス混合物を用いたプラズマス溶射(これにより粉末粒子を溶融するとき及び粉末粒子が基材上を飛行している間、粉末粒子の表面に最初に存在する酸素の量を低減することができ、これは、例えば、化合物が耐火性材料であるか又は化合物が抵抗性酸化物である場合である)
−不活性流体(耐火金属若しくは抵抗性酸化物の場合)又は不活性若しくは酸化性流体(揮発性酸化物の場合)の液体若しくはガスの強力な極低温ジェットを吹き付けるためのノズルの使用(このジェットはトーチの周りに分布される)
−ターゲット上に形成される厚さ、特にターゲットの端部における追加の厚さの可能性のある変更を可能にして、「ドッグボーン」ターゲットと一般に呼ばれているものを形成することができるトーチとターゲットの間の相対運動
−粉末をプラズマジェット内により良好に分布させることができる1つ又は複数の粉末注入器の使用
−プラズマトーチは以下のものであることができる。
・商業的に入手可能なDCブローンアークプラズマトーチ
・又は誘導結合RFプラズマトーチ
−以下のような規定された粒子サイズ分布
・D10%(粒子の10%がこの直径よりもサイズが小さいような直径):5〜50μmの間
・D50%(中央直径):25〜100μm
・D90%(粒子の90%がこの直径よりもサイズが小さいような直径):40〜200μm
−ターゲットに関する目標純度に従った純度、好ましくは99.5%超
−酸素含有量:耐火金属の場合、<1500ppm、好ましくは<1000ppm又は<500ppm
本発明によれば、以下の手順に従って平面ターゲットを製造することができる。
−使用するためマグネトロンに取り付けるのに適した平面ターゲットの支持体
−ターゲットの支持体が複雑な形状を有しそしてターゲットを使用した後、それを再利用する必要がある場合には、ターゲット材料は、ターゲット支持体上に直接的には形成されずに、支持体上に結合されている1つ又は複数の中間プレート([タイル]と称される)上に形成される。
−タ−ゲット材料(例えばモリブデンに基づく)は先に述べたのと同じ手順に従って支持体又は1つ又は複数のタイル上に形成される。
−1つ又は複数のタイルの結合は、(支持体が高い機械強度を有する場合には)ターゲット材料の形成前に、又は支持体が十分強くない場合にはタイル上へのターゲット材料の形成後に実施することができる。後者の場合、タイルの寸法は、プラズマ溶射によってターゲット材料を形成する操作の際に、タイルが変形するリスクを最小限にするよう決定される。
−オーステナイト系ステンレス鋼、例えばX2CrNi18−9又はX2CrNiMo17−12−2からなる支持体チューブ
−AZグリット24のアルミナ−ジルコニア吹き付け加工による支持体チューブの表面調製
−空気中で実施されるツインアークワイヤ溶射による、NiAl(95%ニッケル/5%アルミニウム)の組成を有する定着副層の製造。この実施例では、定着副層の厚さは公称200μmであった。
−以下の条件下でのプラズマ溶射によるターゲット上へのモリブデン活性膜の形成
・特定のプラズマジェットの速度特性を与えるプラズマトーチ、及びその結果としてスプレーされた粒子の特性
・チャンバーに配置されたターゲット
・例えばポンプ輸送及び次いで充填によるチャンバー内の不活性雰囲気の作成
・ターゲット上に向けられる極低温冷却ジェットの使用(このジェットはトーチの周りに分布される)
・ターゲットを製造するのに使用される粉末は以下の特徴を有するモリブデン粉末であった。
・凝集焼結モリブデン粉末
・粒径d50=80μm
・純度99.95%、特にFe20ppm及び酸素600ppm
・以下のパラメータを有するプラズマス溶射
・以下のパラメータを有するプラズマトーチを用いて実施例のターゲットを製造した。
−ターゲット支持体上に続いてろう付けされることを意図した銅の中間支持体プレート上へのターゲットの構築
−AZグリット36のアルミナ−ジルコニア吹き付け加工による支持体プレートの表面調製
−CuAl(90/10)合金のプラズマ溶射による、150μmの厚さを有する定着副層の製造
−以下の条件下でのプラズマ溶射によるターゲット上へのタングステン活性膜の形成
・特定のプラズマジェットの速度特性を与えるプラズマトーチ、及びその結果としてスプレーされた粒子の特性
・チャンバーに配置されたターゲット
・ポンピングサイクル(5・10-2kPaまで減圧)の後、チャンバー内に不活性雰囲気(酸素分圧<10-2kPaのアルゴンから構成される)を得るためにアルゴンをチャンバー内に充填する(1atmまで)。
・ターゲット上に向けられる極低温冷却ジェットの使用(このジェットはトーチの周りに分布される)
・ターゲットを製造するのに使用される粉末は以下の特徴を有するタングステン粉末であった。
・粒径d50=25μm
・純度99.95%
・以下のパラメータで実施されるプラズマス溶射
・以下のパラメータを有するプラズマトーチを用いて実施例のターゲットを製造した。
密度=88%
以下のような電気抵抗率
この実施例は、DCマグネトロンスパッタリングにおいて使用することを意図したチタン酸バリウムBaTiO3-xからなる平面ターゲットに関するものである。
−ターゲット支持体上に続いてろう付けされることを意図した銅の中間支持体プレート上へのターゲットの構築
−AZグリット36のアルミナ−ジルコニア吹き付け加工による支持体プレートの表面調製
−CuAl(90/10)合金のプラズマ溶射による、150μmの厚さを有する定着副層の製造
−以下の条件下でのプラズマ溶射によるターゲット上へのBaTiO3-x活性膜の形成
・特定のプラズマジェットの速度特性を与えるプラズマトーチ、及びその結果としてスプレーされた粒子の特性
・チャンバーに配置されたターゲット
・ポンピングサイクル(5・10-2kPaまで減圧)の後、チャンバー内に不活性雰囲気(酸素分圧<10-2kPaのアルゴンから構成される)を得るためにアルゴンをチャンバー内に充填する(1atmまで)。
・ターゲット上に向けられる極低温冷却ジェットの使用(このジェットはトーチの周りに分布される)
・ターゲットを製造するのに使用される粉末は以下の特徴を有するチタン酸バリウムであった。
・凝集焼結粉末
・粒径d50=70μm
・純度99.5%(SrO不純物は除外)
・以下のパラメータで実施されるプラズマス溶射
・以下のパラメータを有するプラズマトーチを用いて実施例のターゲットを製造した。
この実施例は、回転カソードマグネトロンスパッタリングにおいて使用することを意図した管状ターゲットに関するものである。以下のプロセスを実施した。
−オーステナイト系ステンレス鋼、例えばX2CrNi18−9又はX2CrNiMo17−12−2からなる支持体チューブ
−AZグリット24のアルミナ−ジルコニア吹き付け加工による支持体チューブの表面調製
−空気中で実施されるプラズマ溶射による、NiAl(80%ニッケル/20%アルミニウム)の組成を有する定着副層の製造。この実施例では、定着副層の厚さは公称150μmであった。
−以下の条件下でのプラズマ溶射によるターゲット上へのAZO(2%Al2O3−ZnO)活性膜の形成
・特定のプラズマジェットの速度特性を与えるプラズマトーチ、及びその結果としてスプレーされた粒子の特性
・チャンバーに配置されたターゲット
・冷却ジェットの使用
・ターゲットを製造するのに使用される粉末は以下の特徴を有するAZO粉末であった。
・粒径d50=50μm
・純度99.9%
・以下のパラメータで実施されるプラズマス溶射
・以下のパラメータを有するプラズマトーチを用いて実施例のターゲットを製造した。
本発明のターゲットは以下の特性及び利点を有する。
・本発明の方法では、カソード及びその磁石によって作り出される磁界の小さな曲率半径の湾曲部に相当する領域における広範囲の局部侵食を補償するようにターゲットの両端に追加の厚さを堆積させることができるので、プラズマ溶射によって得られる管状ターゲットにおいて使用される材料の利用率が焼結(及び/又は熱成形)プロセスによって得られたものと比較して優れている。これにより、75%超又は80%超のターゲットの原料歩留まりを達成することが可能であり、一方で、平坦な形状のターゲットでは歩留まりは75%未満にとどまる。このタイプのターゲットを用いた結果として、膜、特には純粋なモリブデンに基づく膜が得られ、膜が堆積される表面における基材の特性寸法に沿って得られるその均一性のプロファイルR□は、偏差が(例えば3.20m幅の基材に関して)わずか±2%である。この測定は、「Nagy」タイプの装置を用いて非接触測定によって実施した。
・ターゲットの幅方向の材料厚さの範囲は1〜25mmであり、ターゲットの厚さはその所望の耐用年数に従って選択することができる(この厚さは、実際は、ラインの停止なしでの予想される生産期間によって決定される)。
・管状ターゲットの場合、ACモード又はDCモードにおいて30kW/mを超える電力レベル(堆積速度の増大)で(支持体チューブとターゲットの間の熱勾配による)亀裂のリスク又はろうの溶融のリスクなしでターゲットをバイアスすることができる。
・材料の厚さは使用者にとって厳密に必要な大きさまで低減されるので、高電力の放電を保持するのに必要な電圧を制限することができ、したがってこのターゲットを現行のマグネトロンの電源と競合させることができる。
−非反応性マグネトロンスパッタリングによって抵抗性薄膜を得るためのセラミックターゲットを製造することができ、中程度の酸素分圧の使用が必要とされる(使用においてヒステリシス作用がない)。本発明の方法で得られるセラミックターゲットは、化合物の理論抵抗率に比べて非常に低い抵抗率を有する。
−大きなモノリシックの円筒形ターゲットを製造することができる。
−両端に局所的な余分の厚さを有するターゲット(「ドッグボーン」ターゲット)を製造することができる。
−溶融可能な中間相なしの支持体チューブとの優れた結合
−原料歩留まりの損失は最小限に抑えられるので、この方法は、このタイプの組成物に対して実施可能である。
−当該方法によって製造されるターゲットの内部応力は、多孔性を増す必要なしに低減される。これにより、プラズマ溶射によって従来技術よりも大きな厚さを有するターゲットを構築することができる(例えばAZOの場合6mm)。
・寄生粒子を生成するアーク放電の出現のリスク、及びモリブデン膜の汚染源であるとして知られている、ターゲット材料のフラグメントがその支持体から分離するリスク
・ろう付け用材料又はターゲット支持体材料をセグメント間のギャップを介してスパッタリングするリスク
・支持体に対する結合(ろう又は導電性セメント)の熱又は機械破損のリスク
Claims (20)
- 耐火金属、抵抗性酸化物及び揮発性酸化物から選択される少なくとも1つの化合物を含むターゲットを、溶射、特にはプラズマトーチによるプラズマ溶射によって製造するための製造方法であって、粉末組成物の形態の前記化合物の少なくとも一部が、制御された雰囲気中で溶射によってターゲット支持体の少なくとも一方の表面部分にスプレーされ、及びその構築の際に前記ターゲット上に向けられかつプラズマトーチの周りに分布される−150℃以下の温度を有する強力な極低温の冷却ジェットが使用されることを特徴とする、製造方法。
- 前記ターゲット支持体が配置されたチャンバーであって、50mbar〜1100mbarの範囲である圧力で、不活性ガスでパージ又はリンスされ、次いで不活性ガスで満たされたチャンバーに前記化合物がスプレーされ、酸素欠乏雰囲気をチャンバー内に作り出すようにされることを特徴とする、請求項1に記載の製造方法。
- 前記溶射がプラズマトーチによって実施され、用いられるプラズマガス混合物が還元性であることを特徴とする、請求項1又は2に記載の製造方法。
- 前記冷却ジェットのすべて又は一部が酸化性であることを特徴とする、請求項1に記載の製造方法。
- 定着副層が用いられ、それが前記ターゲット支持体の表面部分に前記化合物を溶射する前に堆積されることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか1項に記載の製造方法。
- 5μm<D10<50μm、25μm<D50<100μm、及び40μm<D90<200μmで表される粒度分布を有する粉末粒子を含むスプレーされた化合物の粉末組成物が用いられることを特徴とする、請求項1〜5のいずれか1項に記載の製造方法。
- 溶射工程の後、それに続く熱処理工程を、前記ターゲット中に存在する酸素の含有量を低減させるために還元性雰囲気において含むことを特徴とする、請求項1〜3、5及び6のいずれか1項に記載の製造方法。
- 請求項1〜7のいずれか1項に記載の製造方法によって製造されたターゲットであって、耐火金属、抵抗性酸化物、及び揮発性酸化物から選択される化合物を主として含みかつラメラ微細構造を有する、ターゲット。
- 前記ターゲットが耐火性化合物に基づき、かつ前記化合物の理論電気抵抗率の5倍未満の電気抵抗率を有することを特徴とする、請求項8に記載のターゲット。
- 前記ターゲットが抵抗性酸化物の化合物に基づき、かつ該酸化物の公称抵抗率よりも1000倍低いターゲット体積抵抗率を有することを特徴とする、請求項8に記載のターゲット。
- 前記ターゲットが揮発性酸化物の化合物に基づき、かつ3mm超の公称厚さを有することを特徴とする、請求項8に記載のターゲット。
- 公称密度の85%超の密度を有することを特徴とする、請求項11に記載のターゲット。
- モリブデン、タングステン、タンタル、ニオブ、チタン、バナジウム、ハフニウム、ジルコニウム、レニウム、ロジウム、並びにAB合金(式中、A及びBは、以下のリストの元素、すなわち、Mo、W、Ta、Nb、Ti、V、Hf、Zr、Re、Rhに属する)及びAMタイプの合金(式中、Aは、以下のリスト、すなわち、Mo、W、Ta、Nb、Ti、V、Hf、Zr、Reに属し、Mは、以下のリスト、すなわち、Co、Ni、Rh、Pd、Pt、Cu、Ag、Auに属する)からなると規定される耐火合金から選択される耐火金属に基づくことを特徴とする、請求項8又は9に記載のターゲット。
- 一方で、モリブデン、タングステン、タンタル、ニオブ、チタン、バナジウム、ハフニウム、ジルコニウム、レニウム及びロジウムから選択される耐火金属と、他方で、ケイ素とから構成され、そのモル比が、ケイ素5モル当たり耐火金属1モルからケイ素1モル当たり耐火金属5モルまでの範囲であることを特徴とする、請求項13に記載のターゲット。
- ターゲットのラメラ微細構造が複合体であり、純ケイ素のラメラと並置された耐火金属のラメラを含むことを特徴とする、請求項14に記載のターゲット。
- 式ABO3のペロブスカイト構造を有する酸化物の群(式中、A及びBは、Aを構成する1つ又は複数の元素の原子価とBを構成する1つ又は複数の元素の原子価の合計が6に等しいような元素又は元素の組み合わせである)から選択されるか、式AB2O6タイプのコロンバイト/トリルチル構造を有する酸化物(式中、BはNb又はTaであり、Aは原子価2の元素、例えば、Sr、Ba、Pbなどである)から選択されるか、又は以下のリスト、すなわち、Ta2O5、Nb2O5、V2O5、ZrO2、HfO2、CeO2、Y2O3、Al2O3、La2O3、MgO、BeOから選択される少なくとも1つの抵抗性酸化物に基づくことを特徴とする、請求項8又は10に記載のターゲット。
- 2つ以上の抵抗性酸化物の混合物若しくは組み合わせからなる組成物を含むか、又は主として1つの抵抗性酸化物を含むことを特徴とする、請求項16に記載のターゲット。
- 前記ターゲットが、Tvap<Tm+400℃の基準を満たす少なくとも1つの揮発性酸化物に基づき、この酸化物が、アルミニウム、モリブデン、ガリウム、スズ、フッ素若しくはインジウムをドープした酸化亜鉛、酸化スズ、酸化バリウム、酸化カドミウム、酸化インジウム、酸化モリブデン、酸化亜鉛であるか、又は混合インジウムスズ酸化物であることを特徴とする、請求項8、11又は12に記載のターゲット。
- 2つ以上の揮発性酸化物の混合物若しくは組み合わせからなる組成物を含むか、又は主として上記の1つの揮発性酸化物を含むことを特徴とする、請求項18に記載のターゲット。
- ターゲットが請求項1〜7のいずれか1項に記載の製造方法によって得られたことを特徴とする、ターゲットをスパッタリングすることによって膜を製造するための方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR0952394 | 2009-04-10 | ||
FR0952394A FR2944293B1 (fr) | 2009-04-10 | 2009-04-10 | Procede d'elaboration par projection thermique d'une cible |
PCT/FR2010/050704 WO2010116112A2 (fr) | 2009-04-10 | 2010-04-12 | Procédé d'élaboration par projection thermique d'une cible |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012523498A JP2012523498A (ja) | 2012-10-04 |
JP5635589B2 true JP5635589B2 (ja) | 2014-12-03 |
Family
ID=41212209
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012504064A Active JP5635589B2 (ja) | 2009-04-10 | 2010-04-12 | 溶射によってターゲットを製造するための方法 |
Country Status (17)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9156089B2 (ja) |
EP (1) | EP2417280B1 (ja) |
JP (1) | JP5635589B2 (ja) |
KR (1) | KR101728923B1 (ja) |
CN (1) | CN102395701A (ja) |
AU (1) | AU2010233526B2 (ja) |
BR (1) | BRPI1010513B1 (ja) |
CA (1) | CA2757903C (ja) |
EA (1) | EA026548B1 (ja) |
ES (1) | ES2444948T3 (ja) |
FR (1) | FR2944293B1 (ja) |
MX (1) | MX2011010533A (ja) |
MY (1) | MY156586A (ja) |
PL (1) | PL2417280T3 (ja) |
SG (1) | SG175161A1 (ja) |
UA (1) | UA106984C2 (ja) |
WO (1) | WO2010116112A2 (ja) |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2944295B1 (fr) * | 2009-04-10 | 2014-08-15 | Saint Gobain Coating Solutions | Cible a base de molybdene et procede d'elaboration par projection thermique d'une cible |
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BE1026683B1 (nl) | 2018-10-05 | 2020-05-07 | Soleras Advanced Coatings Bvba | Sputterdoel |
BE1026850B1 (nl) | 2018-11-12 | 2020-07-07 | Soleras Advanced Coatings Bv | Geleidende sputter doelen met silicium, zirkonium en zuurstof |
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BE1028481B1 (nl) * | 2020-07-14 | 2022-02-14 | Soleras Advanced Coatings Bv | Sputterdoel met grote densiteit |
BE1028482B1 (nl) * | 2020-07-14 | 2022-02-14 | Soleras Advanced Coatings Bv | Vervaardiging en hervullen van sputterdoelen |
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CN112695286A (zh) * | 2020-12-15 | 2021-04-23 | 株洲火炬安泰新材料有限公司 | 一种低电阻率ito靶材粉末的成型方法 |
CN113308671A (zh) * | 2021-05-28 | 2021-08-27 | 矿冶科技集团有限公司 | 一种高纯钽旋转靶材及其制备方法 |
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-
2009
- 2009-04-10 FR FR0952394A patent/FR2944293B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-04-12 KR KR1020117023564A patent/KR101728923B1/ko active IP Right Grant
- 2010-04-12 ES ES10723660.6T patent/ES2444948T3/es active Active
- 2010-04-12 AU AU2010233526A patent/AU2010233526B2/en not_active Ceased
- 2010-04-12 JP JP2012504064A patent/JP5635589B2/ja active Active
- 2010-04-12 CA CA2757903A patent/CA2757903C/fr not_active Expired - Fee Related
- 2010-04-12 US US13/259,991 patent/US9156089B2/en active Active
- 2010-04-12 MY MYPI2011004833A patent/MY156586A/en unknown
- 2010-04-12 WO PCT/FR2010/050704 patent/WO2010116112A2/fr active Application Filing
- 2010-04-12 EP EP10723660.6A patent/EP2417280B1/fr active Active
- 2010-04-12 MX MX2011010533A patent/MX2011010533A/es active IP Right Grant
- 2010-04-12 PL PL10723660T patent/PL2417280T3/pl unknown
- 2010-04-12 BR BRPI1010513A patent/BRPI1010513B1/pt not_active IP Right Cessation
- 2010-04-12 SG SG2011073947A patent/SG175161A1/en unknown
- 2010-04-12 CN CN2010800160871A patent/CN102395701A/zh active Pending
- 2010-04-12 UA UAA201113242A patent/UA106984C2/uk unknown
- 2010-04-12 EA EA201171236A patent/EA026548B1/ru not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
BRPI1010513B1 (pt) | 2020-05-05 |
FR2944293B1 (fr) | 2012-05-18 |
AU2010233526A1 (en) | 2011-11-17 |
KR20120024538A (ko) | 2012-03-14 |
CA2757903A1 (fr) | 2010-10-14 |
JP2012523498A (ja) | 2012-10-04 |
EA026548B1 (ru) | 2017-04-28 |
MY156586A (en) | 2016-03-15 |
EA201171236A1 (ru) | 2012-04-30 |
CA2757903C (fr) | 2014-09-23 |
CN102395701A (zh) | 2012-03-28 |
WO2010116112A3 (fr) | 2011-03-10 |
PL2417280T3 (pl) | 2014-04-30 |
MX2011010533A (es) | 2011-11-04 |
EP2417280B1 (fr) | 2013-11-06 |
US9156089B2 (en) | 2015-10-13 |
AU2010233526B2 (en) | 2016-07-28 |
EP2417280A2 (fr) | 2012-02-15 |
KR101728923B1 (ko) | 2017-04-20 |
US20120055783A1 (en) | 2012-03-08 |
UA106984C2 (uk) | 2014-11-10 |
FR2944293A1 (fr) | 2010-10-15 |
BRPI1010513A2 (pt) | 2016-03-15 |
SG175161A1 (en) | 2011-11-28 |
ES2444948T3 (es) | 2014-02-27 |
WO2010116112A2 (fr) | 2010-10-14 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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