EA026548B1 - Способ получения мишени термонапылением - Google Patents
Способ получения мишени термонапылением Download PDFInfo
- Publication number
- EA026548B1 EA026548B1 EA201171236A EA201171236A EA026548B1 EA 026548 B1 EA026548 B1 EA 026548B1 EA 201171236 A EA201171236 A EA 201171236A EA 201171236 A EA201171236 A EA 201171236A EA 026548 B1 EA026548 B1 EA 026548B1
- Authority
- EA
- Eurasian Patent Office
- Prior art keywords
- target
- compound
- spraying
- targets
- thermal spraying
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 62
- 238000007751 thermal spraying Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 44
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 44
- 238000007750 plasma spraying Methods 0.000 claims abstract description 28
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 claims abstract description 23
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000004320 controlled atmosphere Methods 0.000 claims abstract description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 33
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 25
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 16
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 13
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 7
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 6
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 5
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 claims 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 44
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 41
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 20
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 16
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical group [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 13
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 13
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 11
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 11
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 9
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 8
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 8
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 6
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 6
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 5
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 5
- 230000008719 thickening Effects 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 4
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 4
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 4
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052845 zircon Inorganic materials 0.000 description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000963 austenitic stainless steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 3
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010431 corundum Substances 0.000 description 3
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 3
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 3
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- -1 lanthanum aluminate Chemical class 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 3
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 3
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 3
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 3
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 3
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 2
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 2
- 239000003570 air Substances 0.000 description 2
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000010288 cold spraying Methods 0.000 description 2
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 229910000753 refractory alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 2
- 229910001018 Cast iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052778 Plutonium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006853 SnOz Inorganic materials 0.000 description 1
- NPNMHHNXCILFEF-UHFFFAOYSA-N [F].[Sn]=O Chemical compound [F].[Sn]=O NPNMHHNXCILFEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DBLPTVFDQHASKI-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[Zn+2].[Mo+2]=O Chemical compound [O-2].[O-2].[Zn+2].[Mo+2]=O DBLPTVFDQHASKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005270 abrasive blasting Methods 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052833 almandine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012080 ambient air Substances 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 238000000889 atomisation Methods 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N cadmium oxide Inorganic materials [Cd]=O CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CFEAAQFZALKQPA-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Cd+2] CFEAAQFZALKQPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 229910052729 chemical element Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007385 chemical modification Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 239000011436 cob Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 1
- 238000010283 detonation spraying Methods 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 238000005242 forging Methods 0.000 description 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 1
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 1
- 238000010289 gas flame spraying Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 1
- 238000001659 ion-beam spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N nitrogen oxide Inorganic materials O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 description 1
- WMHSAFDEIXKKMV-UHFFFAOYSA-N oxoantimony;oxotin Chemical compound [Sn]=O.[Sb]=O WMHSAFDEIXKKMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 238000002294 plasma sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000011819 refractory material Substances 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000002893 slag Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 238000002411 thermogravimetry Methods 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003657 tungsten Chemical class 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F7/00—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression
- B22F7/06—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression of composite workpieces or articles from parts, e.g. to form tipped tools
- B22F7/08—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression of composite workpieces or articles from parts, e.g. to form tipped tools with one or more parts not made from powder
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F3/00—Manufacture of workpieces or articles from metallic powder characterised by the manner of compacting or sintering; Apparatus specially adapted therefor ; Presses and furnaces
- B22F3/115—Manufacture of workpieces or articles from metallic powder characterised by the manner of compacting or sintering; Apparatus specially adapted therefor ; Presses and furnaces by spraying molten metal, i.e. spray sintering, spray casting
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C4/00—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge
- C23C4/04—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge characterised by the coating material
- C23C4/06—Metallic material
- C23C4/08—Metallic material containing only metal elements
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C4/00—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge
- C23C4/04—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge characterised by the coating material
- C23C4/10—Oxides, borides, carbides, nitrides or silicides; Mixtures thereof
- C23C4/11—Oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C4/00—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge
- C23C4/12—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge characterised by the method of spraying
- C23C4/134—Plasma spraying
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C4/00—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge
- C23C4/12—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge characterised by the method of spraying
- C23C4/137—Spraying in vacuum or in an inert atmosphere
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3414—Targets
- H01J37/3426—Material
- H01J37/3429—Plural materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3488—Constructional details of particle beam apparatus not otherwise provided for, e.g. arrangement, mounting, housing, environment; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/3491—Manufacturing of targets
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F2998/00—Supplementary information concerning processes or compositions relating to powder metallurgy
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F2999/00—Aspects linked to processes or compositions used in powder metallurgy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02T—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO TRANSPORTATION
- Y02T50/00—Aeronautics or air transport
- Y02T50/60—Efficient propulsion technologies, e.g. for aircraft
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Coating By Spraying Or Casting (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Oxygen, Ozone, And Oxides In General (AREA)
Abstract
Способ получения мишени термонапылением, в частности плазменным напылением, причем указанная мишень содержит по меньшей мере одно соединение, выбранное из тугоплавких металлов, резистивных оксидов, летучих оксидов, отличающийся тем, что посредством термонапыления в контролируемой атмосфере наносят по меньшей мере на одну часть поверхности мишени по меньшей мере одну фракцию указанного соединения в виде порошковой композиции указанного соединения, и тем, что используют мощные охлаждающие криогенные струи, направленные к мишени во время ее создания.
Description
Изобретение относится к способу получения мишени, предназначенной для применения в процессах осаждения в вакууме, в инертной или реакционноспособной атмосфере, в частности, путем катодного распыления с поддержкой магнитным полем, путем распыления или посредством источников ионов.
Согласно другому аспекту изобретения оно относится также к мишени, которая при необходимости может быть получена применением указанного способа, а также к применению такой мишени в целях получения покрытий на основе материала, распыленного из указанной мишени, а также к составу соединения, позволяющему получить указанную мишень способом согласно изобретению.
Известны различные методы, ведущие к получению мишеней, в том числе методы на основе формования порошков. Так, обсуждаемые мишени могут быть получены в результате процесса литья (в случае металлических мишеней), спекания порошков с последующими процессами формования (в случае металлических мишеней), часто при высокой температуре, а затем сборкой на подложке, или напрямую сборкой спеченных сегментов, или, менее традиционно, методом термонапыления, в частности методом напыления плазменной горелкой (что обыкновенно называется по-английски р1а§та кргау - плазменное напыление).
Эти мишени предназначены для использования в процессах, обычно применяющихся в промышленном масштабе для осаждения тонких слоев, в частности, на стеклянную основу, как, например, способ катодного распыления с поддержкой магнитным полем, называемый магнетронным способом. В этом способе плазма создается в глубоком вакууме вблизи мишени, содержащей химические элементы, которые требуется осадить. Активные компоненты плазмы, бомбардируя мишень, отрывают указанные элементы, которые осаждаются на подложку, образуя желаемый тонкий слой.
В конкретном случае мишеней, предназначенных для осаждения молибдена, применяют способ осаждения, называемый нереактивным, где плазма состоит исключительно из газа, обеспечивающего распыление, предпочтительно благородного газа типа Аг, Кг, Хе или Ые. Этот способ применяется для подложек большого размера и может позволить осадить тонкие слои на подложки, например плоские стеклянные листы со стороной более 6 м.
Эти мишени имеют плоскую или трубчатую геометрию.
Преимуществом плоских мишеней является то, что они могут быть встроены в катоды с относительно простой архитектурой по сравнению с катодами, предназначенными для вращающихся мишеней, которые являются намного более сложными, зато плоские мишени имеют степень использования, которая обычно меньше или равна 50%, что не так в случае вращающихся мишеней, у которых степень использования заметно выше 50%.
В частном случае тонких слоев из тугоплавкого металла, как, например, вольфрам или молибден, причем последний является особо дорогим металлом, предпочтительно используются вращающиеся мишени с цилиндрической геометрией, как описанные в патенте И84356073, так как эти мишени имеют выход материала (который представляет собой долю распыленного вещества от количества вещества, доступного на мишени для реализации тонкого слоя) выше 70%, предпочтительно выше 75%. Однако известны также разные другие геометрии магнетронных мишеней: плоские (диски, квадратные, прямоугольные), и изобретение применимо также к геометриям, отличным от цилиндрических.
Кроме того, существуют также другие способы вакуумного осаждения, альтернативные магнетронному распылению и использующие мишень: речь идет, например, о лазерном распылении (импульсном или нет: лазерная абляция), распылении пучком ионов. Эти способы также могут извлечь выгоду из применения мишени согласно изобретению.
Что касается, в частности, магнетронных мишеней из молибдена или других тугоплавких металлов, было зарегистрировано много изобретений, относящихся к следующим способам и являющихся объектами перечисленных ниже патентных заявок:
заявки ЕР 1784518 - И8 20080193798 - АО 2006/041730.
Прессование, затем спекание слитка или заготовки (под давлением 200-250 МПа и температуре от 1780 до 2175°С), затем горячее формование (примерно 900°С) этой заготовки путем прокатки или экструзии или ковка. Обычно этот способ содержит также термическую обработку в атмосфере водорода или в восстановительной атмосфере для снижения содержания оксида в мишени, а также в известных случаях отжиг для снижения напряжений.
Кроме того, из заявки АО 2006117145 известно формирование всей или части мишени или восстановление мишеней путем напыления типа со1б кргау (холодное распыление), которое состоит в распылении смеси газ + порошок, доведенной до сверхзвуковой скорости, причем порошок не доводят до состояния плавления, что отличает эти способы от термонапыления.
В частном случае тонких слоев на основе резистивного оксида, эти слои обычно получают путем реактивного магнетронного распыления металлических мишеней, проводя окисление материала ίη-δίΐιι с помощью парциального давления кислорода, введенного в осадительную камеру, или путем распыления в радиочастотном режиме металлической или керамической мишени.
Действительно, способ магнетронного распыления при постоянном токе (ЭС) предполагает, что материал мишени позволяет отвод электрических зарядов к ее поверхности. Это обычно исключает керамические мишени с резистивными составами.
- 1 026548
Изобретение позволяет получить магнетронные мишени на основе оксидов, называемых резистивными, с тем преимуществом, что их удельное сопротивление сильно снижается в результате введения вакансий кислорода, чтобы позволить применение мишени в режиме распыления БС (постоянный ток) и нереактивном.
Таким образом, становится возможным напыление в нереактивном БС-режиме (постоянный ток), которое позволяет иметь следующие преимущества:
более стабильный процесс (нет гистерезиса давления кислорода, отсутствие нестабильности, связанной с образованием резистивной пленки на поверхности мишени, изначально проводящей, нет источников паразитных дуговых разрядов);
более высокие скорости распыления (обычно в 1,3-3 раза выше, в зависимости от конкретной ситуации), что стало возможным благодаря нереактивному магнетронному БС-режиму.
Для некоторых составов такие мишени могут быть получены путем спекания в восстановительной атмосфере. Изобретение позволяет создать такие мишени с дополнительными преимуществами, связанными с получением путем плазменного напыления, а именно возможность получать монолитные цилиндрические мишени больших размеров; возможность реализовать на этих мишенях локальные утолщения на краях (Бод-Вопек); отличное сцепление с трубкой-подложкой без легкоплавкой промежуточной фазы, что позволяет использование мишеней при более высоких мощностях, то есть более высокие скорости осаждения тонкого слоя.
В особых случаях тонких слоев на основе резистивного оксида, эти слои обычно получают распылением мишеней, полученных способом спекания. Монолитную спеченную деталь подвергают затем припаиванию на подложку мишени, в случае мишеней малых размеров, или спеканию сегментов или плиток, которые будут затем лежать рядом при операции связывания на подложке мишени, в случае мишеней больших размеров (что приводит тогда к мишеням с соединительными швами).
Способ термонапыления (в частности, плазменного напыления), применяемый для ΑΖΟ (можно сослаться на 1Р701433 и/или 1Р7026373 и/или на И820070137999 для производства на основе ΙΤΟ), имеет в случае этих материалов тот недостаток, что получаются низкие выходы материала из-за того, что испарение напыляемого материала напрямую приводит к потере материала.
Способ согласно изобретению позволяет:
минимизировать эти потери и сделать способ пригодным для этих составов;
уменьшить внутренние напряжения в мишенях, полученных рассматриваемым способом, без необходимости повышать пористость, что позволяет создавать плазменным напылением мишени большей толщины, чем в уровне техники (например, 6 мм для ΑΖΟ).
Настоящее изобретение относится к способу получения мишени на основе соединения, выбранного, в частности, из тугоплавких металлов, или резистивных оксидов, или летучих оксидов, путем плазменного напыления, предлагая, по меньшей мере, равные и даже лучшие эксплуатационные характеристики, чем достигаемые традиционными способами получения.
В контексте изобретения под резистивными оксидами понимается семейство оксидов, у которых объемное удельное электрическое сопротивление выше 105 Ом-см при 25°С; из этих оксидов можно назвать следующие семейства.
a) Оксиды со структурой типа перовскита формулы типа АВО3, где А и В являются такими элементами или комбинациями элементов, что сумма валентности элемента или элементов, составляющих А, и валентности элемента или элементов, составляющих В, равна 6. Можно перечислить следующие семейства элементов, которые составляют А и В:
валентность 1 (К, КЬ и т.д.) в комбинации с элементом валентности 5 (N6, Та, V и т.д.); валентность 2 (8г, Ва, РЬ и т.д.) в комбинации с элементом валентности 4 (Τι, Ζγ, Н£, 8п, Се, Се и
т.д.);
валентность 3 (Ьа, Υ, 8с, Βί и т.д.).
В качестве примера, к этому семейству принадлежат следующие оксиды:
титанаты, как ВаТЮ3, 8гТЮ3, РЬ^г53Т147)03. ВаТЮ3 имеет объемное удельное сопротивление порядка 109 Ом-см при температуре окружающей среды;
ниобаты, как ΡΜΝ (РЬ(Мд1/3№2/3)О3).
b) Оксиды со структурой типа колумбита/трирутила типа АВ2О6, где В означает № или Та, и А есть элемент валентности 2 (8г, Ва, РЬ и т.д.) или набор этих элементов.
В качестве примера можно назвать ниобат 8ΒN (8г,Ва)№06.
c) Тугоплавкие и резистивные оксиды:
другие оксиды, как Та2О5, ΝΗ2Ο5. ν2Ο5, ΖγΟ2, НЮ2, Се02, Υ2Ο3, Α12Ο3, Ьа203, Мд0, Ве0 и т.д., также имеют высокое удельное объемное сопротивление при температуре окружающей среды, выше 105 Ом-см при 25°С.
Сюда относятся также смешанные соединения этих оксидов, такие как: твердые растворы (Та205-№205);
- 2 026548 соединения (ΑΙ2Ο3-Υ2Ο3), например ΥΆΟ, ЬаЛ1О3 (алюминат лантана) и т.д.;
соединения типа ΌχΤγΟζ, где Ό=Ζγ, НТ, Се, Τι и где Т=Л1, Υ, Ьа, например титанат лантана (ЬаТЮх); соединения ΌχΤγννΟζ, где Ό=Ζγ, НТ, Се, где Т=Л1, Υ и где У=Та, ΝΒ или V, например, (ΖγΑ1ΝΒ)Οχ.
В контексте изобретения под летучими оксидами понимается семейство оксидов, у которых температуры начала испарения Τνορ и плавления ТТ отвечают следующему критерию: Нар<ТГ+400°С.
Из этих оксидов можно назвать следующие чистые оксиды, со значениями температур плавления (взятыми из литературы) и начала испарения (взятыми из литературы или определенными методом термогравиметрического анализа, ΑΤΟ):
Оксиды | Т£ СС) | Τν,3ρ СС) |
ΖηΟ | 1975 | «1 4 30 |
ЗпОз | 1630 | =1800- 1900 |
ВаО | 1918 | = 2000 |
СсЮ | 1500 | = 1000 |
1пгОз | 1910 | = 850 |
МоОз | 795 | = 1155 |
Составные | ||
ΙΤΟ | 1900 | = 2000 |
Можно также назвать соединения, производные от следующих чистых оксидов, такие как:
ΑΖΟ (оксид цинка, легированный алюминием),
ΜΖΟ (оксид цинка - оксид молибдена),
ΟΖΟ (оксид цинка, легированный галлием),
АТО (оксид олова - оксид сурьмы),
ΡΤΟ (оксид олова - фтор), а также смеси этих оксидов, как, например, смешанный оксид олова и цинка.
В контексте изобретения под тугоплавкими металлами понимаются металлы, выбранные из списка тугоплавких металлов: вольфрам, тантал, ниобий, титан, ванадий, гафний, цирконий, рений, родий, а также из тугоплавких сплавов, задаваемых тем, что они состоят из сплава АВ, где
А и В относятся к следующему списку элементов: Мо, Та, N6. Τι, V, НТ, Ζγ, Ке, КЬ, а также сплавов типа ΑΜ, где
А относится к списку: Мо, Та, ΝΒ, Τι, V, НТ, Ζγ, Ке,
М относится к списку: Со, Νί, КЬ, Ρά, Ρΐ, Си, Α§, Αυ.
С этой целью способ получения, согласно изобретению, мишени термонапылением, в частности, плазменным напылением с помощью плазменной горелки, причем указанная мишень содержит по меньшей мере одно соединение, выбранное из тугоплавких металлов, или резистивных оксидов, или летучих оксидов, отличается тем, что термонапылением напыляют в контролируемой атмосфере на по меньшей мере одну часть поверхности мишени по меньшей мере одну фракцию указанного соединения в виде порошковой композиции, и тем, что используют мощные охлаждающие струи, в случае необходимости, криогенные, направленные к мишени при ее создании и распределенные вокруг горелки.
Напомним, что криогенными по определению считаются жидкости или газы, температура которых меньше или равна -150°С.
Использование в процессе плазменного напыления охлаждающих криогенных струй (струи криогенных жидкостей, или смешанные струи криогенных газов/жидкостей, или струи криогенных газов) позволяет улучшить качество мишени, обеспечивая тройную функцию:
немедленное охлаждение напыленной зоны, устраняя тем самым любую возможность химической модификации напыляемого материала, в случае тугоплавких соединений и резистивных оксидов, интенсивная очистка напыляемой поверхности, чтобы обеспечить надлежащую отличную когезию между частицами и последующие шаги, снижение внутренних напряжений, повышая одновременно выход материала.
Кроме того, использование плазменной горелки и плазмогенной газовой смеси позволяет получить сильное снижение летящих распыляемых частиц порошка, снижая тем самым содержание оксида, присутствующего в мишени, по сравнению с содержанием в порошке (Тос<Тор, где Тос - содержание кислорода в мишени, и Тор - содержание кислорода в порошке), для тугоплавких соединений или для резистивных соединений.
С другой стороны, способ согласно изобретению включает в себя следующие аспекты, более классические:
- 3 026548 реализуют относительное перемещение плазменной горелки и мишени;
проводят подготовку поверхности мишени до осаждения указанного соединения;
подготовка поверхности содержит этап обработки струей абразивов (обычно называемой пескоструйной обработкой) части поверхности рассматриваемой мишени, или, альтернативно, этап механической обработки для получения бороздок, подходящих для сцепления с нижним слоем;
подготовка поверхность включает в себя затем напыление слоя связующего материала (нижний слой) на уровне соответствующей части поверхности мишени.
В других вариантах осуществления изобретения можно прибегнуть, кроме того, к тому и/или иному из следующих положений по выбору:
распыление тугоплавкого и резистивного соединения проводится в камере, которая была продута или промыта, а затем наполнена инертным газом до давления, которое может составлять от 50 до 1100 мбар, чтобы создать внутри камеры атмосферу, обедненную кислородом;
все или часть охлаждающих струй имеют окислительный характер;
используется нижний связующий слой, причем этот слой наносят до термонапыления указанного соединения на уровне соответствующей части поверхности мишени;
во время плазменного напыления проводят регулирование температуры мишени;
используют порошковую композицию указанного напыляемого соединения, содержащую порошки с гранулометрическим распределением 5 мкм<О10<50 мкм; 25 мкм<050<100 мкм и 40 мкм<090<200 мкм; имеется позднейший этап термической обработки в восстановительной атмосфере, целью которого является снизить содержание кислорода, присутствующего в мишени на выходе с этапа термонапыления;
используют несколько инжекторов указанного соединения, чтобы ввести в различные точки термической струи разные материалы, параметры введения которых подбирают независимо в соответствии с материалом, вводимым в каждый инжектор.
Согласно другому аспекту изобретения оно относится к мишени, которая при необходимости может быть получена способом согласно изобретению и предназначена для применения в устройстве катодного напыления, в частности, с поддержкой магнитным полем, или в любом другом устройстве вакуумного напыления, исходя из мишени, причем указанная мишень содержит в основном соединение, выбранное из тугоплавких металлов, резистивных оксидов металлов, летучих оксидов.
С этой целью мишень согласно изобретению номинальной толщиной (е), содержащая по меньшей мере одно соединение на основе соединения, выбранного из тугоплавких металлов, резистивные оксидов металлов, летучих оксидов, отличается тем, что она имеет слоистую микроструктуру.
В случае тугоплавких металлов мишень имеет содержание кислорода ниже 1000 ррт, предпочтительно ниже 600 ррт и еще более предпочтительно ниже 450 ррт;
удельное электрическое сопротивление в 5 раз ниже, предпочтительно в 3 раза ниже, еще более предпочтительно в 2 раза ниже теоретического электрического сопротивления соединения.
Это измерение удельного сопротивления проводится по методу Уап йег Раите (ΆδΤΜ Р76), относительная мера удельного сопротивления рассчитывается по отношению к теоретическому значению при 20°С для сплошного соединения (или по библиографическим данным) (напомним, что для молибдена теоретическое значение равно 5,34 мкОм-см).
В случае соединений резистивных оксидов мишень имеет объемное электрическое сопротивление в 1000 раз, предпочтительно в 10000 раз, еще более предпочтительно в 100000 ниже номинального электрического сопротивления оксида.
В случае соединений летучих оксидов мишень имеет номинальную толщину более 3 мм, предпочтительно более 6 мм; плотность выше 85%, предпочтительно выше 90% номинальной плотности.
В предпочтительных вариантах осуществления изобретения факультативно можно прибегнуть, кроме того, к тому и/или иному из следующих положений:
резистивный оксид, образующий мишень, выбран из по меньшей мере одного из оксидов со структурой типа перовскита формулы типа АВО3, где А и В есть такие элементы или комбинации элементов, что сумма валентности элемента или элементов, составляющих А, и валентности элемента или элементов, составляющих В, равна 6, или оксидов со структурой типа колумбита/трирутила типа АВ2О6, где В есть N6 или Та, и А есть элемент валентности 2, как, например, 8г. Ва, РЬ и т.д.), или же выбран из списка Та2О5, №2О5, У2О5, ΖτΟ2, Η1Ό2, СеО2, Υ2Ο3, А12О3, Ьа2О3, МдО, ВеО;
мишень на основе резистивного оксида состоит из композиции, состоящей из смеси или комбинации по меньшей мере 2 резистивных оксидов или более, из приведенного выше списка, или содержит в основном один резистивный оксид;
тугоплавкий металл, образующий мишень, выбран из вольфрама, тантала, ниобия, титана, ванадия, гафния, циркония, рения, родия, а также тугоплавких сплавов, определенных так, что они состоят из сплава АВ, где А и В входят в список следующих элементов: Мо, У, Та, ΝΚ Τι, У, Η1, Ζτ, Ре, РЬ, а также из сплавов типа АМ, где А входит в список: Мо, У, Та, ΝΚ Τι, У, Η1, Ζτ, Ре, а М входит в список: Со, Сг, №, РЬ, Рй, Р1, Си, Ад, Аи;
- 4 026548 мишень из тугоплавкого металла содержит также по меньшей мере один легирующий элемент, выбранный из тугоплавкого соединения, соединения летучего оксида, соединения резистивного оксида, причем мишень содержит от 0,5 до 30 вес.% легирующего элемента или легирующих элементов;
летучий оксид, образующий мишень, удовлетворяет критерию Туар<Т£+400°С, какой определен ранее, и этот оксид может быть, в частности, оксидом цинка, оксидом олова, оксидом бария, оксидом кадмия, оксидом индия, оксидом молибдена, оксидом цинка, легированным алюминием, молибденом, галлием, оловом, фтором, индием, смешанным оксидом олова и индия, причем мишень на основе летучего оксида образована из композиции, состоящей из смеси или комбинации 2 или более летучих оксидов, отвечающих указанному выше критерию, или состоит в основном из одного летучего оксида, какой определен выше.
Как вариант, мишень состоять из тугоплавкого металла, выбранного из молибдена, вольфрама, тантала, ниобия, титана, ванадия, гафния, циркония, рения, родия, с одной стороны, и кремния, с другой стороны, в молярных содержаниях, которые могут варьироваться от 1 моля тугоплавкого металла на 5 молей кремния до 5 молей тугоплавкого металла на 1 моль кремния, предпочтительно составляют 1 моль тугоплавкого металла на 2 моля кремния. В этом случае слоистая микроструктура мишени является композитной и содержит тонкие слои тугоплавкого металла рядом с тонкими слоями чистого кремния.
В случае, когда мишень содержит один легирующий элемент или совокупность нескольких материалов, разные элементы могут выть внесены одним из следующих способов:
использование заранее легированного порошка, в котором каждое зерно порошка имеет состав, желаемый для мишени, возможно слегка отличающийся, чтобы учесть возможные неравные потери из-за улетучивания при термонапылении порошка;
использование 2 или более порошков, причем каждый вводится через отдельный канал в термострую на этапе термонапыления;
мишень имеет плоскую геометрию; мишень имеет трубчатую геометрию;
мишень имеет утолщения материала на каждом из своих краев;
мишень содержит одну или несколько деталей, на которые наносят соединение, причем указанная деталь или детали представляют собой либо плоскую подложку, подходящую для напыляющей машины, либо промежуточные детали, соединяемые затем на этой подложке;
утолщения составляют порядка 25-50% от номинальной толщины слоя соединения; мишень имеет плотность выше 85%, предпочтительно выше 90%; номинальная толщина (е) составляет от 1 до 25 мм, предпочтительно от 6 до 14 мм; мишень имеет чистоту по меньшей мере 99,5%;
мишень образована на материале-подложке, имеющем характеристики, совместимые с ожидаемыми свойствами магнетронной мишени при применении (достаточная механическая прочность, достаточная теплопроводность, устойчивость к коррозии охлаждающей водой при применении мишени и т.д.), как, например, медь или медный сплав, или аустенитная нержавеющая сталь, как, например, Х2Ст№18-9 или Х2Ст№Мо17-12-2.
В качестве неограничивающих примеров изобретение может быть проиллюстрировано следующими фигурами:
фиг. 1а, 1Ь и 1с являются видами, показывающими в разрезе микроструктуру мишени из Мо, образованной способом получения согласно изобретению;
фиг. 1й и 1е являются видами, показывающими в разрезе микроструктуру мишени из вольфрама, образованной способом получения согласно изобретению;
фиг. 2 - вид, показывающий в разрезе микроструктуру мишени из титаната бария (резистивный оксид), образованной способом получения согласно изобретению:
фиг. 3 - вид, показывающий в разрезе микроструктуру мишени из смешанного оксида алюминия и цинка (летучий оксид), образованной способом получения согласно изобретению.
Другие характеристики и преимущества изобретения выявятся в ходе следующего описания. Подробное описание изобретения
Подложка, на которой будет образована мишень, может быть сделана из меди, медного сплава, нержавеющей стали или другого сплава, обычно совместимого с получением магнетронных мишеней. В настоящем изобретении никаких особых требований, связанных с описанным в изобретении способом, к подложке не предъявляется, она лишь должна отвечать обычным требованиям, предъявляемым к магнетронным мишеням (требования в отношении геометрии, механической прочности, химической инертности к охлаждающей воде).
Подготовка поверхности подложки
После проведения обезжиривания поверхность подложки подготавливают обработкой струями абразивных зерен. Эти зерна могут иметь различную природу: зерна корунда (белый плавленый оксид алюминия), коричневый корунд, алюмоцирконовый абразив, абразивы, полученные из плавильного шлака (типа УаШдгП). граната альмандина, или же стальной дроби или чугунной крошки (список не исчерпывающий).
- 5 026548
Предпочтительно используются следующие абразивы: корунд (белый плавленый оксид алюминия), алюмоцирконовый абразив (например, ΑΖ 24 от §аш1-ОоЪаш Соайпд δοϊυΐίοηκ) (этот материал предпочтителен за его высокую вязкость, которая ограничивает растрескивание зерен и, следовательно, включение частей зерен в поверхность, какие являются вредными включениями для адгезии покрытия). Средние диаметры абразивных зерен предпочтительно составляют от 180 до 800 мкм, в зависимости от типа абразива. Конечной целью этой операции является обеспечить шероховатость поверхности, способную гарантировать надлежащую адгезию нижнего связующего слоя или материала, из которого состоит мишень.
Альтернативный способ состоит в проведении механической обработки для получения бороздок, что также позволит хорошую адгезию нижнего слоя, а затем функционального слоя или материала, из которого образована мишень.
Получение нижнего связующего слоя путем термонапыления
Чтобы оптимизировать механическую адгезию функционального слоя мишени, связующий нижний слой получают термонапылением. В этой операции могут использоваться классические способы термонапыления, в том числе следующие способы: плазменное напыление (порошок), электродуговое напыление (проволока), напыление в пламени окислительного газа (проволока или порошок, в зависимости от оборудования), напыление способом НУОР (Ηίβΐι Уе1осйу Оху Рие1 - высокоскоростное газопламенное напыление), детонационный способ напыления, способ напыления с помощью газа, при необходимости предварительно нагретого, насыщенного порошком (соЮ кргау - холодное распыление). Эта операция может быть реализована в атмосфере окружающего воздуха, если только это не вредит изобретению.
Материал связующего нижнего слоя может быть выбран из классических материалов, использующихся обычно в качестве нижнего слоя:
Νί или сплавы на основе никеля: ΝίΑ1, №Сг, №СгА1, Ре или железные сплавы: РеСгА1, стали РеСгС, РеМпС, аустенитные нержавеющие стали Х2Сг№18-9 или Х2Сг№Мо17-12-2 и т.д.;
Си или сплавы меди, такие, как СиА1, СиА1Ре, СиΖη и т.д.;
Мо или сплавы Мо: МоСи и т.д.
Приведенный выше список не является исчерпывающим, причем выбор материала нижнего слоя может зависеть от материала трубки-подложки и оборудования для напыления (и доступности наносимого материала в подходящей форме).
Формирование функционального слоя мишени, являющейся объектом изобретения, предпочтительно путем плазменного напыления
Функциональный слой мишени создают термонапылением, предпочтительно плазменным напылением (р1а§ща кргаушд), в следующих особых условиях: для 1 и 2.
Плазменное напыление проводится в камере, атмосфера которой является контролируемой, то есть в которой содержание кислорода и азота низкое, причем атмосфера состоит в основном из инертного газа, давление которого составляет от 50 до 1100 мбар.
Плазменное напыление с использованием смеси нейтральных или более или менее восстановительных плазмогенных газов, что позволяет снизить содержание кислорода, изначально присутствующего на поверхности частиц порошка, при его плавлении и в ходе полета к подложке, что имеет место, например, когда соединение является тугоплавким материалом, или когда соединение является резистивным оксидом.
Применение форсунок, позволяющих обдувку мощными криогенными струями, жидкими или газообразными, инертной среды (в случае тугоплавких металлов или резистивных оксидов) или инертной или окислительной среды (в случае летучих оксидов), причем струи распределены вокруг горелки.
Относительные перемещения горелка - мишень позволяют при необходимости модулировать толщины, созданные на мишени, в частности, на краях мишени, путем формирования утолщений, называемых обычно по-английски бод-Ъопе.
Использование одного и даже нескольких инжекторов порошка, позволяющих лучше распределить порошок внутри плазменной струи.
При этом плазменная горелка может быть имеющейся в продаже плазменной горелкой, обдуваемой постоянным потоком; горелкой высокочастотной индуктивно-связанной плазмы.
Порошок, используемый для получения мишени, имеет следующие типичные характеристики: определенный гранулометрический состав, такой, что:
И10% (диаметр, при котором 10% частиц имеют размер меньше этого диаметра) составляет от 5 до 50 мкм;
И50% (медианный диаметр) от 25 до 100 мкм;
И90% (диаметр, при котором 90% частиц имеют размер меньше этого диаметра) от 40 до 200 мкм;
чистота соответствует целям чистоты мишени, предпочтительно выше 99,95%;
содержание кислорода: <1500 ррт, предпочтительно <1000 ррт, даже <500 ррт для тугоплавких металлов.
Способ согласно изобретению позволяет получить более высокое качество мишени, чем у мишеней,
- 6 026548 получаемых классически напылением и имеющих слоистую микроструктуру; можно сослаться на фиг. 1а, 1Ь, 1с для молибдена, на фиг. 16, 1е для вольфрама, на фиг. 2 для резистивного оксида и на фиг. 3 для летучего оксида.
Получение мишени из тугоплавкого металла, имеющей содержание кислорода ниже 500 ррт, напрямую, без последующего этапа, такого, как термообработка в восстановительной атмосфере при высокой температуре.
То, что не применяется позднейший этап термической обработки, выгодно тем, что можно использовать любой тип материала-подложки (трубка для трубчатой мишени или плоская подложка для плоских мишеней), в том числе подложки, имеющие коэффициент расширения, заметно отличающийся от коэффициента расширения мишени (тугоплавкий металл или резистивный оксид), такие, как аустенитные нержавеющие стали, что было бы запрещено в случае последующей термической обработки в целях снижения содержания кислорода.
Разумеется, термическая обработка может также проводиться факультативно, чтобы еще больше снизить содержание кислорода в полученной так мишени.
Случай плоских мишеней
Настоящее изобретение позволяет получить плоские мишени согласно следующей процедуре: подложка плоской мишени, подходящая для монтажа для применения в магнетроне; в случае, когда подложка мишени имеет сложную форму и должна быть пригодна для повторного использования после расхода мишени, структура материала мишени должна наноситься не сразу на подложку мишени, а на одну или несколько промежуточных пластин (называемых плитками), которые будут припаяны на подложке;
формирование материала мишени (например, на основе молибдена) на подложке или на плитке/плитках будет проводиться в соответствии с тем же способом, что и выше;
соединение плитки или плиток могло бы проводиться перед формированием материала мишени (если механическая прочность подложки высокая) или после формирования материала мишени на плитках, в случае, когда подложка не имеет достаточной прочности. В этом последнем случае размеры плиток будут определяться таким образом, чтобы минимизировать риски их деформации при операциях формирования материала мишени плазменным напылением.
Примеры осуществления
Пример 1 (фиг. 1а, 1Ь, 1с) получения относится к трубчатой мишени на основе тугоплавкого металла, в частности, на основе молибдена, предназначенной для применения в магнетронном распылении с вращающимся катодом. Применялся следующий способ.
Трубка-подложка из аустенитной нержавеющей стали, как, например, Х2Ст№18-9 или Х2Ст№Мо17-12-2.
Подготовка поверхности трубки-подложки путем напыления алюмоцирконового абразива ΑΖ, зернистость 24.
Образование нижнего связующего слоя электродуговым способом (двухдуговое распыление проволоки), осуществляемым на воздухе, связующий слой имеет состав ΝίΑί (95% никель - 5% алюминий). В описанном примере толщина связующего нижнего слоя составляет номинально 200 мкм.
Создание активного слоя молибдена на мишени путем плазменного напыления в следующих условиях:
плазменная горелка, обеспечивающая особые характеристики скорости плазменной струи и, следовательно, распыляемых частиц;
мишень, помещенная в камеру;
создание инертной атмосферы в камере, например, откачкой, а потом заполнением;
применение охлаждающих криогенных струй, направленных к мишени и распределенных вокруг горелки.
Порошок, использованный для получения мишени, представляет собой порошок молибдена, имеющий следующие характеристики:
порошок молибдена агломерированно-спеченного типа; гранулометрический размер б50=80 мкм;
чистота 99,95%, в частности, с 20 ррт Ре и 600 ррт кислорода.
Плазменное напыление проводилось при следующих параметрах.
Для получения мишени согласно примеру использовалась плазменная горелка со следующими параметрами:
Параметры | Расход Аг (Нл/мин) | Расход Нг (Нл/мин) | Интенсивность дуги (А) | Дальность напыления (мм) | Расход порошка (г/мин) |
Использованные | 50 | 15 | 600 | 160 | 160 |
значения |
Чистовая отделка поверхности путем полирования или механической обработки для получения ше- 7 026548 роховатости, такой, что Ктах<15 мкм.
Как указано ранее, благодаря особому способу согласно настоящему изобретению содержание кислорода в полученной мишени составляет 450 ррт, что ниже содержания 600 ррт, изначально имевшегося в порошке.
Дополнительные результаты согласно этому протоколу получения мишеней из молибдена, с разными составами порошка представлены в таблице ниже в сравнении с результатом без предлагаемой изобретением криогенной струи.
Обозначение опыта | Способ | Содержание О в порошке | Содержание N Б порошке | Содержание О в мишени | Содержание N в мишени |
А | ПО изобретению | 657 | 18 | 340 | 20 |
В | ло изобретению | 657 | 18 | 240 | 20 |
С | по изобретению | 922 | 26 | 340 : 23 | |
ϋ | по изобретению | 526 | 29 | 360 18 | |
Е | по изобретению | 526 | 29 | 360 р 19 ί | |
Г | по изобретению | 706 | 31 | 5Θ0 | 30 |
с | без охлаждающих струй | 560 | 29 | 960 | 83 |
Как показывают результаты, способ плазменного напыления с криогенными охлаждающими струями, распределенными вокруг плазменной горелки, позволяют снизить содержание кислорода в мишени по сравнению с содержанием кислорода в исходном порошке. Поэтому не имеет смысла выбирать очень чистый исходный порошок, тем более что на практике невозможно избежать того, чтобы порошок не содержал какое-то количество кислорода. Таким образом, способ согласно изобретению является особенно выгодным.
Пример 2 получения мишени на основе тугоплавкого соединения приведен ниже. Здесь речь идет о вольфраме (см. фиг. 1й. 1е).
Этот пример осуществления относится к плоской мишени из вольфрама, предназначенной для использования при магнетронном распылении в режиме ЭС (постоянный ток).
Применялся следующий способ:
создание мишени на промежуточной пластине-подложке из меди, которая должна будет затем припаиваться на подложку мишени;
подготовка поверхности пластины-подложки путем напыления алюмоцирконового абразива ΑΖ, зернистость 36;
получение нижнего связующего слоя способом плазменного напыления из сплава СиА1 (90/10), толщина нижнего слоя 150 мкм;
создание активного слоя вольфрама на мишени путем плазменного напыления в следующих условиях:
плазменная горелка, обеспечивающая особые характеристики скорости плазменной струи и, следовательно, распыляемых частиц;
мишень, помещенная в камеру;
цикл откачки (до получения вакуума 5-10-2 кПа) с последующим заполнением камеры аргоном (до 1 атм), чтобы получить в камере инертную атмосферу (состоящую из аргона с парциальным давлением кислорода <1-10-2 кПа);
применение охлаждающих криогенных струй, направленных к мишени и распределенных вокруг горелки;
порошок, использованный для получения мишени, представляет собой порошок вольфрама, имеющий следующие характеристики:
гранулометрический размер й50=25 мкм, чистота 99,95%;
плазменное напыление проводилось при следующих параметрах:
- 8 026548 для получения мишени согласно примеру использовалась плазменная горелка со следующими параметрами:
Параметры | Расход Аг (Нл/мин) | Расход Нг [Нл/мин) | Интенсивность дури (А) | Дальность напыления (мм) | Расход порошка (г/мин) |
Использованные | 60 | 14 | 550 | 130 | 120 |
значения |
Чистовая отделка поверхности путем полирования или механической обработки для получения шероховатости, такой, что Ктах<15 мкм.
Полученная мишень имеет другие примечательные характеристики: плотность = 88%;
удельное электрическое сопротивление:
Теоретическое объемное сопротивление И при 20°С | 5,5 мкОм - см |
Объемное удельное сопротивление, измеренное на | 9,55 |
мишени по методу АЗТМ Γ76 [Уап бег Раиы] при 20°С | мкОм - СМ |
Пример 3: получение магнетронной мишени из резистивного оксида (см. фиг. 2).
Этот пример осуществления относится к плоской мишени из титаната бария ВаПО3-х, предназначенной для применения при магнетронном распылении в режиме ЭС (постоянный ток).
Применялся следующий способ:
создание мишени на промежуточной пластине-подложке из меди, которая должна будет затем припаиваться на подложку мишени;
подготовка поверхности пластины-подложки путем напыления алюмоцирконового абразива ΑΖ, зернистость 36;
получение нижнего связующего слоя способом плазменного напыления из сплава СиА1 (90/10), толщина нижнего слоя 150 мкм;
создание активного слоя ВаПО3-х на мишени путем плазменного напыления в следующих условиях: плазменная горелка, обеспечивающая особые характеристики скорости плазменной струи и, следовательно, распыляемых частиц;
мишень, помещенная в камеру;
цикл откачки (до получения вакуума 5-10-2 кПа) с последующим заполнением камеры аргоном (до 1 атм), чтобы получить в камере инертную атмосферу (состоящую из аргона с парциальным давлением кислорода <1-10-2 кПа);
применение охлаждающих криогенных струй, направленных к мишени и распределенных вокруг горелки;
порошок, используемый для получения мишени, является порошком титаната бария, имеющим следующие характеристики:
порошок агломерированного типа, гранулометрический размер ά50=70 мкм, чистота 99,5% (примесь §гО исключена);
Плазменное напыление проводилось при следующих параметрах.
Для получения мишени согласно примеру использовалась плазменная горелка со следующими параметрами:
Параметры | Расход Аг (Нл/мин) | Расход Нг (Нл/мин) | Интенсивность дуги (А) | Дальность напыления (мм) | Расход порошка (г/мин) |
Использованные значения | 35 | 15 | 500 | 120 | 35 |
Чистовая отделка поверхности путем полирования или механической обработкой для получения шероховатости, такой, что Ктах<15 мкм.
Главные характеристики и преимущества полученной в результате мишени:
Теоретическое объемное сопротивление | ВаТЧОз | 10э Ом-см | |
Объемное удельное сопротивление. | измеренное | на | 4,5 кОм - см |
мишени при 20^0 |
Способ согласно изобретению позволяет очень сильно снизить удельное сопротивление материала мишени благодаря созданию вакансий кислорода.
Поэтому мишень согласно этому примеру могла применяться в ЭС-режиме магнетрона и позволила получить стехиометрические слои ВаПО3 в результате использования умеренного парциального давле- 9 026548 ния в магнетроне (не дающего таких недостатков, как реактивные магнетроны с высоким значением парциального давления, например, явлений гистерезиса рО2).
Пример 4: пример получения магнетронной мишени из летучего оксида (см. фиг. 3).
Этот пример осуществления относится к трубчатой мишени, предназначенной для применения в магнетронном катодном распылении с вращающимся катодом. Применялся следующий способ.
Трубка-подложка из аустенитной нержавеющей стали, как, например, Х2Ст№18-9 или Х2Ст№Мо17-12-2.
Подготовка поверхности трубки-подложки путем напыления алюмоцирконового абразива ΑΖ, зернистость 24.
Получение нижнего связующего слоя способом плазменного напыления (р1а§та кртау), осуществленным на воздухе, связующий слой имеет состав ΝίΑ1 (80% никель - 20% алюминий). В описанном примере толщина связующего нижнего слоя составляет номинально 150 мкм.
Получение активного слоя ΑΖΟ (ΖηΟ -2% Α12Ο3) на мишени путем плазменного напыления в следующих условиях:
плазменная горелка, придающая особые характеристики скорости плазменной струи и, следовательно, распыляемых частиц;
мишень, размещенная в камере; применение охлаждающих струй.
Порошок, использованный для получения мишени, представляет собой порошок ΑΖΟ, имеющий следующие характеристики:
гранулометрический размер ά50 = 50 мкм; чистота 99,95%,
Плазменное напыление проводилось при следующих параметрах.
Для получения мишени согласно примеру использовалась плазменная горелка со следующими параметрами:
Параметры | Расход Аг (Нл/мин) | Расход Н2 (Нл/мин) | Интенсивность дуги (А) | Дальность напыления (мм) | Расход порошка (г/мин) |
Использованные | 45 | 15 | 700 | 70-110 | 45 |
значении |
Чистовая отделка поверхности путем полирования или механической обработки для получения шероховатости, такой, что Ктах<15 мкм.
Способ согласно изобретению позволил получить мишень из ΑΖΟ толщиной 6 мм, без растрескивания и монолитную, без швов между сегментами.
Полученная мишень имела плотность 92% (5,15 г/см3 при теоретической плотности ΑΖΟ 5,57). Особенности и преимущества изобретения
Мишени, являющиеся объектом настоящего изобретения, имеют следующие особенности и преимущества.
Лучшая степень использования материала трубчатых мишеней, полученных посредством плазменной горелки, по сравнению с мишенями, полученными способами спекания (и/или горячего формования), из-за того, что способ согласно настоящему изобретению предоставляет возможность нанести дополнительную толщину по краям мишеней, чтобы компенсировать сверхэрозию, локализованную в зонах, соответствующих поворотам магнитного поля с малым радиусом кривизны, создаваемого катодами и их магнитами. Это позволяет достичь выхода материала из мишени более 75%, даже 80%, тогда как для мишеней с плоским профилем выход остается ниже 75%. Как неизбежное следствие применения мишени этого типа, в частности, в особом случае чистого молибдена, получают слои, у которых профиль однородности сопротивления К квадрат на характерном размере подложки, на поверхность которой нанесен слой, отклоняется не более чем на +/-2% (например, на подложке шириной 3,20 м). Это измерение проводится с помощью устройства типа паду путем бесконтактного измерения.
Широкий диапазон толщины материала на мишени, от 1 до 25 мм: толщину мишени можно выбирать в зависимости от ее желаемого времени службы (причем эта толщина определяется фактически ожидаемой продолжительностью производства без остановки линии).
В случае трубчатых мишеней можно поляризовать мишень в режиме АС (переменный ток) или ОС (постоянный ток) с мощностью выше 30 кВт/м (выигрыш в скорости осаждения), без риска образования трещин из-за градиента температуры между трубкой-подложкой и мишенью или риска расплавления места спая.
Из-за того, что толщина материала снижена до значения, строго необходимого для потребителя, можно уменьшить напряжение, необходимое, чтобы поддержать сильноточный разряд и сделать, таким образом, эту мишень совместимой с обычными источниками электроснабжения магнетронов.
В случае мишеней согласно изобретению на основе резистивного оксида преимущества следующие.
- 10 026548
Возможность создавать керамические мишени, позволяющие получать тонкие резистивные слои нереактивным магнетронным распылением, требующим использования умеренного парциального давления кислорода (нет эффекта гистерезиса при применении). Керамические мишени, полученные способом согласно изобретению, имеют намного более низкое удельное электрическое сопротивление, чем теоретическое удельное сопротивление соединения.
Возможность получать монолитные цилиндрические мишени больших размеров.
Возможность создавать на этих мишенях локальные утолщения на краях (Иод-Вопек),
Отличное сцепление с трубкой-подложкой без промежуточной легкоплавкой фазы.
В случае мишеней согласно изобретению на основе летучего оксида имеются следующие преимущества:
минимизируются потери, связанные с выходом материала, и дается способ, подходящий для этого типа композиций;
снижаются внутренние напряжения в мишени, созданной рассматриваемым способом, без необходимости увеличения пористости, что позволяет создавать мишени, имеющие большую толщину, чем у мишеней согласно уровню техники, полученных плазменным напылением (например, 6 мм для ΑΖΟ).
В случае трубчатых или плоских монолитных мишеней, полученных благодаря настоящему изобретению, и в отличие от мишеней, содержащих сборные сегменты, значительно снижены следующие риски:
риск возникновения явления дугового разряда, которое создает паразитные частицы, а также риск отъединения фрагментов материала мишени от ее подложки, что, как известно, является источником загрязнения молибденовых слоев;
риск распыления материала припоя или материала подложки мишени через зазоры между сегментами;
риск термического или механического повреждения связи (спай или проводящий клей) на подложке.
Claims (8)
- ФОРМУЛА ИЗОБРЕТЕНИЯ1. Способ получения мишени со слоистой микроструктурой термонапылением, плазменным напылением с помощью плазменной горелки, причем указанная мишень содержит по меньшей мере одно соединение, выбранное из тугоплавких металлов, резистивных оксидов, летучих оксидов, посредством термонапыления напыляют по меньшей мере на часть поверхности мишени указанное соединение в виде порошковой композиции, в контролируемой атмосфере, отличающийся тем, что во время получения мишени используют криогенные охлаждающие струи, направленные к мишени и распределенные вокруг плазменной горелки.
- 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что напыление соединения проводят в камере, которая продута или промыта, а затем наполнена инертным газом до давления, которое может составлять от 50 до 1100 мбар, чтобы создать внутри нее атмосферу, обедненную кислородом.
- 3. Способ по одному из пп.1 или 2, отличающийся тем, что термонапыление проводят посредством плазменной горелки, и тем, что используемая смесь плазмогенных газов является восстановителем, способным снизить содержание оксидного соединения, первоначально присутствовавшего в порошке, причем состав плазмогенной смеси содержит более 10% водорода или другого плазмогенного газавосстановителя.
- 4. Способ по п.1, отличающийся тем, что все или часть охлаждающих струй представляют собой струи криогенных жидкостей, или смешанные струи криогенных газов/жидкостей, или струи криогенных газов, имеющих окислительный характер.
- 5. Способ по любому из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что используют связующий нижний слой, причем этот слой осаждают до термонапыления указанного соединения на соответствующей части поверхности мишени.
- 6. Способ по любому из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что используют порошковую композицию напыляемого соединения, содержащую порошки с гранулометрическим распределением 5 мкм <Ό10<50 мкм; 25 мкм<И50<100 мкм и 40 мкм<ОЭ0<200 мкм.
- 7. Способ по любому из пп.1-3 и 5, 6, отличающийся тем, что он содержит последующий этап термической обработки в восстановительной атмосфере с целью снизить содержание кислорода, присутствующего в мишени на выходе с этапа термонапыления.
- 8. Способ по любому из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что используют несколько инжекторов указанного соединения, чтобы ввести в разные точки термоструи разные материалы, для которых независимо подбирают параметры введения в зависимости от материалов, вводимых в каждый инжектор.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR0952394A FR2944293B1 (fr) | 2009-04-10 | 2009-04-10 | Procede d'elaboration par projection thermique d'une cible |
PCT/FR2010/050704 WO2010116112A2 (fr) | 2009-04-10 | 2010-04-12 | Procédé d'élaboration par projection thermique d'une cible |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
EA201171236A1 EA201171236A1 (ru) | 2012-04-30 |
EA026548B1 true EA026548B1 (ru) | 2017-04-28 |
Family
ID=41212209
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
EA201171236A EA026548B1 (ru) | 2009-04-10 | 2010-04-12 | Способ получения мишени термонапылением |
Country Status (17)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9156089B2 (ru) |
EP (1) | EP2417280B1 (ru) |
JP (1) | JP5635589B2 (ru) |
KR (1) | KR101728923B1 (ru) |
CN (1) | CN102395701A (ru) |
AU (1) | AU2010233526B2 (ru) |
BR (1) | BRPI1010513B1 (ru) |
CA (1) | CA2757903C (ru) |
EA (1) | EA026548B1 (ru) |
ES (1) | ES2444948T3 (ru) |
FR (1) | FR2944293B1 (ru) |
MX (1) | MX2011010533A (ru) |
MY (1) | MY156586A (ru) |
PL (1) | PL2417280T3 (ru) |
SG (1) | SG175161A1 (ru) |
UA (1) | UA106984C2 (ru) |
WO (1) | WO2010116112A2 (ru) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU178216U1 (ru) * | 2017-06-14 | 2018-03-28 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского" | Настроечная шкала составной магнетронной мишени |
RU183138U1 (ru) * | 2018-03-20 | 2018-09-12 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук | Составная мишень для получения нанокомпозитов при магнетронном распылении |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2944295B1 (fr) * | 2009-04-10 | 2014-08-15 | Saint Gobain Coating Solutions | Cible a base de molybdene et procede d'elaboration par projection thermique d'une cible |
JP2012149321A (ja) * | 2011-01-20 | 2012-08-09 | Taiheiyo Cement Corp | スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
EP2584062A1 (de) * | 2011-10-19 | 2013-04-24 | Heraeus Materials Technology GmbH & Co. KG | Sputtertarget und seine Verwendung |
CN104005018A (zh) * | 2014-05-29 | 2014-08-27 | 耿荣献 | 高抗磨耐火材料模具表面的耐磨涂层工艺 |
CN104831210A (zh) * | 2015-05-09 | 2015-08-12 | 安徽鼎恒再制造产业技术研究院有限公司 | 一种Co-ZrO2-HfO2涂层材料及其制备方法 |
CN104827027B (zh) * | 2015-06-05 | 2017-01-18 | 哈尔滨工程大学 | 用于等离子熔覆的Ni‑(Ta/Zr/Hf)‑Re合金粉末的制备方法 |
CN104947051A (zh) * | 2015-06-10 | 2015-09-30 | 深圳市威勒达科技开发有限公司 | 一种矾铝合金靶材及其制备方法 |
DE102015213896A1 (de) * | 2015-07-23 | 2017-01-26 | Volkswagen Aktiengesellschaft | Verfahren zur Beschichtung eines metallischen Werkzeugs und Bauteil |
WO2017105488A1 (en) * | 2015-12-18 | 2017-06-22 | Intel Corporation | Refractory metal alloy targets for physical vapor deposition |
US9609874B1 (en) * | 2016-07-21 | 2017-04-04 | Kuwait Institute For Scientific Research | Metallic glassy alloy powders for antibacterial coating |
KR102630654B1 (ko) * | 2017-05-01 | 2024-01-29 | 더 존스 홉킨스 유니버시티 | 나노트위닝된 니켈-몰리브덴-텅스텐 합금을 증착시키는 방법 |
BE1026683B1 (nl) | 2018-10-05 | 2020-05-07 | Soleras Advanced Coatings Bvba | Sputterdoel |
BE1026850B1 (nl) | 2018-11-12 | 2020-07-07 | Soleras Advanced Coatings Bv | Geleidende sputter doelen met silicium, zirkonium en zuurstof |
CN109881162A (zh) * | 2018-11-29 | 2019-06-14 | 芮瑛 | 一种基于等离子喷涂技术的溅射用靶材制备工艺 |
BE1028481B1 (nl) * | 2020-07-14 | 2022-02-14 | Soleras Advanced Coatings Bv | Sputterdoel met grote densiteit |
BE1028482B1 (nl) * | 2020-07-14 | 2022-02-14 | Soleras Advanced Coatings Bv | Vervaardiging en hervullen van sputterdoelen |
CN112475676B (zh) * | 2020-11-11 | 2022-11-15 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 一种钽靶材焊接面的处理方法 |
CN112695286A (zh) * | 2020-12-15 | 2021-04-23 | 株洲火炬安泰新材料有限公司 | 一种低电阻率ito靶材粉末的成型方法 |
CN113308671A (zh) * | 2021-05-28 | 2021-08-27 | 矿冶科技集团有限公司 | 一种高纯钽旋转靶材及其制备方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0479678A1 (fr) * | 1990-10-05 | 1992-04-08 | Saint-Gobain Vitrage International | Procédé de revêtement de vitrages par un procédé de projection thermique |
EP1712962A1 (en) * | 2005-04-12 | 2006-10-18 | Air Products and Chemicals, Inc. | Thermal deposition coating method |
US20080138620A1 (en) * | 2005-02-08 | 2008-06-12 | Saint-Gobain Glass France | Method for Preparaing by Thermal Spraying a Silicon-And Zirconium-Based Target |
Family Cites Families (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4356073A (en) | 1981-02-12 | 1982-10-26 | Shatterproof Glass Corporation | Magnetron cathode sputtering apparatus |
US4692305A (en) * | 1985-11-05 | 1987-09-08 | Perkin-Elmer Corporation | Corrosion and wear resistant alloy |
FR2672648B1 (fr) | 1991-02-08 | 1993-04-16 | Mure Ets | Dispositif pour le maintien, provisoire d'un organe de levage sur une surface metallique de coffrage pendant les phases de coulee et de prise du beton d'un element en beton prefabrique. |
JP3241153B2 (ja) * | 1993-04-02 | 2001-12-25 | 株式会社フジクラ | 溶射装置 |
JPH0726373A (ja) | 1993-07-09 | 1995-01-27 | Asahi Glass Co Ltd | 回転カソードターゲットとその製造方法および該ターゲットを用いて形成される膜 |
JPH0736373A (ja) * | 1993-07-16 | 1995-02-07 | Omron Corp | プログラマブルコントローラ |
JPH08199372A (ja) * | 1995-01-26 | 1996-08-06 | Nisshin Steel Co Ltd | 傾斜機能材料の製法および装置 |
CZ289688B6 (cs) * | 1995-08-31 | 2002-03-13 | Innovative Sputtering Technology | Způsob výroby produktů na bázi ITO-slitin |
GB9600210D0 (en) * | 1996-01-05 | 1996-03-06 | Vanderstraeten E Bvba | Improved sputtering targets and method for the preparation thereof |
JPH09272965A (ja) * | 1996-04-09 | 1997-10-21 | Toshiba Corp | 真空成膜装置用部品とそれを用いた真空成膜装置、およびターゲット、バッキングプレート |
US6056857A (en) * | 1997-08-13 | 2000-05-02 | Praxair S.T. Technology, Inc. | Cryogenic annealing of sputtering targets |
EP0960955A1 (en) * | 1998-05-26 | 1999-12-01 | Universiteit Gent | Method and apparatus for flame spraying to form a tough coating |
US20080213496A1 (en) * | 2002-02-14 | 2008-09-04 | Applied Materials, Inc. | Method of coating semiconductor processing apparatus with protective yttrium-containing coatings |
FR2845078B1 (fr) * | 2002-09-26 | 2004-10-29 | Alstom | PROCEDE DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT EN NITRURE D'ALUMINIUM AlN |
JP4637819B2 (ja) * | 2003-02-24 | 2011-02-23 | テクナ・プラズマ・システムズ・インコーポレーテッド | スパッタリングターゲットを製造するための方法および装置 |
US7897067B2 (en) | 2003-05-20 | 2011-03-01 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Amorphous transparent conductive film, sputtering target as its raw material, amorphous transparent electrode substrate, process for producing the same and color filter for liquid crystal display |
KR101084553B1 (ko) * | 2003-10-17 | 2011-11-17 | 토소가부시키가이샤 | 진공장치용 부품과 그 제조방법 및 그것을 이용한 장치 |
EP1725696A1 (en) | 2004-03-15 | 2006-11-29 | Bekaert Advanced Coatings | Method to reduce thermal stresses in a sputter target |
US20060042728A1 (en) | 2004-08-31 | 2006-03-02 | Brad Lemon | Molybdenum sputtering targets |
US8088232B2 (en) | 2004-08-31 | 2012-01-03 | H.C. Starck Inc. | Molybdenum tubular sputtering targets with uniform grain size and texture |
WO2006041730A2 (en) | 2004-10-07 | 2006-04-20 | Atmel Corporation | Method and system for a programming approach for a nonvolatile electronic device |
US20060184251A1 (en) * | 2005-01-07 | 2006-08-17 | Zongtao Zhang | Coated medical devices and methods of making and using |
JP4904341B2 (ja) | 2005-05-05 | 2012-03-28 | ハー.ツェー.スタルク ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | スパッタターゲット及びx線アノードを製造又は再処理するための被覆方法 |
US7662253B2 (en) * | 2005-09-27 | 2010-02-16 | Lam Research Corporation | Apparatus for the removal of a metal oxide from a substrate and methods therefor |
US7644872B2 (en) * | 2006-03-23 | 2010-01-12 | United Technologies Corporation | Powder port blow-off for thermal spray processes |
JP4762062B2 (ja) * | 2006-06-22 | 2011-08-31 | 出光興産株式会社 | 焼結体、膜及び有機エレクトロルミネッセンス素子 |
US7737383B2 (en) * | 2006-08-25 | 2010-06-15 | Thermal Dynamics Corporation | Contoured shield orifice for a plasma arc torch |
US8097105B2 (en) * | 2007-01-11 | 2012-01-17 | Lam Research Corporation | Extending lifetime of yttrium oxide as a plasma chamber material |
US9279178B2 (en) * | 2007-04-27 | 2016-03-08 | Honeywell International Inc. | Manufacturing design and processing methods and apparatus for sputtering targets |
US8197894B2 (en) * | 2007-05-04 | 2012-06-12 | H.C. Starck Gmbh | Methods of forming sputtering targets |
-
2009
- 2009-04-10 FR FR0952394A patent/FR2944293B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-04-12 KR KR1020117023564A patent/KR101728923B1/ko active IP Right Grant
- 2010-04-12 ES ES10723660.6T patent/ES2444948T3/es active Active
- 2010-04-12 AU AU2010233526A patent/AU2010233526B2/en not_active Ceased
- 2010-04-12 JP JP2012504064A patent/JP5635589B2/ja active Active
- 2010-04-12 CA CA2757903A patent/CA2757903C/fr not_active Expired - Fee Related
- 2010-04-12 US US13/259,991 patent/US9156089B2/en active Active
- 2010-04-12 MY MYPI2011004833A patent/MY156586A/en unknown
- 2010-04-12 WO PCT/FR2010/050704 patent/WO2010116112A2/fr active Application Filing
- 2010-04-12 EP EP10723660.6A patent/EP2417280B1/fr active Active
- 2010-04-12 MX MX2011010533A patent/MX2011010533A/es active IP Right Grant
- 2010-04-12 PL PL10723660T patent/PL2417280T3/pl unknown
- 2010-04-12 BR BRPI1010513A patent/BRPI1010513B1/pt not_active IP Right Cessation
- 2010-04-12 SG SG2011073947A patent/SG175161A1/en unknown
- 2010-04-12 CN CN2010800160871A patent/CN102395701A/zh active Pending
- 2010-04-12 UA UAA201113242A patent/UA106984C2/ru unknown
- 2010-04-12 EA EA201171236A patent/EA026548B1/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0479678A1 (fr) * | 1990-10-05 | 1992-04-08 | Saint-Gobain Vitrage International | Procédé de revêtement de vitrages par un procédé de projection thermique |
US20080138620A1 (en) * | 2005-02-08 | 2008-06-12 | Saint-Gobain Glass France | Method for Preparaing by Thermal Spraying a Silicon-And Zirconium-Based Target |
EP1712962A1 (en) * | 2005-04-12 | 2006-10-18 | Air Products and Chemicals, Inc. | Thermal deposition coating method |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU178216U1 (ru) * | 2017-06-14 | 2018-03-28 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского" | Настроечная шкала составной магнетронной мишени |
RU183138U1 (ru) * | 2018-03-20 | 2018-09-12 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук | Составная мишень для получения нанокомпозитов при магнетронном распылении |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
BRPI1010513B1 (pt) | 2020-05-05 |
JP5635589B2 (ja) | 2014-12-03 |
FR2944293B1 (fr) | 2012-05-18 |
AU2010233526A1 (en) | 2011-11-17 |
KR20120024538A (ko) | 2012-03-14 |
CA2757903A1 (fr) | 2010-10-14 |
JP2012523498A (ja) | 2012-10-04 |
MY156586A (en) | 2016-03-15 |
EA201171236A1 (ru) | 2012-04-30 |
CA2757903C (fr) | 2014-09-23 |
CN102395701A (zh) | 2012-03-28 |
WO2010116112A3 (fr) | 2011-03-10 |
PL2417280T3 (pl) | 2014-04-30 |
MX2011010533A (es) | 2011-11-04 |
EP2417280B1 (fr) | 2013-11-06 |
US9156089B2 (en) | 2015-10-13 |
AU2010233526B2 (en) | 2016-07-28 |
EP2417280A2 (fr) | 2012-02-15 |
KR101728923B1 (ko) | 2017-04-20 |
US20120055783A1 (en) | 2012-03-08 |
UA106984C2 (ru) | 2014-11-10 |
FR2944293A1 (fr) | 2010-10-15 |
BRPI1010513A2 (pt) | 2016-03-15 |
SG175161A1 (en) | 2011-11-28 |
ES2444948T3 (es) | 2014-02-27 |
WO2010116112A2 (fr) | 2010-10-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EA026548B1 (ru) | Способ получения мишени термонапылением | |
KR101754430B1 (ko) | 몰리브덴을 기재로 한 타겟 및 열 투사에 의한 타겟의 제조 방법 | |
CA2607091C (en) | Coating process for manufacture or reprocessing of sputter targets and x-ray anodes | |
US9988702B2 (en) | Component for plasma processing apparatus and method for manufacturing component for plasma processing apparatus | |
US6334938B2 (en) | Target and process for its production, and method for forming a film having a high refractive index | |
KR101157707B1 (ko) | 내플라즈마 부재 및 그 제조 방법 | |
JPWO2015151857A1 (ja) | 耐プラズマ部品及び耐プラズマ部品の製造方法及び耐プラズマ部品の製造に用いる膜堆積装置 | |
WO2015080134A1 (ja) | プラズマ装置用部品およびその製造方法 | |
US20230272520A1 (en) | Manufacture and refill of sputtering targets | |
KR100270226B1 (ko) | 새로운 구조의 열차폐 코팅 및 그의 제조방법 | |
EP4249628A1 (en) | Sputtering target and manufacturing method therefor | |
Trignan-Piot et al. | Microstructure of plasma-sprayed TaC coatings | |
Chakravarthy et al. | Development and characterization of single wire-arc-plasma sprayed coatings of nickel on carbon blocks and alumina tube substrates |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | Lapse of a eurasian patent due to non-payment of renewal fees within the time limit in the following designated state(s) |
Designated state(s): AM AZ BY KZ KG MD TJ TM |
|
MM4A | Lapse of a eurasian patent due to non-payment of renewal fees within the time limit in the following designated state(s) |
Designated state(s): RU |