JP5600165B2 - インプリント用レプリカモールドの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、インプリント用モールドのレプリカを製造する方法に関する。本願は、２０１０年６月２３日に出願された日本国特許出願第２０１０−１４３１１８号に対し優先権を主張し、その内容をここに援用する。

近年、微細凹凸パターンの形成方法として、インプリント法と呼ばれる微細なパターンを忠実に転写できる技術が開発されている（非特許文献１参照）。インプリント法はナノメートルオーダーのものをナノインプリント法、またマイクロメートルオーダーのものをインプリント法と呼ぶことが多いが、ここでは、両者併せて全てをインプリント法と呼ぶことにする。

インプリントプロセスでは、モールド（型）を樹脂に押しつけて、モールド上のパターンを樹脂に転写する。ここで使用するモールド材料は、一般に高価である上、パターンの破損や樹脂の貼り付きなどにより長期間使用することは難しい。そこでマスターとなるモールドの長寿化のための技術開発を行う一方で、モールドのパターンをより安価な材料に写し取り、それをマスターのレプリカとして用いてインプリントを行うことで、生産コストの削減が図られてきた。
これまで、インプリント用レプリカモールド材料としては、たとえば、ポリアミドオリゴマー（特許文献１）、ガラス系、フッ素系炭化水素ポリマー（特許文献２）、高分子量熱可塑性ポリマーと低分子量熱可塑性ポリマーとの混合物（特許文献３）、環状オレフィン共重合体（特許文献４）、ガラス系、ポリジメチルシロキサンなどが知られている。
しかしながら、従来の材料は、強度、柔軟性、成形性などの問題があった。
一方、本発明者らは、表面が無機化され非常に高い硬度を有するため耐擦傷性に優れ、かつ、被着体との密着性にも優れた薄膜材料として、ポリシロキサン系の組成物、紫外線硬化性化合物及び光感応性化合物を含有する組成物を開発していた（特許文献５）。

特開２００７−２１６４９３号公報 特開２００７−３２００７２号公報 特開２００８−３８１３６号公報 特開２００７−５５２３５号公報 国際公開２００８／０６９２１７パンフレット

S. Y. Chou et al. Appl. Phys. Lett., vol.67, 1995年, P3314

そこで、本発明は、安価で、強度、柔軟性などにおいて良好な特性を有するインプリント用レプリカモールドを製造する方法を提供することを課題とする。

本発明者らは、鋭意研究の結果、自らの発明したポリシロキサン系の組成物、紫外線硬化性化合物及び、光感応性化合物を含有する有機無機複合体（特許文献５）を、インプリント用レプリカモールド用材料に適用すると、使用前には保存安定性に優れるとともに、ある程度の柔軟性を有するための微細凹凸パターンを形成でき、硬化後には、微細凹凸パターンを維持したまま表面が無機化され非常に高い硬度を有するため、耐擦傷性に優れることを見出し、本発明を完成するに至った。

すなわち、本発明は、
（１）
（Ａ）基材上に、有機無機複合材料を塗工する工程、
（Ｂ）熱及び／又は電磁線によって、塗工面を半硬化させて微細凹凸パターン形成用基材とする工程、
（Ｃ）当該微細凹凸パターン形成用基材に所定の微細凹凸パターンが形成されたマスターモールドをインプリント法により押し付けて微細凹凸パターンを転写する工程、
（Ｄ）転写した当該微細凹凸パターン形成用基材に電磁線を照射することにより硬化させる工程、
を有することを特徴とするレプリカモールドの製造方法、
（２）
さらに、（Ｅ）上記（Ｄ）の工程で得られた微細凹凸パターン面に離型層を付与する工程を有することを特徴とする上記（１）に記載のレプリカモールドの製造方法、
（３）
有機無機複合材料が離型層用素材を含有していることを特徴とする上記（１）に記載のレプリカモールドの製造方法、
（４）
有機無機複合材料が、
ａ）式（Ｉ）
Ｒ^１ _ｎＳｉＸ_４−ｎ・・・（Ｉ）
（式中、ｎは１又は２を表し、ｎが２のときＲ^１は互いに同一であっても相異なってもよく、Ｒ^１は有機基であって、Ｒ^１のうち１以上はビニル基含有炭化水素基を表す。Ｘは水酸基又は加水分解性基を表し、互いに同一であっても相異なってもよい。）で表される化合物、
式（ＩＩ）
Ｒ^２ _ｎＳｉＸ_４−ｎ・・・（ＩＩ）
（式中、ｎは１又は２を表し、ｎが２のときＲ^２は同一であっても相異なってもよく、Ｒ^２は式中のＳｉに炭素原子が直接結合した、ビニル基含有炭化水素基以外の有機基を表す。Ｘは水酸基又は加水分解性基を表し、互いに同一であっても相異なってもよい。）で表される化合物、及び、存在するならば、それらの加水分解縮合物からなり、
｛〔式（Ｉ）の化合物〕＋〔存在するならば、加水分解縮合物中の式（Ｉ）の化合物由来の単位〕｝／｛〔式（Ｉ）の化合物〕＋〔式（ＩＩ）の化合物〕＋〔存在するならば、加水分解縮合物中の式（Ｉ）の化合物由来の単位〕＋〔存在するならば、加水分解縮合物中の式（ＩＩ）の化合物由来の単位〕｝×１００＝３０〜１００モル％、かつ、
｛〔式（ＩＩ）の化合物〕＋〔存在するならば、加水分解縮合物中の式（ＩＩ）の化合物由来の単位〕｝／｛〔式（Ｉ）の化合物〕＋〔式（ＩＩ）の化合物〕＋〔存在するならば、加水分解縮合物中の式（Ｉ）の化合物由来の単位〕＋〔存在するならば、加水分解縮合物中の式（ＩＩ）の化合物由来の単位〕｝×１００＝０〜７０モル％
である有機ケイ素化合物
ｂ）電磁線硬化性化合物、及び
ｃ）シラノール縮合触媒、
を含むことを特徴とする上記（１）〜（３）のいずれかに記載のレプリカモールドの製造方法、
（５）
｛〔式（Ｉ）の化合物〕＋〔存在するならば、加水分解縮合物中の式（Ｉ）の化合物由来の単位〕｝／｛〔式（Ｉ）の化合物〕＋〔式（ＩＩ）の化合物〕＋〔存在するならば、加水分解縮合物中の式（Ｉ）の化合物由来の単位〕＋〔存在するならば、加水分解縮合物中の式（ＩＩ）の化合物由来の単位〕｝×１００＝３０〜９５モル％、かつ、
｛〔式（ＩＩ）の化合物〕＋〔存在するならば、加水分解縮合物中の式（ＩＩ）の化合物由来の単位〕｝／｛〔式（Ｉ）の化合物〕＋〔式（ＩＩ）の化合物〕＋〔存在するならば、加水分解縮合物中の式（Ｉ）の化合物由来の単位〕＋〔存在するならば、加水分解縮合物中の式（ＩＩ）の化合物由来の単位〕｝×１００＝５〜７０モル％であることを特徴とする、
上記（４）に記載のレプリカモールドの製造方法、
（６）
電磁線硬化性化合物が組成物の固形分の全質量に対して８０質量％以下であることを特徴とする、上記（４）又は（５）に記載のレプリカモールドの製造方法、
（７）
シラノール縮合触媒が光感応性化合物であることを特徴とする、上記（４）〜（６）のいずれかに記載のレプリカモールドの製造方法に関する。

また、本発明は、
（８）
上記（１）〜（７）のいずれかに記載の方法により得られた、レプリカモールドに関する。

実施例１において、マスターモールドをプレスし、取り除いた後の、本発明に係る有機無機複合材料付スライドガラス面をデジタルマイクロスコープにより撮影した写真である。 実施例１において、マスターモールドをプレスし、取り除いた後の本発明に係る有機無機複合材料付ポリカーボネート面をデジタルマイクロスコープにより撮影した写真である。 実施例１において、本発明に係る有機無機複合材料付スライドガラスレプリカモールドを基材にプレスし、熱インプリント後、レプリカモールドを取り除いた後の基材面をデジタルマイクロスコープにより撮影した写真である。 実施例１において、本発明に係る有機無機複合材料付ポリカーボネート製レプリカモールドを基材にプレスし、熱インプリント後、レプリカモールドを取り除いた後の基材面をデジタルマイクロスコープにより撮影した写真である。 実施例１において、本発明に係る有機無機複合材料付スライドガラスレプリカモールドを基材にプレスし、光インプリント後、レプリカモールドを取り除いた後の基材面をデジタルマイクロスコープにより撮影した写真である。 実施例２において、マスターモールドとして使用されたシリコンモールドの面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により撮影した写真である。 実施例２において、本発明の有機無機複合材料付きスライドガラスの上にマスターモールドを乗せてプレスし、熱インプリント後、ＳＥＭにより撮影した写真である。 実施例２において、本発明の有機無機複合材料付きＰＥＴフィルム製のレプリカモールドを基材にプレスし、光インプリント後、レプリカモールドを取り除いた後の基材面をＳＥＭにより撮影した写真である。 実施例３において、マスターモールドを６０℃において４ＭＰａの圧力で３分間プレスし、取り除いた後の、本発明に係る有機無機複合材料付ＰＥＴフィルム（Ｉ）の表面をＡＦＭにより撮影した写真である。 実施例３において、マスターモールドを１００℃において１２ＭＰａの圧力で３分間プレスし、取り除いた後の、本発明に係る有機無機複合材料付ＰＥＴフィルム（ＩＩ）の表面をＡＦＭにより撮影した写真である。 実施例３において、有機無機複合材料付ＰＥＴフィルム（ＩＩ）をＵＶ硬化させて得た、本発明に係るレプリカモールド（ＩＩ）を基材（ポリメタクリル酸メチル樹脂）にプレスし、熱インプリント後、レプリカモールドを取り除いた後の基材面をＡＦＭにより撮影した写真である。 実施例３において、有機無機複合材料付ＰＥＴフィルム（ＩＩ）をＵＶ硬化させて得た、本発明に係るレプリカモールド（ＩＩ）を基材（ポリシクロオレフィン樹脂）にプレスし、熱インプリント後、レプリカモールドを取り除いた後の基材面をＡＦＭにより撮影した写真である。 実施例３において、有機無機複合材料付ＰＥＴフィルム（ＩＩ）をＵＶ硬化させて得た、本発明に係るレプリカモールド（ＩＩ）を基材にプレスし、光インプリント（７００ｍＪ／ｃｍ^２）後、レプリカモールドを取り除いた後の基材面をＡＦＭにより撮影した写真である。 実施例３において、有機無機複合材料付ＰＥＴフィルム（ＩＩ）をＵＶ硬化させて得た、本発明に係るレプリカモールド（ＩＩ）を基材にプレスし、光インプリント（１５００ｍＪ／ｃｍ^２）後、レプリカモールドを取り除いた後の基材面をＡＦＭにより撮影した写真である。

本発明において、「レプリカモールド」とは、微細凹凸パターンを有するモールド（金型）を樹脂に押しつけて微細凹凸パターンを樹脂に転写するインプリント法において使用するモールドのレプリカを意味する。
また、「電磁線」とは、紫外線、Ｘ線、放射線、イオン化放射線、電離性放射線（α、β、γ線、中性子線、電子線）を意味する。
また、「半硬化」とは、タック性がなく、成形時には型に追従してクラックが発生しない程度に硬化した状態を意味する。さらに、「硬化」とは、スチールウールによる擦過で傷が付き難い程度に硬化している状態を意味する。

１．有機無機複合材料
本発明における有機無機複合材料は、基材上に積層して、微細凹凸パターンを作成するための有機無機複合材料層を形成する組成物であり、従来どおり、転写した当該微細凹凸パターン形成用基材から該マスターモールドを除去しないで電磁線を照射して硬化させることができるのみならず、転写した当該微細凹凸パターン形成用基材から該マスターモールドを除去して電磁線を照射して硬化させることができるものであれば特に限定されないが、特に、以下の成分が好ましい。

ａ）有機ケイ素化合物
本発明の有機無機複合材料における有機ケイ素化合物は、次の成分を含有する。
ａ−１) 式（Ｉ）
Ｒ^１ _ｎＳｉＸ_４−ｎ・・・（Ｉ）
（式中、ｎは１又は２を表し、ｎが２のときＲ^１は同一であっても相異なってもよく、Ｒ^１は有機基であって、Ｒ^１のうち１以上はビニル基含有炭化水素基を表す。Ｘは水酸基又は加水分解性基を表し、互いに同一であっても相異なってもよい。）で表される化合物
ａ−２) 式（ＩＩ）
Ｒ^２ _ｎＳｉＸ_４−ｎ・・・（ＩＩ）
（式中、ｎは１又は２を表しｎが２のときＲ^２は同一であっても相異なってもよく、Ｒ^２は式中のＳｉに炭素原子が直接結合した、ビニル基含有炭化水素基以外の有機基を表す。Ｘは水酸基又は加水分解性基を表し、互いに同一であっても相異なってもよい。）で表される化合物
ａ−３) 存在するならば、それらの加水分解縮合物

本発明の有機無機複合材料における有機ケイ素化合物は、式（Ｉ）で表される化合物と式（ＩＩ）で表される化合物、及び、存在するならば、それらの加水分解縮合物の混合物であるが、式（ＩＩ）で表される化合物及びそれを単位として含有する加水分解縮合物は必ずしも存在しなくてもよい。加水分解縮合物とは、化合物同士が加水分解縮合してシロキサン結合を形成した２量体等であって、式（Ｉ）又は式（ＩＩ）の化合物のみが加水分解縮合した物であってもよく、式（Ｉ）の化合物と式（ＩＩ）の化合物とが加水分解縮合した物であってもよく、これらの２種以上が混在していてもよい。

｛〔式（Ｉ）の化合物〕＋〔存在するならば、加水分解縮合物中の式（Ｉ）の化合物由来の単位〕｝／｛〔式（Ｉ）の化合物〕＋〔式（ＩＩ）の化合物〕＋〔存在するならば、加水分解縮合物中の式（Ｉ）の化合物由来の単位〕＋〔存在するならば、加水分解縮合物中の式（ＩＩ）の化合物由来の単位〕｝×１００は、好ましくは３０〜１００モル％、より好ましくは３０〜９５モル％であり、
｛〔式（ＩＩ）の化合物〕＋〔存在するならば、加水分解縮合物中の式（ＩＩ）の化合物由来の単位〕｝／｛〔式（Ｉ）の化合物〕＋〔式（ＩＩ）の化合物〕＋〔存在するならば、加水分解縮合物中の式（Ｉ）の化合物由来の単位〕＋〔存在するならば、加水分解縮合物中の式（ＩＩ）の化合物由来の単位〕｝×１００は、好ましくは０〜７０モル％であり、より好ましくは５〜７０モル％である。
また、加水分解縮合物の平均粒子径は２ｎｍ〜１００ｎｍが好ましく、５ｎｍ〜３０ｎｍであることがより好ましい。平均粒子径が１００ｎｍより大きいと膜が白濁し、溶液が不安定となりゲル化し易くなる。平均粒子径が２ｎｍより小さいと塗膜性に悪影響が出る場合がある。

式（Ｉ）中、ｎは１又は２を表し、ｎは１であることが好ましい。ｎが２のときＲ^１は同一であっても相異なってもよく、Ｒ^１は有機基であって、Ｒ^１のうち１以上はビニル基含有炭化水素基を表す。つまり、ｎが１のとき、Ｒ^１はビニル基含有炭化水素基であり、ｎが２のとき、Ｒ^１のうち１又は２は、前記のビニル基含有炭化水素基であり、前記以外の基は有機基である。
有機基としては、置換基を有していてもよい炭化水素基（ビニル基含有炭化水素基を含む）、置換基を有していてもよいビニル化合物のポリマーからなる基等を挙げることができる。
炭化水素基としては、アルキル基、シクロアルキル基、ビニル基含有炭化水素基、アルキニル基、アリール基などが挙げられる。これらのうち、ビニル基含有炭化水素基以外の基では、置換基を有していてもよい炭素数１〜３０の炭化水素基が好ましく、さらに、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のエポキシアルキル基がより好ましい。
ビニル基含有炭化水素基としては、例えば、ビニル基、アリル基、３−ブテニル基、４−ヘキセニル基等のアルケニル基（好ましくは、Ｃ２−８アルケニル基）、２−シクロプロペニル基、２−シクロペンテニル基、３−シクロヘキセニル基、４−シクロオクテニル基等のシクロアルケニル基（好ましくは、Ｃ３−８シクロアルケニル基）等が挙げられる。
また、有機基は、ケイ素原子を含んでいてもよく、ポリシロキサン、ポリビニルシラン、ポリアクリルシラン等のポリマーを含む基であってもよい。

ここで、アルキル基としては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、イソブチル、アミル、イソアミル、ｔｅｒｔ−アミル、ヘキシル、ヘプチル、イソヘプチル、ｔｅｒｔ−ヘプチル、ｎ−オクチル、イソオクチル、ｔｅｒｔ−オクチル、２−エチルヘキシル等が挙げられ、これらのうち炭素数１〜１０のアルキル基が好ましい。
シクロアルキル基としては、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル等が挙げられ、これらのうち、炭素数３〜８のシクロアルキル基が好ましい。
アルキニル基としては、エチニル基、１−プロピニル基、２−プロピニル基、１−ブチニル基、２−ブチニル基、３−ブチニル基、１−メチル−２−プロピニル基、２−メチル−３−ブチニル基、１−ペンチニル基、２−ペンチニル基、３−ペンチニル基、４−ペンチニル基等が挙げられ、これらのうち炭素数２〜６のアルキニル基が好ましい。
アリール基は、単環又は多環のアリール基を意味し、多環アリール基の場合は、完全不飽和に加え、部分飽和の基も包含する。アリール基としては、フェニル基、ナフチル基、アズレニル基、インデニル基、インダニル基、テトラリニル基等が挙げられる。これらのうち、好ましくは、Ｃ６−１０アリール基である。

上記「置換基を有していてもよい」における「置換基」としては、ハロゲン原子、アルコキシ基、アルケニルオキシ基、アルケニルカルボニルオキシ基、エポキシ基等が挙げられる。

ハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等が挙げられる。
アルコキシ基としては、メトキシ、エトキシル、ｎ−プロポキシ、イソプロポキシ、ｎ−ブトキシ、イソブトキシ、ｓｅｃ−ブトキシ、ｔｅｒｔ−ブトキシ、ｎ−ペントキシ、イソペントキシ、ネオペントキシ、１−メチルブトキシ、ｎ−ヘキシルオキシ、イソヘキシルオキシ、４−メチルペントキシ等が挙げられ、炭素数１〜１０のアルコキシ基が好ましい。
アルケニルオキシ基は、いずれか１カ所以上に炭素−炭素二重結合を有するアルケニル基と酸素原子が結合した基であり、例えば、ビニルオキシ、２−プロペニルオキシ、３−ブテニルオキシ、４−ペンテニルオキシ等が挙げられ、炭素数２〜１０のアルケニルオキシ基が好ましい。
アルケニルカルボニルオキシ基としては、アルケニル基がカルボニルオキシ基と結合した基であり、アクリロイルオキシ、メタクリロイルオキシ、アリルカルボニルオキシ、３−ブテニルカルボニルオキシ等が挙げられ、炭素数２〜１０のアルケニルカルボニルオキシ基が好ましい。

置換基を有していてもよいビニル化合物のポリマーとしては、例えば、
（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸ブチル、（メタ）アクリル酸２−エチルヘキシル、シクロヘキシル（メタ）アクリレートなどの（メタ）アクリル酸エステル；
（メタ）アクリル酸、イタコン酸、フマル酸などのカルボン酸および無水マレイン酸などの酸無水物；
グリシジル（メタ）アクリレートなどのエポキシ化合物；
ジエチルアミノエチル（メタ）アクリレート、アミノエチルビニルエーテルなどのアミノ化合物；
（メタ）アクリルアミド、イタコン酸ジアミド、α−エチルアクリルアミド、クロトンアミド、フマル酸ジアミド、マレイン酸ジアミド、Ｎ−ブトキシメチル（メタ）アクリルアミドなどのアミド化合物；
アクリロニトリル、スチレン、α−メチルスチレン、塩化ビニル、酢酸ビニル、プロピオン酸ビニルなどから選ばれるビニル系化合物；
を単独又は共重合したビニル系ポリマーを挙げることができる。

式（ＩＩ）中、ｎは１又は２を表し、ｎは１であることがより好ましい。ｎが２のときＲ^２は同一であっても相異なってもよく、Ｒ^２は式中のＳｉに炭素原子が直接結合しているビニル基含有炭化水素基以外の有機基を表す。Ｒ^２の有機基としては、Ｒ^１の有機基と同様のものを挙げることができる。

式（Ｉ）及び式（ＩＩ）中、Ｘは水酸基又は加水分解性基を表し、互いに同一であっても異なっていてもよい。加水分解性基とは、例えば、無触媒、過剰の水の共存下、２５℃〜１００℃で加熱することにより、加水分解されてシラノール基を生成することができる基や、シロキサン縮合物を形成することができる基を意味し、具体的には、アルコキシ基、アシルオキシ基、ハロゲン原子、イソシアネート基等を挙げることができ、炭素数１〜４のアルコキシ基又は炭素数１〜４のアシルオキシ基が好ましい。

炭素数１〜４のアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基等が挙げられ、炭素数１〜４のアシルオキシ基としては、ホルミルオキシ、アセチルオキシ、プロパノイルオキシ等のアシルオキシ基が挙げられる。

具体的に、式（Ｉ）で表される化合物としては、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリクロロシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリブトキシシラン、ビニルトリイソプロポキシシラン、アリルトリメトキシシラン、３−ブテニルトリメトキシシラン、２−シクロプロぺニルトリメトキシシラン、２−シクロペンテニルトリメトキシシラン、２−シクロヘキセニルトリメトキシシラン、ジビニルジアミノシラン、ジビニルジクロロシラン、ジビニルジアセトキシシラン、ジビニルジメトキシシラン、ジアリルジメトキシシラン、ジ３-ブテニルジメトキシシラン、ビニルメチルジメトキシシラン、ビニルエチルジエトキシシラン、アリルメチルトリメトキシシラン、アリルエチルトリエトキシシラン等を挙げることができる。
式（ＩＩ）で表される化合物としては、メチルトリクロロシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリブトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリイソプロポキシシラン、エチルトリブトキシシラン、ブチルトリメトキシシラン、ペンタフルオロフェニルトリメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、ノナフルオロブチルエチルトリメトキシシラン、トリフルオロメチルトリメトキシシラン、ジメチルジアミノシラン、ジメチルジクロロシラン、ジメチルジアセトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジブチルジメトキシシラン、トリメチルクロロシラン、３−（メタ）アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−（３−メチル−３−オキセタンメトキシ）プロピルトリメトキシシラン、オキサシクロヘキシルトリメトキシシラン、メチルトリ（メタ）アクリロキシシラン、メチル［２−（メタ）アクリロキシエトキシ］シラン、メチル−トリグリシジロキシシラン、メチルトリス（３−メチル−３−オキセタンメトキシ）シランを挙げることができる。

これらは、１種単独又は２種以上を組み合わせて使用することができる。
有機ケイ素化合物を組み合わせて使用する場合、例えば、ビニルトリメトキシシランと３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシランの組み合わせ、ビニルトリメトキシシランと３−グリシドキシプロピルトリメトキシシランの組み合わせを好ましく例示できる。

これらの有機ケイ素化合物は縮合物であってもよい。縮合物とは、具体的には例えば、上記の有機ケイ素化合物が加水分解縮合してシロキサン結合を形成した２量体等が挙げられる。

また、式（Ｉ）で表される有機ケイ素化合物のうち、Ｒ^１の炭素数が３以下であるものが、３０モル％以上、好ましくは５０〜１００モル％であり、Ｒ^１の炭素数が４以上であるものが、７０モル％以下、好ましくは０〜５０モル％である 。

ｂ）電磁線硬化性化合物
本発明の電磁線硬化性化合物とは、活性エネルギー線の照射により重合する化合物である。特に、光重合開始剤の存在下で紫外線の照射により重合反応を起こす官能基を有する化合物あるいは樹脂のことであり、（メタ）アクリレート系化合物、エポキシ樹脂、アクリレート系化合物を除くビニル化合物などがある。官能基の数は、１個以上であれば特に限定はない。
アクリレート系化合物としては、ポリウレタン（メタ）アクリレート、ポリエステル（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、ポリアミド（メタ）アクリレート、ポリブタジエン（メタ）アクリレート、ポリスチリル（メタ）アクリレート、ポリカーボネートジアクリレート、トリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイルオキシ基を有するシロキサンポリマー等が挙げられるが、好ましくはポリエステル（メタ）アクリレート、ポリウレタン（メタ）アクリレート、エポキシポリ（メタ）アクリレートであり、より好ましくは、ポリウレタン（メタ）アクリレートである。
分子量は、他のハードコート層組成物と相溶性を有する限り限度はないが、通常は質量平均分子量として５００〜５０，０００、好ましくは１，０００〜１０，０００である。

エポキシ（メタ）アクリレートは、例えば、低分子量のビスフェノール型エポキシ樹脂やノボラックエポキシ樹脂のオキシラン環とアクリル酸とのエステル化反応により得ることができる。
ポリエステル（メタ）アクリレートは、例えば、多価カルボン酸と多価アルコールの縮合によって得られる、両末端に水酸基を有するポリエステルオリゴマーの水酸基をアクリル酸でエステル化することにより得られる。または、多価カルボン酸にアルキレンオキシドを付加して得られるオリゴマーの末端の水酸基をアクリル酸でエステル化することにより得られる。
ウレタン（メタ）アクリレートは、ポリオールとジイソシアネートとを反応させて得られるイソシアネート化合物と、水酸基を有するアクリレートモノマーとの反応生成物であり、ポリオールとしては、ポリエステルポリオール、ポリエーテルポリオール、ポリカーボネートジオールが挙げられる。

本発明で用いるウレタン（メタ）アクリレートの市販品としては、例えば、
荒川化学工業（株）製 商品名：ビームセット１０２、５０２Ｈ、５０５Ａ−６、５１０、５５０Ｂ、５５１Ｂ、５７５、５７５ＣＢ、ＥＭ−９０、ＥＭ９２；
サンノプコ（株）製 商品名：フォトマー６００８、６２１０；
新中村化学工業（株）製 商品名：ＮＫオリゴＵ−２ＰＰＡ、Ｕ−４ＨＡ、Ｕ−６ＨＡ、Ｈ−１５ＨＡ、ＵＡ−３２ＰＡ、Ｕ−３２４Ａ、Ｕ−４Ｈ、Ｕ−６Ｈ；
東亜合成（株）製 商品名：アロニックスＭ−１１００、Ｍ−１２００、Ｍ−１２１０、Ｍ−１３１０、Ｍ−１６００、Ｍ−１９６０；
共栄社化学（株）製 商品名：ＡＨ−６００、ＡＴ６０６、ＵＡ−３０６Ｈ；
日本化薬（株）製 商品名：カヤラッドＵＸ−２２０１、ＵＸ−２３０１、ＵＸ−３２０４、ＵＸ−３３０１、ＵＸ−４１０１、ＵＸ−６１０１、ＵＸ−７１０１；
日本合成化学工業（株）製 商品名：紫光ＵＶ−１７００Ｂ、ＵＶ−３０００Ｂ、ＵＶ−６１００Ｂ、ＵＶ−６３００Ｂ、ＵＶ−７０００、ＵＶ−７６００Ｂ、ＵＶ−２０１０Ｂ、ＵＶ−７６１０Ｂ、ＵＶ−７６３０Ｂ、ＵＶ−７５５０Ｂ；
根上工業（株）製 商品名：アートレジンＵＮ−１２５５、ＵＮ−５２００、ＨＤＰ−４Ｔ、ＨＭＰ−２、ＵＮ−９０１Ｔ、ＵＮ−３３２０ＨＡ、ＵＮ−３３２０ＨＢ、ＵＮ−３３２０ＨＣ、ＵＮ−３３２０ＨＳ、Ｈ−６１、ＨＤＰ−Ｍ２０；
ダイセルユーシービー（株）製 商品名：Ｅｂｅｃｒｙｌ ６７００、２０４、２０５、２２０、２５４、１２５９、１２９０Ｋ、１７４８、２００２、２２２０、４８３３、４８４２、４８６６、５１２９、６６０２、８３０１；
ダイセル・サイテック（株）製 商品名：ＡＣＡ２００Ｍ、ＡＣＡＺ２３０ＡＡ、ＡＣＡＺ２５０、ＡＣＡＺ３００、ＡＣＡＺ３２０；
等を挙げることができる。

又、アクリレート系化合物を除くビニル化合物としては、Ｎ−ビニルピロリドン、Ｎ−ビニルカプロラクタム、酢酸ビニル、スチレン、不飽和ポリエステルなどがあり、エポキシ樹脂としては、水素添加ビスフェノールＡジグリシジルエーテル、３，４−エポキシシクロヘキシルメチル−３，４−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル−５，５−スピロ−３，４−エポキシ）シクロヘキサン−メタ−ジオキサン、ビス（３，４−エポキシシクロヘキシルメチル）アジペートなどを挙げることができる。

光重合開始剤としては、（ｉ）光照射によりカチオン種を発生させる化合物及び（ｉｉ）光照射により活性ラジカル種を発生させる化合物等を挙げることができる。
光照射によりカチオン種を発生させる化合物としては、例えば、下記式（ＩＩＩ）に示す構造を有するオニウム塩を好適例として挙げることができる。
このオニウム塩は、光を受けることによりルイス酸を放出する化合物である。
［Ｒ^１ _ａＲ^２ _ｂＲ^３ _ｃＲ^４ _ｄＷ］^＋ｅ［ＭＬ_ｅ＋ｆ］^−ｅ （ＩＩＩ）
（式（ＩＩＩ）中、カチオンはオニウムイオンであり、Ｗは、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｏ、Ｉ、Ｂｒ、Ｃｌ、又はＮ≡Ｎ−であり、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４は同一又は異なる有機基であり、ａ、ｂ、ｃ、及びｄは、それぞれ０〜３の整数であって、（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）はＷの価数に等しい。Ｍは、ハロゲン化物錯体［ＭＬ_ｅ＋ｆ］の中心原子を構成する金属又はメタロイドであり、例えば、Ｂ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｆｅ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ａｌ、Ｃａ、Ｉｎ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｓｃ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｏ等である。Ｌは、例えば、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ等のハロゲン原子であり、ｅは、ハロゲン化物錯体イオンの正味の電荷であり、ｆは、Ｍの原子価である。）

上記式（ＩＩＩ）中における陰イオン（ＭＬ_ｅ＋ｆ）の具体例としては、テトラフルオロボレート（ＢＦ_４ ⁻）、ヘキサフルオロホスフェート（ＰＦ_６ ⁻）、ヘキサフルオロアンチモネート（ＳｂＦ_６ ⁻）、ヘキサフルオロアルセネート（ＡｓＦ_６ ⁻）、ヘキサクロロアンチモネート（ＳｂＣｌ_６ ⁻）等を挙げることができる。
また、式〔ＭＬｆ（ＯＨ）⁻〕に示す陰イオンを有するオニウム塩を用いることもできる。さらに、過塩素酸イオン（ＣｌＯ_４ ⁻）、トリフルオロメタンスルフォン酸イオン（ＣＦ_３ＳＯ_３ ⁻）、フルオロスルフォン酸イオン（ＦＳＯ_３ ⁻）、トルエンスルフォン酸イオン、トリニトロベンゼンスルフォン酸陰イオン、トリニトロトルエンスルフォン酸陰イオン等の他の陰イオンを有するオニウム塩であってもよい。これらは、１種単独で又は２種以上を組合わせて用いることができる。

光照射により活性ラジカル種を発生させる化合物としては、例えば、アセトフェノン、アセトフェノンベンジルケタール、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、キサントン、フルオレノン、ベンズアルデヒド、フルオレン、アントラキノン、トリフェニルアミン、カルバゾール、３−メチルアセトフェノン、４−クロロベンゾフェノン、４，４’−ジメトキシベンゾフェノン、４，４’−ジアミノベンゾフェノン、ベンゾインプロピルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンジルジメチルケタール、１−（４−イソプロピルフェニル）−２−ヒドロキシ−２−メチルプロパン−１−オン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン、チオキサントン、ジエチルチオキサントン、２−イソプロピルチオキサントン、２−クロロチオキサントン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルホリノ−プロパン−１−オン、２−ベンジルー２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタノン−１，４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル−（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、２，４，６−トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサイド、ビス−（２，６−ジメトキシベンゾイル）−２，４，４−トリメチルペンチルフォスフィンオキシド、オリゴ（２−ヒドロキシ−２−メチル−１−（４−（１−メチルビニル）フェニル）プロパノン）等を挙げることができる。

本発明において用いられる光重合開始剤の配合量は、（メタ）アクリレート系紫外線硬化性化合物の固形分に対して、０．０１〜２０質量％配合することが好ましく、０．１〜１０質量％が、さらに好ましい。

なお、本発明においては、必要に応じて増感剤を添加することができ、例えば、トリメチルアミン、メチルジメタノールアミン、トリエタノールアミン、ｐ−ジメチルアミノアセトフェノン、ｐ−ジメチルアミノ安息香酸エチル、ｐ−ジメチルアミノ安息香酸イソアミル、Ｎ，Ｎ−ジメチルベンジルアミン及び４，４’−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン等が使用できる。

紫外線硬化性化合物は、有機無機複合材料の固形分の全質量に対して、８０質量％以下であることが好ましい。

ｃ）シラノール縮合触媒
シラノール縮合触媒としては、式（Ｉ）で表される化合物中の加水分解性基を加水分解し、シラノールを縮合してシロキサン結合とするものであれば特に制限されず、有機金属、有機酸金属塩、酸、塩基、金属キレート化合物等が挙げられる。シラノール縮合触媒は１種単独、又は、２種以上の組合せで使用することができる。
有機金属としては、例えば、テトラメチルチタン、テトラプロピルジルコニウム等のアルキル金属化合物、テトライソプロポキシチタン、テトラブトキシジルコニウム等の金属アルコラート等が挙げられる。
有機酸金属塩としては例えば、カルボン酸金属塩、スルフォン酸金属塩、フェノール金属塩等が挙げられる。
金属キレート化合物としては、β−ケトカルボニル化合物、β−ケトエステル化合物、α−ヒドロキシエステル化合物等との金属キレート化合物が挙げられる。
酸としては、有機酸、鉱酸が挙げられ、具体的には例えば、有機酸としては酢酸、ギ酸、シュウ酸、炭酸、フタル酸、トリフルオロ酢酸、ｐ−トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸等、鉱酸としては、塩酸、硝酸、ホウ酸、ホウフッ化水素酸等が挙げられる。
ここで、光照射によって酸を発生する光酸発生剤、具体的には、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスフェート、トリフェニルホスホニウムヘキサフルオロホスフェート等も酸に包含される。
塩基としては、テトラメチルグアニジン、テトラメチルグアニジルプロピルトリメトキシシラン等の強塩基類；有機アミン類、有機アミンのカルボン酸中和塩、４級アンモニウム塩等が挙げられる。

これ等のうち、特に、３５０ｎｍ以下の波長の光の作用によって表面側の炭素成分を除去することができる光感応性化合物が好ましい。
光感応性化合物とは、そのメカニズムの如何によらず、表面側から照射される３５０ｎｍ以下の波長の光の作用によって、表面側の炭素成分を除去することができる化合物であり、好ましくは、表面から深さ方向２ｎｍにおける表面部の炭素含有量が、炭素量が減少していない部分（膜の場合、例えば、膜裏面から深さ方向１０ｎｍにおける裏面部）の炭素含有量の８０％以下、より好ましくは２〜６０％、さらに好ましくは２〜４０％とすることができる化合物であり、特に好ましくは、炭素成分を、その除去量が表面側から漸次減少するように所定深さまで除去することが可能な化合物、すなわち、表面から所定深さまで炭素含有量が漸次増加する層を形成することができる化合物をいう。具体的には、例えば、３５０ｎｍ以下の波長の光を吸収して励起する化合物を挙げることができる。
ここで、３５０ｎｍ以下の波長の光とは、３５０ｎｍ以下のいずれかの波長の光を成分とする光源を用いてなる光、好ましくは、３５０ｎｍ以下のいずれかの波長の光を主成分とする光源を用いてなる光、すなわち、最も成分量の多い波長が３５０ｎｍ以下の光源を用いてなる光を意味する。

本発明に使用される光感応性化合物としては、Ｔｉ、Ｓｎ、Ａｌ及びＺｒから選ばれる金属のキレート化合物、Ｔｉ、Ｓｎ、Ａｌ及びＺｒから選ばれる金属の有機酸金属塩、Ｔｉ、Ｓｎ、Ａｌ及びＺｒから選ばれる金属を有し、２以上の水酸基若しくは加水分解性基を有する金属化合物（ただし、金属キレート化合物及び有機酸金属塩を除く）、それらの加水分解物、及びそれらの縮合物からなる群より選ばれる少なくとも１種の化合物であり、加水分解物及び／又は縮合物であることが好ましく、特に、金属キレート化合物の加水分解物及び／又は縮合物が好ましい。これから誘導される化合物としては、例えば、金属キレート化合物の縮合物等がさらに縮合されたもの等を挙げることができる。かかる光感応性化合物及び／又はその誘導体は、上述のように、有機ケイ素化合物と化学結合していてもよく、非結合状態で分散していてもよく、その混合状態のものであってもよい。

上記Ｔｉ、Ｓｎ、Ａｌ及びＺｒから選ばれる金属のキレート化合物としては、水酸基若しくは加水分解性基を有する金属キレート化合物であることが好ましく、２以上の水酸基若しくは加水分解性基を有する金属キレート化合物であることがより好ましい。なお、２以上の水酸基若しくは加水分解性基を有するとは、加水分解性基及び水酸基の合計が２以上であることを意味する。また、前記金属キレート化合物としては、β−ケトカルボニル化合物、β−ケトエステル化合物、及びα−ヒドロキシエステル化合物が好ましく、具体的には、アセト酢酸メチル、アセト酢酸ｎ−プロピル、アセト酢酸イソプロピル、アセト酢酸ｎ−ブチル、アセト酢酸ｓｅｃ−ブチル、アセト酢酸ｔ−ブチル等のβ−ケトエステル類；アセチルアセトン、へキサン−２，４−ジオン、ヘプタン−２，４−ジオン、ヘプタン−３，５−ジオン、オクタン−２，４−ジオン、ノナン−２，４−ジオン、５−メチル−へキサン−２，４−ジオン等のβ−ジケトン類；グリコール酸、乳酸等のヒドロキシカルボン酸等が配位した化合物が挙げられる。

上記Ｔｉ、Ｓｎ、Ａｌ及びＺｒから選ばれる金属の有機酸金属塩は、金属イオンと有機酸から得られる塩からなる化合物であり、有機酸としては、酢酸、シュウ酸、酒石酸、安息香酸等のカルボン酸類；スルフォン酸、スルフィン酸、チオフェノール等の含硫黄有機酸；フェノール化合物；エノール化合物；オキシム化合物；イミド化合物；芳香族スルフォンアミド；等の酸性を呈する有機化合物が挙げられる。

また、上記Ｔｉ、Ｓｎ、Ａｌ及びＺｒから選ばれる金属を有し、２以上の水酸基若しくは加水分解性基を有する金属化合物は、上記金属キレート化合物及び有機酸金属塩以外のものであり、例えば、水酸化物や、プロポキシド、イソプロポキシド、ブトキシド等の金属アルコラート等を挙げることができる。

上記金属化合物、上記金属キレート化合物又は上記有機酸金属塩における加水分解性基としては、例えば、アルコキシ基、アシルオキシ基、ハロゲン基、イソシアネート基が挙げられ、炭素数１〜４のアルコキシ基、炭素数１〜４のアシルオキシ基が好ましい。なお、２以上の水酸基若しくは加水分解性基を有するとは、加水分解性基及び水酸基の合計が２以上であることを意味する。

かかる金属化合物の加水分解物及び／又は縮合物としては、２以上の水酸基若しくは加水分解性基を有する金属化合物１モルに対して、０．５モル以上の水を用いて加水分解したものであることが好ましく、０．５〜２モルの水を用いて加水分解したものであることがより好ましい。

また、金属キレート化合物の加水分解物及び／又は縮合物としては、金属キレート化合物１モルに対して、５〜１００モルの水を用いて加水分解したものであることが好ましく、５〜２０モルの水を用いて加水分解したものであることがより好ましい。

また、有機酸金属塩の加水分解物及び／又は縮合物としては、金属有機酸塩１モルに対して、５〜１００モルの水を用いて加水分解したものであることが好ましく、５〜２０モルの水を用いて加水分解したものであることがより好ましい。

本発明において、シラノール縮合触媒を２種以上使用する場合、上記の光感応性を有する化合物を含んでいてもよいし、光感応性を有する化合物を含んでいなくてもよい。また、光感応性を有する化合物と光感応性を有しない化合物を併用することもできる。

また、本発明の有機無機複合材料中には、後述する離型層の素材を含有させることにより、第５工程として行うことなく、離型層を形成することができる。

２．有機無機複合材料の調製
本発明の有機無機複合材料の調製方法としては、必要に応じて水及び溶媒を加え、有機ケイ素化合物、電磁線硬化性化合物、及びシラノール縮合触媒を混合する。
具体的には公知の条件・方法によることができ、例えば国際公開２００８／６９２１７パンフレットに記載の方法等で調製することができる。

用いる溶媒としては、特に制限されるものではなく、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類；ヘキサン、オクタン等の脂肪族炭化水素類；シクロヘキサン、シクロペンタン等の脂環族炭化水素類；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類；テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類；酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル類；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド類；ジメチルスルホキシド等のスルホキシド類；メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール等のアルコール類；エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート等の多価アルコール誘導体類；等が挙げられる。これらの溶媒は１種単独で、あるいは２種以上を組み合わせて用いることができる。
２種以上組み合わせる場合、例えばブタノール／酢酸エチル／エタノールの組み合わせが好ましく挙げられる。

本発明の有機無機複合材料の固形分（有機ケイ素成分、紫外線硬化性化合物、シラノール縮合触媒及び光重合開始剤等）としては、１〜７５質量％であることが好ましく、１０〜６０質量％であることがより好ましい。有機ケイ素化合物及び／又はその加水分解縮合物、シラノール縮合触媒、紫外線硬化性化合物及び光重合開始剤等の固形分の全質量に対して、紫外線硬化性化合物は特に制限されないが、好ましくは８０％以下、より好ましくは１０〜７０％である。
また、シラノール縮合触媒として光感応性化合物を含む場合、光感応性化合物の含有量としては、その種類にもよるが、一般的に、有機ケイ素化合物中のＳｉに対して、光感応性化合物中の金属原子が０．０１〜０．５モル当量、好ましくは０．０５〜０．２モル当量であることが好ましい。

また、当該有機無機複合材料には、得られる有機無機複合材料層の硬度向上を目的として４官能シランやコロイド状シリカを添加することもできる。４官能シランとしては、例えば、テトラアミノシラン、テトラクロロシラン、テトラアセトキシシラン、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラブトキシシラン、テトラベンジロキシシラン、テトラフェノキシシラン、テトラ（メタ）アクリロキシシラン、テトラキス［２−（メタ）アクリロキシエトキシ］シラン、テトラキス（２−ビニロキシエトキシ）シラン、テトラグリシジロキシシラン、テトラキス（２−ビニロキシブトキシ）シラン、テトラキス（３−メチル−３−オキセタンメトキシ）シランを挙げることができる。また、コロイド状シリカとしては、水分散コロイド状シリカ、メタノールもしくはイソプロピルアルコールなどの有機溶媒分散コロイド状シリカを挙げることができる。

３．微細凹凸パターン形成用基材
本発明の微細凹凸パターン形成用基材は、微細凹凸パターンを作成するための基材であって、基材上に形成された前記有機無機複合材料の半硬化物層である。
前記有機無機複合材料の半硬化物とは、加熱による処理をした場合は、当該有機無機複合材料の有機ケイ素化合物の少なくとも一部が加水分解縮合した化合物を含むことを意味する。また、電磁線を使用した場合には、当該有機無機複合体中の有機ケイ素化合物の少なくとも一部が加水分解縮合した化合物及び電磁線硬化性化合物が一部硬化している化合物を含むことを意味する。

本発明の有機無機複合材料の半硬化物は、
ａ）式（Ｉ）
Ｒ^１ _ｎＳｉＸ_４−ｎ・・・（Ｉ）
（式中、ｎは１又は２を表し、ｎが２のときＲ^１は同一であっても相異なってもよく、Ｒ^１は有機基であって、Ｒ^１のうち１以上はビニル基含有炭化水素基を表す。Ｘは水酸基又は加水分解性基を表し、互いに同一であっても相異なってもよい。）で表される化合物、式（ＩＩ）
Ｒ^２ _ｎＳｉＸ_４−ｎ・・・（ＩＩ）
（式中、ｎは１又は２を表しｎが２のときＲ^２は同一であっても相異なってもよく、Ｒ^２は式中のＳｉに炭素原子が直接結合した、ビニル基含有炭化水素基以外の有機基を表す。Ｘは水酸基又は加水分解性基を表し、互いに同一であっても相異なってもよい。）で表される化合物、及びそれらの加水分解縮合物からなる有機ケイ素化合物、
ｂ）電磁線硬化性化合物又は一部が硬化した電磁線硬化性化合物、及び
ｃ）シラノール縮合触媒
を含有する。
ここで、各置換基の具体例は、前記有機無機複合材料における式（Ｉ）及び（ＩＩ）で表される化合物の具体例と同様である。

半硬化物中の有機ケイ素化合物は、式（Ｉ）と式（ＩＩ）で表される化合物とそれらの加水分解縮合物との混合物であるが、通常、大部分は加水分解縮合物である。
また、有機ケイ素化合物の組成は以下のとおりである。
｛〔式（Ｉ）の化合物〕＋〔加水分解縮合物中の式（Ｉ）の化合物由来の単位〕｝／｛〔式（Ｉ）の化合物〕＋〔式（ＩＩ）の化合物〕＋〔加水分解縮合物中の式（Ｉ）の化合物由来の単位〕＋〔加水分解縮合物中の式（ＩＩ）の化合物由来の単位〕｝×１００は、好ましくは３０〜１００モル％、より好ましくは３０〜９５モル％であり、
｛〔式（ＩＩ）の化合物〕＋〔加水分解縮合物中の式（ＩＩ）の化合物由来の単位〕｝／｛〔式（Ｉ）の化合物〕＋〔式（ＩＩ）の化合物〕＋〔加水分解縮合物中の式（Ｉ）の化合物由来の単位〕＋〔加水分解縮合物中の式（ＩＩ）の化合物由来の単位〕｝×１００は、好ましくは０〜７０モル％であり、より好ましくは５〜７０モル％である。

基材としては、耐熱性、機械的強度、耐溶剤性など、レプリカモールドとして使用できる物性を有するものであればよく、種々の材料が適用できる。例えば、ニッケル、ステンレス、アルミニウム、銅等の金属；ガラス、セラミックス等の無機材料；ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル系樹脂；ナイロン６などのポリアミド系樹脂；ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルペンテンなどのポリオレフィン系樹脂；ポリ塩化ビニル等のビニル系樹脂；ポリメタアクリレート、ポリメチルメタアクリレート等のアクリル系樹脂；ポリカーボネート、高衝撃ポリスチレン等のスチレン系樹脂；セロファン、セルロースアセテート等のセルロース系フィルム；ポリイミド等のイミド系樹脂等がある。該基材の厚さは、通常、１０〜５０００μｍ程度が適用でき、１００〜２０００μｍが好ましい。
該基材は、これら樹脂を主成分とする共重合樹脂、または、混合体（アロイを含む）、若しくは複数層からなる積層体であっても良い。また、該基材は、延伸フィルムでも、未延伸フィルムでも良いが、強度を向上させる目的で、一軸方向または二軸方向に延伸したフィルムが好ましい。該基材は、これら樹脂の少なくとも１層からなるフィルム、シート、ボード状として使用する。該基材は、塗工に先立って塗工面へ、コロナ放電処理、プラズマ処理、オゾン処理、フレーム処理、プライマー（アンカーコート、接着促進剤、易接着剤とも呼ばれる）塗工処理、予熱処理、除塵埃処理、蒸着処理、アルカリ処理などの易接着処理を行ってもよい。また、必要に応じて、充填剤、可塑剤、着色剤、帯電防止剤などの添加剤を加えても良い。

基材上の有機無機複合材料の半硬化物層の厚さは、その用途によっても異なるが、０．５〜２０μｍ、特に１〜１０μｍ程度であることが好ましい。

また、各層に、各層の物性と機能を損じない限りにおいて、必要に応じて各種の添加剤、例えば、帯電防止剤、撥水剤、撥油剤、安定剤、導電剤、防曇剤等を添加することができる。

４．レプリカモールド形成方法
インプリント法によるレプリカモールドの形成方法を具体的に説明すると、以下の工程を有する。
第１工程：基材上に有機無機複合材料を塗工する工程
第２工程：熱及び／又は電磁線によって、塗工面を半硬化させて微細凹凸パターン形成用基材とする工程
第３工程：当該微細凹凸パターン形成用基材に所定の微細凹凸パターンが形成されたマスターモールドをインプリント法により押し付けて微細凹凸パターンを転写する工程
第４工程：転写した当該微細凹凸パターン形成用基材から該マスターモールドを除去した状態、又は除去しない状態で電磁線を照射することにより硬化させる工程
さらに、第５工程として、上記第４工程で得られた微細凹凸パターン面に離型層を付与する工程を有していてもよい。また、第５工程を行わないで、有機無機複合材料に離型層用素材を含有させても良い。

（第１工程）
本発明の有機無機複合材料を基材の上に塗工して行いうるが、各種の公知の積層方法が使用できる。例えばマイクログラビア塗工、コンマ塗工、バーコーター塗工、エアナイフ塗工、スピンコート塗工、ディップ塗工、オフセット印刷、フレキソ印刷、スクリーン印刷、スプレー塗工などの方法により形成できる。

（第２工程）
基材への微細凹凸パターン形成用基材の形成は、基材上に有機無機複合材料を含有する液を塗工等した後に、加熱及び／または電磁線を照射することにより半硬化させて行う。この工程により有機無機複合材料中の有機ケイ素化合物の縮合物が架橋し、有機無機複合材料層が半硬化する。また希釈溶媒等として有機溶剤を用いた時は、加熱により有機溶剤が除去される。加熱は通常４０〜２００℃、好ましくは５０〜１５０℃である。加熱時間は通常１０秒〜６０分、好ましくは３０秒〜１０分である。

（第３工程）
基材上に積層された有機無機複合材料の半硬化物である微細凹凸パターン形成用基材に、特定パターンからなる凹凸構造が形成されたマスターモールドを押し付けて、微細凹凸パターン形成用基材を変形させる。たとえば、油圧式プレス機により特定のラインが形成されたＳｉウェハモールドを用いて行う。
マスターモールドの押し付けは、公知の手法により行うことができるが、通常、温度が２０〜２００℃において、３０秒〜３０分間行う。
また、マスターモールドは、離型性をよくするために、あらかじめ、後述する方法により離型層を設けておいても良い。

（第４工程）
従来は、モールドを微細凹凸パターン形成用基材に押し付けたまま電磁線を照射していたが、本発明においては、従来どおりの方法のみならず、モールドを微細凹凸パターン形成用基材が積層された基材上から取り除いた後、電磁線を照射することもできる。

電磁線としては、紫外線、Ｘ線、放射線、イオン化放射線、電離性放射線（α、β、γ線、中性子線、電子線）を用いることができ、３５０ｎｍ以下の波長を含む光が好ましい。
活性エネルギー線の照射には、例えば、超高圧水銀ランプ、高圧水銀ランプ、低圧水銀ランプ、メタルハライドランプ、エキシマーランプ、カーボンアークランプ、キセノンアークランプ等の公知の装置を用いて行うことができ、照射する光源としては、１５０〜３５０ｎｍの範囲のいずれかの波長の光を含む光源であることが好ましく、２５０〜３１０ｎｍの範囲のいずれかの波長の光を含む光源であることがより好ましい。
また、半硬化状態の有機無機複合材料層を十分に硬化させるために照射する光の照射光量としては、例えば、０．１〜１００Ｊ／ｃｍ^２程度が挙げられ、膜硬化効率（照射エネルギーと膜硬化程度の関係）を考慮すると、１〜１０Ｊ／ｃｍ^２程度であることが好ましく、１〜５Ｊ／ｃｍ^２程度であることがより好ましい。

本発明の有機無機複合材料から形成されるレプリカモールド層は、表面部の炭素含有量が、裏面部の炭素含有量に比して少ない構成であることが好ましく、表面から深さ方向２ｎｍにおける表面部の炭素含有量が、裏面から深さ方向１０ｎｍにおける裏面部の炭素含有量の８０％以下であることがより好ましく、２〜６０％であることがさらに好ましい。ここで、表面部の炭素含有量が、裏面部の炭素含有量に比して少ないとは、表面から中心部までの総炭素量が、裏面から中心部までの総炭素量より少ないことを意味する。

（第５工程）
第４工程後、微細凹凸パターン面上に離型層を付与することができる。離型層用材料を、微細凹凸パターン面の上に塗工することにより行いうるが、各種の公知の積層方法が使用できる。例えばマイクログラビア塗工、コンマ塗工、バーコーター塗工、エアナイフ塗工、スピンコート塗工、ディップ塗工、オフセット印刷、フレキソ印刷、スクリーン印刷、スプレー塗工、蒸着法、スパッタ法などの方法により各層を形成できる。
離型層の素材としては、メラミン樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂、セルロース誘導体、尿素樹脂、ポリオレフィン樹脂、パラフィン系等のほか、公知の離型剤が挙げられ、これらの１種又は２種以上を用いることができる。
また、上記慣用的な方法とは別に、国際公開２００８−０５９８４０パンフレット等に記載されているように、少なくとも１以上の加水分解性基を有する金属系界面活性剤、該金属系界面活性剤と相互作用し得る化合物及び水を含む有機溶媒溶液に、レプリカモールドを接触させることにより、基材に有機薄膜、好ましくは単分子膜を形成して離型層を設けることもできる。
上記離型層の付与は、当該マスターモールドに対しても適用することができる。

一方、第５工程として行うことなく本発明の有機無機複合材料中に離型層を形成させるために含有させることのできる離型層の素材としては、炭素数１０〜３０の炭化水素基を有する化合物、炭素数１０〜３０の炭化水素基を有し、その中の水素原子が３個以上フッ素原子に置換されている化合物、ポリジメチルシロキサンなどのシリコーン樹脂、シリカ微粒子、ポリ（テトラフルオロエチレン）微粒子等が挙げられ、具体的にはシリコーン離型剤ＫＳ−７０２、ＫＳ−７０５、ＫＳ−７０７、ＫＦ−５４、ＫＦ−４１２、ＫＦ−４７０１（信越化学工業社製）、シリコーン離型剤ＳＨ２００、ＦＳ１２６５（東レ・ダウコーニング社製）、オプツールＤＡＣ（ダイキン工業社製）、メガファックシリーズ（ＤＩＣ株式会社製）などが挙げられる。

少なくとも１以上の加水分解性基を有する金属系界面活性剤としては、式（ＩＶ）
Ｒ^３ _ＳＭＸ_ｔ−ｓ （ＩＶ）
〔式中、Ｒ^３は、置換基を有していてもよい炭素数１〜３０の炭化水素基、置換基を有していてもよい炭素数１〜３０のハロゲン化炭化水素基、連結基を含む炭素数１〜３０の炭化水素基、又は連結基を含む炭素数１〜３０のハロゲン化炭化水素基を表し、Ｍは、ケイ素原子、ゲルマニウム原子、スズ原子、チタン原子、及びジルコニウム原子からなる群から選ばれる少なくとも１種の金属原子を表し、Ｘは、水酸基又は加水分解性基を表し、ｔはＭの原子価を表す。ｓは、１から（ｔ−１）のいずれかの正整数を表し、ｓが２以上の場合、Ｒ^３は、互いに同一でも相異なっていてもよい。（ｔ−ｓ）が２以上の場合、Ｘは同一であっても、相異なっていてもよいが、Ｘのうち、少なくとも一個は加水分解性基である。〕で示される金属系界面活性剤が好ましい。
式（ＩＶ）中、置換基を有していてもよい炭素数１〜３０の炭化水素基の炭化水素基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔ−ペンチル基、ｎ−へキシル基、イソへキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−デシル基、ｎ−オクタデシル基等のアルキル基；ビニル基、プロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基、ｎ−デシニル基、ｎ−オクタデシニル基等のアルケニル基；フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基等のアリール基等が挙げられる。

置換基を有していてもよい炭素数１〜３０のハロゲン化炭化水素基のハロゲン化炭化水素基としては、炭素数１〜３０のハロゲン化アルキル基、炭素数１〜３０のハロゲン化アルケニル基、炭素数１〜３０のハロゲン化アリール基等が挙げられる。これらの中でも、炭素数１〜３０のアルキル基中の水素原子の２個以上がハロゲン原子に置換された基が好ましく、炭素数１〜３０のアルキル基中の水素原子の２個以上がフッ素原子に置換されたフッ素化アルキル基がより好ましい。また、フッ素化アルキル基が分岐構造を有する場合には、分岐部分は炭素数１〜４、好ましくは炭素数１〜２の短鎖であるのが好ましい。

連結基を含む炭化水素基の炭化水素基及び連結基を含むハロゲン化炭化水素基のハロゲン化炭化水素基としては、具体的には、前記置換基を有していてもよい炭化水素基の炭化水素基及び置換基を有していてもよいハロゲン化炭化水素基のハロゲン化炭化水素基として挙げたものと同様のものが挙げられる。
前記連結基は、炭化水素基若しくはハロゲン化炭化水素基の炭素−炭素結合間、又は炭化水素基の炭素と後述する金属原子Ｍとの間に存在するのが好ましい。
連結基の具体例としては、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ_２−、−ＣＯ−、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−又は−Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ^５１−（式中、Ｒ^５１は、水素原子；メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基等のアルキル基；を表す。）等が挙げられる。
これらの中でも、撥水性、耐久性の観点から、炭素数１〜３０のアルキル基、炭素数１〜３０のフッ素化アルキル基、又は連結基を含むフッ素化アルキル基であるのがそれぞれ好ましい。

Ｘは、水酸基又は加水分解性基を表す。加水分解性基としては、水と反応して分解する基であれば特に制約されない。例えば、置換基を有していてもよい炭素数１〜６のアルコキシ基；置換基を有していてもよいアシルオキシ基；フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子；イソシアネート基；シアノ基；アミノ基；又はアミド基等が挙げられる。
炭素数１〜６のアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−へキシルオキシ基等が挙げられる。アシルオキシ基としては、アセトキシ基、プロピオニルオキシ基、ｎ−プロピルカルボニルオキシ基、イソプロピルカルボニルオキシ基、ｎ−ブチルカルボニルオキシ基等が挙げられる。これらの置換基としては、カルボキシル基、アミド基、イミド基、エステル基、水酸基等が挙げられる。これらの中でも、水酸基、炭素数１〜４のアルコキシ基、アシルオキシ基、ハロゲン原子、又はイソシアネート基が好ましく、炭素数１〜４のアルコキシ基又はアシルオキシ基がより好ましい。

Ｍは、ケイ素原子、ゲルマニウム原子、スズ原子、チタン原子、及びジルコニウム原子からなる群から選ばれる１種の原子を表す。これらの中でも、原料の入手容易性、反応性等の観点から、ケイ素原子が好ましい。

金属系界面活性剤と相互作用し得る化合物としては、金属酸化物；金属水酸化物；金属アルコキシド類；金属アルコキシド類部分加水分解生成物；金属アルコキシド類加水分解生成物；キレート化又は配位化された金属化合物；シラノール縮合触媒及び酸触媒から選ばれる少なくとも１種が使用される。

金属酸化物として、具体的には、メタノールシリカゾル、ＩＰＡ−ＳＴ、ＩＰＡ−ＳＴ−ＵＰ、ＩＰＡ−ＳＴ−ＺＬ、ＮＰＣ−ＳＴ−３０、ＤＭＡＣ−ＳＴ、ＭＥＫ−ＳＴ、ＭＩＢＫ−ＳＴ、ＸＢＡ−ＳＴ、ＰＭＡ−ＳＴ（以上、いずれも日産化学工業（株）社製オルガノシリカゾルの商品名を表す。）等を例示することができる。

金属水酸化物としては、金属の水酸化物であれば、どのような製造方法で得られたものであってもよい。金属水酸化物の製造方法としては、後述の金属アルコキシド類を加水分解する方法、金属塩を金属水酸化物と反応させる方法等が挙げられる。また、金属水酸化物として市販されているものを、所望により精製して使用することもできる。

金属アルコキシド類としては、Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_４、Ｓｉ（ＯＣ_２Ｈ_５）_４、Ｓｉ（ＯＣ_３Ｈ_７−ｉ）_４、Ｓｉ（ＯＣ_４Ｈ_９−ｔ）_４等のケイ素アルコキシド；Ｔｉ（ＯＣＨ_３）_４、Ｔｉ（ＯＣ_２Ｈ_５）_４、Ｔｉ（ＯＣ_３Ｈ_７−ｉ）_４、Ｔｉ（ＯＣ_４Ｈ_９）_４等のチタンアルコキシド；Ｔｉ［ＯＳｉ（ＣＨ_３）_３］_４、Ｔｉ［ＯＳｉ（Ｃ_２Ｈ_５）_３］_４等のテトラキストリアルキルシロキシチタン；Ｚｒ（ＯＣＨ_３）_４、Ｚｒ（ＯＣ_２Ｈ_５）_４、Ｚｒ（ＯＣ_３Ｈ_７）_４、Ｚｒ（ＯＣ_４Ｈ_９）_４等のジルコニウムアルコキシド；Ａｌ（ＯＣＨ_３）_４、Ａｌ（ＯＣ_２Ｈ_５）_４、Ａｌ（ＯＣ_３Ｈ_７−ｉ）_４、Ａｌ（ＯＣ_４Ｈ_９）_３等のアルミニウムアルコキシド；Ｇｅ（ＯＣ_２Ｈ_５）_４等のゲルマニウムアルコキシド；Ｉｎ（ＯＣＨ_３）_３、Ｉｎ（ＯＣ_２Ｈ_５）_３、Ｉｎ（ＯＣ_３Ｈ_７−ｉ）_３、Ｉｎ（ＯＣ_４Ｈ_９）_３等のインジウムアルコキシド；Ｓｎ（ＯＣＨ_３）_４、Ｓｎ（ＯＣ_２Ｈ_５）_４、Ｓｎ（ＯＣ_３Ｈ_７−ｉ）_４、Ｓｎ（ＯＣ_４Ｈ_９）_４等のスズアルコキシド；Ｔａ（ＯＣＨ_３）_５、Ｔａ（ＯＣ_２Ｈ_５）_５、Ｔａ（ＯＣ_３Ｈ_７−ｉ）_５、Ｔａ（ＯＣ_４Ｈ_９）_５等のタンタルアルコキシド；Ｗ（ＯＣＨ_３）_６、Ｗ（ＯＣ_２Ｈ_５）_６、Ｗ（ＯＣ_３Ｈ_７−ｉ）_６、Ｗ（ＯＣ_４Ｈ_９）_６等のタングステンアルコキシド；Ｚｎ（ＯＣ_２Ｈ_５）_２等の亜鉛アルコキシド；Ｐｂ（ＯＣ_４Ｈ_９）_４等の鉛アルコキシド；等が挙げられる。これらの金属アルコキシド類は１種単独で、あるいは２種以上を組み合わせて用いることができる。

金属アルコキシド類部分加水分解生成物は、金属アルコキシド類を完全に加水分解する前に得られるものであって、例えば、金属酸化物ゾルの前駆体、またはオリゴマーの状態で存在するもの等を挙げることができる。
金属アルコキシド類部分加水分解生成物としては、具体的には、有機溶媒中、酸、塩基及び分散安定化剤からなる群から選ばれる少なくとも１種の非存在下、凝集せずに安定に分散している性質を有する分散質を好ましく例示することができる。この場合、分散質とは、分散系中に分散している微細粒子のことをいい、具体的には、コロイド粒子等を例示することができる。ここで凝集せずに安定に分散している状態とは、有機溶媒中、酸、塩基及び／又は分散安定化剤の非存在下、加水分解生成物の分散質が、凝結して不均質に分離していない状態をいい、好ましくは透明で均質な状態をいう。また透明とは、可視光における透過率が高い状態をいい、具体的には、分散質の濃度を酸化物換算で０．５重量％とし、石英セルの光路長を１ｃｍとし、対照試料を有機溶媒とし、光の波長を５５０ｎｍとする条件で測定した分光透過率で表して、好ましくは８０〜１００％の透過率を表す状態をいう。加水分解生成物の分散質の粒子径は特に限定されないが、可視光における高い透過率を得るためには、１〜１００ｎｍの範囲であることが好ましく、１〜５０ｎｍの範囲であることがより好ましく、１〜１０ｎｍの範囲であることがさらに好ましい。
金属アルコキシド類の部分加水分解生成物の製造方法としては、有機溶媒中、酸、塩基、及び／又は分散安定化剤の非存在下、上記例示した金属アルコキシド類に対し０．５〜２．０倍モル未満の水を用い、−１００℃から有機溶媒還流温度範囲で加水分解する方法を好ましく例示することができる。

本発明に用いられる金属アルコキシド加水分解生成物は、金属アルコキシド類の２倍当量以上の水で加水分解することによって得られる生成物である。該加水分解生成物は、金属アルコキシド類を該金属アルコキシド類の２倍当量以上の水で加水分解することによって得られたものであっても、金属アルコキシド類を該金属アルコキシド類の２倍当量未満の水で部分加水分解することによって、金属アルコキシド類の部分加水分解生成物を得た後、この部分加水分解生成物を、さらに所定量の水（先の部分加水分解に使用した水の量との合計で金属アルコキシド類の２倍当量以上となる量の水）で加水分解することによって得られたものであってもよい。

キレート化又は配位化された金属化合物は、金属化合物の溶液に、該金属化合物の金属と錯体を形成し得るキレート化剤又は配位化合物を添加することで、調製することができる。キレート化剤又は配位化合物としては、金属水酸化物、金属アルコキシド類、又は金属アルコキシド類を水で処理して得られた加水分解生成物の金属にキレート化又は配位して、錯体を形成し得るものであれば特に限定されない。
キレート化剤又は配位化合物としては、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸等の飽和脂肪族カルボン酸類；シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸等の飽和脂肪族ジカルボン酸類；アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、アレイン酸、マレイン酸等の不飽和カルボン酸類；安息香酸、トルイル酸、フタル酸等の芳香族カルボン酸類；クロロ酢酸、トリフルオロ酢酸等のハロゲノカルボン酸類；アセチルアセトン、ベンゾイルアセトン、ヘキサフルオロアセチルアセトン等のβ−ジケトン類；アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル等のβ−ケトエステル類；テトラヒドロフラン、フラン、フランカルボン酸、チオフェン、チオフェンカルボン酸、ピリジン、ニコチン酸、イソニコチン酸等の複素環化合物類；等が挙げられる。これらは１種単独で、あるいは２種以上を組み合わせて用いることができる。

シラノール縮合触媒としては、カルボン酸金属塩、カルボン酸エステル金属塩、カルボン酸金属塩ポリマー、カルボン酸金属塩キレート、チタン酸エステル及びチタン酸エステルキレート等を例示することができる。
具体的には、酢酸第一スズ、ジブチルスズジラウレート、ジブチルスズジオクテート、ジブチルスズジアセテート、ジオクチルスズジラウレート、ジオクチルスズジオクテート、ジオクチルスズジアセテート、ジオクタン酸第一スズ、ナフテン酸鉛、ナフテン酸コバルト、２−エチルヘキセン酸鉄、ジオクチルスズビスオクチリチオグリコール酸エステル塩、ジオクチルスズマレイン酸エステル塩、ジブチルスズマレイン酸塩ポリマー、ジメチルスズメルカプトプロピオン酸塩ポリマー、ジブチルスズビスアセチルアセテート、ジオクチルスズビスアセチルラウレート、チタンテトラエトキサイド、チタンテトラブトキサイド、チタンテトライソプロポキサイド、チタンビス（アセチルアセトニル）ジプロポキサイド等を例示することができる。

酸触媒としては、塩酸、硝酸、ホウ酸、ホウフッ化水素酸等の鉱酸、酢酸、ギ酸、シュウ酸、炭酸、トリフルオロ酢酸、ｐ−トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸等の有機酸等を例示することができ、さらには、光照射によって酸を発生する光酸発生剤、具体的には、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスフェート、トリフェニルホスホニウムヘキサフルオロホスフェート等を例示することができる。

少なくとも１以上の加水分解性基を有する金属系界面活性剤、該金属系界面活性剤と相互作用し得る化合物及び水を含む離型層形成用有機溶媒溶液中における水の含有量は、１０ｐｐｍ〜２０００ｐｐｍが好ましい。水分含量を所定量範囲内になるように調整するか又は保持する方法としては、（ｉ）前記離型層形成用有機溶媒溶液に接触して水層を設ける方法、(ii)水分を含ませた保水性物質を共存させておく方法、(iii)水分を含む気体を吹き込む方法、等を挙げることができる。

有機溶媒溶液は、国際公開２００８／０５９８４０パンフレット等に記載された方法により調製することができる。硬化した微細凹凸パターン形成用シートの面上に有機薄膜を設けるには、有機溶媒溶液を、ディップ法、スピンコート法、スプレー法、ローラコート法、メイヤーバー法、スクリーン印刷、刷毛塗り法等の方法、好ましくはディップ法により、微細凹凸パターン形成用シートを接触させることにより行うことができる。

以下に実施例により本発明を説明するが、本発明の技術的範囲はこれらに限定されるものではない。

１ レプリカモールド作製用の有機無機複合材料の調製
ジイソプロポキシビスアセチルアセトナートチタン（日本曹達株式会社製、Ｔ−５０、酸化チタン換算固形分量：１６．５重量％）１０３．３９ｇをエタノール／酢酸エチル（＝５０／５０：重量％）の混合溶媒１９９．３２ｇに溶解した後、攪拌しながらイオン交換水３８．４７ｇ（１０倍モル／酸化チタンのモル）をゆっくり滴下した後、２４時間攪拌し［Ａ−１］を得た。
有機ケイ素化合物として、ビニルトリメトキシシラン［Ｂ−１］（信越化学工業株式会社製、ＫＢＭ−１００３）１９９．３６ｇと３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン［Ｂ−２］（信越化学工業株式会社製、ＫＢＭ−５０３）１４３．２１ｇを混合させた液［Ｃ−１］を［Ａ−１］３４１．１７ｇと混合し、さらにイオン交換水６９．２４ｇを加えた後２４時間攪拌し、［Ｄ−１］７５２．９９ｇを得た。
電磁線硬化性化合物として、ウレタンアクリレートオリゴマー（日本合成化学工業株式会社製、紫光ＵＶ７６００Ｂ）９７．２５ｇを４０重量％となるように、エタノール／酢酸エチル（＝５０／５０：重量％）の混合溶媒１４５．８８ｇに溶解させた。この溶液に光重合開始剤として、Ｉｒｇａｃｕｒｅ１２７（チバ・スペシャリティ・ケミカルズ社製）３．８９ｇを溶解させ、溶液［Ｅ−１］を作製した。
固形分の割合が７０重量％／３０重量％＝［Ｄ−１］／［Ｅ−１］となるように上記［Ｄ−１］７５２．９９ｇと［Ｅ−１］２４７．０２ｇを混合させ、有機無機複合材料［Ｆ−１］を作製した。

２ レプリカモールドパターンの作製
レプリカモールドの作製のため、マスターモールドとして協同インターナショナル社製の５μｍＬ／Ｓシリコンモールド及び５μｍドットシリコンモールドを使用した。マスターモールドは、あらかじめシリカ系界面活性剤からなる有機薄膜形成用有機溶媒溶液ＳＡＭＬＡＹ（登録商標）（日本曹達社製）に浸漬して離型性を付与した。
上記方法により調整したレプリカモールド作製用の有機無機複合材料［Ｆ−１］を、スライドガラス及びポリカーボネートフィルムにディップ法で、５μｍ厚で塗工し、１００℃で１０分間加熱した。
次に、スライドガラス上に塗工した有機無機複合材料の上にマスターモールド（５μｍＬ／Ｓシリコンモールド及び５μｍドットシリコンモールドの２タイプ）を乗せ、加熱プレス機（井元製作所製 ＩＭＣ−１８０Ｃ）を用いて９０℃において、２ＭＰａの圧力で２分間プレスした。マスターモールドを取り除いた後、デジタルマイクロスコープにより有機無機複合材料面を観察したところ、５μｍＬ／Ｓ及び５μｍドットの良好な転写が確認できた。デジタルマイクロスコープによる撮影写真を図１に示す。
続いて、ポリカーボネートフィルム上に塗工した有機無機複合材料の上にマスターモールド（５μｍＬ／Ｓシリコンモールド）を乗せ、２７℃において、７ＭＰａの圧力で２分間プレスした。マスターモールドを取り除いた後、デジタルマイクロスコープにより有機無機複合材料面を観察したところ、５μｍＬ／Ｓの良好な転写が確認できた。デジタルマイクロスコープによる撮影写真を図２に示す。

３ レプリカモールドのＵＶ硬化と離型層の付与
上記パターン形成した有機無機複合材料付き基材を、ＵＶ照射機を用いて約１２００ｍＪでＵＶ硬化を行った。
次いで、硬化した有機無機複合材料付き基材に対してＵＶオゾン処理を１０分間行った後、シリカ系界面活性剤からなる有機薄膜形成用有機溶媒溶液ＳＡＭＬＡＹ（登録商標）（日本曹達社製）に、有機無機複合材料付きスライドガラスの場合は１０分間、有機無機複合材料付きポリカーボネートフィルムの場合は３分間浸漬し、液から引き上げた後、ＮＳクリーン１００（ジャパンエナジー社製）により洗浄して乾燥し、離型層を作製した。
その結果、有機無機複合材料付きスライドガラスの場合、有機無機複合材料付きポリカーボネートフィルムの場合のいずれも、有機無機複合材料面の水の接触角は１００°以上となり、有機薄膜離型層が形成されていることが確認できた。

４ レプリカモールドによる熱及び光インプリント
４−１ 熱インプリント
まず、ソフトアクリル（ＣＲＤ社製ポリメタクリル酸メチル樹脂、厚さ０．３ｍｍ、Ｔｇ９４℃）に上記離型層の付与された有機無機複合材料付きスライドガラス製のレプリカモールド（５μｍＬ／Ｓシリコンモールド及び５μｍドットシリコンモールドの２タイプ）を押し付け、１３０℃において、８ＭＰａの圧力で２分間プレスしてインプリントした。
その後、レプリカモールドの剥離は力を使わずに容易に行うことができ、デジタルマイクロスコープによりソフトアクリル面を観察したところ、５μｍＬ／Ｓ及びドットの良好な転写が確認できた。デジタルマイクロスコープによる撮影写真を図３に示す。
上記３においてＵＶ硬化を行った後離型層を付与しなかった有機無機複合材料付きスライドガラスと比較すると、離型層を付与した有機無機複合材料付きスライドガラスの方がパターンが転写されているエリアが大きかった。
続いて、ソフトアクリルに上記離型層の付与された有機無機複合材料付きポリカーボネート製のレプリカモールド（５μｍＬ／Ｓシリコンモール）を押し付け、１３０℃において、８ＭＰａの圧力で２分間プレスしてインプリントした。
その後、有機無機複合材料付きレプリカモールドを剥離し、デジタルマイクロスコープによりソフトアクリル面を観察したところ、５μｍＬ／Ｓ及びドットの良好な転写が確認できた。デジタルマイクロスコープによる撮影写真を図４に示す。

４−２ 光インプリント
ＰＡＫ−０１（東洋合成工業社製ナノインプリント用樹脂；ラジカル硬化系アクリル樹脂等の混合物）をＰＥＴフィルム上にキャストし、そこに離型層の付与された有機無機複合材料付きスライドガラス製のレプリカモールド（５μｍＬ／Ｓシリコンモールド及び５μｍドットシリコンモールドの２タイプ）を押し付け、ブラックライトを２０秒間照射した。
その後、レプリカモールドを剥離し、デジタルマイクロスコープによりフィルム面を観察したところ、５μｍＬ／Ｓ及びドットの良好な転写が確認できた。デジタルマイクロスコープによる撮影写真を図５に示す。
上記３においてＵＶ硬化を行った後、離型層を付与しなかった有機無機複合材料付きスライドガラス製のレプリカモールドと比較すると、離型層を付与した有機無機複合材料付きスライドガラス製のレプリカモールドの方がパターンの転写率が高く、容易に剥離できた。

１ レプリカモールド作製用の有機無機複合材料の調製
ジイソプロポキシビスアセチルアセトナートチタン（日本曹達製、Ｔ−５０、酸化チタン換算固形分量１６．５重量％）１１９．７ｇをメチルイソブチルケトン２３０．７ｇに溶解させ、溶液［Ａ−２］を作製した。有機ケイ素化合物としてビニルトリメトキシシラン［Ｂ−１］（信越化学工業製、ＫＢＭ−１００３）２３０．７ｇと３−メタクロキシプロピルトリメトキシシラン［Ｂ−２］（信越化学工業製、ＫＢＭ−５０３）１６５．７ｇを混合させた液［Ｃ−２］（ビニルトリメトキシシラン／３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン＝７０／３０：モル比）を使用した。元素比（Ｔｉ／Ｓｉ＝１／９）となるように上記［Ａ−２］３５０．４ｇと［Ｃ−２］３９６．４ｇを混合し、さらにイオン交換水を８４．５９ｇ（１倍モル／有機ケイ素化合物のモル数）を添加し、１２時間攪拌させた［Ｄ−２］を作製した。
電磁線硬化性化合物として、ウレタンアクリレートオリゴマーＡ９３．８ｇ（根上工業製、ＵＮ−９５２）とウレタンアクリレートオリゴマーＢ７０．３４ｇ（根上工業製、ＵＮ−９０４Ｍ）を加え混合させた。この溶液に光重合開始剤として２−メチル−１［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルフォリノプロパン−１−オン（チバ・スペシャリティ・ケミカルズ製、Ｉｒｇａｃｕｒｅ９０７）をウレタンアクリレートオリゴマーの固形分に対して４重量％となるように溶解させ、溶液［Ｅ−２］を作製した。上記［Ｅ−２］に、［Ｄ−２］８３１．４ｇを混合させ。有機無機複合材料［Ｆ−２］を作製した。

２ レプリカモールドパターンの作製
レプリカモールドの作製のため、マスターモールドとして一辺が１．５μｍのブロックパターンのシリコンモールド（パターン高さ１１０ｎｍ）及び１１０ｎｍＬ／Ｓパターンのシリコンモールド（パターン高さ１１０ｎｍ）を使用した（図６）。マスターモールドは、あらかじめシリカ系界面活性剤からなる有機薄膜形成用有機溶媒溶液ＳＡＭＬＡＹ（登録商標）（日本曹達社製）に浸漬して離型性を付与した。
上記方法により調製したレプリカモールド作製用の有機無機複合材料［Ｆ−２］を、スライドガラス及びＰＥＴフィルムにバーコート法で、３μｍ厚で塗工し、１００℃で１０分間加熱した。
次に、スライドガラス上に塗工した有機無機複合材料の上にマスターモールド（１．５μｍブロックシリコンモールド及び１１０ｎｍＬ／Ｓシリコンモールドの２タイプ）を乗せ、ナノインプリント装置（明昌機工製 ＮＡＮＯＩＭＰＲＩＮＴＥＲ）を用い、１２０℃において、３ｋＮの圧力で２分間プレスした。マスターモールドを取り除いた後、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により有機無機複合材料面を観察したところ、１．５μｍブロック及び１１０ｎｍＬ／Ｓの良好な転写が確認できた。ＳＥＭによる撮影写真を図７に示す。
続いて、ＰＥＴフィルム上に塗工した有機無機複合材料の上にマスターモールド（１．５μｍブロックシリコンモールド及び１１０ｎｍＬ／Ｓシリコンモールド）を乗せ、１００℃において、３ｋＮの圧力で３分間プレスした。マスターモールドを取り除いた後、有機無機複合材料面を観察したところ、１．５μｍブロック及び１１０ｎｍＬ／Ｓの良好な転写が確認できた。

３ レプリカモールドのＵＶ硬化と離型層の付与
上記パターン形成した有機無機複合材料付き基材を、ＵＶ照射機を用いて約２０００ｍＪでＵＶ硬化を行った。
次いで、硬化した有機無機複合材料付き基材に対してＵＶオゾン処理を１０分間行った後、フッ素系表面処理剤Ｎｏｖｅｃ ＥＧＣ−１７２０（３Ｍ社製）に、有機無機複合材料付き基材を３分間浸漬し、液から引き上げた後、ＨＦＥ−７２００（３Ｍ社製）により洗浄して乾燥し、離型層を作製した。
その結果、有機無機複合材料付きスライドガラスの場合、有機無機複合材料付きＰＥＴフィルムの場合のいずれも、有機無機複合材料面の水の接触角は１００°以上となり、離型層が形成されていることが確認できた。

４ レプリカモールドによる光インプリント
ＰＡＫ−０１（東洋合成工業社製ナノインプリント用樹脂）をＰＥＴフィルム上にキャストし、そこに離型層としてＮｏｖｅｃ ＥＧＣ−１７２０の付与された有機無機複合材料付きＰＥＴフィルム製のレプリカモールド（１．５μｍブロックシリコンモールド及び１１０ｎｍＬ／Ｓシリコンモールドの２タイプ）を押し付け、高圧水銀灯を１０秒間照射した。
その後、レプリカモールドを剥離し、ＳＥＭによりフィルム面を観察したところ、１．５μｍブロック及び１１０ｎｍＬ／Ｓの良好な転写が確認できた。ＳＥＭによる撮影写真を図８に示す。

１ レプリカモールド作製用の有機無機複合材料の調製
実施例１において調製した有機無機複合材料［Ｆ−１］を使用した。
２レプリカモールドパターンの作製
レプリカモールドの作製のため、マスターモールドとしてＮＩＬテクノロジー社製の反射防止構造を持つニッケル電鋳モールドを使用した。マスターモールドは、あらかじめシリカ系界面活性剤からなる有機薄膜形成用有機溶媒溶液ＳＡＭＬＡＹ（登録商標）（日本曹達社製）で処理して離型性を付与した。
実施例１において調製したレプリカモールド作製用の有機無機複合材料［Ｆ−１］を、ＰＥＴフィルム（東洋紡績社製、コスモシャインＡ４１００、厚さ１００μｍ）にマイクログラビアコーター(康井電機製)で、５μｍ厚で塗工し、１５０℃で加熱乾燥した。
次に、ＰＥＴフィルム上に塗工した有機無機複合材料の上に上記マスターモールドを乗せ、ナノインプリント装置（明昌機工製 ＮＡＮＯＩＭＰＲＩＮＴＥＲ）を用いて６０℃において、４ＭＰａの圧力で３分間プレスした（得られたＰＥＴフィルムを「有機無機複合材料付きＰＥＴフィルム（Ｉ）」という）。マスターモールドを取り除いた後、ＡＦＭ（SIIナノテクノロジー社製、ＳＰＩ−３８００Ｎ、ＳＰＡ４００ユニット）により有機無機複合材料面を観察したところ、２５０ｎｍピッチパターンの良好な転写が確認できた。ＡＦＭの形状像（観察範囲２μｍ四方）を図９に示す。
続いて、ＰＥＴフィルム上に塗工した有機無機複合材料の上に上記マスターモールドを乗せ、１００℃において、１２ＭＰａの圧力で３分間プレスした（得られたＰＥＴフィルムを「有機無機複合材料付きＰＥＴフィルム（ＩＩ）」という）。マスターモールドを取り除いた後、ＡＦＭにより有機無機複合材料面を観察したところ、２５０ｎｍピッチパターンの良好な転写が確認できた。ＡＦＭの形状像（観察範囲２μｍ四方）を図１０に示す。

３ レプリカモールドのＵＶ硬化と離型層の付与
上記パターン形成した有機無機複合材料付きＰＥＴフィルム（Ｉ）及び（ＩＩ）を、それぞれＵＶ照射機を用いて約２０００ｍＪ／ｃｍ^２でＵＶ硬化を行った。
次いで、硬化した有機無機複合材料付きＰＥＴフィルム（Ｉ）及び（ＩＩ）に対して、それぞれＵＶオゾン処理を１０分間行った後、シリカ系界面活性剤からなる有機薄膜形成用有機溶媒溶液ＳＡＭＬＡＹ（登録商標）（日本曹達社製）に、１０分間浸漬し、液から引き上げた後、ＮＳクリーン１００（ジャパンエナジー社製）により洗浄して乾燥し、離型層を作製した。
その結果、有機無機複合材料面の水の接触角は１００°以上となり、有機薄膜離型層が形成されていることが確認できた。
上記のようにして、ＰＥＴフィルム（Ｉ）からはレプリカモールド（Ｉ）が、ＰＥＴフィルム（ＩＩ）からはレプリカモールド（ＩＩ）が得られた。

４ レプリカモールドによる熱及び光インプリント
４−１熱インプリント
まず、ポリメタクリル酸メチル樹脂板（日東樹脂工業社製クラレックス、厚さ０．５ｍｍ、Ｔｇ１２０℃）に上記離型層の付与された有機無機複合材料付きＰＥＴフィルム製のレプリカモールド（ＩＩ）（２５０ｎｍピッチパターン）を乗せ、ナノインプリント装置を用いて１３５℃において、１０ＭＰａの圧力で３分間プレスしてインプリントした。インプリントした樹脂板及びレプリカモールドを６０℃まで冷却した後、離型した。
レプリカモールドの剥離は力を使わずに容易に行うことができ、ＡＦＭによりポリメタクリル酸メチル樹脂面を観察したところ、２５０ｎｍピッチパターンの良好な転写が確認できた。ＡＦＭの形状像（観察範囲２μｍ四方）を図１１に示す。
続いて、ポリシクロオレフィン樹脂板（日本ゼオン製ゼオノア、厚さ１ｍｍ、Ｔｇ１００℃）に上記離型層の付与された有機無機複合材料付きＰＥＴフィルム製のレプリカモールド（ＩＩ）（２５０ｎｍピッチパターン）を押し付け、１３５℃において、１０ＭＰａの圧力で３分間プレスしてインプリントした。インプリントした樹脂板及びレプリカモールドを６０℃まで冷却した後、離型した。
レプリカモールドの剥離は力を使わずに容易に行うことができ、ＡＦＭによりポリシクロオレフィン樹脂を観察したところ、２５０ｎｍピッチパターンの良好な転写が確認できた。ＡＦＭの形状像（観察範囲２μｍ四方）を図１２に示す。

４−２光インプリント
ＰＡＫ−０１（東洋合成工業社製ナノインプリント用樹脂；ラジカル硬化系アクリル樹脂等の混合物）をスライドガラス上にキャストし、そこに離型層の付与された有機無機複合材料付きＰＥＴフィルム製のレプリカモールド（ＩＩ）（２５０ｎｍピッチパターン）を乗せ、ナノインプリント装置を用いて、２５℃においてＵＶ光を７００ｍＪ／ｃｍ^２照射した。
その後、レプリカモールドを剥離し、ＡＦＭによりスライドガラス面を観察したところ、２５０ｎｍピッチパターンの良好な転写が確認できた。ＡＦＭの形状像（観察範囲２μｍ四方）を図１３に示す。
続いて、ＰＡＫ−０１をスライドガラス上にキャストし、そこに離型層の付与された有機無機複合材料付きＰＥＴフィルム製のレプリカモールド（ＩＩ）（２５０ｎｍピッチパターン）を乗せ、ナノインプリント装置を用いて、２５℃においてＵＶ光を１５００ｍＪ／ｃｍ^２照射した。
その後、レプリカモールドを剥離し、ＡＦＭによりスライドガラス面を観察したところ、２５０ｎｍピッチパターンの良好な転写が確認できた。ＡＦＭの形状像（観察範囲２μｍ四方）を図１４に示す。

本発明の有機無機複合材料をインプリント法による微細凹凸パターンの作成のために使用すると、使用前には保存安定性に優れるとともに、ある程度の柔軟性を有する微細凹凸パターンを形成でき、硬化後には、微細凹凸パターンを維持したまま表面が無機化され非常に高い硬度を有するため、耐擦傷性に優れている。
また、本発明の有機無機複合材料を基材上に塗工して半硬化させることにより、マスターモールドを押し付けた後、従来のように、マスターモールドを除去しないで電磁線を照射することもできるが、マスターモールドを除去しても電磁線を照射することができるため、通常の光インプリントで行われている場合とは異なり、マスターモールドを押し付けた状態で電磁波を照射するときに必要な電磁波を透過するような基材もしくはマスターモールドを用いなくてもよくなり、安価なモールド材料が使用でき、基材もどのような材質でもよくなり、製造コストの大幅な削減が可能となる。

Claims (9)

1. （Ａ）基材上に、
   ａ）式（Ｉ）
   Ｒ ^１ _ｎ ＳｉＸ _４−ｎ ・・・（Ｉ）
   （式中、ｎは１又は２を表し、ｎが２のときＲ ^１ は互いに同一であっても相異なってもよく、Ｒ ^１ は有機基であって、Ｒ ^１ のうち１以上はビニル基含有炭化水素基を表す。Ｘは水酸基又は加水分解性基を表し、互いに同一であっても相異なってもよい。）で表される化合物、及び、存在するならば、その加水分解縮合物を含有する有機ケイ素化合物、
   ｂ）電磁線硬化性化合物、及び
   ｃ）シラノール縮合触媒
   を含む有機無機複合材料を塗工する工程、
   （Ｂ）熱及び／又は電磁線によって、塗工面を半硬化させて微細凹凸パターン形成用基材とする工程、
   （Ｃ）当該微細凹凸パターン形成用基材に所定の微細凹凸パターンが形成されたマスターモールドをインプリント法により押し付けて微細凹凸パターンを転写する工程、
   （Ｄ）転写した当該微細凹凸パターン形成用基材に電磁線を照射することにより硬化させる工程、
   を有することを特徴とするレプリカモールドの製造方法。
2. 有機ケイ素化合物が、
   式（ＩＩ）
   Ｒ ^２ _ｎ ＳｉＸ _４−ｎ ・・・（ＩＩ）
   （式中、ｎは１又は２を表し、ｎが２のときＲ ^２ は同一であっても相異なってもよく、Ｒ ^２ は式中のＳｉに炭素原子が直接結合した、ビニル基含有炭化水素基以外の有機基を表す。Ｘは水酸基又は加水分解性基を表し、互いに同一であっても相異なってもよい。）で表される化合物、及び、存在するならば、その加水分解縮合物を含有することを特徴とする請求項１記載のレプリカモールドの製造方法。
3. さらに、（Ｅ）上記（Ｄ）の工程で得られた微細凹凸パターン面に離型層を付与する工程を有することを特徴とする請求項１又は２に記載のレプリカモールドの製造方法。
4. 有機無機複合材料が離型層用素材を含有していることを特徴とする請求項１又は２に記載のレプリカモールドの製造方法。
5. 有機無機複合材料が、
   ａ）式（Ｉ）
   Ｒ^１ _ｎＳｉＸ_４−ｎ・・・（Ｉ）
   （式中、ｎは１又は２を表し、ｎが２のときＲ^１は互いに同一であっても相異なってもよく、Ｒ^１は有機基であって、Ｒ^１のうち１以上はビニル基含有炭化水素基を表す。Ｘは水酸基又は加水分解性基を表し、互いに同一であっても相異なってもよい。）で表される化合物、
   式（ＩＩ）
   Ｒ^２ _ｎＳｉＸ_４−ｎ・・・（ＩＩ）
   （式中、ｎは１又は２を表し、ｎが２のときＲ^２は同一であっても相異なってもよく、Ｒ^２は式中のＳｉに炭素原子が直接結合した、ビニル基含有炭化水素基以外の有機基を表す。Ｘは水酸基又は加水分解性基を表し、互いに同一であっても相異なってもよい。）で表される化合物、及び、存在するならば、それらの加水分解縮合物からなり、
   ｛〔式（Ｉ）の化合物〕＋〔存在するならば、加水分解縮合物中の式（Ｉ）の化合物由来の単位〕｝／｛〔式（Ｉ）の化合物〕＋〔式（ＩＩ）の化合物〕＋〔存在するならば、加水分解縮合物中の式（Ｉ）の化合物由来の単位〕＋〔存在するならば、加水分解縮合物中の式（ＩＩ）の化合物由来の単位〕｝×１００＝３０以上〜１００未満モル％、かつ、
   ｛〔式（ＩＩ）の化合物〕＋〔存在するならば、加水分解縮合物中の式（ＩＩ）の化合物由来の単位〕｝／｛〔式（Ｉ）の化合物〕＋〔式（ＩＩ）の化合物〕＋〔存在するならば、加水分解縮合物中の式（Ｉ）の化合物由来の単位〕＋〔存在するならば、加水分解縮合物中の式（ＩＩ）の化合物由来の単位〕｝×１００＝０を超えて７０以下モル％
   である有機ケイ素化合物
   ｂ）電磁線硬化性化合物、及び
   ｃ）シラノール縮合触媒
   を含むことを特徴とする請求項２〜４のいずれかに記載のレプリカモールドの製造方法。
6. ｛〔式（Ｉ）の化合物〕＋〔存在するならば、加水分解縮合物中の式（Ｉ）の化合物由来の単位〕｝／｛〔式（Ｉ）の化合物〕＋〔式（ＩＩ）の化合物〕＋〔存在するならば、加水分解縮合物中の式（Ｉ）の化合物由来の単位〕＋〔存在するならば、加水分解縮合物中の式（ＩＩ）の化合物由来の単位〕｝×１００＝３０〜９５モル％、かつ、
   ｛〔式（ＩＩ）の化合物〕＋〔存在するならば、加水分解縮合物中の式（ＩＩ）の化合物由来の単位〕｝／｛〔式（Ｉ）の化合物〕＋〔式（ＩＩ）の化合物〕＋〔存在するならば、加水分解縮合物中の式（Ｉ）の化合物由来の単位〕＋〔存在するならば、加水分解縮合物中の式（ＩＩ）の化合物由来の単位〕｝×１００＝５〜７０モル％であることを特徴とする、
   請求項５に記載のレプリカモールドの製造方法。
7. 電磁線硬化性化合物が組成物の固形分の全質量に対して８０質量％以下であることを特徴とする、請求項１〜６のいずれかに記載のレプリカモールドの製造方法。
8. シラノール縮合触媒が光感応性化合物であることを特徴とする、請求項１〜７のいずれかに記載のレプリカモールドの製造方法。
9. 請求項１〜８のいずれかに記載の方法により得られた、レプリカモールド。