JP5599190B2 - 有機薄膜トランジスタの製造方法 - Google Patents
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Description
前記基板上に分離層を積層する工程、
前記分離層をパターニングしてソース−ドレイン分離体を規定する工程、
前記ソース−ドレイン分離体を有する前記基板上に導電性材料を積層して、前記トランジスタのソース及びドレイン電極を規定する工程、
前記ソース及びドレイン電極上に有機半導体材料を積層する工程、
前記有機半導体材料上に誘電体材料を積層する工程、及び
前記誘電体材料上に導電性材料を積層して前記トランジスタのゲート電極を提供する工程を含む方法、を提供する。
好ましくは、前記ソース及びドレイン電極は10μm未満の距離で離れている。
好ましくは、前記ソース及びドレイン電極を形成する導電性材料は金属元素又はその合金から本質的になる。
したがって、前記第1及び第2電極は横にほぼ重複しない。
(当業者には、導電性チャネルという意味は電界効果装置におけるチャネルに限定されず、例えば、ダイオードの一方向導電チャネルを含む意味であることが理解されよう。)当業者はこのような電界効果トランジスタが増強又は減少モードで作動することが分かる。
図1を参照すると、これは、本発明の薄膜トランジスタ構造100の好ましい実施態様の例を示す。このTFT構造は、分離体構造104、続いてソース及びドレイン電極106、108が形成される基板102を含む。次いで、有機薄膜トランジスタ材料110、通常、ポリチオフェン誘導体のような有機半導体が前記ソース及びドレイン上に積層され、続いて、ゲート絶縁体材料112及び次いでゲート電極114が積層される。作動においては、前記ソース及びドレイン電極の端部106aと108aの間で、端部106aに近い前記ソース電極の上部表面の一部にも通常延び、端部108aの近くの前記ドレイン電極の上部表面の一部にも通常延びている溝が形成される。図1aには示されていないが、実用上の装置は分離体構造104内に1又は2以上のバイアスも含む。
基板:ガラス又はプラスチック。ポリカーボネート又はポリエチレンテレフタレート(PET)のような柔軟なプラスチック。
分離体構造:ポジ型又はネガ型フォトレジスト。
ソース/ドレイン:アルミニウム。アルミニウムとクロムの組み合わせ、例えば、クロム層の間に挟まれたアルミニウム。より一般的には、有機半導体に適当なオーム接続を提供する任意の金属。他の例としては、p−チャネル装置のための金又はパララジウム、n−チャネル装置のためのカルシウム又はバリウム。
有機半導体:ポリマー又はこの誘導体、ポリアニリン又はこの誘導体、ペンタセン又はこの誘導体。
ゲート誘電体:PCB(ベンゾシクロブテン)。ゲート誘電体は無機、例えば、SIOx又はSiNxでもよい。
ゲート:ソース/ドレインとして。ゲート材料はポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)(PEDOT)又は特定的にはポリ(スチレンスルホネート)−(PEDOT:PSS)を含むポリマーでよい。
ソース/ドレイン:5nm−500nm、好ましくは10nm−150nm、たとえば約50nm(最低5nmの厚さが一般的に電気的導通を達成するために必要とされる)
有機半導体:50nm−500nm、たとえば100nm
ゲート誘電体:50nm−500nm、たとえば100nm
ゲート:5nm−500nm、好ましくは10nm−150nm、たとえば約50nm(最低5nmの厚さが一般的に電気的導通を達成するために必要とされる)
分離体構造:好ましくは、分離体構造は最低50nmの厚さ、より好ましくは最低100nmの厚さを有する。
1.分離体構造の積層及びパターニングする工程
2.ソース/ドレイン金属を蒸発させ、ソース/ドレイン電極を規定する工程
3.前記ソース及びドレイン電極上に有機半導体(OTFT)を積層して必要があればパターニングする工程
4.ゲート誘電体を積層して必要があればパターニングする工程
5.ゲート金属を積層しパターニングする工程
図4の構造の製造の例示の方法において、製造工程は次のとおりである。
1.第1電極(ソース又はドレイン)を積層しパターニングする工程
2.基板を絶縁材料104で覆う工程
3.第2電極(ソース又はドレイン)を積層し、パターニングする工程
4.第2電極で保護されていない絶縁材料104をエッチングし、正の傾斜を残すために下部をエッチングする工程
5.(例えば、上記のいずれかの方法により)、半導体(有機TFT)材料を積層し、必要ならばパターニングする工程
6.誘電体材料を積層し、必要があればパターニングする工程
7.ゲート電極金属を積層し、パターニングする工程
104 絶縁層
106 ソース電極
106a ソース電極の端部
108 ドレイン電極
108a ドレイン電極の端部
110 有機薄膜トランジスタ材料
112 ゲート誘電体材料
600 底面発光OLEDディスプレイ
606 アノード層
608 OLED層
610 カソード層
612 バンク
614 OLED画素
650 アクティブマトリックス画素駆動回路
652 OLED
654 参照電流シンク
656a 駆動トランジスタ
658 駆動トランジスタ
660 蓄積容量
Claims (6)
- 基板上に有機薄膜トランジスタを製造する方法であって、
前記基板上に分離層を積層する工程、
前記分離層をパターニングしてソース−ドレイン分離体構造を規定する工程、
前記ソース−ドレイン分離体構造を有する前記基板上に導電性材料を積層して、前記トランジスタのソース及びドレイン電極を規定する工程、
前記ソース及びドレイン電極上に有機半導体材料を積層する工程、
前記有機半導体材料上に誘電体材料を積層する工程、及び
前記誘電体材料上に導電性材料を積層して前記トランジスタのゲート電極を提供する工程を含み
前記ソース及びドレイン電極の一方は前記分離体構造上に第1の高さで形成され、前記ソース及びドレイン電極の他方はより低い第2の高さで基板上に形成され、
前記分離体構造の高さは10μm未満であり、
前記分離層はフォトレジスト材料から形成され、前記分離層はフォトパターニングによってパターニングされ前記ソース−ドレイン分離体構造を形成し、
前記ソース−ドレイン分離体構造はアンダーカット部を有し、前記ソース及びドレイン電極の前記他方が当該ソース−ドレイン分離体構造まで延びていないことを特徴とする方法。 - 前記ソース及びドレイン電極を形成する前記導電性材料は蒸着又はスパッタリングによって積層される請求項1に記載の方法。
- 前記ソース及びドレインを形成する工程は、前記分離体構造の端部の影(shadow)が電極端を規定するような角度で電極材料の方向性積層を行うことを含む請求項2に記載の方法。
- 前記ソース及びドレイン電極を形成する前記導電性材料は金属元素を含む請求項1〜3のいずれかに記載の方法。
- 前記ソース及びドレイン電極を形成する前記導電性材料は金属元素又はその合金から本質的になる請求項4に記載の方法。
- 前記有機半導体材料、及び前記誘電体材料の少なくとも1つは溶媒中の溶質から積層される請求項1〜5のいずれかに記載の方法。
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DE102011085114B4 (de) | 2011-10-24 | 2016-02-18 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Dünnfilmtransistor |
JP5950743B2 (ja) * | 2012-07-30 | 2016-07-13 | 東京応化工業株式会社 | 有機半導体素子及び有機半導体素子の製造方法 |
DE102012112796B4 (de) * | 2012-12-20 | 2019-09-19 | Novaled Gmbh | Vertikaler organischer Transistor, Schaltungsanordnung und Anordnung mit vertikalem organischen Transistor sowie Verfahren zum Herstellen |
IN2013DE03218A (ja) * | 2013-10-31 | 2015-05-08 | Indian Inst Technology Kanpur | |
EP3114710A1 (en) * | 2014-03-06 | 2017-01-11 | Eastman Kodak Company | Vtft with polymer core |
US9117914B1 (en) | 2014-03-06 | 2015-08-25 | Eastman Kodak Company | VTFT with polymer core |
US9331205B2 (en) * | 2014-03-06 | 2016-05-03 | Eastman Kodak Company | VTFT with post, cap, and aligned gate |
US9443887B1 (en) * | 2015-06-12 | 2016-09-13 | Eastman Kodak Company | Vertical and planar TFTS on common substrate |
CN105870195B (zh) * | 2016-04-18 | 2017-11-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 半导体器件及其制作方法、阵列基板、显示器件 |
GB2552488A (en) | 2016-07-25 | 2018-01-31 | Saralon Gmbh | Field-effect transistor and method for the production thereof |
KR102663404B1 (ko) * | 2016-12-30 | 2024-05-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 이를 포함하는 디스플레이 장치 |
KR102551998B1 (ko) * | 2018-11-20 | 2023-07-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | 수직 구조 트랜지스터 및 전자장치 |
WO2020120133A1 (en) * | 2018-12-10 | 2020-06-18 | Ludwig-Maximilians-Universität München | Nanoelectronic device and method for producing thereof |
KR20200115753A (ko) | 2019-03-25 | 2020-10-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판, 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
CN112542485A (zh) * | 2019-09-23 | 2021-03-23 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 显示设备与其制作方法 |
CN117810269A (zh) * | 2021-11-15 | 2024-04-02 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 薄膜晶体管、电子装置及其制备方法及显示装置 |
Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4539507A (en) | 1983-03-25 | 1985-09-03 | Eastman Kodak Company | Organic electroluminescent devices having improved power conversion efficiencies |
JPS61133667A (ja) * | 1984-12-03 | 1986-06-20 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 薄膜トランジスタの製造方法 |
JPH07101742B2 (ja) * | 1985-04-09 | 1995-11-01 | 富士通株式会社 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
JPH01209765A (ja) * | 1988-02-17 | 1989-08-23 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
GB8909011D0 (en) | 1989-04-20 | 1989-06-07 | Friend Richard H | Electroluminescent devices |
DE4205780C2 (de) | 1992-02-26 | 1995-02-16 | Spectrospin Ag | Verfahren zur Erzeugung von NMR-Signalen mit kohärentem Phasenprofil durch Kombination von Hochfrequenzimpulsen mit inkohärentem Phasenprofil |
GB9317932D0 (en) | 1993-08-26 | 1993-10-13 | Cambridge Display Tech Ltd | Electroluminescent devices |
DE4334038C1 (de) | 1993-10-06 | 1995-03-23 | Bruker Medizintech | Geräuscharmes NMR-Bildgebungsverfahren mit Einzelpunktaufnahme (SPI) |
JP3899566B2 (ja) | 1996-11-25 | 2007-03-28 | セイコーエプソン株式会社 | 有機el表示装置の製造方法 |
ATE268806T1 (de) | 1997-10-23 | 2004-06-15 | Isis Innovation | Lichtemittierende dendrimere |
GB9803441D0 (en) | 1998-02-18 | 1998-04-15 | Cambridge Display Tech Ltd | Electroluminescent devices |
GB9805476D0 (en) | 1998-03-13 | 1998-05-13 | Cambridge Display Tech Ltd | Electroluminescent devices |
JP3900769B2 (ja) * | 1999-01-26 | 2007-04-04 | 三菱化学株式会社 | 有機電界発光素子の製造方法 |
US6306559B1 (en) | 1999-01-26 | 2001-10-23 | Mitsubishi Chemical Corporation | Organic electroluminescent device comprising a patterned photosensitive composition and a method for producing same |
GB9926670D0 (en) * | 1999-11-12 | 2000-01-12 | Univ Liverpool | Field effect transistor (FET) and FET circuitry |
BR0016660A (pt) * | 1999-12-21 | 2003-02-25 | Plastic Logic Ltd | Método para formar um transistor, transistor, e circuito lógico e dispositivo de exibição ou de memória |
WO2002015293A2 (de) * | 2000-08-18 | 2002-02-21 | Siemens Aktiengesellschaft | Organischer feldeffekt-transistor (ofet), herstellungsverfahren dazu und daraus gebaute integrierte schaltung sowie verwendungen |
GB0104177D0 (en) | 2001-02-20 | 2001-04-11 | Isis Innovation | Aryl-aryl dendrimers |
GB2381643A (en) | 2001-10-31 | 2003-05-07 | Cambridge Display Tech Ltd | Display drivers |
JP2003318407A (ja) * | 2002-04-25 | 2003-11-07 | Seiko Epson Corp | トランジスタ、アクティブ素子基板、電気光学装置、及びその電気光学装置を搭載した電子機器、並びにトランジスタの形成方法、及びアクティブ素子基板の製造方法 |
DE10340926A1 (de) * | 2003-09-03 | 2005-03-31 | Technische Universität Ilmenau Abteilung Forschungsförderung und Technologietransfer | Verfahren zur Herstellung von elektronischen Bauelementen |
GB0401613D0 (en) | 2004-01-26 | 2004-02-25 | Cambridge Display Tech Ltd | Organic light emitting diode |
GB0402559D0 (en) | 2004-02-05 | 2004-03-10 | Cambridge Display Tech Ltd | Molecular electronic device fabrication methods and structures |
JPWO2005091373A1 (ja) * | 2004-03-22 | 2008-02-07 | ローム株式会社 | 有機半導体素子およびそれを用いた有機el表示装置 |
US20070102697A1 (en) * | 2005-11-10 | 2007-05-10 | Fang-Chung Chen | Junction structure of organic semiconductor device, organic thin film transistor and fabricating method thereof |
US20070254402A1 (en) * | 2006-04-27 | 2007-11-01 | Robert Rotzoll | Structure and fabrication of self-aligned high-performance organic fets |
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