JP5595524B2 - 光モジュールおよび光配線基板 - Google Patents

Description

本発明は、電子機器（たとえば各種オーディオビジュアル機器、家電機器、通信機器、コンピュータ機器およびその周辺機器）等に使用される光モジュールおよび光配線基板に関するものである。

近年、光配線基板に光半導体素子を実装した光モジュールが電子機器に用いられることがある。この光配線基板は、電気信号を伝送する配線基板と、この配線基板上に形成された光信号を伝送する光導波路とを含むものである。

例えば、特開２０００−３４７０５１号公報には、電気配線を有する基板（配線基板）と、この基板上に形成された光配線層（光導波路）と、この光配線層上に実装された光部品（光半導体素子）と、光配線層上に設けられ、光部品がハンダ付けされるパッドと、光配線層を厚み方向に貫通し、パッドと電気配線とを接続するビアホールとを備えた実装基板（光モジュール）が記載されている。

ところで、光配線層上のパッドに光部品をハンダ付けすると、光部品と光配線層上のパッドとの間にハンダが介されるため、光部品と光配線層との距離が大きくなりやすい。それ故、光部品が光配線層に発光する光、または光部品が光配線層から受光する光が、光部品と光配線層との間で拡散しやすくなる。その結果、光部品と光配線層との間で光信号が減衰しやすくなり、ひいては実装基板の信号伝送特性が低下しやすい。

本発明は、信号伝送特性を向上させる要求に応える光モジュールおよび光配線基板を提供するものである。

本発明の一形態にかかる光モジュールは、主面に電極パッドを有する配線基板と、該配線基板の前記主面上に配された光導波路と、該光導波路の前記配線基板と反対側の主面上に実装され、前記光導波路に伝送される光を発光または受光するとともに、前記光導波路側の主面に接続パッドを有する光半導体素子と、前記電極パッドと前記接続パッドとを電気的に接続する導電部材とを備えている。前記光導波路には、厚み方向に貫通して前記電極パッドを露出する貫通孔が形成されている。前記接続パッドは、少なくとも一部が前記貫通孔内に入り込んだ突起部を具備している。前記導電部材は、前記貫通孔内に配されているとともに、前記突起部および前記電極パッドに接続している。接続パッドは、光導波路側の主面の一部に前記突起部が接続されたパッド部をさらに具備し、パッド部は、光導波路側の主面の他の一部が光導波路の配線基板とは反対側の主面に当接している。

本発明の一形態にかかる光モジュールによれば、光半導体素子の接続パッドが、光導波路の貫通孔内に少なくとも一部が入り込んだ突起部を具備しており、該突起部が、貫通孔内に配された導電部材を介して配線基板の電極パッドに接続されている。したがって、光半導体素子と光導波路との距離を低減することができる。その結果、光半導体素子と光導波路との間における光信号の伝送効率を高め、ひいては信号伝送特性に優れた光モジュールを得ることができる。

図１（ａ）は、本発明の第１実施形態にかかる光モジュールを厚み方向に切断した断面図である。図１（ｂ）は、図１（ａ）のＲ１部分を拡大して示した断面図である。 図２（ａ）は、図１（ａ）の光モジュールの光半導体素子の立体図である。図２（ｂ）は、図１（ａ）の光モジュールの光導波路の立体図である。 図３（ａ）は、図２（ｂ）の上面図である。図３（ｂ）は、図１（ａ）の光モジュールにおける電極パッドと接続パッドとの接続構造を示す立体図である。 図４（ａ）ないし（ｃ）は、図１（ａ）に示す光モジュールの製造工程を説明する厚み方向に切断した断面図である。図４（ｄ）は、図１（ａ）に示す光モジュールの製造工程を説明する、図４（ｃ）のＲ２部分を拡大して示した断面図である。 図５（ａ）および（ｂ）は、図１（ａ）に示す光モジュールの製造工程を説明する厚み方向に切断した断面図である。図５（ｃ）は、図１（ａ）に示す光モジュールの製造工程を説明する、図５（ｂ）のＲ３部分を拡大して示した断面図である。 図６（ａ）および（ｃ）は、図１（ａ）に示す光モジュールの製造工程を説明する厚み方向に切断した断面図である。図６（ｂ）は、図１（ａ）に示す光モジュールの製造工程を説明する、図６（ａ）のＲ４部分を拡大して示した断面図である。 図７（ａ）は、図１（ａ）に示す光モジュールの製造工程を説明する厚み方向に切断した断面図である。図７（ｂ）および（ｃ）は、図１（ａ）に示す光モジュールの製造工程を説明する、図７（ａ）のＲ５部分を拡大して示した断面図である。 図８（ａ）は、図１（ａ）に示す光モジュールの製造工程を説明する厚み方向に切断した断面図である。図８（ｂ）は、図１（ａ）に示す光モジュールの製造工程を説明する、図８（ａ）のＲ６部分を拡大して示した断面図である。 図９（ａ）は、本発明の第２実施形態にかかる光モジュールを厚み方向に切断した断面図である。図９（ｂ）は、図９（ａ）のＲ７部分を拡大して示した断面図である。 図１０（ａ）は、図９（ｂ）をI−I線に沿った切断した断面図である。図１０（ｂ）は、図９（ａ）の光モジュールの光導波路の立体図である。 図１１（ａ）は、図１０（ｂ）の上面図である。図１１（ｂ）は、図９（ａ）の光モジュールにおける電極パッドと接続パッドとの接続構造を示す立体図である。 図１２（ａ）は、本発明の他の一実施形態にかかる光モジュールの図１（ａ）に対応する部分の断面図である。図１２（ｂ）は、図１２（ａ）の光モジュールにおける電極パッドと接続パッドとの接続構造を示す立体図である。図１２（ｃ）は、本発明の他の一実施形態にかかる光モジュールの図１（ａ）に対応する部分の断面図である。図１２（ｄ）は、図１２（ｃ）の光モジュールにおける電極パッドと接続パッドとの接続構造を示す立体図である。

（第１実施形態）
以下に、本発明の第１実施形態に係る光配線基板を含む光モジュールを、図１から図８に基づいて詳細に説明する。

（光モジュール）
図１（ａ）および（ｂ）に示した光モジュール１は、例えば各種オーディオビジュアル機器、家電機器、通信機器、コンピュータ装置またはその周辺機器などの電子機器に使用されるものである。

この光モジュール１は、光信号の入出力を行う光半導体素子２と、電気信号の信号変換を行う半導体素子３と、該光半導体素子２および半導体素子３がフリップチップ実装された、光信号および電気信号を伝送する光配線基板４と、光半導体素子２または半導体素子３と光配線基板４とを電気的および機械的に接続する導電部材５、６と、光半導体素子２または半導体素子３と光配線基板４とを機械的に接続する絶縁部材７、８とを含んでいる。

この光モジュール１において、光信号は、光配線基板４を介して光半導体素子２と外部モジュールとの間で伝送される。また、電気信号は、導電部材５、６および光配線基板４を介して光半導体素子２と半導体素子３との間および半導体素子３と外部回路との間で伝送される。

（光半導体素子）
光半導体素子２は、図２（ａ）に示すように、光半導体基板９と、該光半導体基板９の光配線基板４側の主面に形成された接続パッド１０およびダミーパッド１１とを含んでいる。

光半導体基板９は、例えば発光素子または受光素子として機能するものであり、発光または受光する受発光部１２を含んでいる。発光素子は、光配線基板４から供給された電気信号（アナログ信号）を光信号に変換して光配線基板４に供給（発光）するものであって、例えば面発光型半導体レーザー等を用いることができる。また、受光素子は、光配線基板４から供給（受光）された光信号を電気信号（アナログ信号）に変換して光配線基板４に供給するものであって、例えばフォトダイオード等を用いることができる。

この光半導体基板９は、例えばシリコンまたはガリウム砒素等の半導体材料により形成することができる。光半導体基板９の厚みは、例えば０．１ｍｍ以上１ｍｍ以下に設定されている。

接続パッド１０は、導電部材５に電気的および機械的に接続されており、光半導体素子２を光配線基板４に電気的に接続するための端子として機能するものである。この接続パッド１０は、光半導体基板９の主面に形成された平板状のパッド部１３と、該パッド部１３の光半導体基板９と反対側の主面の一部に接続した突起部１４とを含んでいる。

接続パッド１０のパッド部１３は、例えば銅、金、アルミニウム、ニッケルまたはクロムの導電材料により形成することができる。このパッド部１３は、例えば円柱状である。パッド部１３の平面の径（直径）は、例えば６０μｍ以上１００μｍ以下に設定されている。パッド部１３の厚みは、例えば０．１μｍ以上１０μｍ以下に設定されている。

接続パッド１０の突起部１４は、例えば銅、金、ニッケルまたはクロムの導電材料により形成することができ、なかでもパッド部１３と同一材料からなることが望ましい。この突起部１４は、例えば円錐状に形成されている。突起部１４の平面の径は、例えば６０μｍ以上９０μｍ以下に設定されている。突起部１４高さは、例えば５０μｍ以上７０μｍ以下に設定されている。

ダミーパッド１１は、光配線基板４には電気的に接続されておらず、接続パッド１０による光半導体素子２の傾きを低減する機能を有するものである。このダミーパッド１１は、例えばパッド部１３と同様の導電材料により形成することができる。また、ダミーパッド１１は、例えば円柱状である。ダミーパッド１１の平面の径は、例えば６０μｍ以上１００μｍ以下に設定されている。ダミーパッド１１の厚みは、例えば０．１μｍ以上１０μｍ以下に設定されている。

（半導体素子）
半導体素子３は、半導体基板１５と、該半導体基板６の光配線基板４側の主面に形成された接続パッド１６とを含んでいる。

半導体基板１５は、電気信号のデジタル信号とアナログ信号を変換するものである。この半導体基板１５は、例えばＩＣまたはＬＳＩ等を用いることができ、例えばシリコン等の半導体材料により形成することができる。半導体基板１５の厚みは、例えば０．１ｍｍ以上１ｍｍ以下に設定されている。

接続パッド１６は、導電部材６に電気的および機械的に接続されており、半導体素子３を光配線基板４に電気的に接続するための端子として機能するものである。この接続パッド１６は、光半導体素子の接続パッド１０と同様の構成を有している。

（光配線基板）
光配線基板４は、配線基板１７と、該配線基板１７上に形成され、光半導体素子２および半導体素子３が実装される光導波路１８とを含んでいる。

（配線基板）
配線基板１７は、光配線基板４の剛性を高めつつ接地用電力、電源電力または電気信号を伝送するものである。この配線基板１７は、コア基板１９と、該コア基板１９の上下面に形成された一対の配線層２０とを含んでいる。

コア基板１９は、配線基板１７の剛性を高めるとともに、一対の配線層２０を電気的に接続するものである。このコア基板１９は、樹脂基板２１と、該樹脂基板２１を厚み方向に貫通する筒状のスルーホール導体２２と、スルーホール導体２２に取り囲まれた領域に充填された絶縁体２３とを備えている。

樹脂基板２１は、コア基板１９の剛性を高めるものである。この樹脂基板２１は、例えばガラスクロスとこのガラスクロスを被覆するエポキシ樹脂とを含んでいる。樹脂基板２１の厚みは、例えば０．１ｍｍ以上３．０ｍｍ以下に形成されている。

スルーホール導体２２は、一対の配線層２０を電気的に接続するものである。このスルーホール導体２２は、例えば銅、銀、金、アルミニウム、ニッケルまたはクロム等の導電材料により形成することができる。

絶縁体２３は、例えばエポキシ樹脂等の樹脂材料により形成することができる。

配線層２０は、配線基板１７の電気配線密度を高めるものである。この配線層２０は、コア基板１９上に複数積層された絶縁層２４と、コア基板１９上または絶縁層２４上に形成された複数の導電層２５と、絶縁層２４を厚み方向に貫通して導電層２５に接続された複数のビア導体２６とを含んでいる。導電層２５およびビア導体２６は、互いに電気的に接続されており、接地用配線、電力供給用配線および／または信号用配線を含む電気配線を構成している。

絶縁層２４は、導電層２５を支持するとともに導電層２５同士の短絡を抑制するものである。この絶縁層２４は、例えばエポキシ樹脂またはポリイミド樹脂等の樹脂材料により形成することができる。絶縁層２４の厚みは、例えば１０μｍ以上５０μｍ以下に設定されている。この絶縁層２４は、酸化ケイ素等の無機絶縁材料からなる無機絶縁フィラーを含有していることが望ましい。

導電層２５は、接地用電力、電源電力または電気信号を伝送するものである。この導電層２５は、例えば銅、銀、金、アルミニウム、ニッケルまたはクロム等の導電材料により形成することができる。導電層２５の厚みは、例えば３μｍ以上２０μｍ以下に設定されている。

複数の導電層２５のうち、配線基板１７の光導波路１８側の主面に配された導電層２５は、細長形状の配線導体２７と、該配線導体の両端部に接続された平板状の電極パッド２８、２９とを含んでいる。配線導体２７および電極パッド２８、２９は、光半導体素子２と半導体素子３との間で電気信号を伝送するものである。また、配線導体２７および電極パッド２８、２９は、図２（ｂ）および図３（ａ）に示すように、平面方向にて互いに平行となるように複数組形成されている。配線導体２７および電極パッド２８、２９がこのように配置されることにより、光半導体素子２と半導体素子３とを効率良く電気的に接続することができる。

配線導体２７は、両端部に接続された電極パッド２８、２９の間で電気信号を伝送するものである。配線導体２７の幅は、例えば５μｍ以上３０μｍ以下に設定されている。配線導体２７の厚みは、例えば３μｍ以上２０μｍ以下に設定されている。また、配線導体２７は、光半導体素子２から半導体素子３に向かう長手方向（Ｘ方向）を有しており、該長手方向が互いに平行になるように複数形成されている。

電極パッド２８、２９は、導電部材５、６に電気的および機械的に接続される端子として機能するものである。電極パッド２８は、導電部材５を介して光半導体素子２の接続パッド１０と接続されている。電極パッド２９は、導電部材６を介して半導体素子３の接続パッド１６と接続されている。

ここで、電極パッド２８は、配線導体２７の長手方向に直交する方向（Ｙ方向）に沿って配列するように複数形成されている。電極パッド２９も、電極パッド２８と同様に、配線導体２７の長手方向に直交する方向（Ｙ方向）に沿って配列するように複数形成されている。電極パッド２８、２９がこのように配列されることによって、電極パッド２８、２９を接続する配線導体の長さを低減することができる。

また、電極パッド２８、２９は、配線導体２７の端部に接続した平板状のランド部３０と、ランド部３０の光導波路１８側の主面の一部に接続した隆起部３１とを含んでいる。

ランド部３０は、絶縁層２４と光導波路１８との間に介されており、光導波路側の主面の一部であって隆起部３１が接続されていない領域が光導波路１８に当接している。このランド部３０は、例えば円柱状である。また、ランド部３０における平面の径および厚みは、隆起部３１における平面の径および厚みよりも大きい。ランド部３０の平面の径は、例えば６０μｍ以上１００μｍ以下に設定され、隆起部３１の平面の径の例えば０．６倍以上０．９倍以下に設定されている。また、ランド部３０の厚みは、例えば１０μｍ以上２０μｍ以下に設定され、隆起部３１の厚みの例えば０．６倍以上０．９倍以下に設定されている。

また、隆起部３１は、ランド部３０から後述する光導波路１８の貫通孔Ｐに向かって突出し、該貫通孔Ｐ内に主面の一部が露出している。また、隆起部３１は、光導波路１８側の主面の一部であって貫通孔Ｐ内に露出していない領域が光導波路１８に当接しており、平面の径が貫通孔Ｐよりも大きい。この隆起部３１は、例えば円柱状である。隆起部３１の平面の径は、例えば５０μｍ以上９０μｍ以下に設定され、貫通孔Ｐの平面の径の０．６倍以上０．９倍以下に設定されている。また、隆起部３１の厚みは、例えば５μｍ以上１５μｍ以下に設定されている。

ビア導体２６は、絶縁層２４を介して厚み方向に互いに離間した導電層２５同士を電気的に接続するものである。このビア導体２６は、例えば銅、金、ニッケルまたはクロムの導電材料により形成することができる。このビア導体２６は、コア基板１９に向って幅狭となる柱状に形成されており、平面が円形状である。ビア導体２６の平面の径は、例えば２５μｍ以上１００μｍ以下に設定されており、ビア導体２６の高さは、例えば１０μｍ以上５０μｍ以下に設定されている。

（光導波路）
光導波路１８は、光信号を伝送する機能を有するものである。この光導波路１８は、図２（ｂ）および図３（ａ）に示すように、配線基板１７上に形成された平板状のクラッド層３２と、該クラッド層３２に取り囲まれた細長形状のコア層３３と、光半導体素子２の受発光部１２の直下にて、光導波路１８の光半導体素子２側の主面から厚み方向に沿って窪んで成る切り欠き部Ｃと、該切欠き部Ｃに形成された光路変換部材３４と、光導波路１８を厚み方向に貫通して配線基板１７の電極パッド２８、２９を露出する貫通孔Ｐとを含んでいる。なお、切欠き部Ｃは、光導波路１８を厚み方向に貫通して配線基板１７に達していても構わない。

クラッド層３２は、コア層３３の保護部材としての機能やコア層３３内に光信号を閉じ込める機能を有するものである。このクラッド層３２は、例えばエポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリシラノール樹脂、ポリシラン樹脂、ポリイミド樹脂、シリコーン系樹脂、ポリスチレン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリエステル系樹脂、フェノール系樹脂、ポリキノリン系樹脂、ポリキノキサリン系樹脂、ポリベンゾオキサゾール系樹脂、ポリベンゾチアゾール系樹脂またはポリベンゾイミダゾール系樹脂等の透光性材料により形成することができる。クラッド層３２の透過率は、例えば８０％以上１００％以下に設定されている。クラッド層３２の屈折率は、例えば１．４以上１．６以下に設定されている。また、クラッド層３２の厚みは、例えば４５μｍ以上８５μｍ以下に設定されている。なお、透過率はＩＳＯ１３４６８‐１：１９９６に準ずる方法により測定され、屈折率はＩＳＯ４８９：１９９９に準ずる方法により測定される。

コア層３３は、屈折率がクラッド層３２よりも高く、クラッド層３２との界面で光信号を全反射させることによって、光信号を伝送する機能を有するものである。このコア層３１は、クラッド層と同様の透光性材料により形成することができる。コア層３３の光透過率は、例えば９５％以上１００％以下に設定されている。コア層３３の屈折率は、例えば１．４以上１．６以下に設定され、例えばクラッド層３２の屈折率の１．０００１倍以上１．１倍以下に設定されている。

また、コア層３３は、例えば直方体状である。コア層３３の幅は、例えば１０μｍ以上５０μｍ以下に設定されている。コア層３３の厚みは、１０μｍ以上５０μｍ以下に設定されている。また、コア層３３は、図２（ｂ）および図３（ａ）に示すように、平面方向にて長手方向が互いに平行になるように複数形成されており、平面視にて配線導体２７の延長線上に位置している。なお、コア層３３は、平面視にて配線導体２７の延長線同士の間に位置していても構わない。

切り欠き部Ｃは、コア層３３の長手方向（Ｘ方向）に対して垂直な垂直断面と、コア層３３の幅方向（Ｙ方向）を回転軸として該垂直断面を傾斜させて成る傾斜面と、により囲まれた空間であって、コア層３３の幅方向に沿った細長形状に形成されている。垂直断面は、光信号が通過する複数のコア層３３の端面を含み、垂直断面の高さ（Ｚ方向の長さ）が２０μｍ以上１５０μｍ以下に設定されている。また、傾斜面は、光半導体素子２の受発光部１２の直下に形成されており、傾斜面のクラッド層３２下面に対する傾斜角が例えば４０°以上５０°以下に設定されている。

光路変換部材３４は、切り欠き部Ｃの傾斜面に形成された金属膜からなり、光信号の伝送方向を変換する機能を有している。具体的には、光半導体素子２が発光素子である場合、光路変換部材３４は、該発光素子の発光部から傾斜面に向って伝送された光信号を反射することにより、光信号の伝送方向を厚み方向（Ｚ方向）から長手方向（Ｘ方向）に変換し、光信号をコア層３３へ伝送することができる。また、例えば光半導体素子２が受光素子である場合、光路変換部材３４は、コア層３３から傾斜面に向って伝送された光信号を反射することにより、光信号の伝送方向を長手方向（Ｘ方向）から厚み方向（Ｚ方向）に変換し、光信号を受光素子の受光部へ伝送することができる。光路変換部材３４は、例えば金等の金属材料により形成することができる。光路変換部材３４の傾斜面からの厚みは、例えば１０００Å以上５０００Å以下に設定されている。

貫通孔Ｐは、例えば円柱状に形成されている。貫通孔Ｐの平面の径は、例えば５０μｍ以上９０μｍ以下に設定されている。また、貫通孔Ｐは、電極パッド２８、２９を１つずつ露出するように複数形成されている。

（導電部材）
導電部材５、６は、貫通孔Ｐ内に配されており、導電性接着部材として機能するものである。具体的には、導電部材５は、光半導体素子２の接続パッド１０と配線基板１７の電極パッド２８とを電気的および機械的に接続している。また、導電部材６は、半導体素子３の接続パッド１６と配線基板１７の電極パッド２９とを電気的および機械的に接続している。この導電部材５、６は、接着機能を担保するため、接続パッド１０、１３および電極パッド２８、２９よりも低融点の金属材料により形成することができ、この低融点金属材料としては、例えばスズ、インジウムまたはビスマスを含むはんだを用いることができる。この導電部材５、６は、図３（ｂ）に示すように厚み方向における中央部が括れた鼓状であり、貫通孔Ｐの内壁との間に空隙Ｓが形成されている。

（絶縁部材）
絶縁部材７、８は、光半導体素子２または半導体素子３と光導波路１８との間に充填されており、絶縁性接着部材（アンダーフィル）として機能するものである。具体的には、絶縁部材７は、光半導体素子２と光導波路１８との間に充填されており、光半導体素子２の接続パッド１０同士の間の絶縁性を高めつつ光半導体素子２と光導波路１８とを機械的に接続している。また、絶縁部材８は、半導体素子３と光導波路１８との間に充填されており、半導体素子３の接続パッド１６同士の間の絶縁性を高めつつ半導体素子３と光導波路１８とを機械的に接続している。

また、絶縁部材７は、光導波路１８の切欠き部Ｃに充填されて封止しており、切欠き部Ｃの変形および光路変換部材３４（金属膜）の剥離を防止する機能を有する。この絶縁部材７は、光半導体素子２と光導波路１８との間の光路を確保するため、透光性材料により形成することができる。この透光性材料としては、例えばエポキシ樹脂、アクリル樹脂等の樹脂材料を用いることができ、透光性材料の透過率は、例えば９５％以上１００％以下に設定されている。また、絶縁部材８は、例えばエポキシ樹脂、アクリル樹脂等の樹脂材料により形成することができ、なかでも、絶縁部材７と同一の樹脂材料により形成することが望ましい。なお、絶縁部材７、８のうち、半導体素子３と光導波路１８との間に充填された絶縁部材８のみが酸化ケイ素等からなる無機絶縁フィラーを含んでいても構わない。

（実装構造）
次に、本実施形態の光モジュール１における、光配線基板４に対する光半導体素子２の実装構造について、詳細に説明する。

本実施形態の光モジュール１においては、図１（ｂ）および図３（ｂ）に示すように、光半導体素子２の接続パッド１０が、配線基板１７の電極パッド２８に向かって突出しているとともに光導波路１８を厚み方向に貫通する貫通孔Ｐ内に少なくとも一部が入り込んだ突起部１４を具備している。さらに、導電部材５が、貫通孔Ｐ内に配されているとともに接続パッド１０の突起部１４および電極パッド２８に接続している。

その結果、貫通孔Ｐ内に配された導電部材５を介して光半導体素子２の接続パッド１０と配線基板１７の電極パッド２８とを電気的に接続することができるため、光導波路の主面上に導電部材を形成して光半導体素子と配線基板とを電気的に接続した場合と比較して、半導体素子２と光導波路１８との距離を低減して近接させることができる。したがって、光半導体素子２の受発光部１２と光導波路１８の光路変換部材３４との間で光の拡散を低減することができる。それ故、光半導体素子２と光導波路１８との間における光信号の伝送効率を高め、ひいては信号伝送特性に優れた光モジュール１を得ることができる。

ところで、光導波路の主面上に導電部材を形成した場合には、該導電部材と配線基板とを電気的に接続するため光導波路を貫通する貫通導体をめっき等で形成する必要があるが、光導波路は光信号伝送特性を担保するため絶縁層よりも厚みが大きくなりやすいことから、該貫通導体はアスペクト比が増大して細長くなり断線が生じやすくなる。

一方、本実施形態の光モジュール１においては、接続パッド１０の突起部１４を貫通孔Ｐ内に挿入し、貫通孔Ｐ内にて導電性接着部材として機能する導電部材５を介して電極パッド２８と機械的に接続している。それ故、上述した光導波路に貫通導体を形成した場合と比較して、光半導体素子２と配線基板１７との電気的接続信頼性に優れた光モジュール１を得ることができる。

さらに、導電部材５が貫通孔Ｐ内に配されているため、光導波路１８によって隣接する導電部材５同士の間の絶縁性を高めことができるため、該導電部材５同士の短絡を低減することができる。また、光導波路１８上にソルダーレジスト層を設けずに該導電部材５同士の短絡を低減することができるため、光半導体素子２と光導波路１８とを近接させることができる。

また、本実施形態において、光半導体素子２の接続パッド１０は、パッド部１３の光導波路１８側の主面の一部であって突起部１４が接続されていない領域が光導波路１８のクラッド層３２に当接している。その結果、パッド部１３とクラッド層３２との間に導電部材等の介在物がないため、光半導体素子２と光導波路１８とを近接させるとともに、光導波路１８に対して光半導体素子２が傾くことを低減することができる。したがって、光半導体素子２と光導波路１８との間における光信号の伝送効率を高めることができる。

また、本実施形態において、光半導体素子２のダミーパッド１１は、光導波路１８のクラッド層３２に当接している。その結果、ダミーパッド１１とクラッド層３２との間に導電部材等の介在物がないため、光導波路１８に対する光半導体素子２の傾きを容易に調整することができる。

このダミーパッド１１の厚みは、接続パッド１０のパッド部１３の厚みと同じであることが望ましい。その結果、光導波路１８の主面に当接するダミーパッド１１およびパッド部１３の厚みが等しいことから、光導波路１８に対して光半導体素子２が傾くことを低減することができる。この場合、ダミーパッド１１の厚みは、パッド部１３の厚みの例えば０．９倍以上１．１倍以下に設定されている。

また、本実施形態において、電極パッド２８は、ランド部３０から貫通孔Ｐに向かって突出し、導電部材５と接続した隆起部３１を具備している。その結果、隆起部３１によって電極パッド２８と接続パッド１０との距離を短くし、電極パッド２８と導電部材５との接続強度を高めることができる。

この隆起部３１は、コア層３３の下方に配されたクラッド層３２の層領域（第１クラッド層）内に配されており、電極パッド２８の厚みは、第１クラッド層の厚みよりも小さいことが望ましい。その結果、コア層３３の変形を低減することができる。

なお、本実施形態において、半導体素子３の実装構造は、上述した光半導体素子２の実装構造と同様の構造を有する。

かくして、上述した光モジュール１は、光半導体基板９が発光素子である場合、以下のように所望の機能を発揮する。まず、デジタル信号（電気信号）を外部回路から導電層２５およびビア導体２６を介して半導体素子３に伝送し、デジタル信号を半導体素子３でアナログ信号（電気信号）に変換する。次に、このアナログ信号を半導体素子３から配線導体２７を介して光半導体素子２に伝送し、アナログ信号を光半導体素子２で光信号に変換する。次に、この光信号を光半導体素子２から光路変換部材３４およびコア層３３を介して外部モジュールに伝送する。このようにして、光モジュール１は、外部回路から伝送されたデジタル信号（電気信号）を光信号に変換して、外部モジュールに伝送する。

また、光モジュール１は、光半導体基板９が受光素子である場合には、光半導体基板９が発光素子である場合と反対方向に各信号を伝送することにより、所望の機能を発揮する。

（光モジュールの作製）
次に、上述した第１実施形態の光モジュール１の製造方法を、図４から図８に基づいて説明する。

（光半導体素子および半導体素子の作製）
（１）図４（ａ）に示すように、光半導体素子２および半導体素子３を作製する。具体的には、例えば以下のように行う。

まず、電解めっき法、蒸着法、ＣＶＤ法またはスパッタリング法等によって、光半導体基板９上にパッド部１３およびダミーパッド１１を形成する。次に、ワイヤーボンディングによって、パッド部１３上に突起部１４を形成し、該突起部１４およびパッド部１３からなる接続パッド１０を形成する。

以上のようにして、光半導体素子２を作製することができる。また、半導体素子３は、光半導体素子２と同様の方法で作製することができる。

（配線基板の作製）
（２）図４（ｂ）に示すように、コア基板１９を作製する。具体的には、例えば以下のように行う。

まず、例えば未硬化の樹脂シートを積層し、加熱加圧して硬化させることにより、基体を作製する。なお、未硬化は、ＩＳＯ４７２：１９９９に準ずるＡ‐ステージまたはＢ‐ステージの状態である。次に、例えばドリル加工またはレーザー加工等によって、基体を厚み方向に貫通したスルーホールを形成する。次に、例えば無電解めっき法および電解めっき法等によって、スルーホールの内壁に導電材料を被着させて、筒状のスルーホール導体２２を形成する。また、基体の上面および下面に導電材料を被着させて、導電材料層を形成する。次に、スルーホール導体２２に取り囲まれた領域に、樹脂材料を充填して絶縁体１１を形成する。次に、導電材料を絶縁体１１の露出部に被着させた後、従来周知のフォトリソグラフィー、エッチング等によって、導電層材料層をパターニングして導電層２５を形成する。

以上のようにして、コア基板１９を作製することができる。

（３）図４（ｃ）に示すように、コア基板１９の両側に一対の配線層２０を形成し、配線基板１７を作製する。具体的には、例えば以下のように行う。

まず、未硬化の樹脂をコア基板１９上に配置し、樹脂を加熱して流動密着させつつ、更に加熱して樹脂を硬化させることにより、コア基板１９上に絶縁層２４を形成する。次に、例えばレーザー加工によって、絶縁層２４にビア孔を形成し、ビア孔内に導電層２５の少なくとも一部を露出させる。次に、例えば無電解めっき法および電解めっき法を用いたセミアディティブ法、サブトラクティブ法またはフルアディティブ法等によって、ビア孔にビア導体１３を形成するとともに絶縁層２４上に導電層２５を形成する。かかる工程を繰り返すことにより、配線層２０を形成することができる。

ここで、最外層となる絶縁層２４上に導電層２５を形成する際に、パターニングによって配線導体２７およびランド部３０を形成する。さらに、ランド部３０を形成した後、図４（ｄ）に示すように、例えば無電解めっき法および電解めっき法を用いたセミアディティブ法、サブトラクティブ法またはフルアディティブ法等によって、ランド部３０上に隆起部３１を形成する。この隆起部３１の平面の径および厚みをランド部３０よりも小さくすることによって、隆起部３１をランド部３０上に容易に形成することができる。

以上のようにして、配線基板１７を作製することができる。

（光導波路の形成）
（４）図５（ａ）に示すように、配線基板１７上にクラッド層３２およびコア層３３を形成する。具体的には、例えば以下のように行う。

まず、スピンコーター、バーコーター、ロールコーターまたはスプレーコーター等を用いて、未硬化の第１クラッド層前駆体を配線基板１７上に塗布し、該第１クラッド層前駆体を露光して現像することによって、配線基板１７上に平板状の第１クラッド層を形成する。次に、未硬化のコア層前駆体を第１クラッド層上に塗布し、マスクを用いて露光して現像することによって、第１クラッド層上に細長形状のコア層３３を部分的に形成する。次に、コア層３３を取り囲むように未硬化の第２クラッド層前駆体を第１クラッド層上に塗布し、該第２クラッド層前駆体を露光して現像することによって、第１クラッド層上およびコア層３３上に第２クラッド層を形成する。この第１クラッド層および第２クラッド層によって、クラッド層３２は構成される。

ここで、電極パッド２８よりも厚みが大きくなるように第１クラッド層を形成することにより、変形を低減しつつコア層３３を形成することができる。

以上のようにして、クラッド層３２およびコア層３３を形成することができる。

（５）図５（ｂ）に示すように、クラッド層３２およびコア層３３を貫通する貫通孔Ｐを形成し、図６（ａ）に示すように、貫通孔Ｐ内に導電部材５、６を形成する。具体的には、例えば以下のように行う。

まず、図５（ｃ）に示すように、レーザー加工によって、クラッド層３２およびコア層３３を厚み方向に貫通して隆起部３１の主面の一部を露出する貫通孔Ｐを形成する。次に、貫通孔Ｐ内に露出した電極パッド２８、２９上にフラックスを塗布した後、はんだボールを貫通孔Ｐ内に挿入する。次に、はんだボールを加熱溶融（リフロー）させることによって、図６（ｂ）に示すように、電極パッド２８、２９の貫通孔Ｐ内に露出した表面を導電部材５、６で被覆しつつ、導電部材５、６と電極パッド２８、２９と接続させる。この加熱溶融によって導電部材５、６が円柱状となり、貫通孔Ｐ内にて導電部材５、６の上方に窪みが形成される。この円柱状の導電部材５、６は、窪みに向かって突出する凸曲面を有している。

このようにレーザー加工で貫通孔Ｐを形成することによって、微細な貫通孔Ｐを形成することができる。

また、貫通孔Ｐ内にはんだボールを挿入しているため、隣接するはんだボール同士の間に光導波路１８が配され、フラックスによる粘度の低下や加熱による溶融に起因したはんだボール同士の短絡を低減することができる。

また、貫通孔Ｐ内に挿入されたはんだボールを加熱溶融することによって、導電部材５、６と電極パッド２８、２９とを接続しているため、貫通孔のアスペクト比が高いとめっき液が入りにくい電気めっき法と比較して、導電部材５、６と電極パッド２８、２９との間の空隙を低減することができる。

また、貫通孔Ｐ内壁にめっき等の処理をせず光導波路１８が露出した状態ではんだボールを貫通孔Ｐ内に挿入しているため、該挿入の効率を高めることができる。

また、貫通孔Ｐの下方に配された隆起部３１によって、貫通孔Ｐの高さを小さくできるため、貫通孔Ｐ内に導電部材５、６を配置する際に、導電部材５、６と電極パッド２８、２９との間に隙間が生じることを低減でき、導電部材５、６と電極パッド２８、２９との接続信頼性を高めることができる。

なお、貫通孔Ｐ内に挿入されるはんだボールは、一部が貫通孔Ｐ内からはみ出していても構わない。

（６）図６（ｃ）に示すように、クラッド層３２およびコア層３３に切り欠き部Ｃを形成し、該切り欠き部Ｃの傾斜面に光路変換部材３４を形成することにより、光導波路１８を形成し、光配線基板４を作製する。具体的には、例えば以下のように行う。

まず、例えば先端部が所望の形状に設定されたダイシングブレードを用いて、クラッド層３２表面から配線基板１７に向かって切り込みを入れることにより、切り欠き部Ｃを形成する。次に、例えば、蒸着法またはスパッタリング法等によって、光路変換部材３４を形成する。

このように、導電部材５、６を形成した後に光路変換部材３４を形成することによって、光路変換部材３４のフラックスによる汚染を低減できる。

以上のようにして、配線基板１７上に光導波路１８を形成し、光配線基板４を作製することができる。

（光半導体素子および半導体素子の実装）
（７）図７（ａ）に示すように、光配線基板４の光導波路１８上に光半導体素子２および半導体素子３を搭載し、導電部材５、６を介して接続パッド１０、１６と電極パッド２８、２９とを接続させた後、図８（ａ）に示すように、光配線基板４と光半導体素子２および半導体素子３との間に絶縁部材７、８を形成することによって、光配線基板４に光半導体素子２および半導体素子３を実装して光モジュール１を作製する。具体的には例えば以下のように行う。

まず、図７（ｂ）に示すように、接続パッド１０、１６の突起部１４を貫通孔Ｐ内に挿入し、該突起部１４の少なくとも一部を導電部材５、６に埋入させつつ、光導波路１８上に光半導体素子２および半導体素子３を搭載する。次に、図７（ｃ）に示すように、導電部材５、６を加熱溶融することによって、表面張力で突起部１４の表面を被覆させつつ、導電部材５、６と接続パッド１０、１６とを接続させる。この加熱溶融によって、導電部材５、６が鼓状になるとともに、空隙Ｓが形成される。次に、図８（ｂ）に示すように、光配線基板４と光半導体素子２および半導体素子３との間に未硬化樹脂を含む絶縁部材前駆体を注入し、該未硬化樹脂を加熱して硬化させることによって、絶縁部材７、８を形成する。

このように、突起部１４を貫通孔Ｐ内に挿入して導電部材５と接続しているため、導電部材５の加熱溶融時における位置ずれを低減し、光半導体素子２の受発光部１２と光導波路１８の光路変換部材３４との位置関係を良好に保つことが出来る。また、突起部１４は貫通孔Ｐ内の導電部材５に差し込まれて固定されるため、導電部材５が加熱溶融の際に表面張力によって突起部１４の表面を流れることによって、導電部材５と突起部１４との接着面積が増加する。それ故、接続パッド１０と導電部材５とを強固に接続し、ひいては光半導体素子２と光配線基板４との電気的接続信頼性を高めることができる。

また、接続パッド１０、１６の突起部１４を導電部材５、６に埋入しているため、突起部１４で導電部材５、６の酸化膜を突き破ることができ、フラックスを用いることなく突起部１４と導電部材５、６とを接続することができる。なお、突起部１４にフラックスを塗布した後、導電部材５、６に埋入させても構わない。

また、貫通孔Ｐ内に導電部材５、６が配されているため、隣接する導電部材５、６同士の間に光導波路１８が配され、加熱溶融に起因した導電部材５、６同士の短絡を低減することができる。

また、窪みに向かって突出する凸曲面を有する導電部材５、６に突起部１４を埋入させているため、突起部１４を容易に導電部材５、６に埋入させることができる。

以上のようにして、導電部材５、６を介して接続パッド１０、１６と電極パッド２８、２９とを接続させつつ、光配線基板４に光半導体素子２および半導体素子３を実装して光モジュール１を作製することができる。

（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態に係る光モジュールを、図９ないし図１１に基づいて詳細に説明する。なお、上述した第１実施形態と同様の構成に関しては、記載を省略する。

（光モジュール）
第２実施形態は第１実施形態と異なり、図９ないし図１１に示すように、貫通孔ＰＡ内に複数の電極パッド２８Ａが露出しており、該複数の電極パッド２８Ａそれぞれに導電部材５が接続されており、該導電部材５Ａそれぞれに接続パッド１０Ａが接続されている。その結果、第１実施形態と比較して、貫通孔ＰＡを微細加工する必要性が低いため、貫通孔ＰＡを容易に加工できるとともに、貫通孔ＰＡ内に露出する電極パッド２８Ａの表面を大きくすることができ、電極パッド２８Ａと導電部材５Ａとの接続信頼性を高めることができる。また、このように貫通孔ＰＡ内に露出する電極パッド２８Ａの表面を大きくすることができるため、第１実施形態と比較して、電極パッド２８Ａに隆起部を設けずパッド部のみから形成しても、電極パッド２８Ａと導電部材５Ａとの接続信頼性を担保できる。

さらに、図１０（ｂ）および図１１（ａ）に示すように、貫通孔ＰＡ内に電極パッド２８Ａの一主面全体が露出している。その結果、電極パッド２８Ａと導電部材５Ａとの接続面積をより大きくすることができる。

また、貫通孔ＰＡは、電極パッド２８Ａの配列方向（Ｙ方向）に沿った細長形状である。その結果、貫通孔ＰＡ内への配線導体２７Ａの露出を低減し、該配線導体２７Ａに対する導電部材５Ａの流動に起因した導電部材５Ａの高さばらつきを低減することができる。この貫通孔ＰＡの幅は、電極パッド２８Ａの幅と等しいことが望ましく、例えば電極パッド２８Ａの幅の０．９倍以上１．１倍以下に設定されている。

また、図９（ｂ）および図１０（ａ）に示すように、貫通孔ＰＡ内において、複数の導電部材５Ａそれぞれは絶縁部材７Ａによって取り囲まれている。その結果、貫通孔ＰＡ内において、導電部材５Ａ同士の短絡を低減することができる。

一方、第２実施形態は第１実施形態と異なり、図９（ｂ）に示すように、接続パッド１０Ａのパッド部１３Ａが貫通孔ＰＡ内に入りこんでいる。その結果、光半導体素子２Ａと光導波路１８Ａとをさらに近接させることができる。

さらに、光半導体素子２Ａは、ダミーパッドを有しておらず、光半導体基板９Ａの光導波路１８Ａ側の主面には、ダミーパッドが無く、該主面が光導波路１８Ａと当接している。その結果、光半導体素子２Ａと光導波路１８Ａとをさらに近接させることができるとともに、光半導体素子２Ａの光導波路１８Ａに対する傾きを低減することができる。

なお、半導体素子３Ａは、光半導体素子２Ａと同様に光配線基板４Ａに実装されている。

（光モジュールの製造方法）
次に、上述した第２実施形態の光モジュール１Ａの製造方法を説明する。なお、上述した第１実施形態と同様の方法に関しては、記載を省略する。

上述した第１実施形態の（４）の工程にて、第１クラッド層前駆体、コア層前駆体および第２クラッド層前駆体を露光して現像する際に、マスクを用いてパターニングを行い、第１クラッド層、コア層および第２クラッド層それぞれの貫通孔ＰＡに対応する部位を貫通していくことによって、貫通孔ＰＡを形成する。その結果、細長形状の貫通孔ＰＡを容易に形成することができる。

また、上述した第１実施形態の（５）の工程にて、電極パッド２８Ａ、２８Ａ上にはんだボールを配置する際に、転写法によって電極パッド２８Ａ、２８Ａ上に選択的にフラックスを塗布し、はんだボールを電極パッド２８Ａ、２８Ａ上に載置する。その結果、隣接する電極パッド２８Ａ間、および隣接する電極パッド２９Ａ間にてフラックスを低減し、該フラックスに起因にした隣接するはんだボール同士の接触を低減できる。また、（５）の工程で加熱溶融された導電部材５Ａ、６Ａは、電極パッド２８Ａ、２８Ａとの接続部に平面を有する半球状となる。

また、上述した第１実施形態の（７）の工程にて、接続パッド１０Ａ、１６Ａのパッド部１３Ａおよび突起部１４Ａを貫通孔ＰＡ内に挿入し、該突起部１４Ａの少なくとも一部を導電部材５Ａ、６Ａに埋入させる。次に、導電部材５Ａ、６Ａを加熱溶融することによって、導電部材５Ａ、６Ａと接続パッド１０Ａ、１６Ａとを接続させる。次に、貫通孔ＰＡの光導波路１８Ａ側面の開口から貫通孔ＰＡ内に絶縁部材前駆体を注入して導電部材５Ａ、６Ａそれぞれを取り囲ませた後に熱硬化させて、導電部材５Ａ、６Ａそれぞれを取り囲む絶縁部材７Ａ、８Ａを形成する。

ここで、上述した（７）の工程における貫通孔ＰＡ内への絶縁部材前駆体の注入する際に、該貫通孔ＰＡと同様の方法で切欠き部ＣＡ内に絶縁部材前駆体を注入することによって、切欠き部ＣＡ内に絶縁部材７Ａを形成することができる。

以上のようにして、光モジュール１Ａを作製することができる。

本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良、組み合わせ等が可能である。

例えば、上述した本発明の第１および第２実施形態は、光半導体素子が光半導体基板と接続パッドとを有する構成を例に説明したが、光半導体素子として、セラミック基板上に光半導体基板を搭載したものを用いても構わない。

また、上述した本発明の第１実施形態は、光半導体素子がダミーパッドを有する構成を例に説明したが、光半導体素子がダミーパッドを有していなくても構わない。この場合、突起部が貫通孔内に挿入されて導電部材に埋入することによって光半導体素子が支持されており、ひいては光半導体素子の傾きが低減されている。

また、上述した本発明の第１および第２実施形態は、配線層にて絶縁層を２層積層した構成を例に説明したが、絶縁層は何層積層しても構わない。

また、上述した本発明の第１および第２実施形態は、絶縁層として樹脂層を用いた構成を例に説明したが、絶縁層としてセラミック層を用いても構わない。

また、上述した本発明の第１および第２実施形態は、配線基板として樹脂基板を用いた構成を例に説明したが、配線基板として、金属板を樹脂で被覆したメタルコア基板やセラミック基板を用いても構わない。

また、上述した本発明の第１および第２実施形態は、光路変換部材が金属膜からなる構成を例に説明したが、金属膜以外の手段で光路変換するものであっても構わない。

また、上述した本発明の第１および第２実施形態は、光配線基板に光半導体素子を実装した後の導電部材が鼓状である構成を例に説明したが、図１２（ａ）および（ｂ）に示すように、該導電部材５Ｂが貫通孔ＰＢ内に充填されて円柱状であり、空隙が形成されていなくても構わない。この導電部材５Ｂは、上述した（５）の工程にてはんだボールの大きさを調整することによって、形成することができる。なお、導電部材５Ｂは、一部が貫通孔Ｐからはみ出してパッド部１３Ｂとクラッド層３２Ｂとの間に介されていても構わない。

また、上述した本発明の第１実施形態は、隆起部の主面の一部が該貫通孔内に露出した構成を例に説明したが、図１２（ａ）および（ｂ）に示すように、隆起部３１Ｂは貫通孔内ＰＢに配されていても構わない。この場合、電極パッド２８Ｂと導電部材５Ｂとの接続部が貫通孔ＰＢ内に配されて固定されるため、電極パッド２８Ｂと導電部材５Ｂとの接続強度を高めることができる。この隆起部３１Ｂは、上述した（３）の工程では形成せずに、上述した（５）の工程にて、貫通孔ＰＢを形成した後に、無電解めっきまたは電解めっき等を用いて形成することができる。この場合、コア層３３Ｂの変形に影響を与えずに、隆起部３１Ｂの厚みを大きくし、電極パッド２８Ｂの厚みを第１クラッド層よりも大きくできる。

また、上述した本発明の第１実施形態は、絶縁部材が貫通孔内に配されていない構成を例に説明したが、図１２（ｃ）および（ｄ）に示すように、絶縁部材７Ｃが貫通孔ＰＣ内に配されていても構わない。この絶縁部材７Ｃは、突起部１４Ｃを導電部材５Ｃに埋入させた後、貫通孔ＰＣ内に一部が配されるように絶縁部材７Ｃを形成してから、導電部材５Ｃを加熱溶融して突起部１４Ｃと接続させることによって、形成することができる。

１ 光モジュール
２ 光半導体素子
３ 半導体素子
４ 光配線基板
５、６ 導電部材
７、８ 絶縁部材
９ 光半導体基板
１０ 接続パッド
１１ ダミーパッド
１２ 受発光部
１３ パッド部
１４ 突起部
１５ 半導体基板
１６ 接続パッド
１７ 配線基板
１８ 光導波路
１９ コア基板
２０ 配線層
２１ 樹脂基板
２２ スルーホール導体
２３ 絶縁体
２４ 絶縁層
２５ 導電層
２６ ビア導体
２７ 配線導体
２８、２９ 電極パッド
３０ ランド部
３１ 隆起部
３２ クラッド層
３３ コア層
３４ 光路変換部材
Ｃ 切り欠き部
Ｐ 貫通孔
Ｓ 空隙

Claims (7)

1. 主面に電極パッドを有する配線基板と、
   該配線基板の前記主面上に配された光導波路と、
   該光導波路の前記配線基板と反対側の主面上に実装され、前記光導波路に伝送される光を発光または受光するとともに、前記光導波路側の主面に接続パッドを有する光半導体素子と、
   前記電極パッドと前記接続パッドとを電気的に接続する導電部材とを備え、
   前記光導波路には、厚み方向に貫通して前記電極パッドを露出する貫通孔が形成されており、
   前記接続パッドは、少なくとも一部が前記貫通孔内に入り込んだ突起部を具備し、
   前記導電部材は、前記貫通孔内に配されているとともに、前記突起部および前記電極パッドに接続しているとともに、
   前記接続パッドは、前記光導波路側の主面の一部に前記突起部が接続されたパッド部をさらに具備し、
   該パッド部は、前記光導波路側の主面の他の一部が前記光導波路の前記配線基板とは反対側の主面に当接していることを特徴とする光モジュール。
2. 請求項１に記載の光モジュールにおいて、
   前記光半導体素子は、前記光導波路側の主面にダミーパッドをさらに有し、
   該ダミーパッドは、前記光導波路の前記配線基板とは反対側の主面に当接しているとともに、前記ダミーパッドの厚みは、前記接続パッドの前記パッド部の厚みと同じであることを特徴とする光モジュール。
3. 請求項２に記載の光モジュールにおいて、
   前記ダミーパッドの厚みは、前記接続パッドの前記パッド部の厚みの０．９倍以上１．１倍以下であることを特徴とする光モジュール。
4. 請求項１に記載の光モジュールにおいて、
   前記電極パッドは、前記光導波路の前記配線基板側の主面に一部が当接したランド部と、該ランド部の前記光導波路側の主面の他の一部に接続するとともに、前記貫通孔に向かって突出して前記導電部材に接続した隆起部とを具備することを特徴とする光モジュール。
5. 請求項１に記載の光モジュールにおいて、
   前記電極パッドは、前記配線基板の同じ主面に複数配されており、
   該複数の電極パッドは、１つの前記貫通孔内に露出しており、
   該１つの貫通孔内には、前記複数の電極パッドそれぞれに接続した複数の前記導電部材が配されており、
   前記光半導体素子は、前記複数の導電部材それぞれに接続した複数の前記接続パッドを有していることを特徴とする光モジュール。
6. 請求項５に記載の光モジュールにおいて、
   前記複数の電極パッドは、一方向に沿って配列されており、
   前記１つの貫通孔は、前記一方向に沿った細長い形状であることを特徴とする光モジュール。
7. 請求項５に記載の光モジュールにおいて、
   前記１つの貫通孔内には、前記複数の導電部材それぞれを取り囲む絶縁部材が配されていることを特徴とする光モジュール。
   

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