JP6006124B2 - 光モジュール用基板および光モジュール - Google Patents

Description

本発明は、例えばスーパーコンピュータまたはサーバー・ルータ等に用いられる光モジュール等に関するものである。

近年、情報分野における技術発展に伴うＩＰトラフィックまたは情報処理量の増加によって、大容量かつ高速のデータ伝送が行なわれるようになってきた。それに伴って、電子機器間または電子機器内のモジュールにおける配線の集積化が要求されている。これに伴ってノイズ対策等の課題も顕在化してきた。また、近年、省エネルギー化の流れから、例えばデータセンタに設けられるサーバ等の電子機器における消費電力の低減が求められている。そこで、電子機器内に設けられた複数の素子間の配線部品として従前の電気配線に代えて光配線を有する光モジュールが用いられるようになってきた。

光配線を有する光モジュールは、半導体回路素子および光素子が搭載される基板を含んでおり、基板には半導体回路素子と光素子とを電気的に接続する電気信号用の配線が設けられている。

特開2005−134488号公報

半導体回路素子は動作時における発熱量が多く、半導体回路素子によって発生された熱によって光素子の動作特性が低下する可能性がある。そのため、半導体回路素子によって発生された熱が光素子へ伝わることを抑える必要がある。

本発明の一つの態様によれば、光モジュール用基板は、半導体回路素子実装領域および光配線板載置領域を含む上面を有する絶縁基体と、絶縁基体の上面のうち半導体回路素子実装領域に設けられた半導体回路素子実装用パッドおよび光素子接続用電極と、絶縁基体内に、平面視において前記半導体回路素子実装領域と前記光配線板載置領域との間に設けられた内部配線と、光素子接続用電極と信号層とを接続しているビア導体とを含んでいる。内部配線は、半導体回路素子実装用パッドおよび光素子接続用電極に電気的に接続された信号層と、信号層の上方または下方に設けられたグランド層とを含んでいる。グランド層の縁が前記ビア導体よりも前記半導体回路素子実装領域側に位置している。グランド層の縁はビア導体に接していない。

本発明の他の態様によれば、光モジュールは、上記構成の光モジュール用基板と、絶縁基体の上面に設けられた光配線板と、絶縁基体に実装された半導体回路素子と、光配線板に実装された光素子とを含んでいる。光配線板は、光素子接続用電極に電気的に接続されたビア導体を有している。半導体回路素子は、半導体回路素子実装用パッドに電気的に接続されている。光素子は、ビア導体に電気的に接続されている。

本発明の一つの態様による光モジュール用基板は、半導体回路素子実装領域および光配線板載置領域を含む上面を有する絶縁基体内に設けられた内部配線とビア導体とを含んでおり、内部配線が、半導体回路素子実装用パッドおよび光素子接続用電極に電気的に接続された信号層と、信号層の上方または下方に設けられたグランド層とを含んでいる。グランド層の縁が前記ビア導体よりも前記半導体回路素子実装領域側に位置している。グランド層の縁はビア導体に接していない。本発明の一つの態様による光モジュール用基板は、上記構成を含んでいることによって、半導体回路素子によって発生された熱を絶縁基体の下面方向へ伝導させやすくなり、光素子への熱の伝導を抑えることができる。半導体素子実装領域に実装される半導体回路素子によって発生される熱がグランド層によって光素子へ伝わることを抑えることができる。したがって、本発明の一つの態様による光モジュール用基板は、光素子の動作特性に関して向上された光モジュールを実現することができる。

本発明の他の態様による光モジュールは、上記構成の光モジュール用基板を含んでいることによって、光素子の動作特性に関して向上されている。

本発明の第１の実施形態における光モジュールの斜視図を示している。 図１に示された光モジュールの平面図を示している。 （ａ）は図１に示された光モジュールの一部分における縦断面図を示しており、（ｂ）は（ａ）に示された光モジュールにおける光モジュール用基板の平面図を示している。 図３（ａ）等に示された光モジュールにおける熱伝導を模式的に示す図である。 （ａ）は図３（ａ）に示された光モジュールの変形例を示す縦断面図であり、（ｂ）は（ａ）に示された光モジュールにおける光モジュール用基板の平面図を示している。 （ａ）は図３（ａ）に示された光モジュールの他の変形例を示す縦断面図であり、（ｂ）は（ａ）に示された光モジュールにおける光モジュール用基板の平面図を示している。 （ａ）は図６（ａ）に示された光モジュールの変形例を示す縦断面図であり、（ｂ）は図６（ａ）に示された光モジュールの他の変形例を示す縦断面図である。 図５（ａ）等に示された光モジュールにおける熱伝導を模式的に示す図である。 図５（ａ）に示された光モジュールの変形例を示す縦断面図である。 （ａ）は本発明の第２の実施形態における光モジュールの一部分における縦断面図を示しており、（ｂ）は（ａ）に示された光モジュールにおける光モジュール用基板の平面図を示している。 図10（ａ）に示された光モジュールの変形例を示す縦断面図である。 光素子に対する熱の影響を低減させる技術的工夫を説明する縦断面図である。 光素子に対する熱の影響を低減させる他の技術的工夫を説明する縦断面図である。 光素子に対する熱の影響を低減させる他の技術的工夫を説明する縦断面図である。

以下、本発明のいくつかの例示的な実施形態について図面を参照して説明する。

（第１の実施形態）
第１の実施形態における光モジュールは、図１〜図３に示されているように、光モジュール用基板１（以下、単に基板１ともいう）と、基板１に接続された光配線板２と、基板１上に実装された半導体回路素子３と、光配線板２上に実装された光素子４とを含んでいる。

基板１は、絶縁基体11と、絶縁基体11の上面に設けられた半導体回路素子実装用パッド12（以下、単にパッド12ともいう）および光素子接続用電極13（以下、単に電極13ともいう）と、絶縁基体11内に設けられた内部配線14とを含んでいる。光素子接続用電極13とは、例えば図３（ａ）に示されているように、光配線板２を介して光素子４が接続されるものも含まれる。

絶縁基体11は、例えばセラミックス等の絶縁材料から成る平板状のものである。

パッド12は、絶縁基体11の上面のうち半導体回路素子実装領域30（以下、単に実装領域30ともいう）内に設けられている。半導体回路素子実装領域30とは、半導体回路素子３がフリップチップ接続によって実装される場合、平面視において半導体回路素子３と重なる領域のことをいう。図３（ｂ）において、実装領域30が、二点鎖線によって仮想的に示されている。複数のパッド12は、実装領域30の縁に沿って配置されている。

電極13は、絶縁基体11の上面のうち光配線板載置領域20（以下、単に載置領域20ともいう）内に設けられている。光配線板載置領域20とは、平面視において光配線板２と重なる領域のことをいう。図３（ｂ）において、載置領域20が、二点鎖線によって仮想的に示されている。複数の電極13は、載置領域20の縁に沿って配置されている。

図３（ｂ）において、光素子実装領域40（以下、単に実装領域40ともいう）が二点鎖線によって仮想的に示されており、電極13は実装領域40内に設けられている。光素子実装領域40とは、平面視において光素子４と重なる領域のことをいう。

内部配線14は、パッド12および電極13に電気的に接続された信号層14ｓと、信号層14ｓの上方または下方に設けられたグランド層14ｇとを含んでいる。図３（ａ）および図３（ｂ）に示された構造において、グランド層14ｇは、信号層14ｓの上方に設けられている。内部配線14は、信号層14ｓの延在方向に生じる電界と信号層14ｓを囲む方向に生じる磁界とによって電磁波を伝送し、高周波信号の伝送特性に適している。

信号層14ｓは、絶縁基体11内に設けられた第１のビア導体15（以下、単にビア導体15ともいう）を介してパッド12に電気的に接続されているとともに、絶縁基体11内に設けられた第２のビア導体16（以下、単にビア導体16ともいう）を介して電極13に電気的に接続されている。図３（ｂ）において、信号層14ｓは、絶縁基体11を透過した状態で破線によって示されている。平面視において、複数の信号層14ｓは、複数のパッド12と複数の電極13とを接続するように実装領域30と載置領域20との間において並んで配置されている。

図３（ｂ）に示されているように、グランド層14ｇは、複数の信号層14ｓを共通して覆うように設けられていてもよい。図３（ｂ）において、グランド層14ｇが、絶縁基体11を透過した状態で破線によって示されている。内部配線14における電磁波の伝送特性の観点から、グランド層14ｇは、信号線14ｓとビア導体15および16との接続部分を除いて、信号層14ｓの全長にわたって信号層14ｓを覆っているとよい。

光配線板２は、例えばフレキシブル光配線板またはフィルム光導波路等である。光配線板２は、基体部21と、基体部21内に設けられており光信号を伝送するための光伝送路22とを含んでいる。

基体部21および光伝送路22は、例えば樹脂材料から成り、互いに異なる光屈折率を有している。光伝送路22は、基体部21によって覆われており、基体部21よりも大きな光屈折率を有している。光信号は、基体部21と光伝送路22との光屈折率の差による光の全反射によって伝送される。

光配線板２は、伝送される光信号の進路方向を変換する光路変換部23をさらに含んでいる。光路変換部23は、例えば、光伝送路22の延存方向に対して約４５°の角度を持つ傾斜面となっており、その傾斜面には光を反射し得る金属層が形成されている場合もある。

光配線板２は、基体部21の下面および上面に設けられた下面電極24（以下、単に電極24ともいう）および上面25（以下、単に電極25ともいう）と、基体部21の内部において上下方向に設けられており電極24および25を電気的に接続している第３のビア導体26（以下、単にビア導体26ともいう）とをさらに含んでいる。電極24は、導電性接合材５によって電極13に電気的に接続されている。

光配線板２は、必要に応じて絶縁性接合材６によって絶縁基体11の上面に接合されている。電極13、電極24および導電性接合材５が絶縁性接合材６によって被覆されていると、電極13、電極24および導電性接合材５が保護されて、電気的特性を向上させることができる。

半導体回路素子３は、送信機能を有する場合は例えばドライバ回路素子であり、受信機能を有する場合は例えばレシーバ回路素子（ＴＩＡ：Trans Impedance Amplifier）であ
る。半導体回路素子３は、基板１の上面に実装されており、導電性接合材７によって複数のパッド12に電気的に接続されている。

光素子４は、送信機能を有する場合は例えば外部共振器型垂直面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ：Vertical Cavity Surface Emitting LASER）であり、受信機能を有する場合は例えばフォトダイオード（ＰＤ）である。光素子４は、光配線板２の上面に実装されており、導電性接合材８によって電極25に電気的に接続されている。

光素子４が絶縁基体11よりも熱伝導率の低い部材の上に実装されていると、半導体回路素子３によって発生された熱が光素子４に伝導されることを抑えることができる。本実施形態において、光素子４は、例えば樹脂から成る基体部21を有する光配線板２上に実装されている。

光素子４は、光配線板２の光伝送路22に光学的に結合されている。ここでいう光学的結合とは、光素子４と光伝送路22との間において光信号の授受が可能な状態のことをいう。例えば、図３（ａ）に示されているように光素子４から出力された光信号が光伝送路22へ入射され得る状態のことをいい、または、光伝送路22を伝送された光信号が光素子４へ入射され得る状態のことをいう。

図３（ａ）においては、光素子４から出力された光信号が光伝送路22へ入射される状態が模式的に破線矢印によって示されているが、本実施形態における技術的工夫は、光伝送路22を伝送された光信号が光素子４へ入射される光モジュールにおいても適用可能である。

また、図３（ａ）においては、半導体回路素子３から出力された電気信号が光素子４へ入力される状態が模式的に実線矢印によって示されているが、本実施形態における技術的工夫は、光素子４から出力された光信号が半導体回路素子３へ入力される光モジュールにおいても適用可能である。

本実施形態における光モジュール用基板１は、絶縁基体11内に設けられた内部配線14を含んでおり、内部配線14が、半導体回路素子実装用パッド12および光素子接続用電極13に電気的に接続された信号層14ｓと、信号層14ｓの上方に設けられたグランド層14ｇとを含んでいることによって、図４に模式的に示されているように、例えば、配線（例えばコプレーナライン構造の高周波用配線等）が絶縁基体の上面に設けられている構成に比べて、半導体回路素子３によって発生された熱を絶縁基体11の下面方向（すなわち、仮想のｚ軸の負方向）へ伝導させやすくなり、光素子４への熱の伝導を抑えることができる。したがって、本実施形態における光モジュール用基板１は、光素子４の動作特性に関して向上さ
れた光モジュールを実現することができる。図４において、半導体回路素子３によって発生された熱の伝導がブロック矢印によって模式的に示されている。

本実施形態における光モジュール用基板１は、絶縁基体11内に設けられた内部配線14を含んでおり、内部配線14が、半導体回路素子実装用パッド12および光素子接続用電極13に電気的に接続された信号層14ｓと、信号層14ｓの上方に設けられたグランド層14ｇとを含んでいることによって、半導体回路素子実装領域30と光素子実装領域40を離した場合にも、半導体回路素子３と光素子４との間における電気信号の伝送特性の低下を抑えることができる。したがって、本実施形態における光モジュール用基板１は、光素子４の動作特性が向上されているとともに電気信号の伝送特性が向上された光モジュールを実現することができる。

なお、図３（ａ）および図３（ｂ）に示されているように、グランド層14ｇが半導体回路素子３の下方にまで広がるように設けられていると、半導体回路素子３によって発生された熱を半導体回路素子３の下方において絶縁基体11の下面方向へ伝導させやすくなり、光素子４への熱の伝導を抑えることができる。

また、図３（ａ）および図３（ｂ）に示されているように、グランド層14ｇが半導体回路素子３の下方にまで広がるように設けられていると、例えば実装基板から半導体回路素子３へノイズがのる可能性が低減される。また、逆に、半導体回路素子３から実装基板へノイズがのる可能性も低減される。

また、グランド層14ｇが光素子４の下方まで広がらないようにグランド層14ｇの縁がビア導体16よりも半導体回路素子実装領域30側に位置していると、半導体回路素子３によって発生された熱がグランド層14ｇによって光素子４へ伝わることを抑えることができる。

なお、図５（ａ）および図５（ｂ）に示されているように、本実施形態における変形例として、グランド層14ｇが信号層14ｓの下方に設けられている構造のものがある。グランド層14ｇが信号層14ｓの下方に設けられていると、上下方向における半導体回路素子３とグランド層14ｇとの距離を大きくすることが可能となり、半導体回路素子３によって発生された熱がグランド層14ｇによって光素子４へ伝わることを抑えることができる。

また、平面視において、グランド層14ｇがビア導体16と重なる位置まで広がっていると、内部配線14による電気信号の伝送特性を向上させることができる。図５（ｂ）において、ビア導体16は、電極13を透過した状態で破線によって示されている。

なお、図６（ａ）および図６（ｂ）に示されているように、本実施形態における他の変形例として、グランド層14ｇが信号層14ｓの上方および下方の両方に設けられている構造のものがある。すなわち、内部配線14が、ストリップライン構造を有している。図６（ａ）および図６（ｂ）において、信号層14ｓの上方に設けられたグランド層14ｇが符号14ｇ_１によって示されており、信号層14ｓの下方に設けられたグランド層14ｇが符号14ｇ_２によって示されている。以下、グランド層14ｇ_１を第１のグランド層14ｇ_１ともいい、グランド層14ｇ_２を第２のグランド層14ｇ_２ともいう。

グランド層14ｇ（すなわち、グランド層14ｇ_１および14ｇ_２）が信号層14ｓの上方および下方に設けられていることによって、内部配線14による電磁波の伝送特性（すなわち、電気信号の伝送特性）を向上させることができる。

なお、図７（ａ）に示されているように、信号層14ｓの上方に設けられた第１のグランド層14ｇ_１が半導体回路素子３の下方まで広がらないように第１のグランド層14ｇ_１の縁
がビア導体15よりも光素子４側に位置していると、半導体回路素子３によって発生された熱が第１のグランド層14ｇ_１によって光素子４へ伝わることを抑えることができる。

また、図７（ｂ）に示されているように、信号層14ｓの下方に設けられた第２のグランド層14ｇ_２が半導体回路素子３の下方まで広がらないように第２のグランド層14ｇ_２の縁がビア導体15の下方に位置していると、半導体回路素子３によって発生された熱が第２のグランド層14ｇ_２によって光素子４へ伝わることを抑えることができる。

なお、図７（ａ）および図７（ｂ）において示された、グランド層14ｇが半導体回路素子３の下方まで広がらないようにする技術的工夫は、図３（ａ）および図５（ａ）等において示された他の構造例においても適用可能である。

ここで、図５等に示された光モジュールにおけるグランド層14ｇの平面的な広がりについて図８を参照して説明する。図８において、グランド層14ｇは、絶縁基体11を透過した状態で破線によって示されている。

グランド層14ｇが、半導体回路素子３を基準に光素子４の方向（すなわち、仮想のｘ軸の正方向）とは反対方向（すなわち、仮想のｘ軸の負方向）に広がっていると、半導体回路素子３によって発生された熱が光素子４の方向とは反対方向へ伝導されることになり、半導体回路素子３によって発生された熱が光素子４の方向へ伝導されることを抑えることができる。

また、グランド層14ｇが、半導体回路素子３を基準に光素子４の方向に垂直な方向（すなわち、仮想のｙ軸方向）に広がっていると、半導体回路素子３によって発生された熱が光素子４の方向に垂直な方向へ伝導されることになり、半導体回路素子３によって発生された熱が光素子４の方向へ伝導されることを抑えることができる。

なお、図８を参照して説明したグランド層14ｇの平面的な広がりに関する技術的工夫は、図６に示された光モジュールにおけるグランド層14ｇ_１および14ｇ_２、および図７に示された光モジュールにおけるグランド層14ｇ_２にも適用可能である。

また、図５等に示された光モジュールにおけるグランド層14ｇが設けられる位置について図９を参照して説明する。図５に示された光モジュールにおいてグランド層14ｇは絶縁基体11の内部に設けられているが、図９に示されているように、グランド層14ｇは絶縁基体11の下面に設けられていてもよい。グランド層14ｇが絶縁基体11の下面に設けられていると、半導体回路素子３によって発生された熱を実装基板へ伝導しやすくなり、熱が光素子４へ伝わることを抑えることができる。グランド層14ｇは、絶縁基体11の下面に接合された金属板から成るものであってもよい。この場合、金属板は絶縁基体11よりも熱伝導率の高いものである必要がある。

グランド層14ｇが絶縁基体11の下面に設けられる場合には、グランド層14ｇが絶縁基体11の内部に設けられる場合に比べて、そのグランド層14ｇを厚いものとしやすくなる。例えば絶縁基体11がセラミックスから成るとともにグランド層14ｇが絶縁基体11の内部に設けられる場合には、グランド層14ｇは絶縁基体11と一体的に焼成によって形成されるため、グランド層14ｇの厚みには制限がある。これに対して、グランド層14ｇが絶縁基体11の下面に設けられる場合には、例えば金属板から成るグランド層14ｇを絶縁基体11の下面に接合することによって信号層14ｓとともに高周波線路を形成することも可能となる。グランド層14ｇが金属板から成る場合は、焼成によって絶縁基体11の内部に形成されるグランド層14ｇよりも厚くしやすい。グランド層14ｇを厚いものとすることによって、実装基板への熱伝導を増大させることが可能となる。

なお、図９を参照して説明したグランド層14ｇを設ける位置に関する技術的工夫は、図６に示された光モジュールにおけるグランド層14ｇ_２、および図７（ａ）および図７（ｂ）に示された光モジュールにおけるグランド層14ｇ_２にも適用可能である。

（第２の実施形態）
第２の実施形態における光モジュールを図６に示された構成の変形例として図10（ａ）および図10（ｂ）を参照して説明する。なお、第２の実施形態における技術的工夫は、図６に示された構成だけでなく、第１の実施形態の他の構成においても適用可能である。

第２の実施形態の光モジュールにおいて第１の実施形態の光モジュールと異なる構成は、絶縁基体11の上面の構造、およびその絶縁基体11の上面において電極13が設けられている部分および光配線板２が設けられている部分である。その他の構成については、第１の実施形態における光モジュールと同様である。

絶縁基体11は、その上面の端部に設けられた凹部11ａを有している。信号層14ｓの一部が、凹部11ａの底面において絶縁基体11から露出されており、電極13が、信号層14ｓに接続されて、凹部11ａの底面（すなわち、絶縁基体11の上面）に設けられている。

光配線板２の端部は、その凹部11ａ内に配置されており、光配線板２の電極24は、導電性接合材５によって電極13に電気的に接合されている。光配線板２は、必要に応じて絶縁性接合材６によって凹部11ａの底面に接合されていてもよい。

本実施形態の光モジュール用基板１において、絶縁基体11が凹部11ａを有していることによって、光配線板２を凹部11ａ内に配置することができ、本実施形態の光モジュール用基板１は、低背化が図られた光モジュールを実現することができる。

また、本実施形態の光モジュールにおいて、光配線板２が絶縁基体11の凹部11ａ内に配置されていることによって、図10（ａ）において、信号層14ｓの右端部から光素子４への垂直方向の電気経路を短くしてインダクタンス成分を低減させることができるので、電気信号の伝送特性を向上させることができる。

また、図11に示されているように、凹部11ａの内側面と光配線板２の側面との間に間隙９が設けられるようにすると、絶縁基体11から光配線板２への熱の伝導が抑えられて、半導体回路素子３によって発生された熱が光素子４へ伝わることを抑えることができる。なお、絶縁基体11に対する光配線板２の接合強度を向上させたい場合には、間隙９にも絶縁性接合材６を設けて凹部11ａの内側面と光配線板２の側面とを接合してもよい。凹部11ａの内側面と光配線板２の側面との間に絶縁性接合材６が介在することによって絶縁基体11から光配線板２への熱伝導は抑えられるが、さらに熱伝導を低減させたい場合には、間隙９は空隙にしておく方がよい。

以下、光素子４に対する熱の影響をさらに低減させるための技術的工夫について説明する。

図12に示されているように、グランド層14ｇ_１が信号層14ｓの上方（すなわち、信号層14ｓよりも半導体回路素子３に近い部分）に設けられており、このグランド層14ｇ_１がビア導体17ａによって半導体回路素子３のグランド電極に熱的に結合されていると、半導体回路素子３によって発生された熱をグランド層14ｇ_１へ伝えやすくなる。

さらに、グランド層14ｇ_１がビア導体15を基準に光素子４の方向とは反対方向に設けら
れたビア導体17ｂおよび17ｃによって外部端子18に接続されていると、半導体回路素子３によって発生された熱を外部端子18へ伝えやすくなり、半導体回路素子３によって発生された熱が光素子４へ伝わることを抑えられる。

なお、半導体回路素子３の下方にグランド層14ｇ_２が設けられている場合には、半導体回路素子３の下方に設けられたビア導体17ｂによってグランド層14ｇ_１がグランド層14ｇ_２に熱的に結合されていると、光素子４に対する熱の影響を低減させることができる。

図12において、ビア導体17ａ〜17ｃは絶縁基体11を透過した状態で破線によって示されており、熱の優先的な伝導経路がブロック矢印によって模式的に示されている。なお、図12によって示された技術的工夫は、図３、図６、図10および図11に示された光モジュールにおいても適用可能である。

また、図13に示されているように、基板１が第１および第２のグランド層14ｇ_１，14ｇ_２を有している構造において、第１のグランド層14ｇ_１と第２のグランド層14ｇ_２とが複数のビア導体17ｂによって接続される場合には、複数のビア導体17ｂは、信号層14ｓに接続されたビア導体15を基準に光素子４側よりも光素子４から遠ざかる方向において偏在していると、半導体回路素子３によって発生された熱が光素子４へ伝わることを抑えられる。ここでいう偏在とは、ビア導体15を基準に光素子４側に設けられた複数のビア導体17ｂ同士の間隔よりも、ビア導体15を基準に光素子４から遠ざかる方向に設けられた複数のビア導体17ｂ同士の間隔の方が狭いことをいう。

図13において、ビア導体17ｂは絶縁基体11を透過した状態で破線によって示されており、熱の優先的な伝導経路がブロック矢印によって模式的に示されている。なお、図13によって示された技術的工夫は、図６、図10、図11および図12に示された光モジュールにおいても適用可能である。

また、図14に示されているように、信号層14ｓの下層にグランド層が設けられた構造においては、そのグランド層が、信号層14ｓの下方に設けられたグランド層14ｇ_２と、半導体回路素子３の下方に設けられたグランド層19とに分けられていると、光素子４に対する熱の影響を低減させることができる。

さらに、グランド層14ｇ_２とグランド層19とを電気的に接続させる必要がある場合には、これらグランド層14ｇ_２およびグランド層19の下方に設けられたグランド層20を介して電気的に接続すると、光素子４に対する熱の影響を低減させることができる。グランド層14ｓは、ビア導体17ｄによってグランド層20に電気的に接続されており、グランド層19は、ビア導体17ｅによってグランド層20に電気的に接続されている。

なお、図14に示された構造において、グランド層14ｇ_１よりも下方における伝熱経路は、光素子４から遠ざかる方向（紙面において左方向）へ延びている。すなわち、ビア導体17ｅは、一つ上の層に設けられたビア導体17ｂよりも左側に設けられている。

図14において、ビア導体17ｄおよび17ｅは絶縁基体11を透過した状態で破線によって示されており、熱の優先的な伝導経路がブロック矢印によって模式的に示されている。なお、図14によって示された技術的工夫は、図５、図６、図７（ａ）、図10、図11、図12および13に示された光モジュールにおいても適用可能である。

１ 光モジュール用基板
11 絶縁基体
12 半導体回路素子実装用パッド
13 光素子接続用電極
14 内部配線
14ｓ 信号層
14ｇ グランド層
15，16 ビア導体
２ 光配線板
３ 半導体回路素子
４ 光素子

Claims (7)

1. 半導体回路素子実装領域および光配線板載置領域を含む上面を有する絶縁基体と、
   前記絶縁基体の上面のうち前記半導体回路素子実装領域に設けられた半導体回路素子実装用パッドと、
   前記絶縁基体の上面に設けられた光素子接続用電極と、
   前記絶縁基体内に、平面視において前記半導体回路素子実装領域と前記光配線板載置領域との間に設けられているとともに、前記半導体回路素子実装用パッドおよび前記光素子接続用電極に電気的に接続された信号層と、該信号層の上方または下方に設けられたグランド層とを含んでいる内部配線と、
   前記光素子接続用電極と前記信号層とを接続しているビア導体とを備えており、
   前記グランド層の縁が前記ビア導体よりも前記半導体回路素子実装領域側に位置しており、前記グランド層の縁が前記ビア導体に接していないことを特徴とする光モジュール用基板。
2. 平面視において、前記グランド層が、半導体回路素子実装領域を基準に光素子実装領域の方向とは反対方向へ広がっていることを特徴とする請求項１に記載の光モジュール用基板。
3. 平面視において、前記グランド層が、半導体回路素子実装領域を基準に光素子実装領域の方向に垂直な方向へ広がっていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の光モジュール用基板。
4. 前記グランド層が、前記信号層の下方であって前記絶縁基体の下面に設けられていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の光モジュール用基板。
5. 前記絶縁基体が、前記上面の端部に設けられており、光配線板の端部が配置される凹部を有しており、
   前記光素子接続用電極が前記凹部の底面に設けられていることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の光モジュール用基板。
6. 前記内部配線が、前記信号層の上方および下方の両方に前記グランド層が設けられているストリップライン構造を有していることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の光モジュール用基板。
7. 請求項１に記載の光モジュール用基板と、
   前記絶縁基体の前記上面に設けられており、前記光素子接続用電極に電気的に接続されたビア導体を有している光配線板と、
   前記絶縁基体に実装されており、前記半導体回路素子実装用パッドに電気的に接続された半導体回路素子と、
   前記光配線板に実装されており、前記ビア導体に電気的に接続された光素子とを備えていることを特徴とする光モジュール。

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