JP5589950B2 - 電子装置 - Google Patents
電子装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5589950B2 JP5589950B2 JP2011103567A JP2011103567A JP5589950B2 JP 5589950 B2 JP5589950 B2 JP 5589950B2 JP 2011103567 A JP2011103567 A JP 2011103567A JP 2011103567 A JP2011103567 A JP 2011103567A JP 5589950 B2 JP5589950 B2 JP 5589950B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring board
- clip
- leg portion
- electronic device
- leg
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/36—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process
- H01L24/37—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process of an individual strap connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/36—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process
- H01L2224/37—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process of an individual strap connector
- H01L2224/37001—Core members of the connector
- H01L2224/37099—Material
- H01L2224/371—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/37117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
- H01L2224/37124—Aluminium [Al] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/36—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process
- H01L2224/37—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process of an individual strap connector
- H01L2224/37001—Core members of the connector
- H01L2224/37099—Material
- H01L2224/371—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/37138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/37147—Copper [Cu] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/36—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process
- H01L2224/37—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process of an individual strap connector
- H01L2224/37001—Core members of the connector
- H01L2224/37099—Material
- H01L2224/371—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/37138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/3716—Iron [Fe] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
- H01L2224/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
- H01L2224/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
- H01L2224/401—Disposition
- H01L2224/40151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/40221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/40225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/838—Bonding techniques
- H01L2224/83801—Soldering or alloying
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/84—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a strap connector
- H01L2224/848—Bonding techniques
- H01L2224/84801—Soldering or alloying
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/84—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a strap connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/0132—Binary Alloys
- H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/156—Material
- H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
- H01L2924/15787—Ceramics, e.g. crystalline carbides, nitrides or oxides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
一面(21)側を配線基板(10)の一面(11)に対向させた状態で配線基板(10)の一面(11)上に搭載された電子部品(20)と、
放熱性および導電性を有する金属製のものであって、配線基板(10)の一面(11)上にて電子部品(20)における一面(21)とは反対側の他面(22)上を覆うように設けられて電子部品(20)と電気的に接続された板状の板部(31)と、この板部(31)と一体に形成され板部(31)の外郭から配線基板(10)の一面(11)側にまで延びて配線基板(10)とはんだ(50)を介して電気的に接続された端子部(32)とを有するクリップ(30)と、を備え、
電子部品(20)に発生する熱が電子部品(20)の他面(22)側からクリップ(30)の板部(31)を介して放熱される電子装置において、
クリップ(30)には、板部(31)と一体に形成され板部(31)の外郭から配線基板(10)の一面(11)側に延びる脚部(33)が設けられており、
脚部(33)は、配線基板(10)に対して接合されることなく直接接触しており、
クリップ(30)は脚部(33)にて配線基板(10)に支持されることにより、配線基板(10)の一面(11)上におけるクリップ(30)の高さが規定されていることを特徴とする。
クリップ(30)の板部(31)の上面(31a)は平坦面であって、板部(31)の上面(31a)は、クリップ(30)の脚部(33)の支持によって配線基板(10)の一面(11)に水平な面とされていることにより、板部(31)の上面(31a)上のモールド樹脂(40)の厚さ(t)が一定とされていることを特徴とする(図1等参照)。
図1は、本発明の第1実施形態に係る電子装置の概略構成を示す図であり、図1において(a)は概略平面図、(b)は概略側面図である。
図2は、本発明の第2実施形態に係る電子装置の概略平面構成を示す図である。本実施形態は、上記第1実施形態に比べて、クリップ30における脚部33の位置が相違するものである。
図3は、本発明の第2実施形態に係る電子装置の概略構成を示す図であり、図3において(a)は概略平面図、(b)は概略側面図である。本実施形態は、上記第1実施形態に比べて、クリップ30における脚部33の加工方法が相違するものである。
図5は、本発明の第4実施形態に係る電子装置の概略構成を示す図であり、図5において(a)は概略平面図、(b)は概略側面図である。本実施形態は、上記第1実施形態に比べて、クリップ30における脚部33の形状を一部変形したところが相違するものである。
図6は、本発明の第5実施形態に係る電子装置の概略構成を示す図であり、図6において(a)は概略平面図、(b)は概略側面図である。上記各実施形態では、クリップ30には端子部32は1個のみであったが、端子部32は複数個設けられていてもよい。
図7は、本発明の第6実施形態に係る電子装置の概略構成を示す図であり、図7において(a)は概略平面図、(b)は概略側面図である。上記各実施形態では、クリップ30の板部31と配線基板10との間に設けられる電子部品20は1個であったが、この電子部品20は複数個であってもよい。
図8は、本発明の第7実施形態に係る電子装置の概略側面構成を示す図である。本実施形態は、上記第1実施形態に比べて、クリップ30における板部31に電子部品20が入り込む掘り込み31bを設けたところが相違するものである。
図9は、本発明の第8実施形態に係る電子装置の概略構成を示す図であり、図9において(a)は概略平面図、(b)は概略側面図である。本実施形態は、配線基板10のうちクリップ30の脚部33が接触する部位の構成を変形したものである。
図10は、本発明の第9実施形態に係る電子装置の概略構成を示す図であり、図10において(a)は概略平面図、(b)は概略側面図である。また、図11(a)、(b)、(c)はそれぞれ図10におけるストッパ16の平面形状のバリエーションを示す概略平面図である。
図12(a)、(b)、(c)、(d)は、それぞれ本発明の第10実施形態に係る電子装置の要部を示す概略断面図であり、クリップ30の脚部33と配線基板10との接触部の断面構成を示している。
図13は、本発明の第11実施形態に係る電子装置の概略平面構成を示す図である。この図13に示されるように、ひとつのダミーランド15に複数個の脚部33を接触させるようにしてもよい。脚部33と配線基板10とは非導通状態であるから、複数個の脚部33を一つのダミーランド15に接触させても影響は無い。
上述したが、上記各実施形態の電子装置は、配線基板10の一面11上に、はんだ50を介して、電子部品20およびクリップ30を搭載した後、脚部33と配線基板10(つまり、配線基板10のダミーランド15もしくは配線基板10の基材10a)とを直接接触させた状態で、はんだ50をリフローさせ、更に固化させた後、このものをモールド樹脂40で封止することにより製造される。
なお、上記各実施形態では、クリップ30の脚部33は複数個であったが、当該脚部33の配線基板10との接触面積が十分に確保され配線基板10へのクリップ30の支持が十分になされるならば、脚部33は1個であってもよい。
10a 配線基板の基材
11 配線基板の一面
13 ランド電極
15 ダミーランド
16 ストッパ
17 凹部
20 電子部品
21 電子部品の一面
22 電子部品の他面
30 クリップ
31 板部
31a 板部の上面
32 端子部
33 脚部
33a 脚部の凸部
40 モールド樹脂
41 モールド樹脂の上面
50 はんだ
Claims (8)
- 配線基板(10)と、
一面(21)側を前記配線基板(10)の一面(11)に対向させた状態で前記配線基板(10)の一面(11)上に搭載された電子部品(20)と、
放熱性および導電性を有する金属製のものであって、前記配線基板(10)の一面(11)上にて前記電子部品(20)の一面(21)とは反対側の他面(22)上を覆うように設けられて前記電子部品(20)と電気的に接続された板状の板部(31)と、この板部(31)と一体に形成され前記板部(31)の外郭から前記配線基板(10)の一面(11)側にまで延びて前記配線基板(10)とはんだ(50)を介して電気的に接続された端子部(32)とを有するクリップ(30)と、を備え、
前記電子部品(20)に発生する熱が前記電子部品(20)の他面(22)側から前記クリップ(30)の前記板部(31)を介して放熱される電子装置において、
前記クリップ(30)には、前記板部(31)と一体に形成され前記板部(31)の外郭から前記配線基板(10)の一面(11)側に延びる脚部(33)が設けられており、
前記脚部(33)は、前記配線基板(10)に対して接合されることなく直接接触しており、
前記クリップ(30)は前記脚部(33)にて前記配線基板(10)に支持されることにより、前記配線基板(10)の一面(11)上における前記クリップ(30)の高さが規定されていることを特徴とする電子装置。 - 前記配線基板(10)の一面(11)上にて、前記電子部品(20)および前記クリップ(30)の全体はモールド樹脂(40)により封止されており、
前記モールド樹脂(40)の上面(41)は、前記配線基板(10)の一面(11)に水平な面とされており、
前記クリップ(30)の前記板部(31)の上面(31a)は、平坦面であって、前記板部(31)の上面(31a)は、前記クリップ(30)の前記脚部(33)の支持によって前記配線基板(10)の一面(11)に水平な面とされていることにより、前記板部(31)の上面(31a)上の前記モールド樹脂(40)の厚さ(t)が、一定とされていることを特徴とする請求項1に記載の電子装置。 - 前記配線基板(10)は、前記配線基板(10)の一面(11)側のうち前記脚部(33)と接触する部位に、周囲とは電気的に絶縁されたダミーランド(15)を有するものであり、
前記脚部(33)は、前記ダミーランド(15)に接合することなく直接接触していることを特徴とする請求項1または2に記載の電子装置。 - 前記配線基板(10)は、前記配線基板(10)の一面(11)側のうち前記クリップ(30)の前記端子部(32)と接触する部位に、前記端子部(32)と前記配線基板(10)とを電気的に接続するためのランド電極(13)を有するものであり、
前記端子部(32)は、前記はんだ(50)を介して前記ランド電極(13)に電気的に接続されており、
前記ダミーランド(15)は、前記ランド電極(13)と同等かそれ以上の熱伝導性を有するものであることを特徴とする請求項3に記載の電子装置。 - 前記ダミーランド(15)は、前記ランド電極(13)と同等の熱伝導性を有するものであり、
前記ダミーランド(15)と前記ランド電極(13)とは、同一材料よりなることを特徴とする請求項4に記載の電子装置。 - 前記配線基板(10)は、基材(10a)と、前記基材(10a)における前記配線基板(10)の一面(11)側に設けられたランド電極(13)とを有するものであり、
前記脚部(33)は、前記配線基板(10)の基材(10a)に接合することなく直接接触していることを特徴とする請求項1または2に記載の電子装置。 - 前記配線基板(10)の一面(11)側において前記脚部(33)の周囲に位置する部位には、前記配線基板(10)の一面(11)と水平方向への前記脚部(33)の位置ずれを防止するストッパ(16)が設けられていることを特徴とする請求項6に記載の電子装置。
- 前記配線基板(10)は、前記配線基板(10)の一面(11)側のうち前記脚部(33)と接触する部位に、凹部(17)を有し、
前記脚部(33)は、前記凹部(17)に挿入される凸部(33a)を有し、
前記凸部(33a)が前記凹部(17)に挿入されることにより、前記配線基板(10)の一面(11)と水平方向への前記脚部(33)の位置ずれが防止されていることを特徴とする請求項1ないし7のいずれか1つに記載の電子装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011103567A JP5589950B2 (ja) | 2011-05-06 | 2011-05-06 | 電子装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011103567A JP5589950B2 (ja) | 2011-05-06 | 2011-05-06 | 電子装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012235010A JP2012235010A (ja) | 2012-11-29 |
JP5589950B2 true JP5589950B2 (ja) | 2014-09-17 |
Family
ID=47435044
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011103567A Expired - Fee Related JP5589950B2 (ja) | 2011-05-06 | 2011-05-06 | 電子装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5589950B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105720030A (zh) * | 2014-12-04 | 2016-06-29 | 万国半导体股份有限公司 | 基于小型栅极金属片的封装方法及封装结构及金属片框架 |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5799974B2 (ja) | 2013-05-23 | 2015-10-28 | 株式会社デンソー | 電子装置 |
CN108565254B (zh) * | 2013-10-21 | 2021-08-24 | 日本精工株式会社 | 半导体模块 |
JP6148171B2 (ja) * | 2013-12-27 | 2017-06-14 | 本田技研工業株式会社 | 半導体装置の製造方法および製造治具 |
WO2018159453A1 (ja) * | 2017-02-28 | 2018-09-07 | 株式会社村田製作所 | モジュール |
WO2024070884A1 (ja) * | 2022-09-28 | 2024-04-04 | ニデック株式会社 | 半導体モジュール |
JP2024094121A (ja) * | 2022-12-27 | 2024-07-09 | 日立Astemo株式会社 | 電気回路体および電力変換装置 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5717152U (ja) * | 1980-06-30 | 1982-01-28 | ||
JP3614079B2 (ja) * | 2000-03-24 | 2005-01-26 | 株式会社デンソー | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2001291823A (ja) * | 2000-04-05 | 2001-10-19 | Toshiba Digital Media Engineering Corp | 半導体装置 |
JP3851760B2 (ja) * | 2000-07-04 | 2006-11-29 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置、その実装方法、電子回路装置の製造方法及び該製造方法により製造された電子回路装置 |
JP2005011986A (ja) * | 2003-06-19 | 2005-01-13 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置 |
JP5633210B2 (ja) * | 2010-06-28 | 2014-12-03 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置 |
-
2011
- 2011-05-06 JP JP2011103567A patent/JP5589950B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105720030A (zh) * | 2014-12-04 | 2016-06-29 | 万国半导体股份有限公司 | 基于小型栅极金属片的封装方法及封装结构及金属片框架 |
CN105720030B (zh) * | 2014-12-04 | 2018-07-31 | 万国半导体股份有限公司 | 基于小型栅极金属片的封装方法及封装结构及金属片框架 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012235010A (ja) | 2012-11-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5589950B2 (ja) | 電子装置 | |
JP5383621B2 (ja) | パワー半導体装置 | |
US10555418B2 (en) | Component module | |
WO2018193828A1 (ja) | 金属部材付き基板、回路構成体及び電気接続箱 | |
KR20150038364A (ko) | 전력용 반도체 장치 | |
JP2013123011A (ja) | 電子装置 | |
JP5169800B2 (ja) | 電子装置 | |
JP6043049B2 (ja) | 半導体装置の実装構造及び半導体装置の実装方法 | |
US7688591B2 (en) | Electronic-component-mounting board | |
CN114008769A (zh) | 部件内置基板及部件内置基板的制造方法 | |
WO2018123584A1 (ja) | 回路構成体及び電気接続箱 | |
JP2011228335A (ja) | 半導体装置 | |
JP2019129237A (ja) | 電子部品、電子部品の製造方法、機構部品 | |
JP2015149363A (ja) | 半導体モジュール | |
JP2018107414A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP4946959B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2011023469A (ja) | 回路モジュール | |
JP2013065887A (ja) | 電子装置 | |
JP7548089B2 (ja) | 回路装置 | |
US11626361B2 (en) | Power semiconductor module | |
JPH11251497A (ja) | 電子回路モジュール | |
JP2018022764A (ja) | 電子装置 | |
JP2008028212A (ja) | 回路モジュールおよび電気的接続構造 | |
JP5800076B2 (ja) | 電子装置および電子装置の取付構造 | |
JP2019029517A (ja) | 回路基板構造及び回路基板構造の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130802 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140526 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140701 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140714 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5589950 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |