JP5585554B2 - 単結晶育成装置 - Google Patents
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Description
前記シールドは、炭素繊維断熱材からなるヒートシールドと、少なくとも該ヒートシールドの前記ヒーター側に炭素材又は炭素繊維複合材からなるインナーシールドとを有するものであり、
前記インナーシールドは、支持部材によって前記メインチャンバーの天井から吊るされたものであることを特徴とする単結晶育成装置を提供する。
前記支持部材は、シールド上部に配された上部断熱材に形成される貫通孔または切り欠きを通るものであることが好ましい。
炭素材からなるインナーシールドを図3に示したようなタングステンワイヤー3本からなる支持部材で吊るし、ヒートシールド及びインナーシールドの上部に更に上部断熱材を配して切り欠きを設けて図5に示したような形状とし、この切り欠きに上記支持部材を通した他は図1のような単結晶育成装置を準備した。このとき、タングステンワイヤーの直径を3.5mmとし、インナーシールドの厚さは10mmとした。
図2に示したように支持部材で炭素材からなるインナーシールドを下から支える単結晶育成装置を準備した。このとき、インナーシールドは、図2に示したようにメインチャンバー底部に設置された炭素材で形成された湯漏れ受皿の上に、炭素材で形成された延長筒形状の支持部を載せ、その上に炭素繊維複合材で形成されたドーナツ形状の円盤によって保持する構造とした。また、このときインナーシールドの厚さは10mm、支持部材の厚さは15mmとした。
Claims (6)
- 原料融液を収容するルツボと、該ルツボを取り囲むように配置されたヒーターと、該ヒーターを取り囲むように配置されたシールドとを格納するメインチャンバーを有するチョクラルスキー法による単結晶育成装置であって、
前記シールドは、炭素繊維断熱材からなるヒートシールドと、該ヒートシールドの前記ヒーター側に炭素材又は炭素繊維複合材からなるインナーシールドとを有するものであり、
前記インナーシールドは、支持部材によって前記メインチャンバーの天井から吊るされたものであることを特徴とする単結晶育成装置。 - 前記支持部材は、ワイヤー形状又は棒状であることを特徴とする請求項1に記載の単結晶育成装置。
- 前記支持部材がワイヤー形状の場合は、前記インナーシールド上端部に設けられた穴、又は、前記インナーシールド上端部にねじ込み式若しくは接着式によって固定されたアイボルトを通じて前記インナーシールドを吊るすものであり、
前記支持部材が棒状の場合は、前記インナーシールド上端部に設けられた穴にねじ込み式又は接着式によって直接前記インナーシールドを吊るすものであることを特徴とする請求項2に記載の単結晶育成装置。 - 前記ヒートシールド及び前記インナーシールドの上部に更に上部断熱材が配されたものであり、
前記支持部材は、前記シールド上部に配された断熱材に形成される貫通孔または切り欠きを通るものであることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の単結晶育成装置。 - 前記支持部材は、高融点金属又は炭素繊維材からなるものであり、前記高融点金属は、Mo、W、又はTiであることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の単結晶育成装置。
- 前記シールドは、底部に突起部を有する前記インナーシールドと、該インナーシールドの突起部により保持された前記ヒートシールドとを有するものであることを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載の単結晶育成装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011184729A JP5585554B2 (ja) | 2011-08-26 | 2011-08-26 | 単結晶育成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2011184729A JP5585554B2 (ja) | 2011-08-26 | 2011-08-26 | 単結晶育成装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2013043817A JP2013043817A (ja) | 2013-03-04 |
JP5585554B2 true JP5585554B2 (ja) | 2014-09-10 |
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ID=48007999
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2011184729A Active JP5585554B2 (ja) | 2011-08-26 | 2011-08-26 | 単結晶育成装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5585554B2 (ja) |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3128795B2 (ja) * | 1995-06-09 | 2001-01-29 | 信越半導体株式会社 | チョクラルスキー法による結晶製造装置および製造方法 |
JP3531333B2 (ja) * | 1996-02-14 | 2004-05-31 | 信越半導体株式会社 | チョクラルスキー法による結晶製造装置、結晶製造方法、およびこの方法から製造される結晶 |
JPH10139581A (ja) * | 1996-09-10 | 1998-05-26 | Toyo Tanso Kk | 単結晶引上げ装置用高温部材 |
JPH11255575A (ja) * | 1998-03-12 | 1999-09-21 | Super Silicon Kenkyusho:Kk | 単結晶引上げ装置及びその冷却方法 |
JP4235282B2 (ja) * | 1998-07-31 | 2009-03-11 | 信越半導体株式会社 | 結晶引き上げ装置および結晶引き上げ方法 |
JP2001010890A (ja) * | 1999-06-23 | 2001-01-16 | Mitsubishi Materials Silicon Corp | 単結晶引上装置 |
JP3909675B2 (ja) * | 2001-04-20 | 2007-04-25 | 信越半導体株式会社 | シリコン単結晶の製造装置及びそれを用いたシリコン単結晶の製造方法 |
JP4345617B2 (ja) * | 2004-09-01 | 2009-10-14 | トヨタ自動車株式会社 | Cvd装置 |
JP2007204332A (ja) * | 2006-02-03 | 2007-08-16 | Sumco Corp | 単結晶製造装置および単結晶製造方法 |
JP5392040B2 (ja) * | 2009-12-04 | 2014-01-22 | 信越半導体株式会社 | 単結晶製造装置及び単結晶製造方法 |
JP5500134B2 (ja) * | 2011-08-10 | 2014-05-21 | 信越半導体株式会社 | 単結晶育成装置 |
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2011
- 2011-08-26 JP JP2011184729A patent/JP5585554B2/ja active Active
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Publication number | Publication date |
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JP2013043817A (ja) | 2013-03-04 |
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