CN105603510A - 一种单晶生长炉 - Google Patents

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孙曙光
张凤
郭维
陈浩
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Abstract

一种单晶生长炉，包括水冷提拉杆，所述水冷提拉杆内设有籽晶，水冷提拉杆下端设有坩埚，坩埚内设有晶体，坩埚底部设有干锅支撑，坩埚侧面及底部设有加热器，加热器四周设有保温屏，保温屏与坩埚顶部的坩埚口之间设有反射屏，保温屏底部设有底座，底座及保温屏外部设有壳体；本发明的优点是晶体生长炉结构简单，绝热层的绝热效果好，保温效果好，节约能源，晶体生长均匀。

Description

一种单晶生长炉
技术领域
本发明涉及机械设备技术领域，具体涉及一种单晶生长炉。
背景技术
晶体是在物相转变的情况下形成的。物相有三种，即气相、液相和固相。只有晶体才是真正的固体；由气相、液相转变成固相时形成晶体，固相之间也可以直接产生转变；晶体生成的一般过程是先生成晶核，而后再逐渐长大。一般认为晶体从液相或气相中的生长有三个阶段：①介质达到过饱和、过冷却阶段；②成核阶段；②生长阶段。在某种介质体系中，过饱和、过冷却状态的出现，并不意味着整个体系的同时结晶。体系内各处首先出现瞬时的微细结晶粒子。这时由于温度或浓度的局部变化，外部撞击，或一些杂质粒子的影响，都会导致体系中出现局部过饱和度、过冷却度较高的区域，使结晶粒子的大小达到临界值以上。这种形成结晶微粒子的作用称之为成核作用。
晶体生长需要用到晶体生长炉，目前的晶体生长炉结构复杂，保温效果差，效能能源多，晶体生长不均匀。
发明内容
为克服上述技术问题，本发明提供一种单晶生长炉，采用的技术方案如下：
一种单晶生长炉，包括水冷提拉杆，所述水冷提拉杆内设有籽晶，水冷提拉杆下端设有坩埚，坩埚内设有晶体，坩埚底部设有干锅支撑，坩埚侧面及底部设有加热器，加热器四周设有保温屏，保温屏与坩埚顶部的坩埚口之间设有反射屏，保温屏底部设有底座，底座及保温屏外部设有壳体。
所述坩埚支撑底部设有螺纹调节。
所述坩埚支撑材料为钼。
所述底座由保温材料制成。
本发明的优点是：晶体生长炉结构简单，绝热层的绝热效果好，保温效果好，节约能源，晶体生长均匀。
附图说明
图1为本发明的拆分结构示意图。
具体实施方式
如图1所示，一种单晶生长炉，包括水冷提拉杆1，所述水冷提拉杆1内设有籽晶3，水冷提拉杆1下端设有坩埚7，坩埚7内设有晶体6，坩埚7底部设有干锅支撑9，坩埚7侧面及底部设有加热器5，加热器5四周设有保温屏2，保温屏2与坩埚7顶部的坩埚口之间设有反射屏4，保温屏2底部设有底座10，底座10及保温屏2外部设有壳体，保护产品内部结构，同时起防护作用。
所述坩埚支撑9底部设有螺纹调节，从而方便调节高低。
所述坩埚支撑9材料为钼，耐高温。
所述底座10由保温材料制成，保温效果好。

Claims (4)

1.一种单晶生长炉，包括水冷提拉杆（1），其特征在于：所述水冷提拉杆（1）内设有籽晶（3），水冷提拉杆（1）下端设有坩埚（7），坩埚（7）内设有晶体（6），坩埚（7）底部设有干锅支撑（9），坩埚（7）侧面及底部设有加热器（5），加热器（5）四周设有保温屏（2），保温屏（2）与坩埚（7）顶部的坩埚口之间设有反射屏（4），保温屏（2）底部设有底座（10），底座（10）及保温屏（2）外部设有壳体。
2.根据权利要求1所述的一种单晶生长炉，其特征在于：所述坩埚支撑（9）底部设有螺纹调节。
3.根据权利要求1所述的一种单晶生长炉，其特征在于：所述坩埚支撑（9）材料为钼。
4.根据权利要求1所述的一种单晶生长炉，其特征在于：所述底座（10）由保温材料制成。
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