JP5578176B2 - 物理量センサ - Google Patents
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Description
図1Aは本発明の実施の形態1における物理量センサの上面図である。図1Bは図1Aの1B−1B線断面図である。図1Cは図1Aの1C−1C線断面図である。図1Dは図1Bの物理量センサに増幅器及びゲイン調整・移相器を接続した図である。図1A〜Dにおいて、半導体基板21はシリコン等からなり、表面には酸化シリコン層や窒化シリコン層からなる絶縁層(図示せず)が形成されている。梁部22は半導体基板21をエッチング処理して形成したものであり、物理量の作用により固有振動数が変化する梁状の振動体を構成している。固定部23は梁部22を取り囲んでおり、梁状の振動体の両端を支持している。梁部22の表面の中央部には下から順に下部電極(図示せず)、PZT等からなる圧電体層(図示せず)、及び上部電極(図示せず)からなる駆動素子24(第1の圧電素子)が形成されている。また梁部22の両端部には梁部22の中心に対して対称な位置に下から順に下部電極(図示せず)、PZT等からなる圧電体層(図示せず)、及び上部電極(図示せず)からなるフィードバック素子25,26(第2、第3の圧電素子)が形成されている。そして、駆動素子24、フィードバック素子25,26は配線パターン(図示せず)によりランド27に電気的に接続されている。また、この物理量センサは梁部22の両端の固定部23において、物体を構成する起歪体28に発生する歪が振動子に伝達されるようにAu−Au接合等の金属系接合材やエポキシ樹脂等の剛性を有する物質29で接続固定されている。
図3Aは本発明の実施の形態2における物理量センサの上面図、図3Bは図3Aの3B−3B線断面図、図3Cは図3Bの物理量センサに増幅器及びゲイン調整・移相器を接続した図である。なお、この実施の形態2においては、上記した実施の形態1の構成と同様の構成を有するものについては、同一符号を付しており、その説明は省略する。
22 梁部(梁状の振動体)
23 固定部
24 駆動素子
25,26 フィードバック素子
28 起歪体
29 剛性を有する物質
30 増幅器
31 ゲイン調整・移相器
40 フィードバック素子
41,42 駆動素子
50 検出素子
51,52 駆動素子
53,54 フィードバック素子
Claims (5)
- 梁状の振動体と、
前記振動体の両端を支持する固定部と、
前記振動体の中央部に形成した第1の圧電素子と、
前記振動体の一方の端部に形成した第2の圧電素子と、
前記振動体の他方の端部に形成した第3の圧電素子とを備え、
前記第1の圧電素子を駆動素子とし、
前記第2の圧電素子と前記第3の圧電素子をフィードバック素子として、
前記振動体を前記振動体と前記第1の圧電素子の積層方向に振動させる物理量センサ。 - 梁状の振動体と、
前記振動体の両端を支持する固定部と、
前記振動体の中央部に形成した第1の圧電素子と、
前記振動体の一方の端部に形成した第2の圧電素子と、
前記振動体の他方の端部に形成した第3の圧電素子とを備え、
前記第1の圧電素子をフィードバック素子とし、
前記第2の圧電素子と前記第3の圧電素子を駆動素子として、
前記第2の圧電素子と前記第3の圧電素子とを同振幅、同位相で駆動することにより、
前記振動体を前記振動体と前記第1の圧電素子の積層方向に振動させる物理量センサ。 - 梁状の振動体と、
前記振動体の両端を支持する固定部と、
前記振動体の中央部に形成した第1の圧電素子と、
前記振動体の一方の端部に形成した第2の圧電素子と、
前記振動体の他方の端部に形成した第3の圧電素子と、
前記第2の圧電素子の近傍に形成した第4の圧電素子と、
前記第3の圧電素子の近傍に形成した第5の圧電素子とを備え、
前記第1の圧電素子を検出素子とし、
前記第2の圧電素子及び前記第3の圧電素子を駆動素子とし、
前記第4の圧電素子及び前記第5の圧電素子をフィードバック素子とし、
前記第2の圧電素子と前記第3の圧電素子とを同振幅、同位相で駆動することにより、
前記振動体を前記振動体と前記第1の圧電素子の積層方向に振動させ、
振動状態を前記第4の圧電素子及び前記第5の圧電素子でフィードバックし、
前記第1の圧電素子で前記振動体の振動数を検出する物理量センサ。 - 前記第2の圧電素子と前記第3の圧電素子は前記振動体の中心に対して対称な位置に形成されていることを特徴とする
請求項1から請求項3までのいずれか1項に記載の物理量センサ。 - 前記第4の圧電素子と前記第5の圧電素子は前記振動体の中心に対して対称な位置に形成されていることを特徴とする
請求項3に記載の物理量センサ。
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