JP5576250B2 - 電圧測定装置 - Google Patents

Description

本発明は、複数の電圧測定点の電位を電圧測定回路によって検出する電圧測定装置に関する。

例えば複数の単位セルを直列接続してなる組電池について、単位セルそれぞれの電位を共通の電圧測定回路で検出するため、ＭＯＳＦＥＴで構成されるスイッチ回路を用いて各単位セルの端子と電圧測定回路との間の接続を切り替える構成を採用することがある。特許文献１，２では、測定電圧がＭＯＳＦＥＴのゲート−ソース間耐圧より高くなる場合でもスイッチ回路を問題なく動作させるように、２つのＭＯＳＦＥＴを直列に接続してゲート−ソース間に接続した抵抗素子に電流を流すことでスイッチ回路をオンさせる構成を採用している。

特開２００６−５３１２０号公報 特許第４４５０８１７号公報

しかしながら、特許文献１，２では、上記抵抗素子に流す電流の電源として単位セルを用いている。そのため、ＭＯＳＦＥＴのオン抵抗によって電圧降下が発生する。また、各単位セルに、ノイズ除去用のフィルタ回路が接続されている場合には、フィルタ回路を構成する抵抗素子においても電圧降下が発生する。したがって、その電圧降下分が測定に影響を及ぼすことになり、正確な測定ができないという問題があった。

本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、スイッチ回路をオンさせるために流す電流による電圧降下を回避して、電圧を測定できる電圧測定装置を提供することにある。

請求項１記載の電圧測定装置によれば、各電圧測定点と電圧測定回路との間に接続されるスイッチ回路の通電部を、電源側定電流回路とグランド側定電流回路との間で定電流が流れる経路に接続する。そして、制御回路が、電源側定電流回路及びグランド側定電流回路の動作を制御することでスイッチ回路のオンオフを制御する。したがって、スイッチ回路の通電部に流すための電流を、電圧の測定対象から電圧測定点を介して流出させることが無いので、当該経路に含まれる抵抗分による電圧降下が発生せず、電圧の測定を安定して行うことができる。

請求項２記載の電圧測定装置によれば、スイッチ回路を、寄生ダイオードが互いに逆向きとなるように直列接続される２つの同チャネル型ＭＯＳＦＥＴの直列回路と、これらのＭＯＳＦＥＴのゲート，ソース間に接続される抵抗素子とで構成する。斯様に構成すれば、寄生ダイオードを介して電流が流れることを防止し、抵抗素子に流れる電流によりＭＯＳＦＥＴのゲート，ソース間に電位差を発生させて、スイッチ回路を導通させることができる。

請求項３又は４記載の電圧測定装置によれば、ＭＯＳＦＥＴを、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ（請求項３）又はＮチャネルＭＯＳＦＥＴ（請求項４）とするので、抵抗素子の端子電圧でＭＯＳＦＥＴのゲート電位をソース電位よりも低下させるか、若しくは上昇させることで、スイッチ回路を導通させることができる。

請求項５又は６記載の電圧測定装置によれば、２つのＭＯＳＦＥＴを、ソース共通で（請求項５）又はドレイン共通で（請求項６）接続するので、寄生ダイオードが互いに逆方向になる。

請求項７記載の電圧測定装置によれば、電圧測定の対象を、複数の単位セルからなる組電池における単位セルの各端子電圧とする。すなわち、従来技術の場合、スイッチ回路をオンしている間は測定対象である単位セルの電力を消費するため、各単位セル間の電圧にばらつきが生じる原因となる。これに対して本発明を適用すれば、単位セルの電力を消費することなく電圧が測定できるので、各単位セル間の電圧にばらつきが生じすることを防止できる。

請求項８記載の電圧測定装置によれば、電圧測定回路を、複数の電圧測定点に対して１つだけ設けるので、各スイッチ回路のオンオフを制御することで、１つの電圧測定回路で各電圧測定点の電位を個別に測定できる。

請求項９記載の電圧測定装置によれば、高電位用スイッチ回路を、ソースが電圧測定点に接続され、ドレインが電圧測定回路に接続されるＰチャネルＭＯＳＦＥＴと、その電圧測定点とＰチャネルＭＯＳＦＥＴのゲートとの間に接続される抵抗素子で構成し、前記ゲートに定電流経路が接続されるグランド側定電流回路を備え、制御回路がグランド側定電流回路の動作を制御することで高電位用スイッチ回路のオンオフを制御する。すなわち、電位が電圧測定点中最高である電圧測定点については、高電位用スイッチ回路をオンした場合に、電圧測定回路側から電圧測定点側に電流が逆流することが無い。したがって、高電位用スイッチ回路を１つのＰチャネルＭＯＳＦＥＴで構成できる。

請求項１０記載の電圧測定装置によれば、低電位用スイッチ回路を、ソースが電圧測定点に接続され、ドレインが電圧測定回路に接続されるＮチャネルＭＯＳＦＥＴと、一端が電源側定電流回路の定電流経路及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴのゲートに接続され、他端がグランド側定電流回路に接続される抵抗素子とで構成する。そして、制御回路が電源側定電流回路の動作を制御することで低電位用スイッチ回路のオンオフを制御する。すなわち、電位がグランド電圧以下で且つ電圧測定点中で最低である電圧測定点については、低電位用スイッチ回路をオンした場合に、電圧測定点側から電圧測定回路側に電流が逆流することが無い。したがって、低電位用スイッチ回路を１つのＮチャネルＭＯＳＦＥＴで構成できる。

請求項１１記載の電圧測定装置によれば、電源側定電流回路及びグランド側定電流回路をカレントミラー回路で構成し、制御回路は、電源側定電流回路及びグランド側定電流回路を動作させるための定電流を供給する回路で構成する。斯様に構成すれば、制御回路が定電流を供給することで電源側定電流回路及びグランド側定電流回路が動作して、カレントミラー回路の定電流経路にミラー電流が流れるので、スイッチ回路の通電部に通電することができる。

請求項１２記載の電圧測定装置によれば、グランド側定電流回路をカレントミラー回路で構成し、制御回路は、そのカレントミラー回路の制御電流経路に定電流を供給する。また、電源側定電流回路は制御回路と連動して、前記カレントミラー回路のミラー電流経路に、制御回路によって供給される定電流に等しい定電流を供給する。したがって、制御回路と電源側定電流回路とがグランド側のカレントミラー回路を動作させる電流を流すことで、スイッチ回路の通電部に通電することができる。

第１実施例であり、電圧測定装置の電気的構成を概略的に示す図 制御回路の詳細構成を示す図 第２実施例を示す図１相当図 第３実施例を示す図１相当図 第４実施例を示す図１相当図 図２相当図 第５実施例を示す図１相当図 第６実施例を示す図１相当図 第７実施例を示す図１相当図 第８実施例を示す図１相当図 第９実施例を示す図１相当図 第１０実施例を示す図１相当図 第１１実施例を示す図２相当図

（第１実施例）
以下、第１実施例について図１及び図２を参照して説明する。図１は、測定対象における各部の電位を、共通の電圧測定回路によって測定する電圧測定装置の電気的構成を概略的に示すものである。測定対象１は、例えば複数の単位セルを直列に接続して構成される組電池などであるが、ここでは、それぞれ異なる電位を示す複数の電圧測定点２を有しているものとする。各電圧測定点２は、ノイズ除去用のローパスフィルタ３を構成する抵抗素子３Ｒを介して測定端子４に接続されている。また、抵抗素子３Ｒと測定端子４との共通接続点には、抵抗素子３Ｒと共にローパスフィルタ３を構成するコンデンサ３Ｃが接続されている。尚、図１ではコンデンサ３Ｃの一端の接続先は明示されていないが、これは、測定端子４の電位測定をどのような形態で行うかに応じて最適となる基準電位を選択して接続することになる。

各電圧測定点２に対応する測定端子４と電圧測定回路５との間には、選択回路６が接続されている。選択回路６は、複数のスイッチ回路７を備えており、スイッチ回路７の一端側は測定端子４にそれぞれ接続され、他端側は電圧測定回路５の入力端子に共通に接続されている。スイッチ回路７は、ソース及びゲートがそれぞれ共通に接続された２つのＰチャネルＭＯＳＦＥＴ８，９と、上記ソース，ゲート間に接続される抵抗素子（通電部）１０とで構成されている。すなわち、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ８，９は、それぞれの寄生ダイオード８Ｄ，９Ｄがカソード共通で互いに逆方向となる状態で接続されている。

また、選択回路６は、各スイッチ回路７に対応して、電源側に接続される電源側定電流回路１１とグランドＧＮＤ側に接続されるグランド側定電流回路１２とを備えている。電源側定電流回路１１は、４つのＰチャネルＭＯＳＦＥＴで構成されており、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１３ａ及び１３ｂのミラー対とＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１４ａ及び１４ｂのミラー対とを直列に接続した、カスコード型のカレントミラー回路を構成している。尚、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１３ａ及び１３ｂのゲートはＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１３ａのドレインに接続され、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１４ａ及び１４ｂのゲートはＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１４ａのドレインに接続されている。

一方、グランド側定電流回路１２は、６つのＮチャネルＭＯＳＦＥＴで構成されており、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１５ａ，１５ｂ，１５ｃのミラー対（１５ａ−１５ｂ，１５ａ−１５ｃ）と、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１６ａ，１６ｂ，１６ｃのミラー対とを直列に接続した、カスコード型のカレントミラー回路を構成している。尚、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１５ａ，１５ｂ，１５ｃのゲートはＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１５ａのドレインに接続され、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１６ａ，１６ｂ，１６ｃのゲートはＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１６ａのドレインに接続されている。

ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１６ｂのドレインは、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１４ａのドレインに接続されており、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１６ｃのドレインは、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ８及び９のゲートに接続され、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１４ｂのドレインは、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ８及び９のソースに接続されている。すなわち、スイッチ回路７を構成する抵抗素子１０は、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１４ｂのドレインとＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１６ｃのドレインとの間であるミラー電流経路（定電流経路，図１中ではスイッチング制御電流経路）に接続されている。

制御回路１７は、グランド側定電流回路１２のＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１６ａ,１５ａ側に定電流Ｉrefを供給することで、グランド側定電流回路１２及び電源側定電流回路１１を動作させる。図２は、制御回路１７の詳細構成を示す。電源（２）には、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１８ａ,１８ｂからなるカレントミラー回路１８が接続されており、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１８ａのドレインは、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１９及び抵抗素子２０を介してグランドＧＮＤ（２）に接続されている。

ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１８ｂのドレインは、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２１を介してグランドＧＮＤ（２）に接続されている。ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１８ａ,１８ｂのゲートは、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１８ａのドレインに接続されている。ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１９のゲートは、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１８ｂのドレインに接続され、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２１のゲートは、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１９のソースに接続されている。また、電源（２）には、２つのＰチャネルＭＯＳＦＥＴ２２及び２３の直列回路が接続されており、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ２３のゲートは、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１８のゲートに、ドレインは、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１６ａのドレインに接続されている。

すなわち、制御回路１７は、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１９及び２１と抵抗素子２０とからなる電流源部と、カレントミラー回路１８とを組み合わせた自己バイアス型の定電流回路を構成しており、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２１の閾値電圧Ｖthと、抵抗素子２０の抵抗値Ｒとで規定される定電流にほぼ等しいミラー電流Ｉrefを発生させる。そして、電流Ｉrefの供給は、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ２２のゲートに与えられるＯＮ／ＯＦＦ信号によって制御される。

次に、本実施例の作用について説明する。制御回路１７において、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ２２のゲートに与えられるＯＮ／ＯＦＦ信号が電源（２）のレベルと同程度のハイレベルであれば、グランド側定電流回路１２に定電流Ｉrefは供給されず、グランド側定電流回路１２及び電源側カレントミラー回路１１の動作は停止する。したがって、スイッチ回路７の抵抗素子１０に電流は流れず、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ８及び９はオフするので、測定端子４と電圧測定回路５との間は遮断される。

一方、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ２２のゲートに与えられるＯＮ／ＯＦＦ信号が、電源（２）のレベルよりも閾値電圧以上低下したローレベルになると、グランド側定電流回路１２に定電流Ｉrefが供給され、グランド側定電流回路１２及び電源側カレントミラー回路１１が動作する。したがって、スイッチ回路７の抵抗素子１０に、定電流Ｉrefのミラー電流Ｉｇが流れる。抵抗素子１０の抵抗値をＲ１とすると、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ８及び９のゲート電位は、ソース電位から（Ｒ１×Ｉｇ）だけ低下するので、その電圧降下分が閾値電圧を超えていればＰチャネルＭＯＳＦＥＴ８及び９はオンする。これにより、測定端子４と電圧測定回路５との間はスイッチ回路７を介して導通される。

尚、この場合、図に破線で示すように、抵抗素子１０と並列にツェナーダイオード２４を接続しておけば、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ８及び９のゲート−ソース間電圧をツェナーダイオード２４のツェナー電圧Ｖｚでクランプすることができる。そして、電圧測定回路５は、自身の基準電位（例えばグランド）を基準として、制御回路１７によってオンされたスイッチ回路１７に対応する測定端子４の電位を測定する。

以上のように本実施例によれば、測定対象１の各電圧測定点２と電圧測定回路５との間に接続されるスイッチ回路７の抵抗素子１０を、電源側定電流回路１１とグランド側定電流回路１２との間で定電流（ミラー電流）が流れる経路に接続する。そして、制御回路１７が、電源側定電流回路１１及びグランド側定電流回路１２の動作を制御することで、スイッチ回路７のオンオフを制御するようにした。したがって、スイッチ回路７の抵抗素子１０に通電するための電流を、測定対象１から電圧測定点２を介して流出させることが無いので、当該経路に含まれる抵抗分による電圧降下が発生せず、電圧の測定を安定して行うことができる。

そして、スイッチ回路７を、寄生ダイオード８Ｄ，９Ｄが互いに逆向きとなるようにソース共通で接続される２つのＰチャネルＭＯＳＦＥＴ８，９の直列回路と、これらのゲート，ソース間に接続される抵抗素子１０とで構成したので、寄生ダイオード８Ｄ，９Ｄを介して電流が流れることを防止し、抵抗素子１０に流れる電流によりゲート，ソース間に電位差を発生させて、スイッチ回路７を導通させることができる。
また、従来とは異なり、スイッチ回路７をオンさせるために流す電流がＰチャネルＭＯＳＦＥＴ８及び９を介して流れることが無く、抵抗素子３ＲやＰチャネルＭＯＳＦＥＴ８及び９のオン抵抗による電圧降下が発生しないので、電圧測定をより正確に安定した状態で行うことができる。また、上記の電流を流すことで電圧測定点２の電力を消費することが無いので、電圧測定点２の電圧にばらつきが生じることも回避できる。

更に、電圧測定回路５を、複数の電圧測定点２に対して１つだけ設けるので、各スイッチ回路７のオンオフを制御することで、各電圧測定点２の電位を個別に測定できる。加えて、電源側定電流回路１１及びグランド側定電流回路１２をカレントミラー回路で構成し、制御回路１７を、電源側定電流回路１１及びグランド側定電流回路１２を動作させるための定電流Ｉrefを供給する回路で構成したので、制御回路１７が定電流Ｉrefを供給することで電源側定電流回路１１及びグランド側定電流回路１２が動作し、カレントミラー回路の定電流経路にミラー電流を流してスイッチ回路７の抵抗素子１０に通電することができる。

（第２実施例）
図３は第２実施例であり、第１実施例と同一部分には同一符号を付して説明を省略し、以下異なる部分について説明する。第２実施例では、スイッチ回路７に替わるスイッチ回路２５を、ソース及びゲートが共通に接続される２つのＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２６，２７で構成している。すなわち、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２６，２７は、それぞれの寄生ダイオード２６Ｄ，２７Ｄがアノード共通で互いに逆方向となるように接続されている。そして、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２６，２７のゲートはＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１４ｂのドレインに、ソースはＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１６ｃのドレインに接続されている。

以上のように構成される場合も、第１実施例と同様に、制御回路１７が定電流Ｉrefをグランド側定電流回路１２に供給すれば、抵抗素子１０にミラー電流Ｉｃ（≒Ｉｇ）が流れ、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２６，２７のゲート電位はソース電位に対して（Ｒ１×Ｉｇ）分上昇するので、その電位差が閾値電圧以上となればスイッチ回路２５はオンする。したがって、第１実施例と同様の効果が得られる。

（第３実施例）
図４は第３実施例であり、第１実施例と異なる部分について説明する。第３実施例におけるスイッチ回路２８の構成は、第１実施例における２つのＰチャネルＭＯＳＦＥＴ８，９の接続方向を逆にしており、ドレイン共通で、すなわち、寄生ダイオード８Ｄ，９Ｄがアノード共通で互いに逆方向となるように接続されている。そのため、２つの抵抗素子
２９，３０がそれぞれのソース−ゲート間に接続されており、それに伴い電源側定電流回路３１，グランド側定電流回路３２の構成も相違している。

電源側定電流回路３１には、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１３ａ,１３ｂと共にミラー対を構成するＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１３ｃと、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１４ａ,１４ｂと共にミラー対を構成するＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１４ｃとが追加されている。また、グランド側定電流回路３２には、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１５ａ〜１５ｃと共にミラー対を構成するＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１５ｄと、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１６ａ〜１６ｃと共にミラー対を構成するＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１６ｄとが追加されている。抵抗素子（通電部）２９は抵抗素子１０に置き換って接続されており、抵抗素子（通電部）３０は、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１４ｃのドレインとＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１６ｄのドレインとの間に接続されている。

以上のように構成される第３実施例による場合も、第１実施例と同様に、制御回路１７が定電流Ｉrefをグランド側定電流回路３２に供給すれば、抵抗素子２９，３０にそれぞれミラー電流Ｉｇ１（≒Ｉｃ１），Ｉｇ２（＝Ｉｃ２）が流れ、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ８，９のゲート電位はソース電位に対して低下することでスイッチ回路２８はオンする。したがって、第１実施例と同様の効果が得られる。

（第４実施例）
図５及び図６は第４実施例を示すものであり、第１実施例と異なる部分のみ説明する。第４実施例のグランド側定電流回路３３は、グランド側定電流回路１３より、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１５ｂ及び１６ｂを削除したものである。そして、電源側定電流回路１２に替えて電源側定電流回路３４が配置されている。図６に示すように、電源側定電流回路３４は、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ３５ａ,３５ｂ，３６，３７と、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ３８，３９と、抵抗素子４０とで制御回路１７と同様の自己バイアス型定電流回路として構成されている。尚、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ３９のソース並びに抵抗素子４０の一端が接続されているグランドは、グランドＧＮＤ（３）となっている。そして、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ３７のドレインが、スイッチ回路７を構成するＰチャネルＭＯＳＦＥＴ８及び９のソースに接続されている。

電源側定電流回路３４を構成する各回路素子の定数，特性は、制御回路１７を構成する対応する各回路素子にそれぞれ等しくなるように設定されている。そして、電源側定電流回路３４は、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ３６のゲートに与えられるＯＮ／ＯＦＦ信号が、制御回路１７のＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１７のゲートに与えられるＯＮ／ＯＦＦ信号と連動して与えられることで、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ３７，２３を介して定電流Ｉrefが同時に供給される。したがって、制御回路１７と電源側定電流回路３４とが共に動作すると、抵抗素子１０に定電流Ｉrefが供給されてスイッチ回路７はオンする。

以上のように第４実施例によれば、グランド側定電流回路３３をＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１５，１６からなるカレントミラー回路で構成し、制御回路１７は、そのカレントミラー回路の制御電流経路（ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１５ａ，１６ａのドレイン）に定電流を供給する。また、電源側定電流回路３４は制御回路１７と連動して、前記カレントミラー回路のミラー電流経路（ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１５ｃ，１６ｃのドレイン）に、制御回路１７によって供給される定電流Ｉrefに等しい定電流Ｉrefを供給する。これにより、スイッチ回路７の抵抗素子１０に通電することができる。
また、第４実施例では、第１実施例の構成に比較して、制御回路１７の電源，グランドと、電源側定電流回路３４の電源，グランドとを分離することができるので、それぞれの回路を構成する各素子に、耐圧が低いものを用いることができる。したがって、電圧測定装置全体を小型に構成することができる。

（第５実施例）
図７は第５実施例であり、第５実施例では、測定対象１において、電位が電源電圧以上で且つ電圧測定点２の中で最高である電圧測定点２の電位を測定するために構成されるスイッチ回路４１（高電位用スイッチ回路）を示す。例えば図７に示す最高電圧測定点２の電位は、図中の「電源」に等しい電位であっても良い。スイッチ回路４１は、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ４２と抵抗素子（通電部）４３とで構成され、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ４２のソースは上記電圧測定点２に、ドレインは電圧測定回路５に接続されている。抵抗素子４３の一端は最上段の電圧測定点２に接続され、他端はＰチャネルＭＯＳＦＥＴ４２のゲートと共に、第４実施例のグランド側定電流回路３３を構成するＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１６ｃのドレインに接続されている。

次に、第５実施例の作用について説明する。制御回路１７が定電流Ｉrefを供給してグランド側定電流回路３３を動作させると、スイッチ回路４１の抵抗素子４３には、電圧測定点２からミラー電流Ｉｇが流れる。すると、抵抗素子４３に電圧降下が生じ、ゲート電位はソース電位よりも低下してＰチャネルＭＯＳＦＥＴ４２がオンする。この時、スイッチ回路４１をオンするための電流は電圧測定点２から流れるが、ローパスフィルタ３を構成する抵抗素子３Ｒを介して流れることはなく、抵抗素子３Ｒにおいて電圧降下が発生しないので、影響は小さい。尚、このように電圧測定回路５が、例えば自身の電源電圧よりも高くなる電位をも測定対象とする場合には、測定電圧を内部において適宜分圧したり、或いはレベルシフトする等して対応すれば良い。

以上のように第５実施例によれば、スイッチ回路４１を、ソースが電圧測定点２に接続されるＰチャネルＭＯＳＦＥＴ４２と、その電圧測定点２とＰチャネルＭＯＳＦＥＴ４２のゲートとの間に接続される抵抗素子４３とで構成し、前記ゲートに定電流経路が接続されるグランド側定電流回路３３を備える。すなわちこの場合、電圧測定回路５側から電圧測定点２に対して、寄生ダイオード４２Ｄを介して電流が逆流する可能性はないので、スイッチ回路４１を１つのＰチャネルＭＯＳＦＥＴ４２で構成できる。

（第６実施例）
図８は第６実施例であり、第６実施例では、測定対象１において電位がグランド電圧以下で且つ電圧測定点２の中で最低である電位を示す電圧測定点２の電位を測定するために構成されるスイッチ回路４４（低電位用スイッチ回路）を示す。スイッチ回路４４は、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ４５と抵抗素子（通電部）４６とで構成され、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ４５のソースは上記電圧測定点２に、ドレインは電圧測定回路５に接続されている。例えば図８に示す最低電圧測定点２の電位は、図中の「ＧＮＤ」に等しい電位であっても良い。

抵抗素子４６の一端は、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ４５のゲートと共に電源側定電流回路１１を構成するＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１４ｂのドレインに接続されており、他端は、上記電圧測定点２に接続されている。また、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１４ａのドレインは、グランド側定電流回路３３（制御回路）を構成するＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１６ｃのドレインに接続されている。

次に、第６実施例の作用について説明する。制御回路１７が定電流Ｉrefを供給してグランド側定電流回路３３を動作させると電源側定電流回路１１も動作し、スイッチ回路４４の抵抗素子４６には、電源側定電流回路１１を構成するＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１４ｂのドレイン（定電流経路）からミラー電流Ｉｇが流れる。すると、ゲート電位がソース電位よりも上昇してＮチャネルＭＯＳＦＥＴ４５がオンする。尚、このように電圧測定回路５が、例えば自身のグランド電位よりも低くなる電位をも測定対象とする場合には、第５実施例と同様に、測定電圧を内部においてレベルシフトする等して対応すれば良い。

以上のように第６実施例によれば、スイッチ回路４４を、ドレインが測定端子４に接続されるＮチャネルＭＯＳＦＥＴ４５と、一端が電源側定電流回路１１の定電流経路及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ４５のゲートに接続され、他端がグランド側定電流回路１２に接続される抵抗素子４６とで構成した。すなわちこの場合、電圧測定点２側から電圧測定回路５に対して、寄生ダイオード４５Ｄを介して電流が逆流する可能性はないので、スイッチ回路４４を１つのＮチャネルＭＯＳＦＥＴ４５で構成できる。

（第７実施例）
図９は第７実施例であり、電圧の測定対象を組電池４７とした場合を示す。組電池４７は、複数の単位セル４８を直列に接続して構成されており、各単位セル４８の正側端子並びに再下段に位置する単位セル２の負側端子が、第１実施例における電圧測定点２に対応する。この場合、ローパスフィルタ３を構成するコンデンサ３Ｃは、各単位セル２の正側端子と負側端子との間に接続されている。

以上のように第７実施例によれば、電圧測定の対象を、組電池４７を構成する複数の単位セル４８の各端子電圧とする。すなわち、従来技術の場合、スイッチ回路７をオンしている間は測定対象である単位セルの電力を消費するため、各単位セル間の電圧にばらつきが生じる原因となる。これに対して第７実施例では、単位セル４８の電力を消費することなく電圧が測定できるので、各単位セル４８間の電圧にばらつきが生じすることを防止できる。

（第８実施例）
図１０は第８実施例であり、電圧の測定対象を複数のセンサ等にした場合を示す。例えば温度センサ４９，５０や電流センサ５１におけるセンサ信号（電圧信号）の出力端子や、電源５２，５３などの電源端子が第１実施例における電圧測定点２に対応する。電源５２，５３は、電圧測定回路５や選択回路６に供給される電源と同じであっても良いし、それらとは異なる電源でも良い。

（第９実施例）
図１１は第９実施例であり、電圧測定回路５を、各測定端子４に対して個別に設けた場合、すなわち、スイッチ回路７と電圧測定回路５とが１対１（何れもｎ個）となる場合である。

（第１０実施例）
図１２は第１０実施例であり、電圧測定回路５により、測定対象１の隣り合う電圧測定点２の差電圧を測定する場合を示す。選択回路６は、２組（Ｈ，Ｌ）用意されており、各測定端子４には、選択回路６Ｈにおいて対応するスイッチ回路７Ｈの一端と、選択回路６Ｌにおいて対応するスイッチ回路７Ｌの一端とがそれぞれ共通に接続されており、選択回路６Ｈ側のスイッチ回路７Ｈの他端は、電圧測定回路５の入力端子ＩＮ＿Ｈに共通に接続され、選択回路６Ｌ側のスイッチ回路７Ｌの他端は、電圧測定回路５の入力端子ＩＮ＿Ｌに共通に接続されている。

図示はしないが、制御回路１７も、選択回路６Ｈ，６Ｌに対応して個別に設けられている。そして、選択回路６Ｈ，６Ｌにおける何れのスイッチ回路７Ｈ，７Ｌをオンするかによって、任意の２つの電圧測定点２の差電圧を測定することができる。尚、測定対象１の最高電位を低電位側基準として差電圧を測定することを想定しない場合、最高電位の電圧測定点２に対応するスイッチ回路７Ｌ（１）は不要である。また、測定対象１の最低電位を高電位側基準として差電圧を測定することを想定しない場合、最低電位の電圧測定点２に対応するスイッチ回路７Ｈ（１）は不要である。
以上のように構成される第１０実施例によれば、選択回路６Ｈ，６Ｌそれぞれのスイッチ回路７Ｈ，７Ｌのオンオフを切り替えることで、測定対象１における任意の２つの電圧測定点２の間の差電圧を電圧測定回路５により測定することができる。

（第１１実施例）
図１３は第１１実施例であり、例えば第１実施例の図２に示す制御回路１７の構成を、異なる定電流回路とした場合である。定電流回路５４では、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１９，２１によりカレントミラー回路５５を構成している（ゲートはＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２１のドレイン側に接続）。グランドには、２つのＰＮＰトランジスタ５６，５７（例えばエミッタ比が１：Ｋ）のコレクタ及びベースが接続されている。ＰＮＰトランジスタ５６のエミッタは、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２１のソースに接続され、ＰＮＰトランジスタ５７のエミッタは、抵抗素子２０を介してＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１９のソースに接続されている。また、ＰＮＰトランジスタ５６，５７のエミッタ，コレクタ間には、抵抗値が等しい（Ｒ２）抵抗素子５８，５９がそれぞれ接続されている。

以上のように構成される定電流回路５４では、ＰＮＰトランジスタ５６，５７のエミッタに電流Ｉ０が流れ、抵抗素子５８，５９には電流Ｉ１がそれぞれ流れるとすると、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１８ａのドレインには、電流（Ｉ０＋Ｉ１）が流れる。抵抗素子２０の抵抗値をＲ１，ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１９の閾値電圧をＶthとすると、電流（Ｉ０＋Ｉ１）は以下の式で表わされる。
（Ｉ０＋Ｉ１）＝Ｖth・ｌｎ（Ｋ）／Ｒ１
また、電流Ｉ０は絶対温度に比例し、電流Ｉ１は負の温度係数を持つ。したがって、電流Ｉ０，Ｉ１の比を抵抗値Ｒ１，Ｒ２により調整することで、温度に依存しない定電流Ｉref（≒Ｉ０＋Ｉ１）を供給することができる。

本発明は上記し又は図面に記載した実施例にのみ限定されるものではなく、以下のような変形又は拡張が可能である。
ローパスフィルタ３は、必要に応じて配置すれば良い。
スイッチ回路を、ドレインを共通にして接続したＮチャネルＭＯＳＦＥＴで構成しても良い。
カレントミラー回路は、必ずしもカスコード型である必要はなく、その他の形式のカレントミラー回路でも良い。例えば要求される電流精度によっては、ミラー対を１組みだけ用いたものでも良い。

図面中、１は測定対象、２は電圧測定点、３はローパスフィルタ、４は測定端子、５は電圧測定回路、６は選択回路、７はスイッチ回路、８，９はＰチャネルＭＯＳＦＥＴ、１０は抵抗素子（通電部）、１１は電源側定電流回路（カレントミラー回路）、１２はグランド側定電流回路（カレントミラー回路）、１７は制御回路（定電流回路）、２５はスイッチ回路、２６，２７はＮチャネルＭＯＳＦＥＴ、２８はスイッチ回路、２９，３０は抵抗素子（通電部）、３１は電源側定電流回路、３２はグランド側定電流回路、３３はグランド側定電流回路、３４は電源側定電流回路、４１はスイッチ回路（高電位用スイッチ回路）、４２はＰチャネルＭＯＳＦＥＴ、４３は抵抗素子（通電部）、４４はスイッチ回路（低電位用スイッチ回路）、４５はＮチャネルＭＯＳＦＥＴ、４６は抵抗素子（通電部）、４７は組電池、４８は単位セルを示す。

Claims (14)

1. 複数の電圧測定点の電位を電圧測定回路で検出する電圧測定装置において、
   各電圧測定点と前記電圧測定回路との間に接続され、通電部に対する通電電流の有無に応じてオンオフされるスイッチ回路と、
   電源側に接続される電源側定電流回路と、
   グランド側に接続され、前記電源側定電流回路により供給される定電流と同量の電流を引き込むグランド側定電流回路と、
   前記電源側定電流回路及び前記グランド側定電流回路の動作を制御する制御回路とを備え、
   前記スイッチ回路の通電部は、前記電源側定電流回路と前記グランド側定電流回路との間で定電流が流れる経路に接続されており、
   前記制御回路を介して前記スイッチ回路のオンオフを制御することを特徴とする電圧測定装置。
2. 前記スイッチ回路は、寄生ダイオードが互いに逆向きとなるように直列接続される２つの同チャネル型ＭＯＳＦＥＴの直列回路と、
   前記通電部として、前記ＭＯＳＦＥＴのゲート，ソース間に接続される抵抗素子とで構成されることを特徴とする請求項１記載の電圧測定装置。
3. 前記ＭＯＳＦＥＴは、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴであることを特徴とする請求項２記載の電圧測定装置。
4. 前記ＭＯＳＦＥＴは、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴであることを特徴とする請求項２記載の電圧測定装置。
5. 前記２つのＭＯＳＦＥＴは、ソースが共通に接続されていることを特徴とする請求項２ないし４の何れかに記載の電圧測定装置。
6. 前記２つのＭＯＳＦＥＴは、ドレインが共通に接続されていることを特徴とする請求項２ないし４の何れかに記載の電圧測定装置。
7. 前記電圧測定の対象を、複数の単位セルからなる組電池における前記単位セルの各端子電圧とすることを特徴とする請求項１ないし６の何れかに記載の電圧測定装置。
8. 前記電圧測定回路を、前記複数の電圧測定点に対して１つだけ設けることを特徴とする請求項１ないし７の何れかに記載の電圧測定装置。
9. 電位が電源電圧以上で且つ前記電圧測定点中で最高である電圧測定点と、前記電圧測定回路との間に接続される高電位用スイッチ回路を、
   ソースが前記電圧測定点に接続されるＰチャネルＭＯＳＦＥＴと、
   前記電圧測定点と前記ＰチャネルＭＯＳＦＥＴのゲートとの間に接続される抵抗素子とで構成し、
   グランド側に接続され、前記ＰチャネルＭＯＳＦＥＴのゲートに定電流経路が接続されるグランド側定電流回路と、
   このグランド側定電流回路の動作を制御する制御回路とを備え、
   前記制御回路を介して前記高電位用スイッチ回路のオンオフを制御することを特徴とする請求項１ないし８の何れかに記載の電圧測定装置。
10. 電位がグランド電圧以下で且つ前記電圧測定点中で最低である電圧測定点と、前記電圧測定回路との間に接続される低電位用スイッチ回路を、
    ソースが前記電圧測定点に接続されるＮチャネルＭＯＳＦＥＴと、
    前記電圧測定点と前記ＮチャネルＭＯＳＦＥＴのゲートとの間に接続される抵抗素子とで構成し、
    電源側に接続され、前記ＮチャネルＭＯＳＦＥＴのゲートに定電流経路が接続される電源側定電流回路と、
    この電源側定電流回路の動作を制御する制御回路とを備え、
    前記制御回路を介して前記低電位用スイッチ回路のオンオフを制御することを特徴とする請求項１ないし９の何れかに記載の電圧測定装置。
11. 前記電源側定電流回路及び前記グランド側定電流回路は、カレントミラー回路で構成され、
    前記制御回路は、前記電源側定電流回路及び前記グランド側定電流回路を動作させるための定電流を供給する回路で構成されることを特徴とすることを特徴とする請求項１ないし１０の何れかに記載の組電池の電圧測定装置。
12. 前記グランド側定電流回路は、カレントミラー回路で構成され、
    前記制御回路は、前記カレントミラー回路の制御電流経路に定電流を供給する回路で構成され、
    前記電源側定電流回路は、前記制御回路と連動して、前記カレントミラー回路のミラー電流経路に、前記制御回路によって供給される定電流に等しい定電流を供給する回路で構成されることを特徴とする請求項１ないし１１の何れかに記載の組電池の電圧測定装置。
13. 複数の電圧測定点の電位を電圧測定回路で検出する電圧測定装置において、
    電位が電源電圧以上で且つ前記電圧測定点中で最高である電圧測定点と、前記電圧測定回路との間に接続される高電位用スイッチ回路を、
    ソースが前記電圧測定点に接続され、ドレインが前記電圧測定回路に接続されるＰチャネルＭＯＳＦＥＴと、
    前記電圧測定点と前記ＰチャネルＭＯＳＦＥＴのゲートとの間に接続される抵抗素子とで構成し、
    グランド側に接続され、前記ＰチャネルＭＯＳＦＥＴのゲートに定電流経路が接続されるグランド側定電流回路と、
    このグランド側定電流回路の動作を制御する制御回路とを備え、
    前記制御回路を介して前記高電位用スイッチ回路のオンオフを制御することを特徴とする電圧測定装置。
14. 複数の電圧測定点の電位を電圧測定回路で検出する電圧測定装置において、
    電位がグランド電圧以下で且つ前記電圧測定点中で最低である電圧測定点と、前記電圧測定回路との間に接続される低電位用スイッチ回路を、
    ソースが前記電圧測定点に接続され、ドレインが前記電圧測定回路に接続されるＮチャネルＭＯＳＦＥＴと、
    前記電圧測定点と前記ＮチャネルＭＯＳＦＥＴのゲートとの間に接続される抵抗素子とで構成し、
    電源側に接続され、前記ＮチャネルＭＯＳＦＥＴのゲートに定電流経路が接続される電源側定電流回路と、
    この電源側定電流回路の動作を制御する制御回路とを備え、
    前記制御回路を介して前記低電位用スイッチ回路のオンオフを制御することを特徴とする電圧測定装置。

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