JP5570685B2 - ハードディスク基板用研磨液組成物 - Google Patents

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本発明は、ハードディスク基板用研磨液組成物及びこれを用いたハードディスク基板の製造方法に関する。
近年のメモリーハードディスクドライブには、高容量・小径化が求められ、記録密度を上げるために磁気ヘッドの浮上量を低下させて、単位記録面積を小さくすることが求められている。それに伴い、ハードディスク基板の製造工程においても研磨後に要求される表面品質は年々厳しくなってきており、ヘッドの低浮上化に対応して、表面粗さ、微小うねりの低減が求められてきている。かかる要求を満たすために、研磨後の基板のスクラッチを低減し得る研磨剤スラリーが知られている(特許文献1及び特許文献2)。また、研磨工程で発生するロールオフ(被研磨基板の端面ダレ)を小さくし、ディスクのより外周部まで記録できるよう、研磨工程で使用する研磨液組成物中でのポリアルキレンオキサイド化合物の使用等が検討されている(特許文献3)。
そして、最近では、より平滑で、傷が少ないといった表面品質向上と生産性向上の両立の観点から、2段階以上の研磨工程を有する多段研磨方式が採用されるようになってきた。多段研磨方式の最終研磨工程、即ち、仕上げ研磨工程では、表面粗さの低減、傷の低減という要求を満たすために、コロイダルシリカ粒子を使用した仕上げ用研磨液組成物で研磨され得る。一方、仕上げ研磨工程より前の研磨においては、生産性の観点から、高い研磨速度を実現し得る比較的粒子径の大きな砥粒、例えば酸化アルミニウム粒子が使用される傾向にある。
特開2000−15560号公報 特開2000−458号公報 特開2002−167575号公報
しかしながら、酸化アルミニウム粒子を砥粒として使用した場合、テキスチャースクラッチとしてメディアでの欠陥を引き起こし、さらに、磁気特性の低下、即ち、シグナルノイズ比(SNR)の低下を引き起こすという問題がある。また、テキスチャー処理を施さない垂直記録用の基板においても、前記砥粒を使用した場合、記録エラー、磁気特性の低下、SNRの低下等の原因となりうる。また、前記の従来技術は、ロールオフを低減する傾向にあるものの、その一方で、十分な研磨速度が得られないという問題を有する。
本発明は、酸化アルミニウム粒子を砥粒として含有する研磨液組成物であって、研磨速度を低下させることなく、優れた表面品質のハードディスク基板を得ることができる上、ロールオフを低減することができる研磨液組成物、及びこれを用いたハードディスク基板の製造方法を提供する。
本発明のハードディスク基板用研磨液組成物は、酸化アルミニウム粒子、水、及び非イオン性界面活性剤を含有するハードディスク基板用研磨液組成物であって、
前記酸化アルミニウム粒子の二次粒子の体積中位粒子径は0.1〜0.7μmであり、
前記酸化アルミニウム粒子中における粒子径が1μm以上の粒子の含有量は0.2重量%以下であり、
前記非イオン性界面活性剤は、下記一般式(1)で表される化合物、及び下記一般式(2)で表される構成単位を含む重合体からなる群から選択される少なくとも1つであるハードディスク基板用研磨液組成物である。
X-(EO)l(PO)m(BO)n-Y (1)
Figure 0005570685
[式中、EOはオキシエチレン基、POはオキシプロピレン基、BOはオキシブチレン基であり、l、m、nはそれぞれの平均付加モル数を示し、l+m+nは20〜400であり、Xは-OR1基、-OH基、又は-OCOR2基(R1及びR2は炭化水素基)を表し、Yは-R3基、水素原子、又は-COR4基(R3及びR4は炭化水素基)を表し、R8〜R10は同一又は異なって水素原子又は炭化水素基を示し、R11は水素原子、-R12基、又は-COR13基(R12及びR13は炭化水素基)を示し、Mは水素原子又は陽イオン基を示し、Zは同一又は異なって酸素原子又はNHを示す。]
本発明のハードディスク基板の製造方法は、研磨液組成物を用いて被研磨基板を研磨する工程を有するハードディスク基板の製造方法であって、
前記研磨液組成物は、上記本発明のハードディスク基板用研磨液組成物であるハードディスク基板の製造方法である。
本発明の研磨液組成物を、例えばハードディスク基板の仕上げ研磨工程前の研磨に使用すると、経済的な研磨速度を有しながら、酸化アルミニウム粒子の突き刺さりが少ない優れた表面品質の基板を製造することができるという効果が奏される。また、本発明の研磨液組成物を使用することにより、研磨速度を低下させることなく、ロールオフを低減することができるという効果が奏される。
本発明のハードディスク基板の製造方法は、上記本発明の研磨液組成物を用いるため、研磨速度を低下させることなく、優れた表面品質の基板を製造することができる上、ロールオフを低減することができる。
本明細書において、砥粒の「突き刺さり」とは、基板に付着した砥粒とは異なり、基板に押し込まれて残留している状態を指す。この「突き刺さり」は、後述の実施例のように、コロイド粒子を砥粒として含有する研磨液組成物で、基板表面をわずかに研磨して基板に付着した砥粒を除去した後、その基板表面を暗視野顕微鏡観察、又は原子間力顕微鏡(AFM)若しくは走査型電子顕微鏡(SEM)観察によって調べることができる。
この突き刺さりがあると、ハードディスク基板のメディア化工程で実施されるテキスチャー処理において表面に深いスクラッチが入るなどの欠陥が発生したり、完成したハードディスクにおいて磁気特性の低下、即ち、シグナルノイズ比(SNR)の低下を引き起こしたりすると考えられる。従って、この砥粒の突き刺さりを低減することは、優れたハードディスク基板を得るために重要である。
本発明は、酸化アルミニウム粒子の粒子径を特定のサイズに制御すること、及び砥粒中に存在する特定の大きさの粗大粒子を特定量以下に低減し、特定の非イオン界面活性剤を使用することにより、この突き刺さりの低減が可能になるという知見に基づいてなされたものである。
本発明のハードディスク基板用研磨液組成物は、上述したように、酸化アルミニウム粒子の二次粒子の体積中位粒子径が0.1〜0.7μmであり、酸化アルミニウム粒子中における粒子径1μm以上の粒子の含有量が0.2重量%以下であり、非イオン性界面活性剤が上記一般式(1)で表される化合物、及び上記一般式(2)で表される構成単位を含む重合体からなる群から選択される少なくとも1つであることを一つの特徴とする。かかる特徴を有する研磨液組成物を用いて研磨することにより、基板への酸化アルミニウム粒子の突き刺さり及びロールオフを顕著に低減することができる。これにより、経済的な研磨速度で、優れた表面品質を有するハードディスク基板を提供することができる。
[酸化アルミニウム粒子]
本発明の研磨液組成物は、砥粒として酸化アルミニウム(以下、アルミナと称することがある)粒子を含有する。本発明に用いられる酸化アルミニウム粒子としては、突き刺さり低減、うねり低減、表面粗さ低減、研磨速度向上及び表面欠陥防止の観点から、アルミナとしての純度が95%以上のアルミナが好ましく、より好ましくは97%以上、さらに好ましくは99%以上のアルミナである。また、研磨速度向上の観点からは、α−アルミナが好ましく、表面性状及びうねり低減の観点からは、中間アルミナ及びアモルファスアルミナが好ましい。中間アルミナとは、α−アルミナ以外の結晶性アルミナ粒子の総称であり、具体的にはγ−アルミナ、δ−アルミナ、θ−アルミナ、η−アルミナ、κ−アルミナ、及びこれらの混合物等が挙げられる。その中間アルミナの中でも、研磨速度向上及びうねり低減の観点から、γ−アルミナ、δ−アルミナ、θ−アルミナ及びこれらの混合物が好ましく、より好ましくはγ−アルミナ及びθ−アルミナである。研磨速度向上及びうねり低減の観点からは、α−アルミナと、中間アルミナ及び/又はアモルファスアルミナとを混合して使用することが好ましく、α−アルミナとθ−アルミナとを混合して使用することがより好ましい。また、酸化アルミニウム粒子中のα−アルミナの含有量は、研磨速度向上及びうねり低減の観点から、20重量%以上が好ましく、30重量%以上がより好ましく、40重量%以上がさらに好ましく、50重量%以上がさらにより好ましく、また、ロールオフ低減の観点から、10〜90重量%が好ましく、20〜80重量%がより好ましく、30〜70重量%がさらに好ましい。本発明において、酸化アルミニウム粒子中のα−アルミナの含有量は、WA−1000(昭和電工(株)製酸化アルミニウム粒子)の104面のピーク面積を100%として、X線回折におけるα−アルミナのピーク面積を相対比較することにより求める。
酸化アルミニウム粒子の二次粒子の体積中位粒子径は、突き刺さり低減の観点、並びにうねり低減及び表面粗さ低減の観点から、0.7μm以下であり、0.5μm以下が好ましく、0.4μm以下がより好ましく、0.35μm以下がさらに好ましく、0.3μm以下がさらにより好ましく、0.25μm以下がさらにより好ましい。また、該粒子径は、研磨速度向上の観点から、0.1μm以上であり、0.15μm以上が好ましく、0.2μm以上がより好ましい。即ち、該粒子径は、0.1〜0.7μmであり、好ましくは0.1〜0.5μm、より好ましくは0.1〜0.4μm、さらに好ましくは0.15〜0.35μm、さらにより好ましくは0.15〜0.3μm、さらにより好ましくは0.2〜0.25μmである。中でも、α−アルミナの二次粒子の体積中位粒子径は、突き刺さり低減、うねり低減及び表面粗さ低減の観点、並びに研磨速度向上の観点から、0.1〜0.7μmが好ましく、0.1〜0.5μmがより好ましく、0.1〜0.4μmがさらに好ましく、0.1〜0.35μmがさらにより好ましく、0.15〜0.3μmがさらにより好ましく、0.15〜0.25μmがさらにより好ましい。
酸化アルミニウム粒子の一次粒子の平均粒子径は、突き刺さり低減及びうねり低減の観点から、0.005〜0.5μmが好ましく、0.01〜0.4μmがより好ましく、0.03〜0.3μmがさらに好ましく、0.05〜0.2μmがさらにより好ましい。中でも、α−アルミナの一次粒子の平均粒子径は、研磨速度向上、うねり低減、及び突き刺さり低減の観点から、0.05〜0.5μmが好ましく、0.05〜0.4μmがより好ましく、0.05〜0.3μmがさらに好ましく、0.07〜0.2μmがさらにより好ましい。
酸化アルミニウム粒子の一次粒子の平均粒子径(体積基準)及び0.1μm未満の二次粒子の体積中位粒子径は、走査型電子顕微鏡で観察(好適には3000〜30000倍)又は透過型電子顕微鏡で観察(好適には10000〜300000倍)して画像解析を行い、粒子径を測定することにより求めることができる。具体的には、拡大写真等を用い、個々の一次粒子又は二次粒子の最大長を少なくとも200個の粒子について測定し、該長さを直径とする球の体積を算出し、小粒径側からの累積体積頻度が50%となる粒径(D50)をそれぞれ、一次粒子の平均粒子径又は二次粒子の体積中位粒子径とする。また、0.1μm以上の二次粒子の体積中位粒子径(D50)は、レーザー光回折法を用いて該粒子径を測定する。
BET法にて測定されたα−アルミナの比表面積は、研磨速度向上及びうねり低減の観点から、0.1〜50m2/gが好ましく、より好ましくは1〜40m2/g、さらに好ましくは2〜20m2/gである。さらに、BET法で測定された中間アルミナ又はアモルファスアルミナの比表面積は、好ましくは30〜300m2/g、より好ましくは50〜200m2/gである。
研磨液組成物中における酸化アルミニウム粒子の含有量は、研磨速度向上及びうねり低減の観点から、好ましくは0.05重量%以上、より好ましくは0.1重量%以上、さらに好ましくは0.5重量%以上、さらにより好ましくは1重量%以上である。また、該含有量は、表面品質向上及び経済性の観点から、好ましくは30重量%以下、より好ましくは20重量%以下、さらに好ましくは15重量%以下、さらにより好ましくは10重量%以下である。即ち、研磨液組成物中における酸化アルミニウム粒子の含有量は好ましくは0.05〜30重量%、より好ましくは0.1〜20重量%、さらに好ましくは0.5〜15重量%、さらにより好ましくは1〜10重量%である。
酸化アルミニウム粒子中における粒子径が1μm以上の粗大粒子の含有量は、突き刺さり低減の観点から、0.2重量%以下であり、好ましくは0.15重量%以下、より好ましくは0.1重量%以下、さらに好ましくは0.05重量%以下である。また、酸化アルミニウム粒子中における粒子径が3μm以上の粗大粒子の含有量は、同様の観点から、0.05重量%以下が好ましく、より好ましくは0.04重量%以下、さらに好ましくは0.03重量%以下、さらにより好ましくは0.02重量%以下、さらにより好ましくは0.01重量%以下である。なお、前記「粒子径が1μm以上の粗大粒子」又は「粒子径が3μm以上の粗大粒子」は、一次粒子のみならず、一次粒子が凝集した二次粒子をも含むものとする。
研磨液組成物中の前記粗大粒子の含有量の測定には、個数カウント方式(Sizing Particle Optical Sensing法)が使用される。具体的には、米国パーティクルサイジングシステムズ(Particle Sizing Systems)社製「アキュサイザー(Accusizer)780」によって、酸化アルミニウム粒子の粒子径を測定することにより、該含有量を求めることができる。
酸化アルミニウム粒子中における粒子径が1μm以上の粗大粒子の含有量を制御する方法としては、特に限定はなく、研磨液組成物の製造の際あるいは製造後に、一般的な分散方法あるいは粒子除去方法を用いることができる。例えば、特定の平均粒子径とすべく、湿式の循環式ビーズミルにより均一に解砕した酸化アルミニウム粒子スラリーを、さらに、静置沈殿法や遠心分離装置等による沈降法、又は濾過材による精密濾過等により粗大粒子を除去する方法に供することによって上記含有量を制御することができる。粗大粒子の除去方法については、それぞれ単独の方法で処理しても2種以上の方法を組み合わせて処理しても良く、組合せの処理順序についても何ら制限はない。また、その処理条件や処理回数についても、適宜選択して使用することができる。
[非イオン性界面活性剤]
本発明に用いられる非イオン性界面活性剤は、上記一般式(1)で表される化合物、及び上記一般式(2)で表される構成単位を含む重合体からなる群から選択される少なくとも1つである。本発明は、酸化アルミニウム粒子の粒径を特定サイズに制御し、かつ特定の大きさの粗大粒子を特定量以下限定し、さらに上記非イオン性界面活性剤を使用することにより、ロールオフを顕著に低減することができる。一般式(1)中、EOはオキシエチレン基、POはオキシプロピレン基、BOはオキシブチレン基であり、l、m、nはそれぞれの平均付加モル数を示し、l+m+nは20〜400であり、Xは-OR1基、-OH基、又は-OCOR2基(R1及びR2は炭化水素基)を表し、Yは-R3基、水素原子、又は-COR4基(R3及びR4は炭化水素基)を表す。かかる非イオン性界面活性剤の例としては、下記一般式(3)〜(7)で表されるものが挙げられる。
R1O−(EO)l(PO)m(BO)n−H (3)
R1O−(EO)l(PO)m(BO)n−R3(R3はR1と同じでもよい) (4)
HO−(EO)l(PO)m(BO)n−H (5)
R2COO−(EO)l(PO)m(BO)n−H (6)
R2COO−(EO)l(PO)m(BO)n−COR4(R4はR2と同じでもよい) (7)
上記一般式(3)〜(7)において、R1〜R4は、C及びH以外にもN、O、Sあるいはその他の元素を含んでいても良い。R1〜R4としては、ロールオフ低減の観点から、総炭素数が1〜36の炭化水素基が好ましく、4〜22の炭化水素基がより好ましく、12〜22の炭化水素基がさらに好ましい。
上記一般式(2)で表される構成単位を含む重合体は、さらに下記一般式(8)で表される構成単位を含むことが好ましい。
Figure 0005570685
一般式(2)及び(8)において、R5〜R10は同一又は異なって水素原子又は炭化水素基を示し、R11は水素原子、-R12基、又は-COR13基(R12及びR13は炭化水素基)を示し、Mは水素原子又は陽イオン基を示し、Zは同一又は異なって酸素原子又はNHを示す。一般式(2)及び(8)において、R5〜R10は水素原子又は炭素数1〜2の炭化水素基が好ましく、R5、R6、R8及びR9は水素原子がより好ましい。R12は炭素数1〜2の炭化水素基が好ましい。R13は炭素数1〜22の炭化水素基が好ましく、炭素数1〜8の炭化水素基がより好ましい。Mは水素原子が好ましい。なお、Mが陽イオン基の場合は、Na、K、NH4等が例示できる。前記重合体における一般式(2)で表される構成単位と一般式(8)で表される構成単位の配列はランダム、ブロック、またはグラフトのいずれでもよく、これらの構成単位以外の構成単位を含んでいてもよい。
一般式(1)〜(7)において、(EO)l(PO)m(BO)nは、ランダム又はブロックのどちらでもよい。また、ブロックの場合は2段以上のブロックであってもよい。これらの平均付加モル数の合計(l+m+n)は、研磨速度、ロールオフ及び研磨液組成物の泡立ち性の観点から、20〜400であり、25以上が好ましく、30以上がより好ましく、40以上がさらに好ましく、60以上がさらにより好ましい。また、非イオン性界面活性剤自体及びそれを含む研磨液組成物の粘度の観点から上記合計(l+m+n)は375以下が好ましく、350以下がより好ましく、325以下がさらに好ましく、300以下がさらにより好ましい。即ち、研磨液組成物中における平均付加モル数の合計(l+m+n)は、25〜375が好ましく、30〜350がより好ましく、40〜325がさらに好ましく、60〜300がさらにより好ましい。なお、上記合計(l+m+n)が20〜400である限り、l、m、nのそれぞれの値は特に限定されず、l、m、nのうちの1つ又は2つが0であってもよい。
一般式(1)および(3)〜(7)で表される非イオン性界面活性剤の具体例としては、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンポリオキシブチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンポリオキシブチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンカルボン酸エステル、ポリオキシエチレンカルボン酸ジエステル、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンカルボン酸エステル、ポリオキシエチレンポリオキシブチレンカルボン酸エステル、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンポリオキシブチレンカルボン酸エステル、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンコポリマー、ポリオキシエチレンポリオキシブチレンコポリマー、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンポリオキシブチレンコポリマーが挙げられる。
中でも、ロールオフ低減及び研磨液組成物の泡立ち抑制の観点から、一般式(3)、(6)及び(7)で表される非イオン性界面活性剤が好ましく、具体的には、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンカルボン酸エステル、ポリオキシエチレンカルボン酸ジエステルが好ましい。
一般式(8)で表される構成単位を形成するためのモノマーとしては、例えば、(メタ)アクリル酸又はその塩、マレイン酸又はその塩、アクリル酸エステル、アセチレン、アクリロニトリル、ブタジエン、スチレン、イソブチレン、プロピレン、ビニルアルコール、塩化ビニル、エチレン、アリルアルコール、酢酸ビニル、アクリルアミド等が挙げられる。この中では、水溶性の観点から、(メタ)アクリル酸又はその塩、マレイン酸又はその塩、アクリルアミド、ビニルアルコール、アリルアルコールが好ましい。なお、本明細書において、(メタ)アクリル酸は、アクリル酸又はメタクリル酸を指す。後述する、(メタ)アクリレートも同様である。
また、一般式(2)で表される構成単位を形成するためのモノマーとしては、例えばメトキシポリエチレングリコール(メタ)アクリレート、メトキシポリ(エチレングリコール/プロピレングリコール)モノ(メタ)アクリレート、エトキシポリ(エチレングリコール/プロピレングリコール)モノ(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコールモノ(メタ)アクリレート、ポリプロピレングリコールモノ(メタ)アクリレート等が挙げられる。これらの中では、メトキシポリエチレングリコール(メタ)アクリレートがより好ましい。
一般式(2)で表される構成単位及び一般式(8)で表される構成単位を含む重合体を形成するためのモノマーの好ましい組合せの例としては、研磨速度とロールオフの両立の観点から、マレイン酸又はその塩、アクリル酸又はその塩、メタクリル酸又はその塩、アクリルアミド、ビニルアルコール及びアリルアルコールから選択される1つと、メトキシポリエチレングリコール(メタ)アクリレートとの組合せが好ましい。
また、前記重合体を構成する全構成単位中の一般式(2)で表される構成単位の割合は、ロールオフ低減の観点から30〜100モル%が好ましく、50〜100モル%がより好ましく、70〜100モル%がさらに好ましく、90〜100モル%がさらにより好ましい。
また、一般式(1)で表される非イオン性界面活性剤と、一般式(2)で表される構成単位を含む重合体からなる非イオン性界面活性剤とを組み合わせて用いることも好ましい実施態様の一つである。ロールオフ低減の観点から、非イオン性界面活性剤は、一般式(3)、(6)及び/又は一般式(7)で表される非イオン性界面活性剤と、一般式(2)で表される構成単位と一般式(8)で表される構成単位とを含む重合体とを含有することが好ましい。具体的な例としては、ポリオキシエチレンアルキルエーテルと、(メタ)アクリル酸又はその塩及びメトキシポリエチレングリコール(メタ)アクリレートの共重合体とを含有することが好ましい。
一般式(1)で表される非イオン性界面活性剤の数平均分子量は、非イオン性界面活性剤自体及びそれを含む研磨液組成物の粘度の観点から、好ましくは900〜20000であり、より好ましくは900〜10000であり、ロールオフ低減の観点から、好ましくは2000以上、より好ましくは4000以上、さらに好ましくは6000以上である。また、一般式(2)で表される構成単位を含む重合体である非イオン性界面活性剤の数平均分子量は、非イオン性界面活性剤自体及びそれを含む研磨液組成物の粘度の観点から2000〜500000が好ましく、2000〜300000がより好ましく、2000〜100000がさらに好ましい。
非イオン性界面活性剤の研磨液組成物中の含有量は、研磨速度の向上及び研磨液の取り扱いやすさの観点からは、3重量%以下が好ましく、2.5重量%以下がより好ましく、2重量%以下がさらに好ましく、1.5重量%以下がさらにより好ましい。また、ロールオフ低減の観点からは、0.001重量%以上が好ましく、0.002重量%以上がより好ましく、0.0025重量%以上がさらに好ましく、0.003重量%以上がさらにより好ましい。即ち、研磨液組成物中における非イオン性界面活性剤の含有量は、0.001〜3重量%が好ましく、0.002〜2.5重量%がより好ましく、0.0025〜2重量%がさらに好ましく、0.003〜1.5重量%がさらにより好ましい。
本発明において、曇点が高い非イオン性界面活性剤を用いると、外気温が低い場合でも該界面活性剤が析出しにくい。即ち、曇点が高い非イオン性界面活性剤を用いた研磨液組成物は、外気温が低い場合でも安定性及び分散性に優れるため、基板の面質を悪化させにくいという効果が奏される。従って、研磨特性、研磨液組成物の分散性及び安定性の観点から、非イオン性界面活性剤の曇点は10℃以上が好ましく、20℃以上がより好ましく、30℃以上がさらに好ましく、40℃以上がさらにより好ましい。
[水]
本発明の研磨液組成中の水は、媒体として使用されるものであり、蒸留水、イオン交換水又は超純水等が使用され得る。研磨液組成中の水の含有量は、研磨液組成物の取り扱い性(粘度)の観点から、55重量%以上が好ましく、75%重量%以上がより好ましく、85重量%以上がさらに好ましく、90重量%以上がさらにより好ましい。また、研磨速度向上及びロールオフ低減の観点から、99.8重量%以下が好ましく、99.3重量%以下がより好ましく、98.8重量%以下がさらに好ましい。即ち、研磨液組成物中の水の含有量は55〜99.8重量%が好ましく、75〜99.8重量%がより好ましく、85〜99.3重量%がさらに好ましく、90〜98.8重量%がさらにより好ましい。
[酸]
本発明の研磨液組成物は、研磨速度向上及びうねり低減の観点から、酸を含有することが好ましい。本発明に用いられ得る酸は、研磨速度向上及びうねり低減の観点から、そのpK1が好ましくは7以下、より好ましくは5以下、さらに好ましくは3以下、さらにより好ましくは2以下の酸である。ここで、pK1とは、第1酸解離定数(25℃)の逆数の対数値である。各化合物のpK1は、例えば化学便覧改訂4版(基礎編)II、p316〜325(日本化学会編)等に記載されている。
本発明に用いられ得る酸の具体例を以下に示す。無機酸としては硝酸、塩酸、過塩素酸、アミド硫酸等の一価の鉱酸類と、硫酸、亜硫酸、リン酸、ピロリン酸、ポリリン酸、ホスホン酸、ホスフィン酸等の多価鉱酸類が挙げられる。また、有機酸としてはギ酸、酢酸、グリコール酸、乳酸、プロパン酸、ヒドロキシプロパン酸、酪酸、安息香酸、グリシン等のモノカルボン酸類、シュウ酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、マレイン酸、フマル酸、イタコン酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸、イソクエン酸、フタル酸、ニトロトリ酢酸、エチレンジアミン四酢酸等の多価カルボン酸類、メタンスルホン酸、パラトルエンスルホン酸等のアルキルスルホン酸類、エチルリン酸、ブチルリン酸等のアルキルリン酸類、ホスホノヒドロキシ酢酸、ヒドロキリエチリデンジホスホン酸、ホスホノブタントリカルボン酸、エチレンジアミンテトラメチレンホスホン酸等のホスホン酸類等が挙げられる。これらの内、研磨速度向上、及びうねり低減の観点から、多価酸が好ましく、より好ましくは多価鉱酸、多価有機カルボン酸及び多価有機ホスホン酸、さらに好ましくは多価鉱酸及び多価有機カルボン酸である。ここで多価酸とは分子内に2つ以上の、水素イオンを発生させ得る水素を持つ酸をいう。また、被研磨物の表面汚れ防止の観点からは、硝酸、硫酸、スルホン酸及びカルボン酸が好ましい。
前記酸は単独で用いても良いが、2種以上を混合して使用することが好ましい。特に、Ni−Pメッキ基板のような金属表面を研磨する場合で、研磨中に被研磨物の金属イオンが溶出して研磨液組成物のpHが上昇し、高い研磨速度が得られないとき、pH変化を小さくするためにpK1が2.5未満の酸とpK1が2.5以上の酸とを組み合わせて使用することが好ましく、pK1が1.5以下の酸とpK1が2.5以上の酸とを組み合わせて使用することがより好ましい。このような2種以上の酸を含有する場合、研磨速度向上及びうねり低減、かつ入手性を考慮すると、pK1が2.5未満の酸としては、硝酸、硫酸、リン酸、ポリリン酸等の鉱酸や有機ホスホン酸を用いることが好ましい。一方、pK1が2.5以上の酸としては、同様な観点から、酢酸、コハク酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸、イタコン酸等の有機カルボン酸が好ましく、中でも、コハク酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸、イタコン酸が好ましく、クエン酸がより好ましい。また、研磨速度向上及びうねり低減の観点から、pK1が2.5以上の有機カルボン酸を使用する場合は、オキシカルボン酸と2価以上の多価カルボン酸とを組み合わせて使用することがより好ましい。例えば、オキシカルボン酸としては、クエン酸、リンゴ酸、酒石酸等が挙げられ、多価カルボン酸としては、コハク酸、マレイン酸、イタコン酸等が挙げられる。従って、これらをそれぞれ1種以上組み合わせて使用することが好ましく、中でも、クエン酸と多価カルボン酸を組み合わせることが好ましい。
研磨液組成物中における前記酸の含有量は、研磨速度向上及びうねり低減の観点から、好ましくは0.002重量%以上、より好ましくは0.005重量%以上、さらに好ましくは0.007重量%以上、さらにより好ましくは0.01重量%以上である。また、該含有量は、表面品質及び経済性の観点から、好ましくは20重量%以下、より好ましくは15重量%以下、さらに好ましくは10重量%以下、さらにより好ましくは5重量%以下である。即ち、研磨液組成物中における酸の含有量は、好ましくは0.002〜20重量%、より好ましくは0.005〜15重量%、さらに好ましくは0.007〜10重量%、さらにより好ましくは0.01〜5重量%である。また、研磨速度向上の観点から、pK1が2.5未満の酸とpK1が2.5以上の酸との重量比〔(pK1が2.5未満の酸)/(pK1が2.5以上の酸)〕は、9/1〜1/9が好ましく、7/1〜1/7がより好ましく、5/1〜1/5がさらに好ましい。
[酸化剤]
本発明の研磨液組成物は、研磨速度向上、うねり及びロールオフ低減の観点から、酸化剤を含有することが好ましい。本発明に用いられる酸化剤としては、例えば、過酸化物、金属のペルオキソ酸若しくはその塩、又は酸素酸若しくはその塩等が挙げられる。酸化剤はその構造から無機系酸化剤と有機系酸化剤に大別される。無機系酸化剤としては、過酸化水素; 過酸化ナトリウム、過酸化カリウム、過酸化カルシウム、過酸化バリウム、過酸化マグネシウムのようなアルカリ金属又はアルカリ土類金属の過酸化物; ペルオキソ炭酸ナトリウム、ペルオキソ炭酸カリウム等のペルオキソ炭酸塩; ペルオキソ二硫酸アンモニウム、ペルオキソ二硫酸ナトリウム、ペルオキソ二硫酸カリウム、ペルオキソ一硫酸等のペルオキソ硫酸又はその塩; ペルオキソリン酸ナトリウム、ペルオキソリン酸カリウム、ペルオキソリン酸アンモニウム等のペルオキソリン酸又はその塩; ペルオキソホウ酸ナトリウム、ペルオキソホウ酸カリウム等のペルオキソホウ酸塩; ペルオキソクロム酸ナトリウム、ペルオキソクロム酸カリウム等のペルオキソクロム酸塩; 過マンガン酸ナトリウム、過マンガン酸カリウム等の過マンガン酸塩; 過塩素酸ナトリウム、過塩素酸カリウム、次亜塩素酸ナトリウム、過沃素酸ナトリウム、過沃素酸カリウム、沃素酸ナトリウム、沃素酸カリウム等の含ハロゲン酸素酸塩; 及び塩化鉄(III)、硫酸鉄(III)等の無機酸金属塩等が挙げられる。有機系酸化剤としては、過酢酸、過蟻酸、過安息香酸等の過カルボン酸類; t-ブチルパーオキサイト、クメンパーオキサイト等のパーオキサイト; 及びクエン酸鉄(III)等の有機酸鉄(III)塩等が挙げられる。これらの内、研磨速度の向上、入手性、及び水への溶解度等の取り扱い性の観点から、無機系酸化剤が好ましい。中でも、過酸化水素、ペルオキソホウ酸ナトリウム、沃素酸ナトリウム及び沃素酸カリウムが好ましい。また、これらの酸化剤は一種でもよいが、二種以上を混合して用いても良い。
酸化剤の研磨液組成物中の含有量は、研磨速度の向上、並びにうねり及び基板汚れの低減の観点から、0.002重量%以上が好ましく、0.005重量%以上がより好ましく、0.007重量%以上がさらに好ましく、0.01重量%以上がさらにより好ましい。また、ロールオフ低減及び表面品質の観点から、20重量%以下が好ましく、15重量%以上がより好ましく、10重量%以下がさらに好ましく、5重量%以下がさらにより好ましい。即ち、研磨液組成物中の酸化剤の含有量は、0.002〜20重量%が好ましく、0.005〜15重量%がより好ましく、0.007〜10重量%がさらに好ましく、0.01〜5重量%がさらにより好ましい。
[酸化剤と非イオン性界面活性剤の含有量比(重量比)]
本発明において、高い研磨速度を得るためには、研磨液組成物中の非イオン性界面活性剤に対する酸化剤の含有量が比較的多いことが好ましく、基板の面質を悪化させないためには、該含有量が比較的少ないことが好ましい。従って、研磨速度を低下させずにロールオフを低減させる観点から、研磨液組成物中の非イオン性界面活性剤に対する酸化剤の含有量比(酸化剤/非イオン性界面活性剤、(重量比))は、0.1〜120が好ましく、0.15〜80がより好ましく、0.2〜50がさらに好ましい。
また、本発明の研磨液組成物には、さらに研磨速度向上やうねり低減、その他の目的に応じて他の成分を配合することができる。他の成分としては、例えば、コロイダルシリカ、フュームドシリカ、コロイダル酸化チタン等の金属酸化物砥粒、無機塩、増粘剤、防錆剤、塩基性物質等が挙げられる。無機塩の例としては、硝酸アンモニウム、硫酸アンモニウム、硫酸カリウム、硫酸ニッケル、硝酸アルミニウム、硫酸アルミニウム、スルファミン酸アンモニウム等が挙げられる。無機塩は、研磨速度の向上、ロールオフの改良、研磨液組成物のケーキング防止等の目的で使用され得る。前記他の成分は単独で用いても良いし、2種類以上混合して用いても良い。研磨液組成物中における前記他の成分の含有量は、経済性の観点から、好ましくは0.05〜20重量%、より好ましくは0.05〜10重量%、さらに好ましくは0.05〜5重量%である。
さらに、本発明の研磨液組成物には、他の成分として必要に応じて殺菌剤や抗菌剤等を配合することができる。研磨液組成物中におけるこれらの殺菌剤及び抗菌剤等の含有量は、機能を発揮する観点、並びに研磨性能への影響及び経済性の観点から、好ましくは0.0001〜0.1重量%、より好ましくは0.001〜0.05重量%、さらに好ましくは0.002〜0.02重量%である。
なお、本発明の研磨液組成物中における前記の各成分濃度は、研磨する際の好ましい濃度であるが、研磨液組成物が濃縮液として製造される場合は、これを使用前あるいは使用時において、上述した濃度となるように希釈することが好ましい。また、研磨液組成物は目的成分を任意の方法で添加、混合して製造することができる。
研磨液組成物のpHは、被研磨物の種類や要求品質等に応じて適宜決定することが好ましい。例えば、研磨液組成物のpHは、研磨速度向上及びうねり低減の観点と、加工機械の腐食防止性及び作業者の安全性の観点とから7未満が好ましく、0.1〜6がより好ましく、さらに好ましくは0.5〜5であり、さらにより好ましくは1〜5、さらにより好ましくは1〜4、さらにより好ましくは1〜3である。該pHは、必要により、硝酸、硫酸等の無機酸、オキシカルボン酸、多価カルボン酸、アミノポリカルボン酸、アミノ酸等の有機酸、及びそれらの金属塩やアンモニウム塩、アンモニア、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アミン等の塩基性物質を適宜、所望量で配合することで調整することができる。
本発明の研磨液組成物を用いることにより、基板への砥粒の突き刺さりが顕著に低減されるため、高記録密度化に適したハードディスク基板を提供することができる。
[基板の製造方法]
本発明のハードディスク基板の製造方法は上述した本発明の研磨液組成物を用いて被研磨基板を研磨する工程(以下、「研磨する工程」と称することがある。)を有する。本発明の対象となる被研磨基板であるハードディスク基板は、磁気記録用媒体の基板として使用されるものである。ハードディスク基板の具体例としては、アルミニウム合金にNi−P合金をメッキした基板が代表的であるが、アルミニウム合金の代わりにガラスやグラッシュカーボンを使用し、これにNi−Pメッキを施した基板、あるいはNi−Pメッキの代わりに、各種金属化合物をメッキや蒸着により被覆した基板を挙げることができる。
前記の「研磨する工程」においては、多孔質の有機高分子系の研磨布等を貼り付けた研磨盤で被研磨基板を挟み込み、本発明の研磨液組成物を研磨面に供給し、圧力を加えながら研磨盤や被研磨基板を動かすことにより、被研磨基板を研磨することができる。したがって、本発明は、前記研磨液組成物を用いて、被研磨基板を研磨する方法に関する。研磨を行なう際の研磨荷重としては、酸化アルミニウム粒子の基板への突き刺さり低減の観点、及び生産性(研磨速度)の観点から、1〜20kPaが好ましく、2〜15kPaがより好ましく、3〜10kPaがさらに好ましく、4〜8kPaがさらにより好ましい。その他の研磨条件(研磨機の種類、研磨温度、研磨速度、研磨液組成物の供給量等)については特に限定はない。
また、本発明の基板の製造方法は、2段階以上の研磨工程を有する多段研磨方式であることが好ましく、最終工程である仕上げ研磨工程よりも前の工程で、前記の「研磨する工程」を行なうことが好ましい。仕上げ研磨工程で使用する研磨液組成物においては、ハードディスク基板の表面品質の観点、例えば、うねりの低減、表面粗さの低減、スクラッチ等の表面欠陥の低減の観点から、研磨粒子(砥粒)の一次粒子の平均粒子径が0.1μm以下であることが好ましく、0.08μm以下であることがより好ましく、0.05μm以下であることがさらに好ましく、0.03μm以下であることがさらにより好ましい。また、研磨速度向上の観点から、該平均粒子径が0.005μm以上であることが好ましく、0.01μm以上であることがより好ましい。
本発明の製造方法において、研磨前の研磨液組成物のpHと研磨後の研磨廃液のpHの差は、基板のロールオフおよび表面性能の観点から、2以下が好ましく、1.8以下がより好ましく、1.6以下がさらに好ましい。ここで、研磨前の研磨液組成物とは、研磨面に供給する前の研磨液組成物を指し、研磨後の研磨廃液とは、基板に研磨液組成物を供給し研磨した後に排出される研磨液の廃液のことである。前記pHの変動を2以下に抑えることにより、研磨液組成物に含有される砥粒の凝集が抑えられるため、ロールオフの低減、及びうねり、スクラッチ等の表面特性の向上がより実現されやすくなる。また、研磨速度も該pH差が小さい程高くなる傾向がある。
前記pH差を2以下にするには、緩衝溶液を用いたり、研磨液組成物中の酸量を増加させたり、また、研磨液組成物の流量を調節することで可能であり、変動が大きな研磨液組成物を使用するときは流量を多くする事でpH差の変動を抑制できる。
仕上げ研磨工程で使用される研磨液組成物中の研磨粒子としては、フュームドシリカ砥粒、コロイダルシリカ砥粒等が挙げられ、表面粗さの低減、及びスクラッチ等表面欠陥の低減の観点から、コロイダルシリカ砥粒が好ましい。コロイダルシリカ砥粒の一次粒子の平均粒子径としては、0.005〜0.08μmが好ましく、0.005〜0.05μmがより好ましく、0.01〜0.03μmがさらに好ましい。
仕上げ研磨工程において、一次粒子の平均粒子径が0.005〜0.1μmの研磨粒子を使用する場合、表面粗さの低減、酸化アルミニウム粒子の突き刺さりの低減の観点、及び生産性(研磨時間)の観点から、研磨量は、0.05〜0.5μm/minが好ましく、0.1〜0.4μm/minがより好ましく、0.2〜0.4μm/minがさらに好ましい。仕上げ研磨を行なう際の他の条件(研磨機の種類、研磨温度、研磨速度、研磨液の供給量等)については特に限定はなく、研磨荷重としては、前記の「研磨する工程」において例示される研磨荷重と同様であればよい。なお、研磨量は、後述の実施例のようにして求めることができる。
本発明の研磨液組成物は、ポリッシング工程において特に効果があるが、これ以外の研磨工程、例えば、ラッピング工程等にも同様に適用することができる。
本発明の基板の製造方法を用いて得られたハードディスク基板は、酸化アルミニウム粒子の突き刺さりが顕著に低減されていることから、高記録密度化に適したものである。
1.酸化アルミニウム粒子の調製
以下の通りにして、酸化アルミニウムスラリーを調製した。
(1)表1に示す純度99.9%の酸化アルミニウム粒子を10重量%含有する酸化アルミニウムスラリー50kgに硝酸を添加し、pH3に調整した。
(2)(1)で得られた酸化アルミニウムスラリーを直径40cm、高さ50cmの円筒状容器に移した。
(3)容器内の酸化アルミニウムスラリーを均一になるよう攪拌した。
(4)撹拌後の酸化アルミニウムスラリーを3〜10時間静置した。
(5)静置後の酸化アルミニウムスラリーの下層部約5cmを残し、上層部を別の同形状の容器に移し、前記上層部について上記(3)及び(4)の操作を行った。
(6)上記(5)をさらに2〜4回繰り返し、種々の粗大粒子を除去した酸化アルミニウムスラリーを得た。
2.研磨液組成物の調製
表2に記載の所定量のアルミニウムスラリー、非イオン性界面活性剤、硫酸(98重量%品)0.5重量%、クエン酸0.6重量%、硫酸アンモニウム0.5重量%、過酸化水素(30重量%品、旭電化社製)0.6重量%、及びイオン交換水(残部)を配合、攪拌した。得られたスラリーをバックフィルター(ヘイワードジャパン株式会社製、型番:PE1−P03H−403)で濾過し、研磨液組成物を得た。
3.研磨方法
厚さ1.27mm、直径3.5インチのNi−Pメッキされたアルミニウム合金からなる基板の表面を両面加工機により、以下の設定条件でポリッシングし、磁気記録媒体用基板として用いられるNi−Pメッキされたアルミニウム合金基板の研磨物を得た。なお、研磨用に用いた上記基板は、「Zygo社製 NewView5032」を用いた測定における短波長うねり(波長:50〜500μm)の振幅が3.8nmであり、同測定による長波長うねり(波長:0.5〜5mm)の振幅が1.6nmであった。
<両面加工機の設定条件>
両面加工機:スピードファム(株)製、9B型両面加工機
研磨荷重:9.8kPa
研磨パッド:フジボウ(株)製 1P用研磨パッド 平均気孔径45μm
定盤回転数:45r/min
研磨液組成物供給流量:100mL/min
研磨時間:4min
投入した基板の枚数:10枚
4.評価方法
(1)研磨速度
研磨前後の各基板の重さを計り(Sartorius社製「BP−210S」)を用いて測定し、各基板の重量変化を求め、10枚の平均値を減少量とし、それを研磨時間で割った値を重量減少速度とした。この重量減少速度を下記式に導入し、研磨速度(μm/min)に変換した。
研磨速度(μm/min)=重量減少速度(g/min)/基板片面面積(mm2)/Ni-Pメッキ密度(g/cm3)×106
(基板片面面積は、6597mm2、Ni-Pメッキ密度8.4g/cm3として算出)
(2)うねり
研磨後の10枚の基板から任意に1枚を選択し、選択した各基板の両面を120°おきに3点(計6点)について、下記の条件で測定した。その6点の測定値の平均値を基板の短波長うねり(波長:50〜500μm)又は長波長うねり(波長:0.5〜5mm)として算出した。
機器 :Zygo社製 NewView5032
レンズ :2.5倍 Michelson
ズーム比 :0.5
リムーブ :Cylinder
フィルター:FFT Fixed Band Pass
エリア :4.33mm×5.77mm
(3)粗大粒子含有量の測定
以下の測定条件で、酸化アルミニウム粒子中における粒径1μm以上の粒子及び粒径3μm以上の粒子の含有量を測定した。
測定機器:PSS社製 「アキュサイザー780APS」
Injection Loop Volume:1mL
Flow Rate:60mL/min
Data Collection Time:60sec
Number Channels:128
(4)二次粒子の粒子径の測定
以下の測定条件で二次粒子の粒子径(D10、D50及びD90)を測定した。なお、D10、D50及びD90とは、小粒径側からの積算粒径分布(体積基準)がそれぞれ10%、50%及び90%となる粒径であり、このうち、D50を体積中位粒子径とする。
測定機器:堀場製作所製 レーザー回折/散乱式粒度分布測定装置LA920
循環強度:4
超音波強度:4
(5)酸化アルミニウム粒子中のα−アルミナの含有量
上述の方法で調製した研磨液組成物20gを105℃で5時間乾燥させて粉末とした。そして、得られた粉末について、X線回折装置(理学電機製、型番:RINT2500VPC)にて管電圧40kW、管電流120mAの条件で104面のピーク面積を測定し、同様に測定した昭和電工製アルミナ粒子WA-1000のピーク面積から下記式のとおりに算出することによって求めた。
α-アルミナ含有量(重量%)=(試験試料ピーク面積)÷(WA-1000のピーク面積)×100
(6)砥粒の突き刺さりの評価
上述の研磨方法により研磨された基板を、以下の仕上げ用研磨液組成物を用いて研磨量が0.05μm±0.005μmとなるように研磨した後の基板表面を観察することにより、砥粒の突き刺さりを評価した。仕上げ用研磨液組成物の組成、研磨条件、研磨量の測定方法、突き刺さりの観察方法及び評価基準を以下に示す。
<仕上げ用研磨液組成物>
コロイダルシリカスラリー(デュポン社製、一次粒子の平均粒子径0.02μm)をシリカ粒子濃度として7重量%、HEDP(1−ヒドロキシエチリデン−1,1−ジホスホン酸、ソルーシアジャパン製)を有効分として2重量%、過酸化水素(旭電化製)を有効分として0.6重量%、及びイオン交換水を残分として含有する研磨液組成物を用いた。
<研磨条件>
研磨試験機:スピードファム(株)製、両面9B研磨機
研磨パッド:フジボウ(株)製、ウレタン製仕上げ研磨用パッド
上定盤回転数:32.5r/min
研磨液組成物供給量:100mL/min
研磨時間:0.5〜2min(研磨量が0.05μm±0.005μmとなるように調整)
研磨荷重:7.8kPa
投入した基板の枚数:10枚
<研磨量の測定方法>
研磨前後の各基板の重さを計り(Sartorius社製、「BP-210S」)を用いて測定し、下記式に導入することにより、研磨量を求めた。
重量減少量(g)={研磨前の重量(g)−研磨後の重量(g)}
研磨量(μm)=重量減少量(g)/基板片面面積(mm2)/2/Ni-Pメッキ密度(g/cm3)×106
(基板片面面積は、6597mm2、Ni-Pメッキ密度8.4g/cm3として算出)
<突き刺さりの観察方法>
オリンパス光学製顕微鏡(本体BX60M、デジタルカメラDP70、対物レンズ100倍、中間レンズ2.5倍)を使用し、暗視野観察(視野100×75μm)により突き刺さった砥粒を輝点として検出し、その数を測定した。上記観察は、研磨後の10枚の基板から任意に2枚を選択し、基板の両面について中心から30mmの位置を90°ごとの各4点、計16点観察した。そして、観察された輝点数の平均値を砥粒の突き刺さり数とした。
<突き刺さり評価基準>
5:突き刺さり数が100以上
4:突き刺さり数が30〜99
3:突き刺さり数が10〜29
2:突き刺さり数が5〜9
1:突き刺さり数が0〜4
(7)ロールオフ値
研磨後の10枚の基板から任意に1枚を選択し、研磨後の基板のロールオフ値について、Zygo社製 New View 5032(レンズ:2.5倍、ズーム:0.5倍)を用いて下記のとおりに測定した。
<ロールオフ値の測定条件>
図1のように、基板表面の中心から外周方向に向かって43.0mm及び44.0mmとなる位置をそれぞれA点及びB点とし、A点とB点を結ぶ延長線上において基板表面の中心から46.6mmとなる位置をC点とする。そして、研磨後の基板(1枚)のC点の位置を表裏3箇所づつ(計6箇所)算出し、それぞれのC点から基板表面までの基板の厚み方向の距離を測定し、それらの平均をロールオフ値(nm)とした。各測定点についての位置の算出にはZygo社製解析ソフト(Metro Pro)を用いた。なお、ロールオフ値が正の値に近づくほど(あるいは正の値が大きくなるほど)、研磨によるロールオフ低減性能は良好である。
Figure 0005570685
Figure 0005570685
表2に示される通り、実施例1〜13の研磨液組成物を用いた場合、比較例1〜15の研磨液組成物に比べ、研磨速度を低下させることなく、ロールオフが低減され、かつ基板への砥粒の突き刺さりが顕著に低減されることが分かる。
本発明を用いることにより、例えば、高記録密度化に適したハードディスク基板を提供することができる。
ロールオフ値の測定時における測定位置を示す基板の断面図である。

Claims (6)

  1. 酸化アルミニウム粒子、水、及び非イオン性界面活性剤を含有するハードディスク基板用研磨液組成物であって、
    前記酸化アルミニウム粒子の二次粒子の体積中位粒子径は0.1〜0.7μmであり、
    前記酸化アルミニウム粒子が粒子径が1μm以上の粒子を含有し、
    前記酸化アルミニウム粒子中における粒子径が1μm以上の粒子の含有量は0.2重量%以下であり、
    前記非イオン性界面活性剤は、下記一般式(1)で表される化合物であるハードディスク基板用研磨液組成物。
    X−(EO)l−Y (1)
    [式中、EOはオキシエチレン基であり、lは平均付加モル数を示し、lは60〜300、であり、Xは−OR1基、−OH基、又は−OCOR2基(R1及びR2は炭化水素基)を表し、Yは−R3基、水素原子、又は−COR4基(R3及びR4は炭化水素基)を表す。
  2. 前記酸化アルミニウム粒子の一次粒子の平均粒子径が0.05〜0.5μmである請求項1に記載のハードディスク基板用研磨液組成物。
  3. 前記酸化アルミニウム粒子が、湿式の循環式ビーズミルにより均一に解砕した酸化アルミニウム粒子スラリーを、さらに沈降法又は精密濾過により粗大粒子を除去して得られたものである、請求項1又は2に記載のハードディスク基板用研磨液組成物。
  4. 研磨液組成物を用いて被研磨基板を研磨する工程を有するハードディスク基板の製造方法であって、
    前記研磨液組成物は、請求項1〜3のいずれか1項に記載のハードディスク基板用研磨液組成物であるハードディスク基板の製造方法。
  5. 研磨前の前記研磨液組成物のpHと研磨後の研磨廃液のpHの差が2以下である請求項4に記載のハードディスク基板の製造方法。
  6. 前記研磨する工程で得られた基板を一次粒子の平均粒子径が0.005〜0.1μmの研磨粒子を含有する研磨液組成物により研磨する工程をさらに有する請求項4又は5に記載のハードディスク基板の製造方法。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012000700A (ja) * 2010-06-15 2012-01-05 Yamaguchi Seiken Kogyo Kk 研磨剤組成物および磁気ディスク基板の研磨方法
CN103937414B (zh) * 2014-04-29 2018-03-02 杰明纳微电子股份有限公司 一种计算机硬盘盘基片的精抛光液
JP6096969B1 (ja) * 2016-04-26 2017-03-15 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨材、研磨用組成物、及び研磨方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3825844B2 (ja) * 1996-02-19 2006-09-27 昭和電工株式会社 精密研磨用組成物、Al合金基板上に成膜された無電解NiPメッキ膜の研磨方法、無電解NiPメッキ膜を有するAl合金基板の製造方法
JP4372237B2 (ja) * 1997-12-24 2009-11-25 花王株式会社 磁気記録媒体用基板の研磨方法
JPH11268911A (ja) * 1998-01-08 1999-10-05 Nissan Chem Ind Ltd アルミナ粉末及びその製造方法並びに研磨用組成物
JP4092006B2 (ja) * 1998-03-04 2008-05-28 花王株式会社 研磨液組成物
JP4278773B2 (ja) * 1999-04-30 2009-06-17 花王株式会社 研磨液組成物
JP2001185516A (ja) * 1999-12-24 2001-07-06 Kao Corp 研磨助剤
JP4009986B2 (ja) * 2000-11-29 2007-11-21 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物、およびそれを用いてメモリーハードディスクを研磨する研磨方法
JP2003188122A (ja) * 2001-12-18 2003-07-04 Sanyo Chem Ind Ltd Cmpプロセス用研磨液
JP4219722B2 (ja) * 2003-03-31 2009-02-04 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
JP2006036864A (ja) * 2004-07-23 2006-02-09 Fujimi Inc 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法
JP4493094B2 (ja) * 2005-05-26 2010-06-30 花王株式会社 基板の連続製造方法
JP2007070548A (ja) * 2005-09-08 2007-03-22 Kao Corp 研磨液組成物
JP4656650B2 (ja) * 2005-11-28 2011-03-23 花王株式会社 基板の研磨方法

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