JP5560206B2 - 有機el表示装置及びその制御方法 - Google Patents
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Description
以下、本発明の実施の形態1について、図面を用いて説明する。
本変形例に係る有機EL表示装置は、実施の形態1に係る有機EL表示装置100とほぼ同じであるが、駆動トランジスタ173のバックゲートに所定のバイアス電位を供給している期間と、コンデンサ174の第1電極に信号電圧を供給している期間とを同じとし、走査線164とバイアス線とを共通の制御線とした点が異なる。
実施の形態2に係る有機EL表示装置は、実施の形態1に係る有機EL表示装置100とほぼ同じであるが、一の行に対応して配置された基準電源線と、当該一の行の前の行に対応して配置されたバイアス配線とが共用されている点が異なる。以下、本実施の形態に係る有機EL表示装置について、実施の形態1に係る有機EL表示装置100と異なる点を中心に述べる。
実施の形態2の変形例に係る有機EL表示装置は、実施の形態2に係る有機EL表示装置300とほぼ同じであるが、バックゲートパルスBG(0)〜BG(n)のローレベルからハイレベルへと切り換わるタイミングが異なる。
実施の形態3に係る有機EL表示装置は、実施の形態1に係る有機EL表示装置100と比較してほぼ同じであるが、第1スイッチング素子の一方の端子がデータ線に接続され、第1スイッチング素子の他方の端子がコンデンサの第2電極に接続されている点と、第2スイッチング素子の一方の端子がコンデンサの第1電極に接続され、第2スイッチング素子の他方の端子が第3基準電源線に接続されている点が異なる。以下、本実施の形態に係る有機EL表示装置について、実施の形態1に係る有機EL表示装置100と異なる点を中心に述べる。
本変形例に係る有機EL表示装置が有する発光画素は、実施の形態3に係る有機EL表示装置が有する発光画素470とほぼ同じであるが、リセットトランジスタ472のソース及びドレインの一方が基準電源線163に代わり、前の行の発光画素570に対応して配置されたバイアス配線165に接続されている点が異なる。つまり、本変形例に係る有機EL表示装置は、実施の形態2に係る有機EL表示装置300と実施の形態3に係る有機EL表示装置との組み合わせである。
110 書き込み駆動回路
120 データ線駆動回路
130 バイアス電圧制御回路
140 基準電源
150 直流電源
160、260、360 表示パネル
161 第1電源線
162 第2電源線
163 基準電源線
164 走査線
165 バイアス配線
166 データ線
170、270、370、470、570 発光画素
171、471 走査トランジスタ
172、472 リセットトランジスタ
173 駆動トランジスタ
174 コンデンサ
175 発光素子
180、280、380 表示部
190 基幹電源線
365 ダミーバイアス配線
Claims (32)
- 複数の画素部をマトリクス状に配置した有機EL表示装置であって、
前記複数の画素部の各々は、
第1電極と第2電極とを有する発光素子と、
電圧を保持するためのコンデンサと、
ゲート電極が前記コンデンサの第1電極に接続され、ソース電極が前記コンデンサの第2電極に接続され、前記コンデンサに保持された電圧に応じた駆動電流を前記発光素子に流すことにより前記発光素子を発光させる駆動トランジスタであって、所定のバイアス電圧が供給されることにより前記駆動トランジスタを非導通とするバックゲート電極を備えた駆動トランジスタと、
前記発光素子を介して、前記駆動トランジスタのソース電極に電気的に接続された第1電源線と、
前記駆動トランジスタのドレイン電極に電気的に接続された第2電源線と、
前記第1電源線とは異なる電源線であって前記コンデンサの第2電極に所定の基準電圧を設定する第3電源線と、
信号電圧を供給するためのデータ線と、
一方の端子が前記データ線に接続され、他方の端子が前記コンデンサの第1電極に接続され、前記データ線と前記コンデンサの第1電極との導通及び非導通を切り換える第1スイッチング素子と、
一方の端子が前記コンデンサの第2電極に接続され、他方の端子が前記第3電源線に接続され、前記コンデンサの第2電極と前記第3電源線との導通及び非導通を切り換える第2スイッチング素子と、
前記バックゲート電極に印加される前記所定のバイアス電圧を供給するバイアス線とを備え、
前記有機EL表示装置は、さらに、
前記第1スイッチング素子の制御、前記第2スイッチング素子の制御、及び前記バックゲート電極への前記バイアス電圧の供給制御を実行する駆動回路を備え、
前記所定のバイアス電圧は、前記駆動トランジスタの閾値電圧の絶対値を前記駆動トランジスタのゲート電極及びソース電極間の電位差よりも大きくするための電圧であり、
前記駆動回路は、
前記所定のバイアス電圧を前記バックゲート電極に印加することにより、前記駆動トランジスタの閾値電圧を前記ゲート電極及びソース電極間の電位差よりも大きくして前記駆動トランジスタを非導通とし、
前記所定のバイアス電圧を印加している期間内に前記第1スイッチング素子及び前記第2スイッチング素子を導通させて、前記駆動トランジスタを非導通とした状態で、前記コンデンサの第2電極に前記所定の基準電圧を設定しつつ前記コンデンサの第1電極に前記信号電圧を供給する、
有機EL表示装置。 - 前記有機EL表示装置は、さらに、
マトリクス状に配置された前記複数の画素部を含む表示部の外周に配置され、所定の固定電位を前記表示部に供給する基幹電源線を含み、
前記第2電源線は、
マトリクス状に配置された複数の画素部の各行および各列に対応して、前記基幹電源線から分岐して網目状に設けられている、
請求項1に記載の有機EL表示装置。 - 前記駆動トランジスタの閾値電圧を前記ゲート電極及びソース電極間の電位差よりも大きくするための前記所定のバイアス電圧とは、
各画素部に含まれる前記発光素子を最大階調で発光させるために必要な所定の信号電圧が前記駆動トランジスタのゲート電極に印加されたときに、前記駆動トランジスタの閾値電圧の絶対値を前記ゲート電極及びソース電極間の電位差よりも大きくするように設定された電圧である、
請求項1又は請求項2に記載の有機EL表示装置。 - 前記有機EL表示装置は、さらに、
前記第1スイッチング素子の導通及び非導通を制御する信号を供給する第1走査線と、
前記第2スイッチング素子の導通及び非導通を制御する信号を供給する第2走査線と、を備える、
請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の有機EL表示装置。 - 前記第3電源線及び前記バイアス線は、マトリクス状に配置された複数の画素部の各行に対応して配置され、
一の行に対応して配置された第3電源線と、前記一の行の前の行に対応して配置されたバイアス線とは共用されている、
請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の有機EL表示装置。 - 前記駆動回路は、
前記一の行の前の行に配置された各画素部に含まれる前記駆動トランジスタを、前記第3電源線と共用の前記バイアス線を介して前記所定の基準電圧を供給して導通状態としつつ、前記一の行に配置された各画素部に含まれるコンデンサの第2電極に、前記バイアス線と共用の前記第3電源線を介して前記所定の基準電圧を設定する、
請求項5に記載の有機EL表示装置。 - 前記駆動回路は、
前記一の行の前の行に配置された各画素部に含まれる前記駆動トランジスタを、前記第3電源線と共用の前記バイアス線を介して前記所定のバイアス電圧を供給して非導通状態としつつ、前記第2スイッチング素子を非導通として、前記一の行に配置された各画素部に含まれるコンデンサの第2電極に、前記バイアス線と共用の前記第3電源線を介して前記所定のバイアス電圧を書き込まない、
請求項6に記載の有機EL表示装置。 - 前記第1走査線と前記第2走査線とを共通の制御線とする、
請求項4に記載の有機EL表示装置。 - 前記第1スイッチング素子と前記駆動トランジスタとを互いに逆の極性のトランジスタで構成し、
前記バックゲート電極に前記所定のバイアス電圧を供給している期間と、前記コンデンサの第1電極に前記信号電圧を供給している期間とを同じとし、
前記第1走査線と前記バイアス線とを共通の制御線とする、
請求項4に記載の有機EL表示装置。 - 前記駆動トランジスタはN型トランジスタである、
請求項1乃至請求項9のいずれか1項に記載の有機EL表示装置。 - 前記第3電源線から供給される前記所定の基準電圧は前記第1電源線の電位以下とする、
請求項10に記載の有機EL表示装置。 - 前記駆動回路は、
前記コンデンサの第1電極に前記信号電圧を供給した後、前記第1スイッチング素子を非導通とし、
前記所定のバイアス電圧よりも大きな電位を前記バックゲート電極に供給して前記駆動トランジスタの閾値電圧を前記ゲート電極及び前記ソース電極の間の電位差よりも小さくすることで前記駆動トランジスタを導通状態とし、
前記コンデンサに保持されている電圧に対応する駆動電流を前記発光素子に流して前記発光素子を発光させる、
請求項10に記載の有機EL表示装置。 - 前記駆動トランジスタはP型トランジスタである、
請求項1乃至請求項9のいずれか1項に記載の有機EL表示装置。 - 前記第3電源線から供給される前記所定の基準電位は前記第1電源線の電位以上とする、
請求項13に記載の有機EL表示装置。 - 前記駆動回路は、
前記コンデンサの第1電極に前記信号電圧を供給した後、前記第1スイッチング素子をオフし、
前記所定のバイアス電圧よりも小さな電位を前記バックゲート電極に供給して前記駆動トランジスタの閾値電圧を前記ゲート電極及び前記ソース電極の間の電位差よりも小さくすることで前記駆動トランジスタを導通状態とし、
前記コンデンサに保持されている電圧に対応する駆動電流を前記発光素子に流して前記発光素子を発光させる、
請求項13に記載の有機EL表示装置。 - 第1電極と第2電極とを有する発光素子と、
電圧を保持するためのコンデンサと、
ゲート電極が前記コンデンサの第1電極に接続され、ソース電極が前記コンデンサの第2電極に接続され、前記コンデンサに保持された電圧に応じた駆動電流を前記発光素子に流すことにより前記発光素子を発光させる駆動トランジスタであって、所定のバイアス電圧が供給され、前記所定のバイアス電圧に応じて前記駆動トランジスタを非導通とするバックゲート電極を備えた駆動トランジスタと、
前記発光素子を介して、前記駆動トランジスタのソース電極に電気的に接続された第1電源線と、
前記駆動トランジスタのドレイン電極に電気的に接続された第2電源線と、
前記第1電源線とは異なる電源線であって前記コンデンサの第2電極に所定の基準電圧を設定する第3電源線と、
信号電圧を供給するためのデータ線と、
一方の端子が前記データ線に接続され、他方の端子が前記コンデンサの第1電極に接続され、前記データ線と前記コンデンサの第1電極との導通及び非導通を切り換える第1スイッチング素子と、
前記コンデンサの第2電極と前記第3電源線との間に設けられ前記コンデンサの第2電極と前記第3電源線との導通及び非導通を切り換える第2スイッチング素子と、
前記バックゲート電極に印加される前記所定のバイアス電圧を供給するバイアス線と、を備える有機EL表示装置の制御方法であって、
前記所定のバイアス電圧は、前記駆動トランジスタの閾値電圧を前記駆動トランジスタのゲート電極及びソース電極間の電位差よりも大きくするための電圧であり、
前記所定のバイアス電圧を前記バックゲート電極に印加することにより、前記駆動トランジスタの閾値電圧を前記ゲート電極及びソース電極間の電位差よりも大きくして前記駆動トランジスタを非導通とし、
前記所定のバイアス電圧を印加している期間内に前記第1スイッチング素子及び前記第2スイッチング素子をオンして、前記駆動電流を非導通とした状態で、前記コンデンサの第2電極に前記所定の基準電圧を設定し、前記信号電圧を前記コンデンサの第1電極に供給させる、
有機EL表示装置の制御方法。 - 複数の画素部をマトリクス状に配置した有機EL表示装置であって、
前記複数の画素部の各々は、
第1電極と第2電極とを有する発光素子と、
電圧を保持するためのコンデンサと、
ゲート電極が前記コンデンサの第1電極に接続され、ソース電極が前記コンデンサの第2電極に接続され、前記コンデンサに保持された電圧に応じた駆動電流を前記発光素子に流すことにより前記発光素子を発光させる駆動トランジスタであって、所定のバイアス電圧が供給され、前記所定のバイアス電圧に応じて前記駆動トランジスタを非導通とするバックゲート電極を備えた駆動トランジスタと、
前記発光素子を介して、前記駆動トランジスタのソース電極に電気的に接続された第1電源線と、
前記駆動トランジスタのドレイン電極に電気的に接続された第2電源線と、
前記第1電源線とは異なる電源線であって前記コンデンサの第1電極に所定の基準電圧を設定する第3電源線と、
信号電圧を供給するためのデータ線と、
一方の端子が前記データ線に接続され、他方の端子が前記コンデンサの第2電極に接続され、前記データ線と前記コンデンサの第2電極との導通及び非導通を切り換える第1スイッチング素子と、
一方の端子が前記コンデンサの第1電極に接続され、他方の端子が前記第3電源線に接続され、前記コンデンサの第1電極と前記第3電源線との導通及び非導通を切り換える第2スイッチング素子と、
前記バックゲート電極に印加される前記所定のバイアス電圧を供給するバイアス線とを備え、
前記有機EL表示装置は、さらに、
前記第1スイッチング素子の制御、前記第2スイッチング素子の制御、及び前記バックゲート電極への前記バイアス電圧の供給制御を実行する駆動回路を備え、
前記所定のバイアス電圧は、前記駆動トランジスタの閾値電圧の絶対値を前記駆動トランジスタのゲート電極及びソース電極間の電位差よりも大きくするための電圧であり、
前記駆動回路は、
前記所定のバイアス電圧を前記バックゲート電極に印加することにより、前記駆動トランジスタの閾値電圧を前記ゲート電極及びソース電極間の電位差よりも大きくして前記駆動トランジスタを非導通とし、
前記所定のバイアス電圧を印加している期間内に前記第1スイッチング素子及び前記第2スイッチング素子を導通させて、前記駆動トランジスタを非導通とした状態で、前記コンデンサの第1電極に前記所定の基準電圧を設定しつつ前記コンデンサの第2電極に前記信号電圧を供給する、
有機EL表示装置。 - 前記有機EL表示装置は、さらに、
マトリクス状に配置された前記複数の画素部を含む表示部の外周に配置され、所定の固定電位を前記表示部に供給する基幹電源線を含み、
前記第2電源線は、
マトリクス状に配置された複数の画素部の各行および各列に対応して、前記基幹電源線から分岐して網目状に設けられている、
請求項17に記載の有機EL表示装置。 - 前記駆動トランジスタの閾値電圧を前記ゲート電極及びソース電極間の電位差よりも大きくするための前記所定のバイアス電圧とは、
各画素部に含まれる前記発光素子を最大階調で発光させるために必要な所定の信号電圧が前記駆動トランジスタのゲート電極に印加されたときに、前記駆動トランジスタの閾値電圧の絶対値を前記ゲート電極及びソース電極間の電位差よりも大きくするように設定された電圧である、
請求項17又は請求項18に記載の有機EL表示装置。 - 前記有機EL表示装置は、さらに、
前記第1スイッチング素子の導通及び非導通を制御する信号を供給する第1走査線と、
前記第2スイッチング素子の導通及び非導通を制御する信号を供給する第2走査線と、を備える、
請求項17乃至請求項19のいずれか1項に記載の有機EL表示装置。 - 前記第3電源線及び前記バイアス線は、マトリクス状に配置された複数の画素部の各行に対応して配置され、
一の行に対応して配置された第3電源線と、前記一の行の前の行に対応して配置されたバイアス線とは共用されている、
請求項17乃至請求項20のいずれか1項に記載の有機EL表示装置。 - 前記駆動回路は、
前記一の行の前の行に配置された各画素部に含まれる前記駆動トランジスタを、前記第3電源線と共用の前記バイアス線を介して前記所定の基準電圧を供給して導通状態としつつ、前記一の行に配置された各画素部に含まれるコンデンサの第1電極に、前記バイアス線と共用の前記第3電源線を介して前記所定の基準電圧を設定する、
請求項21に記載の有機EL表示装置。 - 前記駆動回路は、
前記一の行の前の行に配置された各画素部に含まれる前記駆動トランジスタを、前記第3電源線と共用の前記バイアス線を介して前記所定のバイアス電圧を供給して非導通状態としつつ、前記第2スイッチング素子を非導通として、前記一の行に配置された各画素部に含まれるコンデンサの第1電極に、前記バイアス線と共用の前記第3電源線を介して前記所定のバイアス電圧を書き込まない、
請求項22に記載の有機EL表示装置。 - 前記第1走査線と前記第2走査線とを共通の制御線とする、
請求項20に記載の有機EL表示装置。 - 前記第1スイッチング素子と前記駆動トランジスタとを互いに逆の極性のトランジスタで構成し、
前記バックゲート電極に前記所定のバイアス電圧を供給している期間と、前記コンデンサの第2電極に前記信号電圧を供給している期間とを同じとし、
前記第1走査線と前記バイアス線とを共通の制御線とする、
請求項20に記載の有機EL表示装置。 - 前記駆動トランジスタはN型トランジスタである、
請求項17乃至請求項25のいずれか1項に記載の有機EL表示装置。 - 前記データ線から供給される前記信号電圧の最大値は前記第1電源線の電位以下とする、
請求項26に記載の有機EL表示装置。 - 前記駆動回路は、
前記コンデンサの第2電極に前記信号電圧を供給した後、前記第1スイッチング素子を非導通とし、
前記所定のバイアス電圧よりも大きな電位を前記バックゲート電極に供給して前記駆動トランジスタの閾値電圧を前記ゲート電極及び前記ソース電極の間の電位差よりも小さくすることで前記駆動トランジスタを導通状態とし、
前記コンデンサに保持されている電圧に対応する駆動電流を前記発光素子に流して前記発光素子を発光させる、
請求項26に記載の有機EL表示装置。 - 前記駆動トランジスタはP型トランジスタである、
請求項17乃至請求項25のいずれか1項に記載の有機EL表示装置。 - 前記データ線から供給される前記信号電圧の最小値は前記第1電源線の電位以上とする、
請求項29に記載の有機EL表示装置。 - 前記駆動回路は、
前記コンデンサの第2電極に前記信号電圧を供給した後、前記第1スイッチング素子を非導通とし、
前記所定のバイアス電圧よりも小さな電位を前記バックゲート電極に供給して前記駆動トランジスタの閾値電圧を前記ゲート電極及び前記ソース電極の間の電位差よりも小さくすることで前記駆動トランジスタを導通状態とし、
前記コンデンサに保持されている電圧に対応する駆動電流を前記発光素子に流して前記発光素子を発光させる、
請求項29に記載の有機EL表示装置。 - 第1電極と第2電極とを有する発光素子と、
電圧を保持するためのコンデンサと、
ゲート電極が前記コンデンサの第1電極に接続され、ソース電極が前記コンデンサの第2電極に接続され、前記コンデンサに保持された電圧に応じた駆動電流を前記発光素子に流すことにより前記発光素子を発光させる駆動トランジスタであって、所定のバイアス電圧が供給され、前記所定のバイアス電圧に応じて前記駆動トランジスタを非導通とするバックゲート電極を備えた駆動トランジスタと、
前記発光素子を介して、前記駆動トランジスタのソース電極に電気的に接続された第1電源線と、
前記駆動トランジスタのドレイン電極に電気的に接続された第2電源線と、
前記第1電源線とは異なる電源線であって前記コンデンサの第1電極に所定の基準電圧を設定する第3電源線と、
信号電圧を供給するためのデータ線と、
一方の端子が前記データ線に接続され、他方の端子が前記コンデンサの第2電極に接続され、前記データ線と前記コンデンサの第2電極との導通及び非導通を切り換える第1スイッチング素子と、
前記コンデンサの第1電極と前記第3電源線との間に設けられ前記コンデンサの第1電極と前記第3電源線との導通及び非導通を切り換える第2スイッチング素子と、
前記バックゲート電極に印加される前記所定のバイアス電圧を供給するバイアス線と、を備える有機EL表示装置の制御方法であって、
前記所定のバイアス電圧は、前記駆動トランジスタの閾値電圧を前記駆動トランジスタのゲート電極及びソース電極間の電位差よりも大きくするための電位であり、
前記所定のバイアス電圧を前記バックゲート電極に印加することにより、前記駆動トランジスタの閾値電圧を前記ゲート電極及びソース電極間の電位差よりも大きくして前記駆動トランジスタを非導通とし、
前記所定のバイアス電圧を印加している期間内に前記第1スイッチング素子及び前記第2スイッチング素子をオンして、前記駆動トランジスタを非導通とした状態で、前記コンデンサの第1電極に前記所定の基準電圧を設定し、前記信号電圧を前記コンデンサの第2電極に供給させる、
有機EL表示装置の制御方法。
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