JP5559037B2 - フォトレジスト用高分子化合物 - Google Patents
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Description
本発明の他の目的は、上記フォトレジスト用高分子化合物を含有するフォトレジスト組成物、及び該フォトレジスト組成物を使用したレジストパターンの形成方法を提供することにある。
尚、本明細書には上記発明の他に、アルカリ可溶性基が酸の作用により脱離する保護基により保護されることでアルカリ現像液に不溶又は難溶となっているフォトレジスト用高分子化合物であって、前記保護基の一部又は全部が2以上のアルカリ可溶性基を保護する多官能の保護基であることを特徴とするフォトレジスト用高分子化合物についても記載する。
本発明に係るフォトレジスト用高分子化合物は、アルカリ可溶性基が酸の作用により脱離する保護基により保護されることでアルカリ現像液に不溶又は難溶となっているフォトレジスト用高分子化合物であって、前記保護基の一部又は全部が2以上のアルカリ可溶性基を保護する多官能の保護基であることを特徴とする。
R−(OH)n1 (3)
(式中、Rは脂肪族炭化水素基を示し、n1は2以上の整数を示す)
で表される。
芳香族ポリオールは、芳香環を少なくとも1つ有しており、複数個の水酸基が芳香環に結合している化合物であり、下記式(5)
R’−(OH)n2 (5)
(式中、R’は芳香族炭化水素基を示し、n2は2以上の整数を示す)
で表される。R’に芳香環を複数個有する場合は、複数個の水酸基は同一の芳香環に結合していてもよく、異なる芳香環に結合していてもよい。
本発明のフォトレジスト組成物は、本発明に係るフォトレジスト用高分子化合物を少なくとも含有する。フォトレジスト組成物は、その他に、光酸発生剤、レジスト用溶剤等を含有していることが好ましい。
本発明に係るレジストパターンの形成方法は、本発明に係るフォトレジスト組成物によりレジスト塗膜を形成し、該レジスト塗膜を露光、現像することを特徴とする。
1H―NMR分析条件
本体:日本電子(株)製、500MHzNMR分析装置
試料濃度:3%(wt/wt)
溶媒:重DMSO
内部標準:TMS
GPC(ゲル浸透クロマトグラフィー)測定
カラム:TSKgel SuperHZM−Mを3本
カラム温度:40℃
溶離液:テトラヒドロフラン
溶離液流速:0.6mL/min
試料濃度:20mg/mL
注入量:10μL
ジムロート冷却管、温度計、撹拌子を装備した200mLの3つ口フラスコに、1,3,5−アダマンタントリオール2.18g、ヒドロキノン7.82g、p−トルエンスルホン酸13.51g、及び酢酸n−ブチル56.67gを仕込み、よく撹拌した。次に、フラスコ内を窒素置換した後、140℃に加温したオイルバスにフラスコを漬けて、撹拌しながら加熱を開始した。還流状態で2時間加熱し続けた後、冷却した。
冷却した反応液を分液ロートに移し、80gの蒸留水で洗浄した。さらに、65gの蒸留水で5回洗浄した。洗浄後の反応液は55.4gであった。洗浄後の反応液を500gのn−ヘプタンに注ぐと、橙色の粉体が析出した。これを濾過回収して60℃で12時間乾燥した結果、5.8gのアルカリ可溶性高分子化合物1を得た。得られたアルカリ可溶性高分子化合物1をGPC測定した結果、標準ポリスチレン換算の重量平均分子量は1100、分子量分布は1.69であった。得られたアルカリ可溶性高分子化合物1のジメチルスルホキシド−d6中での1H−NMR測定の結果、8〜9ppm付近にフェノール性水酸基中のH由来のピークが、6〜7ppm付近に芳香族のH由来のピークが、1〜3ppm付近にアダマンタン環のH由来のピークがみられた。
ジムロート冷却管、温度計、撹拌子を装備した200mLの3つ口フラスコに、1,3,5−アダマンタントリオール5.85g、ヒドロキノン24.18g、p−トルエンスルホン酸15.04g、及び酢酸n−ブチル170.02gを仕込み、よく撹拌した。次に、フラスコ内を窒素置換した後、140℃に加温したオイルバスにフラスコを漬けて、撹拌しながら加熱を開始した。還流状態で1時間加熱し続けた後、冷却した。
冷却した反応液を分液ロートに移し、100gの蒸留水で洗浄した。さらに、100gの蒸留水で5回洗浄した。洗浄後の反応液は181.4gであった。洗浄後の反応液に116.6gのn−ヘプタンを注ぐと、橙色の液状物が層分離して沈降した。沈降物を分液ロートで除去して、得られた上層をさらに207.9gのヘプタンに添加すると微黄色の液状物が沈降した。これを分液して45℃で8時間乾燥した結果、16.5gのアルカリ可溶性高分子化合物2を得た。得られたアルカリ可溶性高分子化合物2をGPC測定した結果、標準ポリスチレン換算の重量平均分子量は1000、分子量分布は1.13であった。
20mLのガラスアンプルに、製造例1で得られたアルカリ可溶性高分子化合物1を0.2g、p−トルエンスルホン酸0.003g、酢酸n−ブチル1.0gを仕込み、均一な溶液とした。アンプル内を窒素置換し、氷冷した。ガラス瓶にビニルオキシメチルシクロヘキサン0.4g、1,4−ジ(ビニルオキシメチル)シクロヘキサン0.1g、及び酢酸n−ブチル1.0gを仕込み、均一な溶液とし、ガラス瓶内を窒素置換した後、前記ガラスアンプル内に添加し、氷冷しながら、30分間撹拌した。その後、室温(25℃)で2時間撹拌した。その後、30gのメタノールを注ぎ込み、析出した固体を濾過回収し、30℃で12時間乾燥してフォトレジスト用高分子化合物1を0.40g得た。
得られたフォトレジスト用高分子化合物1をGPC測定した結果、標準ポリスチレン換算の重量平均分子量は7300、分子量分布は3.75であった。得られたフォトレジスト用高分子化合物1のジメチルスルホキシド−d6中での1H−NMR測定の結果、8〜9ppm付近にみられたフェノール性水酸基中のH由来のピークが消失していたため、フェノール性水酸基が保護基により保護されたことを確認した。
1,4−ジ(ビニルオキシメチル)シクロヘキサンの代わりに1,3−ジビニルオキシアダマンタンを使用した以外は実施例1と同様にして、フォトレジスト用高分子化合物2を0.35g得た。
得られたフォトレジスト用高分子化合物2をGPC測定した結果、標準ポリスチレン換算の重量平均分子量は8500、分子量分布は3.85であった。得られたフォトレジスト用高分子化合物2のジメチルスルホキシド−d6中での1H−NMR測定の結果、8〜9ppm付近にみられたフェノール性水酸基中のH由来のピークが消失していたため、フェノール性水酸基が保護基により保護されたことを確認した。
1,4−ジ(ビニルオキシメチル)シクロヘキサンの代わりに2,6−ジオキサ−4,8−ジビニルオキシビシクロ[3.3.0]オクタンを使用した以外は実施例1と同様にして、フォトレジスト用高分子化合物3を0.32g得た。
得られたフォトレジスト用高分子化合物3をGPC測定した結果、標準ポリスチレン換算の重量平均分子量は8050、分子量分布は3.55であった。得られたフォトレジスト用高分子化合物3のジメチルスルホキシド−d6中での1H−NMR測定の結果、8〜9ppm付近にみられたフェノール性水酸基中のH由来のピークが消失していたため、フェノール性水酸基が保護基により保護されたことを確認した。
100mLのナス型フラスコに、製造例2で得られたフォトレジスト用ポリオール化合物2を0.3g、p−トルエンスルホン酸0.003g、酢酸n−ブチル12.0gを仕込み、均一な溶液とした。フラスコ内を窒素置換した。ガラス瓶にシクロへキシルビニルエーテル0.48g、シクロヘキサンジメタノールジビニルエーテル0.06g、酢酸n−ブチル3.0gを仕込み、均一な溶液とし、ガラス瓶内を窒素置換した後、前記ナス型フラスコ内に添加し、室温(25℃)で1時間撹拌した。その後、100gのメタノール/水=3/1(重量)に注ぎ込み、析出する固体を濾過回収し、30℃で12時間乾燥してフォトレジスト用高分子化合物4を0.35g得た。
得られたフォトレジスト用高分子化合物4をGPC測定した結果、標準ポリスチレン換算の重量平均分子量は1620、分子量分布は1.24であった。得られたフォトレジスト用化合物4のジメチルスルホキシド−d6中での1H−NMR測定の結果、8〜9ppm付近にみられたフェノール性水酸基中のH由来のピークが消失していたため、フェノール性水酸基が保護基により保護されたことが確かめられた。
シクロへキシルビニルエーテルの仕込量を0.41gに、シクロヘキサンジメタノールジビニルエーテルの仕込量を0.13gに変更した以外は実施例4と同様にして、フォトレジスト用高分子化合物5を0.41g得た。
得られたフォトレジスト用高分子化合物5をGPC測定した結果、標準ポリスチレン換算の重量平均分子量は4940、分子量分布は2.61であった。得られたフォトレジスト用高分子化合物5のジメチルスルホキシド−d6中での1H−NMR測定の結果、8〜9ppm付近にみられたフェノール性水酸基中のH由来のピークが消失していたため、フェノール性水酸基が保護基により保護されたことを確認した。
実施例1〜3で得られたフォトレジスト用高分子化合物1〜3について、下記方法により評価を行った。
フォトレジスト用高分子化合物100重量部、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナート5重量部、及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを混合し、フォトレジスト用高分子化合物濃度15重量%のフォトレジスト組成物を得た。
得られたフォトレジスト組成物をシリコンウェハ上にスピンコーティング法により塗布し、厚み500nmのレジスト塗膜を形成し、ホットプレートにより温度100℃で120秒間プレベークした。KrFエキシマレーザーを使用して、マスクを介して、照射量30mJ/cm2で露光した後、温度100℃で60秒間PEB処理を行った。次いで、2.38%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液により60秒間現像し、純水で洗い流したところ、何れの場合も、幅0.20μmのライン・アンド・スペースパターンが得られた。
Claims (7)
- アダマンタン環の3級位に2個以上の水酸基が結合したアダマンタンポリオールと芳香族ポリオールとのFriedel−Crafts反応により得られるアダマンタン環と芳香環に2個以上の水酸基を有する芳香族基とが結合した単位を有する、重量平均分子量(ポリスチレン換算)500〜5000のポリオール化合物のフェノール性水酸基に、分子量100〜500の多価ビニルエーテル化合物を反応させて得られる、2個以上の前記ポリオール化合物が前記多価ビニルエーテル化合物とアセタール構造を形成して結合した構造を有するフォトレジスト用高分子化合物。
- ポリオール化合物が、アダマンタン環と芳香環に2個以上の水酸基を有する芳香族基とが交互に結合した単位を有するポリオール化合物である請求項1に記載のフォトレジスト用高分子化合物。
- 芳香族ポリオールがヒドロキノンである請求項1又は2に記載のフォトレジスト用高分子化合物。
- 芳香族ポリオールがナフタレンポリオールである請求項1又は2に記載のフォトレジスト用高分子化合物。
- アダマンタン環と芳香環に2個以上の水酸基を有する芳香族基とが結合した単位を有するポリオール化合物のフェノール性水酸基に、多価ビニルエーテル化合物を少なくとも含むビニルエーテル化合物を反応させて得られるフォトレジスト用高分子化合物を少なくとも含むフォトレジスト組成物。
- 請求項6に記載のフォトレジスト組成物によりレジスト塗膜を形成し、該レジスト塗膜を露光、現像することを特徴とするレジストパターンの形成方法。
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