WO2009122753A1 - フォトレジスト組成物 - Google Patents

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WO2009122753A1
WO2009122753A1 PCT/JP2009/001559 JP2009001559W WO2009122753A1 WO 2009122753 A1 WO2009122753 A1 WO 2009122753A1 JP 2009001559 W JP2009001559 W JP 2009001559W WO 2009122753 A1 WO2009122753 A1 WO 2009122753A1
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polyol
compound
photoresist composition
group
aromatic
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PCT/JP2009/001559
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Inventor
堤聖晴
奥村有道
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ダイセル化学工業株式会社
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    • C09D165/00—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain; Coating compositions based on derivatives of such polymers
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    • C08G2261/40—Polymerisation processes
    • C08G2261/45—Friedel-Crafts-type

Definitions

  • the present invention uses a photoresist composition containing a novel polyol compound and a vinyl ether compound, a method for forming a resist coating using the photoresist composition, the resulting resist coating, and the resist coating.
  • the present invention relates to a method for forming a resist pattern.
  • a base material component that has film-forming ability and changes to alkali-solubility by the action of acid, and generates acid upon exposure
  • a chemically amplified resist containing an acid generator component is known.
  • Examples of reducing the LER by reducing the average particle size per molecule include, for example, a photo described in Patent Document 1 containing a polyhydric phenol compound and an acid generator component that generates an acid upon exposure. Examples include resist compositions.
  • this photoresist composition is not satisfactory in terms of resolution, etching resistance, and pattern collapse. That is, the present situation is that no photoresist composition has been found that can reduce LER, has excellent resolution and etching resistance, and can suppress pattern collapse.
  • an object of the present invention is to provide a novel photoresist composition that can reduce LER, is excellent in resolution and etching resistance, and can suppress pattern collapse.
  • Another object of the present invention is to provide a method for forming a resist coating film using the above photoresist composition, a resist coating film formed by the method for forming a resist coating film, and a method for forming a resist pattern using the resist coating film. It is to provide.
  • the present inventor has found that a photopolymer containing a polyol compound in which an aliphatic group and an aromatic group having a plurality of hydroxyl groups on an aromatic ring are alternately bonded, and a vinyl ether compound. It has been found that the resist composition can easily react the polyol compound and the vinyl ether compound by heating. And the high molecular compound obtained by reaction discovered that it was excellent in alkali developing solution insolubility, or alkali developing solution poor solubility, and etching resistance, and can suppress pattern collapse.
  • the polymer compound obtained by reacting the polyol compound with the vinyl ether compound can be easily decomposed by the action of an acid, thereby reducing the LER and increasing the resolution. It has been found that image properties can be exhibited.
  • the present invention has been completed based on these findings and further research.
  • the present invention provides a photoresist composition containing a polyol compound in which an aliphatic group and an aromatic group having a plurality of hydroxyl groups on an aromatic ring are alternately bonded, and a vinyl ether compound.
  • the polyol compound is preferably a polyol compound obtained by an acid-catalyzed reaction between an aliphatic polyol and an aromatic polyol, and the acid-catalyzed reaction is preferably a Friedel-Crafts reaction.
  • the aliphatic polyol is preferably an alicyclic polyol, and more preferably an adamantane polyol in which two or more hydroxyl groups are bonded to the tertiary position of the adamantane ring.
  • the aromatic polyol is preferably hydroquinone or naphthalene polyol.
  • the weight average molecular weight of the polyol compound is preferably 500 to 5,000.
  • vinyl ether compound a polyvalent vinyl ether compound is preferable.
  • the present invention also provides a method for forming a resist coating film, which comprises applying the photoresist composition to a substrate and then heating to react a polyol compound and a vinyl ether compound.
  • the present invention further provides a resist coating film formed by the method for forming a resist coating film.
  • the present invention further provides a method for forming a resist pattern, characterized by exposing and developing the resist coating film.
  • the photoresist composition according to the present invention contains a polyol compound in which an aliphatic group and an aromatic group having a plurality of hydroxyl groups in an aromatic ring are alternately bonded, and a vinyl ether compound, and thus can be easily heated. Can be reacted.
  • the polymer compound for photoresist obtained by the reaction is insoluble in alkali developer or hardly soluble in alkali developer, has excellent etching resistance, and can suppress pattern collapse. Furthermore, the polymer compound for photoresist can be easily decomposed by the action of an acid, can reduce LER, and has excellent resolution.
  • EUV Extreme Ultraviolet: wavelength of about 13.5 nm
  • LER can be reduced to 2 nm or less even in photolithography with a line-and-space pattern of 22 nm or less, and a high-resolution resist.
  • a pattern can be formed.
  • the photoresist composition according to the present invention contains a polyol compound in which an aliphatic group and an aromatic group having a plurality of hydroxyl groups in an aromatic ring are alternately bonded, and a vinyl ether compound.
  • the polyol compound has a structure in which an aliphatic group and an aromatic group having a plurality of hydroxyl groups on an aromatic ring are alternately bonded.
  • a unit in which one aliphatic group and one aromatic group are bonded (repeatedly).
  • a polyol compound (for example, a compound in which one or more aromatic groups are bonded to one aliphatic group, a compound in which two or more aliphatic groups are bonded to one aromatic group), and a repeating unit May be a polyol compound having 2 or more, or a mixture thereof.
  • the polyol compound can be produced by various methods, for example, a method in which an aliphatic polyol and an aromatic polyol are acid-catalyzed, a method in which an aliphatic polyvalent halide and an aromatic polyol are acid-catalyzed, phenol And a method in which formaldehyde is reacted with an acid catalyst or an alkali catalyst.
  • the aliphatic polyol is a compound in which a plurality of hydroxyl groups are bonded to an aliphatic hydrocarbon group, and the following formula (1) R- (OH) n1 (1) (In the formula, R represents an aliphatic hydrocarbon group, and n1 represents an integer of 2 or more) It is represented by
  • R in the formula (1) includes, for example, a chain aliphatic hydrocarbon group, a cyclic aliphatic hydrocarbon group, and a group in which these are bonded.
  • the chain aliphatic hydrocarbon group include 1 to 20 carbon atoms (preferably methyl, ethyl, propyl, isopropyl, butyl, isobutyl, s-butyl, t-butyl, pentyl, hexyl, decyl, dodecyl group, etc.)
  • an alkenyl group having about 2 to 20 carbon atoms (preferably 2 to 10, more preferably 2 to 3) such as vinyl, allyl and 1-butenyl groups
  • Examples thereof include alkynyl groups having about 2 to 20 carbon atoms (preferably 2 to 10, more preferably 2 to 3) such as ethynyl and propynyl groups.
  • the cycloaliphatic hydrocarbon group includes a cycloalkyl group having about 3 to 20 members (preferably 3 to 15 members, more preferably 5 to 8 members) such as cyclopropyl, cyclobutyl, cyclopentyl, cyclohexyl, cyclooctyl group; Cycloalkenyl groups of about 3 to 20 members (preferably 3 to 15 members, more preferably 5 to 8 members) such as pentenyl and cyclohexenyl groups; perhydronaphthalen-1-yl groups, norbornyl, adamantyl, tetracyclo [4 4.0.1, 2,5 . And a bridged cyclic hydrocarbon group such as 1 7,10 ] dodecan-3-yl group.
  • the hydrocarbon group in which the chain aliphatic hydrocarbon group and the cyclic aliphatic hydrocarbon group are bonded to each other includes a cycloalkyl-alkyl group such as cyclopentylmethyl, cyclohexylmethyl, 2-cyclohexylethyl group (for example, C 3-20 cyclohexane). Alkyl-C 1-4 alkyl group and the like).
  • the hydrocarbon group includes various substituents such as halogen atoms, oxo groups, hydroxyl groups, substituted oxy groups (for example, alkoxy groups, aryloxy groups, aralkyloxy groups, acyloxy groups, etc.), carboxyl groups, substituted oxycarbonyls.
  • the hydroxyl group and carboxyl group may be protected with a protective group commonly used in the field of organic synthesis.
  • an alicyclic polyol is preferable in that the etching resistance can be improved.
  • the alicyclic polyol is a compound having an alicyclic skeleton, and the hydroxyl group may be directly bonded to the alicyclic skeleton or may be bonded via a linking group.
  • the linking group is selected from an alkylene group (C 1-6 alkylene group, etc.), one or more of the alkylene groups, and —O—, —C ( ⁇ O) —, —NH—, —S—. And a group to which at least one group is bonded.
  • Examples of the alicyclic polyol include cyclohexane diol, cyclohexane triol, cyclohexane dimethanol, isopropylidene dicyclohexanol, decalin diol, and tricyclodecane dimethanol;
  • R in the formula (1) is represented by the following formula (2a ) To (2j), or a ring in which two or more of these are bonded, and a bridged alicyclic polyol in which two or more hydroxyl groups are bonded to R.
  • aliphatic polyol a bridged alicyclic polyol is preferable, and an adamantane polyol in which two or more hydroxyl groups are bonded to the tertiary position of the adamantane ring (2a) is particularly preferable in terms of excellent etching resistance. .
  • the aromatic polyol in the present invention is a compound having at least one aromatic ring and having a plurality of hydroxyl groups bonded to the aromatic ring.
  • R '-(OH) n2 (3) (In the formula, R ′ represents an aromatic hydrocarbon group, and n2 represents an integer of 2 or more) It is represented by When R ′ has a plurality of aromatic rings, the plurality of hydroxyl groups may be bonded to the same aromatic ring, or may be bonded to different aromatic rings.
  • R ′ in the formula (3) examples include an aromatic hydrocarbon group and a group in which a chain aliphatic hydrocarbon group and / or a cyclic aliphatic hydrocarbon group is bonded to the aromatic hydrocarbon group.
  • the aromatic hydrocarbon group examples include aromatic hydrocarbon groups having about 6 to 14 (preferably 6 to 10) carbon atoms such as phenyl and naphthyl groups.
  • the chain aliphatic hydrocarbon group and the cyclic aliphatic hydrocarbon group include the same examples as the examples of the chain aliphatic hydrocarbon group and the cyclic aliphatic hydrocarbon group in R.
  • Examples of the group in which the chain aliphatic hydrocarbon group is bonded to the aromatic hydrocarbon group include an alkyl-substituted aryl group (for example, a phenyl group or a naphthyl group substituted with about 1 to 4 C 1-4 alkyl groups), etc. Is included.
  • the aromatic hydrocarbon group may be various substituents such as halogen atoms, oxo groups, hydroxyl groups, substituted oxy groups (for example, alkoxy groups, aryloxy groups, aralkyloxy groups, acyloxy groups), carboxyl groups, substituted Oxycarbonyl group (alkoxycarbonyl group, aryloxycarbonyl group, aralkyloxycarbonyl group, etc.), substituted or unsubstituted carbamoyl group, cyano group, nitro group, substituted or unsubstituted amino group, sulfo group, heterocyclic group, etc. You may do it.
  • the hydroxyl group and carboxyl group may be protected with a protective group commonly used in the field of organic synthesis.
  • an aromatic or non-aromatic heterocycle may be condensed with the ring of the aromatic hydrocarbon group.
  • aromatic polyols examples include naphthalene polyols such as hydroquinone, resorcinol, 1,3-dihydroxynaphthalene, 1,4-dihydroxynaphthalene, biphenol, bis (4-hydroxyphenyl) methane, bisphenol A, 1,1,1- And (4-hydroxyphenyl) ethane.
  • hydroquinone and naphthalene polyol can be preferably used because they are easily available.
  • Examples of the acid catalyst used in the acid catalyst reaction include Lewis acids such as aluminum chloride, iron (III) chloride, tin (IV) chloride, and zinc (II) chloride; HF, sulfuric acid, p-toluenesulfonic acid, and phosphoric acid. And the like. These can be used alone or in admixture of two or more. When used for semiconductor production, it is preferable to use an organic acid such as sulfuric acid or p-toluenesulfonic acid, since the contamination of metal components is avoided.
  • the amount of the acid catalyst to be used is, for example, about 0.01 to 10 mol, preferably about 0.1 to 5 mol, per 1 mol of the aliphatic polyol.
  • the acid catalyzed reaction is performed in the presence or absence of a solvent inert to the reaction.
  • a solvent include hydrocarbons such as hexane, cyclohexane, and toluene; halogenated hydrocarbons such as methylene chloride, 1,2-dichloroethane, chloroform, carbon tetrachloride, and chlorobenzene; diethyl ether, dimethoxyethane, tetrahydrofuran, dioxane, and the like.
  • Linear or cyclic ethers such as acetonitrile and benzonitrile; esters such as ethyl acetate and n-butyl acetate; carboxylic acids such as acetic acid; amides such as N, N-dimethylformamide; ketones such as acetone and methyl ethyl ketone; nitromethane, Nitro compounds such as nitrobenzene; and mixtures thereof.
  • the reaction temperature in the acid-catalyzed reaction can be appropriately selected according to the type of reaction components.
  • the reaction temperature is, for example, room temperature (25 ° C.) to 200 ° C., preferably 50 to 150 ° C. Degree.
  • the reaction may be carried out by any system such as batch system, semi-batch system, and continuous system.
  • the amount of the aromatic polyol used is generally about 1.0 to 100 mol, preferably about 3.0 to 50 mol, and more preferably about 5.0 to 20 mol with respect to 1 mol of the aliphatic polyol. A large excess of aromatic polyol may be used.
  • the above reaction produces the corresponding polyol compound.
  • the reaction product can be separated and purified by a general separation and purification means such as liquid property adjustment, filtration, concentration, crystallization, washing, recrystallization, column chromatography and the like.
  • the crystallization solvent may be any solvent that does not dissolve the produced polyol compound, and examples thereof include hydrocarbons such as hexane, heptane, and cyclohexane.
  • the raw material aliphatic polyol and aromatic polyol can be easily removed and the purification efficiency is improved, so that the produced polyol compound does not dissolve, and the raw material aliphatic polyol.
  • a solvent in which the aromatic polyol is dissolved for example, ether such as tetrahydrofuran; ketone such as acetone and 2-butanone; ester such as ethyl acetate; alcohol such as methanol and ethanol.
  • ether such as tetrahydrofuran
  • ketone such as acetone and 2-butanone
  • ester such as ethyl acetate
  • alcohol such as methanol and ethanol
  • crystallization is used to include precipitation.
  • the reaction product often contains a component insoluble in an alkali developer.
  • Such components include (i) a relatively high molecular weight component having a molecular weight exceeding 2000, and (ii) even if the molecular weight is 1000 to 2000, the phenolic hydroxyl group in the polyol compound is in contact with a solvent or the like during the reaction. There are compounds sealed by transesterification and the like.
  • a polyol compound containing a component insoluble in an alkali developer is used for resist applications, there is a possibility that the roughness during pattern formation will be adversely affected, or particles may be generated during development, which may remain as foreign matter in the pattern.
  • the solution in which the polyol compound is dissolved in a solvent is mixed with a poor solvent for the compound having a phenolic hydroxyl group, and the hydrophobic impurities are removed by precipitation or layer separation (separated as a liquid material). It is preferable to provide a process. Since this component can be efficiently removed, LER can be reduced, and a polyol compound useful for preparing a resist composition excellent in resolution and etching resistance is efficiently produced with high purity. be able to.
  • the solvent used for the polyol compound solution examples include ethers such as tetrahydrofuran; ketones such as acetone and 2-butanone; esters such as ethyl acetate and n-butyl acetate; alcohols such as methanol and ethanol. These solvents can be used alone or in admixture of two or more.
  • the polyol compound solution used for the removal of hydrophobic impurities may be a reaction solution obtained by an acid-catalyzed reaction. The reaction solution is diluted, concentrated, filtered, adjusted for liquidity, solvent exchange, etc. Any of the solutions obtained by performing the above operations may be used.
  • the content of the polyol compound in the solution containing the polyol compound used for the operation of removing hydrophobic impurities is, for example, 1 to 40% by weight, preferably 3 to 30% by weight.
  • the poor solvent for the compound having a phenolic hydroxyl group examples include a solvent having a phenol solubility (25 ° C.) of 1 g / 100 g or less.
  • Specific examples of the poor solvent for the compound having a phenolic hydroxyl group include, for example, aliphatic hydrocarbons such as hexane and heptane, hydrocarbons such as alicyclic hydrocarbons such as cyclohexane; water and water-soluble organic solvents (for example, methanol And alcohols such as ethanol; ketones such as acetone; nitriles such as acetonitrile; cyclic ethers such as tetrahydrofuran] and the like; water and the like.
  • These solvents can be used alone or in admixture of two or more.
  • the amount of the poor solvent used is, for example, 1 to 55 parts by weight, preferably 5 to 50 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the solution containing the polyol compound
  • the poor solvent may be added to the polyol compound solution, or the polyol compound solution may be added to the poor solvent, but the poor solvent is added to the polyol compound solution. More preferably, is added in small portions.
  • Precipitation or separated hydrophobic impurities can be removed by methods such as filtration, centrifugation, and decantation. Thereafter, the polyol compound can be deposited or separated into layers by further mixing the solution after removing the hydrophobic impurities with a poor solvent for the compound having a phenolic hydroxyl group.
  • the poor solvent may be added to the solution after removing the hydrophobic impurities, or the solution after removing the hydrophobic impurities may be added to the poor solvent, but the hydrophobic impurities are removed to the poor solvent. It is more preferable to add the later solution.
  • the amount of the poor solvent in this step is, for example, 60 to 1000 parts by weight, preferably 65 to 800 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the solution (solution containing the polyol compound) after removing the hydrophobic impurities. .
  • the precipitated or layer-separated polyol compound can be recovered by filtration, centrifugation, decantation, or the like.
  • the poor solvent used when depositing or separating layers of hydrophobic impurities and the poor solvent used when depositing or separating layers of the target polyol compound may be the same or different.
  • the obtained polyol compound is subjected to drying as necessary.
  • the weight average molecular weight (Mw) of the polyol compound in the present invention is about 500 to 5000, preferably about 1000 to 3000, and more preferably about 1000 to 2000.
  • the weight average molecular weight of the polyol compound exceeds 5,000, the particle size of the polyol compound becomes too large, so that it tends to be difficult to reduce LER.
  • the weight average molecular weight of the polyol compound is less than 500, the heat resistance tends to decrease.
  • the molecular weight distribution (Mw / Mn) is, for example, about 1.0 to 2.5.
  • said Mn shows a number average molecular weight
  • both Mn and Mw are values of standard polystyrene conversion.
  • polyol compound in the present invention examples include polyol compounds described in the following formulas (4a), (4b), and (4c).
  • s, t and u are the same or different and represent an integer of 0 or more. “...” Indicates that the repeating unit of “adamantane ring-hydroquinone” may be further repeated, and may be terminated here.
  • the vinyl ether compound is used to form a protective group for inhibiting the polyol compound from dissolving in an alkaline developer, and includes, for example, a monovinyl ether compound, a polyvalent vinyl ether compound (for example, a divinyl ether compound, Trivinyl ether compound, tetravinyl ether compound, hexavinyl ether compound) and the like. These can be used alone or in admixture of two or more. In the present invention, even if the weight average molecular weight of the polyol compound is small, the polymer compound for photoresist obtained by heating the polyol compound and the vinyl ether compound becomes liquid and it is difficult to form a resist coating film.
  • a vinyl ether compound having a molecular weight of a certain level or more for example, a molecular weight of about 100 to 500. If the molecular weight of the vinyl ether compound is too small, the risk of contamination of the optical system due to outgas generated by EUV exposure tends to increase. On the other hand, if the molecular weight of the vinyl ether compound is too large, the viscosity becomes too high and it tends to be difficult to apply to the base material, and the vinyl ether compound remains as a residue on the base material or substrate after development, causing development defects. There is a fear.
  • the vinyl ether compound can be synthesized, for example, by reacting vinyl acetate with alcohol in the presence of an iridium catalyst.
  • Examples of the vinyl ether compound used in the present invention include compounds represented by the following formulas (5a) to (5m) and (6a) to (6n).
  • the photoresist composition according to the present invention contains the polyol compound and the vinyl ether compound.
  • the content of the polyol compound and the vinyl ether compound can be appropriately adjusted according to the number of phenolic hydroxyl groups and vinyl ether groups. For example, about 100 to 100 vinyl ether groups with respect to 100 phenolic hydroxyl groups, preferably Is about 50 to 80. If the number of vinyl ether groups is less than 30, the protection of phenolic hydroxyl groups becomes insufficient, making it difficult to sufficiently impart insolubility or poor solubility in an alkaline developer, and at the time of forming a resist pattern The unexposed portion is dissolved or swollen in the alkaline developer, and it tends to be difficult to accurately reproduce the target pattern.
  • the photoresist composition according to the present invention preferably contains a photoacid generator and a resist solvent.
  • photoacid generator examples include conventional or known compounds that efficiently generate acid upon exposure, such as diazonium salts, iodonium salts (for example, diphenyliodohexafluorophosphate), sulfonium salts (for example, triphenylsulfonium hexafluoroantimony).
  • diazonium salts for example, diphenyliodohexafluorophosphate
  • sulfonium salts for example, triphenylsulfonium hexafluoroantimony
  • sulfonate esters [eg 1-phenyl-1- (4-methylphenyl) sulfonyloxy-1-benzoylmethane 1,2,3-trisulfonyloxymethylbenzene, 1,3-dinitro-2- (4-phenylsulfonyloxymethyl) benzene, 1-phenyl-1- (4-methylphenyl) Nylsulfonyloxymethyl) -1-hydroxy-1-benzoylmethane etc.], oxathiazole derivatives, s-triazine derivatives, disulfone derivatives (diphenyldisulfone etc.), imide compounds, oxime sulfonates, diazonaphthoquinones, benzo
  • the amount of the photoacid generator used can be appropriately selected according to the strength of the acid generated by light irradiation, the ratio of the polyol compound, and the like. It can be selected from the range of about 1 to 25 parts by weight, more preferably about 2 to 20 parts by weight.
  • the resist solvent examples include glycol solvents, ester solvents, ketone solvents, and mixed solvents thereof.
  • propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, ethyl lactate, methyl isobutyl ketone, methyl amyl ketone, and a mixed solution thereof are preferable, and in particular, propylene glycol monomethyl ether acetate alone solvent, propylene glycol monomethyl ether acetate and A solvent containing at least propylene glycol monomethyl ether acetate such as a mixed solvent of propylene glycol monomethyl ether and a mixed solvent of propylene glycol monomethyl ether acetate and ethyl lactate is preferably used.
  • the concentration of the polyol compound in the photoresist composition can be appropriately set according to the coating thickness as long as it is within a range that can be applied to the substrate, and is, for example, about 2 to 20% by weight, preferably It is about 5 to 15% by weight. If the polyol compound concentration is too high, the viscosity becomes too high and it tends to be difficult to apply on the substrate. On the other hand, when the polyol compound concentration is too thin, it tends to be difficult to form a resist coating film.
  • the photoresist composition according to the present invention contains alkali-soluble components such as alkali-soluble resins (for example, novolak resins, phenol resins, imide resins, carboxyl group-containing resins, etc.), colorants (for example, dyes), and the like. May be included.
  • alkali-soluble resins for example, novolak resins, phenol resins, imide resins, carboxyl group-containing resins, etc.
  • colorants for example, dyes
  • the method for forming a resist coating film according to the present invention is characterized in that the above photoresist composition is applied to a substrate and then heated to react the polyol compound and the vinyl ether compound.
  • the polyol compound in the present invention has a phenolic hydroxyl group that imparts solubility to an alkaline developer, and is hardly soluble in an alkaline developer by protecting the phenolic hydroxyl group with a protecting group that is easily released by the action of an acid.
  • alkali developer insolubility can be imparted.
  • the phenolic hydroxyl group of the polyol compound reacts with the vinyl ether group of the vinyl ether compound, and the acetal that is easily eliminated by the action of an acid.
  • a structure can be formed.
  • a polyvalent vinyl ether compound when used as the vinyl ether compound, two or more polyol compounds can be bonded via a protective group, so that the function of suppressing pattern collapse can be further improved and etching resistance can be further improved. Can demonstrate its sexuality.
  • the base material examples include silicon wafer, metal, plastic, glass, ceramic and the like.
  • the photoresist composition can be applied using a conventional application means such as a spin coater, a dip coater, or a roller coater.
  • the thickness of the resist coating film is, for example, about 0.01 to 10 ⁇ m, preferably about 0.03 to 1 ⁇ m.
  • Heating can be performed using a heating device such as a hot plate or an oven.
  • the heating conditions are, for example, a temperature of 150 to 250 ° C. (preferably 150 to 200 ° C.) and about 1 minute to 1 hour (preferably 1 to 5 minutes).
  • the resist coating film according to the present invention formed by the above-described method for forming a resist coating film is obtained by a reaction between a polyol compound and a vinyl ether compound, and is made of a polymer compound for photoresist that can be easily decomposed by an acid. Etching resistance is excellent, LER can be reduced, and pattern collapse can be suppressed. Therefore, it can be suitably used for various applications such as the production of semiconductor elements and liquid crystal display elements as a high-resolution resist coating film capable of reproducing a pattern with a fine dimension.
  • the resist pattern forming method according to the present invention is characterized in that the resist coating film is exposed and developed, and the resist coating film is exposed through a predetermined mask to form a latent image pattern and then developed. Thus, a resist pattern is formed.
  • light of various wavelengths such as ultraviolet rays and X-rays can be used.
  • semiconductor resists g-rays, i-rays, and excimer lasers (eg, XeCl, KrF, KrCl, ArF, ArCl, etc.) are usually used.
  • EUV Extreme Ultraviolet
  • the exposure energy is, for example, about 1 to 1000 mJ / cm 2 , preferably about 10 to 500 mJ / cm 2 .
  • An acid is generated from the photoacid generator by exposure, followed by a post-exposure baking process (hereinafter sometimes referred to as “PEB process”), whereby the generated acid acts on the protective group, and the photoresist
  • PEB process a post-exposure baking process
  • the protecting group in the polymer compound for use is quickly eliminated, and a phenolic hydroxyl group that contributes to solubilization of the alkaline developer is generated. Therefore, a predetermined pattern can be formed with high accuracy by developing with an alkali developer.
  • the conditions for the PEB treatment are, for example, a temperature of 50 to 180 ° C., about 0.1 to 10 minutes, preferably about 1 to 3 minutes.
  • the resist coating film that has been subjected to PEB treatment can be developed using a developer to remove the exposed portion. Thereby, patterning of a resist coating film is performed.
  • Examples of the developing method include a liquid piling method, a dipping method, and a rocking dipping method.
  • an alkaline aqueous solution for example, a 0.1 to 10% by weight tetramethylammonium hydroxide aqueous solution
  • tetramethylammonium hydroxide aqueous solution can be used as the developer.
  • Developed substrate is preferably washed with running water and air-dried using compressed air or compressed nitrogen. Thus, a resist pattern is formed on the substrate.
  • LER can be reduced, pattern collapse can be suppressed,
  • a high-resolution resist pattern having an and space pattern of 0.05 ⁇ m or less (for example, 0.01 to 0.05 ⁇ m) can be formed.
  • the reaction liquid after washing was 15.6 g.
  • the washed reaction solution was poured into 100 g of n-heptane, an orange powder was precipitated. This was recovered by filtration and dried at 60 ° C. for 12 hours.
  • 2.2 g of polyol compound 2 was obtained.
  • the weight average molecular weight in terms of standard polystyrene was 800, and the molecular weight distribution was 1.26.
  • Example 1 100 parts by weight of the polyol compound 1 obtained in Production Example 1, 50 parts by weight of 1,4-di (vinyloxymethyl) cyclohexane, 5 parts by weight of triphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, and propylene glycol monomethyl ether acetate were mixed. A photoresist composition 1 having a polyol compound concentration of 15% by weight was obtained. The obtained photoresist composition 1 was applied onto a silicon wafer by spin coating so as to have a thickness of 500 nm, and heated with a hot plate at a temperature of 150 ° C. for 180 seconds to form a resist coating film 1.
  • the resist coating film 1 was exposed using a KrF excimer laser through a mask at an irradiation amount of 30 mJ / cm 2 , and then subjected to PEB treatment at a temperature of 100 ° C. for 60 seconds. Subsequently, the film was developed with a 2.38% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution for 60 seconds and rinsed with pure water. As a result, a 0.20 ⁇ m line and space pattern was obtained.
  • Example 2 instead of the polyol compound 1 obtained in Production Example 1, the polyol compound 2 obtained in Production Example 2 was used in Example 2, and the polyol compound 3 obtained in Production Example 3 was used in Example 3.
  • Example 3 When the same operation as in Example 1 was performed, a 0.20 ⁇ m line and space pattern was obtained in any case.
  • Example 4 100 parts by weight of the polyol compound 1 obtained in Production Example 1, 50 parts by weight of 1,3-divinyloxyadamantane, 5 parts by weight of triphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, and propylene glycol monomethyl ether acetate were mixed to obtain a polyol compound concentration. A 15% by weight photoresist composition 4 was obtained. The obtained photoresist composition 4 was applied on a silicon wafer by spin coating so as to have a thickness of 500 nm, and heated with a hot plate at a temperature of 150 ° C. for 180 seconds to form a resist coating film 4.
  • the resist coating film 4 was exposed through a mask at a dose of 30 mJ / cm 2 using a KrF excimer laser, and then subjected to PEB treatment at a temperature of 100 ° C. for 60 seconds. Subsequently, the film was developed with a 2.38% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution for 60 seconds and rinsed with pure water. As a result, a 0.20 ⁇ m line and space pattern was obtained.
  • Example 5 instead of the polyol compound 1 obtained in Production Example 1, the polyol compound 2 obtained in Production Example 2 was used in Example 5, and the polyol compound 3 obtained in Production Example 3 was used in Example 6. As in Example 4, a 0.20 ⁇ m line and space pattern was obtained in all cases.
  • Example 7 100 parts by weight of the polyol compound 1 obtained in Production Example 1, 50 parts by weight of 2,6-dioxa-4,8-divinyloxybicyclo [3.3.0] octane, 5 parts by weight of triphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate And propylene glycol monomethyl ether acetate were mixed to obtain a photoresist composition 7 having a polyol compound concentration of 15% by weight.
  • the obtained photoresist composition 7 was applied onto a silicon wafer by spin coating so as to have a thickness of 500 nm, and heated by a hot plate at 150 ° C. for 180 seconds to form a resist coating film 7.
  • the resist coating film 7 was exposed at a dose of 30 mJ / cm 2 through a mask using a KrF excimer laser, and then subjected to PEB treatment at a temperature of 100 ° C. for 60 seconds. Subsequently, the film was developed with a 2.38% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution for 60 seconds and rinsed with pure water. As a result, a 0.20 ⁇ m line and space pattern was obtained.
  • Example 8 instead of the polyol compound 1 obtained in Production Example 1, the polyol compound 2 obtained in Production Example 2 was used in Example 8, and the polyol compound 3 obtained in Production Example 3 was used in Example 9 except that When the same operation as in Example 7 was performed, a line and space pattern of 0.20 ⁇ m was obtained in any case.
  • Example 10 In place of the polyol compound 1 obtained in Production Example 1, Example 10 was carried out in the same manner as in Example 1 except that the polyol compound 4 obtained in Production Example 4 was used. An and space pattern was obtained.
  • the photoresist composition of the present invention can be easily reacted by heating.
  • the polymer compound for photoresist obtained by the reaction is insoluble in alkali developer or hardly soluble in alkali developer, and has etching resistance. And can suppress pattern collapse. Furthermore, the polymer compound for photoresist can be easily decomposed by the action of an acid, can reduce LER, and has excellent resolution.

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Abstract

　本発明のフォトレジスト組成物は、脂肪族基と芳香環に水酸基を複数個有する芳香族基とが交互に結合しているポリオール化合物と、ビニルエーテル化合物とを含有する。ポリオール化合物は、例えば、脂肪族ポリオールと芳香族ポリオールとの酸触媒反応、例えばＦｒｉｅｄｅｌ－Ｃｒａｆｔｓ反応により得ることができる。脂肪族ポリオールとしては脂環式ポリオールが好ましい。芳香族ポリオールとしてはヒドロキノンが好ましい。 　本発明によれば、ＬＥＲを低減することができ、且つ、アルカリ溶解性、耐エッチング性に優れ、パターン倒れを抑制することができる。

Description

フォトレジスト組成物
　本発明は、新規なポリオール化合物とビニルエーテル化合物とを含有するフォトレジスト組成物、及び該フォトレジスト組成物を使用したレジスト塗膜の形成方法、得られたレジスト塗膜、該レジスト塗膜を使用したレジストパターンの形成方法に関する。
　近年、半導体素子や液晶表示素子の製造においては、リソグラフィー技術の進歩により急速にパターンの微細化が進んでいる。微細化の手法としては、一般に、露光光源の短波長化が行われている。具体的には、従来は、ｇ線、ｉ線に代表される紫外線が使用されていたが、現在では、ＫｒＦエキシマレーザーや、ＡｒＦエキシマレーザーを使用した半導体素子の量産が開始されている。さらに、最近では、ＡｒＦエキシマレーザー（１９３ｎｍ）によるリソグラフィープロセスの次世代技術となるＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ　Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ：極端紫外光、波長約１３．５ｎｍ）や電子線によるリソグラフィープロセスも提案されている。
　微細な寸法のパターンを再現可能な高解像性の条件を満たすレジスト材料の一つとして、膜形成能を有し、酸の作用によりアルカリ可溶性に変化する基材成分と、露光により酸を発生する酸発生剤成分とを含有する化学増幅型レジストが知られている。
　そして、このようなレジスト材料を使用してパターンを形成した場合、パターンの上面や側壁の表面に荒れが生じる問題がある。このような荒れは、従来はあまり問題となっていなかったが、近年、半導体素子などの急激な微細化に伴い、一層の高解像度が求められており、それに伴って、荒れが深刻な問題となってきている。例えば、ラインパターンを形成する場合、パターン側壁表面の荒れ、すなわちＬＥＲ（Ｌｉｎｅ　Ｅｄｇｅ　Ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ）により、形成される線幅にばらつきが生じるが、その線幅のばらつきは寸法幅の１０％程度以下とすることが望まれており、パターン寸法が小さいほど、ＬＥＲの影響は大きい。しかしながら、一般的に使用されているポリマーは一分子当たりの平均粒径が数ｎｍと大きく、ＬＥＲを低減することが困難であった。
　一分子当たりの平均粒径を小さくしてＬＥＲを低減した例としては、例えば、特許文献１に記載されている、多価フェノール化合物と露光により酸を発生する酸発生剤成分とを含有するフォトレジスト組成物が挙げられる。しかしながら、このフォトレジスト組成物は、解像性、耐エッチング性、及びパターン倒れが起きやすい点で満足できるものではなかった。すなわち、ＬＥＲを低減することが可能で、且つ、解像性、耐エッチング性に優れ、パターン倒れを抑制することができるフォトレジスト組成物が見出されていないのが現状である。
特開２００６－７８７４４号公報
　従って、本発明の目的は、ＬＥＲを低減することができ、且つ、解像性、耐エッチング性に優れ、パターン倒れを抑制することができる新規なフォトレジスト組成物を提供することにある。
　本発明の他の目的は、上記フォトレジスト組成物使用したレジスト塗膜の形成方法、該レジスト塗膜の形成方法により形成されたレジスト塗膜、該レジスト塗膜を使用したレジストパターンの形成方法を提供することにある。
　本発明者は、上記課題を解決するため鋭意検討した結果、脂肪族基と芳香環に水酸基を複数個有する芳香族基とが交互に結合しているポリオール化合物と、ビニルエーテル化合物とを含有するフォトレジスト組成物は、加熱することで、ポリオール化合物とビニルエーテル化合物とを容易に反応させることができることを見出した。そして、反応により得られた高分子化合物は、アルカリ現像液不溶性、若しくはアルカリ現像液難溶性、耐エッチング性に優れ、パターン倒れを抑制することができることを見出した。
　そして、ポリオール化合物と、ビニルエーテル化合物とを反応させることにより得られる高分子化合物は、酸を作用させることにより容易に分解することができ、それにより、ＬＥＲを低減することが可能であり、高解像性を発揮することができることを見出した。本発明はこれらの知見に基づき、さらに研究を重ねて完成したものである。
　すなわち、本発明は、脂肪族基と芳香環に水酸基を複数個有する芳香族基とが交互に結合しているポリオール化合物と、ビニルエーテル化合物とを含有するフォトレジスト組成物を提供する。
　ポリオール化合物は、脂肪族ポリオールと芳香族ポリオールとの酸触媒反応により得られるポリオール化合物であることが好ましく、酸触媒反応がＦｒｉｅｄｅｌ－Ｃｒａｆｔｓ反応であることが好ましい。
　脂肪族ポリオールとしては、脂環式ポリオールであることが好ましく、なかでも、アダマンタン環の３級位に２個以上の水酸基が結合したアダマンタンポリオールであることが好ましい。
　芳香族ポリオールとしては、ヒドロキノン、若しくはナフタレンポリオールであることが好ましい。
　ポリオール化合物の重量平均分子量としては、５００～５０００であることが好ましい。
　ビニルエーテル化合物としては、多価ビニルエーテル化合物が好ましい。
　本発明は、また、上記フォトレジスト組成物を基材に塗布し、その後、加熱してポリオール化合物とビニルエーテル化合物とを反応させることを特徴とするレジスト塗膜の形成方法を提供する。
　本発明は、さらに、上記レジスト塗膜の形成方法により形成されたレジスト塗膜を提供する。
　本発明は、さらにまた、上記レジスト塗膜を露光、現像することを特徴とするレジストパターンの形成方法を提供する。
　本発明に係るフォトレジスト組成物は、脂肪族基と芳香環に水酸基を複数個有する芳香族基とが交互に結合しているポリオール化合物と、ビニルエーテル化合物とを含有するため、加熱することで容易に反応させることができる。そして、反応により得られるフォトレジスト用高分子化合物は、アルカリ現像液不溶性、若しくはアルカリ現像液難溶性を呈し、耐エッチング性に優れ、パターン倒れを抑制することができる。さらに、前記フォトレジスト用高分子化合物は、酸を作用させることにより容易に分解することができ、ＬＥＲを低減することが可能であり解像性に優れる。例えばＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ　Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ：極端紫外光、波長約１３．５ｎｍ）を使用すると、ライン・アンド・スペースパターンが２２ｎｍ以下のフォトリソグラフィーにおいても、ＬＥＲを２ｎｍ以下に低減することができ、高解像度のレジストパターンを形成することができる。
　［フォトレジスト組成物］
　本発明に係るフォトレジスト組成物は、脂肪族基と芳香環に水酸基を複数個有する芳香族基とが交互に結合しているポリオール化合物と、ビニルエーテル化合物とを含有する。
　ポリオール化合物は、脂肪族基と芳香環に水酸基を複数個有する芳香族基とが交互に結合した構造を有し、例えば、１つの脂肪族基と１つの芳香族基とが結合した単位（繰り返し単位）を１つ有するポリオール化合物（例えば、１つの脂肪族基に１又は２以上の芳香族基が結合した化合物、１つの芳香族基に２以上の脂肪族基が結合した化合物）、繰り返し単位を２以上有するポリオール化合物、又はこれらの混合物であってもよい。
　ポリオール化合物は、種々の方法で製造することができ、例えば、脂肪族ポリオールと芳香族ポリオールとを酸触媒反応させる方法、脂肪族多価ハロゲン化物と芳香族ポリオールとを酸触媒反応させる方法、フェノールとホルムアルデヒドとを酸触媒反応若しくはアルカリ触媒反応させる方法等が挙げられる。本発明においては、なかでも、脂肪族ポリオールと芳香族ポリオールとを酸触媒反応させることにより合成することが好ましい。
　また、脂肪族ポリオールと芳香族ポリオールとの酸触媒反応としては、Ｆｒｉｅｄｅｌ－Ｃｒａｆｔｓ反応を好適に使用することができる。
　（脂肪族ポリオール）
　前記脂肪族ポリオールは、脂肪族炭化水素基に複数個の水酸基が結合している化合物であり、下記式（１）
　　Ｒ－（ＯＨ）n1　　　　　（１）
（式中、Ｒは脂肪族炭化水素基を示し、ｎ１は２以上の整数を示す）
で表される。
　式（１）中のＲとしては、例えば、鎖状脂肪族炭化水素基、環状脂肪族炭化水素基、及びこれらの結合した基が含まれる。鎖状脂肪族炭化水素基としては、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｓ－ブチル、ｔ－ブチル、ペンチル、ヘキシル、デシル、ドデシル基などの炭素数１～２０（好ましくは１～１０、さらに好ましくは１～３）程度のアルキル基；ビニル、アリル、１－ブテニル基などの炭素数２～２０（好ましくは２～１０、さらに好ましくは２～３）程度のアルケニル基；エチニル、プロピニル基などの炭素数２～２０（好ましくは２～１０、さらに好ましくは２～３）程度のアルキニル基などが挙げられる。
　環状脂肪族炭化水素基としては、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロオクチル基などの３～２０員（好ましくは３～１５員、さらに好ましくは５～８員）程度のシクロアルキル基；シクロペンテニル、シクロへキセニル基などの３～２０員（好ましくは３～１５員、さらに好ましくは５～８員）程度のシクロアルケニル基；パーヒドロナフタレン－１－イル基、ノルボルニル、アダマンチル、テトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］ドデカン－３－イル基などの橋かけ環式炭化水素基などが挙げられる。
　鎖状脂肪族炭化水素基と環状脂肪族炭化水素基とが結合した炭化水素基には、シクロペンチルメチル、シクロヘキシルメチル、２－シクロヘキシルエチル基などのシクロアルキル－アルキル基（例えば、Ｃ3-20シクロアルキル－Ｃ1-4アルキル基など）などが含まれる。
　上記炭化水素基は、種々の置換基、例えば、ハロゲン原子、オキソ基、ヒドロキシル基、置換オキシ基（例えば、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基、アシルオキシ基など）、カルボキシル基、置換オキシカルボニル基（アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基など）、置換又は無置換カルバモイル基、シアノ基、ニトロ基、置換又は無置換アミノ基、スルホ基、複素環式基などを有していてもよい。前記ヒドロキシル基やカルボキシル基は有機合成の分野で慣用の保護基で保護されていてもよい。
　本発明における脂肪族ポリオールとしては、耐エッチング性を向上させることができる点で脂環式ポリオールが好ましい。脂環式ポリオールは、脂環式骨格を有する化合物であり、水酸基は脂環式骨格に直接結合していてもよく、連結基を介して結合していてもよい。連結基としては、アルキレン基（Ｃ1-6アルキレン基等）、又は該アルキレン基の１又は２以上と、－Ｏ－、－Ｃ（＝Ｏ）－、－ＮＨ－、－Ｓ－から選択された少なくとも１つの基が結合した基等が挙げられる。
　脂環式ポリオールとしては、シクロヘキサンジオール、シクロヘキサントリオール、シクロヘキサンジメタノール、イソプロピリデンジシクロヘキサノール、デカリンジオール、トリシクロデカンジメタノールなどの脂環式ポリオール；式（１）におけるＲが、下記式（２ａ）～（２ｊ）から選ばれる環、又はこれらが２以上結合した環であり、該Ｒに２個以上の水酸基が結合した有橋脂環式ポリオールを挙げることができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
　脂肪族ポリオールとしては、なかでも、有橋脂環式ポリオールが好ましく、特に、耐エッチング性に優れる点で、アダマンタン環（２ａ）の３級位に２個以上の水酸基が結合したアダマンタンポリオールが好ましい。
（芳香族ポリオール）
　本発明における芳香族ポリオールは、芳香環を少なくとも１つ有しており、複数個の水酸基が芳香環に結合している化合物であり、下記式（３）
　　Ｒ’－（ＯＨ）n2　　　　　（３）
（式中、Ｒ’は芳香族炭化水素基を示し、ｎ２は２以上の整数を示す）
で表される。Ｒ’に芳香環を複数個有する場合は、複数個の水酸基は同一の芳香環に結合していてもよく、異なる芳香環に結合していてもよい。
　式（３）中のＲ’としては、例えば、芳香族炭化水素基及び、芳香族炭化水素基に鎖状脂肪族炭化水素基及び／又は環状脂肪族炭化水素基が結合した基が含まれる。芳香族炭化水素基としては、フェニル、ナフチル基などの炭素数６～１４（好ましくは６～１０）程度の芳香族炭化水素基が挙げられる。鎖状脂肪族炭化水素基、及び環状脂肪族炭化水素基の例としては、上記Ｒにおける鎖状脂肪族炭化水素基、環状脂肪族炭化水素基の例と同様の例を挙げることができる。
　鎖状脂肪族炭化水素基が芳香族炭化水素基に結合した基には、アルキル置換アリール基（例えば、１～４個程度のＣ1-4アルキル基が置換したフェニル基又はナフチル基など）などが含まれる。
　上記芳香族炭化水素基は、種々の置換基、例えば、ハロゲン原子、オキソ基、ヒドロキシル基、置換オキシ基（例えば、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基、アシルオキシ基など）、カルボキシル基、置換オキシカルボニル基（アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基など）、置換又は無置換カルバモイル基、シアノ基、ニトロ基、置換又は無置換アミノ基、スルホ基、複素環式基などを有していてもよい。前記ヒドロキシル基やカルボキシル基は有機合成の分野で慣用の保護基で保護されていてもよい。また、芳香族炭化水素基の環には芳香族性又は非芳香属性の複素環が縮合していてもよい。
　芳香族ポリオールとしては、例えば、ヒドロキノン、レゾルシノール、１，３－ジヒドロキシナフタレン、１，４－ジヒドロキシナフタレンなどのナフタレンポリオール、ビフェノール、ビス（４－ヒドロキシフェニル）メタン、ビスフェノールＡ、１，１，１－（４－ヒドロキシフェニル）エタンなどを挙げることができる。本発明においては、入手が容易である点で、ヒドロキノン、ナフタレンポリオールを好適に使用することができる。
　酸触媒反応に使用する酸触媒としては、例えば、塩化アルミニウム、塩化鉄（III）、塩化スズ（IV）、塩化亜鉛（II）などのＬｅｗｉｓ酸；ＨＦ、硫酸、ｐ－トルエンスルホン酸、リン酸などのプロトン酸等が挙げられる。これらは、単独で、又は２種以上を混合して使用することができる。半導体製造等に使用する場合は、金属成分の混入が忌避されることから、硫酸、ｐ－トルエンスルホン酸のような有機酸を使用することが好ましい。酸触媒の使用量は、例えば、脂肪族ポリオール１モルに対して、０．０１～１０モル、好ましくは０．１～５モル程度である。
　また、酸触媒反応は、反応に不活性な溶媒の存在下又は溶媒非存在下で行われる。前記溶媒として、例えば、ヘキサン、シクロヘキサン、トルエンなどの炭化水素；塩化メチレン、１，２－ジクロロエタン、クロロホルム、四塩化炭素、クロロベンゼンなどのハロゲン化炭化水素；ジエチルエーテル、ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン、ジオキサンなどの鎖状又は環状エーテル；アセトニトリル、ベンゾニトリルなどのニトリル；酢酸エチル、酢酸ｎ－ブチルなどのエステル；酢酸などのカルボン酸；Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミドなどのアミド；アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン；ニトロメタン、ニトロベンゼンなどのニトロ化合物；これらの混合物などが挙げられる。
　酸触媒反応における反応温度は、反応成分の種類等に応じて適宜選択できる。例えば、脂肪族ポリオールとして、１，３，５－アダマンタントリオールを用い、芳香族ポリオールとしてヒドロキノンを用いる場合には、反応温度は、例えば、室温（２５℃）～２００℃、好ましくは５０～１５０℃程度である。反応は、回分式、半回分式、連続式等の何れの方式で行ってもよい。
　芳香族ポリオールの使用量は、一般に、脂肪族ポリオール１モルに対して、１．０～１００モル、好ましくは３．０～５０モル、さらに好ましくは５．０～２０モル程度である。芳香族ポリオールを大過剰量用いてもよい。
　上記反応により、対応するポリオール化合物が生成する。反応終了後、反応生成物は、例えば、液性調整、濾過、濃縮、晶析、洗浄、再結晶、カラムクロマトグラフィー等の一般的な分離精製手段により分離精製できる。晶析溶媒としては、製造されたポリオール化合物が溶解しない溶媒であればよく、例えば、ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサンなどの炭化水素を挙げることができる。本発明においては、なかでも、残存する原料脂肪族ポリオール及び芳香族ポリオールを容易に除去することができ、精製効率が向上する点で、製造されたポリオール化合物が溶解しない溶媒と、原料脂肪族ポリオール及び芳香族ポリオールが溶解する溶媒（例えば、テトラヒドロフランなどのエーテル；アセトン、２－ブタノンのようなケトン；酢酸エチルなどのエステル；メタノール、エタノールなどのアルコールなど）との混合溶媒が好ましい。混合溶媒の混合割合としては、適宜調整することができる。なお、本明細書では、晶析（析出）を沈殿をも含む意味に用いる。
　なお、上記の反応生成物中には、アルカリ現像液に不溶な成分を含んでいる場合が多い。このような成分には、（ｉ）分子量が２０００を超える比較的高分子量の成分、（ii）分子量が１０００～２０００であっても、ポリオール化合物中のフェノール性水酸基が反応中に溶媒等とのエステル交換反応などにより封止された化合物などがある。アルカリ現像液に不溶な成分を含有するポリオール化合物をレジスト用途に使用すると、パターン形成時のラフネスに悪影響を及ぼしたり、現像時に粒子が発生し、それが異物としてパターンに残るおそれがある。このような場合には、前記ポリオール化合物が溶媒に溶解した溶液を、フェノール性水酸基を有する化合物に対する貧溶媒と混合して、疎水性不純物を析出又は層分離（液状物として分離）させて除去する工程を設けるのが好ましい。この工程を設けると、上記成分を効率よく除去できるため、ＬＥＲを低減でき、解像性及び耐エッチング性に優れるレジスト組成物を調製する上で有用なポリオール化合物を、高い純度で効率よく製造することができる。
　ポリオール化合物の溶液に用いる溶媒としては、例えば、テトラヒドロフラン等のエーテル；アセトン、２－ブタノン等のケトン；酢酸エチル、酢酸ｎ－ブチル等のエステル；メタノール、エタノール等のアルコールなどが挙げられる。これらの溶媒は単独で又は２種以上混合して用いることができる。疎水性不純物の除去操作に供するポリオール化合物の溶液としては、酸触媒反応で得られた反応液であってもよく、この反応液に対して、希釈、濃縮、濾過、液性調節、溶媒交換等の操作を施して得られる溶液等のいずれであってもよい。
　疎水性不純物の除去操作に供するポリオール化合物を含む溶液中の該ポリオール化合物の含有量は、例えば１～４０重量％、好ましくは３～３０重量％である。
　前記フェノール性水酸基を有する化合物に対する貧溶媒としては、例えば、フェノールの溶解度（２５℃）が１ｇ／１００ｇ以下であるような溶媒が挙げられる。前記フェノール性水酸基を有する化合物に対する貧溶媒の具体例として、例えば、ヘキサン、ヘプタン等の脂肪族炭化水素、シクロヘキサン等の脂環式炭化水素等の炭化水素；水と水溶性有機溶媒（例えば、メタノール、エタノール等のアルコール；アセトン等のケトン；アセトニトリル等のニトリル；テトラヒドロフラン等の環状エーテルなど）との混合溶媒；水などが挙げられる。これらの溶媒は単独で又は２種以上混合して用いることができる。前記貧溶媒の使用量は、ポリオール化合物を含む溶液１００重量部に対して、例えば１～５５重量部、好ましくは５～５０重量部である。
　ポリオール化合物の溶液と前記貧溶媒とを混合する際、ポリオール化合物の溶液に前記貧溶媒を加えてもよく、貧溶媒にポリオール化合物の溶液を加えてもよいが、ポリオール化合物の溶液に前記貧溶媒を少量ずつ加えることがより好ましい。
　析出又は層分離した疎水性不純物は、濾過、遠心分離、デカンテーション等の方法により除去できる。その後、さらに、疎水性不純物を除去した後の溶液を、前記フェノール性水酸基を有する化合物に対する貧溶媒と混合することにより、前記ポリオール化合物を析出又は層分離させることができる。この場合、疎水性不純物を除去した後の溶液に前記貧溶媒を加えてもよく、貧溶媒に疎水性不純物を除去した後の溶液を加えてもよいが、貧溶媒に疎水性不純物を除去した後の溶液を加える方がより好ましい。この工程での前記貧溶媒の量は、疎水性不純物を除去した後の溶液（ポリオール化合物を含む溶液）１００重量部に対して、例えば６０～１０００重量部、好ましくは６５～８００重量部である。
　析出又は層分離したポリオール化合物は濾過、遠心分離、デカンテーション等により回収することができる。なお、疎水性不純物を析出又は層分離させる際に用いる貧溶媒と、目的のポリオール化合物を析出又は層分離させる際に用いる貧溶媒とは、同一であっても異なっていてもよい。得られたポリオール化合物は、必要に応じて乾燥に付される。
　本発明におけるポリオール化合物の重量平均分子量（Ｍｗ）としては、５００～５０００程度であり、好ましくは、１０００～３０００程度、さらに好ましくは、１０００～２０００程度である。ポリオール化合物の重量平均分子量が５０００を上回ると、ポリオール化合物の粒径が大きくなりすぎるため、ＬＥＲを低減することが困難となる傾向がある。一方、ポリオール化合物の重量平均分子量が５００を下回ると、耐熱性が低下する傾向がある。分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は、例えば１．０～２．５程度である。なお、前記Ｍｎは数平均分子量を示し、Ｍｎ、Ｍｗともに標準ポリスチレン換算の値である。
　本発明におけるポリオール化合物としては、例えば、下記式（４ａ）、（４ｂ）、（４ｃ）に記載のポリオール化合物を挙げることができる。式中、ｓ、ｔ、ｕは同一又は異なって、０以上の整数を示す。「・・・」は、「アダマンタン環－ヒドロキノン」の繰り返し単位がさらに繰り返されていてもよく、ここで終了していてもよいことを示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
　（ビニルエーテル化合物）
　ビニルエーテル化合物は、ポリオール化合物がアルカリ現像液へ溶解することを抑止するための保護基を形成するために使用されるものであり、例えば、モノビニルエーテル化合物、多価ビニルエーテル化合物（例えば、ジビニルエーテル化合物、トリビニルエーテル化合物、テトラビニルエーテル化合物、ヘキサビニルエーテル化合物）などが挙げられる。これらは、単独で、又は２種以上を混合して使用することができる。本発明においては、ポリオール化合物の重量平均分子量が小さくとも、ポリオール化合物とビニルエーテル化合物とを加熱して得られたフォトレジスト用高分子化合物が液体となりレジスト塗膜を形成することが困難となることを防ぐことができ、作業性に優れる点、及び、耐エッチング性を向上することができ、パターン形成後のパターン倒れを防止することができる点で、ジビニルエーテル化合物、又はジビニルエーテル化合物とモノビニルエーテル化合物の混合物を好適に使用することができる。
　また、ＥＵＶ露光においては、アウトガスによる装置の汚染が懸念されており、アウトガス抑制の点から、一定以上の分子量を有するビニルエーテル化合物を使用することが好ましく、例えば、分子量１００～５００程度である。ビニルエーテル化合物の分子量が小さすぎると、ＥＵＶ露光により生成するアウトガスによる光学系汚染リスクが高まる傾向がある。一方、ビニルエーテル化合物の分子量が大きすぎると、粘度が高くなりすぎ、基材への塗布が困難となる傾向があり、現像後にビニルエーテル化合物が残渣として基材又は基板に残り、現像欠陥を引き起こす原因となる恐れがある。ビニルエーテル化合物は、例えば、イリジウム触媒の存在下、アルコールに酢酸ビニルを反応させることにより合成することができる。
　本発明において使用するビニルエーテル化合物としては、例えば、下記式（５ａ）～（５ｍ）、（６ａ）～（６ｎ）で表される化合物を挙げることができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
　本発明に係るフォトレジスト組成物は、上記ポリオール化合物、及び、ビニルエーテル化合物を含有する。ポリオール化合物と、ビニルエーテル化合物の含有量としては、フェノール性水酸基とビニルエーテル基の数に応じて適宜調整することができ、例えば、フェノール性水酸基１００個に対して、ビニルエーテル基３０～１００個程度、好ましくは、５０～８０個程度である。ビニルエーテル基の数が３０個を下回ると、フェノール性水酸基の保護が不十分となるため、アルカリ現像液に対する非溶解性若しくは難溶解性を十分に付与することが困難となり、レジストパターンの形成時において、露光していない箇所がアルカリ現像液に溶解若しくは膨潤し、目的とするパターンを正確に再現することが困難となる傾向がある。一方、ビニルエーテル基の数が１００個を超えると、未反応のビニルエーテル化合物が残り、露光時にアウトガスの原因となる恐れがあると共に、レジスト塗膜のＴｇが下がり、パターン形成時に目的とするパターンを正確に写し取ることが困難となる傾向がある。
　本発明に係るフォトレジスト組成物には、その他、光酸発生剤、レジスト用溶剤を含有していることが好ましい。
　光酸発生剤としては、露光により効率よく酸を生成する慣用乃至公知の化合物、例えば、ジアゾニウム塩、ヨードニウム塩（例えば、ジフェニルヨードヘキサフルオロホスフェートなど）、スルホニウム塩（例えば、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、トリフェニルスルホニウムメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナートなど）、スルホン酸エステル［例えば、１－フェニル－１－（４－メチルフェニル）スルホニルオキシ－１－ベンゾイルメタン、１，２，３－トリスルホニルオキシメチルベンゼン、１，３－ジニトロ－２－（４－フェニルスルホニルオキシメチル）ベンゼン、１－フェニル－１－（４－メチルフェニルスルホニルオキシメチル）－１－ヒドロキシ－１－ベンゾイルメタンなど］、オキサチアゾール誘導体、ｓ－トリアジン誘導体、ジスルホン誘導体（ジフェニルジスルホンなど）、イミド化合物、オキシムスルホネート、ジアゾナフトキノン、ベンゾイントシレートなどを使用できる。これらの光酸発生剤は単独で又は２種以上組み合わせて使用できる。
　光酸発生剤の使用量は、光照射により生成する酸の強度やポリオール化合物の比率などに応じて適宜選択でき、例えば、ポリオール化合物１００重量部に対して０．１～３０重量部、好ましくは１～２５重量部、さらに好ましくは２～２０重量部程度の範囲から選択できる。
　レジスト用溶剤としては、例えば、グリコール系溶媒、エステル系溶媒、ケトン系溶媒、これらの混合溶媒などが挙げられる。これらのなかでも、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、乳酸エチル、メチルイソブチルケトン、メチルアミルケトン、これらの混合液が好ましく、特に、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート単独溶媒、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートとプロピレングリコールモノメチルエーテルとの混合溶媒、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートと乳酸エチルとの混合溶媒などの、少なくともプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを含む溶媒が好適に用いられる。
　フォトレジスト組成物中のポリオール化合物濃度としては、基材に塗布可能な範囲内の濃度であれば、塗布膜厚に応じて適宜設定することができ、例えば、２～２０重量％程度、好ましくは５～１５重量％程度である。ポリオール化合物濃度が濃すぎると、高粘度となりすぎるため、基材上に塗布することが困難となる傾向がある。一方、ポリオール化合物濃度が薄すぎると、レジスト塗膜を形成することが困難となる傾向がある。本発明に係るフォトレジスト組成物は、その他、アルカリ可溶性樹脂（例えば、ノボラック樹脂、フェノール樹脂、イミド樹脂、カルボキシル基含有樹脂など）などのアルカリ可溶成分、着色剤（例えば、染料など）などを含んでいてもよい。
　［レジスト塗膜の形成方法］
　本発明に係るレジスト塗膜の形成方法は、上記フォトレジスト組成物を基材に塗布し、その後、加熱してポリオール化合物とビニルエーテル化合物とを反応させることを特徴とする。
　本発明におけるポリオール化合物は、アルカリ現像液に対する可溶性を付与するフェノール性水酸基を有し、酸を作用させることにより容易に脱離する保護基によりフェノール性水酸基を保護することで、アルカリ現像液難溶性若しくはアルカリ現像液不溶性を付与することができる。
　そして、本発明においては、ポリオール化合物とビニルエーテル化合物の混合物を加熱することにより、ポリオール化合物のフェノール性水酸基とビニルエーテル化合物のビニルエーテル基とが反応して、酸を作用させることにより容易に脱離するアセタール構造を形成することができる。
　また、ビニルエーテル化合物として多価ビニルエーテル化合物を使用すると、保護基を介して２以上のポリオール化合物が結合することができるため、よりパターン倒れを抑制する機能を向上させることができ、より優れた耐エッチング性を発揮することができる。
　基材としては、シリコンウェハ、金属、プラスチック、ガラス、セラミックなどが挙げられる。フォトレジスト組成物の塗布は、スピンコータ、ディップコータ、ローラコータなどの慣用の塗布手段を用いて行うことができる。レジスト塗膜の厚みは、例えば０．０１～１０μｍ、好ましくは０．０３～１μｍ程度である。
　加熱は、ホットプレート、オーブンなどの加熱装置を使用して行うことができる。加熱条件は、例えば、１５０～２５０℃（好ましくは、１５０～２００℃）の温度で、１分～１時間（好ましくは１～５分）程度である。
　上記レジスト塗膜の形成方法により形成された本発明に係るレジスト塗膜は、ポリオール化合物とビニルエーテル化合物との反応により得られ、酸によって容易に分解することができるフォトレジスト用高分子化合物から成るため、耐エッチング性に優れ、ＬＥＲを低減することができ、パターン倒れを抑制することができる。そのため、微細な寸法のパターンを再現可能な高解像性レジスト塗膜として、半導体素子や液晶表示素子の製造などの種々の用途に好適に使用することができる。
　［レジストパターンの形成方法］
　本発明に係るレジストパターンの形成方法は、上記レジスト塗膜を露光、現像することを特徴とし、該レジスト塗膜に、所定のマスクを介して露光して潜像パターンを形成し、次いで現像することにより、レジストパターンを形成する。
　露光には、種々の波長の光線、例えば、紫外線、Ｘ線などが利用でき、半導体レジスト用では、通常、ｇ線、ｉ線、エキシマレーザー（例えば、ＸｅＣｌ、ＫｒＦ、ＫｒＣｌ、ＡｒＦ、ＡｒＣｌなど）、ＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ　Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ：極端紫外光）などが使用される。露光エネルギーは、例えば１～１０００ｍＪ／ｃｍ2、好ましくは１０～５００ｍＪ／ｃｍ2程度である。
　露光により光酸発生剤から酸が発生し、続いて、ポストエクスポジュアベーキング処理（以下、「ＰＥＢ処理」と称する場合がある）を行うことにより、発生した酸が保護基に作用し、フォトレジスト用高分子化合物中の保護基が速やかに脱離して、アルカリ現像液可溶化に寄与するフェノール性水酸基が生成する。そのため、アルカリ現像液による現像処理により、所定のパターンを精度よく形成できる。ＰＥＢ処理の条件としては、例えば、５０～１８０℃の温度で、０．１～１０分間程度、好ましくは１～３分程度である。
　ＰＥＢ処理されたレジスト塗膜は、現像液を用いて現像処理し、露光部分を除去することができる。それにより、レジスト塗膜のパターニングが行われる。現像方法としては、液盛り法、ディッピング法、揺動浸漬法などが挙げられる。また、現像液としては、アルカリ性水溶液（例えば、０．１～１０重量％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液など）を使用することができる。
　現像処理した基材は、流水で洗浄し、圧縮空気、圧縮窒素を用いて風乾することが好ましい。こうして、レジストパターンが基板の上に形成される。
　本発明に係るレジストパターンの形成方法においては、本発明に係るフォトレジスト組成物により形成したレジスト塗膜を使用するため、ＬＥＲを低減することができ、パターン倒れを抑制することができ、ライン・アンド・スペースパターンが０．０５μｍ以下（例えば、０．０１～０．０５μｍ）の高解像度のレジストパターンを形成することができる。
　以下、実施例により本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例により限定されるものではない。
　なお、ＧＰＣ（ゲル浸透クロマトグラフィー）測定は下記条件の下で行った。
カラム：ＴＳＫｇｅｌ　ＳｕｐｅｒＨＺＭ－Ｍを３本
カラム温度：４０℃
溶離液：テトラヒドロフラン
溶離液流速：０．６ｍＬ／ｍｉｎ
試料濃度：２０ｍｇ／ｍＬ
注入量：１０μＬ
　製造例１
　ジムロート冷却管、温度計、撹拌子を装備した２００ｍＬの３つ口フラスコに、１，３，５－アダマンタントリオール２．１８ｇ、ヒドロキノン７．８２ｇ、ｐ－トルエンスルホン酸１３．５１ｇ、及び酢酸ｎ－ブチル５６．６７ｇを仕込み、よく撹拌した。次に、フラスコ内を窒素置換した後、１４０℃に加温したオイルバスにフラスコを漬けて、撹拌しながら加熱を開始した。還流状態で２時間加熱し続けた後、冷却した。
　冷却した反応液を分液ロートに移し、８０ｇの蒸留水で洗浄した。さらに、６５ｇの蒸留水で５回洗浄した。洗浄後の反応液は５５．４ｇであった。洗浄後の反応液を５００ｇのｎ－ヘプタンに注ぐと、橙色の粉体が析出した。これを濾過回収して６０℃で１２時間乾燥した結果、５．８ｇのポリオール化合物１を得た。得られたポリオール化合物１をＧＰＣ測定した結果、標準ポリスチレン換算の重量平均分子量は１１００、分子量分布は１．６９であった。
　製造例２
　ジムロート冷却管、温度計、撹拌子を装備した２００ｍＬの３つ口フラスコに、１，３，５－アダマンタントリオール０．７３９ｇ、ヒドロキノン３．９８ｇ、ｐ－トルエンスルホン酸１８．０１ｇ、及び酢酸ｎ－ブチル１８．０１ｇを仕込み、よく撹拌した。次に、フラスコ内を窒素置換した後、１４０℃に加温したオイルバスにフラスコを漬けて、撹拌しながら加熱を開始した。還流状態で２時間加熱し続けた後、冷却した。
　冷却した反応液を分液ロートに移し、２０ｇの蒸留水で６回洗浄した。洗浄後の反応液は１５．６ｇであった。洗浄後の反応液を１００ｇのｎ－ヘプタンに注ぐと、橙色の粉体が析出した。これを濾過回収して６０℃で１２時間乾燥した結果、２．２ｇのポリオール化合物２を得た。得られたポリオール化合物２をＧＰＣ測定した結果、標準ポリスチレン換算の重量平均分子量は８００、分子量分布は１．２６であった。
　製造例３
　ジムロート冷却管、温度計、撹拌子を装備した２００ｍＬの３つ口フラスコに、１，３，５－アダマンタントリオール２．１８ｇ、ヒドロキノン７．８２ｇ、ｐ－トルエンスルホン酸１３．５１ｇ、及び酢酸ｎ－ブチル５６．６７ｇを仕込み、よく撹拌した。次に、フラスコ内を窒素置換した後、１００℃に加温したオイルバスにフラスコを漬けて、撹拌しながら加熱を開始した。還流状態で２時間加熱し続けた後、冷却した。
　冷却した反応液を分液ロートに移し、８０ｇの蒸留水で洗浄した。さらに、６５ｇの蒸留水で５回洗浄した。洗浄後の反応液は５５．４ｇであった。洗浄後の反応液を５００ｇのｎ－ヘプタンに注ぐと、橙色の粉体が析出した。これを濾過回収して６０℃で１２時間乾燥した結果、５．２ｇのポリオール化合物３を得た。得られたポリオール化合物３をＧＰＣ測定した結果、標準ポリスチレン換算の重量平均分子量は１３１０、分子量分布は２．０８であった。
　製造例４
　ジムロート冷却管、温度計、撹拌子を装備した２００ｍＬの３つ口フラスコに、１，３，５－アダマンタントリオール５．８５ｇ、ヒドロキノン２４．１８ｇ、ｐ－トルエンスルホン酸１５．０４ｇ、及び酢酸ｎ－ブチル１７０．０２ｇを仕込み、よく撹拌した。次に、フラスコ内を窒素置換した後、１４０℃に加温したオイルバスにフラスコを漬けて、撹拌しながら加熱を開始した。還流状態で１時間加熱し続けた後、冷却した。
　冷却した反応液を分液ロートに移し、１００ｇの蒸留水で洗浄した。さらに、１００ｇの蒸留水で５回洗浄した。洗浄後の反応液は１８１．４ｇであった。洗浄後の反応液に１１６．６ｇのｎ－ヘプタンを注ぐと、橙色の液状物が層分離して沈降した。沈降物を分液ロートで除去して、得られた上層をさらに２０７．９ｇのヘプタンに添加すると微黄色の液状物が沈降した。これを分液して４５℃で８時間乾燥した結果、１６．５ｇのポリオール化合物４を得た。得られたポリオール化合物４をＧＰＣ測定した結果、標準ポリスチレン換算の重量平均分子量は１０００、分子量分布は１．１３であった。
　実施例１
　製造例１で得られたポリオール化合物１を１００重量部、１，４－ジ（ビニルオキシメチル）シクロヘキサン５０重量部、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナート５重量部、及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを混合し、ポリオール化合物濃度１５重量％のフォトレジスト組成物１を得た。
　得られたフォトレジスト組成物１をシリコンウェハ上にスピンコーティング法により厚み５００ｎｍとなるように塗布し、ホットプレートにより温度１５０℃で１８０秒間加熱して、レジスト塗膜１を形成した。レジスト塗膜１をＫｒＦエキシマレーザーを使用して、マスクを介して、照射量３０ｍＪ／ｃｍ2で露光した後、温度１００℃で６０秒間ＰＥＢ処理を行った。次いで、２．３８％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液により６０秒間現像し、純水で洗い流したところ、０．２０μｍのライン・アンド・スペースパターンが得られた。
　実施例２、３
　製造例１で得られたポリオール化合物１の代わりに、実施例２においては製造例２で得られたポリオール化合物２、実施例３においては製造例３で得られたポリオール化合物３を使用した以外は実施例１と同様に行ったところ、何れの場合も０．２０μｍのライン・アンド・スペースパターンが得られた。
　実施例４
　製造例１で得られたポリオール化合物１を１００重量部、１，３－ジビニルオキシアダマンタン５０重量部、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナート５重量部、及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを混合し、ポリオール化合物濃度１５重量％のフォトレジスト組成物４を得た。
　得られたフォトレジスト組成物４をシリコンウェハ上にスピンコーティング法により厚み５００ｎｍとなるように塗布し、ホットプレートにより温度１５０℃で１８０秒間加熱して、レジスト塗膜４を形成した。レジスト塗膜４をＫｒＦエキシマレーザーを使用して、マスクを介して、照射量３０ｍＪ／ｃｍ2で露光した後、温度１００℃で６０秒間ＰＥＢ処理を行った。次いで、２．３８％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液により６０秒間現像し、純水で洗い流したところ、０．２０μｍのライン・アンド・スペースパターンが得られた。
　実施例５、６
　製造例１で得られたポリオール化合物１の代わりに、実施例５においては製造例２で得られたポリオール化合物２、実施例６においては製造例３で得られたポリオール化合物３を使用した以外は実施例４と同様に行ったところ、何れの場合も０．２０μｍのライン・アンド・スペースパターンが得られた。
　実施例７
　製造例１で得られたポリオール化合物１を１００重量部、２，６－ジオキサ－４，８－ジビニルオキシビシクロ［３．３．０］オクタン５０重量部、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナート５重量部、及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを混合し、ポリオール化合物濃度１５重量％のフォトレジスト組成物７を得た。
　得られたフォトレジスト組成物７をシリコンウェハ上にスピンコーティング法により厚み５００ｎｍとなるように塗布し、ホットプレートにより温度１５０℃で１８０秒間加熱して、レジスト塗膜７を形成した。レジスト塗膜７をＫｒＦエキシマレーザーを使用して、マスクを介して、照射量３０ｍＪ／ｃｍ2で露光した後、温度１００℃で６０秒間ＰＥＢ処理を行った。次いで、２．３８％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液により６０秒間現像し、純水で洗い流したところ、０．２０μｍのライン・アンド・スペースパターンが得られた。
　実施例８、９
　製造例１で得られたポリオール化合物１の代わりに、実施例８においては製造例２で得られたポリオール化合物２、実施例９においては製造例３で得られたポリオール化合物３を使用した以外は実施例７と同様に行ったところ、何れの場合も０．２０μｍのライン・アンド・スペースパターンが得られた。
　実施例１０
　製造例１で得られたポリオール化合物１の代わりに、実施例１０においては製造例４で得られたポリオール化合物４を使用した以外は実施例１と同様に行ったところ、０．２０μｍのライン・アンド・スペースパターンが得られた。
　本発明のフォトレジスト組成物は、加熱することで容易に反応させることができ、反応により得られるフォトレジスト用高分子化合物は、アルカリ現像液不溶性、若しくはアルカリ現像液難溶性を呈し、耐エッチング性に優れ、パターン倒れを抑制することができる。さらに、前記フォトレジスト用高分子化合物は、酸を作用させることにより容易に分解することができ、ＬＥＲを低減することが可能であり解像性に優れる。

Claims (12)

  1. 　脂肪族基と芳香環に水酸基を複数個有する芳香族基とが交互に結合しているポリオール化合物と、ビニルエーテル化合物とを含有するフォトレジスト組成物。
  2. 　ポリオール化合物が、脂肪族ポリオールと芳香族ポリオールとの酸触媒反応により得られることを特徴とする請求項１に記載のフォトレジスト組成物。
  3. 　酸触媒反応がＦｒｉｅｄｅｌ－Ｃｒａｆｔｓ反応である請求項２に記載のフォトレジスト組成物。
  4. 　脂肪族ポリオールが脂環式ポリオールである請求項２又は３に記載のフォトレジスト組成物。
  5. 　脂肪族ポリオールがアダマンタン環の３級位に２個以上の水酸基が結合したアダマンタンポリオールである請求項２～４の何れかの項に記載のフォトレジスト組成物。
  6. 　芳香族ポリオールがヒドロキノンである請求項２～５の何れかの項に記載のフォトレジスト組成物。
  7. 　芳香族ポリオールがナフタレンポリオールである請求項２～５の何れかの項に記載のフォトレジスト組成物。
  8. 　ポリオール化合物の重量平均分子量が５００～５０００である請求項１～７の何れかの項に記載のフォトレジスト組成物。
  9. 　ビニルエーテル化合物が、多価ビニルエーテル化合物である請求項１～８の何れかの項に記載のフォトレジスト組成物。
  10. 　請求項１～９に記載のフォトレジスト組成物を基材に塗布し、その後、加熱してポリオール化合物とビニルエーテル化合物とを反応させることを特徴とするレジスト塗膜の形成方法。
  11. 　請求項１０に記載のレジスト塗膜の形成方法により形成されたレジスト塗膜。
  12. 　請求項１１に記載のレジスト塗膜を露光、現像することを特徴とするレジストパターンの形成方法。
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