JP5557658B2 - 保護回路及び半導体装置 - Google Patents
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Description
14 電流調節部
16 電線
18 屈曲部
18A 第1流路
18B 第2流路
18C 第3流路
100 半導体装置
102 保護対象回路
114 コンデンサ
116 インバータ
118,110 NMOSトランジスタ
120 PMOSトランジスタ
Claims (8)
- 第1端子、第2端子及び制御端子を備えると共に、前記制御端子に出力端子が接続されたインバータを備え、前記第1端子に保護対象回路に第1電圧を印加する第1電圧線が接続され、前記第2端子に前記保護対象回路に第2電圧を印加する第2電圧線が接続され、前記制御端子に印加される電圧の大きさが予め定められた閾値以上のときに前記第1端子及び前記第2端子間を導通させる通常時非導通の保護回路本体と、
一端が前記第1電圧線に、他端が前記インバータの入力端子に各々接続された電線で構成され、前記一端から前記電線の特定流路に、前記第1電圧線に前記保護対象回路を駆動する前記第1電圧が印加されることにより流れる電流の立ち上がり速度を超える立ち上がり速度を有する第1電流が流入した場合、前記第1電流によって生じる磁界を打ち消す磁界を発生させるように誘導電流を発生させて前記第1電流の流れを妨げることにより、前記インバータの前記入力端子に対して、前記制御端子に印加される電圧が前記閾値以上となる電圧を印加し、前記一端から前記特定流路に前記第1電圧が印加されることにより流れる電流の立ち上がり速度を超える立ち上がり速度を有さない第2電流が流入した場合、前記インバータの前記入力端子に対して、前記制御端子に印加される電圧が前記閾値未満となる電圧を印加する電圧印加手段と、
前記第1電圧線と前記入力端子との間に前記電圧印加手段に並列に接続された抵抗素子と、
を含む保護回路。 - 前記電圧印加手段は、前記特定流路に接続されると共に前記特定流路に対して折り返して向かい合うように並設され、かつ前記特定流路を流れる前記第1電流によって生じる磁界を打ち消す磁界を発生させる誘導電流を流して前記第1電流の流れを妨げる誘導起電力を発生させる誘導起電力発生部を備えた請求項1記載の保護回路。
- 前記特定流路を前記一端から前記他端に至るまでの間に複数設け、
前記特定流路の各々を、互いに向かい合う前記特定流路の一方を他方の前記第1電流によって前記誘導起電力を発生させる前記誘導起電力発生部として機能させることにより前記第1電流の大きさが前記一端から前記他端に向かうに従って弱まるように前記電線を屈曲させて形成した請求項2記載の保護回路。 - 前記保護回路本体は、
前記第1端子としてのドレイン端子が前記第1電圧線に接続され、前記第2端子としてのソース端子が前記第2電圧線に接続され、前記制御端子としてのゲート端子を有する第1のN型電界効果トランジスタと、
P型電界効果トランジスタ及び第2のN型電界効果トランジスタを備え、前記P型電界効果トランジスタのソース端子が前記第1電圧線に、前記第2のN型電界効果トランジスタのソース端子が前記第2電圧線に接続され、前記P型電界効果トランジスタのドレイン端子及び前記第2のN型電界効果トランジスタのドレイン端子が前記第1のN型電界効果トランジスタのゲート端子に接続され、前記P型電界効果トランジスタのゲート端子及び前記第2のN型電界効果トランジスタのゲート端子が接続された接続点を前記入力端子とした前記インバータと、
を有する請求項1〜請求項3の何れか1項に記載の保護回路。 - 前記他端を、容量性負荷を介して前記第2電圧線に接続した請求項4記載の保護回路。
- 前記電圧印加手段をコイルとした請求項1記載の保護回路。
- 前記第1電圧線と前記入力端子との間に前記電圧印加手段に直列に接続された抵抗素子を挿入した請求項1〜請求項6の何れか1項に記載の保護回路。
- 請求項1〜請求項7の何れか1項に記載の保護回路と、
前記保護対象回路として機能する半導体集積回路と、
を含む半導体装置。
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