JP5555452B2 - 半導体装置及びその製造方法並びにデータ処理システム - Google Patents
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Description
GC ゲートコンタクトプラグ
M1,M2 ハードマスク
P 複合ピラー
60〜62 配線パターン
30a〜30c スルーホール
10 半導体装置
11 シリコン基板
13 活性領域
14,50 シリコンピラー
14a LDD領域
15A ゲート絶縁膜
15B ダミーピラー(絶縁体ピラー)
16 ゲート電極
18,40 基板保護膜
19 キャップ絶縁膜
20 第1の拡散層
20a シリコンエピタキシャル層
21,43 サイドウォール絶縁膜
22 シリコン酸化膜
23 第2の拡散層
30,44,46 層間絶縁膜
30a〜30c,44a スルーホール
41 絶縁膜
42 熱酸化膜
45 マスク酸化膜
51 溝
52 シリコン酸化膜
60〜63 配線パターン
Claims (9)
- 半導体基板と、
前記半導体基板の主面に対して垂直に設けられたシリコンピラーと、
前記シリコンピラーの側面の一部分を覆うゲート絶縁膜と、
前記シリコンピラーの側面の残りの部分を覆う絶縁体ピラーと、
前記ゲート絶縁膜及び絶縁体ピラーを介して前記シリコンピラーを覆うゲート電極と、
前記シリコンピラー、前記ゲート絶縁膜、前記絶縁体ピラー、及び前記ゲート電極の上方に設けられた層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜に設けられたコンタクトホールに埋め込まれ、前記ゲート電極及び前記絶縁体ピラーに接するゲートコンタクトプラグとを備え、
前記絶縁体ピラーの横方向の膜厚は、前記ゲート絶縁膜の横方向の膜厚に比べて厚いことを特徴とする半導体装置。 - 前記絶縁体ピラーは気相成長膜であり、前記ゲート絶縁膜は熱酸化膜であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 半導体基板と、
前記半導体基板の主面に対して垂直に設けられたシリコンピラーと、
前記シリコンピラーの側面を覆う絶縁膜と、
前記絶縁膜を介して前記シリコンピラーを覆うゲート電極と、
前記シリコンピラー、前記絶縁膜、及び前記ゲート電極の上方に設けられた層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜に設けられたコンタクトホールに埋め込まれ、前記ゲート電極及び前記絶縁膜に接するゲートコンタクトプラグとを備え、
前記絶縁膜は、前記ゲートコンタクトプラグに接する部分の横方向の膜厚が、他の部分の横方向の膜厚に比べて厚いことを特徴とする半導体装置。 - 前記絶縁膜のうち、前記ゲートコンタクトプラグに接する部分は気相成長膜であり、他の部分は熱酸化膜であることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。
- それぞれ前記シリコンピラーの上部及び下部に形成された第1及び第2の拡散層と、
前記層間絶縁膜に設けられたコンタクトホールに埋め込まれ、前記第1の拡散層に接する第1の拡散層コンタクトプラグと、
前記層間絶縁膜に設けられたコンタクトホールに埋め込まれ、前記第2の拡散層に接する第2の拡散層コンタクトプラグとをさらに備えることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の半導体装置。 - シリコン基板の主面の一部をエッチングし、溝を形成する工程と、
前記溝内に絶縁膜を堆積する工程と、
前記シリコン基板と前記絶縁膜との境界を跨るマスク膜を用いて前記シリコン基板の主面をエッチングすることにより、シリコンピラーと絶縁体ピラーからなる複合ピラーを形成する工程と、
前記シリコンピラーの側面にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記シリコン基板の主面に導電材料を成膜し、これをエッチバックすることによりゲート電極を形成する工程と、
前記複合ピラー及び前記ゲート電極の側面を覆う第1の層間絶縁膜を成膜する工程と、
前記マスク膜を除去することにより前記複合ピラーの上面を露出させる工程と、
前記マスク膜の除去により形成されたスルーホール内にシリコンを選択的エピタキシャル成長させることにより、第1の拡散層を形成する工程と、
前記第1の層間絶縁膜及び前記複合ピラーを覆う第2の層間絶縁膜を成膜する工程と、
前記第2の層間絶縁膜に、それぞれ前記ゲート電極及び前記第1の拡散層を露出させる2つのコンタクトホールを形成する工程と、
前記2つのコンタクトホール内にそれぞれコンタクトプラグを形成する工程とを備え、
前記2つのコンタクトホールのうちゲート電極を露出させるコンタクトホールは、前記絶縁体ピラーの側面のうち、該絶縁体ピラーを挟んで前記シリコンピラーと反対側の部分の真上の位置に形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記スルーホール内にシリコンを選択的エピタキシャル成長させる工程では、前記スルーホール内にサイドウォール絶縁膜を形成した後、前記シリコンを選択的エピタキシャル成長させることを特徴とする請求項6に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記シリコンピラーの下部に第2の拡散層を形成する工程をさらに備え、
前記コンタクトホールを形成する工程では、前記第2の拡散層を露出させるコンタクトホールをさらに形成し、
前記コンタクトプラグを形成する工程では、前記第2の拡散層を露出させるコンタクトホール内にもコンタクトプラグを形成することを特徴とする請求項6又は7に記載の半導体装置の製造方法。 - 請求項1乃至5のいずれか一項に記載の半導体装置と、データプロセッサと、ROMと、ストレージデバイスと、I/Oデバイスとを備え、これらがシステムバスにより相互に接続されていることを特徴とするデータ処理システム。
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