JP5543352B2 - ウエハー反り測定の配置構造及び反り測定方法 - Google Patents
ウエハー反り測定の配置構造及び反り測定方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5543352B2 JP5543352B2 JP2010527234A JP2010527234A JP5543352B2 JP 5543352 B2 JP5543352 B2 JP 5543352B2 JP 2010527234 A JP2010527234 A JP 2010527234A JP 2010527234 A JP2010527234 A JP 2010527234A JP 5543352 B2 JP5543352 B2 JP 5543352B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- sensor
- measurement data
- sensor set
- aligner
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000005259 measurement Methods 0.000 title claims description 171
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 title description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 97
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 23
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 9
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 319
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 6
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 2
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 235000002595 Solanum tuberosum Nutrition 0.000 description 1
- 244000061456 Solanum tuberosum Species 0.000 description 1
- 230000003044 adaptive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 230000002860 competitive effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000012625 in-situ measurement Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B21/00—Measuring arrangements or details thereof, where the measuring technique is not covered by the other groups of this subclass, unspecified or not relevant
- G01B21/30—Measuring arrangements or details thereof, where the measuring technique is not covered by the other groups of this subclass, unspecified or not relevant for measuring roughness or irregularity of surfaces
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B21/00—Measuring arrangements or details thereof, where the measuring technique is not covered by the other groups of this subclass, unspecified or not relevant
- G01B21/20—Measuring arrangements or details thereof, where the measuring technique is not covered by the other groups of this subclass, unspecified or not relevant for measuring contours or curvatures, e.g. determining profile
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B21/00—Measuring arrangements or details thereof, where the measuring technique is not covered by the other groups of this subclass, unspecified or not relevant
- G01B21/02—Measuring arrangements or details thereof, where the measuring technique is not covered by the other groups of this subclass, unspecified or not relevant for measuring length, width, or thickness
- G01B21/08—Measuring arrangements or details thereof, where the measuring technique is not covered by the other groups of this subclass, unspecified or not relevant for measuring length, width, or thickness for measuring thickness
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Length Measuring Devices With Unspecified Measuring Means (AREA)
Description
Claims (16)
- プラズマ処理システム内に位置している、ウエハーの反りを定量化するための配置構造であって、
ウエハーを保持するための支持機構と、
前記ウエハー上の複数のデータポイントの第1測定データセットを収集するように構成された第1センサセットと、を備え、
前記第1測定データセットは、前記第1センサセットと前記ウエハーとの間の1組の距離データを表し、前記第1センサセットは、前記プラズマ処理システムの1組の処理モジュールの外部にある第1位置に位置しており、前記第1センサセットは、前記ウエハーが固定されながらも、z方向及び回転方向の1つを含む第1方向に移動するように構成され、
前記ウエハーは、前記プラズマ処理システム内で正面開口式一体型容器(FOUP)から大気搬送モジュール(ATM)を通ってアライナに移動され、さらに、該アライナからエアロックモジュールを介して処理モジュールに移動され、
前記第1位置が、前記正面開口式一体型容器(FOUP)と大気搬送モジュール(ATM)との間、前記ATMとアライナとの間、前記アライナ内のいずれか1つに位置することを特徴とする配置構造。 - 前記支持機構は、ロボットアーム及び静電チャックの1つを備えることを特徴とする請求項1に記載の配置構造。
- 前記第1センサセットは、1つのセンサであることを特徴とする請求項1に記載の配置構造。
- 前記第1センサセットは、センサアレイを含むことを特徴とする請求項1に記載の配置構造。
- 前記ウエハーは、前記第1センサセットが固定されながらも、z方向及び回転方向の1つを含む第1方向に移動することを特徴とする請求項1に記載の配置構造。
- 前記第1センサセットが前記z方向に移動している間、前記ウエハーが回転していることを特徴とする請求項1に記載の配置構造。
- 別のウエハーが前記1組の処理モジュールの処理モジュール内で処理されているときに、前記第1センサセットは前記第1測定データセットを収集していることを特徴とする請求項1に記載の配置構造。
- 第2測定データセットを収集するように構成された第2センサセットをさらに備え、
前記第2測定データセットは、前記第1センサセットによって測定された前記複数のデータポイントの少なくとも1つのデータポイントを含み、
前記第2センサセットは、前記プラズマ処理システムにおいて、前記第1位置の反対側にある第2位置に位置しており、
前記第1センサセットと前記第2センサセットとの間にギャップが存在し、それによって、前記ウエハーが前記第1センサセットと前記第2センサセットとの間に位置することを可能にすることを特徴とする請求項1に記載の配置構造。 - 前記第2センサセットは前記第1センサセットと平行であることを特徴とする請求項8に記載の配置構造。
- 前記ウエハーのウエハー厚は、前記第1測定データセットと前記第2測定データセットとを比較することによって決定されることを特徴とする請求項9に記載の配置構造。
- プラズマ処理システム内でウエハーの反りを定量化するための方法であって、
ウエハーを前記プラズマ処理システム内に搬送するステップと、
前記ウエハー上の複数のデータポイントの測定データを収集するステップと、を含み、
前記測定データは、前記プラズマ処理システムの1組の処理モジュールの外部に位置しているセンサセットと、前記ウエハーとの間の1組の距離を表しており、前記センサセットは、前記ウエハーが固定されながらも、z方向及び回転方向の1つを含む第1方向に移動しており、前記測定データが1組の所定範囲内にある場合、前記ウエハーは処理のために前記1組の処理モジュールの処理モジュール内に移動して、前記測定データは前記ウエハーを処理するためのレシピを調整することに利用され、
前記ウエハーは、前記プラズマ処理システム内の正面開口式一体型容器(FOUP)から大気搬送モジュール(ATM)を通ってアライナに移動され、さらに、該アライナからエアロックモジュールを介して処理モジュールに移動され、
前記センサセットが、前記正面開口式一体型容器(FOUP)と前記大気搬送モジュール(ATM)との間、前記ATMとアライナとの間、前記アライナ内のいずれか1つに位置することを特徴とする方法。 - 前記測定データが前記1組の所定範囲外にある場合、前記プラズマ処理システムから前記ウエハーを除去するステップをさらに含んでいることを特徴とする請求項11に記載の方法。
- 前記測定データは、前記ウエハーの厚みを決定するのに用いられ、
前記測定データは、前記第1センサセットの第1センササブセットを前記ウエハーの上方に配置し、前記第2センサセットの第2センササブセットを前記ウエハーの下方に配置することによって収集され、
前記第1センササブセットによって収集された第1測定データセットが、前記第2センササブセットによって収集された第2測定データセットと比較されて、前記ウエハーの厚みが決定されることを特徴とする請求項11に記載の方法。 - 前記第2測定データセットは、前記第1センサセットによって測定された複数のデータポイントの少なくとも1つのデータポイントを含むことを特徴とする請求項13に記載の方法。
- 前記ウエハーは、前記センサセットが固定された状態で、z方向及び回転方向の1つを含む第1方向に移動することを特徴とする請求項11に記載の方法。
- 前記第1センサセットが前記z方向に移動している間、前記ウエハーは回転していることを特徴とする請求項11に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US97614907P | 2007-09-28 | 2007-09-28 | |
US60/976,149 | 2007-09-28 | ||
PCT/US2008/078110 WO2009042997A2 (en) | 2007-09-28 | 2008-09-29 | Wafer bow metrology arrangements and methods thereof |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011504290A JP2011504290A (ja) | 2011-02-03 |
JP5543352B2 true JP5543352B2 (ja) | 2014-07-09 |
Family
ID=40506681
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010527234A Active JP5543352B2 (ja) | 2007-09-28 | 2008-09-29 | ウエハー反り測定の配置構造及び反り測定方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8225683B2 (ja) |
JP (1) | JP5543352B2 (ja) |
KR (1) | KR20100063786A (ja) |
CN (1) | CN101919038B (ja) |
SG (1) | SG185251A1 (ja) |
TW (1) | TWI448660B (ja) |
WO (1) | WO2009042997A2 (ja) |
Families Citing this family (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8225683B2 (en) | 2007-09-28 | 2012-07-24 | Lam Research Corporation | Wafer bow metrology arrangements and methods thereof |
CN102194652B (zh) * | 2010-03-11 | 2013-04-10 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 防止晶圆翘曲的方法以及由该方法得到的晶圆 |
US20120234238A1 (en) * | 2011-03-18 | 2012-09-20 | Wei-Yung Hsu | Integrated metrology for wafer screening |
JP6151028B2 (ja) * | 2013-01-17 | 2017-06-21 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置 |
JP2015119066A (ja) * | 2013-12-19 | 2015-06-25 | 株式会社安川電機 | 検出システムおよび検出方法 |
KR102291659B1 (ko) * | 2013-12-22 | 2021-08-18 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 증착을 위한 모니터링 시스템 및 그의 동작 방법 |
CN103745942B (zh) * | 2013-12-31 | 2016-10-05 | 株洲南车时代电气股份有限公司 | 判断功率半导体模块基板拱度的装置及其方法 |
CN104279936B (zh) * | 2014-09-15 | 2017-02-15 | 深圳中兴创新材料技术有限公司 | 一种用于电池隔膜弧度测试的装置 |
US9818633B2 (en) | 2014-10-17 | 2017-11-14 | Lam Research Corporation | Equipment front end module for transferring wafers and method of transferring wafers |
US9673071B2 (en) | 2014-10-23 | 2017-06-06 | Lam Research Corporation | Buffer station for thermal control of semiconductor substrates transferred therethrough and method of transferring semiconductor substrates |
US9870935B2 (en) | 2014-12-19 | 2018-01-16 | Applied Materials, Inc. | Monitoring system for deposition and method of operation thereof |
JP6357187B2 (ja) * | 2016-03-31 | 2018-07-11 | キヤノン株式会社 | 搬送装置、リソグラフィ装置、および物品の製造方法 |
GB201615114D0 (en) * | 2016-09-06 | 2016-10-19 | Spts Technologies Ltd | A Method and system of monitoring and controlling deformation of a wafer substrate |
US10068787B2 (en) * | 2016-12-30 | 2018-09-04 | Sunpower Corporation | Bowing semiconductor wafers |
JP6717267B2 (ja) * | 2017-07-10 | 2020-07-01 | 株式会社Sumco | シリコンウェーハの製造方法 |
CN107560559B (zh) * | 2017-07-24 | 2019-05-24 | 四川大学 | 一种棱柱状管道轴向弯扭形变测量计算方法 |
CN107607080B (zh) * | 2017-07-24 | 2019-05-28 | 四川大学 | 一种棱柱状管道横截面形变测量计算方法 |
US10796940B2 (en) * | 2018-11-05 | 2020-10-06 | Lam Research Corporation | Enhanced automatic wafer centering system and techniques for same |
US11437262B2 (en) * | 2018-12-12 | 2022-09-06 | Applied Materials, Inc | Wafer de-chucking detection and arcing prevention |
CN113330543A (zh) * | 2019-01-25 | 2021-08-31 | 朗姆研究公司 | 集成晶片翘曲测量 |
JP7319162B2 (ja) * | 2019-10-02 | 2023-08-01 | 株式会社荏原製作所 | 搬送異常予測システム |
JP2022043556A (ja) * | 2020-09-04 | 2022-03-16 | 川崎重工業株式会社 | ロボット及び基板形状異常検査方法 |
JP6902215B1 (ja) * | 2020-12-14 | 2021-07-14 | 日新イオン機器株式会社 | イオン注入装置 |
TW202312348A (zh) * | 2021-05-03 | 2023-03-16 | 美商蘭姆研究公司 | 晶圓狀態偵測 |
Family Cites Families (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4750141A (en) | 1985-11-26 | 1988-06-07 | Ade Corporation | Method and apparatus for separating fixture-induced error from measured object characteristics and for compensating the measured object characteristic with the error, and a bow/warp station implementing same |
JP3453223B2 (ja) * | 1994-08-19 | 2003-10-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
JPH08166226A (ja) | 1994-12-14 | 1996-06-25 | Casio Comput Co Ltd | 平面度測定装置およびそれを用いた平面度測定方法 |
JPH1032233A (ja) * | 1996-07-15 | 1998-02-03 | Seiko Epson Corp | シリコンウェーハ、ガラスウェーハ及びそれを用いたストレス測定方法 |
KR19990005318U (ko) * | 1997-07-15 | 1999-02-18 | 문정환 | 반도체 화학기상증착장치 |
US6478875B1 (en) | 1999-03-03 | 2002-11-12 | The Research Foundation Of State University Of New York | Method and apparatus for determining process-induced stresses and elastic modulus of coatings by in-situ measurement |
KR20000019056U (ko) * | 1999-04-01 | 2000-11-06 | 전형구 | 전지 케이스 |
US6146242A (en) * | 1999-06-11 | 2000-11-14 | Strasbaugh, Inc. | Optical view port for chemical mechanical planarization endpoint detection |
JP2001078389A (ja) | 1999-09-01 | 2001-03-23 | Sankyo Seiki Mfg Co Ltd | 磁気浮上型電動機 |
US6478871B1 (en) * | 1999-10-01 | 2002-11-12 | Cornell Research Foundation, Inc. | Single step process for epitaxial lateral overgrowth of nitride based materials |
JP3491589B2 (ja) * | 1999-12-22 | 2004-01-26 | 三菱住友シリコン株式会社 | 高平坦度半導体ウェーハの製造方法及び高平坦度半導体ウェーハ |
KR20010060748A (ko) | 1999-12-28 | 2001-07-07 | 윤종용 | 웨이퍼 검사시스템 |
JP3670209B2 (ja) * | 2000-11-14 | 2005-07-13 | アルプス電気株式会社 | プラズマ処理装置の性能評価方法、保守方法、性能管理システム、及び性能確認システム、並びにプラズマ処理装置 |
JP3838341B2 (ja) * | 2001-09-14 | 2006-10-25 | 信越半導体株式会社 | ウェーハの形状評価方法及びウェーハ並びにウェーハの選別方法 |
JP3964662B2 (ja) * | 2001-12-03 | 2007-08-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板の取り出し方法 |
JP4615182B2 (ja) * | 2002-08-22 | 2011-01-19 | 株式会社Sumco | 半導体ウェーハの製造方法 |
JP2004119673A (ja) * | 2002-09-26 | 2004-04-15 | Nitto Denko Corp | 半導体ウエハの反り量測定方法および測定装置 |
JP3512789B2 (ja) | 2003-01-20 | 2004-03-31 | 京セラ株式会社 | ウエハー形状測定装置 |
US6864174B2 (en) * | 2003-03-20 | 2005-03-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Iteratively selective gas flow control and dynamic database to achieve CD uniformity |
KR100532354B1 (ko) * | 2004-05-31 | 2005-11-30 | 삼성전자주식회사 | 식각 영역 조절 장치 및 웨이퍼 에지 식각 장치 그리고웨이퍼 에지 식각 방법 |
CN100499056C (zh) * | 2004-06-09 | 2009-06-10 | 株式会社瑞萨科技 | 半导体集成电路器件的制造方法 |
US20070196011A1 (en) * | 2004-11-22 | 2007-08-23 | Cox Damon K | Integrated vacuum metrology for cluster tool |
US20070134821A1 (en) * | 2004-11-22 | 2007-06-14 | Randhir Thakur | Cluster tool for advanced front-end processing |
TW200704146A (en) * | 2005-02-21 | 2007-01-16 | Fuji Photo Film Co Ltd | Plotting method, plotting device, plotting system and correction method |
JP5244288B2 (ja) * | 2005-06-08 | 2013-07-24 | 日本発條株式会社 | 検査装置 |
KR20070028711A (ko) * | 2005-09-07 | 2007-03-13 | 삼성전자주식회사 | 기판 베이킹 방법 및 이를 수행하기 위한 베이킹 장치 |
US7479236B2 (en) * | 2006-09-29 | 2009-01-20 | Lam Research Corporation | Offset correction techniques for positioning substrates |
US7486878B2 (en) * | 2006-09-29 | 2009-02-03 | Lam Research Corporation | Offset correction methods and arrangement for positioning and inspecting substrates |
US7531368B2 (en) * | 2007-03-30 | 2009-05-12 | Tokyo Electron Limited | In-line lithography and etch system |
US7713758B2 (en) * | 2007-06-13 | 2010-05-11 | Tokyo Electon Limited | Method and apparatus for optimizing a gate channel |
US8135485B2 (en) * | 2007-09-28 | 2012-03-13 | Lam Research Corporation | Offset correction techniques for positioning substrates within a processing chamber |
US8225683B2 (en) | 2007-09-28 | 2012-07-24 | Lam Research Corporation | Wafer bow metrology arrangements and methods thereof |
-
2008
- 2008-09-18 US US12/233,501 patent/US8225683B2/en active Active
- 2008-09-26 TW TW97137254A patent/TWI448660B/zh active
- 2008-09-29 WO PCT/US2008/078110 patent/WO2009042997A2/en active Application Filing
- 2008-09-29 JP JP2010527234A patent/JP5543352B2/ja active Active
- 2008-09-29 CN CN2008801186937A patent/CN101919038B/zh active Active
- 2008-09-29 SG SG2012070876A patent/SG185251A1/en unknown
- 2008-09-29 KR KR20107007364A patent/KR20100063786A/ko not_active Application Discontinuation
-
2012
- 2012-06-25 US US13/532,097 patent/US9123582B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW200942769A (en) | 2009-10-16 |
US9123582B2 (en) | 2015-09-01 |
SG185251A1 (en) | 2012-11-29 |
JP2011504290A (ja) | 2011-02-03 |
US20090084169A1 (en) | 2009-04-02 |
US20120283865A1 (en) | 2012-11-08 |
US8225683B2 (en) | 2012-07-24 |
WO2009042997A2 (en) | 2009-04-02 |
WO2009042997A3 (en) | 2009-07-16 |
TWI448660B (zh) | 2014-08-11 |
KR20100063786A (ko) | 2010-06-11 |
CN101919038A (zh) | 2010-12-15 |
CN101919038B (zh) | 2012-10-03 |
WO2009042997A4 (en) | 2009-09-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5543352B2 (ja) | ウエハー反り測定の配置構造及び反り測定方法 | |
US11069548B2 (en) | Substrate processing method and substrate processing system | |
JP5548287B2 (ja) | 基板を位置決めして検査するためのオフセット補正方法および装置 | |
CN109415837B (zh) | 基板固持器及镀覆装置 | |
US8060330B2 (en) | Method and system for centering wafer on chuck | |
CN105225985A (zh) | 通过原位反馈的晶片放置和间隙控制最佳化 | |
JP2022541346A (ja) | 自動ウェハーハンドリングロボットの教育及びヘルスチェックのための統合化された適応型位置決めシステム及びルーチン | |
KR101730668B1 (ko) | 기판들 사이에서 베벨 에칭 재현성을 개선시키기 위한 장치 및 방법 | |
US20100277850A1 (en) | Multi-Zone Electrostatic Chuck and Chucking Method | |
KR20150052183A (ko) | 다기능 웨이퍼 및 필름 프레임 조작 시스템 | |
CN110323148B (zh) | 晶圆缺陷的感测系统及感测方法 | |
JP5189759B2 (ja) | 検査方法および検査装置 | |
JP2008530804A (ja) | ウェーハを位置決めする方法 | |
US6943364B2 (en) | Multi-functioned wafer aligner | |
KR20210109655A (ko) | 통합된 웨이퍼 보우 측정들 | |
JP5134546B2 (ja) | 円板状の工作物のための搬送装置 | |
CN110612602A (zh) | 浮动晶片夹盘 | |
KR20070002257A (ko) | 웨이퍼 후면 결함 검출 장치 | |
US20230065638A1 (en) | Workpiece handling system, method of calibrating workpiece handling system and method of manufacturing semiconductor package | |
KR102504029B1 (ko) | Cmp 공정용 다중 웨이퍼 이송 장치 | |
WO2024114317A1 (zh) | 晶圆定位系统和方法 | |
TW202121524A (zh) | 製備半導體晶圓的方法 | |
KR20050023533A (ko) | 배치형 로봇 교정 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110929 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120924 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130730 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130812 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140415 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140508 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5543352 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D02 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |