CN103745942B - 判断功率半导体模块基板拱度的装置及其方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种判断功率半导体模块基板拱度的装置及其方法，装置包括测量模块，对功率半导体模块基板的表面进行取点操作，在其表面测取三个以上的测量点，并将其空间位置数据传送至处理模块；处理模块，根据测量点的空间位置数据，经过计算处理得到基准面空间位置数据，进而得到并输出功率半导体模块基板表面与基准面空间位置数据的差值数据至显示模块，输出平面度数据，计算基板的最高点位置数据，并判断数据是否合格；显示模块，接收处理模块传送的差值数据并生成图形，判断图形是否合格，结合处理模块的数据判断结果输出最终结果。本发明能满足对功率半导体模块基板轮廓进行判断的需求，快速简单地对基板的平面度，以及凹面和凸面进行判断。
Description
技术领域
本发明涉及半导体器件制造领域，尤其是涉及一种应用于判断功率半导体，特别是IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管）模块基板拱度的装置及其方法。
背景技术
IGBT（绝缘栅双极型晶体管）是一种在目前被广泛应用于电力电子领域的功率半导体器件，是一种由BJT（双极型三极管）和MOSFET（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式电力电子器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。其中，GTR的饱和压降较低，载流密度大，但驱动电流也较大。而MOSFET的驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT则综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。因此，IGBT广泛应用于直流电压为1500V的高压变流系统如电机节能、冶金、新能源、输变电、汽车电子、轨道交通、家用电器等国民经济各领域，是中国建设资源节约型和环境友好型社会不可缺少的关键技术之一。目前，IGBT器件的电压范围己经扩到600至6500伏，电流范围己经扩到几千安培，频率范围己经扩到几十千赫。
IGBT芯片根据电流应用范围采用混合封装技术为基础的多芯片功率模块或传统的分立功率器件封装形式。IGBT模块的尺寸从190mm×140mm×48mm到73mm×140mm×38mm，重量约500g～3000g。其中，基板是大功率IGBT模块必不可少的一部分，用于承载IGBT模块中的衬板，并且与散热器进行连接。它不仅为整个模块提供物理支撑，更是功率模块的散热通道，基板的设计既要保证自身具有良好的物理特性，又要能够实现与DBC（Direct BondingCopper，直接敷铜）衬板和散热器的良好接触。对于大功率IGBT模块，由于功率损耗很大，应用时要在模块外部安装散热器。IGBT模块封装工艺过程需要经过多个高温加工以及机械组装过程，虽然基板在进行初始设计时为弧形凸起，这样的形状在经过模块封装过程会因热应力、机械应力而产生形变。形变后的基板是否还保持弧形凸起，凸起的变化将影响与散热器进行良好的接触，将直接影响到模块的散热功能。IGBT模块基板背面的翘曲度即被称为基板的拱度。
现有技术IGBT模块封装工艺的整个过程存在以下问题需要判断：
（1）初始基板是否满足设计要求，以及如何快速进行判断；
（2）加工过程后的IGBT模块基板面的轮廓是否满足设计要求，以及如何快速进行判断；
（3）大面积基板的平面度判断，以及平面上凹坑的确认。
在现有技术中，IGBT模块基板在初始时是一个弧面，加工弧面可以通过设备来实现。但是，最终组装成产品后的面很难从外观上来判断面的轮廓，虽然现有技术可以使用大理石平面对这个面进行简易的判断，但不能最终确认整个面的轮廓。同时，大理石平面虽然能够确认是凹面还是凸面，但是无法在得到精确判断的同时满足大批量检测的测量速度需求，只适合于试验检测。
发明内容
有鉴于此，本发明的目的在于提供一种判断功率半导体模块基板拱度的装置及其方法，能够满足对初始基板轮廓、加工过程基板轮廓、最后成品的轮廓进行判断的需求，能够快速简单地对基板的平面度，以及凹面和凸面进行判断。
为了实现上述发明目的，本发明具体提供了一种判断功率半导体模块基板拱度的装置的技术实现方案，一种判断IGBT模块基板拱度的装置，包括：
测量模块，对功率半导体模块基板的表面S进行平面取点操作，在所述功率半导体模块基板的表面S测取三个以上的测量点，并将所述测量点的空间位置数据传送至处理模块；
处理模块，根据所述测量模块测得的所述测量点的空间位置数据，经过计算处理得到所述功率半导体模块基板的基准面S′的空间位置数据，进而得到所述功率半导体模块基板的表面S与所述基准面S′的空间位置数据的差值数据，并将所述差值数据输出至显示模块；同时输出平面度数据，计算出所述功率半导体模块基板的最高点位置数据，判断所述最高点位置数据是否合格；
显示模块，接收所述处理模块传送的所述功率半导体模块基板的表面S与所述基准面S′的空间位置数据的差值数据，根据所述空间位置数据的差值数据生成图形，并判断所述图形是否合格，结合所述处理模块的最高点位置数据判断结果输出最终的结果。
优选的，所述处理模块根据所述测量模块测得的N个测量点的空间位置数据Xn，Yn，Zn拟合出唯一的基准面S′，N≥3，所述基准面S′的拟合原则为，所述N个测量点至所述基准面S′的距离的平方和为最小值。
优选的，根据所述N个测量点到所述基准面S′的距离得到N个测量点的空间位置数据与所述基准面S′上相应点的空间位置数据的差值数据Xn，Yn，Zn′，其中差值数据Zn′的最大值与最小值的差值绝对值即为所述功率半导体模块基板的平面度数据。
优选的，所述功率半导体模块基板的最高点位置数据为所述差值数据Zn′最大值在所述功率半导体模块基板的表面S上对应点的数据，所述最高点在X方向的位置为：｜Xn-Xmin｜/｜Xmax-Xmin｜*100%，所述最高点在Y方向的位置为：｜Yn-Ymin｜/｜Ymax-Ymin｜*100%。其中，Xmin为所述功率半导体模块基板的表面S上N个测量点中X方向坐标最小值，Xmax为所述功率半导体模块基板的表面S上N个测量点中X方向坐标最大值，Ymin为所述功率半导体模块基板的表面S上N个测量点中Y方向坐标最小值，Ymax为所述功率半导体模块基板的表面S上N个测量点中Y方向坐标最大值。
优选的，所述处理模块进行所述基准面S′拟合后得到的N个测量点的空间位置数据与所述基准面S′上相应点的空间位置数据的差值数据Xn，Yn，Zn′通过三维图形软件后拟合一张等高线的图形，显示出所述功率半导体模块基板的轮廓，从而从图形上判断出所述轮廓是否满足应用要求。
本发明还另外具体提供了一种判断功率半导体模块基板拱度的方法的技术实现方案，一种判断功率半导体模块基板拱度的方法，包括以下步骤：
S10：对功率半导体模块基板的表面S进行平面取点操作，在所述功率半导体模块基板的表面S测取三个以上的测量点，并得到所述测量点的空间位置数据；
S11：根据所述测量点的空间位置数据，经过计算处理得到所述功率半导体模块基板的基准面S′的空间位置数据，进而得到并输出所述功率半导体模块基板的表面S与所述基准面S′的空间位置数据的差值数据，同时输出平面度数据，计算出所述功率半导体模块基板的最高点位置数据，判断所述最高点位置数据是否合格；
S12：接收所述功率半导体模块基板的表面S与所述基准面S′的空间位置数据的差值数据，根据所述空间位置数据的差值数据生成图形，并判断所述图形是否合格，结合步骤S11中的最高点位置数据判断结果输出最终的结果。
优选的，所述步骤S11还包括基准面S′拟合过程，该过程包括：根据测得的N个测量点的空间位置数据Xn，Yn，Zn拟合出唯一的基准面S′，N≥3，所述基准面S′的拟合原则为，所述N个测量点至所述基准面S′的距离的平方和为最小值。
优选的，所述步骤S11还包括平面度数据计算过程，该过程包括：根据所述N个测量点到所述基准面S′的距离得到N个测量点的空间位置数据与所述基准面S′上相应点的空间位置数据的差值数据Xn，Yn，Zn′，其中差值数据Zn′的最大值与最小值的差值绝对值即为所述功率半导体模块基板的平面度数据。
优选的，所述步骤S11还包括最高点位置数据计算过程，该过程包括：所述功率半导体模块基板的最高点位置数据为所述差值数据Zn′最大值在所述功率半导体模块基板的表面S上对应点的数据，所述最高点在X方向的位置为：｜Xn-Xmin｜/｜Xmax-Xmin｜*100%，所述最高点在Y方向的位置为：｜Yn-Ymin｜/｜Ymax-Ymin｜*100%。其中，Xmin为所述功率半导体模块基板的表面S上N个测量点中X方向坐标最小值，Xmax为所述功率半导体模块基板的表面S上N个测量点中X方向坐标最大值，Ymin为所述功率半导体模块基板的表面S上N个测量点中Y方向坐标最小值，Ymax为所述功率半导体模块基板的表面S上N个测量点中Y方向坐标最大值。
优选的，所述空间位置数据的差值数据生成图形的过程包括：将进行所述基准面S′拟合后得到的N个测量点的空间位置数据与所述基准面S′上相应点的空间位置数据的差值数据Xn，Yn，Zn′通过三维图形软件后拟合一张等高线的图形，显示出所述功率半导体模块基板的轮廓，从而从图形上判断出所述轮廓是否满足应用要求。
通过实施上述本发明提供的判断功率半导体模块基板拱度的装置及其方法，具有如下技术效果：
（1）本发明能够满足对初始基板轮廓、加工过程基板轮廓、最后成品的轮廓进行判断的需求，能够快速简单地对基板的平面度，凹面和凸面进行判断；
（2）本发明通过采用数据与图形的结合的判断方法，能够更详细地体现功率半导体模块基板的轮廓；
（3）本发明通过采用测量模块取点并运算，能够实现功率半导体模块基板的批量测量和判断。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明判断功率半导体模块基板拱度的方法一种具体实施方式的操作流程图；
图2是本发明判断功率半导体模块基板拱度的方法一种具体实施方式的测点原理示意图；
图3是本发明判断功率半导体模块基板拱度的方法一种具体实施方式的曲面拟合示意图一；
图4是本发明判断功率半导体模块基板拱度的方法一种具体实施方式的曲面拟合示意图二；
图5是本发明判断功率半导体模块基板拱度的装置一种具体实施方式的结构示意图。
图中：1-测量模块，2-处理模块，3-显示模块。
具体实施方式
为了引用和清楚起见，将下文中使用的技术名词、简写或缩写记载如下：
IGBT：Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管的简称；
BJT：Bipolar Junction Transistor，双极型三极管的简称；
MOSFET：Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，绝缘栅型场效应管的简称；
GTR：Giant Transistor，巨型晶体管的简称；
DBC衬板：Direct Bonding Copper，直接敷铜衬板的简称。
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
如附图1至附图5所示，给出了本发明判断功率半导体模块基板拱度的装置及其方法应用在IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管）模块基板上的具体实施例，下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步说明。
如附图5所示，一种判断功率半导体模块基板拱度的装置的具体实施例，包括：
测量模块1，对功率半导体模块基板的表面S进行平面取点（Xn、Yn、Zn）操作，Xn、Yn、Zn为测量点分别在X、Y、Z三个方向上的空间位置坐标；在功率半导体模块基板的表面S测取三个以上的测量点，并将测量点的空间位置数据传送至处理模块2；其中，测量点的位置间距或数量多少通过测量模块1实现，点的间距越小，点位越多越好；
处理模块2，根据测量模块1测得的测量点的空间位置数据，经过计算处理得到功率半导体模块基板的基准面S′的空间位置数据，进而得到功率半导体模块基板的表面S与基准面S′的空间位置数据的差值数据，并将该差值数据输出至显示模块3，同时输出平面度数据，计算出功率半导体模块基板的最高点位置数据，判断该最高点位置数据是否合格；
显示模块3，接收处理模块2传送的功率半导体模块基板的表面S与基准面S′的空间位置数据的差值数据，根据空间位置数据的差值数据生成图形，并判断图形是否合格，结合处理模块2的最高点位置数据判断结果输出最终的结果。
处理模块2进一步根据测量模块1测得的N个测量点的空间位置数据Xn，Yn，Zn拟合出唯一的基准面S′，其中，N≥3。基准面S′的拟合原则为：N个测量点至基准面S′的距离的平方和为最小值，即基准面S′应当满足S′=Min（L12+L22+L32+L42+L52+…+Ln2），其中，L1、L2、L3、L4、L5、…、Ln分别为点（X1，Y1，Z1）、点（X2，Y2，Z2）、点（X3，Y3，Z3）、点（X4，Y4，Z4）、点（X5，Y5，Z5）、…、点（Xn，Yn，Zn）到基准面S′的距离，如附图2所示，示出了5个测量点的情况。根据N个测量点到基准面S′的距离可以得到N个测量点的空间位置数据与基准面S′上相应点的空间位置数据的差值数据Xn，Yn，Zn′，其中，Xn和Yn为测量点分别在X和Y方向上的空间位置坐标，Zn′为该测量点到基准面S′的距离，即测量点到基准面S′上相应点在Z方向上的差值。同时，差值数据Zn′的最大值与最小值的差值绝对值即为功率半导体模块基板的平面度数据。如附图3所示，示出了Xn，Yn，Zn′坐标分布的一种典型实例，其中，相同的Zn′坐标值采用位于同一条等高线的形式表示。
功率半导体模块基板的最高点位置数据为差值数据Zn′最大值在功率半导体模块基板的表面S上对应点的数据，可以通过对应点Xn、Yn坐标运算得到最高点在整个功率半导体模块基板的表面S上的位置。
最高点在X方向的位置为：
｜Xn-Xmin｜/｜Xmax-Xmin｜*100%
最高点在Y方向的位置为：
｜Yn-Ymin｜/｜Ymax-Ymin｜*100%
其中，Xmin为功率半导体模块基板的表面S上N个测量点中X方向坐标最小值，Xmax为功率半导体模块基板的表面S上N个测量点中X方向坐标最大值，Ymin为功率半导体模块基板的表面S上N个测量点中Y方向坐标最小值，Ymax为功率半导体模块基板的表面S上N个测量点中Y方向坐标最大值。
处理模块2进行基准面S′拟合后得到的N个测量点的空间位置数据与基准面S′上相应点的空间位置数据的差值数据Xn，Yn，Zn′通过三维图形软件后拟合一张等高线的图形，显示出功率半导体模块基板的轮廓，从而从图形上判断出轮廓是否满足应用要求。如附图3和附图4所示，在等高线图形中同一差值数据Zn′值对应的点位于同一条等高线上。这种通过图形与数据相结合的判断方式能够直观反馈出功率半导体模块基板的拱度情况，从而更详细的描述功率半导体模块模块基板的轮廓。
如附图1所示，一种判断功率半导体模块基板拱度的方法的具体实施例，包括以下步骤：
S10：对功率半导体模块基板的表面S进行平面取点操作，在功率半导体模块基板的表面S测取三个以上的测量点，并得到测量点的空间位置数据；
S11：根据测量点的空间位置数据，经过计算处理得到功率半导体模块基板的基准面S′的空间位置数据，进而得到并输出功率半导体模块基板的表面S与基准面S′的空间位置数据的差值数据，同时输出平面度数据，计算出功率半导体模块基板的最高点位置数据，判断最高点位置数据是否合格；
S12：接收功率半导体模块基板的表面S与基准面S′的空间位置数据的差值数据，根据空间位置数据的差值数据生成图形，并判断图形是否合格，结合步骤S11中的最高点位置数据判断结果输出最终的结果。
步骤S11还进一步包括基准面S′拟合过程，该过程包括：根据测得的N个测量点的空间位置数据Xn，Yn，Zn拟合出唯一的基准面S′，其中，N≥3。基准面S′的拟合原则为，N个测量点至基准面S′的距离的平方和为最小值。
步骤S11还进一步包括平面度数据计算过程，该过程包括：根据N个测量点到基准面S′的距离得到N个测量点的空间位置数据与基准面S′上相应点的空间位置数据的差值数据Xn，Yn，Zn′，其中差值数据Zn′的最大值与最小值的差值绝对值即为功率半导体模块基板的平面度数据。
步骤S11还进一步包括最高点位置数据计算过程，该过程包括：功率半导体模块基板的最高点位置数据为差值数据Zn′最大值在功率半导体模块基板的表面S上对应点的数据。
最高点在X方向的位置为：
｜Xn-Xmin｜/｜Xmax-Xmin｜*100%
最高点在Y方向的位置为：
｜Yn-Ymin｜/｜Ymax-Ymin｜*100%
其中，Xmin为功率半导体模块基板的表面S上N个测量点中X方向坐标最小值，Xmax为功率半导体模块基板的表面S上N个测量点中X方向坐标最大值，Ymin为功率半导体模块基板的表面S上N个测量点中Y方向坐标最小值，Ymax为功率半导体模块基板的表面S上N个测量点中Y方向坐标最大值。
空间位置数据的差值数据生成图形的过程进一步包括：将进行基准面S′拟合后得到的N个测量点的空间位置数据与基准面S′上相应点的空间位置数据的差值数据Xn，Yn，Zn′通过三维图形软件后拟合一张等高线的图形，显示出功率半导体模块基板的轮廓，从而从图形上判断出轮廓是否满足应用要求。
本发明判断功率半导体模块基板拱度的方法可以将相应的功能集成到自动化测量设备中，取点测量、平面度计算和差值计算等过程可以通过编程实现，判断条件设置在软件中，同时测量模块1可以利用激光器等检测设备进行非接触式测量，自动测量后自动判断并保存判断结果。
通常，功率半导体模块基板的形变量很小，基板与散热器接触之间是两个面与面的接触，通过平面度来判断功率半导体模块基板拱度的测量方法比较合理。图形与数据相结合的判断方式能够直观反馈出功率半导体模块基板的拱度情况，从而更详细的描述功率半导体模块模块基板的轮廓。采用测量模块1取点并运算后就可以实现批量测量和判断，图形的输出能够迅速识别出功率半导体模块基板平面上的凹面或凸面。同时，本发明具体实施例描述的技术方案能够满足对初始基板轮廓、加工过程基板轮廓、最后成品的轮廓进行判断的需求，能够快速简单的对功率半导体模块基板的平面度，凹面和凸面进行判断，利用在平面上取点得到的平面度数据进行处理后再得到三维图形的方式判断整个功率半导体模块基板平面的轮廓，能够更直观得到需要的功率半导体模块基板。
本发明具体实施例虽然以IGBT为例对模块基板拱度的测量进行了说明，但是本领域的一般技术人员可以知晓，本发明的技术方案还可以应用在如：GTO、GTR、GCT、MOSFET、晶闸管等其他类似功率半导体模块基板的拱度测量，本发明要求保护的技术方案包括但不限于IGBT模块基板拱度的测量。本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制。虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明。任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本发明的精神实质和技术方案的情况下，都可利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案做出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同替换、等效变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。
Claims (8)
1.一种判断功率半导体模块基板拱度的装置，其特征在于，包括：
测量模块（1），对功率半导体模块基板的表面（S）进行平面取点操作，在所述功率半导体模块基板的表面（S）测取三个以上的测量点，并将所述测量点的空间位置数据传送至处理模块（2）；
处理模块（2），根据所述测量模块（1）测得的所述测量点的空间位置数据，经过计算处理得到所述功率半导体模块基板的基准面（S´）的空间位置数据，进而得到所述功率半导体模块基板的表面（S）与所述基准面（S´）的空间位置数据的差值数据，并将所述差值数据输出至显示模块（3）；同时输出平面度数据，计算出所述功率半导体模块基板的最高点位置数据，判断所述最高点位置数据是否合格；
显示模块（3），接收所述处理模块（2）传送的所述功率半导体模块基板的表面（S）与所述基准面（S´）的空间位置数据的差值数据，根据所述空间位置数据的差值数据生成图形，并判断所述图形是否合格，结合所述处理模块（2）的最高点位置数据判断结果输出最终的结果；
所述处理模块（2）根据所述测量模块（1）测得的N个测量点的空间位置数据（Xn，Yn，Zn）拟合出唯一的基准面（S´），N≥3，所述基准面（S´）的拟合原则为，所述N个测量点至所述基准面（S´）的距离的平方和为最小值。
2.根据权利要求1所述的一种判断功率半导体模块基板拱度的装置，其特征在于：根据所述N个测量点到所述基准面（S´）的距离得到N个测量点的空间位置数据与所述基准面（S´）上相应点的空间位置数据的差值数据(Xn，Yn，Zn´)，其中差值数据Zn´的最大值与最小值的差值绝对值即为所述功率半导体模块基板的平面度数据。
3.根据权利要求2所述的一种判断功率半导体模块基板拱度的装置，其特征在于：所述功率半导体模块基板的最高点位置数据为所述差值数据Zn´最大值在所述功率半导体模块基板的表面（S）上对应点的数据，所述最高点在X方向的位置为：｜Xn-Xmin｜/｜Xmax-Xmin｜*100%，所述最高点在Y方向的位置为：｜Yn-Ymin｜/｜Ymax-Ymin｜*100%；其中，Xmin为所述功率半导体模块基板的表面（S）上N个测量点中X方向坐标最小值，Xmax为所述功率半导体模块基板的表面（S）上N个测量点中X方向坐标最大值，Ymin为所述功率半导体模块基板的表面（S）上N个测量点中Y方向坐标最小值，Ymax为所述功率半导体模块基板的表面（S）上N个测量点中Y方向坐标最大值。
4.根据权利要求2或3所述的一种判断功率半导体模块基板拱度的装置，其特征在于：所述处理模块（2）进行所述基准面（S´）拟合后得到的N个测量点的空间位置数据与所述基准面（S´）上相应点的空间位置数据的差值数据(Xn，Yn，Zn´)通过三维图形软件后拟合一张等高线的图形，显示出所述功率半导体模块基板的轮廓，从而从图形上判断出所述轮廓是否满足应用要求。
5.一种判断功率半导体模块基板拱度的方法，其特征在于，包括以下步骤：
S10：对功率半导体模块基板的表面（S）进行平面取点操作，在所述功率半导体模块基板的表面（S）测取三个以上的测量点，并得到所述测量点的空间位置数据；
S11：根据所述测量点的空间位置数据，经过计算处理得到所述功率半导体模块基板的基准面（S´）的空间位置数据，进而得到并输出所述功率半导体模块基板的表面（S）与所述基准面（S´）的空间位置数据的差值数据；同时输出平面度数据，计算出所述功率半导体模块基板的最高点位置数据，判断所述最高点位置数据是否合格；
S12：接收所述功率半导体模块基板的表面（S）与所述基准面（S´）的空间位置数据的差值数据，根据所述空间位置数据的差值数据生成图形，并判断所述图形是否合格，结合步骤S11中的最高点位置数据判断结果输出最终的结果；
所述步骤S11还包括基准面（S´）拟合过程，该过程包括：根据测得的N个测量点的空间位置数据（Xn，Yn，Zn）拟合出唯一的基准面（S´），N≥3，所述基准面（S´）的拟合原则为，所述N个测量点至所述基准面（S´）的距离的平方和为最小值。
6.根据权利要求5所述的一种判断功率半导体模块基板拱度的方法，其特征在于：所述步骤S11还包括平面度数据计算过程，该过程包括：根据所述N个测量点到所述基准面（S´）的距离得到N个测量点的空间位置数据与所述基准面（S´）上相应点的空间位置数据的差值数据(Xn，Yn，Zn´)，其中差值数据Zn´的最大值与最小值的差值绝对值即为所述功率半导体模块基板的平面度数据。
7.根据权利要求6所述的一种判断功率半导体模块基板拱度的方法，其特征在于：所述步骤S11还包括最高点位置数据计算过程，该过程包括：所述功率半导体模块基板的最高点位置数据为所述差值数据Zn´最大值在所述功率半导体模块基板的表面（S）上对应点的数据，所述最高点在X方向的位置为：｜Xn-Xmin｜/｜Xmax-Xmin｜*100%，所述最高点在Y方向的位置为：｜Yn-Ymin｜/｜Ymax-Ymin｜*100%；其中，Xmin为所述功率半导体模块基板的表面（S）上N个测量点中X方向坐标最小值，Xmax为所述功率半导体模块基板的表面（S）上N个测量点中X方向坐标最大值，Ymin为所述功率半导体模块基板的表面（S）上N个测量点中Y方向坐标最小值，Ymax为所述功率半导体模块基板的表面（S）上N个测量点中Y方向坐标最大值。
8.根据权利要求6或7所述的一种判断功率半导体模块基板拱度的方法，其特征在于：所述空间位置数据的差值数据生成图形的过程包括：将进行所述基准面（S´）拟合后得到的N个测量点的空间位置数据与所述基准面（S´）上相应点的空间位置数据的差值数据(Xn，Yn，Zn´)通过三维图形软件后拟合一张等高线的图形，显示出所述功率半导体模块基板的轮廓，从而从图形上判断出所述轮廓是否满足应用要求。
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