KR20070002257A - 웨이퍼 후면 결함 검출 장치 - Google Patents

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KR20070002257A
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삼성전자주식회사
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Abstract

웨이퍼 후면의 결함들을 검출하는 장치가 개시되어 있다. 웨이퍼 후면 결함 검출 장치는 웨이퍼의 전면을 소정 거리 이격시켜 지지하고 상기 지지된 웨이퍼를 수평 및 수직 방향으로 이동시키기 위한 스테이지와, 상기 스테이지 상부에 구비되며 상기 지지된 웨이퍼의 후면을 다수의 검출 구역들로 구분하여 상기 검출 구역들 별로 결함을 검출하기 위한 검출부와, 상기 검출된 결함을 분류하고 분석하기 위한 분석부를 포함한다. 상기와 같이 상기 반도체 웨이퍼를 다수의 구역으로 구분하여 결함을 검출함으로써 상기 반도체 웨이퍼 후면의 결함을 보다 상세하게 검출할 수 있다.

Description

웨이퍼 후면 결함 검출 장치{Apparatus for detecting a defect of back side of wafer}
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 후면 결함 검출 장치를 설명하기 위한 개략적인 사시도이다.
도 2는 도 1에 도시된 웨이퍼 후면 결함 검출 장치의 이송 반전 암을 설명하기 위한 개략적인 사시도이다.
도 3은 도 1에 도시된 웨이퍼 후면 결함 검출 장치의 스테이지를 설명하기 위한 개략적인 사시도이다.
도 4는 도 3에 도시된 스테이지의 척 및 다수의 클램프들을 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 5는 도 3에 도시된 다수의 클램프들 및 감지 센서를 설명하기 위한 개략적인 사시이다.
도 6은 도 1에 도시된 웨이퍼 후면 결함 검출 장치를 이용하여 웨이퍼 후면의 결함을 검출하기 위한 방법을 설명하기 위한 개략적인 순서도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
10 : 웨이퍼 후면 결함 검출 장치 100 : FOUP
102 : 로드 포트 110 : 이송 반전암
112 : 흡착 유닛 114 : 제1 구동 유닛
120 : 정렬부 122 : 회전척
124 : 정렬 센서 130 : 스테이지
132 : 척 134 : 클램프
136 : 제2 구동 유닛 138 : 감지 센서
140 : 검출부 150 : 분석부
본 발명은 웨이퍼 결함 검출 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 집적 회로가 형성되지 않은 웨이퍼 후면에 대하여 결함을 검출하기 위한 웨이퍼 후면 결함 검출 장치에 관한 것이다.
반도체 장치를 형성하기 위한 공정은, 반도체 웨이퍼 상에 막을 형성하기 위한 증착 공정과, 상기 막을 평탄화하기 위한 화학적 기계적 연마 공정과, 상기 막 상에 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 포토리소그래피 공정과, 상기 포토레지스트 패턴을 이용하여 상기 막을 전기적인 특성을 갖는 패턴으로 형성하기 위한 식각 공정과, 반도체 웨이퍼의 소정 영역에 특정 이온을 주입하기 위한 이온 주입 공정과, 반도체 웨이퍼 상의 불순물을 제거하기 위한 세정 공정과, 상기 막 및 패턴이 형성된 반도체 웨이퍼의 결함을 검출하기 위한 검사 공정 등을 포함한다.
상기 반도체 웨이퍼 결함은 반도체 장치의 고집적화에 따라 반도체 장치의 신뢰도 및 생산성을 저하시키는 중요한 요인으로 인식되고 있으며, 상기 결함을 검출하기 위한 검사 공정의 중요성이 더욱 부각되고 있다.
특히, 최근 반도체 공정 진행 중 웨이퍼 후면에 발생된 결함에 의한 불량이 이슈가 되고 있다. 이는 웨이퍼 가공 공정을 거치는 동안 웨이퍼 후면의 오염, 크랙(crack) 및 스크래치(scratch) 등이 발생될 수 있는데, 이는 패키지 조립 공정 시 웨이퍼 불량 및 웨이퍼 파손을 발생시키는 요인이기 때문이다.
종래에는, 상기 웨이퍼 후면 검사를 작업자가 직접 웨이퍼를 집고 육안으로 하였다. 이렇게 작업자에 의한 육안 검사는 작업자의 숙련도에 따라서 차이가 발생될 수 있기 때문에 일정한 검사 신뢰성을 확보할 수 없고, 검사 시간이 많이 소요되고, 인적 자원이 많이 필요한 문제점을 안고 있다. 더욱이 웨이퍼가 8인치에서 12인치로 대구경화 될수록, 작업자에 의한 육안 검사의 신뢰성이 떨어질 수밖에 없다.
상기 육안 검사 이외에 디지털 카메라와 같은 이미지 장치를 이용한 매크로 검사(macro inspection)로 웨이퍼 후면 결함 검사를 수행하였다. 이것은 단순히 반도체 웨이퍼 후면의 전체적인 이미지 확보 수준의 시스템이다.
따라서, 웨이퍼 후면 결함 검사에 대한 정보를 수집 및 분석하고, 상기 정보를 체계적으로 관리하기 위하여 보다 상세하게 결함을 검출할 수 있는 마이크로 검사(micro inspection)가 요구된다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 웨이퍼 후면에 대한 결함들을 상세하게 검출하기 위한 웨이퍼 후면 결함 장치를 제공하는데 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따르면, 웨이퍼 후면 결함 검출 장치는, 웨이퍼의 후면이 위로 향하도록 지지하고, 상기 지지된 웨이퍼를 수평 및 수직 방향으로 이동시키기 위한 스테이지(stage)와, 상기 지지된 웨이퍼 후면을 다수의 검출 구역들로 구분하고, 상기 다수의 구역들 별로 결함을 검출하기 위한 검출부와, 상기 검출부로부터 검출된 결함을 분석하여 분류하고, 상기 결함들을 기 설정된 결함과 비교하기 위한 분석부를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 스테이지는, 상기 웨이퍼의 후면이 위를 향하도록 상기 웨이퍼의 에지 부위들을 고정시키기 위하여 상기 웨이퍼의 중심을 향하여 이동 가능하게 배치된 다수의 클램프들(clamps)과, 상기 클램프들이 원주 방향으로 장착된 척(chuck)과, 상기 클램프들 내에 각각 구비되어 상기 반도체 웨이퍼가 상기 클램프에 고정되었는지 감지하기 위한 감지 센서(sensor)와, 상기 척 하부에 연결되며, 상기 클램프들에 의해 고정된 웨이퍼를 수직 및 수평 방향으로 이동시키기 위한 제1 구동 유닛을 포함할 수 있다.
상기와 같은 본 발명에 따르면, 웨이퍼 후면을 다수의 검출 구역으로 구분하고, 상기 검출 구역별로 결함을 검출함으로써, 보다 상세하게 결함들을 검출할 수 있다.
또한, 상기 웨이퍼 후면에 대하여 결함을 검출하는 동안 집적 회로가 형성된 웨이퍼 전면을 척으로부터 이격시킴으로써, 상기 웨이퍼 전면의 패턴이 손상되는 것을 방지할 수 있다.
이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예에 따른 웨이퍼 후면 결함 검출 장치에 대해 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 후면 결함 검출 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
우선 반도체 웨이퍼 및 반도체 웨이퍼 후면의 결함에 대하여 간단하게 설명하기로 한다.
반도체 웨이퍼는, 실리콘웨이퍼(silicon wafer)로써, 다수의 단위 공정들을 통해 다수의 패턴들이 형성되어 있는 반도체 웨이퍼 전면과, 상기와 같은 패턴들이 없는 순수한 실리콘으로 이루어진 반도체 웨이퍼 후면을 포함한다.
또한, 상기 반도체 웨이퍼 후면의 결함이라 함은 오염물, 크랙(crack) 및 스크래치(scratch) 등을 의미한다.
도 1을 참조하면, 웨이퍼 후면 결함 검출 장치(10)는, 반도체 웨이퍼의 전면을 지지하고 이동시키기 위한 스테이지(130)와, 상기 반도체 웨이퍼(W)의 후면의 결함을 검출하기 위한 검출부(140)와, 상기 검출부(140)로부터 검출된 결함을 분석하기 위한 분석부(150)를 포함한다. 또한, 다수의 반도체 웨이퍼(W)를 적재하기 위한 웨이퍼 적재함(100)과, 상기 반도체 웨이퍼(W)를 파지하고 반전시키며 상기 웨이퍼 적재함(100)으로부터 상기 스테이지(130)로 이동시키기 위한 이송 반전 암(110)과, 상기 반도체 웨이퍼(W)를 플랫존 또는 노치 방향으로 정렬하기 위한 정렬부(120)를 포함한다.
다수의 반도체 웨이퍼(W)들은 상기 반도체 웨이퍼(W)의 전면이 위를 향한 상태로 반도체 웨이퍼 적재함(100)에 적재된다. 상기 반도체 웨이퍼 적재함은 개구 통합형 포트(Front Opening Unified Pod : FOUP, 100)일 수 있으며, 상기 웨이퍼 후면 결함 검출 장치(10)의 외벽에 상기 FOUP(100)를 지지하기 위한 로드 포트(load port, 102)가 구비될 수 있다.
도 2는 도 1에 도시된 웨이퍼 후면 결함 검출 장치의 이송 반전 암을 설명하기 위한 개략적인 사시도이다.
이송 반전 암(110)은, 상기 반도체 웨이퍼 적재함(100)에 적재된 다수의 반도체 웨이퍼(W) 중 하나를 선택적으로 파지하기 위한 전단 부위의 흡착 유닛(112)과, 상기 흡착 유닛(112)으로 진공을 제공하기 위한 진공 제공 유닛(도시되지 않음)과, 상기 흡착된 웨이퍼(W)를 반전시키고 이송시키기 위하여 상기 흡착 유닛 후단에 연결된 제1 구동 유닛(114)을 포함한다.
도 2를 참조하면, 상기 흡착 유닛(112)은 전체적으로 U자 또는 V자 형상을 가진다. 상기 흡착 유닛(112)이 U자 또는 V자형을 형성함으로써 이후에 설명될 회전척 상으로/으로부터 반도체 웨이퍼(W)를 로딩/언로딩 시, 상기 회전척과의 간섭을 피할 수 있다.
상기 흡착 유닛(112) 상에는 다수의 홀(116)들이 형성되어 있으며, 상기 홀(116)들은 후술된 진공 라인과 각각 연결되어 상기 반도체 웨이퍼(W)의 후면을 진공으로 흡착한다. 본 실시예에서 상기 홀(116)들은 상기 흡착 유닛 상에 6개가 형성되어 있지만 본 발명에서 상기 홀(116)들의 수량을 한정하지 않는다.
상기 진공 제공 유닛은 진공 펌프(도시되지 않음)와, 흡착 유닛(112)과 상기 진공 펌프를 연결하기 위한 진공 라인(도시되지 않음)을 포함하며, 상기 진공 라인은 후술될 제1 구동 유닛(114) 내에 구비되고, 상기 홀(116)들로 진공을 제공한다.
또한, 상기 진공 제공 유닛은 상기 진공을 일정하게 유지하기 위한 진공 유지 유닛(도시되지 않음)을 더 구비할 수 있다. 상기 진공 유지 유닛은 상기 흡착 유닛(112) 상에 흡착된 반도체 웨이퍼(W)를 반전시켜 상기 반도체 웨이퍼(W)의 전면이 아래를 향하는 경우, 상기 흡착 유닛으로부터 이탈되는 것을 방지할 수 있다.
상기 제1 구동 유닛(114)은 수평 방향으로 이동하며, 상기 흡착 유닛(114)에 흡착된 반도체 웨이퍼(W)를 180°반전시키기 위한 회전 구동도 가능하다.
정렬부(120)는 상기 반도체 웨이퍼(W)의 후면을 지지하고 회전시키기 위한 회전척(122)과, 상기 회전척(122) 일 측 상부에 구비된 정렬 센서(124)를 포함한다. 상기 정렬 센서(124)는 광 센서로써, 광을 발생시키는 발광 유닛(도시되지 않음)과, 상기 광을 검출하기 위한 수광 유닛(도시되지 않음)으로 구성된다.
보다 상세하게, 상기 이송 반전 암(110)에 의해 파지된 반도체 웨이퍼(W)는 상기 회전척(122) 상에 상기 반도체 웨이퍼(W) 상면이 위를 향하도록 로딩된다. 이때, 설명한 바와 같이 상기 흡착 유닛(112)이 U자 또는 V자 형상을 가져 상기 회전척(122)과의 간섭을 피할 수 있다.
상기 회전척(122) 상에 지지된 반도에 웨이퍼(W)는 상기 회전척(122)에 의해 회전한다. 이때, 상기 정렬 센서(124)는 상기 반도체 웨이퍼(W)의 에지 부위로 광을 발생시키고, 상기 광을 검출함으로써 상기 반도체 웨이퍼(W)의 플랫존 또는 노 치 부위를 검출한다.
도 3은 도 1에 도시된 웨이퍼 후면 결함 검출 장치의 스테이지를 설명하기 위한 사시도이고, 도 4는 도 3에 도시된 스테이지의 척을 설명하기 위한 개략적인 단면도이고, 도 5는 도 3에 도시된 고정 유닛 및 감시 센서를 설명하기 위한 개략적인 사시도이다.
도 3을 참조하면, 스테이지(130)는, 반도체 웨이퍼(W)를 지지하기 위한 척(132)과, 상기 척(132) 상에 구비되어 상기 반도체 웨이퍼(W)를 척(132)으로부터 소정 거리 이격시키기 위한 다수의 클램프(clamp, 134)들과, 상기 클램프(134)들에 고정된 반도체 웨이퍼(W)를 감지하기 위한 감지 센서(138)와, 상기 척(132)과 연결되고 상기 반도체 웨이퍼(W)를 X축, Y축 및 Z축 방향으로 이동시키기 위한 제2 구동 유닛(136)을 포함한다.
도 4를 참조하면, 상기 척(132)은, 반도체 웨이퍼(W)와 대응되도록 원반 형상을 가지며, 실질적으로 상기 반도체 웨이퍼(W) 보다 큰 직경을 갖는다. 상기 척(132) 상에 반도체 웨이퍼(W)가 후면이 위를 향하도록 즉, 상기 반도체 웨이퍼(W)의 전면과 상기 척 상부면이 마주보게 로딩된다.
상기 척 상부면에서는 주연 부위를 따라 다수의 클램프(134)들이 구비되며, 상기 클램프(134)들은 상기 척(132) 상에 로딩된 반도체 웨이퍼(W)를 상기 척(132)으로부터 소정 거리 이격시켜 고정시킨다.
도 5를 참조하면, 각각의 클램프(134)는 하부 돌출부(134b)와 상부 돌출부(134a)를 가지며, 상기 웨이퍼(W)를 고정시키기 위한 고정 홈(134c)은 상기 하부 돌출부(134b)와 상부 돌출부(134a)에 의해 형성된다. 상기 하부 돌출부(134a)와 상부 돌출부(134b)는 상기 고정 홈(134c)을 한정하는 경사면을 각각 가지며, 상기 하부 돌출부(134b)의 제1 경사면은 상기 척(132)의 중심에 대하여 외측 상방으로 연장하며, 상기 상부 돌출부(134a)의 제2 경사면은 상기 척(132)의 중심에 대하여 내측 상방으로 연장한다. 즉, 상기 각각의 클램프(132)는 도시된 바와 같이 시그마(
Figure 112005035338652-PAT00001
) 형상을 가진다.
한편, 상기 제1 경사면과 제2 경사면은 상기 척(132)의 상부 표면에 대하여 실질적으로 동일한 경사각을 가지며, 상기 제1 경사면의 연장 길이는 상기 제2 경사면의 연장 길이보다 길게 형성될 수 있다. 이때, 상기 하부 돌출부(134b) 상에 반도체 웨이퍼(W) 전면 에지(edge)의 일부가 지지되며, 상기 고정 홈(134c)에 상기 반도체 웨이퍼(W)의 베벨(bevel) 부위가 고정된다.
상기 다수의 클램프(134c)들은 상기 척의 주연 부위에 다수 개가 등간격으로 구비되며, 본 실시예에서는 세 개의 클램프들이 상기 척(132) 상에 구비된다.
또한, 상기 클램프(134)들은 상기 웨이퍼(W)의 중심에 대하여 반경 방향으로 이동시키기 위한 제2 구동 유닛(도시되지 않음)과 연결되어 있다. 상기 제2 구동 유닛으로는 공압 실린더(air cylinder)일 수 있다.
상기 클램프(134)들이 상기 반도체 웨이퍼(W)의 전면의 에지 부위를 지지하며, 상기 반도체 웨이퍼(W)의 베벨 부위를 고정시키는 동안, 상기 클램프(134)의 고정 홈(134c)에 구비된 감지 센서에 의해 상기 반도체 웨이퍼(W)를 감지한다.
상기 감지 센서(138)는 압력 센서로써, 상기 반도체 웨이퍼(W)의 베벨 부위 와 상기 클램프(134)의 고정 홈(134c)와의 압력을 감지하여 상기 반도체 웨이퍼(W)가 상기 클램프(134)에 고정되었는지 감지한다. 이와 같이 감지 센서(134)를 구비함으로써 상기 클램프(134)가 상기 반도체 웨이퍼(W)로 과도하게 이동하는 것을 방지하고, 상기 반도체 웨이퍼(W)가 기울어진 상태로 상기 클램프(134)에 고정된 경우에도 감지가 가능하여 반도체 웨이퍼(W)의 깨짐이나 손상을 방지할 수 있다.
도 3을 참조하면, 상기 제3 구동 유닛(136)은 상기 척(132) 하부에 연결되며, 상기 척(132)을 X축, Y축 및 Z축 방향으로 구동시키고, 상기 척(132) 상에 지지된 반도체 웨이퍼(W)를 X축, Y축 및 Z축 방향으로 이동시킨다. 보다 상세하게, 제3 구동 유닛(136)은 상기 척을 X축 방향으로 구동시키기 위한 제1 축 구동 유닛(136a)과, 상기 척을 Y축 방향으로 구동시키기 위한 제2 축 구동 유닛(136b)과, 상기 척을 Z축 방향으로 구동시키기 위한 제3 축 구동 유닛(136c)을 포함하며, 상기 제1, 제2 및 제3 축 구동 유닛들(136a, 136b, 136c)을 제어하는 제어 유닛(도시되지 않음)을 포함한다. 상기 제3 구동 유닛(136)은 예컨대, 3축 직교 좌표 로봇을 사용할 수 있다.
상기 제3 구동 유닛(136)을 조절하여 상기 클램프(134)들에 의해 고정된 웨이퍼(W)를 목적하는 영역에 위치시킬 수 있다.
검출부(140)는 상기 스테이지(130) 상에 구비되며, 다양한 배율을 갖는 현미경 또는 CCD(Charge Coupled Device)와 같은 검사 카메라일 수 있다.
상기 스테이지(130) 상에 지지된 반도체 웨이퍼(W)의 후면을 상기 검출부(140)에 의해 결함을 검출한다. 이때, 상기 검출부(140)는 상기 반도체 웨이퍼(W) 후면을 전체적으로 촬상하여 전체적 이미지를 획득하여 결함을 검출하는 것이 아니라, 상기 반도체 웨이퍼(W)의 후면을 다수의 검출 구역으로 구분하고, 상기 검출 구역을 다양한 배율 또는 여러 번 촬상된 이미지들을 이용하여 상기 결함들을 검출한다.
따라서, 상기 반도체 웨이퍼(W) 후면에 발생된 결함들을 보다 상세하게 검출하는 마이크로 검사를 수행할 수 있다.
분석부(150)는 상기 검출부(140)에서 검출된 결함들을 분석하고 분류하여, 기준 데이터(reference date)를 설정한다. 상기 구축된 기준 결함과 이후에 검출된 반도체 웨이퍼(W) 후면의 결함들을 비교하고 분석한다.
이로써, 상기 반도체 웨이퍼(W) 후면 결함들의 유형을 확인하고 분류하는데 있어서, 종래의 작업자에 의해 분석되는 것에 비해 반도체 웨이퍼(W) 후면 결함 검출의 신뢰성이 향상될 수 있다.
이하, 상기와 같은 구성 요소들을 포함하는 웨이퍼 후면 결함 검출 장치(10)를 이용하여 웨이퍼 후면의 결함을 검출하는 방법에 대하여 설명하기로 한다.
도 6은 도 1에 도시된 웨이퍼 후면 결함 검출 장치를 이용하여 웨이퍼 후면의 결함을 검출하기 위한 방법을 설명하기 위한 간략한 순서도이다.
도 6을 참조하면, 이송 반전 암(110)이 다수의 반도체 웨이퍼(W)를 적재하고 있는 웨이퍼 적재함(100)으로부터 선택적으로 하나의 반도체 웨이퍼(W)를 파지한다. 이때, 상기 이송 반전 암 전단(110)의 흡착 유닛(112) 상에 반도체 웨이퍼(W)의 후면에 접하게 되고, 상기 접촉된 반도체 웨이퍼(W)의 후면은 진공으로 상기 흡 착 유닛(112)에 흡착된다.
상기 흡착된 반도체 웨이퍼(W)를 정렬부(120)의 회전척(122) 상으로 이동시킨다. 이때, 상기 회전척(122) 상에 지지된 반도체 웨이퍼(W)는 전면이 위를 향하고 있다. 이어서, 상기 회전척(122) 상에 지지된 반도체 웨이퍼(W)가 회전하며, 상기 정렬 센서(124)가 상기 반도체 웨이퍼(W)를 플랫존 또는 노치 방향으로 정렬한다.(S100)
상기 정렬된 반도체 웨이퍼(W)를 이송 반전 암(120)이 다시 흡착한다. 이때, 상기 이송 반전 암(120) 상에 지지된 반도체 웨이퍼(W)는 전면이 위를 향하고 있다. 상기와 동일한 방법으로 반도체 웨이퍼(W)의 후면은 상기 이송 반전 암(120)의 흡착 유닛(122)에 흡착된다.
상기 이송 반전 암(120) 상에 흡착된 반도체 웨이퍼(W)를 180°회전시켜, 상기 반도체 웨이퍼(W)의 전면이 아래를 향하도록 하고, 상기 반전된 반도체 웨이퍼(W)를 스테이지(130)의 척(132) 상에 로딩시킨다.(S110, S120)
상기 척(132) 상에 로딩된 반도체 웨이퍼(W)는 클램프(134)에 의해 상기 척(132)으로부터 소정 거리 이격되어 고정된다. 이때, 상기 반도체 웨이퍼(W)의 전면은 상기 척(132)과 소정 거리 이격되어 지지되기 때문에 상기 반도에 웨이퍼(W)의 전면에 형성된 패턴들의 손상을 방지할 수 있으며, 상기 클램프(134)가 상기 반도체 웨이퍼(W)의 베벨 부위와 접촉하기 때문에 상기 반도체 웨이퍼(W)에 손상을 최소화할 수 있다.
한편, 상기 반도체 웨이퍼(W)를 클램프(134)가 고정하는 동안, 상기 클램프 (134)의 고정 홈(134c)에 구비된 감지 센서(138)가 상기 반도체 웨이퍼(W)를 감지한다.
상기 클램프(134)로 고정된 반도체 웨이퍼(W) 후면 상에 구비된 검출부(140)가 상기 반도체 웨이퍼(W)의 후면을 다수의 검출 구역으로 분리하여 보다 상세하게 결함들을 검출한다.(S130) 이때, 상기 척(132) 하부에 연결된 제3 구동 유닛(136)에 의해 상기 척은 X축, Y축 및 Z축으로 이동이 가능하며, 상기 반도체 웨이퍼(W)가 X축, Y축 및 Z축으로 이동하여 상기 다수의 검출 구역들을 모두 검출할 수 있다.
상기 검출된 정보들은 상기 검출부(140)와 연결된 분석부(150)로 이송되고, 상기 분석부(150)는 기준 결함들과 비교하고, 상기 결함들을 분류한다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 반도체 웨이퍼의 후면을 다수의 검출 구역으로 분리하여 결함을 검출하여 종래에 비해 보다 상세하게 검출할 수 있다. 또한, 상기 검출된 결함을 분석부에서 분류하고 분석하며, 상기 분석된 결함들로 기준 결함으로 설정하여 이후의 반도체 웨이퍼의 후면 결함을 검출하는데 있어서 정확성을 향상시킨다.
한편, 상기 척 상에 지지된 반도체 웨이퍼는 상기 척으로부터 소정의 거리 이격되어 있어 상기 반도체 웨이퍼의 전면의 패턴이 손상되는 것을 방지할 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (6)

  1. 웨이퍼의 후면이 위로 향하도록 지지하고, 상기 지지된 웨이퍼를 수평 및 수직 방향으로 이동시키기 위한 스테이지(stage);
    상기 지지된 웨이퍼 후면을 다수의 검출 구역들로 구분하고, 상기 다수의 구역들 별로 결함을 검출하기 위한 검출부; 및
    상기 검출부로부터 검출된 결함을 분석하여 분류하고, 상기 결함들을 기 설정된 결함과 비교하기 위한 분석부를 포함하는 웨이퍼 후면 결함 검출 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 스테이지는,
    상기 웨이퍼의 후면이 위를 향하도록 상기 웨이퍼의 에지 부위들을 고정시키기 위하여 상기 웨이퍼의 중심을 향하여 이동 가능하게 배치된 다수의 클램프들(clamps);
    상기 클램프들이 원주 방향으로 장착된 척(chuck);
    상기 클램프들 내에 각각 구비되어 상기 반도체 웨이퍼가 상기 클램프에 고정되었는지 감지하기 위한 감지 센서(sensor); 및
    상기 척 하부에 연결되며, 상기 클램프들에 의해 고정된 웨이퍼를 수직 및 수평 방향으로 이동시키기 위한 제1 구동 유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 후면 결함 검출 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 클램프들에 의해 고정된 웨이퍼의 전면은 상기 척으로부터 소정 거리 이격되어 위치되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 후면 결함 검출 장치.
  4. 제2항에 있어서, 상기 클램프들을 상기 웨이퍼의 중심에 대하여 반경 방향으로 이동시키기 위한 다수의 제2 구동 유닛을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 후면 결함 검출 장치.
  5. 제1항에 있어서, 다수의 웨이퍼들이 전면이 위를 향하도록 적재하고 있는 웨이퍼 적재함;
    상기 다수의 웨이퍼들 중 하나의 후면을 파지하여 후면이 위를 향하도록 반전시키고, 상기 반전된 웨이퍼를 스테이지로 이동시키기 위한 이송 반전 암(arm); 및
    상기 웨이퍼를 플랫존(plat zone) 또는 노치(notch) 방향으로 정렬하기 위한 정렬부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 후면 결함 검출 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 이송 반전 암은, 상기 웨이퍼의 후면을 흡착하기 위하여 전단에 형성된 흡착 유닛;
    상기 흡착 유닛으로 진공을 제공하기 위한 진공 제공 유닛; 및
    상기 흡착된 웨이퍼를 반전시키고, 이송시키기 위하여 상기 흡착 유닛 후단 에 연결된 제2 구동 유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 후면 결함 검출 장치.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100987520B1 (ko) * 2008-06-19 2010-10-13 삼성전기주식회사 기판 검사 장치
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CN113539877A (zh) * 2021-07-22 2021-10-22 长鑫存储技术有限公司 半导体结构的测量装置及测量方法
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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