JP5528076B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5528076B2 JP5528076B2 JP2009275148A JP2009275148A JP5528076B2 JP 5528076 B2 JP5528076 B2 JP 5528076B2 JP 2009275148 A JP2009275148 A JP 2009275148A JP 2009275148 A JP2009275148 A JP 2009275148A JP 5528076 B2 JP5528076 B2 JP 5528076B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- semiconductor
- semiconductor region
- semiconductor device
- type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。実施の形態1にかかる半導体装置は、スーパージャンクション構造及びトレンチゲート構造の縦型パワーMOSFETを有する半導体装置である。図1は、実施の形態1にかかる半導体装置の平面構造を模式的に示す平面図である。図2Aは、図1のIIA−IIA線における半導体装置のパワーMOSFET100の断面構造を模式的に示す断面図である。図2Bは、図1のIIB−IIB線における半導体装置のパワーMOSFET100の断面構造を模式的に示す断面図である。図3Aは、パワーMOSFET100の要部分解斜視図である。図3Bは、パワーMOSFET100のコラム領域の要部分解斜視図である。
次に、実施の形態2にかかる半導体装置について説明する。図5は、実施の形態2にかかる半導体装置の平面構造を模式的に示す平面図である。図5に示すように、この半導体装置ではパワーMOSFET200が千鳥に形成されている。
なお、本発明は上記実施の形態に限られたものではなく、趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更することが可能である。例えば、コラム領域14(コラム領域本体部14a)の下面は、半導体基板11と接していてもよいし、離間されてもよい。
12 ドリフト領域
13 ベース領域
14 コラム領域
14a コラム領域本体部
14b ストライプ部
15 ソース領域
16 ゲート電極
17 ゲート絶縁膜
18 ソース電極
19 層間絶縁膜
31 半導体基板
32 ドリフト領域
33 ベース領域
34 コラム領域
35 ソース領域
36 ゲート電極
37 ゲート絶縁膜
38 ソース電極
39 層間絶縁膜
41 n+型ドレイン層
42 n型ピラー領域
43 p型ピラー領域
44 ドレイン電極
45 p型ベース領域
46 n型ソース領域
47 p型ガードリング領域
48 ゲート絶縁膜
49 ゲート電極
50 ソース電極
51 ドレイン電極
52 半導体層
53 n型ピラー領域
54 p型ピラー領域
55 ベース領域
55a 角部
56 ソース領域
57 絶縁膜
58 制御電極
59 ソース電極
100、200、300、400、500 パワーMOSFET
a1〜3 直線部
b1〜3 コーナー部
d、d1〜d4 チャネル厚さ
k1〜k4 輪郭
α テーパ角
W ストライプ部の幅
Claims (17)
- 第1導電型の半導体基板と、
前記半導体基板上に柱状に形成され、前記第1導電型とは逆の導電型である第2導電型の第1半導体領域と、
前記半導体基板上に前記第1半導体領域を囲んで柱状に形成された前記第1導電型の第2半導体領域と、
前記第2半導体領域に前記第1半導体領域を囲んで形成されたトレンチ内を覆う絶縁膜と、
前記絶縁膜を介して前記トレンチ内に充填された電極と、
前記第1半導体領域から前記電極方向に延在する前記第2導電型の第3半導体領域と、
前記第1乃至3半導体領域上に形成された前記第2導電型の第4半導体領域と、
前記第2半導体領域及び前記第3半導体領域の上方の前記第4半導体領域の表面層に形成された前記第1導電型の第5半導体領域と、を少なくとも備え、
前記第3半導体領域は、前記第1半導体領域の側面と前記電極の側面との間の距離が最大となる位置に形成される、
半導体装置。 - 前記第1半導体領域は多角形の柱状に形成される、
請求項1に記載の半導体装置。 - 前記電極は、前記第1半導体領域と同心かつ相似の前記多角形状に当該第1半導体領域を囲んで形成されたトレンチ内に充填される、
請求項2に記載の半導体装置。 - 前記第3半導体領域は、前記第1半導体領域にかかる前記多角形の頂点から前記電極方向に放射状に形成される、
請求項2又は3に記載の半導体装置。 - 前記第3半導体領域は、前記第1半導体領域にかかる前記多角形の頂点と、これに対応する前記電極にかかる前記多角形の頂点と、を前記絶縁膜を介して連結する、
請求項2乃至4のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記多角形は、四角形または六角形である、
請求項2乃至5のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記第4半導体領域は、前記第1半導体領域と同心かつ相似の前記多角形の筒状に形成される、
請求項2乃至6のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記第3半導体領域は前記絶縁膜に接して形成される、
請求項1乃至7のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記第3半導体領域は、前記第1半導体領域と前記第4半導体領域との界面から一定の深さまで形成されている、
請求項1乃至8のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記第3半導体領域は、前記電極よりも浅い位置まで形成されている、
請求項1乃至9のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記第3半導体領域は、前記電極よりも深い位置まで形成されている、
請求項1乃至10のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記第4半導体領域は、前記第1半導体領域及び前記第3半導体領域と接して形成される、
請求項1乃至11のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記第1半導体領域は、前記半導体基板に接して形成される、
請求項1乃至12のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記第1半導体領域は、前記半導体基板と離間されて形成される、
請求項1乃至12のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記第3半導体領域は、前記電極に向かうに従って幅が太くなる、
請求項1乃至14のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記第1導電型はn型であり、前記第2導電型はp型である、
請求項1乃至15のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記第1導電型はp型であり、前記第2導電型はn型である、
請求項1乃至15のいずれか一項に記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009275148A JP5528076B2 (ja) | 2009-12-03 | 2009-12-03 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009275148A JP5528076B2 (ja) | 2009-12-03 | 2009-12-03 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011119425A JP2011119425A (ja) | 2011-06-16 |
JP5528076B2 true JP5528076B2 (ja) | 2014-06-25 |
Family
ID=44284422
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009275148A Expired - Fee Related JP5528076B2 (ja) | 2009-12-03 | 2009-12-03 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5528076B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5920970B2 (ja) | 2011-11-30 | 2016-05-24 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
CN112103346B (zh) * | 2020-10-22 | 2024-04-19 | 东南大学 | 一种高击穿电压的沟槽功率器件及其制造方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2894820B2 (ja) * | 1990-10-25 | 1999-05-24 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
JPH07106558A (ja) * | 1993-10-04 | 1995-04-21 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP3851744B2 (ja) * | 1999-06-28 | 2006-11-29 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
JP4882212B2 (ja) * | 2003-08-20 | 2012-02-22 | 株式会社デンソー | 縦型半導体装置 |
JP5015488B2 (ja) * | 2005-09-07 | 2012-08-29 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
JP4996848B2 (ja) * | 2005-11-30 | 2012-08-08 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
JP2007300034A (ja) * | 2006-05-02 | 2007-11-15 | Toshiba Corp | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP5061675B2 (ja) * | 2007-03-20 | 2012-10-31 | 株式会社デンソー | 半導体装置およびそれに用いられる半導体チップ |
-
2009
- 2009-12-03 JP JP2009275148A patent/JP5528076B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011119425A (ja) | 2011-06-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8957502B2 (en) | Semiconductor device | |
JP5569162B2 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JP4980663B2 (ja) | 半導体装置および製造方法 | |
JP4996848B2 (ja) | 半導体装置 | |
US7605423B2 (en) | Semiconductor device | |
JP6369173B2 (ja) | 縦型半導体装置およびその製造方法 | |
JP4860929B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP5741567B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP6805620B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP4289123B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2008182054A (ja) | 半導体装置 | |
JP2011204796A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP4955958B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2007042892A (ja) | トレンチ型misfet | |
JP2010050161A (ja) | 半導体装置 | |
JP7165778B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2018041853A (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
WO2016046900A1 (ja) | 炭化ケイ素半導体装置、炭化ケイ素半導体装置の製造方法及び炭化ケイ素半導体装置の設計方法 | |
TWI620326B (zh) | 半導體裝置 | |
US20110169080A1 (en) | Charge balance power device and manufacturing method thereof | |
JP5680460B2 (ja) | 電力用半導体装置 | |
JP5528076B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP6400202B2 (ja) | 電力用半導体装置 | |
JP5520024B2 (ja) | 半導体装置、及びその製造方法 | |
KR102554248B1 (ko) | 수퍼 정션 반도체 장치 및 이의 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120801 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131205 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131210 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140131 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140408 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140415 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5528076 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |