JP5526221B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
図1に示すように例示の半導体装置はミリ波電力増幅器であり、FET101と、FET101の入力部及び出力部にそれぞれ設けた分配回路102及び合成回路103とを有している。入力端子104と分配回路102との間には、第1のラジアルスタブ105及び第2のラジアルスタブ106が接続されたマイクロストリップ線路107と、オープンスタブ108とが形成されている。出力端子118と合成回路103との間も、同様の構成となっている。
図11は第2の実施形態に係る半導体装置の平面構成を示している。図11に示すミリ波電力増幅器は、FET201と、FET201の入出力部にそれぞれ設けた分配回路202及び合成回路203とを有している。入力端子204と分配回路202との間には、第1のラジアルスタブ205及び第2のラジアルスタブ206が接続されたマイクロストリップ線路207と、オープンスタブ208と、結合線路209とが形成されている。出力端子210と合成回路203との間も同様に構成されている。
102 分配回路
103 合成回路
104 入力端子
105 第1のラジアルスタブ
106 第2のラジアルスタブ
107 マイクロストリップ線路
108 オープンスタブ
109 基本セル
110 誘電体基板
111 誘電体基板
112 第1の分配回路部
113 第2の分配回路部
114 ゲートパッド
115 ドレインパッド
116 金ワイヤ
117 バイアホール
118 出力端子
119 第1の信号線路
120 第2の信号線路
121 第3の信号線路
122 第4の信号線路
123 スリット
124 抵抗
125 スペース
126 第1の抵抗
127 第2の抵抗
128 第3の抵抗
129 主線路
130 第4の抵抗
131 バイアス用抵抗
132 誘電体キャパシタ
133 外部端子
134 ドレインバイアス端子
135 第1の分配回路部
136 第2の分配回路部
137 装荷抵抗
138 装荷抵抗
139 合成回路部
140 ゲートバイアス端子
149 テーパ部
201 FET
202 分配回路
203 合成回路
204 入力端子
205 第1のラジアルスタブ
206 第2のラジアルスタブ
207 マイクロストリップ線路
208 オープンスタブ
209 結合線路
210 出力端子
211 シリコン基板
212 基本セル
213 バイアホール
214 第1の分配回路部
215 第2の分配回路部
216 第3の分配回路部
217 第4の分配回路部
218 抵抗
219 抵抗
220 抵抗
221 抵抗
222 抵抗
223 ゲートバイアス端子
224 抵抗
225 抵抗
226 主線路
Claims (9)
- 半導体素子と、
前記半導体素子の入力部と接続された分配回路と、
前記半導体素子の出力部と接続された合成回路と、
基板の上に形成された入力端子と、
前記入力端子と前記分配回路とを接続する主線路と、
前記主線路と交差する方向に延び、複数のラジアルスタブを有するマイクロストリップ線路とを備え、
前記分配回路は、前記基板の上に形成され、第1の伝送線路及び第2の伝送線路を含む第1の分配回路部と、第3の伝送線路及び第4の伝送線路を含む第2の分配回路部と、前記第1の伝送線路と前記第3の伝送線路との間に接続された第1の抵抗及び第2の抵抗とを有し、
前記第1の伝送線路は前記第2の伝送線路よりも前記半導体素子側に形成され、
前記第3の伝送線路は前記第4の伝送線路よりも前記半導体素子側に形成され、
前記第1の伝送線路と前記第3の伝送線路とは互いに間隔をおいて並行に形成され、
前記第1の抵抗は、前記第1の伝送線路と前記第3の伝送線路との間のスペースにおける前記半導体素子側の位置に形成され、
前記第2の抵抗は、前記第1の伝送線路と前記第3の伝送線路との間のスペースにおける前記半導体素子と反対側の位置に形成され、
前記半導体素子は、ゲート端子を前記入力部とする電界効果トランジスタであり、
前記分配回路は前記ゲート端子と接続され、
前記第2の伝送線路及び第4の伝送線路は前記主線路の前記入力端子と反対側の端部と接続され、
前記マイクロストリップ線路の両端部は、ゲートバイアス端子である、半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
前記分配回路は、前記第1の抵抗と前記第2の抵抗との間の位置に形成された第3の抵抗を有している、半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
前記基板は半導体基板であり、
前記半導体素子は前記基板の上に前記分配回路と一体に形成されている、半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
前記基板は誘電体基板である、半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置は、
前記ゲートバイアス端子と接続されたバイアス用抵抗と、
前記バイアス用抵抗を介して前記ゲートバイアス端子と接続された誘電体キャパシタと
をさらに備えている、半導体装置。 - 半導体素子と、
前記半導体素子の入力部と接続された分配回路と、
前記半導体素子の出力部と接続された合成回路と、
基板の上に形成された出力端子と、
前記出力端子と前記合成回路とを接続する主線路と、
前記主線路と交差する方向に延び、複数のラジアルスタブを有するマイクロストリップ線路とを備え、
前記合成回路は、前記基板の上に形成され、第1の伝送線路及び第2の伝送線路を含む第1の分配回路部と、第3の伝送線路及び第4の伝送線路を含む第2の分配回路部と、前記第1の伝送線路と前記第3の伝送線路との間に接続された第1の抵抗及び第2の抵抗とを有し、
前記第1の伝送線路は前記第2の伝送線路よりも前記半導体素子側に形成され、
前記第3の伝送線路は前記第4の伝送線路よりも前記半導体素子側に形成され、
前記第1の伝送線路と前記第3の伝送線路とは互いに間隔をおいて並行に形成され、
前記第1の抵抗は、前記第1の伝送線路と前記第3の伝送線路との間のスペースにおける前記半導体素子側の位置に形成され、
前記第2の抵抗は、前記第1の伝送線路と前記第3の伝送線路との間のスペースにおける前記半導体素子と反対側の位置に形成され、
前記半導体素子は、ドレイン端子を前記出力部とする電界効果トランジスタであり、
前記分配回路は前記ドレイン端子と接続され、
前記第2の伝送線路及び第4の伝送線路は前記主線路の前記出力端子と反対側の端部と接続され、
前記マイクロストリップ線路の両端部は、ドレインバイアス端子である、半導体装置。 - 請求項6に記載の半導体装置において、
前記合成回路は、前記第1の抵抗と前記第2の抵抗との間の位置に形成された第3の抵抗を有している、半導体装置。 - 請求項6に記載の半導体装置において、
前記基板は半導体基板であり、
前記半導体素子は前記基板の上に前記合成回路と一体に形成されている、半導体装置。 - 請求項6に記載の半導体装置において、
前記基板は誘電体基板である、半導体装置。
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