JP5515876B2 - エピタキシャルウェーハ製造方法 - Google Patents
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Claims (8)
- 電気抵抗率調整用の所定のドーパントを含むシリコンインゴットから切り出されたウェーハにエピタキシャル層を成長させてエピタキシャルウェーハを製造するエピタキシャルウェーハ製造方法において、
シリコンインゴットから切り出されたウェーハの抵抗率を特定する抵抗率情報及び前記ウェーハに成長させるエピタキシャル層の厚さと、前記ウェーハに前記エピタキシャル層を成長させた際におけるミスフィット転位の発生有無との関係を特定する特定ステップと、
所望するウェーハの抵抗率情報及び前記ウェーハに成長させるエピタキシャル層の所望する厚さの指定を受け付ける指定受付ステップと、
受け付けた前記抵抗率情報及び前記エピタキシャル層の厚さと、特定した前記関係とに基づいて、所望する前記抵抗率情報に対応する抵抗率のウェーハに、所望する前記厚さの前記エピタキシャル層を成長させた際に前記ミスフィット転位が発生するか否かを判定する判定ステップと、
前記ウェーハに前記ミスフィット転位が発生すると判定した場合に、前記ドーパントをドープすることにより前記シリコンインゴットに発生する歪を低減するための歪低減物質の量を、前記ウェーハの前記抵抗率情報に対応する前記ドーパントの濃度に基づいて決定し、決定した量の前記歪低減物質を導入して、受け付けた前記抵抗率情報に対応する抵抗率のウェーハを製造するための前記シリコンインゴットを生成するステップと、
前記生成されたシリコンインゴットからウェーハを切り出すステップと、
前記切り出されたウェーハに、前記受け付けた前記エピタキシャル層の厚さ以下のエピタキシャル層を形成するステップと
を有するエピタキシャルウェーハ製造方法。 - 前記電気抵抗率調整用の所定のドーパントは、赤燐であり、
前記歪低減物質は、ゲルマニウムである
請求項1に記載のエピタキシャルウェーハ製造方法。 - 前記のドーパントは、赤燐であり、
前記歪低減物質は、ゲルマニウムであり、
前記判定ステップで、所望する前記ウェーハの抵抗率情報に対応する抵抗率が1.08mΩ・cmより小さい場合には、所望する前記エピタキシャル層の厚さが3.5μm以下であれば、ミスフィット転位が発生しないと判定する
請求項1又は請求項2に記載のエピタキシャルウェーハ製造方法。 - 前記のドーパントは、赤燐であり、
前記歪低減物質は、ゲルマニウムであり、
前記判定ステップで、所望する前記ウェーハの抵抗率情報に対応する抵抗率が1.08mΩ・cm以上1.20mΩ・cm以下の場合には、エピタキシャル層の厚さ[μm]が(前記抵抗率[mΩ]×20.565−18.669)以下であれば、ミスフィット転位が発生しないと判定する
請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載のエピタキシャルウェーハ製造方法。 - 前記のドーパントは、赤燐であり、
前記歪低減物質は、ゲルマニウムであり、
前記判定ステップで、所望する前記ウェーハの抵抗率情報に対応する抵抗率が1.20mΩ・cmより大きい場合には、所望する前記エピタキシャル層の厚さが6.0μm以下であれば、ミスフィット転位が発生しないと判定する
請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載のエピタキシャルウェーハ製造方法。 - 前記ウェーハに前記ミスフィット転位が発生しないと判定した場合に、前記ドーパントをドープすることにより前記シリコンインゴットに発生する歪を低減するための歪低減物質を導入することなく、前記抵抗率情報に対応する抵抗率のウェーハを製造するための前記シリコンインゴットを生成するステップを更に有する
請求項1乃至請求項5のいずれか一項に記載のエピタキシャルウェーハ製造方法。 - 電気抵抗率調整用の所定のドーパントを含むシリコンインゴットを製造するインゴット製造方法において、
前記シリコンインゴットから切り出されたウェーハの抵抗率を特定する抵抗率情報及び前記ウェーハに成長させるエピタキシャル層の厚さと、所望する前記抵抗率情報に対応する抵抗率のウェーハに前記エピタキシャル層を成長させた際におけるミスフィット転位の発生有無との関係を特定する特定ステップと、
所望するウェーハの抵抗率情報及び前記ウェーハに成長させるエピタキシャル層の所望する厚さの指定を受け付ける指定受付ステップと、
受け付けた前記抵抗率情報及び前記エピタキシャル層の厚さと、特定した前記関係とに基づいて、前記ウェーハに所望する前記厚さの前記エピタキシャル層を成長させた際に前記ミスフィット転位が発生するか否かを判定する判定ステップと、
前記ウェーハに前記ミスフィット転位が発生しないと判定した場合に、前記ドーパントをドープすることにより前記シリコンインゴットに発生する歪を低減するための歪低減物質を導入することなく、前記抵抗率情報に対応する抵抗率のウェーハを製造するための前記シリコンインゴットを生成するステップと、
前記ウェーハに前記ミスフィット転位が発生すると判定した場合に、前記ドーパントをドープすることにより前記シリコンインゴットに発生する歪を低減するための歪低減物質の量を、前記ウェーハの前記抵抗率情報に対応する前記ドーパントの濃度に基づいて決定し、決定した量の前記歪低減物質を導入して、前記抵抗率情報に対応する抵抗率のウェーハを製造するための前記シリコンインゴットを生成するステップと
を有するシリコンインゴット製造方法。 - 電気抵抗率調整用の所定のドーパントを含むシリコンインゴットを製造する際に、前記シリコンインゴットに前記ドーパントをドープすることにより前記シリコンインゴットに発生する歪を低減するための歪低減物質を導入するか否かを判定する歪低減物質導入判定方法において、
前記シリコンインゴットから切り出されたウェーハの抵抗率を特定する抵抗率情報及び前記ウェーハに成長させるエピタキシャル層の厚さと、前記ウェーハに前記エピタキシャル層を成長させた際におけるミスフィット転位の発生有無との関係を特定する特定ステップと、
所望するウェーハの抵抗率及び前記ウェーハに成長させるエピタキシャル層の所望する厚さの指定を受け付ける指定受付ステップと、
受け付けた前記抵抗率及び前記エピタキシャル層の厚さと、特定した前記関係とに基づいて、所望する前記抵抗率情報に対応する抵抗率のウェーハに、所望する前記厚さの前記エピタキシャル層を成長させた際に前記ミスフィット転位が発生するか否かを判定する判定ステップと、
前記ミスフィット転位が発生すると判定した場合には、前記シリコンインゴットの作成時に前記ウェーハの前記抵抗率情報に対応する前記ドーパントの濃度に基づく量の前記歪低減物質を導入すると判定し、前記ミスフィット転位が発生しないと判定した場合には、前記シリコンインゴットの作成時に前記歪低減物質を導入しないと判定するステップと
を有する歪低減物質導入判定方法。
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