JP5495849B2 - 半導体層の製造方法および光電変換装置の製造方法 - Google Patents
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Description
2:第1の電極層
3:第1の半導体層
4:第2の半導体層
5:第2の電極層
6:第3の電極層
7:接続導体
8:集電電極
10:光電変換装置
Claims (5)
- カルコゲン化合物半導体を含む微粒子と、チオール、スルフィド、ジスルフィド、セレノール、セレニドおよびジセレニドから選ばれるカルコゲン元素含有有機化合物と、ルイス塩基と、金属元素と、を含み、前記微粒子および前記カルコゲン元素含有有機化合物以外にカルコゲン元素を含まないか、または、前記微粒子および前記カルコゲン元素含有有機化合物以外にカルコゲン元素を、前記金属元素をカルコゲン化して前記カルコゲン化合物半導体にするのに必要な理論量よりも少ない量で含み、前記金属元素は前記カルコゲン元素含有有機化合物が配位した錯体となって溶解している半導体層形成用溶液を作製する工程と、
前記半導体層形成用溶液を用いて皮膜を作製する工程と、
前記皮膜を熱処理する工程と、
を具備することを特徴とする半導体層の製造方法。 - I-III-VI族化合物半導体を含む微粒子と、チオール、スルフィド、ジスルフィド、セレノール、セレニドおよびジセレニドから選ばれるカルコゲン元素含有有機化合物と、ルイス塩基と、I-B族元素と、III-B族元素と、を含み、前記微粒子および前記カルコゲン元素含有有機化合物以外にカルコゲン元素を含まないか、または、前記微粒子および前記カルコゲン元素含有有機化合物以外にカルコゲン元素を前記I-B族元素および前記III-B
族元素をカルコゲン化して前記I-III-VI族化合物半導体にするのに必要な理論量よりも少ない量で含み、前記I-B族元素および前記III-B族元素は前記カルコゲン元素含有有機化合物が配位した錯体となって溶解している半導体層形成用溶液を作製する工程と、
前記半導体層形成用溶液を用いて皮膜を作製する工程と、
前記皮膜を熱処理する工程と、
を具備することを特徴とする半導体層の製造方法。 - 前記微粒子および前記カルコゲン元素含有有機化合物以外に含むカルコゲン元素は、前記金属元素をカルコゲン化して前記カルコゲン化合物半導体にするのに必要な理論量に対して0mol%以上50mol%以下である、請求項1に記載の半導体層の製造方法。
- 前記微粒子の平均粒径は10nm以上1μm以下である、請求項1乃至3のいずれかに記載の半導体層の製造方法。
- 請求項1乃至4のいずれかに記載の半導体層の製造方法により作製した半導体層上に前記半導体層とは異なる導電型の第2半導体層を積層する工程を具備することを特徴とする
光電変換装置の製造方法。
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