JP5491035B2 - 電界放出型電子源の製造方法 - Google Patents
電界放出型電子源の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5491035B2 JP5491035B2 JP2009018644A JP2009018644A JP5491035B2 JP 5491035 B2 JP5491035 B2 JP 5491035B2 JP 2009018644 A JP2009018644 A JP 2009018644A JP 2009018644 A JP2009018644 A JP 2009018644A JP 5491035 B2 JP5491035 B2 JP 5491035B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron
- carbon nanotube
- electron emitter
- grid
- electrodes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 15
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 71
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 claims description 66
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 claims description 66
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 54
- 239000002238 carbon nanotube film Substances 0.000 claims description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 27
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 9
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 6
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000002772 conduction electron Substances 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 description 4
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 description 4
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 4
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical group OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001237 Raman spectrum Methods 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 1,1-Dichloroethane Chemical compound CC(Cl)Cl SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical group [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003158 alcohol group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical group CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001241 arc-discharge method Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002079 double walled nanotube Substances 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002048 multi walled nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002109 single walled nanotube Substances 0.000 description 1
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J1/02—Main electrodes
- H01J1/30—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
- H01J1/316—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode having an electric field parallel to the surface, e.g. thin film cathodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J1/02—Main electrodes
- H01J1/30—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
- H01J1/304—Field-emissive cathodes
- H01J1/3042—Field-emissive cathodes microengineered, e.g. Spindt-type
- H01J1/3044—Point emitters
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
- H01J29/04—Cathodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J31/00—Cathode ray tubes; Electron beam tubes
- H01J31/08—Cathode ray tubes; Electron beam tubes having a screen on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted, or stored
- H01J31/10—Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes
- H01J31/12—Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes with luminescent screen
- H01J31/123—Flat display tubes
- H01J31/125—Flat display tubes provided with control means permitting the electron beam to reach selected parts of the screen, e.g. digital selection
- H01J31/127—Flat display tubes provided with control means permitting the electron beam to reach selected parts of the screen, e.g. digital selection using large area or array sources, i.e. essentially a source for each pixel group
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
- H01J9/022—Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes
- H01J9/025—Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes of field emission cathodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
- H01J9/022—Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes
- H01J9/027—Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes of thin film cathodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2201/00—Electrodes common to discharge tubes
- H01J2201/30—Cold cathodes
- H01J2201/304—Field emission cathodes
- H01J2201/30446—Field emission cathodes characterised by the emitter material
- H01J2201/30453—Carbon types
- H01J2201/30469—Carbon nanotubes (CNTs)
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2201/00—Electrodes common to discharge tubes
- H01J2201/30—Cold cathodes
- H01J2201/316—Cold cathodes having an electric field parallel to the surface thereof, e.g. thin film cathodes
- H01J2201/3165—Surface conduction emission type cathodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2329/00—Electron emission display panels, e.g. field emission display panels
- H01J2329/02—Electrodes other than control electrodes
- H01J2329/04—Cathode electrodes
- H01J2329/0407—Field emission cathodes
- H01J2329/0439—Field emission cathodes characterised by the emitter material
- H01J2329/0444—Carbon types
- H01J2329/0455—Carbon nanotubes (CNTs)
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2329/00—Electron emission display panels, e.g. field emission display panels
- H01J2329/02—Electrodes other than control electrodes
- H01J2329/04—Cathode electrodes
- H01J2329/0486—Cold cathodes having an electric field parallel to the surface thereof, e.g. thin film cathodes
- H01J2329/0489—Surface conduction emission type cathodes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
- Electrodes For Cathode-Ray Tubes (AREA)
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
Description
本発明は、電界放出型電子源及びその製造方法に関し、特にカーボンナノチューブを使用した電界放出型電子源及びその製造方法に関するものである。
電子源は、電界放出型電子源及び表面伝導型電子源を含む。該電界放出型電子源及び表面伝導型電子源は、低温又は室温で作動し、熱電子源と比べて、消費電力が低く、応答速度が速く、放出ガスが少ないという優れた点を有する。現在、電界放出型電子源及び表面伝導型電子源を大型表示装置に応用するために、大寸法を有する電子源に対して、研究がなされている。
図１を参照すると、従来技術としての大寸法を有する電界放出型電子源３００は、絶縁基板３０、前記絶縁基板３０に設置された複数の電子放出ユニット３６、前記絶縁基板３０に設置された複数の陰極電極３４及び複数のグリッド電極３２を含む。前記複数の陰極電極３４及び複数のグリッド電極３２が短絡することを防止するために、該複数の陰極電極３４及び複数のグリッド電極３２の間に絶縁層３３により電気絶縁する。各電子放出ユニット３６は、少なくとも一つの陰極放出体３８を含み、該陰極放出体３８は、前記陰極電極３４に電気的に接続され、且つ前記グリッド電極３２と分離して設置される。前記陰極放出体３８は、前記グリッド電極３２のプラス電位になると、電子を放射することができる。前記電界放出型電子源３００は、電子を放射する効率が良い。しかし、前記電界放出型電子源３００において、前記グリッド電極３２の位置が前記陰極電極３４の位置より高い必要があり、前記陰極放出体３８が前記グリッド電極３２の作用で電子を放射するので、前記陰極電極３４及び前記グリッド電極３２の距離が近い必要があるが、前記陰極電極３４及び前記グリッド電極３２の距離を正確に制御できず、必要とする駆動電圧が高く、コストを高める。
図２を参照すると、従来技術としての表面伝導型電子源４００は、絶縁基板４０、前記絶縁基板４０に設置された複数の電子放出ユニット４６、前記絶縁基板４０に設置された複数の陰極電極４４及び複数のグリッド電極４２を含む。前記複数の陰極電極４４は、平行し、等間隔に前記絶縁基板４０に設置され、前記複数のグリッド電極４２は、平行し、等間隔に前記絶縁基板４０に設置され、該グリッド電極４２が前記複数の陰極電極４４に平行する延長部４２１を有する。該複数の陰極電極４４と該複数のグリッド電極４２は、垂直に交叉して前記絶縁基板４０に設置されている。該複数の陰極電極４４と該複数のグリッド電極４２とが短絡することを防止するために、交叉する場所に絶縁層４３が設置されている。各電子放出ユニット４６は、電子放出体４８を含み、該電子放出体４８は、それぞれ前記複数の陰極電極４４と複数のグリッド電極４２の延長部に電気的に接続される。該電子放出体４８は、電子放出区域（非特許文献１を参照）を含む。該電子放出区域は、小さい粒子からなるフィルムである。該電子放出区域の両端に電圧を印加することにより、且つ該電子放出区域に表面処理を行なって、該電子放出区域をアクティブにさせ、電子は、表面伝導電流を形成でき、前記グリッド電極４２のプラス電位の作用で電子を放出することができる。
Ｔ．Ｏｇｕｃｈｉ ｅｔ ａｌ．，"Ａ３６-ｉｎｃｈ Ｓｕｒｆａｃｅ-ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ-ｅｍｉｔｔｅｒ Ｄｉｓｐｌａｙ（ＳＥＤ）"、「ＳＩＤ’０５ Ｄｉｇｅｓｔ」、２００５年、第３６巻、第１９２９頁〜第１９３１頁
Ｋａｉｌｉ Ｊｉａｎｇ、Ｑｕｎｑｉｎｇ Ｌｉ、Ｓｈｏｕｓｈａｎ Ｆａｎ、"Ｓｐｉｎｎｉｎｇ ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ ｃａｒｂｏｎ ｎａｎｏｔｕｂｅ ｙａｒｎｓ"、Ｎａｔｕｒｅ、２００２年、第４１９巻、ｐ．８０１
しかし、前記表面伝導型電子源４００において、電子放出区域のフィルムにおける粒子の間の距離が小さいので、前記グリッド電極４２のプラス電位が該電子放出区域の内部に作用しにくい。従って、前記表面伝導型電子源４００は電子を放出する効率が低い。
従って、本発明は、電子を放出する効率が高く、大寸法を有する電界放出型電子源を提供することを課題とする。
電界放出型電子源は、絶縁基板と、該絶縁基板に設置された複数のグリッド電極及び陰極電極と、複数の電子放出ユニットと、を含む。前記複数のグリッド電極及び前記複数陰極電極が交叉して、複数の格子が形成され、各々の格子に一つの前記電子放出ユニットが設置され、各々の前記電子放出ユニットが、少なくとも一つの電子放出体を含み、該電子放出体の両端がそれぞれ、前記グリッド電極及び前記陰極電極に電気的に接続され、該電子放出体に隙間があり、該電子放出体が前記隙間に対向した二つの先端を有し、各々の前記先端が一つの電子放出先端を含む。
前記電子放出体が、金属線、カーボン繊維、カーボンナノチューブワイヤの一種又は多種である。
前記電子放出体がカーボンナノチューブワイヤを含み、前記カーボンナノチューブワイヤが平行して配列された複数のカーボンナノチューブを含み、該複数のカーボンナノチューブが分子間力で接続される。
単一の前記電子放出体の直径が２マイクロメートル〜５マイクロメートルである。
前記電子放出先端が複数のカーボンナノチューブを含む。
前記二つの先端の間の距離が１マイクロメートル〜２０マイクロメートルである。
前記グリッド電極が複数の延長部を含み、各々の延長部がそれぞれ、各々の前記陰極電極に対向して設置される。
前記電子放出体の両端がそれぞれ、前記グリッド電極の延長部及び前記陰極電極に電気的に接続される。
電界放出型電子源の製造方法は、絶縁基板を提供する第一ステップと、前記絶縁基板に設置された複数のグリッド電極及び陰極電極を形成し、前記複数のグリッド電極及び前記複数陰極電極が交叉して、複数の格子を形成する第二ステップと、カーボンナノチューブフィルムを前記グリッド電極及び前記陰極電極に設置する第三ステップと、前記カーボンナノチューブフィルムを処理し、複数の電子放出体を形成する第四ステップと、前記電子放出体を加工して、各々の前記電子放出体に隙間を形成し、該電子放出体が前記隙間に、対向した二つの先端を形成する第五ステップと、を含む。
前記第四ステップにおいて、前記カーボンナノチューブフィルムを有機溶剤に浸漬し、該カーボンナノチューブフィルムを収縮させ、カーボンナノチューブワイヤを形成し、電子放出体を形成する。
前記第五ステップにおいて、レーザーで焼き切る方法、電子の衝撃で切る方法又は真空の雰囲気で焼き切る方法を利用して、前記電子放出体を加工する。
従来の電界放出型電子源と比べると、本発明の電界放出型電子源は、グリッド電極、陰極電極及び電子放出体が共面に設置されるので、構造が簡単である。前記電子放出体に隙間が形成されるので、前記グリッド電極及び前記陰極電極の間に電圧を印加すると、該グリッド電極及び該陰極電極の間に電界が形成され、前記電子放出先端が細く、電子が前記放出体の電子放出先端から放出しやすくなるので、前記電界放出型電子源の電子放出効率が高くなることができ、放出された電子は均一性が良い。前記電界放出型電子源の製造方法は、電子放出体を加工することにより、隙間を形成するので、該方法が簡単で、応用に便利である。
以下、図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。
図３を参照すると、本実施形態は、電界放出型電子源１００を提供する。該電界放出型電子源１００は、絶縁基板１０、前記絶縁基板１０に設置された複数の電子放出ユニット２２、複数のグリッド電極１２及び複数の陰極電極１４を含む。前記複数のグリッド電極１２は、平行し、等間隔に前記絶縁基板１０に設置されている。前記複数の陰極電極１４は、平行し、等間隔に前記絶縁基板１０に設置されている。該複数のグリッド電極１２と該複数の陰極電極１４は、垂直に交叉して前記絶縁基板１０に設置され、交叉する場所に絶縁層２０が設置され、該複数のグリッド電極１２と該複数の陰極電極１４とが短絡することを防止できる。各々の前記グリッド電極１２は、更に平行し、等間隔に配列された複数の延長部１２１を含む。該複数の延長部１２１は、前記複数のグリッド電極１２の同じ側に対するように、前記グリッド電極１２に電気的に接続され、各々の陰極電極１４に対向して設置される。隣接する二つのグリッド電極１２と、その隣接する二つの陰極電極１４が交叉して、複数の格子１６が形成されている。各々の前記格子１６に一つの電子放出ユニット２２が設置されている。
前記絶縁基板１０は、セラミック基板、ガラス基板、樹脂基板又は石英基板などである。該絶縁基板１０の大きさと厚さは制限されず、実際の応用により選択することができる。本実施形態において、前記絶縁基板１０は、ガラス基板である。
前記複数のグリッド電極１２と前記複数の陰極電極１４は、例えば金属などの導電材料からなる。前記グリッド電極１２と前記陰極電極１４の幅は、３０マイクロメートル〜１００マイクロメートルであり、厚さは、１０マイクロメートル〜５０マイクロメートルである。隣接するグリッド電極１２の間の距離は、３００マイクロメートル〜５００マイクロメートルであり、隣接する陰極電極１４の間の距離は、３００マイクロメートル〜５００マイクロメートルである。前記複数のグリッド電極１２の延長部１２１は、長さが６０マイクロメートルであり、幅が２０マイクロメートルであり、厚さが２０マイクロメートルである。各々の前記グリッド電極１２の隣接する延長部１２１の間の距離は、３００マイクロメートル〜５００マイクロメートルである。
本実施形態において、前記複数のグリッド電極１２及び前記複数の陰極電極１４は、シルクスクリーン印刷法により、導電ペーストを印刷して成る平面導電体であることが好ましい。シルクスクリーン印刷法で導電ペーストを前記絶縁基板１０に印刷し、前記グリッド電極１２及び前記陰極電極１４を形成する。
前記電界放出型電子源１００における各電子放出ユニット２２は、少なくとも一つの電子放出体１８を含む。各々の電子放出体１８は、一つの端部が前記陰極電極１４に接続され、もう一つの端部が前記グリッド電極１２の延長部１２１に接続されている。該電子放出体１８は、金属線、カーボン繊維又はカーボンナノチューブワイヤである。該電子放出体１８の両端１８１は、導電接着剤或いは分子間力で、それぞれ前記グリッド電極１２及び陰極電極１４に電気的に接続されている。該電子放出体１８は、前記絶縁基板１０と分離して設置されてもよく、前記絶縁基板１０に直接設置されてもよい。前記電子放出体１８は、隙間１８２を有する。該隙間１８２の幅は、１マイクロメートル〜２０マイクロメートルである。さらに、該電子放出体１８は、該隙間１８２に対向した二つの先端１８３を有する。各先端１８３は、一つの電子放出先端を有し、各電子放出先端は、円錐体に形成されている。前記グリッド電極１２及び前記陰極電極１４に電圧を印加すると、該グリッド電極１２及び該陰極電極１４の間に電界が形成され、電子が前記電子放出先端から飛び出しやすくなるので、該電界放出型電子源１００の電子放出効率が高くなることができる。
本実施例において、前記電子放出体１８は、カーボンナノチューブワイヤである。該カーボンナノチューブワイヤは、カーボンナノチューブワイヤの長さの方向に沿って配列された複数のカーボンナノチューブを含む。具体的には、前記カーボンナノチューブワイヤは、複数のカーボンナノチューブセグメントを含む。該複数のカーボンナノチューブセグメントは、端と端が分子間力で接続される。各カーボンナノチューブセグメントには、平行し、分子間力で接続される複数のカーボンナノチューブを含む。前記カーボンナノチューブワイヤにおけるカーボンナノチューブは、単層カーボンナノチューブ、二層カーボンナノチューブ又は多層カーボンナノチューブの一種又は多種である。該カーボンナノチューブワイヤの長さは、５０マイクロメートル〜４００マイクロメートルであり、直径は、２マイクロメートル〜５マイクロメートルである。
図４及び図５を参照すると、前記電子放出体１８は、一つの電子放出先端を含む。該電子放出先端は、平行する複数のカーボンナノチューブを含む。該複数のカーボンナノチューブは、前記グリッド電極１２から前記陰極電極１４までに延長する。該複数のカーボンナノチューブは、分子間力で接続されている。前記電子放出体１８の直径が小さいので、前記電子放出先端が細く、電子を放出しやすい。
図３を参照すると、前記電界放出型電子源１００における各電子放出ユニット２２は、更に、複数の固定素子（図示せずに）を含む。前記複数の固定素子は、それぞれ前記グリッド電極１２及び／又は前記陰極電極１４に設置される。前記固定素子は、前記電子放出体１８を良く前記グリッド電極１２及び／又は前記陰極電極１４に固定することに用いられる。該固定素子は、導電接着剤、分子間力又は他の方式により、それぞれ、前記グリッド電極１２及び／又は前記陰極電極１４に設置される。
前記電界放出型電子源１００は、電界放出表示装置に応用することができる。前記グリッド電極１２及び前記陰極電極１４の間にプラス電圧を印加し、前記電子放出先端は、該グリッド電極１２の作用で電子を放出する。陽極の作用で放出された電子は、螢光体を衝撃し、該電界放出表示装置を表示させる。前記グリッド電極１２及び前記陰極電極１４の間にマイナス電圧を印加し、前記電子放出先端は、該陰極電極１４の作用で電子を放出する。
図６を参照すると、本実施形態における前記電界放出型電子源１００の製造方法は、下記のステップを含む。
第一ステップでは、絶縁基板１０を提供する。
前記絶縁基板１０は、ガラス基板である。
第二ステップでは、平行し、等間隔に前記絶縁基板１０に設置された複数のグリッド電極１２と、平行し、等間隔に前記絶縁基板１０に設置された複数の陰極電極１４とを形成し、前記複数のグリッド電極１２及び前記複数陰極電極１４が垂直に交叉して、複数の格子１６が形成される。
前記絶縁基板１０に、平行し、等間隔に配列された複数のグリッド電極１２を形成し、平行し、等間隔に配列された複数の陰極電極１４を形成する。該複数のグリッド電極１２と該複数の陰極電極１４は、垂直に交叉して設置され、交叉する場所に絶縁層２０が設置され、該複数のグリッド電極１２と該複数の陰極電極１４とが短絡することを防止している。各々の前記グリッド電極１２は、更に平行し、等間隔に配列された複数の延長部１２１を含む。該複数の延長部１２１は、前記複数のグリッド電極１２の同じ側に対するように、前記グリッド電極１２に電気的に接続され、各々の陰極電極１４に対向して設置される。隣接する二つのグリッド電極１２と、その隣接する二つの陰極電極１４とは、複数の格子１６を形成している。
前記グリッド電極１２及び前記陰極電極１４は、シルクスクリーン印刷法、スパッタ法又は蒸着法で形成する。本実施形態において、シルクスクリーン印刷法で前記グリッド電極１２及び前記陰極電極１４を形成する。
まず、シルクスクリーン印刷法で導電ペーストを前記絶縁基板１０に印刷し、平行し、等間隔に配列された複数のグリッド電極１２を形成する。該導電ペーストは、金属粉末、低い融点を有するガラス粉末及び接着剤を含む。該金属粉末は、銀粉末であり、該接着剤は、テルピネオール又はエチルセルロースである。前記導電ペーストは、前記金属粉末が５０〜９０ｗｔ％であり、前記低い融点を有するガラス粉末が２〜１０ｗｔ％であり、前記接着剤が８〜４０ｗｔ％である。
次に、シルクスクリーン印刷法で前記グリッド電極１２及び陰極電極１４が交叉する場所に複数の絶縁層２０を印刷する。
最後に、シルクスクリーン印刷法で導電ペーストを前記絶縁基板１０に印刷し、平行し、等間隔に配列された複数の陰極電極１４を形成する。前記複数のグリッド電極１２及び前記複数の陰極電極１４は、交叉して格子１６を形成する。前記導電ペーストと前記複数のグリッド電極１２を形成する導電ペーストとが同じである。
また、本実施形態に制限されず、前記グリッド電極１２及び陰極電極１４の形成方法は、下記のステップにより、行なってもよい。
まず、シルクスクリーン印刷法で導電ペーストを前記絶縁基板１０に印刷し、平行し、等間隔に配列された複数の陰極電極１４を形成する。次に、複数の絶縁層２０を印刷する。最後に、シルクスクリーン印刷法で導電ペーストを前記絶縁基板１０に印刷し、平行し、等間隔に配列された複数のグリッド電極１２を形成し、前記複数のグリッド電極１２及び前記複数の陰極電極１４は、交叉して格子１６を形成する。
第三ステップでは、カーボンナノチューブフィルムを前記グリッド電極１２及び前記陰極電極１４に設置する。
まず、カーボンナノチューブフィルムを提供し、該カーボンナノチューブフィルムの製造方法は、下記のステップを含む。
カーボンナノチューブアレイを提供し、該カーボンナノチューブアレイが超配列カーボンナノチューブアレイ（Ｓｕｐｅｒａｌｉｇｎｅｄ ａｒｒａｙ ｏｆ ｃａｒｂｏｎ ｎａｎｏｔｕｂｅｓ，非特許文献２を参照）であることが好ましい。
本実施形態において、前記超配列カーボンナノチューブアレイの製造方法は、化学気相成長（ＣＶＤ）法を採用する。該製造方法は、次のステップを含む。ステップ（ａ）では、平らな基材を提供し、該基材はＰ型のシリコン基材、Ｎ型のシリコン基材及び酸化層が形成されたシリコン基材のいずれか一種である。本実施形態において、４インチのシリコン基材を選択することが好ましい。ステップ（ｂ）では、前記基材の表面に、均一的に触媒層を形成する。該触媒層の材料は鉄、コバルト、ニッケル及びその二種以上の合金のいずれか一種である。ステップ（ｃ）では、前記触媒層が形成された基材を７００℃〜９００℃の空気で３０分〜９０分間アニーリングする。ステップ（ｄ）では、アニーリングされた基材を反応炉に置き、保護ガスで５００℃〜７４０℃の温度で加熱した後で、カーボンを含むガスを導入して、５分〜３０分間反応を行って、超配列カーボンナノチューブアレイを成長させることができる。該カーボンナノチューブアレイの高さは１００マイクロメートル以上である。該カーボンナノチューブアレイは、互いに平行し、基材に垂直するように成長する複数のカーボンナノチューブからなる。該カーボンナノチューブは、長さが長いため、一部分のカーボンナノチューブが互いに絡み合っている。成長の条件を制御することによって、前記カーボンナノチューブアレイは、例えば、アモルファスカーボン及び残りの触媒となる金属粒子などの不純物を含まなくなる。
本実施形態において、前記カーボンを含むガスとしては例えば、アセチレン、エチレン、メタンなどの活性な炭化水素が選択され、エチレンを選択することが好ましい。保護ガスは窒素ガスまたは不活性ガスであり、アルゴンガスが好ましい。
本実施形態から提供されたカーボンナノチューブアレイは、前記の製造方法により製造されることに制限されず、アーク放電法またはレーザー蒸発法で製造してもよい。
前記カーボンナノチューブアレイからカーボンナノチューブフィルムを引き伸ばす。
ステップ（ａ）では、前記カーボンナノチューブアレイには、所定の幅を有する複数のカーボンナノチューブセグメントを選択する。本実施形態において、所定の幅を有するテープで前記カーボンナノチューブアレイに接着し、所定の幅を有する複数のカーボンナノチューブセグメントを選択するようになる。ステップ（ｂ）では、所定の速度でカーボンナノチューブアレイが成長された方向に垂直な方向に沿って、前記複数のカーボンナノチューブセグメントを引き伸ばし、連続するカーボンナノチューブフィルムを形成する。
前記引き伸ばす過程において、複数のカーボンナノチューブセグメントが引っ張り力で引き伸ばされた方向に沿って、前記基材から離れ、同時に分子間力で選択された複数のカーボンナノチューブセグメント及び他のカーボンナノチューブセグメントは、端と端が接続され、カーボンナノチューブフィルムが形成される。該カーボンナノチューブフィルムは、選択的な方向に沿って配列された複数のカーボンナノチューブの端と端が接続され、所定の幅を有するカーボンナノチューブフィルムである。該カーボンナノチューブフィルムにおけるカーボンナノチューブが相互に平行し、配列された方向がカーボンナノチューブフィルムの引き伸ばされた方向に平行する。
前記カーボンナノチューブフィルムの幅は、カーボンナノチューブアレイが成長された基板に大きく関係する。本実施形態において、ＣＶＤ法で４インチのシリコン基材に超配列カーボンナノチューブアレイを成長し、該カーボンナノチューブアレイを引き伸ばし、カーボンナノチューブフィルムを形成するから、該カーボンナノチューブフィルムの幅が０．０１センチメートル〜１０センチメートルである。該カーボンナノチューブフィルムの長さに制限はなく、実際の応用に応じて製造することができる。該カーボンナノチューブフィルムの厚さが１０ナノメートル〜１００マイクロメートルである。
次に、前記カーボンナノチューブフィルムを前記グリッド電極１２及び前記陰極電極１４に設置し、該グリッド電極１２から該陰極電極１４までに延長する。
前記カーボンナノチューブフィルムの両端を、導電接着剤或いは分子間力で、それぞれ前記グリッド電極１２の延長部１２１及び陰極電極１４に接続し、該グリッド電極１２及び陰極電極１４に電気的に接続する。前記カーボンナノチューブフィルムにおけるカーボンナノチューブは、グリッド電極１２から該陰極電極１４までに延長する。
第四ステップでは、有機溶剤を利用して、前記カーボンナノチューブフィルムを処理し、複数の電子放出体１８を形成する。
まず、前記カーボンナノチューブフィルムを有機溶剤に浸漬する。該有機溶剤は、揮発性有機溶剤であり、アルコール、メチルアルコール、アセトン、ジクロロエタン、クロロホルムの一種又は多種の混合物である。本実施形態において、該有機溶剤はアルコールである。該カーボンナノチューブフィルムは、前記有機溶剤で浸漬されると、発揮性の有機溶剤の表面張力によって該カーボンナノチューブフィルムにおけるカーボンナノチューブセグメントが収縮され、少なくとも一本のカーボンナノチューブワイヤに形成される。従って、各々の格子１６において、少なくとも一つの電子放出体１８を形成する。該電子放出体１８は、複数のカーボンナノチューブを含む。該電子放出体１８は、直径が２マイクロメートル〜５マイクロメートルであり、比表面積が小さくなり、接着性がなくなり、優れた機械強度と勒性を有する。
また、前記電子放出体１８は、金属線又はカーボン繊維でもよい。機械的な外力で前記金属線又はカーボン繊維を処理し、電子放出体１８を形成することができる。
更に、シルクスクリーン印刷法で前記グリッド電極１２及び陰極電極１４に固定素子を形成し、前記電子放出体１８を前記グリッド電極１２と固定素子の間に固定し、前記陰極電極１４と固定素子の間に固定する。
第五ステップでは、前記電子放出体１８を加工し、各電子放出体１８に隙間１８２を形成し、該電子放出体１８が前記隙間１８２に対向した二つの先端１８３を形成する。
前記電子放出体１８を加工する方法は、レーザーで焼き切る方法、電子の衝撃で切る方法又は真空の雰囲気で焼き切る方法がある。本実施形態においては、真空で焼き切る方法を採用する。
真空の雰囲気で前記グリッド電極１４及び前記陰極電極１２に電圧を印加する。該電圧の大きさと前記電子放出体１８の直径及び長さには関係がある。直流電圧の作用で該電子放出体１８が加熱されることができる。加熱する温度は２０００Ｋ〜２８００Ｋであることが好ましく、加熱する時間は２０分間〜６０分間であることが好ましい。前記加熱過程において、該電子放出体１８を流れる電流が高くなり、多量の熱が生じ、最後に各電界放出型電子源１００における電子放出体１８が焼き切られる。前記電子放出体１８の焼き切るようにする領域の炭素が蒸発して、前記電子放出体１８に隙間１８２が形成される。該隙間１８２の大きさが１マイクロメートル〜２０マイクロメートルである。該電子放出体１８は、二つの先端１８３を有し、該二つの先端１８３が対向する。前記真空雰囲気の真空度が高いので、焼き切られる領域にガスが電離する。電離して生じたイオンは前記電子放出体１８の二つの先端１８３を衝撃し、該電子放出体１８は、カーボンナノチューブフィルムが収縮して形成されたカーボンナノチューブワイヤからなるので、該二つの先端１８３にそれぞれ、一つの電子放出先端を形成する。前記電子放出体１８の直径が小さくなるので、前記電子放出先端が細くなり、電子を放出することに便利である。
本実施形態では、真空の雰囲気で前記電子放出体１８を焼き切る方法を採用して、該電子放出体１８が焼き切られた所が汚染されることを防止することができ、加熱する過程において、該電子放出体１８の機械強度が高くなるから、良い電界放出の性能を有する。
図７は、前記電子放出体１８の電子放出先端のラマンスペクトル図である。ラマンスペクトルで分析すると、熱処理された電子放出体１８の電子放出先端のＤバンド（欠陥モード）が小さくなり、先端のＤバンドが最も小さい。即ち、電子放出体１８の電子放出先端のカーボンナノチューブが焼き切られると、該カーボンナノチューブの品質が良くなる。該カーボンナノチューブの品質が良くなるのは、該カーボンナノチューブが熱処理されると、欠陥が減少し、欠陥を有するグラファイト層が高温で落ちやすくなり、品質が良いグラファイト層が残されるからである。
前記電界放出型電子源１００において、グリッド電極１２、陰極電極１４及び電子放出体１８が共面に設置されるので、構造が簡単である。前記電子放出体１８に隙間１８２が形成されるので、前記グリッド電極１２及び前記陰極電極１４の間に電圧を印加すると、該グリッド電極１２及び該陰極電極１４の間に電界が形成され、前記電子放出先端が細く、電子が前記放出体１８の電子放出先端から放出しやすくなるので、前記電界放出型電子源１００の電子放出効率が高くなることができ、放出された電子は均一性が良い。前記電界放出型電子源１００の製造方法は、電子放出体を加工することにより、隙間１８２を形成するので、該方法が簡単で、応用に便利である。
以上本発明を実施例に基づいて具体的に説明したが、本発明は、上述の実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において、種種変更可能であることは勿論であって、本発明の保護範囲は、以下の特許請求の範囲から決まる。
１０、３０、４０ 絶縁基板
１６ 格子
１８ 電子放出体
２０、３３、４３ 絶縁層
２２、３６、４６ 電子放出ユニット
１２、３２、４２ グリッド電極
１４、３４、４４ 陰極電極
３８、４８ 陰極放出体
１２１、４２１ 延長部
１８１ 電子放出体の両端
１８２ 隙間
１８３ 先端
１００、３００ 電界放出型電子源
４００ 表面伝導型電子源
１６ 格子
１８ 電子放出体
２０、３３、４３ 絶縁層
２２、３６、４６ 電子放出ユニット
１２、３２、４２ グリッド電極
１４、３４、４４ 陰極電極
３８、４８ 陰極放出体
１２１、４２１ 延長部
１８１ 電子放出体の両端
１８２ 隙間
１８３ 先端
１００、３００ 電界放出型電子源
４００ 表面伝導型電子源
Claims (2)
- 絶縁基板を提供する第一ステップと、
前記絶縁基板に設置された複数のグリッド電極及び陰極電極を形成し、前記複数のグリッド電極及び前記複数陰極電極が交叉して、複数の格子を形成する第二ステップと、
カーボンナノチューブフィルムを前記グリッド電極及び前記陰極電極に設置する第三ステップと、
前記カーボンナノチューブフィルムを有機溶剤に浸漬し、該カーボンナノチューブフィルムを収縮させ、カーボンナノチューブワイヤを形成し、電子放出体を形成する第四ステップと、
前記電子放出体を加工して、グリッド電極側電子放出体及び陰極電極側電子放出体に分離させ、該グリッド電極側電子放出体と陰極電極側電子放出体との間に隙間を形成し、前記グリッド電極側電子放出体及び陰極電極側電子放出体のそれぞれに前記隙間に対向した一つの電子放出先端を形成する第五ステップと、
を含み、
前記カーボンナノチューブワイヤが平行して配列された複数のカーボンナノチューブを含み、
該複数のカーボンナノチューブが分子間力で接続されることを特徴とする電界放出型電子源の製造方法。 - 前記第五ステップにおいて、レーザーで焼き切る方法、電子の衝撃で切る方法又は真空の雰囲気で焼き切る方法を利用して、前記電子放出体を加工することを特徴とする、請求項１に記載の電界放出型電子源の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN200810066047.2 | 2008-02-01 | ||
| CN2008100660472A CN101499389B (zh) | 2008-02-01 | 2008-02-01 | 电子发射器件 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2009187945A JP2009187945A (ja) | 2009-08-20 |
| JP5491035B2 true JP5491035B2 (ja) | 2014-05-14 |
Family
ID=40930995
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2009018644A Active JP5491035B2 (ja) | 2008-02-01 | 2009-01-29 | 電界放出型電子源の製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US8237344B2 (ja) |
| JP (1) | JP5491035B2 (ja) |
| CN (1) | CN101499389B (ja) |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101239712B (zh) * | 2007-02-09 | 2010-05-26 | 清华大学 | 碳纳米管薄膜结构及其制备方法 |
| CN101315974B (zh) * | 2007-06-01 | 2010-05-26 | 清华大学 | 锂离子电池负极及其制备方法 |
| CN101465259B (zh) * | 2007-12-19 | 2011-12-21 | 清华大学 | 场发射电子器件 |
| CN101483123B (zh) * | 2008-01-11 | 2010-06-02 | 清华大学 | 场发射电子器件的制备方法 |
| CN101499390B (zh) * | 2008-02-01 | 2013-03-20 | 清华大学 | 电子发射器件及其制备方法 |
| CN101540260B (zh) * | 2008-03-19 | 2011-12-14 | 清华大学 | 场发射显示器 |
| CN101604603B (zh) * | 2008-06-13 | 2011-03-23 | 清华大学 | 场发射体及其制备方法 |
| US9126836B2 (en) * | 2009-12-28 | 2015-09-08 | Korea University Research And Business Foundation | Method and device for CNT length control |
| CN101866805B (zh) * | 2010-04-14 | 2012-03-14 | 北京富纳特创新科技有限公司 | 透射电镜微栅的制备方法 |
| CN101880035A (zh) | 2010-06-29 | 2010-11-10 | 清华大学 | 碳纳米管结构 |
| CN102064071B (zh) * | 2010-12-16 | 2012-07-18 | 清华大学 | 场发射显示装置 |
| CN102082061B (zh) * | 2010-12-29 | 2013-06-05 | 清华大学 | 场发射显示装置 |
| ITTO20120993A1 (it) * | 2011-11-25 | 2013-05-26 | Selex Sistemi Integrati Spa | Dispositivo a catodo freddo emettitore di elettroni |
| KR102357560B1 (ko) | 2017-01-25 | 2022-02-07 | 한국전자통신연구원 | 전자 방출원 및 그 제조 방법 |
| CN109041288B (zh) * | 2018-09-25 | 2023-12-15 | 佛山市昂达电器有限公司 | 一种远红外发射器件、阵列及制备方法 |
| DE102020129541A1 (de) * | 2019-11-18 | 2021-05-20 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Elektronenemissionsstruktur und Röntgenröhre, die sie enthält |
| CN113130275A (zh) * | 2020-01-15 | 2021-07-16 | 清华大学 | 热电子发射器件 |
Family Cites Families (62)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AU4055297A (en) * | 1996-08-08 | 1998-02-25 | William Marsh Rice University | Macroscopically manipulable nanoscale devices made from nanotube assemblies |
| JP2002515847A (ja) * | 1997-05-29 | 2002-05-28 | ウィリアム・マーシュ・ライス・ユニバーシティ | 単層カーボンナノチューブ類から形成された炭素繊維類 |
| JP3792859B2 (ja) | 1997-10-03 | 2006-07-05 | 株式会社ノリタケカンパニーリミテド | 電子銃 |
| JP3740295B2 (ja) * | 1997-10-30 | 2006-02-01 | キヤノン株式会社 | カーボンナノチューブデバイス、その製造方法及び電子放出素子 |
| JP3631015B2 (ja) * | 1997-11-14 | 2005-03-23 | キヤノン株式会社 | 電子放出素子及びその製造方法 |
| JP3441396B2 (ja) | 1998-12-03 | 2003-09-02 | 喜萬 中山 | 電子装置の表面信号操作用プローブ及びその製造方法 |
| US6232706B1 (en) * | 1998-11-12 | 2001-05-15 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Self-oriented bundles of carbon nanotubes and method of making same |
| JP3323847B2 (ja) * | 1999-02-22 | 2002-09-09 | キヤノン株式会社 | 電子放出素子、電子源および画像形成装置の製造方法 |
| US6504292B1 (en) * | 1999-07-15 | 2003-01-07 | Agere Systems Inc. | Field emitting device comprising metallized nanostructures and method for making the same |
| US6062931A (en) * | 1999-09-01 | 2000-05-16 | Industrial Technology Research Institute | Carbon nanotube emitter with triode structure |
| JP3737696B2 (ja) * | 2000-11-17 | 2006-01-18 | 株式会社東芝 | 横型の電界放出型冷陰極装置の製造方法 |
| JP2002334663A (ja) | 2001-03-09 | 2002-11-22 | Vacuum Products Kk | 荷電粒子発生装置及びその発生方法 |
| US6486599B2 (en) * | 2001-03-20 | 2002-11-26 | Industrial Technology Research Institute | Field emission display panel equipped with two cathodes and an anode |
| US7129626B2 (en) * | 2001-03-20 | 2006-10-31 | Copytele, Inc. | Pixel structure for an edge-emitter field-emission display |
| US6541906B2 (en) * | 2001-05-23 | 2003-04-01 | Industrial Technology Research Institute | Field emission display panel equipped with a dual-layer cathode and an anode on the same substrate and method for fabrication |
| JP4093498B2 (ja) * | 2001-05-28 | 2008-06-04 | 喜萬 中山 | ナノチューブの長さ制御方法 |
| JP2003016905A (ja) | 2001-06-29 | 2003-01-17 | Mitsubishi Electric Corp | 電子放出装置及びその製造方法、並びに表示装置 |
| US6672925B2 (en) * | 2001-08-17 | 2004-01-06 | Motorola, Inc. | Vacuum microelectronic device and method |
| JP2003123623A (ja) * | 2001-10-19 | 2003-04-25 | Noritake Itron Corp | 電子放出源用カーボンナノチューブおよびその製造方法 |
| KR100449071B1 (ko) * | 2001-12-28 | 2004-09-18 | 한국전자통신연구원 | 전계 방출 소자용 캐소드 |
| CN1433039A (zh) * | 2002-01-07 | 2003-07-30 | 深圳大学光电子学研究所 | 基于纳米碳管场发射阵列的全彩色大面积平板显示器 |
| JP4180289B2 (ja) * | 2002-03-18 | 2008-11-12 | 喜萬 中山 | ナノチューブ先鋭化方法 |
| JP2003288837A (ja) | 2002-03-28 | 2003-10-10 | Canon Inc | 電子放出素子の製造方法 |
| US6864162B2 (en) * | 2002-08-23 | 2005-03-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Article comprising gated field emission structures with centralized nanowires and method for making the same |
| CN100411979C (zh) * | 2002-09-16 | 2008-08-20 | 清华大学 | 一种碳纳米管绳及其制造方法 |
| CN1282216C (zh) * | 2002-09-16 | 2006-10-25 | 清华大学 | 一种灯丝及其制备方法 |
| CN1301212C (zh) * | 2002-09-17 | 2007-02-21 | 清华大学 | 一维纳米材料方向及形状调整方法 |
| CN1282211C (zh) * | 2002-11-14 | 2006-10-25 | 清华大学 | 一种碳纳米管场发射装置 |
| JP2004303521A (ja) * | 2003-03-31 | 2004-10-28 | Hitachi Ltd | 平面ディスプレイ装置 |
| US7169329B2 (en) * | 2003-07-07 | 2007-01-30 | The Research Foundation Of State University Of New York | Carbon nanotube adducts and methods of making the same |
| JP4605425B2 (ja) * | 2003-07-10 | 2011-01-05 | ソニー株式会社 | 電子放出素子の製造方法 |
| JP4414728B2 (ja) * | 2003-10-31 | 2010-02-10 | 住友電気工業株式会社 | カーボン加工体及びその製造方法並びに電子放出素子 |
| JP4432478B2 (ja) | 2003-12-05 | 2010-03-17 | ソニー株式会社 | 筒状分子の製造方法および筒状分子構造、並びに表示装置および電子素子 |
| US7102157B2 (en) * | 2004-01-26 | 2006-09-05 | Alexander Kastalsky | Nanotube-based vacuum devices |
| US7465210B2 (en) * | 2004-02-25 | 2008-12-16 | The Regents Of The University Of California | Method of fabricating carbide and nitride nano electron emitters |
| US7276389B2 (en) * | 2004-02-25 | 2007-10-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Article comprising metal oxide nanostructures and method for fabricating such nanostructures |
| JP4658490B2 (ja) | 2004-02-26 | 2011-03-23 | 大研化学工業株式会社 | 電子源及びその製造方法 |
| DE112005000688T5 (de) * | 2004-03-26 | 2007-03-22 | Forster-Miller, Inc., Waltham | Durch elektrolytische Abscheidung auf Basis von Kohlenstoffnanoröhren hergestellte elektronische Bauteile und Anwendungen davon |
| CN100583353C (zh) * | 2004-05-26 | 2010-01-20 | 清华大学 | 场发射显示器的制备方法 |
| AU2005335123B2 (en) * | 2004-11-09 | 2011-02-03 | Board Of Regents, The University Of Texas System | The fabrication and application of nanofiber ribbons and sheets and twisted and non-twisted nanofiber yarns |
| CN1790598A (zh) * | 2004-12-14 | 2006-06-21 | 中国科学院西安光学精密机械研究所 | 一种基于碳纳米管场发射阵列的三电极平面型显示器 |
| TWI259500B (en) * | 2005-04-20 | 2006-08-01 | Ind Tech Res Inst | Quadrupole field emission display |
| TW200638458A (en) * | 2005-04-20 | 2006-11-01 | Ind Tech Res Inst | Triode field emission display |
| JP2007080626A (ja) | 2005-09-13 | 2007-03-29 | Toppan Printing Co Ltd | 電子放出型電極及びその製造方法 |
| CN100555529C (zh) * | 2005-11-04 | 2009-10-28 | 清华大学 | 一种场发射元件及其制备方法 |
| US8246874B2 (en) * | 2005-12-02 | 2012-08-21 | Tsinghua University | Method for making carbon nanotube-based device |
| CN100500556C (zh) * | 2005-12-16 | 2009-06-17 | 清华大学 | 碳纳米管丝及其制作方法 |
| JP3935491B2 (ja) | 2005-12-28 | 2007-06-20 | 株式会社リコー | 電子放出素子、電子源、画像形成装置およびテレビ |
| CN101042977B (zh) * | 2006-03-22 | 2011-12-21 | 清华大学 | 碳纳米管场发射电子源及其制造方法以及一场发射阵列 |
| CN101086939B (zh) * | 2006-06-09 | 2010-05-12 | 清华大学 | 场发射元件及其制备方法 |
| CN101093764B (zh) * | 2006-06-23 | 2012-03-28 | 清华大学 | 场发射元件及其制备方法 |
| TWI320026B (en) | 2006-06-30 | 2010-02-01 | Field emission componet and method for making same | |
| CN101097829B (zh) * | 2006-06-30 | 2010-05-26 | 清华大学 | 二极型场发射像素管 |
| CN101192490B (zh) * | 2006-11-24 | 2010-09-29 | 清华大学 | 表面传导电子发射元件以及应用表面传导电子发射元件的电子源 |
| CN101425435B (zh) * | 2007-11-02 | 2013-08-21 | 清华大学 | 场发射电子源及其制备方法 |
| CN101425438B (zh) * | 2007-11-02 | 2011-03-30 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 一种场发射电子源的制备方法 |
| CN101425439B (zh) * | 2007-11-02 | 2010-12-08 | 清华大学 | 一种场发射电子源的制备方法 |
| CN101442848B (zh) * | 2007-11-23 | 2011-12-21 | 清华大学 | 一种局域加热物体的方法 |
| CN101465259B (zh) * | 2007-12-19 | 2011-12-21 | 清华大学 | 场发射电子器件 |
| CN101499390B (zh) * | 2008-02-01 | 2013-03-20 | 清华大学 | 电子发射器件及其制备方法 |
| CN101540251B (zh) * | 2008-03-19 | 2012-03-28 | 清华大学 | 场发射电子源 |
| CN101538031B (zh) * | 2008-03-19 | 2012-05-23 | 清华大学 | 碳纳米管针尖及其制备方法 |
-
2008
- 2008-02-01 CN CN2008100660472A patent/CN101499389B/zh active Active
- 2008-11-26 US US12/313,938 patent/US8237344B2/en active Active
-
2009
- 2009-01-29 JP JP2009018644A patent/JP5491035B2/ja active Active
-
2012
- 2012-05-14 US US13/470,482 patent/US8371892B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20120220182A1 (en) | 2012-08-30 |
| JP2009187945A (ja) | 2009-08-20 |
| CN101499389B (zh) | 2011-03-23 |
| CN101499389A (zh) | 2009-08-05 |
| US8371892B2 (en) | 2013-02-12 |
| US20090195140A1 (en) | 2009-08-06 |
| US8237344B2 (en) | 2012-08-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5491035B2 (ja) | 電界放出型電子源の製造方法 | |
| JP5491036B2 (ja) | 電界放出型電子源及びその製造方法 | |
| JP4976368B2 (ja) | 熱電子放出素子 | |
| JP5015906B2 (ja) | 熱電子放出素子及びその製造方法 | |
| JP4976367B2 (ja) | 熱電子放出素子 | |
| JP5199052B2 (ja) | 熱電子放出素子の製造方法 | |
| JP4933576B2 (ja) | 電界放出型電子源の製造方法 | |
| JP4960397B2 (ja) | カーボンナノチューブ針及びその製造方法 | |
| US8299698B2 (en) | Field emission display | |
| JP5015969B2 (ja) | 熱電子放出素子の製造方法 | |
| JP5336544B2 (ja) | 電界放出表示装置 | |
| JP4913791B2 (ja) | 電界放出型電子源及びその製造方法 | |
| JP4960398B2 (ja) | 電界放出型電子源 | |
| TWI474358B (zh) | 場發射電子源及場發射裝置 | |
| JP5102193B2 (ja) | 熱電子放出素子 | |
| JP5144775B2 (ja) | 電界放出装置 | |
| TWI330858B (en) | Thermionic emission device | |
| TWI478196B (zh) | 場發射電子源陣列及場發射裝置 | |
| TW200937485A (en) | Electron emission device | |
| TW200932665A (en) | Thermionic emission device | |
| TW200937484A (en) | Electron emission device and method for making the same | |
| TW201415530A (zh) | 場發射電子源陣列的製備方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110913 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111213 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120731 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121025 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130205 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130501 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140128 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140227 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5491035 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |