JP5484940B2 - デジタルアンプ - Google Patents

デジタルアンプ Download PDF

Info

Publication number
JP5484940B2
JP5484940B2 JP2010025289A JP2010025289A JP5484940B2 JP 5484940 B2 JP5484940 B2 JP 5484940B2 JP 2010025289 A JP2010025289 A JP 2010025289A JP 2010025289 A JP2010025289 A JP 2010025289A JP 5484940 B2 JP5484940 B2 JP 5484940B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
bootstrap capacitor
fet
bootstrap
circuit
voltage
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2010025289A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2011166346A5 (ja
JP2011166346A (ja
Inventor
宙 菅原
寿幸 佐々木
佳樹 前田
智臣 ▲高▼野
茂樹 庭山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Corp
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Panasonic Corp
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Panasonic Corp, Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Panasonic Corp
Priority to JP2010025289A priority Critical patent/JP5484940B2/ja
Priority to CN201180008747.6A priority patent/CN102754336B/zh
Priority to PCT/JP2011/000428 priority patent/WO2011096175A1/ja
Publication of JP2011166346A publication Critical patent/JP2011166346A/ja
Publication of JP2011166346A5 publication Critical patent/JP2011166346A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5484940B2 publication Critical patent/JP5484940B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/687Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
    • H03K17/6871Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors the output circuit comprising more than one controlled field-effect transistor
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/21Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/217Class D power amplifiers; Switching amplifiers
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K2217/00Indexing scheme related to electronic switching or gating, i.e. not by contact-making or -breaking covered by H03K17/00
    • H03K2217/0081Power supply means, e.g. to the switch driver

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Description

本発明は、起動時にブートストラップコンデンサを充電するデジタルアンプに関する。
D級アンプの出力段は、NchのMOSFET(以下、単に「FET」という)を上下2段に組み合わせて構成されている。図3は、D級アンプの出力段の構成を示す回路図である。図3に示すように、D級アンプでは、PWM(Pulse Width Modulation)回路101によって、例えばアナログオーディオ信号がデジタルパルス信号に変換される。デジタルパルス信号は、それぞれ上下2段に構成されたFET131a,131b及び駆動回路133a,133bを有する増幅回路103によって増幅された後、LC回路で構成された復調回路107によってアナログ信号に復号される。なお、当該D級アンプには、上段のFET131b用の駆動回路133bに供給する電源をブートストラップするためのブートストラップコンデンサCbが設けられている。
増幅回路103は、上下2段のFET131a,131bを交互にオンオフすることによってデジタルパルス信号を増幅する。まず、下段(ローサイド側)のFET131aがオンして、上段(ハイサイド側)のFET131bがオフすると、増幅回路103の出力は−Vbとなり、ブートストラップコンデンサCbに蓄電される。次に、ローサイド側のFET131aがオフして、ハイサイド側のFET131bがオンする際には、ブートストラップコンデンサCbの電圧が加わった電源がハイサイド側の駆動回路133bに供給される。
このように、ハイサイド側のFET131bを駆動する際には、駆動回路133bに供給する電源をブートストラップする必要がある。したがって、予めブートストラップコンデンサCbを充電するために、ローサイド側のFET131aからオンする必要がある。すなわち、当該D級アンプの起動時には、ローサイド側のFET131aからオンする必要がある。
特許文献1には、スタートアップ前又は発振器から信号を転送する前にブートストラップコンデンサをプリチャージするブートストラップ回路を含むプリチャージ回路を有するドライバが開示されている。当該ドライバでは、タイミング回路が、ハイ側ドライバがドライブ信号を受け取る前にハイ側ドライバに給電するため、プリチャージ回路を制御するプリチャージタイミング信号を供給している。
特開2009−33736号公報
上記説明した特許文献1のドライバにはタイミング回路が必要であり、かつ、プリチャージ回路の制御シーケンスが複雑である。
本発明の目的は、起動時にブートストラップコンデンサの充電を簡単な制御で確実に行うことができるデジタルアンプを提供することである。
本発明のデジタルアンプは、アナログ信号をデジタルパルス信号に変換するデジタルパルス信号変換部と、ソースが負の電源電圧に接続された第1のFETとドレインが正の電源電圧に接続された第2のFETとが直列接続されたFETスイッチング部、前記第1のFETのゲート−ソース間に第1の所定電圧を供給する第1の駆動部、および前記第2のFETのゲート−ソース間に前記第1の所定電圧を供給する第2の駆動部を有し、前記FETスイッチング部の前記第1のFETと前記第2のFETを交互にオンオフすることによって前記デジタルパルス信号を増幅する増幅部と、前記第2の駆動部に供給する電源をブートストラップするブートストラップコンデンサと、前記ブートストラップコンデンサの充電を制御するために、一端が前記正の電源電圧に接続され他端が前記ブートストラップコンデンサの一端に接続されたブートストラップ制御部と、前記増幅部によって増幅されたデジタルパルス信号をアナログ信号に変換するアナログ信号変換部と、を備え、前記ブートストラップ制御部は、抵抗、ツェナーダイオード、トランジスタ、およびダイオードを備え、前記抵抗と前記ツェナーダイオードは前記正の電源電圧と前記増幅部との間に直列接続され、前記トランジスタと前記ダイオードは、前記抵抗と前記ツェナーダイオードとの間の経路と前記ブートストラップコンデンサとの間に直列接続され、前記ブートストラップコンデンサに充電されたブート電圧が第2の所定電圧値未満の場合に前記ブートストラップコンデンサの充電を行い、前記第2の所定電圧値以上の場合に前記ブートストラップコンデンサへの電流経路を遮断する構成を有している。
この構成により、ブートストラップコンデンサの充電を簡単な制御で確実に行うことができる。
また、この構成により、AC電源が一時的に低下したとき又はデジタルアンプがフルパワーで動作しているときに、ブート電圧が低下しても、ブートストラップコンデンサの再充電を自動で行うことができる。また、ブートストラップコンデンサへの充電が完了すれば、充電を停止できるため消費電力の低減も可能となる
本発明に係るデジタルアンプによれば、起動時にブートストラップコンデンサの充電を簡単な制御で確実に行うことができる。
本発明に係る一実施形態のデジタルアンプの構成を示す回路図 ブート電圧Vbootが低下した際のブート電圧Vboot及びデジタルアンプの出力を示すグラフ D級アンプの出力段の構成を示す回路図 本発明に係る他の実施形態のデジタルアンプの構成を示す回路図
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。
図1は、本発明に係る一実施形態のデジタルアンプの出力段の構成を示す回路図である。なお、図1では、図3と共通する構成要素には同じ参照符号が付されている。図1に示すデジタルアンプは、D級アンプであって、PWM(Pulse Width Modulation)回路101と、増幅回路103と、ブートストラップコンデンサCbと、ブートストラップ制御回路105と、復調回路107とを備える。本実施形態のデジタルアンプが図3に示したD級アンプと異なる点は、ブートストラップ制御回路105を備えたことである。なお、図1では、負荷としてスピーカ111がデジタルアンプの出力端109に接続されている。以下、本実施形態のデジタルアンプが備える各構成要素について説明する。
PWM回路101は、図示しないマイクロフォンにより集音されたアナログオーディオ信号又は各種音源ソースからのアナログオーディオ信号をパルス幅変調してデジタルパルス信号に変換する。
増幅回路103は、上下2段に直列接続されたFET131a,131bと、各FETを駆動する駆動回路133a,133bとを有する。下段(ローサイド側)の駆動回路133aは、ローサイド側のFET131aをスイッチング制御し、上段(ハイサイド側)の駆動回路133bは、ハイサイド側のFET131bをスイッチング制御する。増幅回路103は、これら上下2段のFET131を交互にオンオフすることによって、PWM回路101から出力されたデジタルパルス信号を増幅する。
ローサイド側の駆動回路133aには、正電源Vcc(+Vcc)が供給される。正電源Vccは、駆動回路133aがFET131aをオン駆動するために必要な電圧であって、例えば、「−Vb+α」(V)である。なお、−Vbは負電源電圧であり、αは例えば+5〜+10(V)である。一方、ハイサイド側の駆動回路133bには、正電源Vb(+Vb)にブートストラップコンデンサCbの出力電圧を加えたブート電圧Vbootの電源が供給される。ハイサイド側のFET131bは、ブート電圧Vbootが「+Vb+α」(V)以上であればオン駆動する。
ブートストラップコンデンサCbは、ハイサイド側の駆動回路133bに供給する電源をブートストラップするためのコンデンサである。なお、ブートストラップコンデンサCbの一端はハイサイド側の駆動回路133bに接続され、他端は増幅回路103の出力に接続されている。
ブートストラップ制御回路105は、抵抗R1と、ツェナーダイオードDzと、ダーリントン接続されたトランジスタTr1,Tr2と、ダイオードD1と、抵抗R2とを有する。抵抗R1及びツェナーダイオードDzは、電源電圧(+Vb)の正電源と増幅回路103の出力の間で直列接続されている。また、抵抗R2、ダーリントン接続されたトランジスタTr1,Tr2及びダイオードD1は、電源電圧(+Vb)の正電源とブートストラップコンデンサCbの間で直列接続されている。さらに、図1に示すように、ツェナーダイオードDzのカソードは、1段目のトランジスタTr1のベースに接続されている。
以下、本実施形態のデジタルアンプの起動時におけるブートストラップ制御回路105の動作について説明する。
本実施形態のデジタルアンプの起動時、ローサイド側のFET131aからオン駆動した場合、増幅回路103の出力電圧Voは−Vbとなる。このとき、ハイサイド側のFET131bはオフ状態であるため、ブートストラップコンデンサCbは、ブート電圧Vbootがしきい値「Vz−2Vbe−Vf」に到達するまで充電される(このときは、正電源(+Vcc)が十分に高い電圧になっていないため、正電源(+Vcc)からブートストラップコンデンサCbは充電されない。)。なお、Vzは、ツェナーダイオードDzのカソード側の電圧であって、正電源電圧(+Vb)から抵抗R1によって電圧降下した電圧である。Vbeは、トランジスタTr1,Tr2のベース・エミッタ間電圧である。Vfは、ダイオードD1の順方向電圧である。また、ブートストラップコンデンサCbの充電電流は、抵抗R2の抵抗値に依存する。
やがて正電源(+Vcc)が十分に高い電圧になると、正電源(+Vcc)からブートストラップコンデンサCbが充電され、ブート電圧Vbootがしきい値「Vz−2Vbe−Vf」に到達すると、ダーリントン接続されたトランジスタTr1,Tr2はベース・エミッタ間電圧がVbe以下となってオフ状態となり、電源電圧(+Vb)の正電源からブートストラップコンデンサCbへの電流経路を遮断する。このように、ブート電圧Vbootがしきい値「Vz−2Vbe−Vf」に到達すると、ブートストラップコンデンサCbの充電は停止する。
一方、本実施形態のデジタルアンプの起動時、ハイサイド側のFET131bからオン駆動する場合、ブートストラップコンデンサCbの出力電圧が十分ではなく、ブート電圧Vbootが「+Vb+α」(V)未満であると、ハイサイド側の駆動回路133bはFET131bをオン駆動できない。このとき、2つのFET131a,131bはどちらもオフ状態であり、増幅回路103の出力電圧Voは0(V)に近い値となる。したがって、ブートストラップコンデンサCbが「Vz−2Vbe−Vf」に満たないため充電される。その結果、ブート電圧Vbootが上がり、駆動回路133bがFET131bをオン駆動するために必要な電圧(+Vb+α)を出力できる状態になると、ハイサイド側のFET131bがオンする。但し、上記説明と同様に、ブートストラップコンデンサCbの充電は、ブート電圧Vbootが「Vz−2Vbe−Vf」に等しくなると停止する。
復調回路107は、LC回路で構成され、増幅回路103によって増幅されたデジタルパルス信号を復調してアナログオーディオ信号に変換する。復調回路107によって変換されたアナログオーディオ信号は、出力端109を経てスピーカ111より出力される。
以上説明したように、本実施形態のデジタルアンプによれば、当該デジタルアンプの起動時に、増幅回路103のハイサイド側のFET131bからオン駆動する場合であっても、起動直後からブートストラップコンデンサCbが充電されるためハイサイド側の駆動回路133bがFET131bをオン駆動することが可能となる。当該機能は、ブートストラップ制御回路105によって実現される。ブートストラップ制御回路105が行う制御は、ハイサイド側のFET131bからオン駆動する場合であっても、ローサイド側のFET131aからオン駆動する場合であっても、ブートストラップコンデンサCbの蓄電状態に応じて充電するといった簡単なものである。このように、当該デジタルアンプの起動時に、ブートストラップコンデンサの充電を簡単な制御で確実に行うことができる。その結果、デジタルアンプが確実に起動する。
ブートストラップコンデンサCbが十分に充電され、デジタルアンプが起動した後も上記説明した充電が継続して行われると、ローサイド側のFET131aがオン駆動している期間、無駄に電力が消費される。しかし、本実施形態では、ブートストラップコンデンサCbが充電されることによってブート電圧Vbootが所定値(Vz−2Vbe−Vf)まで上がると、ブートストラップ制御回路105は充電を停止する。したがって、デジタルアンプの消費電力を低減できる。
AC電源が一時的に低下したとき又はデジタルアンプがフルパワーで動作しているときには、図2に示すように、ブート電圧Vbootが低下する。本実施形態では、ブート電圧Vbootが所定値を下回ると、ブートストラップ制御回路105はブートストラップコンデンサCbの充電を再び行う。こうして充電されたブートストラップコンデンサCbの出力電圧がブート電圧Vbootの低下を補うことができる。
なお、上記実施形態では、増幅回路103が上下2段に構成されたFET131a,131bを有するが、バイポーラトランジスタ又はIGBTであっても良い。
なお、上記実施形態では、ハイサイド側の駆動回路133bに対してブートストラップコンデンサCb及びブートストラップ制御回路105を設けたが、図4に示すように、ローサイド側に同様の手段を設けても良い。この場合、起動時に、ローサイド側の駆動回路133aに供給する正電源(+Vcc)の電圧が十分でない場合であっても、確実に起動できる。なお、図4に示した電圧検出手段(ツェナーダイオードDzに対応)は、点線で示したように、ローサイド側の駆動回路133aに供給される電圧を検出しても良い。
また、上記実施形態では、デジタルアンプがPWM回路101および復調回路107を含むものとして説明したが、これらをまとめて、または個別にデジタルアンプとは別体のものとして構成しても良い。
本発明は、起動時にブートストラップコンデンサを充電するデジタルアンプ等として有用である。
101 PWM回路
103 増幅回路
105 ブートストラップ制御回路
107 復調回路
131a,131b FET
133a,133b 駆動回路
Cb ブートストラップコンデンサ
R1,R2 抵抗
Dz ツェナーダイオード
Tr1,Tr2 トランジスタ
D1 ダイオード

Claims (1)

  1. アナログ信号をデジタルパルス信号に変換するデジタルパルス信号変換部と、
    ソースが負の電源電圧に接続された第1のFETとドレインが正の電源電圧に接続された第2のFETとが直列接続されたFETスイッチング部、前記第1のFETのゲート−ソース間に第1の所定電圧を供給する第1の駆動部、および前記第2のFETのゲート−ソース間に前記第1の所定電圧を供給する第2の駆動部を有し、前記FETスイッチング部の前記第1のFETと前記第2のFETを交互にオンオフすることによって前記デジタルパルス信号を増幅する増幅部と、
    前記第2の駆動部に供給する電源をブートストラップするブートストラップコンデンサと、
    前記ブートストラップコンデンサの充電を制御するために、一端が前記正の電源電圧に接続され他端が前記ブートストラップコンデンサの一端に接続されたブートストラップ制御部と、
    前記増幅部によって増幅されたデジタルパルス信号をアナログ信号に変換するアナログ信号変換部とを備え、
    前記ブートストラップ制御部は、抵抗、ツェナーダイオード、トランジスタ、およびダイオードを備え、前記抵抗と前記ツェナーダイオードは前記正の電源電圧と前記増幅部との間に直列接続され、前記トランジスタと前記ダイオードは、前記抵抗と前記ツェナーダイオードとの間の経路と前記ブートストラップコンデンサとの間に直列接続され、
    前記ブートストラップコンデンサに充電されたブート電圧が第2の所定電圧値未満の場合に前記ブートストラップコンデンサの充電を行い、前記第2の所定電圧値以上の場合に前記ブートストラップコンデンサへの電流経路を遮断することを特徴とするデジタルアンプ。
JP2010025289A 2010-02-08 2010-02-08 デジタルアンプ Active JP5484940B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010025289A JP5484940B2 (ja) 2010-02-08 2010-02-08 デジタルアンプ
CN201180008747.6A CN102754336B (zh) 2010-02-08 2011-01-26 数字放大器
PCT/JP2011/000428 WO2011096175A1 (ja) 2010-02-08 2011-01-26 デジタルアンプ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010025289A JP5484940B2 (ja) 2010-02-08 2010-02-08 デジタルアンプ

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2011166346A JP2011166346A (ja) 2011-08-25
JP2011166346A5 JP2011166346A5 (ja) 2013-02-07
JP5484940B2 true JP5484940B2 (ja) 2014-05-07

Family

ID=44355194

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010025289A Active JP5484940B2 (ja) 2010-02-08 2010-02-08 デジタルアンプ

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP5484940B2 (ja)
CN (1) CN102754336B (ja)
WO (1) WO2011096175A1 (ja)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5582115B2 (ja) * 2011-09-05 2014-09-03 三菱電機株式会社 ブートストラップ回路、半導体装置
CN104410289B (zh) * 2014-11-28 2017-04-19 南京航空航天大学 一种双级式矩阵变换器驱动电源电路
JP6467751B2 (ja) * 2014-12-08 2019-02-13 パナソニックIpマネジメント株式会社 点灯装置及び照明器具
CN106714032B (zh) * 2015-11-18 2020-02-04 晶豪科技股份有限公司 具有自举电容充电电路的电子装置
GB2585794B (en) * 2018-02-19 2022-04-20 Cirrus Logic Int Semiconductor Ltd Dual bootstrapping for an open-loop pulse width modulation driver
US11070203B2 (en) 2018-02-19 2021-07-20 Cirrus Logic, Inc. Dual bootstrapping for an open-loop pulse width modulation driver
US11190168B2 (en) 2018-02-19 2021-11-30 Cirrus Logic, Inc. Dual bootstrapping for an open-loop pulse width modulation driver
GB2593279A (en) * 2020-02-07 2021-09-22 Cirrus Logic Int Semiconductor Ltd Dual bootstrapping for an open-loop pulse width modulation driver

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002330064A (ja) * 2001-04-27 2002-11-15 Onkyo Corp ブートストラップ回路
JP2003133924A (ja) * 2001-10-19 2003-05-09 Ematic:Kk ハイサイドスイッチ駆動電源
JP2004228912A (ja) * 2003-01-22 2004-08-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 高効率電力増幅装置
JP2006180049A (ja) * 2004-12-21 2006-07-06 Yamaha Corp ディジタルアンプ
US8022682B2 (en) * 2006-05-01 2011-09-20 International Rectifier Corporation Method to reduce inrush voltage and current in a switching power converter
JP4872582B2 (ja) * 2006-10-04 2012-02-08 株式会社デンソー 負荷駆動回路
JP5094431B2 (ja) * 2008-01-11 2012-12-12 ローム株式会社 電力増幅回路

Also Published As

Publication number Publication date
WO2011096175A1 (ja) 2011-08-11
CN102754336B (zh) 2015-05-20
CN102754336A (zh) 2012-10-24
JP2011166346A (ja) 2011-08-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5484940B2 (ja) デジタルアンプ
JP4968487B2 (ja) ゲートドライブ回路
CN110212757B (zh) 功率转换电路和功率转换方法
US8547142B2 (en) Power semiconductor device and operation method thereof
JP5229495B2 (ja) スイッチング装置及びその制御方法
JP2014176228A (ja) ゲート駆動回路
WO1995031852A1 (fr) Dispositif d'attaque de charge
JP6060794B2 (ja) 変換装置
US20090167419A1 (en) Voltage converting circuit
JP5191672B2 (ja) スイッチングアンプ
US10879885B2 (en) Diode circuit
JP6044444B2 (ja) 変換装置
JP2002330064A (ja) ブートストラップ回路
JP2001308688A (ja) 出力回路
JP4319336B2 (ja) Mosスイッチング回路
JP7115204B2 (ja) 駆動用電源生成回路
US6014060A (en) Voltage supply circuit for amplifier
JP2020188673A (ja) 電気回路及び電源装置
JP2016063648A (ja) 駆動装置
JP2005210848A (ja) 直流電圧変換装置
JPH0263213A (ja) パワースイッチ回路
JP2009038928A (ja) スイッチング電源回路
JP2005217497A (ja) 半導体集積回路装置用負荷駆動回路
JP5649035B2 (ja) ストロボ装置
JP2824469B2 (ja) 半導体集積回路装置

Legal Events

Date Code Title Description
A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20120224

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20120224

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120406

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20121218

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20121218

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20131029

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20131225

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20131227

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20140121

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20140219

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 5484940

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151